DE3116356A1

DE3116356A1 - "programmierbare halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung"

Info

Publication number: DE3116356A1
Application number: DE19813116356
Authority: DE
Inventors: Arie Eindhoven Slob; Ties Siebolt Te Velde
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1980-05-08
Filing date: 1981-04-24
Publication date: 1982-06-03
Also published as: GB2075751A; US4536948A; FR2485264B1; JPS5829629B2; US4460914A; GB2075751B; JPS574153A; FR2485264A1; NL8002634A; AU7014481A

Description

R₁V.Philips'6{oe;iamp3niab:;a3n₍ Eindhoven _~__: .--. .:

PHN 9739 * & 12.11.1980

Programmierbare Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung

Die Erfindung bezieht sich auf eine programmierbare Halbleiteranordnung mit einem Trägerkörper mit mindestens einer ersten Leitung und mindestens einem mittels einer zerstörbaren Sicherung mit der Leitung verbundenen Halbleiterschaltungselement, wobei die zerstörbare Sicherung wenigstens über einen Teil ihrer Länge in einiger Entfernung von dem Trägerkörper oder dem Halbleiterschaltungselement liegt.

Weiterhin bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Halbleiteranordnung.

Eine programmierbare Halbleiteranordnung der obengenannten Art kann z.B. einen Teil eines programmierbaren Festwertspeichers (PROM) bilden. Ausser für einen programmierbaren Festwertspeicher kann die programmierbare Halbleiteranordnung auch für eine logische Schaltung vom Typ PLA (= Programmable Logic Array) verwendet werden, wobei die eigentliche logische Funktion.der Schaltung nachher mittels eines Programmierschrittes festgelegt wird.

Eine programmierbare Halbleiteranordnung der eingangs genannten Art ist aus der US-PS 3 56A- 35^- bekannt. Die zerstörbare Sicherung wird in dieser Anordnung durch einen schmalen dünnen Metallstreifen, z.B. aus Aluminium, mit genau bestimmten Abmessungen gebildet. Abhängig von der einzuschreibenden Information wird selektiv diese Sicherung durch Stromdurchgang zerstört. Die Sicherung ist in dieser Anordnung auf der Oberseite mit einer Passivierungsschicht überzogen und dadurch teilweise von Passivie— rungsmaterial umgeben und mit diesem Material in direktem Kontakt. Dadurch geht ein Teil der mit Hilfe des Zerstörungsstroms im Metallstreifen entwickelten Energie infolge von Aufheizung der umgebenden Passivierungsschicht verloren. Ausserdem wird die Durchbrennzeit dadurch ver-

längert, wodurch das Einschreiben mehr Zeit beansprucht, während auch die Anordnung beschädigt werden kann.

Die Passivierungsschicht auf¹ der Oberseite der zerstörbaren Sicherung kann gegebenenfalls weggelassen werden, aber dies geht auf Kosten der Passivierung anderer Teile der Anordnung. Ausserdem können infolge der Tatsache, dass die Passivierungsschicht nun völlig oder teilweise fehlt, beim Durchbrennen Rückstände der zerstörbaren Sicherung auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers gelangen und dort Kurzschlüsse oder andere Fehler herbeiführen.

Die Erfindung hat u.a. die Aufgabe, eine programmierbare Halbleiteranordnung der eingang genannten Art zu schaffen, bei der die Schreibzeit von der Wärmeleitung zwischen der Sicherung und dem Trägerkörper oder einer umgebenden Passivierungsschicht nahezu unabhängig ist.

Weiter hat die Erfindung die Aufgabe, eine programmierbare Halbleiteranordnung zu schaffen, bei der in der zerstörbaren Sicherung praktisch keine mechanischen Spannungen infolge des Vorhandenseins einer Passivierungsschicht auftreten.

Ausserdem hat sie die Aufgabe, einen programmierbaren Festwertspeicher mit einer möglichst hohen Bitdichte und Auslesegeschwindigkeit zu schaffen.

Der Erfindung liegt u.a. die Erkenntnis zugrunde,

" dass der Energieverlust beim Zerstören und damit der Zerstörungsstrom und die Schreibzeit dadurch herabgesetzt werden können, dass die Sicherung in bezug auf ihre Umgebung möglichst thermisch isoliert wird.

Eine programmierbare Halbleiteranordnung nach der Erfindung ist dazu dadurch gekennzeichnet, dass sich die zerstörbare Sicherung in einem Hohlraum befindet, der in Material vorhanden ist, das über den Trägerkörper oder das Halbleiterschaltungselement angebracht ist, während sich die zerstörbare Sicherung über einen Teil ihrer Länge ohne Berührung mit den den Hohlraum umgebenden Wänden erstreckt.

Eine derartige Anordnung weist den Vorteil auf,

dass die zerstörbare Sicherung nun praktisch nicht mit dem

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Trägerkörper oder einer umgebenden dielektrischen Passivierungsschicht in Berührung ist, so dass die Wärmeleitung zu der Umgebung erheblich herabgesetzt ist und die Sicherung dadurch schneller zerstört wird. In einer derartigen Ausführung wird also die Schreibzeit erheblich verkürzt, während man ausserdem mit einem niedrigen Zerstörungestrom auskommen kann.

Dadurch, dass die zerstörbare Sicherung im allgemeinen über den grössten Teil ihrer Länge frei von den Wänden des Hohlraumes und von dem Halbleiterschaltungselement und dem Trägerkörper liegt, wird beim Schmelzen des Materials der Sicherung schnell Tropfenbildung auftreten können, wobei sich das geschmolzene Material im Hohlraum ausserdem schnell verschieben kann. Die Schreibzeit wird dadurch noch weiter verkürzt.

Auch wird vermieden, dass beim Zerstören frei werdende Teilchen anderswo auf die Oberfläche der Anordnung gelangen und dort etwa Kurzschlüsse oder andere Beschädigungen herbeiführen.

*" Eine bevorzugte Ausführungsform einer programmierbaren Halbleiteranordnung nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die erste Leitung einen Leiter enthält, der einen Teil der Wand des Hohlraumes dem Trägerkörper oder dem Halbleiterschaltungselement gegenüber bildet, und dass die anderen Wände wenigstens teilweise durch ein Schutzmaterial gebildet werden, das über neben dem Leiter liegende Teile des Trägerkörpers oder des Halbleiterschaltungselementes angebracht ist.

Eine derartige Ausführung bietet Vorteile bei

^JU der Herstellung infolge der Tatsache, dass die Schutzschicht nun mit. dem genannten Leiter als Maske niedergeschlagen werden kann.

Dadurch, dass ausserdem das Halbleiterschaltungselement (z.B. eine Diode) unter der zerstörbaren Sicherung angebracht werden kann, können mit derartigen Anordnungen hergestellte programmierbare Festwertspeicher eine hohe Bitdichte aufweisen.

Zur Anwendung in einem programmierbaren Halbleiter-

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speicher ist eine programmierbare Halbleiteranordnung nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass die erste Leitung einen Teil einer ersten Gruppe von Leitungen bildet, die mit einer zweiten Gruppe von Leitungen, die die erste

g Gruppe von Leitungen kreuzt, ein Koordinatensystem bildet, ■wobei die erste Leitung an der Stelle eines Kreuzungspunktes des Koordinatensystems mittels der zerstörbaren Sicherung und des Halbleiterschaltungselements mit einer Leitung der zweiten Gruppe verbunden ist.

IQ _ Eine andere bevorzugte Ausführungsform einer programmierbaren Halbleiteranordnung nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass der Trägerkörper einen Halbleiterkörper enthält, in dem das Halbleiterschaltungselement hergestellt ist.

Eine derartige Ausführung weist den Vorteil auf, dass in dem Halbleiterkörper auch andere Schaltungen, wie z.B. Dekodierer für Selektionszwecke und Ausgangsverstärker, hergestellt werden können. In einer derartigen Anordnung kann ausserdem die zweite Gruppe von Leitungen völlig oder teilweise als in den Halbleiterkörper vergrabene Zonen ausgebildet werden. Vorzugsweise ist eine derartige vergrabene Zone in regelmässigen Abständen mit einem auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers liegenden Streifen aus elektrisch leitendem Material kontaktiert. Dies ergibt den Vorteil, dass beim Programmieren mehrere Stromwege zu demselben Halbleiterschaltungselement vorhanden sind, die ausserdem einen niedrigeren Widerstand aufweisen, so dass man mit einer niedrigeren Spannung auskommen kann. Zu gleicher Zeit wird beim Auswiesen durch das Vorhandensein dieser niederohmigen Parallelverbindungen in der zweiten Gruppe von Leitungen die Lesezeit der Anordnung verkürzt.

Das Halbleiterschaltungselement, das z.B. durch eine Diode oder einen Transistor gebildet werden kann, enthält in dieser Ausführung vorzugsweise eine Diode mit einem gleichrichtenden Übergang (Schottky-Ubergang) zwischen einer niedrig dotierten Halbleiterzone über der vergrabenen Zone und einer die niedrig dotierte Halbleiterzone kontaktierende Elektrode« Dadurch weist ein mit einer derartigen

Anordnung hergestellter Speicher eine hohe Auslesegeschwindigkeit auf.

Ein Verfahren zur Herstellung einer programmierbaren Halbleiteranordnung nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass von einem Trägerkörper mit an einer Oberfläche mindestens einer ersten Leitung und mindestens einem Halbleiterschaltungselement, das mit einer Elektrode versehen oder elektrisch leitend mit einer Kontaktschicht verbunden ist, ausgegangen wird, wobei das Ganze mit einer

^ ersten Hilfsschicht überzogen wird, in der ein erstes Fenster, das wenigstens einen Teil der Elektrode oder der Kontaktschicht freilässt, und ein zweites Fenster, das wenigstens einen Teil der ersten Leitung freilässt, gebildet werden, wonach auf der ersten Hilfsschicht und mindestens in dem ersten und dem zweiten Fenster eine zerstörbare Sicherung angebracht wird, die die erste Leitung mit dem Halbleiterschaltungselement verbindet, wonach das Ganze mit einer /weiten Hilfsschicht überzogen wird und durch die erste und die zweite Hilfsschicht hindurch Offnungen gebildet werden, worauf eine erste Schutzmaterialschicht angebracht und in Muster gebracht wird, wobei wenigstens an der Stelle der zerstörbaren Sicherung und in den Öffnungen Schutzmaterial zurückbleibt, wonach mit diesem Muster als Maske die beiden Hilfsschichten selektiv entfernt werden, wobei das Material der ersten Hilfsschicht in bezug auf die Materialien des Trägerkörpers, der ersten Leitung, der Elektrode oder der Kontaktschicht und der zerstörbaren Sicherung, das Schutzmaterial und, wenigstens sofern es mit der ersten Hilfsschicht überzogen ist, das Material des Halbleiterschaltungselements selektiv ätzbar ist, und wobei das Material der zweiten Hilfsschicht in bezug auf das Schutzmaterial und das Material der zerstörbaren Sicherung selektiv ätzbar ist, wobei durch diese Behandlung sowohl in den Offnungen als auch an der Stelle der zerstörbaren Sicherung in einiger Entfernung von der Sicherung Schutzmaterial zurückbleibt, wonach wenigstens der Teil der Oberflache, der nicht von dem Muster aus der ersten Schutzmaterialschicht geschützt wird, mit einer

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zweiten Schutzmaterialschicht versehen wird, wobei ein Hohlraum verbleibt, in dem sich die zerstörbare Sicherung befindet, während Wände des Hohlraums Schutzmaterial der ersten und der zweiten Schutzmaterialschicht enthalten.

Vorzugsweise wird dabei für die beiden Schichten aus Schutzmaterial dasselbe Material verwendet.

Ein Verfahren zur Herstellung einer programmierbaren Halbleiteranordnung nach der Erfindung, bei dem die Wand dem Trägerkörper oder dem Halbleiterschaltungselement gegenüber einen Leiter enthält, ist dadurch gekennzeichnet, dass von einem Trägerkörper mit an einer Oberfläche mindestens einem Halbleiterschaltungselement, das mit einer Elektrode versehen oder elektrisch leitend mit einer Kontaktschicht verbunden ist, ausgegangen wird, wobei das Ganze mit einer ersten Hilfsschicht überzogen wird, in der ein Fenster gebildet wird, das wenigstens einen Teil der Elektrode oder der Kontaktschicht freilässt, wonach auf der ersten Hilfsschicht und wenigstens in dem Fenster eine zerstörbare Sicherung angebracht wird, derart, dass an der Stelle des Fensters ein erstes Ende der zerstörbaren Sicherung definiert wird, wonach das Ganze mit einer zweiten Hilfsschicht überzogen wird und durch die erste und die zweite Hilfsschicht hindurch Offnungen gebildet werden, die wenigstens teilweise mit einem zweiten Ende der zerstörbaren Sicherung zusammenfallen, wonach wenigstens an der Stelle der zerstörbaren Sicherung und in den Offnungen ein Leitermuster angebracht wird, worauf mit diesem Muster als Maske die beiden Hilfsschichten selektiv entfernt werden, wobei das Material der ersten Hilfsschicht in bezug auf die Materialien des Trägerkörpers, der Elektrode oder der Kontaktschicht, der zerstörbaren Sicherung und des Leitermusters und, sofern es mit der ersten Hilfsschicht überzogen ist, das Material des Halbleiterschaltungselements selektiv ätzbar ist, und wobei das Material der zweiten Hilfsschicht in bezug auf die Materialien des Leitermusters und der zerstörbaren Sicherung selektiv ätzbar ist, wobei durch diese Behandlung an der Stelle der zerstörbarenSicherung und in einiger Entfernung von dieser Sicherung ein

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Leiter zurückbleibt und in den Offnungen Stützelemente des Leiters zurückbleiben, wonach wenigstens der Teil der Oberfläche, der nicht von dem Leitermuster geschützt wird, mit einer Schutzmaterialschicht versehen wird, so dass ein Hohlraum gebildet wird, in dem sich die zerstörbare Sicherung befindet, die das Halbleiterschaltungselement mit dem elektrischen Leiter verbindet, wobei dieser Leiter zu einer Leitung der programmierbaren Halbleiteranordnung gehört, und wobei die Wände des Hohlraumes durch den Leiter und Teile der Schutzmaterialschicht gebildet werden.

Vorzugsweise wird bei einem derartigen Verfahren

für die erste und die zweite Hilfsschicht dasselbe Material verwendet. Dies ergibt ein vereinfachtes und dadurch billigeres Verfahren. Ein geeignetes Material ist z.B. Aluminium.

Vorzugsweise wird das Material des Leitermusters durch galvanisches Anwachsen angebracht. Es hat sich nämlich herausgestellt, dass in einer abgelagerten Aluminiumschicht sich Offnungen, sogenannte Feinlunker (Pinholes), befinden können. Dadurch, dass beim galvanischen Anwachsen das Wachstum nur in einer Richtung stattfindet, kann vermieden werden, dass diese Offnungen mit dem Material des Leitermusters ausgefüllt werden und dadurch etwaige Kurzschlüsse auftreten.

Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 schematisch eine Draufsicht auf eine erste Ausführungsform einer programmierbaren Halbleiteranordnung nach der Erfindung,

Fig. 2 schematisch einen Querschnitt durch die programmierbare Halbleiteranordnung längs der Linie II-II in Fig. 1,

Fig. 3 schematisch einen Schnitt durch die programmierbare Halbleiteranordnung längs der Linie III-III in Fig. 1 ,

Fig. h schematisch einige Maskenöffnungen, die in einer Anzahl von Herstellungsschritten der programmierbaren Halblei teranordnuiigen nach den Fig. 1 bis 3 verwendet

■ ;. J ι ι ü 3 5 b

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werden,

Fig. 5 bis 7 die programmierbare Halbleiteranordnung nach Fig. 2 während verschiedener Stufen ihrer Herstellung,

Fig. 8 schematisch ein elektrisches Ersatzschaltbild eines Teiles eines programmierbaren Halbleiterspeichers, der mit programmierbaren Halbleiteranordnungen nach den Fig. 1, 2 und 3 hergestellt ist,

Fig. 9 schematisch eine Draufsicht auf und

^ Fig. 10 einen Querschnitt längs der Linie X-X in

Fig. 9 durch noch eine weitere Ausführungsform einer programmierbaren Halbleiteranordnung nach der Erfindung, und

Fig. 11 schematisch einen Querschnitt durch eine Abwandlung der Anordnung nach Fig. 10.

¹^ Die Figuren sind schematisch und nicht masstäblich

gezeichnet, wobei der Deutlichkeit halber in den Querschnitten insbesondere die Abmessungen in der Dickenrichtung übertrieben gross dargestellt sind. Halbleiterzonen vom gleichen Leitungstyp sind im allgemeinen in derselben

Richtung schraffiert; in den verschiedenen Ausführungsformen sind entsprechende Teile in der Regel mit denselben Bezugsziffern bezeichnet.

Fig. 1 zeigt schematisch in Draufsicht und Fig. 2

und 3 zeigen schematisch im Querschnitt längs der Linien

II-II bzw. III-III der Fig. 1 eine programmierbare Halbleiteranordnung nach der Erfindung.

Im vorliegenden Beispiel bildet ein Halbleiterkörper 1 einen Teil eines Trägerkörpers. Dieser Halbleiterkörper 1 enthält ein Halbleitersubstrat 2 von einem ersten Leitungstyp, z.B. vom p-Typ, mit einer Dicke von etwa 500 /um und einem spezifischen Widerstand von etwa 1 -ß. .cm

(was einer Akzeptordotierungskonzentration von etwa 3·10 Atomen/cm³ entspricht). Auf diesem Halbleitersubstrat 2 ist eine η-leitende epitaktische Schicht 3 mit einer Dicke von etwa 5/um und einem spezifischen Widerstand von etwa 1 -Λ .cm (was einer Dotierungskonzentration von etwa 1.IO Atomen/cm³ entspricht) angewachsen.

Im vorliegenden Beispiel bildet die programmier-

. "-:- \/y-\ ."■ " 3 1 1 S 3 5

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bare Halbleiteranordnung einen Teil eines programmierbaren Festwertspeichers mit einem Koordinatensystem von Gruppen von Leitungen, die sich, kreuzen. Eine Leitung einer derartigen Gruppe wird im vorliegenden Beispiel durch eine hochohmige vergrabene Zone k mit einem Flächenwiderstand von etwa 20OiLpro Quadrat gebildet. Diese Leitung bildet im vorliegenden Beispiel die Bitleitung eines programmierbaren Festwertspeichers. ?

Die Halbleiterschaltungselemente, die z.B. Dioden

¹^ oder Transistoren sein können, werden im vorliegenden Beispiel durch über der vergrabenen Zonen 4 angebrachte gleichrichtende Übergänge (Schottky-Dioden) gebildet. Dazu enthält eine auf der Oberfläche 5 des Halbleitei-körpers 1 erzeugte Isolierschicht 6 aus z.B. Siliciumoxid mit einer Dicke von etwa 0,5/um ein Fenster 7» in dem eine Elektrode aus einem Material angebracht ist, das mit dem niederohmigen η-leitenden epitaktischen Silicium einen gleichrichtenden Übergang (Schottky-Ubergang) bildet. Im vorliegenden Beispiel enthält die Elektrode eine Platin-Nickel-Legierung; andere geeignete Materialien sind z.B. Chrom, Tantal, Palladium oder Aluminium.

Um die Halbleiterschaltungselemente und die

vergrabene Zone h elektrisch gegen andere Elemente innerhalb des Halbleiterkörpers 1, wie z.B. eine parallel zu der vergrabenen Zone k verlaufende ähnliche Zone mit zugehörigen Halbleiterschaltungselementen, zu isolieren, enthält der Halbleiterkörper 1 Trennzonen 9 vom p-Typ, die z.B. mit Hilfe einer tiefen Diffusion durch die n-leitende epitaktische Schicht 3 hindurch erzeugt sind.

Das Halbleiterschaltungselement befindet sich an der Stelle eines Kreuzungspunktes der zu einer ersten Gruppe von Leitungen des Koordinatensystems gehörigen vergrabenen Zone k und eines Leiters 10. Dieser Leiter 10 gehört zu einer zweiten Gruppe von Leitungen des Koordi-

natensystems und bildet im vorliegenden Beispiel einen Teil einer Wortleitung. Eine zerstörbare Sicherung 11 ist an ihrem einen Ende elektrisch leitend mit dem elektrischen Leiter 10 verbunden. Das andere Ende ist elektrisch leitend

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mit dem Halbleiterschaltungselement, und zwar mit der Elektrode 8, verbunden. Die zerstörbare Sicherung ist in einiger Entfernung von dem Trägerkörper (dem Halbleiterkörper 1, einschliesslich der darauf angebrachten Passi- vierungsschicht 6 und einer Nitridschicht 18) angeordnet und befindet sich nach der Erfindung in einem Hohlraum 21, dessen Wand dem Schaltungselement gegenüber einen überbrückenden Teil 12 des kreuzenden Leiters 10 zwischen zwei einen Teil des Leiters 10 bildenden Stützteilen 13 enthält.

Teile 22 der anderen Wände werden durch eine Schicht 20 aus einem Schutzmaterial, wie Glas oder Siliciumoxid, gebildet, die im vorliegenden Beispiel über den Leiter 10 und nächstliegende Teile des Trägerkörpers angebracht ist. Die durchbrennbare Sicherung 11 enthält im vorliegenden Beispiel einen leitenden Streifen aus Nickel-Chrom mit einer Dicke von etwa 0,08 /um. Auf der Isolierschicht 6 sind im vorliegenden Beispiel Streifen 17 aus einem leitenden Material, z.B. Aluminium, angebracht, die in bezug auf die elektrischen Leiter 10 mit Hilfe der Siliciumnitridschicht 18 elektrisch isoliert sind. Ein derartiger Streifen ist im Falle eines programmierbaren Festwertspeichers in regelnlässigen Abständen über Kontaklöcher 19 mit der vergrabenen Zone k kontaktiert und setzt im vorliegenden Beispiel den Reihenwiderstand in der Bitleitung herab.

Wenn nun z.B. in einem programmierbaren Festwertspeicher mit, Hilfe von Adressierungs- und nötigenfalls Verstärkerschaltungen eine positive elektrische Spannung zwischen dem Leiter IO und der vergrabenen Zone k angelegt wird, wird durch den Leiter 10, die zerstörbare Sicherung über die Elektrode 8 und die epitaktische Schicht 9 ein Strom zu der vergrabenen Schicht k fHessen. Wenn dieser Strom einen genügend hohen Wert aufweist, wird infolge von Wärmeentwicklung die Sicherung 11 schmelzen und wird die Verbindung zwischen dem Leiter 10 des Koordinatensystems und der Elektrode 8 dauernd unterbrochen. Auf diese Weise kann ein derartiger Festwertspeicher eingelesen (progammiert) werden.

Dadurch., dass sich die Sicherung innerhalb des Hohlraumes 21 befindet, ist die Wärmeableitung der Sicherung 11 sehr gering, was zu einer sehr kurzen Einschreibzeit führt. Ausserdem kann das geschmolzene Material des Streifens 11 nicht auf andere Teile der Anordnung ausserhalb des Hohlraumes 21 gelangen und dort Kurzschluss oder Beschädigung herbeiführen.

Das Schaltungselement, im vorliegenden Beispiel eine Schottky-Diode, befindet sich völlig unter dem Leiter 10; dadurch kann eine hohe Bitdichte erreicht werden. Auch vergrössert die Anwendung von Schottky-Dioden in der dargestellten Anordnung namentlich die Auslesegschwindigkeit eines auslesbaren Halbleiterspeichers, in dem eine derartige Anordnung verwendet wird.

Die vergrabene Zone k bildet im vorliegenden Beispiel einen Teil einer Bitleitung eines programmierbaren Festwertspeichers. Diese Zone wird im allgemeinen hoch dotiert sein, aber doch noch einen·gewissen Widerstand aufweisen. Um die Ansprechzeit dieser Leitung herabzusetzen, ist diese in regelmässigen Abständen mit einem Streifen 17 aus einem leitenden Material kontaktiert, der auf der Oberfläche 5 des Halbleiterkörpers 1 angebracht ist und im vorliegenden Beispiel parallel zu dieser Zone k verläuft. Dadurch wird ein paralleler Stromweg eingeführt, der die Ansprechzeit herabsetzt. Der Streifen 17 bietet auch Vorteile beim Programmieren.

Fig. 8 zeigt schematisch einen Teil einer Bitleitung i mit darin zugehörigen Halbleiterschaltungsole— menten, im vorliegenden Beispiel Schottky-Dioden Di1...Pi8.

Diese Dioden sind mit Hilfe durchbrennbarer Sicherungen Fi1...Fi8 mit Wortleitungen W1...W8 verbunden. Die Bitleitung i wird im vorliegenden Beispiel durch eine vergrabene Zone 4 gebildet. Diese weist jedoch einen gewissen verteilten Reihenwiderstand auf, der in Fig. 8 schematisch ■" durch die Widerstände R dargestellt ist. Zur Zerstörung z.B. der Sicherung FIo wird der Strom durch diese Sicherung und die Diode Dio genügend hoch sein müssen, um eine Zerstörung zu bewirken. Beim Fehlen des parallelen Leiters 17 gilt für

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diesen Strom bei einer angelegten Spannung V:

¹ " 5R " 5 R "¹O' ■wobei V = angelegte Spannung,

^Y)⁼ -D^urc;hlaiäspannung der Diode, R = mittlerer Reihenwiderstand in der Zone h zwischen

zwei aui'e inarideri'olgenden Kreuzungspunkten. Venn der Parallelleiter 17, dessen Widerstand praktisch vernachlässigbar ist, wohl, z.B. an der Stelle von Di4 und Di8, angeschlossen ist, gilt aber:

V-V V-V V-V • _ D D _ D _ .

¹ ~ 2R ⁺ 2R ~ R ~ -> ¹O

Dadurch ist nachgewiesen, dass das Anbringen eines derartigen Parallelleiters zu höheren Strömen bei einer gleichen angelegten Spannung führt, wodurch die Sicherung schneller schmilzt und also die Einlesezeit verkürzt wird.

Die Herstellung einer programmierbaren Halbleiteranordnung nach den Fig. 1 bis 3 wird nunmehr an Hand der Fig. h bis 7 näher erläutert, wobei Fig. k schematisch die verwendeten Maskenöffnungen in einer Anzahl von Herstellungsschritten zeigt, während Fig. 5 bis 7 die Anordnung nach Fig. 2 in verschiedenen Stufen ihrer Herstellung zeigen.

Es wird von einem p-leitenden Substrat 2 mit einem sepzifischen Widerstand von 1-Π-. cm und einer Dicke von etwa 5OO/um ausgegangen. Darin wird auf allgemein bekannte Weise vergrabene Zonen k vom n-Leitungstyp angebracht(die einen Flächenwiderstand von etwa 20 -ß- pro Quadrat aufweist). Dann wird eine epitaktische Schicht 3 mit einer Dicke von etwa 5/um und einem sepzifischen Widerstand von etwa 1-^L .cm angewachsen. Anschliessend werden, gleichfalls auf allgemein bekannte Weise, Trennzonen 9 mit Hilfe von Diffusion angebracht. Nachdem die Oberfläche 5 der auf diese Weise erhaltenen Anordnung gegebenenfalls gereinigt worden ist (wobei u.a. bei vorhergehenden Schritten angewachsene Oxidschichten entfernt werden), wird über die ganze Oberfläche 5 eine Schicht 6 aus Isoliermaterial, z.B. Siliciumoxid, angebracht,, in die danach Kontaktfenster 7

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geätzt werden. Xn diesen Fenstern wird eine dünne Schicht

(etwa 0,1/um) aus Platin-Nickel angebracht, das mit dem / ··

darunterliegenden hochohmigen Silicium einen Schottky—Übergang bildet. Andere geeignete Materialien sind z.B. Palladium, Chrom oder Tantal. Diese Schicht 8 darf etwas über dem Rand des Fensters 7 hervorragen; das Anbringen der Schicht 8 ist daher nicht kritisch. Erwünschtenfalls kann über die Schicht 8 eine dünne Titan-Wolframschicht angebracht werden, um eine gute Kontaktierung mit der Sicherung zu erhalten. Auch werden auf der Isolierschicht 6 auf allgemein bekannte Weise Leiterbahnen 17 aus z.B. Aluminium angebracht. Um diese Bahnen in einer grösseren Konfiguration mehrerer Elemente in regelmässigen Abständen mit den Halbleiterschaltungselementen kontaktieren zu können, werden dabei in der Schicht 6 zugleich mit Fenstern 7 Kontaktfenster 19 (siehe Fig. 1) angebracht, die während der Herstellung der Elektrode 8 nötigenfalls abgedeckt werden. Damit ist die Konfiguration nach Fig. 5 erhalten.

Anschliessend wird die auf diese Weise erhaltene Anordnung mit einer Schicht 18 aus Siliciumnitrid mit einer Dicke von etwa 0,7/um z.B. mit Hilfe von Plasma-Ablagerung überzogen. Diese Schicht 18 wird auf photolithographischem Wege mit einem Fenster 23 versehen, wodurch Teile der Elektrode 8 und der Isolierschicht 6 freigelegt werden.

Dann wird die ganze Anordnung mit einer etwa 0,3/um dicken Schicht 2k aus Aluminium überzogen, in der auf photolithographischem Wege ein Fenster 28 (siehe Fig. 4) angebracht wird. In einem nächsten Schritt wird eine zerstörbare Sicherung 11 dadurch gebildet, dass eine etwa 0,08 /um dicke Schicht aus Nickel-Chrom niedergeschlagen wird, die dann auf photoli.thographischem Wege mit Hilfe einer verdünnten Salzsäurelösung in Muster geätzt wird. Das verbleibende Nickel—Chrom ist im vorliegenden Beispiel ein streifenförmiges Rechteck 11, das völlig innerhalb des Fensters 23 ³^ liegt (siehe Fig. k) und durch einen Teil des Fensters 28 hindurch die Elektrode 8 kontaktiert. Für die Form der Sicherung 11 sind naturgemäss mehrere Abwandlungen möglich. Anschliessend wird eine Schicht 2 5 aus Aluminium mit einer

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Dicke von etwa 0,7 /um angebracht. Das Ganze wird mit einer Photoresxstschxcht 26 versehen, in der auf photolithographischem Wege Fenster 27 an den Stellen anzubringender
Stützteile definiert werden. Damit ist die Konfiguration

g nach Fig. 6 erhalten.

Mit der Photoresxstschxcht 26 als Maske wird an den Stellen der Fenster 27 das Aluminium der Schichten
2k, 25 in einer 1 $igen Lösung von Natronlauge bei einer Temperatur von etwa 4o°C weggeätzt, wonach die ganze An-Ordnung mit einer Nickelschicht mit einer Dicke von etwa 1 /um versehen wird. Dies erfolgt vorzugsweise durch galvanisches Anwachsen, um Kurzschlüsse zu vermeiden. Es hat
sich nämlich herausgestellt, dass das Aluminium der Zwischenschichten 2k, 25 in der Regel noch Offnungen, sogenannte Feinlunker, enthalten kann, die beim Niederschlagen von Nickel durch Zerstäubung mit Nickel ausgefüllt werden können, das bei einem nächsten Atzschritt nicht angegriffen wird und so Kurzschlüsse herbeiführen kann. Durch Anwendung eines galvanischen Anwachsverfahrens tritt das Wachstum

nur in einer Richtung auf, wodurch Kurzschlüsse vermieden werden, wie in der DE-OS 29 45 533 der Anmelderin beschrieben ist, deren Inhalt als Referenz in die vorliegende Anmeldung aufgenommen ist. Es wird aber wohl vorher eine sehr dünne Nickelschicht mit einer Dicke in der Grössen-Ordnung von 5 nm aufgedampft, um namentlich auf dem Siliciumoxid 6 und dem Siliciumnitrid 18 ein gutes galvanisches Anwachsen sicherzustellen. Diese Schicht ist jedoch zu dünn, um den genannten Kurzschluss herbeizuführen.

Aus der auf diese Weise aufgebrachten Nickelschicht werden dann mit Hilfe photolithographischer Atztechniken die elektrischen Leiter 10 mit Hilfe einer Lösung von 10 $ Salpetersäure in Wasser bei etwa 40°C geätzt.
Damit ist die Konfiguration nach Fig. 7 erhalten, wobei
nicht nur unter dem Teil 12 des Leiters 10, sondern auch ausserhalb der Zeichnungsebene auf der Schicht 18 aus
Siliciumnitrid nocli Aluminium 2k, 25 vorhanden ist.
Dieses Aluminium wird dann in einem Atzbad von 1 ^Natronlauge in Wasser bei etwa 40°C entfernt. Nachdem das Aluminium

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völlig von dem Trägerkörper entfernt worden ist, wird über das Ganze eine Passivxerungssclxicixt 20 aus Glas oder Siliciumoxid durcti z.B. Aufdampfen oder andere geeignete Ablagerungstechniken angebracht. Der Leiter 10 wirkt dabei als Maske, so dass in der endgültigen Anordnung die zerstörbare Sicherung 11 innerhalb eines Raumes 21 eingekapselt ist, bei dem ein Teil 22 der Wände durch die Passivierungsschicht 20 gebildet wird. Damit ist die Anordnung nach den Fig. bis 3 erhalten.

In der obenbeschriebenen bevorzugten Ausführungsform bildet die (leitende) Leitung 10 einen Teil der Wand des Hohlraumes. Dies ist aber nicht notwendig. So kann die Leitung 10 auf der Oberfläche des Trägerkörpers oder des Halbleiterschaltungselements angebracht sein. In diesem Falle werden nach dem Anbringen der ersten selektiv ärzbaren Hilfsschicht 24 in dieser Schicht ein erstes Fenster an der Stelle der Elektrode 8 des Halbleiterschaltungselements und ein zweites einen Teil der Leitung 10 freilegendes Fenster angebracht. Dann wird mit Hilfe photolithographischer Atztechniken aus auf der ersten Hilfsschicht angebrachtem Material die zerstörbare Sicherung derart definiert, dass ihre beiden Enden über die Fenster mit der Elektrode 8 bzw. der Leitung 10 in Kontakt stehen. Über das Ganze wird dann eine zweite selektiv ätzbare Hilfsschicht 25 angebracht. Danach werden durch die beiden Hilfsschichten hindurch Offnungen angebracht, wonach das Ganze mit einer ersten Schicht aus Schutzmaterial, z.B. Siliciumoxid, überzogen wird. Diese Schicht weist z.B. eine derartige Dicke auf, dass die Offnungen in den beiden Hilfsschichten ausgefüllt werden. Anschliessend wird diese Schicht derart in Muster geätzt, dass an den Stellen dieser Offnungen und über den zerstörbaren Sicherungen Siliziumoxid zurückbleibt, während anderswo die zweite Hilfsschicht frei zu liegen: kommt. Dann werden die beiden Hilfs-

3$ schichten 2k, 25 auf die oben bereits beschriebene Weise mittels selektiver Atzung entfernt. Nach diesem Entfernungsschritt befindet sich die zerstörbare Sicherung 11 in einem gewissen Abstand von dem Trägerkörper oder dem Halbleiter-

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schaltungselement und auch von überbrückendem Siliciumoxid (vergleichbar mit dem überbrückenden Teil 12 in Fig. 1 bis3). Das überbrückende Siliciumoxid befindet sich zwischen zwei Stützelementen (gleich den Stützelementen 13 in Fig. 1 bis 3) ebenfalls aus Siliciumoxid. An nicht von dem Oxidmuster geschützten Stellen werden die Hilfsschichten 2k, 25 entfernt, so dass hier Teile der Oberfläche des Trägerkörpers auf dem Halbleiterschaltungselement freigelegt werden. Diese zwischen dem als Maske wirkenden Oxidmuster liegenden Teile der Oberfläche werden dann mit einer zweiten Schutzmaterialschicht überzogen. Wenn diese zweite Schicht über eine genügende Dicke angebracht wird, ist die zerstörbare Sicherung in einen Hohlraum eingekapselt.

Selbstverständlich beschränkt sich die Erfindung nicht auf die obenstehenden Beispiele, sondern sind im Rahmen der Erfindung für den Fachmann viele Abwandlungen möglich. So kann die Isolierung zwischen den vergrabenen Zonen k statt durch die tiefen p-leitenden Zonen 9 z.B. auch durch lokale Oxidatianstechniken erhalten werden, während für die Schaltungselemente statt Schottky-Dioden auch pn-Dioden oder Transistoren (Bipolartransistoren sowie Feldeffekttransistoren) gewählt werden können.

Auch können in den dargestellten Beispielen nötigenfalls die parallelen Leiter 17 weggelassen werden.

In diesem Falle ist auch die Isolierschicht 18 überflüssig und werden die Stützteile 13 direkt auf der Isolierschicht 6 angebracht.

In den dargestellten Beispielen wird der Trägerkörper durch einen Halbleiterkörper gebildet, in dem die Halbleiterschaltungselemente hergestellt sind. In einer anderen Ausführungsform ist es möglich, die Halbleiterschaltungselemente auf einem isolierenden Trüßorkörper z.B. mit Hilfe der Siliciurn-auf-SaphiET-Technik anzubringen. So zeigt z.B. Fig. 9 eine Draufsicht auf und Fig. 10 einen Querschnitt längs der Linie X-X der Fig. 9 durch eine derartige programmierbare Halbleiteranordnung nach der Erfindung.

Die Anordnung 31 enthält im vorliegenden Beispiel

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einen Trägerkörper "}Z aus Isoliermaterial, z.B. Saphir, auf dem ein Koordinatensystem auf dem Trägerkörper 32 angebrachter Leiterbahnen 33 und diese Leiterbahnen 33 kreuzender Leiter 10 gebildet ist. An den Stellen der Kreuzungspunkte des Koordinatensystems sind auf dem isolierenden Trägerkörper 32 Halbleiterschaltungselemente, im vorliegenden Beispiel Dioden mit p-leitenden Zonen 3k und η-leitenden Zonen 35, angebracht. Die Leiter 10 überbrücken die Dioden und werden an den Stellen von Stütz-1Q teilen 13 abgestützt.

Die Leiterbahnen 33, die z.B. wieder Bitleitungen eines programmierbaren Festwertspeichers bilden, werden an der Oberfläche 5 der Dioden über Kontakte 38 und in einer die Dioden schützenden Isolierschicht 6 angebrachte Fenster 37 mit den p-leitenden Zonen 3^ kontaktiert.

Die Elektroden 8 kontaktieren über Kontaktfenster 7 die η-leitenden Zonen 35· Unter den Leitern 10 befindet sich wieder eine zerstörbare Sicherung 11, die im vorliegenden Beispiel den Leiter 10 mit der Elektrode 8 verbindet und sich über einen Teil ihrer Länge in einiger Entfernung von dem Trägerkörper 32 und dem Halbleiterschaltungselement sowie von dem Leitür KJ erstreckt. Das Halbleiterschaltungselement (Diode) befindet sich unter einem überbrückenden Teil 12 zwischen zwei Stützteilen 13 des Leiters 10. ■25 Naturgemäss können sich unter einem überbrückenden Teil mehrere Dioden befinden. Das Ganze ist wieder mit einer Passivierungsschicht 20 überzogen, so dass die zerstörbare Sicherung 11 sich in einem Hohlraum 21 befindet. Bei der Herstellung des Koordinatensystems nach dem in der vorgenannten DE-OS 29 <+5 533 beschriebenen Verfahren werden die Leiter 10 von Trägerteilen 36 aus Aluminium abgestützt, das leitend mit den Leitern 10 verbunden ist. In einer derartigen Anordnung ist es auch möglich, die durchbrennbare Sicherung 11 über den Trägerteil 36 elektrisch leitend mit dem Leiter 10 zu verbinden. Fig. 11 zeigt einen Querschnitt durch eine derartige Anordnung; die Bezugsziffern haben hier wieder die gleiche Bedeutung wie in Fig. 10.

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Claims

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PATENTANSPRÜCHE

1/ Programmierbare Halbleiteranordnung mit einem Trägerkörper mit mindestens einer ersten Leitung und mindestens einem mittels einer zerstörbaren Sicherung mit der Leitung verbundenen Halbleiterschaltungselement, wobei die zerstörbare Sicherung wenigstens über einen Teil ihrer Länge in einiger Entfernung von dem Trägerkörper oder dem Halbleiterschaltungselement liegt, dadurch gekennzeichnet, dass sich die zerstörbare Sicherung in einem Hohlraum befindet, der im Material vorhanden ist, das über den Trägerkörper oder das Halbleiterschaltungselement angebracht ist, während sich die zerstörbare Sicherung über einen Teil ihrer Länge ohne Berührung mit den den Hohlraum umgebenden Wänden erstreckt.

2. Programmierbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Leitung einen Leiter enthält, der einen Teil der Wand des Hohlraumes dem Trägerkörper oder dem Halbleiterschaltungselement gegenüber bildet, und dass die anderen Wände wenigstens teilweise durch ein Schutzmaterial gebildet werden, das über neben dem Leiter liegende Teile des Trägerkörpers oder des Halbleiterschaltungselements angebracht ist.

3. Programmierbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die zerstörbare Sicherung einen leitenden Streifen aus einem oder mehreren der Metalle Nickel oder Chrom enthält.

k. Programmierbare Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, dass die erste Leitung einen Teil einer ersten Gruppe von Leitungen bildet, die mit einer zweiten Gruppe von Leitungen, die die erste Gruppe von Leitungen kreuzt, ein Koordinatensystem bildety wobei die erste Leitung an der Stelle eines Kreuzungspunktes des Koordinatensystems mittels der zerstörbaren Sicherung und des Halbleiterschaltungselementes

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mit einer Leitung der zweiten Gruppe verbunden ist.

5. Programmierbare Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Trägerkörper einen Halbleiterkörper enthält, in dem das Halbleiterschaltungselement hergestellt ist.

6. Programmierbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Gruppe von Leitungen mindestens eine in den Halbleiterkörper vergrabene Zone enthält.

7· Programmierbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die vergrabene Zone in regelmässigen Abstanden mit einem auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers liegenden Streifen aus elektrisch leitendem Material kontaktiert ist.

8. Programmierbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Streifen aus elektrisch leitendem Material praktisch parallel zu der vergrabenen Zone verläuft.
9· Programmierbare Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschaltungselemente Dioden mit einem gleichrichtenden Übergang zwischen einer niedrig dotierten Halbleiterzone über der vergrabenen Zone und einer die niedrig dotierte Halbleiterzone kontaktierenden Elektrode enthalten.

10. Programmierbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrode ein Metall aus der durch Platin, Nickel, Palladium, Chrom, . Tantal und Aluminium gebildeten Gruppe enthält.

11. Verfahren zur Herstellung einer programmierbaren Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass von einem Trägerkörper mit an einer Oberfläche mindestens einer ersten Leitung und mindestens einem Halbleiterschaltungselement, das mit einer Elektrode versehen oder elektrisch leitend mit einer Kontaktschicht verbunden ist, ausgegangen wird, wobei das Ganze mit einer ersten Hilfsschicht überzogen wird, in der ein erstes Fenster, das wenigstens einen Teil der

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Elektrode oder der Kontaktschicht freilässt, und ein zweites Fenster, das wenigstens einen Teil der ersten Leitung freilässt, gebildet werden, wonach auf der ersten Hilfsschicht und mindestens in dem ersten und dem zweiten Fenster eine zerstörbare Sicherung angebracht wird, die die erste Leitung mit dem Halbleiterschaltungselement verbindet, wonach das Ganze mit einer zweiten Hilfsschicht überzogen wird und durch die erste und die zweite Hilfsschicht hindurch Offnungen gebildet werden, worauf eine erste Schutzmaterialschicht angebracht und in Muster gebracht wird, wobei wenigstens an der Stelle der zerstörbaren Sicherung und in den Offnungen Schutzmaterial zurückbleibt, wonach mit diesem Muster als Maske die beiden Hilfsschichten selektiv entfernt werden, wobei das Material der ersten Hilfsschicht in bezug auf die Materialien des Trägerkörpers, der ersten Leitung, der Elektrode oder der Kontaktschicht und der zerstörbaren Sicherung, das Schutzmaterial und, wenigstens sofern es mit der ersten Hilfsschicht überzogen ist, das Material des Halbleiterschaltungselements selektiv atzbar ist, und wobei das Material der zweiten Hilfsschicht in bezug auf das Schutzmaterial und das Material der zerstörbaren Sicherung selektiv ätzbar ist, wobei durch diese Behandlung sowohl in den Offnungen als auch an der Stelle der zerstörbaren Sicherung in einiger Entfernung von der Sicherung Schutzmaterial zurückbleibt, wonach wenigstens der Teil der Oberfläche, der nicht von dem Muster aus der ersten Schutzmaterialschicht geschützt wird, mit einer zweiten Schutzmaterialschicht versehen wird, wobei ein Hohlraum verbleibt, in dem sich die zerstörbare Sicherung befindet, während Wände des Hohlraumes Schutzmaterial der ersten und der zweiten Schutzmaterialschicht enthalten. 12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass für die beiden Schichten aus Schutzmaterial dasselbe Material verwendet wird.

13· Verfahren zur Herstellung einer programmierbaren Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass von einem Trägerkörper mit an einer Oberfläche mindestens einem Halbleiterschaltungsele-

ment, das mit einer Elektrode versehen oder elektrisch, leitend mit einer Kontaktschicht verbunden ist, ausgegangen wird, wobei das Ganze mit einer ersten HiIfsschiebt überzogen wird, in der ein Fenster gebildet wird, das wenigstens einen Teil der Elektrode oder der Kontaktschicht freilässt, wonach auf der ersten Hilfsschiene und wenigstens in dem Fenster eine zerstörbare Sicherung angebracht wird, derart, dass an der Stelle des Fensters ein erstes Ende der zerstörbaren Sicherung definiert wird, wonach das Ganze mit einer zweiten Hilfsschicht überzogen wird und durch die erste und die zweite Hilfsschicht hindurch Offnungen gebildet werden, die wenigstens teilweise mit einem zweiten Ende der zerstörbaren Sicherung zusammenfallen, wonach wenigstens an der Stelle der zerstörbaren Sicherung und in den Offnungen ein Leitermuster angebracht wird, worauf mit diesem Muster als Maske die beiden Hilfsschichten selektiv entfernt werden, wobei das Material der ersten Hilfsschicht in bezug auf die Materialien des Trägerkörpers, der Elektrode oder der Kontaktschicht, der zerstörbaren Sicherung und des Leitermusters und, sofern es mit der ersten Hilfsschicht überzogen ist, das Material des Halbleiterschaltungselements selektiv ätzbar ist, und wobei das Material der zweiten Hilfsschicht in bezug auf die Materialien des Leitermusters und der zerstörbaren Sicherung selektiv ätzbar ist, wobei durch diese Behandlung an der Stelle der zerstörbaren Sicherung und in einiger Entfernung von dieser Sicherung ein Leiter zurückbleibt und in den Offnungen Stützelemente des Leiters zurückbleiben, wonach wenigstens der Teil der Oberfläche, der nicht von dem Leitermuster geschützt wird, mit einer Schutzmaterialschicht versehen wird, so dass ein Hohlraum gebildet wird, in dem sich die zerstörbare Sicherung befindet, die das Halbleiterschaltungselement mit dem elektrischen Leiter verbindet, wobei dieser Leiter zu einer Leitung der programmierbaren Halbleiteranordnung gehört, und wobei die Wände des Hohlraumes durch den Leiter und Teile der Schutzmaterialschicht gebildet .werden.
\h. Verfahren nach Anspruch 11, 12 oder 13, dadurch

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gekennzeichnet, dass für die erste Hilfsschicht und die zweite Hilfsschicht dasselbe Material verwendet wird. 15· Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Material des Leitermusters durch galvanisches Anwachsen angebracht wird.

16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Anbringen des Material's des Leitermusters durch galvanisches Anwachsen zunächst eine dünne Schicht

des anzuwachsenden Materials niedergeschlagen wird. 10