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DE3248091A1 - Messverfahren und fotometeranordnung fuer die herstellung von vielfach-schichtsystemen - Google Patents

Messverfahren und fotometeranordnung fuer die herstellung von vielfach-schichtsystemen

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Publication number
DE3248091A1
DE3248091A1 DE19823248091 DE3248091A DE3248091A1 DE 3248091 A1 DE3248091 A1 DE 3248091A1 DE 19823248091 DE19823248091 DE 19823248091 DE 3248091 A DE3248091 A DE 3248091A DE 3248091 A1 DE3248091 A1 DE 3248091A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
measuring light
wavelength
layers
layer thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19823248091
Other languages
English (en)
Inventor
Werner Dipl.-Ing. 6463 Freigericht Klug
Alfons Ing.(grad.) 6483 Salmünster Zöller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Balzers und Leybold Deutschland Holding AG
Original Assignee
Leybold Heraeus GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold Heraeus GmbH filed Critical Leybold Heraeus GmbH
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Priority to GB08333965A priority patent/GB2133539B/en
Priority to JP58242344A priority patent/JPS59133413A/ja
Publication of DE3248091A1 publication Critical patent/DE3248091A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0683Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating measurement during deposition or removal of the layer

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  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Description

J"3. Dezember 1982 *8*2520
LEYBOLD-HERAEUS GmbH
Bonner Straße 504
5000 Köln - 51
" Meßverfahren und Fotometeranordnung für die Herstellung von Vielfach-Schichtsystemen "
Die Erfindung betrifft ein Meßverfahren für die Herstellung von Vielfach-Schichtsystemen aus abwechselnd hoch- und niedrigbrechenden Schichten auf transparenten Substraten unter kontinuierlicher Erfassung des Transmissions- und/oder Reflexionsverhaltens von Schichten, die gleichzeitig auf jeweils eines von mindestens zwei Testgläsern aufgebracht werdens wobei die hochbrechenden Schichten jeweils auf das eine Testglas und die niedrigbrechenden Schichten jeweils auf ein anderes Testglas aufgebracht werden, wobei jedes Testglas während der Beschichtung von im wesentlichen monochromatischem Meßlicht einer vorgegebenen Wellenlänge X^, Xg beaufschlagt wirdj und wobei mindestens eine der Schichten eine Dicke entsprechend eines ganzzahligen Vielfachen von
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"'•{3r*Dezember 1982 82520
- ST-
λΐ/4' ^2^' '*' besitzt, und wobei mindestens eine weitere Schicht eine von einem ganzzahligen Vielfachen von X, A bzw. A2A abweichenden Schichtdicke aufweist.
Die Herstellung von Vielfach-Schichtsystemen, die auch als Interferenz-Schichten bezeichnet werden, spielt bei optischen Erzeugnissen wie Bandpassfiltern, Kantenfiltern, Kaltlichtspiegeln, Strahlenteilern und Antireflexschichten eine bedeutende Rolle. Es handelt sich darum, innerhalb eines vorgegebenen Wellenlängenbereichs eine möglichst vollständige Transmission oder Reflexion an dem Vielfach-Schichtsystem zu erreichen, in den außerhalb liegenden Wellenlängenbereichen jedoch möglichst übergangslos eine vernachlässigbare Transmission, bzw. Reflexion zu erzielen.
Die Erfüllung dieser Forderung setzt eine möglichst große Zahl von Einzelschichten voraus, wobei etwa 20 bis 40 einzelne Schichten durchaus üblich sind. Die Schichten werden abwechselnd in der Reihenfolge ... HLHLHL ... aufgebracht, wobei H für eine hochbrechende Schicht und L für eine niedrigbrechende Schicht (L = Low) steht. Es können auch zwei hochbrechende oder zwei niedrigbrechende Schichten unmittelbar aufeinanderfolgen, die dann als einzige Schicht mit entsprechendem Brechungsindex aufgefaßt werden.
Bei der Herstellung der Einzel schichten muß die zusätzliche Forderung beachtet werden, daß die Dicke jeder Schicht möglichst genau einem vorbestimmten Wert entspricht, der auf die Wellenlänge λ des verwendeten MeßTichts bezogen wird, die auch als "Bezugswellenlänge" bezeichnet wird.
- 5 BAD ORIGINAL
.13. Dezember 1982 82520
Dies setzt nicht nur eine genaue Erfassung des zeitlichen ! Verlaufs des optischen Verhaltens der Schicht während des '. Schichtaufbaus voraus, sondern auch die Umsetzung der hierbei erhaltenen Meßwerte in einen Vorgangs der den Bej Schichtungsvorgang zeitlich genau definiert und möglichst abrupt unterbricht. Die Unterbrechung des Beschichtungsvorganges kann beispielsweise durch Einschwenken einer Bldnde in den Strom des Beschichtungsmäterials bewirkt ί werden.
Zum Verständnis dieses Vorganges wird auf folgende physikalische Gesetzmäßigkeit verwiesen: Während des Aufbaus'einer Schicht aus dielektrischem Material hat die Intensität eines durch das Meßobjekt hindurchgehenden oder von diesem reflektierten Meßlichtstrahls einen schwankenden Verlauf nach Art einer Sinuskurve. Dabei wird ein erstes Maximum bzw. Minimum bei einer Schichtdicke von einer viertel Wellenlänge erreicht, ein zweites Maximum bzw. Minimum bei einer dreiviertel Wellenlänge etc. Dazwischen liegt ein Minimum bzw. Maximum bei einer halben Wellenlänge. Bei der Erzeugung von Schichten mit einer Dicke von einer viertel Wellenlänge muß somit die Abschaltung beim Auftreten eines Maximums oder Minimums des Meßsignals bei der vorgegebenen Bezugswellenlänge erfolgen. Um einen definierten Schaltpunkt beispi-el sweise für die Blendenbetätigung zu erhalten, wird das Meßsignal häufig differenziert, so daß die Abschaltung beim Nundurchgang des differenzierten Signals durch einen sogenannten Nulldetektor herbeigeführt werden kann.
Dieser - bekannte - Vorgang ist jedoch problemlos nur dann
·* 13. Dezember 1982 "82520
möglich, wenn die einzelnen Schichten eine Dicke von λ/4 der Wellenlänge (Bezugswellenlänge) des Meßlichts aufweisen bzw. ein ganzzahliges Vielfaches hiervon, weil nur hierbei Maxima und Minima bzw. sogenannte Extremwerte auftreten. Ein Meßverfahren der vorstehend genannten Art ist beispielsweise durch die DE-OS 27 50 421 bekannt.
Nun besteht aber in zunehmendem Maße die Forderung, einzelne oder sämtliche Schichten mit einer Dicke zu erzeugen, die einem nicht-ganzzahligen Vielfachen der Bezugswellenlänge entspricht. Derartige komplizierte Schichtsysteme sind in dem Buch "Thin Film Optical Filters" von H.A. MacLeod, Ausgabe 1969, Seiten 129·, !39, 189, und 29Γ beschrieben. Bei derartigen Schichten versagt die Methode des Abschaltens beim Nulldurchgang des differenzierten' Signals unter Verwendung derjenigen Bezugswellenlänge des Meßlichts, die für Schichten verwendet wird, die genau einem ganzzahligen Vielfachen von λ/4 entsprechen. Man hat sich daher bei der Herstellung derartiger Schichten wie folgt beholfen:
Der Schichtaufbau wurde nach der Schwingquarz-Methode bestimmt, die jedoch nur die Zunahme der Masse auf dem Schwingquarz bestimmt, nicht aber deren optisches Verhalten einschließlich des Brechungsindex. Die Methode ist daher nicht nur mit dem üblichen Fehler bei der Erfassung der kondensierten Masse behaftet, sondern zusätzlich mit dem nicht erfaßbaren und infolgedessen auch nicht kompensierbaren Fehler eines abweichenden Brechungsindex, beispielsweise, wenn dieser inhomogen ist. Hierbei ist zu berücksichtigen, daß die einzelnen Fehler multiplikativ
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13. Dezember 1982 82520
auftreten, da für das Endergebnis stets das Produkt aus Brechungsindex und Schichtdicke maßgebend ist.
Man hat sich weiterhin in der Weise beholfen, daß man in den Fotometer-Strahlengang beim Aufbringen der zur Diskussion stehenden Schicht,, die nachfolgend kurz als "abweichende Schicht" bezeichnet wird, ein neues Testglas einbringt, für die gewünschte Schichtdicke unter Beibehaltung der bisherigen Wellenlänge des Meßlichts einen sogenannten Triggerpunkt festlegt und .beim Erreichen dieses Triggerpunkts den Beschichtungsvorgang unterbricht .'Diese Methode ist aber gleichfalls ungenau, weil der Triggerpunkt kaum reproduzierbar und seine Lage insbesondere von Schwankungen des Brechungsindex abhängig ist, so daß diese Methode nur sehr bedingt zu einigermaßen brauchbaren Ergebnissen geführt hat, nicht aber den Anforderungen an hochwertige Schichtsysteme genügt.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Meßverfahren für Vielfach-Schichtsysteme der eingangs beschriebenen Art anzugeben, bei dem die Bestimmung der Schichtdicke auch bei solchen Schichten möglich ist, die eine von einem ganzzahligen Vielfachen der Bezugs-Wellenlänge abweichende Schichtdicke besitzen, und die - ausgehend vom Meßsignal - die Erzeugung eines Stellsignals ermöglichen, durch welches der Beschichtungsvorgang gezielt unterbrechbar ist.
Die Lösung der gestellten Aufgabe erfolgt bei dem eingangs beschriebenen Meßverfahren gemäß der vorliegenden
O /LHU U
to W w *-·
W * ·
λ 13. Dezember 1982
82520
Erfindung dadurch, daß vor dem Aufbringen der von einem ganzzahligen Vielfachen von λ, /4 bzw. λ«Α abweichenden
Schichtdicke eine Meß!ichtwellenlänoe λ bestimmt
wird, bei der die abweichende Schichtdicke·beim Erreichen ihrer Enddicke hinsichtlich des durchgehenden oder reflektierten Meßlichtanteils einen Extremwert aufweist.
Vereinfacht ausgedrückt besteht die Erfindung somit darin3 in Abweichung von der normalerweise verwendeten Bezugswellenlänge (oder gegebenenfalls mehreren Bezugswellenlängen)-für die Messung der "abweichenden Schichtdicke" zumindest vorübergehend, d.h. für die Dauer des Auf- . bringens dieser Schicht, eine neue Meß!ichtwellenlänge λ zu bestimmen, die beim Erreichen der Enddicke der Schicht einen Extremwert aufweist, und zwar an einer Stelle, an der Meßlicht mit der ursprünglich verwendeten Bezugswellenlänge keinen Extremwert aufweisen würde. Mit anderen Worten: Für die Dauer der Aufbringung der abweichenden Schicht wird der Monochromator gezielt auf eine abweichende Wellenlänge verstellt, die bei der vorgegebenen Schichtdicke, die nach wie vor auf die ursprüngliche Bezugswellenlänge bezogen wird, einen Extremwert aufweist, der bei einer Differenzierung des Meßsignals zu einem gut auswertbaren Nulldurchgang führt.
Die ursprüngliche Bezugswellenlänge ist diejenige Wellenlänge, für die das optische System berechnet worden ist. Zur Erzielung möglichst genauer Ergebnisse wird diese Bezugswellenlänge natürlich auch für die normalen Messungen verwendet.
- 9 BAD ORIGINAL
Es ist dabei vorteilhaft, wenn sich die abweichende MeB-1ichtwellenlänge λ nicht allzuweit von der ursprünglichen Bezugswellenl änge λ. bzw. λ-« entfernt und beispielsweise innerhalb eines Toleranzbereichs von - 10 % liegt.
Einzelheiten der Signalverarbeitung in einem Rechner bzw. in einem Rechner-Regelsystem werden nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels noch näher erläutert.
Die Messung des Schichtaufbaus erfolgt im allgemeinen nicht an den Substraten selbst, sondern an sogenannten Testgläsern, die in-mitten der Substrate an einer Stelle angeordnet sind, an der Schichteigenschaften erzeugt werden, die denen der auf den Substraten niedergeschlagenen Schichteigenschaften entsprechen. Es ist bekannt, eine Vielzahl von Testgläsern in einem Magazin eines Testglas-Wechslers bereit zu halten und die einzelnen Testgläser nach Beendigung des Beschichtungsvorgangs auszuwechseln.
Es wurde bereits gesagt, daß jeweils die hochbrechenden Schichten auf das eine Testglas und die niedrigbrechenden Schichten auf das andere Testglas aufgebracht werden, wenn beispielsweise nur zwei unterschiedliche Schichtmaterialien verwendet werden. Hierbei ist es möglich, für die einzelnen Testgläser bzw. Schichtmaterialien Meßlicht mit unterschiedlicher Wellenlänge zu verwenden, wobei beispielsweise für die hochbrechenden Schichten die Wellenlänge λ, und die für die niedrigbrechenden Schichten die Wellenlänge \2 zur Anwendung kommt. In der Regel wird man jedoch beide Schichtmaterialien mit ein und derselben Bezugswellenlänge λ messen, so daß λ = λ. = λ2·
BAP.ORIQfNAL;
■"* " „»»""» »""·*"'· UZ.HUU ν/ I
13. Dezember 1982 82520
Die Erfindung betrifft auch eine Fotometer-Änordnung für die Durchführung des Meßverfahrens nach Patentanspruch Diese Fotometer-Anordnung besitzt eine Meß!ichtquelle, mindestens zwei Testglashalter für die abwechselnde Einbringung von Testgläsern in den Strom des jeweiligen Beschichtungsmaterials und in den Strahlengang des Meßlichtstrahls, mindestens einen Fotoempfänger mit vorgeschaltetem, einstellbarem Monochromator für die Erfassung des von dem jeweiligen Testglas reflektierten und/oder durchgelassenen Anteils des Meßlichts, sowie eine dem Fotoempfänger bzw. den Fotoempfängern nachgeschaltete Auswerteschaltung mit einer Einrichtung zur Extremwerterkennung und einer dadurch betätigbaren Unterbrechungseinrichtung für den Strom des Beschichtungsmaterials.
Zur Lösung der gleichen Aufgabe wird bezüglich der Foto-.meteranordnung gemäß der weiteren Erfindung vorgeschlagen, daß der Auswerteschaltung eine Datenverarbeitungseinrichtung nachgeschaltet ist, durch die vor dem Aufbringen einer von einem ganzzahligen Vielfachen von λ^,Α bzw. ^qA abweichenden Schicht ein Stellbefehl erzeugbar ist, der den Monochromator auf eine von λ. bzw. \^ verschiedene Meß!ichtwellenlänge λ umschaltet, bei der die vorgegebene (abweichende) Schichtdicke hinsichtlich des Meßsignals einen Extremwert erzeugt.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren bzw. mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist es möglich, die unterschiedlichsten Schichtdicken, die kein ganzzahliges Verhältnis mehr zur Viertel Bezugswellenlänge haben,"gezielt bzw. innerhalb engster Toleranzen aufzubringen, was durch Aufdampfen und/oder
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-yS-
Katodenzerstäubung geschehen kann. Das Erreichen der vorgegebenen Schichtdicke zeigt sich in jedem Fall, d.h. sowohl bei λ/4-und λ/2-Schichten als auch bei hiervon abweichenden Schichtdicken durch Extremwerte bzw. - nach Differenzierung des Signals - durch sogenannte Nundurchgängean, die in eindeutiger Weise ausgezählt werden, so daß im Wechselspiel mit einem Prozeßrechner eine vollautomatische Steuerung der gesamten Beschichtungsanlage auch bei extrem komplizierten Schichtsystemen möglich ist.
Ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Fotometeranordnung und einer nachgeschalteten Auswerteschaltung wird nachfolgend anhand der Figuren 1 und 2 näher erläutert.
Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Darstellung der Fotometeranordnung in Verbindung mit einer Vakuum-Beschichtungsanlage und
Figur 2 die wesentlichen Teile der Figur 1. in Verbindung mit der Auswerteschaltung und einem Rechner.
In Figurlist eine Vakuumbeschichtungsanlage. 1 dargestellt, die als Vakuumaufdampfanlage oder Katodenzerstäubungsanlage ausgebildet sein kann. Die Quellen zur Erzeugung des Beschichtungsmaterials·(Verdampfer oder Zerstäubungskatoden) sind nicht dargestellt; sie gehören im übrigen zum Stand der Technik.
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\.Ί3.. Dezember 1982 82520
Zur Vakuumbeschichtungsanlage gehört eine Vakuumkammer 2, die mit lichtdurchlässigen Fenstern 3 und 4 versehen ist. Innerhalb der Vakuumkammer 2 sind zwei zunächst noch unbeschichtete Testgläser 5a und 5b angeordnet, die als Meß-Objekte anzusehen sind, abwechselnd in den Strahlengang des Meßlichts gebracht werden und stellvertretend für eine Vielzahl von Meßobjekten stehen-,- die in der Vakuumkammer gleichzeitig oder nacheinander beschichtet werden können. Auf das Testglas 5a werden die hochbrechenden und auf das Testglas 5b die niedrigbrechenden Schichten aufgebracht. Einzelheiten sowie die Auswirkung einer solchen abwechselnden Testglasbeschichtung sind in der DE-OS 27 50 421 beschrieben.
Die Träger für die Schichten werden auch als Substrate bezeichnet, der im Bereich der Testoläser in der Regel vorhandene Substrathalter ist jedoch gleichfalls nicht gezeigt.
Außerhalb der Vakuumkammer 2 ist eine Meßlichtquelle 6 angeordnet, von der ein gebündelter Meßlichtstrahl 7 in Richtung auf die Fenster 3 und 4 verläuft. Der Meßlichtstrahl 7 definiert einen Strahlengang 8, in dem zunächst unter 45 Grad ein einseitig durchlässiger Spiegel 9 angeordnet ist. Im Strahlengang 8 befindet sich noch eine Abbildungslinse 10. Es ist hierbei wesentlich, daß für eine
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BAD ORIGINAL
*·.··:J 3. Dezember 1982 82520
Reflexionsmessung das Fenster 3 in der Weise schräg eingebaut ist, daß kein vom Fenster 3 reflektiertes Licht in den Strahlengang 8 gelangt.
Hinter dem Fenster 3 trifft der Meßlichtstrahl 7 auf das Testglas 5a auf, wobei (zunächst) der kleinste Teil des Meßlichts als reflektierter Meßlichtstrahl 7a bis zum teildurchlässigen Spiegel 9 zurückgeworfen wird. Es handelt sich im vorliegenden Falle um eine Reflexionsmessung. Am Spiegel 9 wird der verbliebene Meßlichtstrahl 7a unter 90 Grad reflektiert und trifft alsdann auf einen einstellbaren Monochromator 11 auf. Derartige Monochromatoren sind Stand der Technik; sie wählen - je nach Einstellung aus einem Wellenlängenspektrum einen extrem engen Bereich, praktisch eine einzige Wellenlänge aus, die zu definierten
15- Meßergebnissen führt. Durch den Monochromator 11 wird nur derjenige Teil des Meßlichtstrahls 7a, auf dessen Wellenlänge der Monochromator eingestellt ist, in Richtung auf einen Fotoerapfänger 12 durchgelassen. Dessen Ausgang ist über eine in Figur 1 nicht gezeigte Auswerteschaltung einer Anzeigeeinrichtung 13 auf geschaltet.
Von der Lichtquelle 6 aus gesehen ist hinter dem Fenster ein weiterer Monochromator 14 angeordnet, der die gleiche Funktion hat, wie der Monochromator 11. Als Monochromatoren kommen entweder Interferenzlinienfilter, Interferenzverlaufsfilter oder Gittermonochromatoren in Frage. Die Durchlaßwellenlänge eines Interferenzverlaufsfilters sowie eines Gittermonochromators kann mit Hilfe eines Schrittmotors variiert werden, der hier jedoch der Einfachheit halber nicht dargestellt ist.
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i. 13. Dezember 1982 82520
Der hinter dem Testglas 5a verbliebene Meßlichtstrahl ist durch die gestrichelte Linie 7b dargestellt. Es handelt sich hierbei um eine sogenannte Transmissionsmessung, d.h. der vom Testglas 5 durchgelassene Teil des Meßlichts gelangt über den Monochromator als Licht bestimmter Wellenlänge zum Fotoempfänger 15, der dfe gleiche Beschaffenheit hat wie der Fotoempfänger 12. Der Ausgang dieses Fotometers ist über eine gleichfalls nicht gezeigte Auswerteschaltung einer Anzeigeeinrichtung 16 aufgeschaltet.
In Figur 2 sind gleiche Teile wie in Figur 1 mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die Ausgänge der beiden Fotoempfänger 12 und 15 sind mit einem Umschalter 18 verbunden. In der gezeigten Schalterstellung findet eine Re-flexionsmessung statt, nach Umschaltung in die andere Position kann eine Transmission mittels des Fotoempfängers 15 gemessen werden. Vom Umschalter 18 führt eine Leitung 19 zu einem einstellbaren Verstärker 20, dessen Verstärkungsgrad über eine Steuerleitung 21 von einem Geber 22 vorgegeben wird. Vom Ausgang des Verstärkers 20 führt eine Leitung 23 zu einer Auswerteschaltung 24, die eine Einrichtung zur Extremwerterkennung, beispielsweise ein Differenzierglied mit einem Nulldetektor besitzt. Das Ausgangssignal der Auswerteschaltung 24 wird über eine Leitung 25 einer Datenverarbeitungseinrichtung 26 zugeführt, die eine Dateneingabe 27 mit einem nicht näher gezeigten Tastenfeld enthält. Die Datenverarbeitungseinrichtung 26 enthält eine Rechenschaltung mit einer entsprechenden Speicherkapazität, so daß ein komplettes Programm
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BAD ORIGINAL
13. Dezember 1982 82520
für die vollautomatische Steuerung des Schichtaufbaus eingegeben werden kann. Die Datenverarbeitungseinrichtung 26 zählt beispielsweise die Nulldurchgänge und damit die Extremwerte und "erkennt" damit die VoIlendung des Aufbaus der einzelnen Schichten. Durch entsprechende Dateneingabe kann die gesamte Schichtenfolge hinsichtlich Material und Dicke vorgegeben werden, so daß die Steuerung der Anlage vollautomatisch erfolgt. Zu diesem Zweck besitzt die Datenverarbeitungseinrichtung drei Ausgänge. Der Ausgang 28 steuert beispielsweise einen Unterbrecher für den Beschichtungsvorgang, also beispielsweise eine Blende. Mittels des Ausgangs 29 ι ist eine vollständige Steuerung der Beschichtungsanlage im vorstehend aufgezeigten Sinne möglich, und zwar unter Einschluß des Abpumpenss der Substratreinigung der Verdampferbeheizung etc.
Vor allem aber wird in der Datenverarbeitungseinrichtung mittels der Rechenschaltung die Meß!ichtwellenlänge λ_ bestimmt, die über den dritten Ausgang 30 einer Monochromatorsteuerung 31 zugeführt wird. Diese enthält einen Mikroprozessor, der einen Stellbefehl erzeugt, der über eine weitere Leitung 32 einem der beiden Monochromatoren bzw. 14 zugeführt wird. Die Monochromatorensteuerung 31 bewirkt somit die erfindungsgemäße Umschaltung von der Meß! ichtwellenlänge λ., bzw. λ~ auf λ » bzw. λ^·
Die Bestimmung der Meßl ichstwell enlänge λ ^erfolgt dabei unter Berücksichtigung der Dispersion nach der folgenden mathematischen Beziehung:
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: J ^ 4 b U 13. Dezember 1982
Λ, 82520
Das folgende Beispiel bezieht sich auf eines der Testgläser bzw. eines der Materialien n., eine Bezugswellenlänge A,: Für das jeweils andere Testglas etc. gelten analoge Überlegungen:
m1 ' Am1 a K1 * A1 + K1 ' A1
um1; U1; U1 ;
bzw.: d = d1 + dj · ■
dabei sind:
d = geometrische Gesamtschichtdicke auf dem Testglas nach Beendigung der abweichenden Schicht d1 = geometrische Gesamtschichtdicke auf dem Testglas
ohne die abweichende Schicht
dj = geometrische Schichtdicke der abweichenden Schicht k , = Multiplikator von A ./4 nach Vollendung der abweichenden Schicht. Es handelt sich um einen ganzzahligen Wert, der so gewählt wird, daß sich für A- eine günstige
Wellenlänge ergibt
k1 = Multiplikator für ·λ,/4, der eine gerade oder eine
gebrochene Zahl sein kann
kj = Multiplikator für Aj/4, der eine gerade oder eine ge-' brochene Zähl sein kann. Sofern kj eine gebrochene Zahl ist, wurde bisher nach der eingangs beschriebenen Methode des Triggerpunktes oder mit einem Schwingquarz gemessen. Wenn kj eine gerade Zahl ist und A. von Aj abweicht, wurde bisher ein neues Testglas verwendet oder nach der Schwingquarz-Methode gemessen "(A.) = Brechzahl des Schichtmaterials bei der Meßlicht-
wellenlänge
A1 = Bezugswellenlänge für die Messung des auf dem Test-. glas vorhandenen Materials mit dem einen Brechungsindex, bevor die abweichende Schicht aufgebracht wird Aj = Bezugswellenlänge für die Messung des auf dem gleichen
Testglas vorhandenen gleichen Materials (kann mit A1 identisch sein)
- 17 BAD ORIGINAL
13. Dezember 1982 82520
- yf-
nM ^ = Brechzahl des Materials der abweichenden
^ m1 '
Schicht bei der Meßlichtwellenlänge λ ,
Π/^ s = Brechzahl des Schichtmaterials bei λ. Π/^iN = Brechzahl des Schichtmaterials bei X1J.
Nach Umstellung der Gleichung ergibt sich
m1
Kj
n(xj)
m 1
m1
Da n/, ^ bei der Berechnung von λ ι noch nicht bekannt ist,
mr
wird für nM \ zweckmäßigerweise zunächst ein qeschätzter
Zahlenwert verwendet. Mit dem so berechneten X ,wird nun η,, ^ berechnet oder aus einem Speicher abgefragt. Mit dem
umf
so gewonnenen Zahlenwert für η>λ ν wird X^erneut berechnet,
Nach etwa zwei- bis dreimaliger Wiederholung dieser Rechnung ist X ,mit ausreichender Genauigkeit bestimmt.
Bei spiel :
Die optischen Schichtdicken eines Kantenfilters mit folgenden Sollwerten sollen während des Schichtaufbaus gemessen werden. Das Schichtpaket hat folgenden Aufbau: (HLHLHLHL 1/2H) 550nm. CH= λ/4; L= λ/4; 1/2 H= λ/8)
Alle H- und alle L-Schichten werden je auf einem Testglas zusammengefaßt. Bei den L-Schichten ist die geforderte optische Schichtdicke jeweils beim nächsten Extremwert der Meßkurve bei der Bezugswellenlänge von 550 nm erreicht. Dies
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1^" ···—" 13. Dezember 1982 /fi 82520
trifft auch für die ersten vier Η-Schichten zu. Nach dem Stand der Technik würde die letzte 1/2 Η-Schicht nun nach einem Triggerpunkt auf dem gleichen TestgTas oder auf einem neuen Testglas bei einer Meßlichtwellenlänge von gleichfalls 550 nm beendet. Erfindungsgemäß wird jedoch für die Messung der abweichenden Schicht eine andere Meßlichtwellenlänge X^, bestimmt, und zwar wie folgt unter Anwendung der Formel (2).
Da vor dem Beschichtungsbeginn der letzten Schicht bereits vier λ/4-Schichten bei 550 nm auf dem Testglas aufgebracht wurden, ist k. = 4 und λ. = 550 nm. Die letzte Schicht soll eine optische Dicke von λ/8 bei 550 nm haben. Das bedeutet ein kl von 0,5 und ein X' von 550 nm. Für k -, wird der Wert 5 gewählt, so daß λ ..möglichst nahe an X^ oder Xj .
Die Brechzahlen lassen sich nach folgender Näherungsformel berechnen:
Im vorliegenden Fall beträgt nQ = 2,065 und D =55.000 nm2 Der betreffende Dispersionskoeffizient wurde durch Versuche ermittelt. Daraus ergibt sich
η,,· λ = 2,065 + = 2,247 U1; 5502
Da in diesem Fall X1 mit X! identisch ist, sind auch die
- 19 -
BAD ORIGINAL
• ■
>4-3. Dezember 1982 82520
zugehörigen Brechzahlen gleich. Für nM \ wird zunächst
der gleiche Zahlenwert eingesetzt, wodurch sich in erster Näherung folgender Wert ergibt:
\m = 495 nm
"1M)
und entsprechend
"(495) = 2·289·
Durch !iterative Rechnung ergibt sich ein
λ = 504,27 nm
m(2)
ι "(504,37) = 2'28
und bei der nächsten Rechenoperation
λ 502 nm
m(3) ·
n(502) = 2»Z81
Es wird infolgedessen ein λ ^= 502, nm verwendet.
Es ist ersichtlich, daß bereits die dritte Iterationsrechnung für λ ^eine ausreichende Genauigkeit hat, da der bei der nächsten Iiterationsrechnung gefundene Wert nur noch in der ersten Stelle hinter dem Komma abweicht.
Um den Kurvenverlauf des Fotometersignals zu bestimmen, ist noch der Multiplikator von λ ,/4vor Beginn der Schichtherstellung zu ermitteln. Dies, geschieht nach der Beziehung
k * - ki * λι η(·^ι}
km1 " -i i. . OÜ. = 4,45
"(X1) λ
m1
- 20 -
"13. Dezember 1982 82520
- VT-
verwendet wird ein K .= 5.
Aus der vorstehenden Beispielsrcechnung ergibt sich, daß durch Umschalten der Meß!ichtquellenlänge von λ = X. = λ' 550 nm auf λ = 502 nm eine Schicht erzeugt werden kann, die bei einer endgültigen Schichtdicke von λ/8 einen Extremwert aufweist, der als differenziertes Signal einen Nundurchgang besitzt, der wiederum zum Abschalten des Beschichtungsvorganges verwendet werden kann.
BAD ORIGINAL
- Leerseite

Claims (1)

  1. ij 3. Dezember 1982 82520
    PATENTANSPRÜCHE:
    Meßverfahren für die Herstellung von Vielfach-Schichtsystemen aus abwechselnd hoch- und niedrigbrechenden ! Schichten auf trang)arenten Substraten unter kontinuierlicher Erfassung des Transmissions- und/oder Reflexionsverhaltens von Schichten., die gleichzeitig auf jeweils eines von mindestens zwei Testgläsern aufgebracht werden., wobei die hochbrechenden Schichten jeweils auf das eine Testglas und die niedrigbrechenden Schichten jeweils auf ein anderes Testglas aufgebracht werden, wobei jedes T.estglas während der ι ■ Beschichtung von im wesentlichen monochromatischem Meßlicht einer vorgegebenen Wellenlänge X^9 X2, .·· beaufschlagt wird und wobei mindestens eine der Schichten eine Dicke entsprechend eines ganzzahligen Vielfachen von λ, /4, X2 /4", ... besitzt, und wobei mindestens eine weitere Schicht eine von einem ganzzahligen Vielfachen von λ. /4 bzw. XoA a^~ weichenden Schichtdicke aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen aQr von einem ganzzahligen Vielfachen von XiA bzw. X2A abweichenden Schichtdicke eine Meßiichtwellenlänge X bestimmt wird, bei der die abweichende Schich'tdicke beim Erreichen ihrer Enddicke hinsichtlich des durchgehenden oder reflektierten Meßlichtanteils einen Extremwert aufweist.
    2. Fotometeranordnung "fjür die Durchführung des Meßverfahrens nach Patentanspruch 1 mit einer Meß!ichtquelle, mindestens zwei Testglashaltern für die abwechselnde Einbringung
    OZtO
    13. Dezember 1982 82520
    von Testgläsern in den Strom des jeweiligen Beschichtungsmaterials und in den Strahlengang des Meßlichtstrahls, mit mindestens einem Fotoempfänger mit vorgeschaltetem einstellbarem Monochromator für die Erfassung des von dem jeweiligen Testglas reflektierten und/oder durchgelassenen Anteils des Meßlich.ts sowie mit einer dem (den) Fotoempfänger(n) nachgeschalteten Auswerteschaltung mit einer Einrichtung zur Extremwerterkennung und einer dadurch betätigbaren Unterbrechungseinrichtung für den Strom des Beschichtungsmaterials dadurch gekennzeichnet, daß der Auswerteschaltung (24) eine Datenverarbeitungseinrichtung (26) nachgeschaltet ist, durch die vor dem Aufbringen einer von einem ganzzahligen Vielfachen von λ, /4 bzw. ^2A abweichenden Schicht ein Stellbefehl erzeugbar ist, der den Monochromator (11/14) auf eine von λ. bzw. X^ verschiedene Meßlichtwellenlänge Xm umschaltet, bei der die vorgegebene Schichtdicke einen Extremwert erzeugt.
    BAD ORIGINAL
DE19823248091 1982-12-24 1982-12-24 Messverfahren und fotometeranordnung fuer die herstellung von vielfach-schichtsystemen Withdrawn DE3248091A1 (de)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3518774A1 (de) * 1985-05-24 1986-11-27 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh, 8225 Traunreut Verfahren zur ermittlung und optimierung der optischen weglaenge einer durchgehenden transparenten schicht oder einer strukturierten schicht
WO1997000422A1 (de) * 1995-06-19 1997-01-03 Optikzentrum Nrw Gmbh (Oz) Verfahren und vorrichtung zur bestimmung der dicke und/oder des komplexen brechungsindexes dünner schichten und verwendung zur steuerung von beschichtungsverfahren

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2054084B2 (de) * 1969-11-05 1973-03-08 Brun Sensor Systems Ine , Columbus, Ohio (V St A ) Zweistrahl-infrarotmessung im reflexions- oder durchstrahlungsverfahren
DE2414034A1 (de) * 1973-03-26 1974-10-10 Ibm Verfahren zur messung der dicke mehrerer uebereinanderliegender schichten
US3892490A (en) * 1974-03-06 1975-07-01 Minolta Camera Kk Monitoring system for coating a substrate
DE2909400A1 (de) * 1978-03-10 1979-09-20 Asahi Dow Ltd Verfahren und vorrichtung zur ir- messung der folienschichtdicken einer mehrschichtigen verbundfolie

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2054084B2 (de) * 1969-11-05 1973-03-08 Brun Sensor Systems Ine , Columbus, Ohio (V St A ) Zweistrahl-infrarotmessung im reflexions- oder durchstrahlungsverfahren
DE2414034A1 (de) * 1973-03-26 1974-10-10 Ibm Verfahren zur messung der dicke mehrerer uebereinanderliegender schichten
US3892490A (en) * 1974-03-06 1975-07-01 Minolta Camera Kk Monitoring system for coating a substrate
DE2909400A1 (de) * 1978-03-10 1979-09-20 Asahi Dow Ltd Verfahren und vorrichtung zur ir- messung der folienschichtdicken einer mehrschichtigen verbundfolie

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
GB-Z: Journal of Physics E 10, 1977, S.733-736, JP-Z: Patent Abstracts of Japan, P33, Oct. 25, 1980, Vol.4, No.153 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3518774A1 (de) * 1985-05-24 1986-11-27 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh, 8225 Traunreut Verfahren zur ermittlung und optimierung der optischen weglaenge einer durchgehenden transparenten schicht oder einer strukturierten schicht
WO1997000422A1 (de) * 1995-06-19 1997-01-03 Optikzentrum Nrw Gmbh (Oz) Verfahren und vorrichtung zur bestimmung der dicke und/oder des komplexen brechungsindexes dünner schichten und verwendung zur steuerung von beschichtungsverfahren

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