DE3119682C2

DE3119682C2 -

Info

Publication number: DE3119682C2
Application number: DE3119682A
Authority: DE
Inventors: Margret 2000 Hamburg De Harms; Holger 2083 Halstenbek De Luethje; Bernd 2000 Hamburg De Matthiessen
Original assignee: Philips Patentverwaltung GmbH
Current assignee: Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Priority date: 1981-05-18
Filing date: 1981-05-18
Publication date: 1988-05-11
Also published as: JPH0319690B2; GB2101353A; US4468799A; NL8202007A; JPS57198461A; GB2101353B; FR2506036B1; DE3119682A1; FR2506036A1

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Maske für die Mustererzeugung in Lackschichten mittels Strahlungslithographie mit einem Maskenträger, auf den auf mindestens einer seiner Hauptflächen eine für die Strahlung transparente, eine mechanische Spannung im Maskenträger kompensierende Schicht aufgebracht ist und mit einer auf einer der Hauptflächen des Maskenträgers befindlichen, die Strahlung absorbierenden, mit dem Muster versehenen und in sich spannungskompensierten Schicht.

Aus US-PS 40 37 111 ist eine derartige spannungsarme Maskenstruktur für Röntgenstrahllithographie bekannt mit einem Maskenträger aus einem für die eingesetzte Strahlung transparenten Kunststoff, der mechanisch stabilisiert wird durch eine zusätzliche Beryllium- oder Siliciumnitridschicht. Die in sich spannungsstabilisierte Maskenstruktur besteht aus einer Mehrschichtenfolge aus Wolfram/Titan (oder Titan/Tantal)-Gold- und Wolfram/Titan (oder Wolfram/Tantal). Derartige Masken sind erstens wegen des aufwendigen Herstellungsprozesses für eine Vielschichtenfolge sehr kostspielig und sie arbeiten wegen der relativ flexiblen Kunststoffmembran auch nicht mit der erforderlichen Verzerrungsfreiheit bei Masken, bei denen es auf ein besonders hohes Auflösungsvermögen, also auf eine hohe Musterfeinheit ankommt.

Aus der Literaturstelle "Solid State Technology", 1972, Juli, Seite 21 bis 25, ist bekannt, bei photolithographischen Prozessen, mit denen z. B. Halbleitersysteme mit Strukturabmessungen im Mikrometerbereich hergestellt werden, die Belichtung von Photolack mit Röntgenstrahlen vorzunehmen.

Die Leistungsfähigkeit der Lithographie erkennt man an der minimalen Streifenbreite der Strukturen, die mit ihr zu erreichen ist: Lichtlithographie ≈ 2 bis 3 µm, Elektronenstrahllithographie ≈ 0,05 bis 0,1 µm, Röntgenstrahllithographie und Ionenstrahllithographie ≈ 150 nm und kleiner.

Die Benutzung von z. B. Röntgenstrahlen zur Belichtung eines zu strukturierenden Lacks bringt den Vorteil, daß störende Beugungserscheinungen bei der Projektion der maskierenden Strukturen auf die Lackschicht herabgesetzt werden. Für die Belichtung mit Röntgenstrahlen sind spezielle Bestrahlungsmasken für die Strukturerzeugung im Lack erforderlich. Das gleiche gilt für die Belichtung mit Ionenstrahlen.

Aus der deutschen Patentanmeldung P 30 30 742.7 ist ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Bestrahlungsmaske und damit eine solche Maske bekannt. Diese Maske wird unter Einsatz eines Maskenträgers aus Bor-dotiertem Silicium aufgebaut, der so erhalten wird, daß zunächst eine Bor-Diffusionsschicht im gesamten oberflächennahen Bereich einer Siliciumeinkristallscheibe erzeugt und anschließend ein Teil dieser Bor-Diffusionsschicht und ein nicht mit Bor dotierter Teil der Siliciumscheibe durch Ätzen entfernt wird, so daß als eigentlicher Maskenträger schließlich ein Teil der Bor-Diffusionsschicht verbleibt.

Diese bekannte Maske hat sich für bestimmte Anwendungsfälle in der Praxis bewährt. Es hat sich aber gezeigt, daß die Bor- Dotierung im Siliciumeinkristall, wenn auch nur geringfügig, mechanische Spannungen induziert. Diese Spannungen können Verzerrungen der für die Strahlung absorbierende Schicht als Maskenträger dienenden Bor-Diffusionsschicht und damit des hierauf erzeugten Strahlungsabsorptionsmusters verursachen. Als Folge dieser Verzerrungen haben sich Masken für Strahlungslithographie der beschriebenen Art für einige Anwendungsfälle, bei denen es auf ein hohes Auflösungsvermögen im Sinne einer hohen Musterfeinheit ankommt, als unbefriedigend erwiesen.

Aus "Solid State Technology" 1976, September, Seiten 55 bis 58 sind im allgemeinen Materialien für die Membran (oder den Maskenträger) von Röntgenstrahllithographiemasken bekannt, wie Silicium, Kunststoffe, Beryllium, Al₂O₃, Si₃N₄ oder Si₃N₄+SiO₂, bekannt, wobei sich besonders dünne Membranen mit Si₃N₄- oder Si₃N₄+SiO₂-Schichten erreichen lassen. Die Absorberstrukturen werden aus Gold gebildet, was eine zusätzliche Haftschicht aus Chrom auf der Membran erforderlich macht. Auch diese Masken sind, einmal wegen des Absorbermaterials und dann wegen des aufwendigen Herstellungsprozesses der Mehrschichtenfolge kostspielig und es werden keine Maßnahmen aufgezeigt, wie in sich besonders spannungsarme Masken erreicht werden können, wie sie für ein extrem hohes Auflösungsvermögen erforderlich sind.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art so zu verbessern, daß Masken für Strahlungslithographie, bei denen es auf eine hohe Musterfeinheit ankommt, hergestellt werden können, die weitgehend verzerrungsfrei arbeiten.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß für den Maskenträger Bor-dotiertes Silicium, für die Spannung kompensierende und für die Strahlung transparente Schicht Titan oder Titandioxid und für die Strahlung absorbierende Schicht ein Material eingesetzt wird, das entweder Röntgenstrahlung oder Ionenstrahlung absorbiert.

Nach vorteilhaften Weiterbildungen der Erfindung wird als Strahlung absorbierende Schicht eine Mehrschichtenfolge aus Wolfram und Molybdän angebracht, wobei die Wolframschicht durch Kathodenzerstäubung unter folgenden Bedingungen: HF-Generator: 13,6 MHz; Elektrodendurchmesser: 200 mm; Abstand der Elektroden: 42 mm; Arbeitsdruck der Gasatmosphäre: Ar=2 Pa; Potential an der Elektrode: 800 V; Potential am Maskenträger: 40 V und die Molybdänschicht durch Kathodenzerstäubung unter folgenden Bedingungen: HF-Generator: 13,6 MHz; Elektrodendurchmesser: 200 mm; Abstand der Elektroden: 42 mm; Arbeitsdruck der Gasatmosphäre: Ar=2 Pa; Potential an der Elektrode: 700 V; Potential am Maskenträger: 95 V angebracht werden.

Durch diese Auswahl des Materials für die Mehrschichtenfolge ergeben sich folgende vorteilhafte Aspekte:

Sowohl das Wolfram als auch das Molybdän haften gut an dem Maskenträger aus Bor-dotiertem Silicium, so daß das Anbringen einer Zwischenschicht zwischen Maskenträger und Strahlung absorbierender Schicht als Haftschicht nicht erforderlich ist. Die gewählten Parameter für den Kathodenzerstäubungsprozeß zum Anbringen sowohl der Wolfram- als auch der Molybdänschicht haben den Vorteil, daß die Schichtenfolge nur minimale mechanische Spannungen aufweist, da die bei den Parametern für das Aufbringen der Wolframschicht in dieser Schicht noch vorhandene Druckspannung kompensiert wird durch eine in der Molybdänschicht vorhandene Zugspannung, so daß sich insgesamt eine nahezu spannungsfreie Strahlung absorbierende Schichtenfolge ergibt.

Die Reihenfolge, in der die Molybdänschicht und die Wolframschicht auf den Maskenträger aufgebracht werden, ist beliebig.

Die Verwendung dieser beiden Metalle als Strahlung absorbierende Schichtenfolge hat außerdem den weiteren Vorteil, daß beide Metalle bei reaktiven Ätzverfahren mittels Kathodenzerstäubung flüchtige Ätzprodukte bilden; dies ist zur Erreichung von Strukturen mit steilen Ätzkanten, wie sie für Maskenzwecke erwünscht sind, vorteilhaft.

Nach weiteren vorteilhaften Ausgestaltungen der Erfindung wird als Strahlung absorbierende Schicht eine Einzelschicht aus Molybdän mittels Kathodenzerstäubung auf dem Maskenträger angebracht, wobei so verfahren wird,
daß die erste Hälfte der gewünschten Dicke der Molybdänschicht unter den Bedingungen: HF-Generator: 13,6 MHz; Elektrodendurchmesser: 200 mm; Abstand der Elektroden: 42 mm; Arbeitsdruck der Gasatmosphäre: Ar=2 Pa; Potential an der Elektrode: 700 V; Potential am Maskenträger: 65 V
und daß die zweite Hälfte der gewünschten Dicke der Molybdänschicht unter den Bedingungen: HF-Generator: 13,6 MHz; Elektrodendurchmesser: 200 mm; Abstand der Elektroden: 42 mm; Arbeitsdruck der Gasatmosphäre: Ar=2 Pa; Potential an der Kathode: 800 V; Potential am Maskenträger: geerdet; angebracht wird.
Durch diese Parameter des Kathodenzerstäubungsprozesses wird erreicht, daß die Molybdänschicht extrem spannungsarm ist.

Als Spannung kompensierende Schicht wird die für die Strahlung transparente Schicht aus Titan durch Kathodenzerstäubung unter den Bedingungen:

HF-Generator: 13,6 MHz;
Elektrodendurchmesser: 200 mm;
Abstand der Elektroden: 42 mm;
Arbeitsdruck der Gasatmosphäre: Ar=0,78 Pa;
Potential an der Kathode: 900 V;
Potential am Maskenträger: geerdet

oder aus Titandioxid unter den Bedingungen:

HF-Generator: 13,6 MHz;
Elektrodendurchmesser: 200 mm;
Abstand der Elektroden; 42 mm;
Arbeitsdruck der Gasatmosphäre: O₂=1,3 Pa;
Potential an der Kathode: 750 V;
Potential am Maskenträger: geerdet

angebracht.

Hiermit ist der Vorteil verbunden, daß der Maskenträger nicht nur sehr spannungsarm ist, sondern daß er im Rahmen der praktischen Anforderungen eben ist und sich daher gut justieren läßt.

Anhand der Zeichnung werden Ausführungsbeispiele der Erfindung beschrieben und in ihrer Wirkungsweise erläutert. Es zeigt

Fig. 1a bis 1e Maske für die Mustererzeugung in Lackschichten mittels Strahlungslithographie in verschiedenen Verfahrensstufen mit einer Einzelschicht als Strahlung absorbierende Schicht (Schnittdarstellung)

Fig. 2a und b Maske wie in Fig. 1 in Einzelschritten ihrer Herstellung dargestellt, jedoch mit einer Mehrfachschicht als Strahlung absorbierende Schicht (Schnittdarstellung)

Anhand der in Fig. 1a bis 1e und 2a und 2b dargestellten Maske wird die Ausführung des Verfahrens gemäß der Erfindung beschrieben.

In Fig. 1a ist eine einkristalline Siliciumscheibe 1 als Maskenträger dargestellt, die in ihrem gesamten oberflächennahen Bereich mit einer Bor-Diffusionsschicht 3 versehen ist. Es ist nicht erforderlich, daß die Siliciumscheibe 1 vor der Bordotierung einer allseitigen Polierbehandlung unterworfen wird.

Für die Bordotierung wird z. B. eine im Handel erhältliche Silicium-Einkristallscheibe z. B. eines Durchmessers von 75 mm mit <100<-Orientierung und einer Dicke von z. B. 0,4 mm zunächst 5 min in rauchender Salpetersäure HNO₃ vorgereinigt und 10 min in kochender Salpetersäure HNO₃ nachgereinigt. Für die allseitige Bordiffusion wird die so vorbehandelte Siliciumscheibe 1 stehend in einen bekannten Diffusionsofen eingebracht. Es werden folgende Prozeßparameter eingesetzt:

1. Erzeugung eines Bor-Niederschlags auf den Siliciumscheiben:
Aufheizen der Siliciumscheiben auf 870°C unter N₂/O₂-Atmosphäre in einem ersten Ofen, z. B. einem Diffusionsofen, wobei sich im Ofen abwechselnd aufgestellt Bornitridscheiben und Siliciumscheiben befinden; Hochheizen des Ofens mit 9°C/min auf eine Temperatur von 970°C unter N₂/O₂-Atmosphäre; 3 min Einwirken einer N₂/O₂-Atmosphäre auf die Siliciumscheiben; 1 min Einwirken einer N₂/O₂/H₂-Atmosphäre auf die Siliciumscheiben; 40 min Einwirken einer reinen N₂-Atmosphäre auf die Siliciumscheiben; Abkühlen der Siliciumscheiben mit einer Geschwindigkeit von 4°C/min auf 870°C in reiner N₂-Atmosphäre.
2. Eindiffundieren von Bor in die Siliciumscheiben:
Wiederaufheizen der Siliciumscheiben auf 900°C in N₂/O₂-Atmosphäre in einem zweiten Ofen, insbesondere einem Diffusionsofen; Aufheizen der Siliciumscheiben mit einer Geschwindigkeit von 9°C/min auf 1200°C in N₂/O₂-Atmosphäre; 30 min Einwirken einer N₂/O₂- Atmosphäre; Abkühlen der Siliciumscheiben mit einer Geschwindigkeit von 3°C/min auf 900°C in einer N₂/O₂- Atmosphäre.

Als N₂/O₂-Atmosphäre wurde eine strömende Atmosphäre mit 5 l/min N₂-Gas und 100 ml/min O₂-Gas eingesetzt.

Eine auf diese Weise erzeugte Bor-Diffusionsschicht hatte folgende Kenngrößen:

Spezifischer Flächenwiderstand
der Schichtρ _s = 1,4-1,5 Ω Dotierstoffkonzentration1,5 · 10²⁰ cm^-3 Abstand des PN-Überganges von
der OberflächeX _j = 4,2 µm Dicke der als Maskenträger ver-
wendeten Bor-Diffusionsschicht= 3,5-3,7 µm.

Zur Entfernung eines Teiles der Bor-Diffusionsschicht 3 mittels reaktiver Ionenätzung wird die wie oben beschrieben behandelte Siliciumscheibe 1 in eine Hochfrequenz- Kathodenzerstäubungs-Anlage eingebracht. Als Maske zum Abdecken der nicht durch Kathodenzerstäubung abzutragenden Bereiche der Bor-Diffusionsschicht 3 an einer der Hauptflächen der Siliciumscheibe 1 dient beispielsweise eine mechanisch aufgelegte Abdeckmaske 5, z. B. aus Aluminium, Edelstahl, Silicium oder aus Glas einer Dicke zwischen 0,3 und 1,0 mm (vgl. Fig. 1b). Die Bor-Diffusionsschicht 3 kann mit Vorteil mittels Ionenätzung in einer CF₄/O₂-Atmosphäre oder einer SF₆/O₂-Atmosphäre, wobei der O₂-Anteil etwa 10% beträgt, in der durch Hochfrequenzenergie eine Gasentladung gezündet wurde, in dem nicht von der Abdeckmaske 5 bedeckten Bereich abgetragen werden. Der Ionenätzprozeß wird z. B. unter folgenden Bedingungen ausgeführt:

HF-Generator27,2 MHz Elektrodendurchmesser150 mm Potential an der Kathode500 V Arbeitsdruck der Gas-
atmosphäreSF₆ oder CF₄ = 0,5 Pa
O₂ = 0,05 Pa Material der KathodeSiO₂

Unter diesen Bedingungen beträgt die Ätzrate R für Bor-dotiertes Silicium mit einer Dotierstoffkonzentration von

<10²⁰/cm³ R_B/Si =in CF₄/O₂ = 6 µm/h und
in SF₆/O₂ = 30 µm/h.

Die im Bereich der Öffnung der Maske 5 von der Bor-Diffusionsschicht 3 freigelegte Siliciumscheibe 1 wird in einem anschließenden Ätzschritt weiterbehandelt, wobei der nicht mit Bor dotierte Teil der Siliciumscheibe 1 durch chemische Naßätzung entfernt wird. Als Ätzmaske dient die restliche Bor-Diffusionsschicht 3 (vgl. Fig. 1c). Der chemische Naßätzprozeß wird mit einer Mischung aus Äthyldiamin : Brenzkatechin : Wasser = 5 : 1 : 2,5 als Ätzlösung ausgeführt; es wird bei einer Temperatur von 110°C geätzt. Mit Vorteil kann jedoch auch mit einer Mischung aus 300 g KOH + 2 g K₂Cr₂O₇ + 1200 ml H₂O bei einer Temperatur von 81°C geätzt werden.

An der so freigelegten Bor-Diffusionsschicht 3 wird anschließend an einer ihrer Hauptflächen, z. B. im durch den stehengebliebenen Teil der Siliciumscheibe 1 gebildeten Fenster, eine Spannung kompensierende, für Strahlung transparente Schicht 7 mit Hilfe bekannter Techniken, z. B. Aufdampfen oder Kathodenzerstäubung angebracht (vgl. Fig. 1d). Die Schicht 7 besteht in den hier beschriebenen Ausführungsbeispielen aus Titan oder Titandioxid. Die Titandioxidschicht kann vorteilhaft durch reaktive Kathodenzerstäubung in einem Sauerstoffplasma erzeugt werden bei folgenden Bedingungen:

HF-Generator: 13,6 MHz;
Elektrodendurchmesser: 200 mm;
Potential an der Kathode: 750 V;
Potential am Maskenträger: geerdet;
Arbeitsdruck der Gasatmosphäre: O₂ = 1,3 Pa;
Abstand der Elektroden: 42 mm.

Ähnlich gut geeignet wie die oben beschriebene Titandioxidschicht ist jedoch auch eine Titanschicht, die unter folgenden Bedingungen durch Kathodenzerstäubung in inerter Atmosphäre aufgebracht wird:

HF-Generator: 13,6 MHz;
Elektrodendurchmesser: 200 mm;
Potential an der Kathode: 900 V;
Potential am Maskenträger: geerdet;
Arbeitsdruck der Gasatmosphäre: Ar = 0,78 Pa;
Abstand der Elektroden: 42 mm.

Anschließend wird auf der dem Fenster mit der Schicht 7 gegenüberliegenden Hauptfläche der Bor-Diffusionsschicht 3 durch bekannte Techniken, z. B. Aufdampfen oder Kathodenzerstäubung, eine Strahlung absorbierende Einzelschicht aus Molybdän angebracht. Die Strukturierung dieser Strahlung absorbierenden Schicht wird entsprechend dem gewünschten Maskenmuster mit Hilfe bekannter Techniken, z. B. mit Hilfe der Elektronenstrahllithographie ausgeführt. In Fig. 1e ist eine derartige Strahlung absorbierende Maskenstruktur 9 aus dieser Einzelschicht dargestellt. Die Schichtdicke der Molybdänschicht, aus der die Struktur 9 gebildet ist, beträgt bei dem hier beschriebenen Beispiel 0,8 µm. Die Schichtdicke der Strahlung absorbierenden Schicht ist abhängig von der Dicke des Maskenträgers, um zu einem brauchbaren Kontrastverhältnis zwischen Maskenträger und Strahlung absorbierender Schicht zu gelangen. Um diese Molybdänschicht spannungsarm herzustellen, wird wie folgt verfahren:
Die erste Hälfte der gewünschten Dicke der Molybdänschicht wird unter den Bedingungen: HF-Generator: 13,6 MHz; Elektrodendurchmesser: 200 mm; Abstand der Elektroden: 42 mm; Arbeitsdruck der Gasatmosphäre: Ar = 2 Pa; Potential an der Kathode: 700 V; Potential am Maskenträger: 65 V
und die zweite Hälfte der gewünschten Dicke wird unter den Bedingungen: HF-Elektrode: 13,6 MHz; Elektrodendurchmesser: 200 mm; Abstand der Elektroden: 42 mm; Arbeitsdruck der Gasatmosphäre: Ar = 2 Pa; Potential an der Kathode: 800 V; Potential am Maskenträger: geerdet; angebracht.

Auf die gleiche Weise wie für die Fig. 1a bis 1d beschrieben, wird verfahren, wenn als Strahlung absorbierende Schicht eine Mehrschichtenfolge z. B. auf der der Spannung kompensierenden Schicht 7 gegenüberliegenden Hauptfläche der als Maskenträger eingesetzten Bor-Diffusionsschicht 3 angebracht wird.

In Fig. 2a ist als Strahlung absorbierende Schicht dargestellt eine Mehrschichtenfolge aus einer Wolframschicht 11 und einer Molybdänschicht 13 auf dem Maskenträger in Form der Bor-Diffusionsschicht 3, die in der Siliciumscheibe 1 erzeugt wurde. Unter den Strahlung absorbierenden Schichten 11 und 13 unmittelbar auf einer Hauptfläche der Bor-Diffusionsschicht 3 ist die Spannung kompensierende, für Strahlung transparente Schicht 7 aus Titan oder Titandioxid dargestellt. Sowohl die Wolframschicht 11 als auch die Molybdänschicht 13 werden zweckmäßigerweise durch Kathodenzerstäubung direkt auf der Bor-Diffusionsschicht 3 angebracht oder aber auf der Spannung kompensierenden Schicht 7. Der Kathodenzerstäubungsprozeß für die Wolframschicht 11 wird z. B. unter folgenden Bedingungen ausgeführt:

HF-Generator: 13,6 MHz;
Elektrodendurchmesser: 200 mm;
Potential an der Kathode: 800 V;
Potential am Maskenträger: 40 V;
Arbeitsdruck der Gasatmosphäre: Ar = 2 Pa;
Abstand der Elektroden: 42 mm.

Der Kathodenzerstäubungsprozeß für die Molybdänschicht 13 wird z. B. unter folgenden Bedingungen ausgeführt:

HF-Generator: 13,6 MHz;
Elektrodendurchmesser: 200 mm;
Potential an der Kathode: 700 V;
Potential am Maskenträger: 95 V;
Arbeitsdruck der Gasatmosphäre: Ar = 2 Pa;
Abstand der Elektroden: 42 mm.

In Fig. 2b ist eine aus der Mehrschichtenfolge Molybdänschicht 11 - Wolframschicht 13 hergestellte Maskenstruktur 9′ dargestellt. Die Strukturierung der Strahlung absorbierenden Mehrschichtenfolge wird entsprechend dem gewünschten Maskenmuster ebenfalls mit Hilfe bekannter Techniken, z. B. mit Hilfe der Elektronenstrahllithographie, vorgenommen.

Claims

1. Verfahren zur Herstellung einer Maske für die Mustererzeugung in Lackschichten mittels Strahlungslithographie mit einem Maskenträger, auf den auf mindestens einer seiner Hauptflächen eine für die Strahlung transparente, eine mechanische Spannung im Maskenträger kompensierende Schicht aufgebracht ist und mit einer auf einer der Hauptflächen des Maskenträgers befindlichen, die Strahlung absorbierenden, mit dem Muster versehenen und in sich spannungskompensierten Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß für den Maskenträger Bor-dotiertes Silicium, für die Spannung kompensierende und für die Strahlung transparente Schicht Titan oder Titandioxid und für die Strahlung absorbierende Schicht ein Material eingesetzt wird, das entweder Röntgenstrahlung oder Ionenstrahlung absorbiert.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Strahlung absorbierende Schicht eine Mehrschichtenfolge aus Wolfram und Molybdän angebracht wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Strahlung absorbierende Schicht eine Einzelschicht aus Molybdän angebracht wird.

4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlung absorbierende Schicht durch Kathodenzerstäubung angebracht wird.

5. Verfahren nach den Ansprüchen 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Potential an der Kathode und das Potential am Maskenträger während des Prozesses zum Aufbringen der in sich spannungsarmen Einzelschicht verändert wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Hälfte der gewünschten Dicke der Molybdänschicht mit einem Potential an der Kathode von 700 V und einem Potential am Maskenträger von 65 V und die zweite Hälfte der gewünschten Dicke der Schicht mit einem Potential an der Kathode von 800 V und mit geerdetem Maskenträger angebracht wird.

7. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Maskenträger mit folgenden Verfahrensschritten hergestellt wird:
Erzeugung einer Bor-Diffusionsschicht im gesamten oberflächennahen Bereich einer Siliciumscheibe; Entfernen eines Teils der Bor-Diffusionsschicht an einer der Hauptflächen der Siliciumscheibe; Entfernen eines nicht-Bor-dotierten Teiles der Siliciumscheibe im von der Bor-Diffusionsschicht freigelegten Bereich, wobei der von der Bor-Diffusionsschicht noch bedeckte Teil als Maske dient.

8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannung kompensierende, für Strahlung transparente Schicht durch Kathodenzerstäubung angebracht wird.