DE3248091A1 - Messverfahren und fotometeranordnung fuer die herstellung von vielfach-schichtsystemen - Google Patents
Messverfahren und fotometeranordnung fuer die herstellung von vielfach-schichtsystemenInfo
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Description
J"3. Dezember 1982
*8*2520
LEYBOLD-HERAEUS GmbH
Bonner Straße 504
Bonner Straße 504
5000 Köln - 51
" Meßverfahren und Fotometeranordnung für die Herstellung von Vielfach-Schichtsystemen
"
Die Erfindung betrifft ein Meßverfahren für die Herstellung von Vielfach-Schichtsystemen aus abwechselnd hoch- und
niedrigbrechenden Schichten auf transparenten Substraten unter kontinuierlicher Erfassung des Transmissions- und/oder
Reflexionsverhaltens von Schichten, die gleichzeitig auf jeweils eines von mindestens zwei Testgläsern aufgebracht
werdens wobei die hochbrechenden Schichten jeweils auf das
eine Testglas und die niedrigbrechenden Schichten jeweils auf ein anderes Testglas aufgebracht werden, wobei jedes
Testglas während der Beschichtung von im wesentlichen monochromatischem Meßlicht einer vorgegebenen Wellenlänge X^, Xg
beaufschlagt wirdj und wobei mindestens eine der Schichten eine Dicke entsprechend eines ganzzahligen Vielfachen von
I
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"'•{3r*Dezember 1982
82520
- ST-
λΐ/4' ^2^' '*' besitzt, und wobei mindestens eine weitere
Schicht eine von einem ganzzahligen Vielfachen von X, A bzw. A2A abweichenden Schichtdicke aufweist.
Die Herstellung von Vielfach-Schichtsystemen, die auch
als Interferenz-Schichten bezeichnet werden, spielt bei optischen Erzeugnissen wie Bandpassfiltern, Kantenfiltern,
Kaltlichtspiegeln, Strahlenteilern und Antireflexschichten
eine bedeutende Rolle. Es handelt sich darum, innerhalb eines vorgegebenen Wellenlängenbereichs eine
möglichst vollständige Transmission oder Reflexion an dem Vielfach-Schichtsystem zu erreichen, in den außerhalb
liegenden Wellenlängenbereichen jedoch möglichst
übergangslos eine vernachlässigbare Transmission, bzw.
Reflexion zu erzielen.
Die Erfüllung dieser Forderung setzt eine möglichst große Zahl von Einzelschichten voraus, wobei etwa 20 bis
40 einzelne Schichten durchaus üblich sind. Die Schichten werden abwechselnd in der Reihenfolge ... HLHLHL ...
aufgebracht, wobei H für eine hochbrechende Schicht und L für eine niedrigbrechende Schicht (L = Low) steht.
Es können auch zwei hochbrechende oder zwei niedrigbrechende Schichten unmittelbar aufeinanderfolgen, die
dann als einzige Schicht mit entsprechendem Brechungsindex aufgefaßt werden.
Bei der Herstellung der Einzel schichten muß die zusätzliche Forderung beachtet werden, daß die Dicke jeder Schicht
möglichst genau einem vorbestimmten Wert entspricht, der auf die Wellenlänge λ des verwendeten MeßTichts bezogen
wird, die auch als "Bezugswellenlänge" bezeichnet wird.
- 5 BAD ORIGINAL
.13. Dezember 1982
82520
Dies setzt nicht nur eine genaue Erfassung des zeitlichen ! Verlaufs des optischen Verhaltens der Schicht während des
'. Schichtaufbaus voraus, sondern auch die Umsetzung der hierbei erhaltenen Meßwerte in einen Vorgangs der den Bej
Schichtungsvorgang zeitlich genau definiert und möglichst abrupt unterbricht. Die Unterbrechung des Beschichtungsvorganges
kann beispielsweise durch Einschwenken einer Bldnde in den Strom des Beschichtungsmäterials bewirkt
ί werden.
Zum Verständnis dieses Vorganges wird auf folgende physikalische Gesetzmäßigkeit verwiesen: Während des
Aufbaus'einer Schicht aus dielektrischem Material hat die Intensität eines durch das Meßobjekt hindurchgehenden
oder von diesem reflektierten Meßlichtstrahls einen
schwankenden Verlauf nach Art einer Sinuskurve. Dabei wird ein erstes Maximum bzw. Minimum bei einer Schichtdicke
von einer viertel Wellenlänge erreicht, ein zweites Maximum bzw. Minimum bei einer dreiviertel Wellenlänge etc.
Dazwischen liegt ein Minimum bzw. Maximum bei einer halben Wellenlänge. Bei der Erzeugung von Schichten mit einer
Dicke von einer viertel Wellenlänge muß somit die Abschaltung beim Auftreten eines Maximums oder Minimums
des Meßsignals bei der vorgegebenen Bezugswellenlänge erfolgen. Um einen definierten Schaltpunkt beispi-el sweise
für die Blendenbetätigung zu erhalten, wird das Meßsignal
häufig differenziert, so daß die Abschaltung beim Nundurchgang
des differenzierten Signals durch einen sogenannten Nulldetektor herbeigeführt werden kann.
Dieser - bekannte - Vorgang ist jedoch problemlos nur dann
·* 13. Dezember 1982 "82520
möglich, wenn die einzelnen Schichten eine Dicke von λ/4
der Wellenlänge (Bezugswellenlänge) des Meßlichts aufweisen
bzw. ein ganzzahliges Vielfaches hiervon, weil nur hierbei Maxima und Minima bzw. sogenannte Extremwerte
auftreten. Ein Meßverfahren der vorstehend genannten Art ist beispielsweise durch die DE-OS 27 50 421 bekannt.
Nun besteht aber in zunehmendem Maße die Forderung, einzelne oder sämtliche Schichten mit einer Dicke zu
erzeugen, die einem nicht-ganzzahligen Vielfachen der
Bezugswellenlänge entspricht. Derartige komplizierte
Schichtsysteme sind in dem Buch "Thin Film Optical Filters" von H.A. MacLeod, Ausgabe 1969, Seiten 129·, !39, 189,
und 29Γ beschrieben. Bei derartigen Schichten versagt
die Methode des Abschaltens beim Nulldurchgang des differenzierten' Signals unter Verwendung derjenigen Bezugswellenlänge
des Meßlichts, die für Schichten verwendet wird, die genau einem ganzzahligen Vielfachen
von λ/4 entsprechen. Man hat sich daher bei der Herstellung derartiger Schichten wie folgt beholfen:
Der Schichtaufbau wurde nach der Schwingquarz-Methode bestimmt, die jedoch nur die Zunahme der Masse auf dem
Schwingquarz bestimmt, nicht aber deren optisches Verhalten einschließlich des Brechungsindex. Die Methode ist daher
nicht nur mit dem üblichen Fehler bei der Erfassung der kondensierten Masse behaftet, sondern zusätzlich mit
dem nicht erfaßbaren und infolgedessen auch nicht kompensierbaren Fehler eines abweichenden Brechungsindex, beispielsweise,
wenn dieser inhomogen ist. Hierbei ist zu berücksichtigen, daß die einzelnen Fehler multiplikativ
- 7 BAD ORIGINAL
13. Dezember 1982 82520
auftreten, da für das Endergebnis stets das Produkt aus
Brechungsindex und Schichtdicke maßgebend ist.
Man hat sich weiterhin in der Weise beholfen, daß man in den Fotometer-Strahlengang beim Aufbringen der zur
Diskussion stehenden Schicht,, die nachfolgend kurz als
"abweichende Schicht" bezeichnet wird, ein neues Testglas einbringt, für die gewünschte Schichtdicke unter
Beibehaltung der bisherigen Wellenlänge des Meßlichts einen sogenannten Triggerpunkt festlegt und .beim Erreichen
dieses Triggerpunkts den Beschichtungsvorgang unterbricht .'Diese Methode ist aber gleichfalls ungenau,
weil der Triggerpunkt kaum reproduzierbar und seine Lage insbesondere von Schwankungen des Brechungsindex
abhängig ist, so daß diese Methode nur sehr bedingt zu einigermaßen brauchbaren Ergebnissen geführt hat,
nicht aber den Anforderungen an hochwertige Schichtsysteme genügt.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Meßverfahren für Vielfach-Schichtsysteme der eingangs beschriebenen
Art anzugeben, bei dem die Bestimmung der Schichtdicke auch bei solchen Schichten möglich ist,
die eine von einem ganzzahligen Vielfachen der Bezugs-Wellenlänge abweichende Schichtdicke besitzen, und die
- ausgehend vom Meßsignal - die Erzeugung eines Stellsignals
ermöglichen, durch welches der Beschichtungsvorgang gezielt unterbrechbar ist.
Die Lösung der gestellten Aufgabe erfolgt bei dem eingangs beschriebenen Meßverfahren gemäß der vorliegenden
O /LHU U
to W w *-·
W * ·
W * ·
λ 13. Dezember 1982
82520
Erfindung dadurch, daß vor dem Aufbringen der von einem ganzzahligen Vielfachen von λ, /4 bzw. λ«Α abweichenden
Schichtdicke eine Meß!ichtwellenlänoe λ bestimmt
wird, bei der die abweichende Schichtdicke·beim Erreichen
ihrer Enddicke hinsichtlich des durchgehenden oder reflektierten Meßlichtanteils einen Extremwert
aufweist.
Vereinfacht ausgedrückt besteht die Erfindung somit darin3
in Abweichung von der normalerweise verwendeten Bezugswellenlänge (oder gegebenenfalls mehreren Bezugswellenlängen)-für
die Messung der "abweichenden Schichtdicke" zumindest vorübergehend, d.h. für die Dauer des Auf- .
bringens dieser Schicht, eine neue Meß!ichtwellenlänge
λ zu bestimmen, die beim Erreichen der Enddicke der Schicht einen Extremwert aufweist, und zwar an einer
Stelle, an der Meßlicht mit der ursprünglich verwendeten
Bezugswellenlänge keinen Extremwert aufweisen
würde. Mit anderen Worten: Für die Dauer der Aufbringung der abweichenden Schicht wird der Monochromator gezielt
auf eine abweichende Wellenlänge verstellt, die bei der vorgegebenen Schichtdicke, die nach wie vor auf die ursprüngliche
Bezugswellenlänge bezogen wird, einen Extremwert
aufweist, der bei einer Differenzierung des Meßsignals zu einem gut auswertbaren Nulldurchgang führt.
Die ursprüngliche Bezugswellenlänge ist diejenige Wellenlänge,
für die das optische System berechnet worden ist. Zur Erzielung möglichst genauer Ergebnisse wird diese
Bezugswellenlänge natürlich auch für die normalen Messungen
verwendet.
- 9 BAD ORIGINAL
Es ist dabei vorteilhaft, wenn sich die abweichende MeB-1ichtwellenlänge
λ nicht allzuweit von der ursprünglichen
Bezugswellenl änge λ. bzw. λ-« entfernt und beispielsweise
innerhalb eines Toleranzbereichs von - 10 % liegt.
Einzelheiten der Signalverarbeitung in einem Rechner
bzw. in einem Rechner-Regelsystem werden nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels noch näher erläutert.
Die Messung des Schichtaufbaus erfolgt im allgemeinen nicht
an den Substraten selbst, sondern an sogenannten Testgläsern, die in-mitten der Substrate an einer Stelle angeordnet
sind, an der Schichteigenschaften erzeugt werden, die denen der auf den Substraten niedergeschlagenen
Schichteigenschaften entsprechen. Es ist bekannt, eine Vielzahl von Testgläsern in einem Magazin eines Testglas-Wechslers
bereit zu halten und die einzelnen Testgläser nach Beendigung des Beschichtungsvorgangs auszuwechseln.
Es wurde bereits gesagt, daß jeweils die hochbrechenden Schichten auf das eine Testglas und die niedrigbrechenden
Schichten auf das andere Testglas aufgebracht werden, wenn beispielsweise nur zwei unterschiedliche Schichtmaterialien
verwendet werden. Hierbei ist es möglich, für die einzelnen Testgläser bzw. Schichtmaterialien
Meßlicht mit unterschiedlicher Wellenlänge zu verwenden, wobei
beispielsweise für die hochbrechenden Schichten die Wellenlänge λ, und die für die niedrigbrechenden Schichten
die Wellenlänge \2 zur Anwendung kommt. In der Regel wird
man jedoch beide Schichtmaterialien mit ein und derselben
Bezugswellenlänge λ messen, so daß λ = λ. = λ2·
BAP.ORIQfNAL;
■"* " „»»""» »""·*"'· UZ.HUU ν/ I
13. Dezember 1982 82520
Die Erfindung betrifft auch eine Fotometer-Änordnung für
die Durchführung des Meßverfahrens nach Patentanspruch Diese Fotometer-Anordnung besitzt eine Meß!ichtquelle,
mindestens zwei Testglashalter für die abwechselnde Einbringung
von Testgläsern in den Strom des jeweiligen Beschichtungsmaterials
und in den Strahlengang des Meßlichtstrahls,
mindestens einen Fotoempfänger mit vorgeschaltetem, einstellbarem Monochromator für die Erfassung
des von dem jeweiligen Testglas reflektierten und/oder
durchgelassenen Anteils des Meßlichts, sowie eine dem Fotoempfänger bzw. den Fotoempfängern nachgeschaltete
Auswerteschaltung mit einer Einrichtung zur Extremwerterkennung
und einer dadurch betätigbaren Unterbrechungseinrichtung für den Strom des Beschichtungsmaterials.
Zur Lösung der gleichen Aufgabe wird bezüglich der Foto-.meteranordnung
gemäß der weiteren Erfindung vorgeschlagen, daß der Auswerteschaltung eine Datenverarbeitungseinrichtung nachgeschaltet ist, durch die vor dem Aufbringen
einer von einem ganzzahligen Vielfachen von λ^,Α bzw. ^qA
abweichenden Schicht ein Stellbefehl erzeugbar ist, der
den Monochromator auf eine von λ. bzw. \^ verschiedene
Meß!ichtwellenlänge λ umschaltet, bei der die vorgegebene
(abweichende) Schichtdicke hinsichtlich des Meßsignals einen Extremwert erzeugt.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren bzw. mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist es möglich, die unterschiedlichsten
Schichtdicken, die kein ganzzahliges Verhältnis mehr zur Viertel Bezugswellenlänge haben,"gezielt bzw. innerhalb engster
Toleranzen aufzubringen, was durch Aufdampfen und/oder
- 11 BAD ORIGINAL
13. Dezember 1982 82520
-yS-
Katodenzerstäubung geschehen kann. Das Erreichen der vorgegebenen Schichtdicke zeigt sich in jedem Fall, d.h. sowohl
bei λ/4-und λ/2-Schichten als auch bei hiervon abweichenden
Schichtdicken durch Extremwerte bzw. - nach Differenzierung des Signals - durch sogenannte Nundurchgängean,
die in eindeutiger Weise ausgezählt werden, so daß im Wechselspiel mit einem Prozeßrechner eine vollautomatische
Steuerung der gesamten Beschichtungsanlage auch bei extrem komplizierten Schichtsystemen möglich ist.
Ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Fotometeranordnung
und einer nachgeschalteten Auswerteschaltung wird nachfolgend anhand der Figuren 1 und 2 näher erläutert.
Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Darstellung der Fotometeranordnung
in Verbindung mit einer Vakuum-Beschichtungsanlage und
Figur 2 die wesentlichen Teile der Figur 1. in Verbindung mit der Auswerteschaltung und einem
Rechner.
In Figurlist eine Vakuumbeschichtungsanlage. 1 dargestellt,
die als Vakuumaufdampfanlage oder Katodenzerstäubungsanlage ausgebildet sein kann. Die Quellen zur Erzeugung des Beschichtungsmaterials·(Verdampfer
oder Zerstäubungskatoden) sind nicht dargestellt; sie gehören im übrigen zum Stand
der Technik.
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\.Ί3.. Dezember 1982
82520
Zur Vakuumbeschichtungsanlage gehört eine Vakuumkammer 2,
die mit lichtdurchlässigen Fenstern 3 und 4 versehen ist.
Innerhalb der Vakuumkammer 2 sind zwei zunächst noch unbeschichtete Testgläser 5a und 5b angeordnet, die als Meß-Objekte
anzusehen sind, abwechselnd in den Strahlengang des Meßlichts gebracht werden und stellvertretend für
eine Vielzahl von Meßobjekten stehen-,- die in der Vakuumkammer gleichzeitig oder nacheinander beschichtet werden
können. Auf das Testglas 5a werden die hochbrechenden und auf das Testglas 5b die niedrigbrechenden Schichten
aufgebracht. Einzelheiten sowie die Auswirkung einer solchen abwechselnden Testglasbeschichtung sind in der
DE-OS 27 50 421 beschrieben.
Die Träger für die Schichten werden auch als Substrate bezeichnet, der im Bereich der Testoläser in der
Regel vorhandene Substrathalter ist jedoch gleichfalls
nicht gezeigt.
Außerhalb der Vakuumkammer 2 ist eine Meßlichtquelle 6
angeordnet, von der ein gebündelter Meßlichtstrahl 7 in
Richtung auf die Fenster 3 und 4 verläuft. Der Meßlichtstrahl 7 definiert einen Strahlengang 8, in dem zunächst
unter 45 Grad ein einseitig durchlässiger Spiegel 9 angeordnet
ist. Im Strahlengang 8 befindet sich noch eine Abbildungslinse
10. Es ist hierbei wesentlich, daß für eine
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BAD ORIGINAL
*·.··:J 3. Dezember 1982
82520
Reflexionsmessung das Fenster 3 in der Weise schräg eingebaut
ist, daß kein vom Fenster 3 reflektiertes Licht in den Strahlengang 8 gelangt.
Hinter dem Fenster 3 trifft der Meßlichtstrahl 7 auf das
Testglas 5a auf, wobei (zunächst) der kleinste Teil des Meßlichts als reflektierter Meßlichtstrahl 7a bis zum
teildurchlässigen Spiegel 9 zurückgeworfen wird. Es handelt sich im vorliegenden Falle um eine Reflexionsmessung. Am Spiegel 9 wird der verbliebene Meßlichtstrahl 7a
unter 90 Grad reflektiert und trifft alsdann auf einen einstellbaren Monochromator 11 auf. Derartige Monochromatoren
sind Stand der Technik; sie wählen - je nach Einstellung aus einem Wellenlängenspektrum einen extrem engen Bereich,
praktisch eine einzige Wellenlänge aus, die zu definierten
15- Meßergebnissen führt. Durch den Monochromator 11 wird
nur derjenige Teil des Meßlichtstrahls 7a, auf dessen
Wellenlänge der Monochromator eingestellt ist, in Richtung auf einen Fotoerapfänger 12 durchgelassen. Dessen Ausgang
ist über eine in Figur 1 nicht gezeigte Auswerteschaltung einer Anzeigeeinrichtung 13 auf geschaltet.
Von der Lichtquelle 6 aus gesehen ist hinter dem Fenster
ein weiterer Monochromator 14 angeordnet, der die gleiche Funktion hat, wie der Monochromator 11. Als Monochromatoren
kommen entweder Interferenzlinienfilter, Interferenzverlaufsfilter
oder Gittermonochromatoren in Frage. Die Durchlaßwellenlänge
eines Interferenzverlaufsfilters sowie eines Gittermonochromators kann mit Hilfe eines Schrittmotors
variiert werden, der hier jedoch der Einfachheit halber nicht dargestellt ist.
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i. 13. Dezember 1982 82520
Der hinter dem Testglas 5a verbliebene Meßlichtstrahl ist
durch die gestrichelte Linie 7b dargestellt. Es handelt sich hierbei um eine sogenannte Transmissionsmessung, d.h.
der vom Testglas 5 durchgelassene Teil des Meßlichts gelangt über den Monochromator als Licht bestimmter Wellenlänge
zum Fotoempfänger 15, der dfe gleiche Beschaffenheit hat wie der Fotoempfänger 12. Der Ausgang dieses Fotometers
ist über eine gleichfalls nicht gezeigte Auswerteschaltung einer Anzeigeeinrichtung 16 aufgeschaltet.
In Figur 2 sind gleiche Teile wie in Figur 1 mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die Ausgänge der beiden Fotoempfänger
12 und 15 sind mit einem Umschalter 18 verbunden. In der gezeigten Schalterstellung findet eine Re-flexionsmessung
statt, nach Umschaltung in die andere Position kann eine Transmission mittels des Fotoempfängers 15 gemessen
werden. Vom Umschalter 18 führt eine Leitung 19 zu einem einstellbaren Verstärker 20, dessen Verstärkungsgrad über eine Steuerleitung 21 von einem Geber 22 vorgegeben
wird. Vom Ausgang des Verstärkers 20 führt eine Leitung 23 zu einer Auswerteschaltung 24, die eine Einrichtung
zur Extremwerterkennung, beispielsweise ein
Differenzierglied mit einem Nulldetektor besitzt. Das
Ausgangssignal der Auswerteschaltung 24 wird über eine Leitung 25 einer Datenverarbeitungseinrichtung 26 zugeführt,
die eine Dateneingabe 27 mit einem nicht näher gezeigten Tastenfeld enthält. Die Datenverarbeitungseinrichtung 26 enthält eine Rechenschaltung mit einer entsprechenden
Speicherkapazität, so daß ein komplettes Programm
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13. Dezember 1982 82520
für die vollautomatische Steuerung des Schichtaufbaus eingegeben werden kann. Die Datenverarbeitungseinrichtung
26 zählt beispielsweise die Nulldurchgänge und damit die Extremwerte und "erkennt" damit die VoIlendung
des Aufbaus der einzelnen Schichten. Durch entsprechende Dateneingabe kann die gesamte Schichtenfolge
hinsichtlich Material und Dicke vorgegeben werden, so daß die Steuerung der Anlage vollautomatisch erfolgt.
Zu diesem Zweck besitzt die Datenverarbeitungseinrichtung drei Ausgänge. Der Ausgang 28 steuert beispielsweise
einen Unterbrecher für den Beschichtungsvorgang, also
beispielsweise eine Blende. Mittels des Ausgangs 29 ι ist eine vollständige Steuerung der Beschichtungsanlage
im vorstehend aufgezeigten Sinne möglich, und zwar unter Einschluß des Abpumpenss der Substratreinigung der Verdampferbeheizung
etc.
Vor allem aber wird in der Datenverarbeitungseinrichtung
mittels der Rechenschaltung die Meß!ichtwellenlänge λ_
bestimmt, die über den dritten Ausgang 30 einer Monochromatorsteuerung
31 zugeführt wird. Diese enthält einen Mikroprozessor, der einen Stellbefehl erzeugt, der über
eine weitere Leitung 32 einem der beiden Monochromatoren bzw. 14 zugeführt wird. Die Monochromatorensteuerung 31
bewirkt somit die erfindungsgemäße Umschaltung von der Meß! ichtwellenlänge λ., bzw. λ~ auf λ » bzw. λ^·
Die Bestimmung der Meßl ichstwell enlänge λ ^erfolgt dabei
unter Berücksichtigung der Dispersion nach der folgenden
mathematischen Beziehung:
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: J ^ 4 b U 13. Dezember 1982
Λ, 82520
Das folgende Beispiel bezieht sich auf eines der Testgläser bzw. eines der Materialien n., eine Bezugswellenlänge A,:
Für das jeweils andere Testglas etc. gelten analoge Überlegungen:
m1 ' Am1
a
K1 * A1
+
K1 ' A1
um1; U1; U1 ;
bzw.: d = d1 + dj · ■
dabei sind:
d = geometrische Gesamtschichtdicke auf dem Testglas
nach Beendigung der abweichenden Schicht d1 = geometrische Gesamtschichtdicke auf dem Testglas
ohne die abweichende Schicht
dj = geometrische Schichtdicke der abweichenden Schicht k , = Multiplikator von A ./4 nach Vollendung der abweichenden
Schicht. Es handelt sich um einen ganzzahligen Wert,
der so gewählt wird, daß sich für A- eine günstige
Wellenlänge ergibt
k1 = Multiplikator für ·λ,/4, der eine gerade oder eine
k1 = Multiplikator für ·λ,/4, der eine gerade oder eine
gebrochene Zahl sein kann
kj = Multiplikator für Aj/4, der eine gerade oder eine ge-'
brochene Zähl sein kann. Sofern kj eine gebrochene Zahl ist, wurde bisher nach der eingangs beschriebenen
Methode des Triggerpunktes oder mit einem Schwingquarz gemessen. Wenn kj eine gerade Zahl ist und
A. von Aj abweicht, wurde bisher ein neues Testglas
verwendet oder nach der Schwingquarz-Methode gemessen "(A.) = Brechzahl des Schichtmaterials bei der Meßlicht-
wellenlänge
A1 = Bezugswellenlänge für die Messung des auf dem Test-.
glas vorhandenen Materials mit dem einen Brechungsindex, bevor die abweichende Schicht aufgebracht wird
Aj = Bezugswellenlänge für die Messung des auf dem gleichen
Testglas vorhandenen gleichen Materials (kann mit A1
identisch sein)
- 17 BAD ORIGINAL
13. Dezember 1982 82520
- yf-
nM ^ = Brechzahl des Materials der abweichenden
^ m1 '
Schicht bei der Meßlichtwellenlänge λ ,
Π/^ s = Brechzahl des Schichtmaterials bei λ.
Π/^iN = Brechzahl des Schichtmaterials bei X1J.
Nach Umstellung der Gleichung ergibt sich
m1
Kj
n(xj)
m 1
m1
Da n/, ^ bei der Berechnung von λ ι noch nicht bekannt ist,
mr
wird für nM \ zweckmäßigerweise zunächst ein qeschätzter
wird für nM \ zweckmäßigerweise zunächst ein qeschätzter
Zahlenwert verwendet. Mit dem so berechneten X ,wird nun
η,, ^ berechnet oder aus einem Speicher abgefragt. Mit dem
umf
so gewonnenen Zahlenwert für η>λ ν wird X^erneut berechnet,
so gewonnenen Zahlenwert für η>λ ν wird X^erneut berechnet,
Nach etwa zwei- bis dreimaliger Wiederholung dieser
Rechnung ist X ,mit ausreichender Genauigkeit bestimmt.
Bei spiel :
Die optischen Schichtdicken eines Kantenfilters mit
folgenden Sollwerten sollen während des Schichtaufbaus gemessen werden. Das Schichtpaket hat folgenden Aufbau:
(HLHLHLHL 1/2H) 550nm. CH= λ/4; L= λ/4; 1/2 H= λ/8)
Alle H- und alle L-Schichten werden je auf einem Testglas
zusammengefaßt. Bei den L-Schichten ist die geforderte optische Schichtdicke jeweils beim nächsten Extremwert der
Meßkurve bei der Bezugswellenlänge von 550 nm erreicht. Dies
- 18 -
1^" ···—" 13. Dezember 1982
/fi 82520
trifft auch für die ersten vier Η-Schichten zu. Nach dem Stand der Technik würde die letzte 1/2 Η-Schicht nun
nach einem Triggerpunkt auf dem gleichen TestgTas oder auf einem neuen Testglas bei einer Meßlichtwellenlänge
von gleichfalls 550 nm beendet. Erfindungsgemäß wird jedoch für die Messung der abweichenden Schicht eine andere
Meßlichtwellenlänge X^, bestimmt, und zwar wie folgt
unter Anwendung der Formel (2).
Da vor dem Beschichtungsbeginn der letzten Schicht bereits vier λ/4-Schichten bei 550 nm auf dem Testglas aufgebracht
wurden, ist k. = 4 und λ. = 550 nm. Die letzte Schicht
soll eine optische Dicke von λ/8 bei 550 nm haben. Das bedeutet ein kl von 0,5 und ein X' von 550 nm. Für k -,
wird der Wert 5 gewählt, so daß λ ..möglichst nahe an X^
oder Xj .
Die Brechzahlen lassen sich nach folgender Näherungsformel berechnen:
Im vorliegenden Fall beträgt nQ = 2,065 und D =55.000 nm2
Der betreffende Dispersionskoeffizient wurde durch Versuche ermittelt. Daraus ergibt sich
η,,· λ = 2,065 + = 2,247
U1; 5502
Da in diesem Fall X1 mit X! identisch ist, sind auch die
- 19 -
BAD ORIGINAL
• ■
>4-3. Dezember 1982
82520
zugehörigen Brechzahlen gleich. Für nM \ wird zunächst
der gleiche Zahlenwert eingesetzt, wodurch sich in erster
Näherung folgender Wert ergibt:
\m = 495 nm
"1M)
"1M)
und entsprechend
"(495) = 2·289·
Durch !iterative Rechnung ergibt sich ein
Durch !iterative Rechnung ergibt sich ein
λ = 504,27 nm
m(2)
m(2)
ι "(504,37) = 2'28
und bei der nächsten Rechenoperation
λ 502 nm
m(3) ·
n(502) = 2»Z81
Es wird infolgedessen ein λ ^= 502, nm verwendet.
Es wird infolgedessen ein λ ^= 502, nm verwendet.
Es ist ersichtlich, daß bereits die dritte Iterationsrechnung für λ ^eine ausreichende Genauigkeit hat, da der
bei der nächsten Iiterationsrechnung gefundene Wert nur
noch in der ersten Stelle hinter dem Komma abweicht.
Um den Kurvenverlauf des Fotometersignals zu bestimmen,
ist noch der Multiplikator von λ ,/4vor Beginn der Schichtherstellung
zu ermitteln. Dies, geschieht nach der Beziehung
k * - ki * λι η(·^ι}
km1 " -i i. . OÜ. = 4,45
"(X1) λ
m1
- 20 -
"13. Dezember 1982 82520
- VT-
verwendet wird ein K .= 5.
Aus der vorstehenden Beispielsrcechnung ergibt sich, daß
durch Umschalten der Meß!ichtquellenlänge von λ = X. = λ' 550 nm
auf λ = 502 nm eine Schicht erzeugt werden kann, die
bei einer endgültigen Schichtdicke von λ/8 einen Extremwert aufweist, der als differenziertes Signal einen Nundurchgang
besitzt, der wiederum zum Abschalten des Beschichtungsvorganges verwendet werden kann.
BAD ORIGINAL
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Claims (1)
- ij 3. Dezember 1982 82520PATENTANSPRÜCHE:Meßverfahren für die Herstellung von Vielfach-Schichtsystemen aus abwechselnd hoch- und niedrigbrechenden ! Schichten auf trang)arenten Substraten unter kontinuierlicher Erfassung des Transmissions- und/oder Reflexionsverhaltens von Schichten., die gleichzeitig auf jeweils eines von mindestens zwei Testgläsern aufgebracht werden., wobei die hochbrechenden Schichten jeweils auf das eine Testglas und die niedrigbrechenden Schichten jeweils auf ein anderes Testglas aufgebracht werden, wobei jedes T.estglas während der ι ■ Beschichtung von im wesentlichen monochromatischem Meßlicht einer vorgegebenen Wellenlänge X^9 X2, .·· beaufschlagt wird und wobei mindestens eine der Schichten eine Dicke entsprechend eines ganzzahligen Vielfachen von λ, /4, X2 /4", ... besitzt, und wobei mindestens eine weitere Schicht eine von einem ganzzahligen Vielfachen von λ. /4 bzw. XoA a^~ weichenden Schichtdicke aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen aQr von einem ganzzahligen Vielfachen von XiA bzw. X2A abweichenden Schichtdicke eine Meßiichtwellenlänge X bestimmt wird, bei der die abweichende Schich'tdicke beim Erreichen ihrer Enddicke hinsichtlich des durchgehenden oder reflektierten Meßlichtanteils einen Extremwert aufweist.2. Fotometeranordnung "fjür die Durchführung des Meßverfahrens nach Patentanspruch 1 mit einer Meß!ichtquelle, mindestens zwei Testglashaltern für die abwechselnde EinbringungOZtO13. Dezember 1982 82520von Testgläsern in den Strom des jeweiligen Beschichtungsmaterials und in den Strahlengang des Meßlichtstrahls, mit mindestens einem Fotoempfänger mit vorgeschaltetem einstellbarem Monochromator für die Erfassung des von dem jeweiligen Testglas reflektierten und/oder durchgelassenen Anteils des Meßlich.ts sowie mit einer dem (den) Fotoempfänger(n) nachgeschalteten Auswerteschaltung mit einer Einrichtung zur Extremwerterkennung und einer dadurch betätigbaren Unterbrechungseinrichtung für den Strom des Beschichtungsmaterials dadurch gekennzeichnet, daß der Auswerteschaltung (24) eine Datenverarbeitungseinrichtung (26) nachgeschaltet ist, durch die vor dem Aufbringen einer von einem ganzzahligen Vielfachen von λ, /4 bzw. ^2A abweichenden Schicht ein Stellbefehl erzeugbar ist, der den Monochromator (11/14) auf eine von λ. bzw. X^ verschiedene Meßlichtwellenlänge Xm umschaltet, bei der die vorgegebene Schichtdicke einen Extremwert erzeugt.BAD ORIGINAL
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19823248091 DE3248091A1 (de) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | Messverfahren und fotometeranordnung fuer die herstellung von vielfach-schichtsystemen |
| GB08333965A GB2133539B (en) | 1982-12-24 | 1983-12-21 | The production of multiple coating systems |
| JP58242344A JPS59133413A (ja) | 1982-12-24 | 1983-12-23 | 交互に高−および低屈折膜より成る多層膜光学系を製造するための測定法および測光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19823248091 DE3248091A1 (de) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | Messverfahren und fotometeranordnung fuer die herstellung von vielfach-schichtsystemen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3248091A1 true DE3248091A1 (de) | 1984-06-28 |
Family
ID=6181818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19823248091 Withdrawn DE3248091A1 (de) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | Messverfahren und fotometeranordnung fuer die herstellung von vielfach-schichtsystemen |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59133413A (de) |
| DE (1) | DE3248091A1 (de) |
| GB (1) | GB2133539B (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3518774A1 (de) * | 1985-05-24 | 1986-11-27 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh, 8225 Traunreut | Verfahren zur ermittlung und optimierung der optischen weglaenge einer durchgehenden transparenten schicht oder einer strukturierten schicht |
| WO1997000422A1 (de) * | 1995-06-19 | 1997-01-03 | Optikzentrum Nrw Gmbh (Oz) | Verfahren und vorrichtung zur bestimmung der dicke und/oder des komplexen brechungsindexes dünner schichten und verwendung zur steuerung von beschichtungsverfahren |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE2054084B2 (de) * | 1969-11-05 | 1973-03-08 | Brun Sensor Systems Ine , Columbus, Ohio (V St A ) | Zweistrahl-infrarotmessung im reflexions- oder durchstrahlungsverfahren |
| DE2414034A1 (de) * | 1973-03-26 | 1974-10-10 | Ibm | Verfahren zur messung der dicke mehrerer uebereinanderliegender schichten |
| US3892490A (en) * | 1974-03-06 | 1975-07-01 | Minolta Camera Kk | Monitoring system for coating a substrate |
| DE2909400A1 (de) * | 1978-03-10 | 1979-09-20 | Asahi Dow Ltd | Verfahren und vorrichtung zur ir- messung der folienschichtdicken einer mehrschichtigen verbundfolie |
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1982
- 1982-12-24 DE DE19823248091 patent/DE3248091A1/de not_active Withdrawn
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1983
- 1983-12-21 GB GB08333965A patent/GB2133539B/en not_active Expired
- 1983-12-23 JP JP58242344A patent/JPS59133413A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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Non-Patent Citations (1)
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| GB-Z: Journal of Physics E 10, 1977, S.733-736, JP-Z: Patent Abstracts of Japan, P33, Oct. 25, 1980, Vol.4, No.153 * |
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| WO1997000422A1 (de) * | 1995-06-19 | 1997-01-03 | Optikzentrum Nrw Gmbh (Oz) | Verfahren und vorrichtung zur bestimmung der dicke und/oder des komplexen brechungsindexes dünner schichten und verwendung zur steuerung von beschichtungsverfahren |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59133413A (ja) | 1984-07-31 |
| GB2133539A (en) | 1984-07-25 |
| GB8333965D0 (en) | 1984-02-01 |
| GB2133539B (en) | 1986-02-19 |
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Legal Events
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| OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
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