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DE3149029A1 - METHOD FOR IGNITING AT LEAST ONE CONTROLLABLE SEMICONDUCTOR VALVE FOR AN AC SWITCHING DEVICE AND CIRCUIT ARRANGEMENT FOR IMPLEMENTING THE METHOD - Google Patents

METHOD FOR IGNITING AT LEAST ONE CONTROLLABLE SEMICONDUCTOR VALVE FOR AN AC SWITCHING DEVICE AND CIRCUIT ARRANGEMENT FOR IMPLEMENTING THE METHOD

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Publication number
DE3149029A1
DE3149029A1 DE19813149029 DE3149029A DE3149029A1 DE 3149029 A1 DE3149029 A1 DE 3149029A1 DE 19813149029 DE19813149029 DE 19813149029 DE 3149029 A DE3149029 A DE 3149029A DE 3149029 A1 DE3149029 A1 DE 3149029A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
current
contact point
switching
circuit arrangement
semiconductor valve
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19813149029
Other languages
German (de)
Inventor
Stephan Dipl.-Ing 3300 Braunschweig Greitzke
Thomas Dr.-Ing 8450 Amberg Kölpin
Manfred Prof. Dr.-Ing. 3302 Cremlingen Lindmayer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BBC Brown Boveri AG Germany
Original Assignee
BBC Brown Boveri AG Germany
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BBC Brown Boveri AG Germany filed Critical BBC Brown Boveri AG Germany
Priority to DE19813149029 priority Critical patent/DE3149029A1/en
Priority to EP82111238A priority patent/EP0082387A1/en
Publication of DE3149029A1 publication Critical patent/DE3149029A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H9/00Details of switching devices, not covered by groups H01H1/00 - H01H7/00
    • H01H9/54Circuit arrangements not adapted to a particular application of the switching device and for which no provision exists elsewhere
    • H01H9/541Contacts shunted by semiconductor devices
    • H01H9/542Contacts shunted by static switch means

Landscapes

  • Driving Mechanisms And Operating Circuits Of Arc-Extinguishing High-Tension Switches (AREA)
  • Keying Circuit Devices (AREA)

Description

3U90293U9029

BRQWN,BOVEBI & CIE AKTIENGESELLSCHAFT Mannheim 7. Dezember 1981BRQWN, BOVEBI & CIE AKTIENGESELLSCHAFT Mannheim December 7th, 1981

Mp.-Nr. 694/81 ZPT/PH-Ft/HtMp.no. 694/81 ZPT / PH-Ft / Ht

Verfahren zur Zündung wenigstens eines steuerbaren Halbleiterventile3 für ein Wechsel strornschaxtp;erät und on Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens A process for the ignition of at least one controllable Halbleiterventile3 for an alternating s trornscha xtp; et up instrument on and circuit arrangement for performing de s Ve rfahrens

&\J& \ J Ι— I-I I I !■■.».l ■ Pll- -BI .- I .11 111 I .'- —...-. I- .pi— I. » Il ■ ■■ Il- . | .1-^ .«■—— P. ■ I —I ^l '" —— " " ' "Ι— I-I I I! ■■. ». L ■ Pll- -BI .- I .11 111 I .'- —...-. I- .pi— I. »Il ■ ■■ Il-. | .1- ^. «■ —— P. ■ I —I ^ l '" —— ""' "

Die Erfindung betrifft ein Verfahren gemäß dem Oberbe-] griff des Anspruches 1 sowie eine SchaltungsanordnungThe invention relates to a method according to the supervisory] handle of claim 1 and a circuit arrangement

ί zur Durchführung des Verfahrens»ί to carry out the procedure »

! 25! 25th

Der Verschleiß am Kontakt- und Löschsystem von Wechsel-The wear and tear on the contact and extinguishing system of exchangeable

: strom-Schaltgeräten hoher Schalthäufigkeit im Schwer-: current switching devices with high switching frequency in heavy

i lastbetrieb kann durch die Anwendung sogenannter Hybrid-i load operation can be achieved through the use of so-called hybrid

schalter wesentlich verringert werden«, Hierbei wird der 30 Laststrom nach Öffnen der Hauptkontakte auf einen Neben- switches are significantly reduced «, Here the 30 load current is transferred to a secondary switch after opening the main contacts

: weg kommutiert und dort durch eingebaute Halbleiterventile in seinem Nulldurchgang abgeschaltet. Bei Verwendung steuerbarer Ventile im Nebenweg der mechanischen Schaltstelle besteht das Erfordernis einer Zündung die-35 ser Ventile unmittelbar nach Beginn der Kontaktstück-: commutated away and there by built-in semiconductor valves switched off in its zero crossing. When using controllable valves in the bypass of the mechanical Switching point there is a requirement for an ignition die-35 these valves immediately after the start of the contact piece

■ öffnung, um den Laststrom zn übernehmen und die Auswir-1 kungen der sich ausbildenden Schaltlichtbögen auf ein■ opening to take over the load current zn and the effects of the switching arcs that develop on a

-.; Mindestmaß zu verringern.- .; Reduce the minimum.

Mp.-Nr. 694/81 2T Mp.no. 694/81 2T

In einem bisher bekannten Verfahren DE-OS 31 32 338 wird für den Zündvorgang die elektrische Wirkung des Schalt-• lichtbogens verwendet, die im Auftreten eines Spannungsabfalls zwischen den beteiligten Kontaktstücken entsteht. Nach der erfolgten Abschaltung des Laststromes muß eine weitere Ansteuerung des Halbleiterventiles unterbunden werden, um den Laststromkreis weiterhin unterbrochen zu .halten. Bei der Verwendung eines Doppelunterbrechungssystems kann dies.nach dem in der DE-OS 31 32 338 angegebenen Verfahren dadurch erfolgen, daß der Steuerstrom der die beiden Kontaktstellen verbindenden Kontaktbrücke entnommen wird, die nach erfolgter Abschaltung potentialfrei ist.In a previously known method DE-OS 31 32 338 is the electrical effect of the switching arc is used for the ignition process, which occurs when a voltage drop occurs arises between the contact pieces involved. After the load current has been switched off further control of the semiconductor valve must be prevented in order to continue to interrupt the load circuit to keep. When using a double break system, this can be done according to the in the DE-OS 31 32 338 specified method take place in that the control current of the connecting the two contact points Contact bridge is removed, which is potential-free after switching off.

Soll dagegen das Hybridschaltkonzept an einer Einfachunterbrechungsstelle Verwendung finden, beispielsweise, um die zweite Unterbrechungsstelle eines. Doppeiunterbrechungssystems, wie in der DE-OS 31 37 321, bereits zur Herstellung der galvanischen Trennung des Stromkreises zu verwenden, muß der Steuerstromkreis des steuerbaren Halbleiterventiles zur Vermeidung einer neuerlichen Zündung durch die am Unterbrechungssystem wiederkehrende Spannung zusätzlich elektrisch unterbrochen werden.On the other hand, should the hybrid switching concept be at a single interruption point Use, for example, to create the second interruption point of a. Double break system, as in DE-OS 31 37 321, already for the production of the electrical isolation of the circuit To use, the control circuit of the controllable semiconductor valve must be used to avoid re-ignition can also be electrically interrupted by the voltage returning to the interruption system.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren der eingangs 2Q genannten Art anzugeben, bei dem eine Beeinflussung des Steuerstromes in möglichst einfacher Weise ohne die Verwendung zusätzlicher Hiifsschalter bewirkt wird.The object of the invention is to provide a method of the type mentioned at the outset, in which an influencing of the Control current is effected in the simplest possible way without the use of additional auxiliary switches.

Es ist ferner Aufgabe der Erfindung, eine Schaltungsan-Ordnung zur Durchführung des Verfahrens zu schaffen.A further object of the invention is to create a circuit arrangement for carrying out the method.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch:gelöst, daß die Zuschaltung des Steuerstromes zu dem wenigstensAccording to the invention, this object is achieved in that the connection of the control current to the at least

-Nr. 69M/81 V-S- -No. 69M / 81 VS-

einen steuerbaren Halbleiterventil zu dessen Zündung durch ein von dem Stromfluß über die Kontaktstelle erzeugten Meßsignal gesteuert wird.a controllable semiconductor valve for its ignition by one of the current flow through the contact point generated measurement signal is controlled.

Eine Schaltungsanordnung zur Durchführung dieses Verfahrens, bei der das wenigstens eine steuerbare Halbleiter-.A circuit arrangement for performing this method, in which the at least one controllable semiconductor.

ventil parallel zur Kontaktstelle geschaltet ist ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß in Reihe zu der Kontaktstelle eine Meßeinrichtung geschaltet ist, deren Meßsignal einer Schalteinrichtung zuführbar ist, die den Steuerstrom zu dem wenigstens einen steuerbaren Halbleiterventil durchschaltet.valve is connected in parallel to the contact point is characterized according to the invention in that in series a measuring device is connected to the contact point, the measuring signal of which can be fed to a switching device, which switches the control current through to the at least one controllable semiconductor valve.

Dabei besteht die Möglichkeit, den Laststrom, d. h. den über die Kontaktstelle fließenden Strom zur Ansteuerung der Schalteinrichtung zur Durchschaltung des Steuerstromes für das steuerbare Halbleiterventil zu dessen Zündung zu verwenden, oder externe Impulse zu benutzen, mit denen die Schalteinrichtung ansteuerbar ist„ Derartige "externe" Impulse können beispielsweise durch elektronisch betätigbare Schalter erzeugt werden, beispielswei« se sogenannte Tippschalter. Dabei müßten allerding» außer der Kontaktstelle alle weiteren, evtl. im Laststromkreis befindlichen Schaltkontakte geschlossen sein.There is the possibility of the load current, i. H. the Current flowing through the contact point to control the switching device for switching through the control current to use for the controllable semiconductor valve for its ignition, or to use external impulses with which the switching device can be controlled "Such" external "impulses can for example be electronically actuatable switches are generated, for example so-called tip switches. But it would have to » except for the contact point, all other switching contacts that may be in the load circuit must be closed.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den weiteren Unteransprüchen zu entnehmen.Further advantageous embodiments of the invention are to be found in the further subclaims.

Anhand der Zeichnung, in der einige Ausführungsbeispiele der Erfindung dargestellt sind, sollen die Erfindung und weitere vorteilhafte Verbesserungen sowie weitere Vor- «55 teile näher erläutert und beschrieben werden.Based on the drawing, in which some embodiments of the invention are shown, the invention and further advantageous improvements and further advantages are explained and described in more detail.

Mp.-Nr. 694/81Mp.no. 694/81

A", G- A ", G-

Es zeigt:It shows:

Figur 1 ein Prinzipschaltbild eines erfindungsgemäß ausgebildeten Hybridschalters,Figure 1 is a schematic diagram of an inventive trained hybrid switch,

Figur 2 eine weitere Version eines erfindungsgemäßen Hybridschalters ähnlich dem der Figur 1 undFigure 2 shows another version of an inventive Hybrid switch similar to that of Figure 1 and

Figur 3 eine konkrete Schaltungsanordnung zur Realisierung des in Figur 2 dargestellten PrinzipsFIG. 3 shows a specific circuit arrangement for implementation of the principle shown in Figure 2

O O β O βO O β O β

O β OO ο Q « βO β OO ο Q «β

Mp-.-Nr: 69*5/81Mp -.- No : 69 * 5/81

Der HauptStromkreis eines erfindungsgeraäß ausgebildeten Hybridschalters liegt zwischen zwei Anschlußklemmen 1 und 2. Zwischen beiden Anschlußklemmen 1 und 2 befindet sich eine Kontaktstelle 3, die in üblicher Weise betätigbar ist, d. h„ aus einer Ausschaltstellung in eine Einschaltstellung und umgekehrt verbringbar ist.The main circuit of a trained device according to the invention Hybrid switch is located between two terminals 1 and 2. Between the two terminals 1 and 2 is located a contact point 3, which can be actuated in the usual way, d. h "from a switch-off position to a Switch-on position and vice versa can be brought.

Der bei der öffnung der Kontaktstelle 3 unter Strom entstehende Schaltlichtbogen wird durch Kommutierung des Laststromes I auf ein parallel zur Kontaktstelle 3 geschaltetes steuerbares Halbleiterventil 1J, das als TriacThe switching arc that occurs when the contact point 3 is opened under current is generated by commutating the load current I to a controllable semiconductor valve 1 J connected in parallel to the contact point 3, which acts as a triac

-J5 ausgebildet ist, komrautiert und im Nulldurchgang gelöscht .· Anstatt eines Triac könnte auch ein antiparalleles Thyristorpaar verwendet werden» In den Hauptstromkreis ist ferner eine Strommeßstelle 5 derart eingefügt, daß zwar der über.die Kontaktstelle 3 fließende Strom, nicht aber der über das steuerbare Halbleiterventil H fließende Strom erfaßt wird. Die Strommeßstelle oder Strommeßeinrichtung 5 ist mit einer Schalteinrichtung verbunden, die in dem Steuerstromkreis für das steuerbare Halbleiterventil geschaltet ist« In dem Steuer--J 5 is formed, comrauted and deleted at the zero crossing. Instead of a triac, an anti-parallel thyristor pair could also be used the controllable semiconductor valve H flowing current is detected. The current measuring point or current measuring device 5 is connected to a switching device which is connected in the control circuit for the controllable semiconductor valve.

2g Stromkreis befindet sich eine Steuerstromquelle 6. Mittels des von der Strommeßeinrichtung 5 erzeugten Mefösignales bei Fließen eines Stromes über die Kontaktstelle wird die Schalteinrichtung in Durchlaßrichtung gesteuert, so daß ein von der Steuerstromquelle 6 erzeugter Steuerstrom für das steuerbare Halbleiterventil 4 auf dieses durchgeschaltet wird. Wenn über die Strommeßeinrichtung 5 ein Laststrom fließt, erzeugt dieser Last- . strom das Meßsignal, das die Schalteinrichtung ansteuert, so daß das steuerbare Halbleiterventil gezündet wird. Wenn ein Schaltlichtbogen an der Kontaktstelle entsteht, dann wird aufgrund des höheren Widerstandes an der Kontaktstelle der Laststrom auf das steuerbare Halbleiterventil kommutiert und dort in seinem nächsten2g circuit there is a control power source 6. By means of of the Mefösignales generated by the current measuring device 5 when a current flows through the contact point, the switching device is controlled in the forward direction, so that a control current generated by the control current source 6 for the controllable semiconductor valve 4 on this is switched through. When a load current flows through the current measuring device 5, it generates load. current is the measurement signal that controls the switching device, so that the controllable semiconductor valve is ignited will. If a switching arc occurs at the contact point, it will turn on due to the higher resistance the contact point the load current commutates to the controllable semiconductor valve and there in its next

Mp.-Nr. 69V81 & -$>- Mp.no. 69V81 & - $> -

Nulldurchgang unterbrochen. Ein neuerlicher Stromfluß in folgenden Halbwellen kann nicht mehr einsetzen, da die Schalteinrichtung aufgrund des fehlenden Meßsignals gesperrt ist. Damit ist die Anordnung gemäß der Figur 1 im Prinzip sowohl zur Löschung von Ausschalt- als auch von Einschaltlichtbögen geeignet.Zero crossing interrupted. Another current flow in The following half-waves can no longer start because the switching device is due to the missing measurement signal Is blocked. The arrangement according to FIG. 1 is thus in principle both for deleting switch-off and suitable for starting arcs.

In der Figur 2 ist der Hybridschalter gemäß der Figur 1 insoweit modifiziert, als als Spannungsquelle zur Erzeugung des Steuerstromes für das steuerbare Halbleiterventil der Spannungsabfall am Schaltlichtbogen an der Kon- taktstelle 3 selbst verwendet wird. Zu diesem Zweck ist der Steuerstromkreis für das steuerbare Halbleiterventil 4 zur Kontaktstelle parallelgeschaltet. In diesem Parallelzweig befindet sich vor der Schalteinrichtung 7 ein Strombegrenzer 8, der beispielsweise als ein linearer oder nichtlinearer Widerstand ausgebildet sein kann. Der Steuerstrom für das steuerbare Halbleiterventil 1J wird hier also über den Strombegrenzer 8 aus dem Laststromkreis entnommen, sobald ein Spannungsabfall an der Ko.ntaktstelle 3 aufgrund.eines Schaltlichtbogens auftritt und gleichzeitig das Meßsignal, das durch die Strommeßeinrichtung 5 erzeugt wird, das das Vorhandensein des Laststromes I signalisiert und die Schalteinrichtung 7 durchschaltet. Dann, wenn die Schalteinrichtung 7 durch - bzw. eingeschaltet wird, wird das steuerbare Halbleiterventil 4 wiederum gezündet.In FIG. 2, the hybrid switch according to FIG. 1 is modified to the extent that the voltage drop across the switching arc at contact point 3 itself is used as the voltage source for generating the control current for the controllable semiconductor valve. For this purpose, the control circuit for the controllable semiconductor valve 4 is connected in parallel to the contact point. In this parallel branch there is a current limiter 8 in front of the switching device 7, which can be designed as a linear or non-linear resistor, for example. The control current for the controllable semiconductor valve 1 J is taken from the load circuit via the current limiter 8 as soon as a voltage drop occurs at the contact point 3 due to a switching arc and, at the same time, the measurement signal that is generated by the current measuring device 5 indicating its presence of the load current I is signaled and the switching device 7 switches through. Then, when the switching device 7 is switched on or through, the controllable semiconductor valve 4 is ignited again.

Bei beiden Anordnungen besteht die Möglichkeit, die elektronische Schalteinrichtung neben der Steuerung durch die Strommeßeinrichtung 5 auch extern zu beeinflüssen, so daß unter Beibehaltung der Hybridschalterausführung des Gesamtsystems auch ein rein elektronisches Ein- und Ausschalten beispielsweise im Tippbetrieb· ermöglicht wird. Hierfür müssen allerdings außer derWith both arrangements there is the possibility of the electronic switching device in addition to the control can also be influenced externally by the current measuring device 5, so that while maintaining the hybrid switch design of the overall system, a purely electronic one Switching on and off, for example in inching mode, is enabled. For this, however, apart from the

» O β β O»O β β O

««. CO « · β C««. CO «· β C

DO β CDO β C

9 β β β9 β β β

" "· 3U9029"" 3U9029

,-Nr. 691/81 ^,-No. 691/81 ^

Kontaktstelle 3 alle weiteren evtl. im Laststromkreis befindliche Sohaltkontaktstellen geschlossen sein»Contact point 3 all others possibly in the load circuit existing stop contact points must be closed »

Die Übertragungsfunktion der Strommeßeinrichtung 5 kann je nach dem gewünschten Effekt binär (Strom-kein Strom) oder analog (Abhängigkeit der Zündung von der Höhe desThe transfer function of the current measuring device 5 can Depending on the desired effect, binary (current-no current) or analog (dependence of the ignition on the level of the

•jO Stromes) sein. Als Strombegrenzer 8 eignen sich insbesondere Schaltungen oder Bauelemente mit hohem differentiellen Innenwiderstand, um eine dem steuerbaren Halbleiterventil 1I zuträgliche Höhe des Steuerstromes sowohl bei Anliegen der treibenden Spannung des Laststromkrei-• jO Stromes). Circuits or components with a high differential internal resistance are particularly suitable as current limiters 8 in order to achieve a level of the control current that is beneficial to the controllable semiconductor valve 1 I, both when the driving voltage of the load current circuit is applied.

■J5 ses als auch bei Anliegen der um rund eine Größenordnung niedrigeren Lichtbogenspannung der Kontaktstelle 3 zu gewährleisten.■ J5 ses as well as concerns of around an order of magnitude lower arc voltage of contact point 3 guarantee.

Die Figur 3 zeigt einen erfindungsgeraäß ausgestalteten, realisierten Hybridschalter, bei dem das in der Figur 2 dargestellte Prinzip Verwendung findet. Parallel zu .der Kontaktstelle 3 sind zwei Thyristoren 9 und 10 antiparallel geschaltet, welche Thyristoren 9 und 10 mit den Anschlußklemmen 1 und 2 verbunden sind. Parallel zu den beiden Thyristoren 9 und 10 ist ein RC-Glied 11, 12 geschaltet,- mit dem auftretende Überspannungen gedämpft werden. Zusätzlich ist vor die beiden Thyristoren eine Sicherung 13 geschaltet, die die Thyristoren 9 und 10 vor zu hohen Lastströmen sichert bzw. schützt. Parallel zu den Gate-Kathodenstrecken der Thyristoren 9 und 10 sind Dioden IM bzw» 15 geschaltet, die in an sich bekannter Weise eine zu hohe SperrspannungsbelcStung die-' ser Gate-Kathoden-Strecken der Thyristoren verhindern. Die Anschlußklemmen 1 und 2 sind zusätzlich über, die Kontaktstelle 3 verbunden, die in nicht dargestellter Weise beispielsweise gebildet sein kann durch die zuerst öffnende Hälfte eines Doppelunterbrechungssystemes entsprechend der Schaltungsanordnung gemäß derFigure 3 shows a erfindungsgeraäß designed, realized hybrid switch in which the principle shown in Figure 2 is used. Parallel to .the Contact point 3 are two thyristors 9 and 10 connected in anti-parallel, which thyristors 9 and 10 with the Terminals 1 and 2 are connected. An RC element 11, 12 is connected in parallel to the two thyristors 9 and 10, with which occurring overvoltages are dampened. In addition, there is one in front of the two thyristors Fuse 13 switched, which secures or protects the thyristors 9 and 10 from excessive load currents. Parallel to the gate-cathode paths of the thyristors 9 and 10, diodes IM or »15 are connected, which are known per se Way prevent excessive reverse voltage loading of these gate-cathode sections of the thyristors. The terminals 1 and 2 are also connected via the contact point 3, which is not shown For example, it can be formed by the first opening half of a double break system the circuit arrangement according to

Mp.-Nr. 691/81Mp.no. 691/81

DE-OS 31 37 321 mit der als Stromwandler ausgebildeten Strommeßeinrichtung 5. Dieser Stromwandler, im folgenden auch mit der Bezugsziffer 5 bezeichnet, befindet sich unmittelbar vor der Kontaktstelle und die beiden Thyristoren liegen parallel zu der Serienschaltung aus Kontaktstelle und Strommeßeinrichtung. Die Sekundärseite des Stromwandlers 5 ist auf einen Brückengleichrichter geschaltet, wobei parallel zu dem-Gleichstromausgang des Brückengleichrichters 16 eine Zenerdiode und parallel zu der Zenerdiode ein Widerstand 18 geschaltet ist. Durch diese Belastung der Sekundärseite des Stromwandlers 5DE-OS 31 37 321 with the current measuring device designed as a current transformer 5. This current transformer, in the following also denoted by the reference number 5, is located immediately in front of the contact point and the two thyristors are parallel to the series connection of the contact point and the current measuring device. The secondary side of the current converter 5 is connected to a bridge rectifier, in parallel with the direct current output of the Bridge rectifier 16 is a Zener diode and a resistor 18 is connected in parallel to the Zener diode. By this load on the secondary side of the current transformer 5

-J5 mit der Zenerdiode stellt sich an dem Widerstand 18 die entsprechende Zenerspannung ein, die in an sich bekannter Weise praktisch unabhängig vom Augenblickswert des Primärstromes im Wandler 5 ist, sobald sich dieser Strom überhaupt von Null unterscheidet.-J 5 with the Zener diode, the corresponding Zener voltage is established at the resistor 18, which in a known manner is practically independent of the instantaneous value of the primary current in the converter 5 as soon as this current differs from zero at all.

Diese Spannung liegt an der Gate-Source-Steuerstrecke eines als variabler Widerstand dienenden Vertikal-MOS-Feldeffekttransistors 19, der bei gleichzeitigem Vorhandensein eines Stromflusses im Stromwandler 5 und eines Spannnungsabfalles an der Kontaktstelle· 3 bei Source-Drain-Spannungen oberhalb einiger Volt einen von der Gate-Source-Spannung abhängigen Konstantstrom in die Steuerelektrode des für die jeweilige Laststrompolarität zuständigen Thyristors 9 oder 10 treibt und diesen damitThis voltage is applied to the gate-source control path a vertical MOS field effect transistor serving as a variable resistor 19, the simultaneous presence of a current flow in the current transformer 5 and a Voltage drop at the junction x 3 for source-drain voltages above a few volts one of the Gate-source voltage-dependent constant current into the control electrode for the respective load current polarity responsible thyristor 9 or 10 drives and this with it

3Q zündet. Da der Feldeffekttransis.otor 19 nur für Ströme einer Polarität als steuerbarer Widerstand arbeitet, wird diese Polarität durch einen Brückengleichrichter in an sich bekannter Weise bereitgestellt. Der Widerstand 18 gewährleistet unter anderem, daß die Gate-Source-Spannung des Transistors 19 nach Beendigung des Stromflusses in der Primärseite des Stromwandlers 5 durch Entladen der Gate-Source-Kapazität schnell unter einen vom Transistor 19 abhängigen Mindestwert fällt,3Q ignites. Since the field effect transistor 19 is only for currents one polarity works as a controllable resistor, this polarity is rectified by a bridge provided in a manner known per se. The resistor 18 ensures, among other things, that the gate-source voltage of the transistor 19 after the current flow has ended in the primary side of the current transformer 5 by discharging the gate-source capacitance quickly falls below a minimum value dependent on transistor 19,

• · ft ·♦ «α• · ft · ♦ «α

«« » · β ft β B β«« »· Β ft β B β

• * · β ηβ• * · β ηβ

• O · β * ύ * Q• O · β * ύ * Q

• β * β ft• β * β ft

3U90293U9029

Mp.-Nr. 694/81 9^-41- Mp.no. 694/81 9 ^ -41-

wodurch.der Transistor 19 sicher sperrt. Für den Vertikal-MOS-Transistor 19 sind Typen auszuwählen, deren zulässige Drain-Source-Spannung mit Sicherheit über den im Laststromkreis auftretenden Spannungsspitzen liegt.whereby the transistor 19 locks safely. For the vertical MOS transistor 19 types are to be selected whose permissible drain-source voltage is definitely above the voltage peaks occurring in the load circuit.

Claims (1)

« φ«Φ Mp8-Nr. 69'4/81 .Mp 8 no. 69'4 / 81. AnsprücheExpectations ( Iy Verfahren zur Zündung wenigsten eines wenigstens einer bei einer Schalthandlung einen Schaltlichtbogen ziehenden Kontaktstelle eines Wechselstromschaltgerätes zur Löschung des Schal.tlichtbogens parallelgeschalteten steuerbaren Halbleiterventiles, auf das der über die Kontaktstelle fließende Strom zur Löschung des Schaltlichtbogens kommutiert und durch das er in seinsm Nulldurchgang abgeschaltet wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuschaltung des Steuerstromes zu dem wenigstens einen steuerbaren Halbleiterventil zu dessen Zündung durch ein von dem Stromfluß über die Kontaktstelle erzeugten Meßsignal gesteuert wird.(Iy method for igniting at least one of at least one contact point of an AC switching device that draws a switching arc during a switching operation to extinguish the switching arc , thereby geken n draws t that the connection of the control current to the at least one controllable semiconductor valve for its ignition is controlled by a measurement signal generated by the current flow across the contact point. 2. Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, bei der das wenigstens eine steuerbare Halbleiterventil parallel zur Kontaktstelle geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß in Reihe zu der Kontaktstelle eine Meßeinrichtung (5) geschaltet2. Circuit arrangement for performing the method according to claim 1, wherein the at least one controllable semiconductor valve is connected in parallel to the contact point, characterized in that in series the contact point a measuring device (5) switched 3Q ist, deren Meßsignal einer Schalteinrichtung (7) zuführbar ist, die den Steuerstrom zu dem wenigstens einen steuerbaren Halbleiterventil (1O durchschaltet.3Q is, the measurement signal of a switching device (7) can be fed to the switches through the control current to the at least one controllable semiconductor valve (1 O. 3 ο Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine externe Spannungsquelle (6) vorgesehen ist, die den Steuerstrom erzeugt.3 ο circuit arrangement according to claim 2, characterized characterized in that an external voltage source (6) is provided which generates the control current. H. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch H. Circuit arrangement according to claim 2, characterized · · - 3Η9029· · - 3Η9029 Mp.-Nr. 694/81Mp.no. 694/81 gekennzeichnet, daß als Spannungsquelle zur Erzeugung des des Steuerstromes bzw. der Steuerspannung für das wenigstens eine Halbleiterventil der Spannungsabfall des an der Kontaktstelle (3) gezogenen Schaltlichtbogens verwendet wird.characterized in that as a voltage source for generating the control current or the control voltage for the at least one semiconductor valve for the voltage drop of the switching arc drawn at the contact point (3) is used. 5. Schaltungsanordnung nach einem der vorigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Schalteinrichtung ein Vertikal-MOS-Feldeffekttransistor (19) vorgesehen ist.5. Circuit arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that as a switching device a vertical MOS field effect transistor (19) is provided is. 6. Schaltungsanordnung nach einem der vorigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Schalteinrichtung (7) zusätzlich weitere, externe, die Zuschaltung des Steuerstromes bewirkende Schaltimpulse zuführbar sind.6. Circuit arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the switching device (7) also has further, external, the connection of the Control current causing switching pulses can be supplied.
DE19813149029 1981-12-11 1981-12-11 METHOD FOR IGNITING AT LEAST ONE CONTROLLABLE SEMICONDUCTOR VALVE FOR AN AC SWITCHING DEVICE AND CIRCUIT ARRANGEMENT FOR IMPLEMENTING THE METHOD Withdrawn DE3149029A1 (en)

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