DE3118617A1 - CURRENT MIRROR SWITCHING WITH HIGH OUTPUT IMPEDANCE AND LOW VOLTAGE LOSS - Google Patents
CURRENT MIRROR SWITCHING WITH HIGH OUTPUT IMPEDANCE AND LOW VOLTAGE LOSSInfo
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Description
Beschreibungdescription
Die Erfindung betrifft Stromgeneratoren mit Transistoren und insbesondere eine.Schaltung mit Stromspiegel, die vor allem dazu geeignet ist, in linearen integrierten Schaltungen mit geringer Speisespannung verwendet zu werden.The invention relates to current generators with transistors and in particular ein.Schaltung with current mirror, which above all is suitable to be used in linear integrated circuits with low supply voltage.
Die Verbindung von zwei Transistoren über Stromspiegel ist bekannt und wird häufig bei integrierten Schaltungen verwendet. The connection of two transistors via current mirrors is known and is often used in integrated circuits.
Eine Schaltung dieser Art ist in Figur 1 dargestellt. Die beiden mit T und Tp bezeichneten Transistoren sind gleich ausgebildet und NEN-Transistoren. Die Basis und der Emitter des Transistors Tx. sind mit der Basis bzw. dem.Emitter des Transistors Tp "verbunden. Der Kollektor von T. ist sowohl mit der gemeinsamen Basis der beiden Transistoren als auch, über einen Widerstand R^,mit einer Versorgungsleitung +V„A circuit of this type is shown in FIG. The two transistors labeled T and Tp are of the same design and are NEN transistors. The base and the emitter of the transistor T x . are connected to the base or the emitter of the transistor Tp ". The collector of T. is connected both to the common base of the two transistors and, via a resistor R ^, to a supply line + V"
I CCI CC
verbunden. Auch der Kollektor von Tp ist mit der Versorgungsleitung verbunden,und zwar über eine Last, die durch den Widerstand R^ dargestellt ist.tied together. Also the collector of Tp is with the supply line connected via a load represented by the resistor R ^.
Wenn man die Funktion dieser Schaltung untersucht, stellt manIf one examines the function of this circuit, one sets
V V fest, daß über den Zweig a ein Strom I = --«- fließt, wo-V V determines that a current I = - «- flows where-
— a SXy, - a SXy,
bei Yqv die Spannung am Bani.rJ-Emitfcerüberp;ang des Transistors T,, ist. Wenn man die Basissfcröme Iß bezüglich dor KoIl ektatröme vernachlässigt, was erlaubt ist, wenn die Verstärkung der Tran-at Yqv the tension on the Bani. r J-Emitfcerüberp; ang of the transistor T ,, is. If one neglects the base currents I ß with respect to the colectate currents, which is permissible if the amplification of the trans-
sistoren ausreichend hoch ist, ist der Strom, der durch densistors is sufficiently high, the current flowing through the
Zweig b fließt,gleich I . Nachdem die beiden Transistoren ~~ aBranch b flows, equal to I. After the two transistors ~~ a
gleich sind und dieselbe Basis-Emitterspannung (V-d-g,) haben, ist der Strom, der durch den Zweig d. fließt, gleich dem Strom, der "durch den Zweig b_ fließt. Der Zweig _c_ wird von einem Strom In durchflossen, der ungefähr gleich dem Strom ist, der durch den Zweig el fließt,so daß In=I · Damit fließt durch die Last Ε- ein konstanter Strom, der durch die vorbestimmten Schaltungsparameter bestimmt ist. are equal and have the same base-emitter voltage (Vdg,), is the current flowing through branch d. flows, equal to the current that "flows through the branch b_. The branch _c_ is traversed by a current I n , which is approximately equal to the current flowing through the branch el, so that I n = I · Thus flows through the Load Ε- a constant current determined by the predetermined circuit parameters.
Eine Schaltung derselben Art kann mit zwei Transistoren verwirklicht werden, die untereinander bezüglich Dimensionen und konstruktiven Kennwerten verschieden sind, wodurch In=KI mit KA circuit of the same type can be implemented with two transistors which differ from one another with regard to dimensions and structural characteristics, as a result of which I n = KI with K.
ο aο a
als Konstanter erreicht wird. Es ist außerdem klar, daß beide Transistoren PNP-Tränsistoren anstatt NPN-Transistoren sein können.is reached as a constant. It will also be understood that both transistors will be PNP transistors rather than NPN transistors can.
Eine bekannte Verbesserung der in Figur 1 gezeigten Stromspiegelschaltung ist in Figur 2 dargestellt und betrifft den sogenannten "Wilson-Spiegel", bei dem einer die beiden Transistoren T^ und T^ aufweisenden Spiegelschaltung die Aufgabe übertragen ist, den Basisstrom L, des Transistors T~ und damit dessen Kollektorstrom I =ßlgi zu steuern, wobei ß die Stromverstärkung von Tp ist;.A known improvement of the current mirror circuit shown in FIG is shown in Figure 2 and relates to the so-called "Wilson mirror", in which one of the two transistors T ^ and T ^ having the mirror circuit is assigned the task, the base current L, of the transistor T ~ and thus its collector current I = ßlgi to control, where ß is the current gain of Tp is;.
Der Transistor T5, wirkt als Stromsonde, die den Emitterstrom IE des TransistorStroms T2 erfaßt. Die Basis des Transistors T^ ist mit der Basis des Transistors T, verbunden. Der Kollektor von T,The transistor T 5 acts as a current probe which detects the emitter current I E of the transistor current T 2 . The base of the transistor T ^ is connected to the base of the transistor T 1. The collector of T,
ist mit dem Emitter von T0 und direkt mit der Basis von T-verbunden. Der Kollektor von T,. ist mit der Basis von Tp verbunden, in der damit der Summenstrom aus dem Eingangsstrom T^ und dem Kollektorstrom von T. zusammenfließt. is connected to the emitter of T 0 and directly to the base of T- . The collector of T ,. is connected to the base of Tp, in which the total current of the input current T ^ and the collector current of T. flows together.
Mit diesem Aufbau . kann man den Bezugs strom I„ konstant halten. Da der Kollektorstrom von Tp, !„=°Κ I„, mit dem Emitterstrom übet" den Parameter οζ , der eine Funktion der Kollektor-Emitter spannung VqE ist, verbunden ist, hängt jedoch der Ausgangsstrom I =1 seinerseits vom Wert dieser Spannung ab. Die-With this structure. the reference current I "can be kept constant. Since the collector current of Tp ,! "= ° Κ I", is connected to the emitter current practice "the parameter οζ , which is a function of the collector-emitter voltage Vq E , the output current I = 1 in turn depends on the value of this voltage from. The-
O CO C
se Schaltung garantiert daher nicht die Konstanz des Ausgangsstroms I .This circuit therefore does not guarantee the constancy of the output current I.
Ein idealer Stromgenerator kennzeichnet sich durch einen unendlichen Innenwiderstand und durch einen inneren Spannungsabfall, der 0 ist. Ein wirklicher Stromgenerator muß Eigenschaften haben, die sich so gut wie möglich an die Eigenschaften eines idealen Generators annähern. Ein wirklicher Stromgenerator ist daher umso besser, je besser diese Annäherung ist.An ideal power generator is characterized by an infinite Internal resistance and an internal voltage drop that is 0. A real power generator must have properties which come as close as possible to the properties of an ideal generator. A real power generator is therefore the better this approximation is, the better.
Die Schaltung eines wirklichen Stromgenerators muß daher am Ausgang eine hohe Impedanz und einen sehr niedrigen "Spannungsverlust" aufweisen, wobei unter der Bezeichnung "Spannungsverlust" die Minimalspannung verstanden werden soll, die notwendig ist, damit die Schaltung ihre typischen Betriebseigenschaften behält.The circuit of a real current generator must therefore have a high impedance and a very low "voltage loss" at the output, whereby under the designation "voltage loss" the minimum voltage should be understood that is necessary so that the circuit retains its typical operating characteristics.
Eine Schaltung mit "Wilson-Spiegel" hat eine wesentlich höhere Ausgangsimpedanz, als eine in Figur 1 gezeigte Schaltung mit 'hasse Emitter", wobei das Verhältnis '-x : 1 ist,A circuit with a "Wilson mirror" has a much higher output impedance than a circuit shown in FIG. 1 with a 'hate emitter', the ratio being '-x : 1,
aber ihr "Spannungsverlust" ist größer, nämlichbut their "tension loss" is greater, namely
Vmin ~ VCE.sat T2 + 7BE V min ~ V CE.sat T 2 + 7 BE
wobei VCE sat T die Kollektor-Emitter-Spannung des Transistors T2 an der Grenze der Sättigung und VßE die Basis-Emitter-Spannung des Transistors T-, sind.where V CE sat T is the collector-emitter voltage of transistor T 2 at the limit of saturation and V ßE is the base-emitter voltage of transistor T-.
Eine nach dem. Schema der Figur 1 aufgebaute Schaltung hat je doch einen SpannungsverlustOne after the. The circuit diagram of FIG. 1 has, however, a voltage loss
CE satCE sat
Es wurde auch mit anderen bekannten Schaltschemen versucht, sich so gut wie möglich den Eigenschaften eines idealen Stromgenerators zu nähern. So ist beispielsweise eine Stromspiegelschaltung bekannt, die ähnlich derjenigen in Figur 1 ist, wobei geeignete Widerstände EE in Reihe mit dem Emitter der Transistoren geschaltet sind: dieses Schema erlaubt- es, die Ausgangsxmpeaanz um einen Faktor (1+Rg/r ) bezüglich der in Figur 1 dargestellten, bekannten Schaltung zu erhöhen, wobei r den Innenwiderstand des Emitters des Transistors im Ausgangszweig darstellt, aberAttempts have also been made with other known switching schemes to approximate the properties of an ideal current generator as closely as possible. For example, a current mirror circuit is known which is similar to that in Figure 1, with suitable resistors E E connected in series with the emitter of the transistors: this scheme allows the output impedance by a factor (1 + Rg / r) with respect to the to increase the known circuit shown in Figure 1, where r represents the internal resistance of the emitter of the transistor in the output branch, but
-V-" ■-V- "■
gleichzeitig wird durch den erhöhten Spannungsabfall R1, I·- am Emitterwiderstand der Spannungsverlust beträchtlich erat the same time, due to the increased voltage drop R 1 , I · - across the emitter resistor, the voltage loss is considerable
Ein anderes bekanntes Schema ist die Stromspiegel-Kaskaden-Schaltung, die in Fig. 3 gezeigt ist. Bei dieser wird der Transistor T» im aktiven Betriebsbereich gehalten, und zwar durch den Transistor T3, der durch Kurzschließen von Basis und Kollektor als Diode geschaltet ist, und der Transistor T^ prägt über den Transistor T3 den Emitterstrom des. Transistors T4 auf, wobei die Ausgangsimpedanz erhöht wird.Another known scheme is the current mirror cascade circuit shown in FIG. In this, the transistor T »is kept in the active operating range, namely by the transistor T 3 , which is connected as a diode by short-circuiting the base and collector, and the transistor T ^ shapes the emitter current of the transistor T 4 via the transistor T 3 increasing the output impedance.
Dieses Schema erlaubt es jedoch nicht, den Spannungsverlust unter den WertHowever, this scheme does not allow the voltage drop below the value
min VBE T2 + VCE satmin V BE T 2 + V CE sat
zu verringern, wobei VBE T die Basis-Emitter-Spannung des Transistors T2 1^ VGE sat T die Sättigungssp'annung des Transistors T^. sind. Die Verbesserung der Ausgangsimpedanz gegenüber derjenigen der Schaltung nach Figur 1 ist gleich derjenigen, die mit dem Wilson-Spiegel erreicht wird, d. h., die Ausgangsimpedanz verbessertto reduce, where V BE T is the base-emitter voltage of the transistor T 2 1 ^ V GE sat T is the saturation voltage of the transistor T ^. are. The improvement in output impedance over that of the circuit according to FIG. 1 is equal to that achieved with the Wilson mirror, that is, the output impedance is improved
ß
sich im Verhältnis 5 : 1·ß
in a ratio of 5 : 1
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltung mit Stromspiegel zu schaffen, die einen Spannungsverlust hat, der so gering wie in einer Stromspiegelschaltung mit TransistorenThe invention is based on the object of a circuit with To create a current mirror that has a voltage loss that as low as in a current mirror circuit with transistors
möglich ist,und die gleichzeitig eine Ausgangsimpedanz hat, die größer ist als in bekannten Schaltungen mit niedrigem Spannungsverlust und die damit insbesondere geeignet ist, in integrierten Schaltungen mit niedriger Yersorgungsspannung eingesetzt zu werden. is possible, and at the same time has an output impedance that is greater than in known circuits with low voltage loss and which is therefore particularly suitable in integrated Circuits with low supply voltage to be used.
Diese Aufgabe wird mit einer übertxagerschaltung mit definiertem Strom gelöst, wie sie in den Patentansprüchen und der Beschreibung gekennzeichnet ist.This task is defined with an overxager with Current solved, as it is characterized in the claims and the description.
Die Erfindung wird nachstehend in der Beschreibung näher erläutert, die neben den bereits beschriebenen drei Figuren ein Ausführungsbeispiel zeigt. Es zeigen:The invention is explained in more detail below in the description, which shows an embodiment in addition to the three figures already described. Show it:
Figur 1 eine bekannte Stromspiegelschaltung in ihrer einfachsten Form,Figure 1 shows a known current mirror circuit in its simplest Shape,
Figur 2 eine Stromspiegelschaltung, die unter der Bezeichnung "Wilson-Spiegel" bekannt ist,FIG. 2 shows a current mirror circuit which is known under the name "Wilson mirror",
Figur 3 eine bekannte.Stromspiegelschaltung in Kaskadenform undFIG. 3 shows a known current mirror circuit in cascade form and
Figur A- das Schema einer Stromspiegelschaltung gemäß der Erfindung. Figure A- the scheme of a current mirror circuit according to the invention.
Die in Fig. 4· gezeigte Schaltung hat 6 Transistoren, die mit T^, T2, T-,, T^, Tr und Tg bezeichnet sind und von denen Tx., T2 und T^ - bipolare PNP-Transi stören und T^_, T1- und Tg bipolare NPN-Transistoren sind. . ' ■The circuit shown in FIG. 4 has 6 transistors, which are designated by T ^, T 2 , T- ,, T ^, Tr and Tg and of which T x ., T 2 and T ^ - bipolar PNP transistors interfere and T ^ _, T 1 and Tg are NPN bipolar transistors. . '■
Der Transistor T^ ist sowohl mit T2 als auch mit T^ nach dem Stromspiegelschema verbunden. Die so erhaltene Schaltung ist in Fig. 4- durch gestrichelte Linien umgrenzt und. mit A be-zeichnet. The transistor T ^ is connected to both T 2 and T ^ according to the current mirror scheme. The circuit thus obtained is delimited in Fig. 4- by dashed lines and. marked with A.
Die Transistoren T^ und T1- sind nach dem Stromspiegelschema miteinander verbunden und mit B bezeichnet.The transistors T ^ and T 1 - are connected to one another according to the current mirror scheme and are denoted by B.
Die Kollektoren des Transistors T^. und des Transistors T2 sind mit den Kollektoren des Transistors Tg bzw. T^ verbunden. Der Kollektor des Transistors T,- ist über einen Knotenpunkt D mit einem Eingangsstromgenerator I. und der Basis des Transistors.The collectors of the transistor T ^. and the transistor T 2 are connected to the collectors of the transistor Tg and T ^, respectively. The collector of the transistor T, - is via a node D with an input current generator I. and the base of the transistor.
T,- verbunden,
bT, - connected,
b
Die durch den Transistor Tg und den Knotenpunkt D gebildete Schaltung ist mit C bezeichnet.The one formed by the transistor Tg and the node D. Circuit is labeled C.
Die Emitter der Transistoren T^, T2 und T^ sind mit dem positiven Pol +V eines Speisespannungsgenerators verbunden, während dieThe emitters of the transistors T ^, T 2 and T ^ are connected to the positive pole + V of a supply voltage generator, while the
Emitter der Transistoren T^, T1- und Tg mit dem negativen Pol dieses Spannungsgenerators verbunden sind.Emitter of the transistors T ^, T 1 - and Tg are connected to the negative pole of this voltage generator.
Bei der..in Fig. 4 gezeigten Schaltung sind dem Transistor T zur Bildung einer Stromspiegelschaltung .nur zwei Transistoren (T„ und T3) zugeordnet, jedoch können dem Transistor T, ganz allgemein viele andere· Transistoren in derselben Konfiguration zugeordnet werden.In the circuit shown in FIG. 4, only two transistors (T 1 and T 3 ) are assigned to transistor T to form a current mirror circuit, but in general many other transistors in the same configuration can be assigned to transistor T.
Jeder der auf diese Weise nach dem Stromspiegelschema mit Tx. verbundenen Transistoren bildet einen Stromgenerator, der andere Schaltungen steuern kann. Einer dieser Transistoren,beispielsweise der Transistor Tp in Fig. 4-, ist mit dem Stromspiegel B verbunden, der von diesem den Strom In -übernimmt und zur Basis von Tg weiterleitet, wodurch die Steuerung des Stromes In bezüglich des Eingangsstromes I- und, über den Transistor Tg, dessen Einstellung möglich wird.Each of the in this way according to the current mirror scheme with T x . connected transistors forms a current generator that can control other circuits. One of these transistors, for example the transistor Tp in Fig. 4-, is connected to the current mirror B, which takes over the current I n therefrom and forwards it to the base of Tg, whereby the control of the current I n with respect to the input current I and , via the transistor Tg, the setting of which becomes possible.
Auch der Kollektorstrom I von T, (und der, wie gesagt, möglichen anderen angeschlossenen Transistoren) wird in gleicher Weise gesteuert und automatisch eingestellt.Also the collector current I of T, (and, as I said, the possible other connected transistors) is controlled and automatically set in the same way.
Diese neue Schaltung mit Stromspiegel erlaubt daher die Einstellung des Kollektorstroms Iq, indem dieser direkt gesteuert wird, im Gegensatz zum "Wilson-Spiegel".This new circuit with a current mirror therefore allows adjustment of the collector current Iq by controlling it directly becomes, in contrast to the "Wilson mirror".
Zur Vereinfachung der Rechnung soll der EaIl betrachtet werden, bei dem außer den Transistoren T^ u11^ 1^x m^ ^er Basis von weitere n-1 Transistoren verbunden sind, die mit Tp und T, gleich sind.To simplify the calculation, the EaIl should be considered, in which, in addition to the transistors T ^ u 11 ^ 1 ^ x m ^ ^ er base of further n-1 transistors, which are identical with Tp and T, are connected.
Der Basisstrom des Transistors Tg ist 1B6 - 1I - 1C5 - 1X - ßIB5The base current of the transistor Tg is 1 B 6 - 1 I - 1 C 5 - 1 X - ßI B5
wobei der Emitterstrom mit L,, der Kollelrfcorstrom mit In und der Basisstrom mit Lg bezeichnet sind und im.Index die Nummer des Transistors hinzugefügt ist, auf den sich dieser Strom bezieht. .where the emitter current is denoted by L ,, the Kollelrfcor current by I n and the base current by Lg and im.Index the number of the transistor is added to which this current relates. .
Der Basisstrom des Transistors Tc ist mit dem Strom In durch die BeziehungThe base current of the transistor T c is given by the relationship with the current I n
1C = 1B^ + IB4 + 1G^ = IB5 1 C = 1 B ^ + I B4 + 1 G ^ = I B5
verknüpft, so daß sich im'Fall von Ig^ » Ig,-· ergibtlinked, so that in the case of Ig ^ »Ig, - · results
1C 1 C
Der Basisstrom des Transistors Tg ist
T - T
XB6 " x± The base current of the transistor Tg is T - T
X B6 " x ±
Der Kollektorstrom des Transistors T^, der in den Stromspicgel A fließt, istThe collector current of the transistor T ^, which is in the Stromspicgel A flows is
1CG = ßl 1BI + 1BI + ΤΒ2 + n 1B ' 1 CG = ßl 1 BI + 1 BI + Τ Β2 + n 1 B '
wobei mit I3 der Basisstrom des Transistors T^ und der anderen, in ähnlicher Weise verbundenen Transistoren bezeichnet ist. Zur Vereinfachung des Beispiels kann gesetzt werden Ig=I^p Mit ß' wird die Verstärkung der PNP-Transistoren bezeichnet, die im allgemeinen kleiner ist.als die Verstärkung ß der NPN-Transistoren derselben integrierten Schaltung. Dawhere I 3 denotes the base current of transistor T ^ and the other, similarly connected transistors. To simplify the example, Ig = I ^ p can be set with ß 'the gain of the PNP transistors, which is generally smaller than the gain ß of the NPN transistors of the same integrated circuit. There
I
ΧΒ2 = "BT »I.
Χ Β2 = "B T »
ist der Basisstrom des Transistors T„is the base current of transistor T "
Für den Kollektorsstrom des Transistors T^- gilt damit 1Co = <n+1> "Β- . 1C+^+1} B? =^n+1> "Β- 1C Da Ip^- = ßl-g'-, ergibt sich aus den Beziehungen (4) und (2)For the collector current of the transistor T ^ - 1 Co = < n + 1 >"Β-. 1 C + ^ +1} B ? = ^ N + 1 >" Β- 1 C Da Ip ^ - = ßl-g '-, results from the relationships (4) and (2)
SB 1C + ^+Λ) "Β-SB 1 C + ^ + Λ) "Β-
Da die Verstärkung sowohl für die NPIT-Transistoren als auchAs the gain for both the NPIT transistors and
für die PNP-Transistoren viel größer ist als 2, gilt die Annäherung for the PNP transistors is much larger than 2, the approximation applies
ßl, = QIn + (n+1) In .ßl, = QI n + (n + 1) I n .
Vorausgesetzt, daß die Zahl der zum Stromspiegel A verbundenen' Transistoren bezüglich dem Wert ß vernachlässigbar ist, ergibt sichAssuming that the number of ' Transistors with respect to the value ß is negligible, results
1X ^ 1C 1 X ^ 1 C
Auf jeden Fall kann mit Maßnahmen, die dem Fachmann für lineare Schaltungen bekannt sind, der Einfluß der Basisströme auf die Kollektorströme minimiert werden, so daß die Beziehung (3) um so mehr Gültigkeit hat.In any case, with measures known to those skilled in the art for linear circuits, the influence of the base currents on the Collector currents are minimized, so that relationship (3) is all the more valid.
Die Schaltung gemäß der Erfindung hat einen SpannungsverlustThe circuit according to the invention has a voltage drop
Vmin " VCE sat T V min " V CE sat T
wobei mit V^g . m die Kollektor-Emitter-Spannung des Transistors T7. bezeichnet ist, wenn er an der Sättigungsgrenze arbeitet.where with V ^ g. m is the collector-emitter voltage of transistor T 7 . is indicated when he is working at the saturation limit.
Der Gpannungsverlust hat also einen konstanten Wert, der gleich dem in einer Stromspiegelschaltung mit Transistoren minimal erreichbaren Wert ist.So the tension loss has a constant value that is equal to the minimum achievable in a current mirror circuit with transistors Is worth.
Die Ausgangsimpedanz der Schaltung gemäß der Erfindung ist größer als diejenige der bekannten Schaltungen, die auch einen niedrigen und konstanten Spannungsverlust haben. Die Schaltung gemäß der Erfindung hat eine Ausgangsimpedanz, die um den Faktor ß größer ist als diejenige der Stromspiegelschaltung mit nasseverbundenem Emitter (Fig. 1) , 'so daß sie einen Wert hat, der doppelt so groß ist wie derjenige der Äusgangsimpedanz des "Wilson-Spiegels" und der "Kaskadenspiegelschaltung". Damit nähert sich die Schaltung der Erfindung besser als die bekannten Schaltungen den Eigenschaften eines Stromgenerators; sie erlaubt folglich die Verwendung von Speisespannungen, die kleiner sind als diejenigen, die für bekannte Schaltungen erforderlich sind, was für bestimmte Anwendungsfälle mit niedriger Speisespannung sehr wichtig ist.The output impedance of the circuit according to the invention is greater than that of the known circuits which also have a low and constant voltage drop. The circuit according to the invention has an output impedance which is greater by a factor of β than that of the current mirror circuit with a wet-bonded emitter (Fig. 1), 'so that it has a value twice that of the output impedance of the "Wilson mirror" and the "cascade mirror circuit". The circuit of the invention thus approximates the properties of a circuit better than the known circuits Power generator; it consequently allows the use of supply voltages that are smaller than those known for Circuits are required for what specific use cases with low supply voltage is very important.
über das beschriebene und dargestellte Ausführungsbeispiel hinaus sind selbstverständlich zahlreiche Varianten im Rahmen der Erfindung möglich. Beispielsweise können statt der. direkten Verbindungen zwischen Basis und Kollektor der Transistoren T,- und T^ der Schaltung nach Fig. 4- jeweils Verbindungen über den Basis-Emitter-übergar-ζ; eines Transistors erfolgen. Außerdem können alle oder ein Teil der bipolaren Transistoren mit geeigneten Schaltungsänderungen, die dem Fachmann bekannt sind, durch Feldeffekttransistoren ersetzt werden.beyond the described and illustrated embodiment Of course, numerous variants are possible within the scope of the invention. For example, instead of the. direct connections between the base and collector of the transistors T, - and T ^ of the circuit 4- in each case connections via the base-emitter-übergar-ζ; of a transistor. In addition, all or part of the bipolar transistors can be modified with appropriate circuit changes, which are known to the person skilled in the art can be replaced by field effect transistors.
Die neue Stromspiegelschaltung ist also eine Transistorschaltung, die insbesondere dazu geeignet ist, integriert zu werden, umfassend einen PrimärStromspiegel, einen Sekundärstromspiegel sowie eine Schaltungseinrichtung zum Stromvergleich und zur Stromverstärkung.The new current mirror circuit is thus comprising a transistor circuit which is particularly suitable for being integrated a primary current mirror, a secondary current mirror and a circuit device for current comparison and current amplification.
Der Strom am Eingang des Primärstromspiegels wird in eine Violzahl von Ausgangszweigen gespiegolt, von denen jeder mit einem Verbraucher verbunden werden kann. .The current at the input of the primary current mirror is mirrored in a number of output branches, each of which has can be connected to a consumer. .
An einem Ausgangszweig ist der Eingang des Sekundärstromspiegels angeschlossen, der damit den Ausgangsstrom des Primärstromspiegels auf den Ausgangszweig überträgt, der sowohl an den , Eingangsanschluß des zu übertragenden Stromes als auch an den Eingang der Schaltungseinrichtung zum Vergleichen und Verstärken des Stromes angeschlossen ist.The input of the secondary current mirror is connected to an output branch and thus the output current of the primary current mirror transmits to the output branch, which both to the input terminal of the current to be transmitted and to the Input of the circuit device for comparing and amplifying the current is connected.
Diese Schaltungseinrichtung ist daher ein "Fehlorverstärkcr". Der "Fehlerstrom" wird verstärkt und zum Eingang des Primärspiegels geleitet. Den Veränderungen des Ausgangsstromes entsprechen entgegengesetzte Änderungen des verstärkten Stromes, die diese daher kompensieren.This circuit device is therefore a "false amplifier". The "fault current" is amplified and conducted to the input of the primary mirror. Correspond to the changes in the output current opposite changes in the amplified current, which therefore compensate for them.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: SCHMITT-NILSON, G., DIPL.-ING. DR.-ING. HIRSCH, P. |
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| 8141 | Disposal/no request for examination |