DE3151326A1 - Verfahren zum herstellen einer elektronenroehre - Google Patents
Verfahren zum herstellen einer elektronenroehreInfo
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Landscapes
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Description
-
- Beschreibung
- Verfahren zum Herstellen einer Elektronenröhre Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren ZzLs Herstellen einer Elecktronenröhre mit einem Wandungsteil aus Glas, auf dessen Innenfläche eine hochohmige Schicht zur Vermeidung von undefinierten Potentialgebieten angebracht wird.
- Es ist bereits bekannt, bei Bildverstärkerröhren die Innenwandung des Glaskolbens, soweit dieser als Vakuumwandung und Verbindung zwischen metallischen Elektrodenteilen dient, mit einer Chromoxidschicht geringer Leitfähigkeit zu bedecken, um zu verhindern, daß sich sogenannte Ladungsinseln und damit unerwünschten Potentialverteilungen auf der Oberfläche des Glaskolbens ausbilden. Insbesondere bei elektronenoptischen Röhren wirken sich unterschiedliche Potentialverteilungen störend aus.
- Es hat sich nun gezeigt, daß auch das Aufbringen von solchen Schichten auf-die Innenfläche von Glaswandungen solcher Röhren solche unterschiedliche Potentialverteilungen nicht mit hinreichender Sicherheit vermeiden.
- Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen einer eingangs genannten Elektronenröhre anzugeben, mit dessen Hilfe es möglich ist, definierte Potentialverhältnisse an der Glasinnenwandung zu erzielen.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß auf die gereinigte Glasoberfläche vor Aufbringen der Chromoxid- Schicht eine dünne Sperrschicht aus einem Material aufgebracht wird, das eine Ionenwanderung aus der Glaswandung verhindert.
- Durch das beschriebene Verfahren zum Aufbringen einer Sperrschicht auf die Glasoberfläche wird mit-einfachen Mitteln erreicht, daß definierte Glasoberflächenverhältnisse vorliegen.
- Es wird nämlich angenommen, daß durch lonenwanderung aus dem Glas heraus an der Oberfläche und in der auf die Oberfläche aufgebrachten hochohmigen Schicht Veränderungen der Leitfähigkeit entstehen, die dann Ursache für Unregelmäßigkeiten in der Potentialverteilung sind.
- Anhand des in der Figur dargestellten bevorzugt en Ausführungsbeispiels wird die Erfindung nachfolgend näher erklärt.
- Die Figur zeigt ausschnittsweise im Querschnitt einen Teil einer Bildverstärkerröhre mit einer Glaswandung 1, die an beiden Enden mit metal-lischen Elektroden 2 und 3 vakuumdicht verschmolzen ist. Auf der Innenfläche der Glaswandung t befindet sich eine hochohmige Schicht. Als solche Schicht hat sich besondere eine Chromoxidschicht bewährt.
- Gemäß einem bevorzugte Ausführungsbeispiel der Erfindung ist nun vor Aufbringen der hochohmigen Schicht 4 auf die Glasoberfläche eine Sperrschicht 5 aufzubringen, die insbesondere aus einer Siliziumdioxidschicht besteht, und die durch Aufdampfen, Sputtern oder naß Abschleudern oder durch Abscheiden aus der Dampfphase hergestellt ist. Eine solche Schicht verhindert ein -Auswandern von Glasionen, insbesondere von Alkali-Ionen, an die Oberfläche des Glases bzw. in die hochohmige Schicht 4.
- Gemaß einer Weiterbildung der Erfindung soll diese Sperrschicht in einer Stärke von 4 1/U, gg. sogar <0,1 µ aufgebracht werden.
- Leerseite
Claims (5)
- Patentansprüche ()i' Verfahren zum Herstellen einer Elektronenröhre mit einem Wandungsteil aus Glas, auf dessen Innenfläche eine hochohmige Schicht zur Vermeidung von undefinierten Potentialgebieten angebracht wird, dadurch vekennzeichnet daß auf die gereinigte Glasoberfläche vor Aufbringen der hochohmigen Schicht eine dünne Sperrschicht aus einem Material aufgebracht wird, das eine tonenwanderung aus der Glaswandung verhindert.
- 2 Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Sperrschicht eine Siliziumdioxidschicht aufgebracht wird.
- 3 Verfahren nach Anspruch t oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrschicht durch Sputtern, Aufdampfen oder naß Abschleudernoder Abscheiden aus der Dampfphase aufgebracht wird.
- 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch die Anwendung zum Herstellen von mit hohen Spannungen betriebenen Elektronenröhren, insbesondere Bildverstärkerröhren mit feldformenden elektrischen Feldern zur elektronenoptischen Bilddarstellung.
- 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrschicht auf ein Wandungsteil aus alkalihaltigem Glas aufgebracht wird.
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Country Status (1)
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE4115437A1 (de) * | 1990-05-09 | 1991-11-14 | Mitsubishi Electric Corp | Projektions-kathodenstrahlroehre |
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1981
- 1981-12-24 DE DE19813151326 patent/DE3151326A1/de active Granted
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3151326C2 (de) | 1990-11-22 |
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