DE3012135A1 - Traeger fuer lithographische druckplatten und verfahren zur herstellung derselben - Google Patents
Traeger fuer lithographische druckplatten und verfahren zur herstellung derselbenInfo
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Description
W. 4-3 657/80 - Ko/Fe
Fuji Photo Film Co., Ltd. Kinarni Ashigara-Shi, Kanagawa (Japan)
Träger für lithographische Druckplatten und Verfahren zur Herstellung derselben
Die Erfindung betrifft Träger für lithographische
Druckplatten und ein Verfahren zur Herstellung derselben. Insbesondere betrifft die Erfindung Aluminiumplatten mit
einer rauhen Oberfläche für lithographische Pruckplatten
sowie ein Verfahren zur Herstellung derselben.
Um Aluminiumplatten als Träger für lithographische
Druckplatten verwenden zu körnen, wird die Oberfläche
im allgemeinen zur Verbesserung der Haftung an der hierauf auszubildenden empfindlichen Schicht und zur Verbesserung
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BAD ORIGINAL
der Vasserbeibehaltungseigenschaft aufgerauht. Die Behandlungen zu js.-frauhung der Oberfläche werden als Körnung
bezeichne"»; jjd eine mechanische Körnung, wie Kugelkörnung,
Drahtkörnung, Bürstenkörnung und dgl., und elektrochemische Körnung, z. B. elektrolytische Ätzung, sind bekannt.
Da die nach diesen Verfahren gekörnte Aluminiumoberfläche verhältnismässig weich ist und leicht abgeschliffen
wird, wird sie einer anodischen Oxidation zur Bildung eines Oxidfilmes darauf unterworfen. Die erhaltene Oberfläche
der behandelten Al uminiump latte ist hart und zeigt
eine ausgezeichnete Abriebbeständigkeit, eine gute Affinität für Wasser, eine gute Wasserbeibehaltung und eine gute
Haftung an der lichtempfindlichen Schicht. Falls jedoch
die anodische Oxidation allein nach der Körnung direkt anschliessend an die mechanische Körnung ausgeführt wird,
wird der Oxidfilm durch unlösliche Substanzen, beispielsweise die Rückstände der Schleifmittel, Aluminiumschleifstäube
oder Bürstenfragmente und dgl.., geschwärzt, die während der Körnungsbehandlunc ausgebildet wurden ,und infolgedessen
ist das Aussehen geschädigt. Ferner wird die Empfindlichkeit der hierauf aufgetragenen empfindlichen
Schicht geschädigt oder wird angleichmä.ssig, der visuelle
Kontrast zwischen den Bild- und den JHchtbildbereichen
wird selbst nach der Entwicklung schlecht und infolgedessen sind weitere Arbeitsgänge zur Plattenherstellung, wie
Korrektur oder Entfernung und dgl., unvermeidlich. Ferner werden nicht nur die Arbeitsgänge bexm Drucken, beispielsweise
die Steuerung des Wasser/Druckfarben-Ausgieiches
und dgl., schwierig, sondern es wird auch der Mchtbildbereich leicht "verschmutzt. Aus diesem Grund wird eine
Zwischenbehandlung allgemein nach der Körnung und vor der
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BAD 3:V"c
anodischen Oxidation durchgeführt. Als Zwischenbehandlungen sind ein chemisches Ätzverfahren, wie in der US-Patentschrift
3 S34- 998j und ejn elektrochemisches Ätzverfahren in der
US-Patentschrift 3 929 591 beschrieben. Im Fall der elektrochemischen
Ätzung tritt; obwohl die behandelte Obeifläche etwas weiss im Vergleich mit der der Körnung und der anschliessenden
anodischen Oxidation unterworfenen Aluminiuu·- oberfläche ist, praktisch keine Lichthofbildung auf und
die Empfindlichkeit ist niedrig und gibt Störungen mit Nachbehandlungsarbeitsgängen, wie Korrektur oder Entfernung
der Bilder. Ferner sind die Druckarbeitsgänge, z. B. Einstellung des Ausgleiches zwischen Wasser und Druckfarbe
und d?l»i schwierig zu bewirken.
Im Fall der chemischen Ätzung wird, obwohl die Verunreinigung
des Nicht-Bildbereiches und die Beständigkeit gegenüber Kratzerbildung verbessert werden, die auf der
Aluminiumoberfläche ausgebildete feine Kornstruktur gebrochen. Infolgedessen werden die ausgezeichneten Oberflächeneigenschaften
der Körnungsbehandlung geschädigt, die Wasserbehandlung und die Druckdauerhaftigkeit werden
verschlechtert und feine Halbtonflecken von 1 bis 5 %
können nicht wiedergegeben werden.
Eine erste Aufgabe der Erfindung besteht deshalb in dor Ausbildung von Trägern für lithographische Druckplatten
Bit ausgezeichneter Affinität für Wasser und ausgezeichneten
Wasserbeibehaltungseigenschaften sowie einem Verfahren zur Herstellung derselben.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht in der Ausbildung von Trägem für lithographische Druckplatten, die
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lithographische Druckplatten mit verbesserter Druckdauerhaftigkeit
ergeben, sowie mit einem Verfahren zur Herstellung derselben.
Eine v/eitere Aufgabe der Erfindung besteht in der Ausbildung von Trägern für lithographische Druckplatten, die
lichtempfindliche lithographische Druckplatten mit hoher Empfindlichkeit und ausgezeichneten Plattenbetrachtungseigenschaften
liefern.
Infolge ausgedehnter^zur Erzielung der vorstehenden
Aufgaben durchgeführten Untersuchungen wurde nun gefunden, dass die Ilikrostruktur von feinen ungleichmässigen Oberflächen,
die bei Vergrösserung, beispielsweise auf das
2000- bis 5000iache,auf Aluniniumträgern beobachtet werden,
einen sehr starken Einfluss auf die Qualität der Platte als Träger für lithographische Druckplatten besitzenο Die
vorliegende Erfindung liefert somit:
(1) ΕΙηθϊ] Sräger für lithographische Druckplatte^
"bestehend aus einer Alurainiuraplatte» welche eine rauhe?
aus Hügeln νωά Tiefstellen auf der Oberfläche dersel·=
"beu ausgefeilte Oberfläche sowie eine Körnungsstrulctur
"besitzt, wobei diese Hügel und Löcher einheitlich die=
pergiert βϊώΊ nnä die nachfolgende Struktur besitself und
(2) ein Tsrfahren zur Herstellung eines Träger für eins
Iitliograpl3ioeli9 Druolrplattöj welohes die TDechaniaolie Eoi=tjuag;
ler Oberflfiche einer Alizrainiiiopiattej, die e
. ρ
Λι-m £ TdG 20 fc/n~ Aluiaininra τοώ der 0
Ho ibilcviirrtf-' pJ>hs slelcferisoheii Stroms
Td ΰ Zu fc/n~ Aluiainiura τοώ der Ober-fläcbe ä^v Platte
0 3 0 0 41
an die Platte in einer sauren wässrigen Lösung in der Weise, dass.die Menge der mit der Platte als Anode erzeugten
Elektrizität grosser als die Menge der mit der Platte als
Kathode erzeugten Elektrizitätsmenge ist» wobei die Elektrolyse in der Weise ausgeführt wird, dass die Stromdichte,
falls die Platte als Anode geschaltet ist, nicht
weniger als etwa 20 A/dm beträgt und die Menge der mit
Platte als Anode erzeugten Elektrizität etwa 200 coulomb /dm oder weniger beträgt,
umfasst.
umfasst.
In den Zeichnungen stellen die
Fig. 1(a) eine mikroskopische Photographie der Oberfläche
einer auf das 200Ofache vergrösse.rten mechanisch gekörnten
Alurainiumplatte und die
Fig. 1 (b) einen Querschnitt entsprechend der Oberfläche der Fig. 1(a),
die Fig. 2(a) eine mikroskopische Photosraphie/auf das
200Ofache vergrösserten Aluminiumplatte, welche chemisch
nach der mechanischen Körnung geätzt wurde, und
Fig. 2(b) einen Querschnitt entsprechend der Oberfläche der Fig. 2(a),
Fig. 3.(a) eine mikroskopische Photographie der Oberfläche
einer auf das 200Ofache vergrösserten Aluminiumplette,
welche elektrolytisch nach einer ersten mechanischen Körnung und anschliessenden chemicshen Ätzbehandlungen
behandelt wurde, und
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—& -
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Fig. 3(b) einen Querschnitt entsprechend der Oberfläche der Fig. 7^a), und
Fig. *r eine- Ansicht der Spannungswellenformen, wobei
(a) eine Sinuswelle, (b) eine rechteckige Welle und (c) eine Trapezoidwelle darstellen,
dar.
dar.
In der nachfolgenden Beschreibung wird die Erfindung im einzelnen anhand der beiliegenden Zeichnungen erläutert.
Fig. 1(a) stellt eine Photogi-aphie der Oberfläche
einer nach einem Bürstenkörnungsverfahren gekörnten Aluminiunplatte
dar, welche auf das 2000fache mit einem Rasterelektronen-Mikroskop vergrössert wurde, während die
Fig. 1(b) eine Querschnittswiedergabe dieser Oberfläche zeigt. Aus der Fig. 1(b) zeigt sich deutlich, dass die
mittels der Bürstenkörnung gerauhte Aluminiumplatte eine kontinuierliche Wellenform hat, die aus Hügeln und Tälern
in verschiedenen Zyklen und Amplituden aufgebaut ist. In der Figur wird die Welle mit dem verhältnismässig langen
Zyklus als primäre Struktur und die Welle mit dem kurzen Zyklus als sekundäre Struktur bezeichnet. Ein Merkmal der
rauhen Oberfläche der. bürstengekörnten Alurainiumplatte
liegt darin, dass die sekundäre Struktur,auf der primären Struktur in einer solchen Dichte ausgebildet wird, dass die
Fläche der primären Struktur selbst nicht verbleibt. Der hier angewandte Ausdruck "Fläche der primären Struktur"
bezieht sich auf das, welches als nicht-gestrichelte Wellen in der Fig. 1(b) dargestellt ist. Ferner ist die Richtung,
worin die Kerbungen in der sekundären Struktur die primäre Struktur durchbrechen, wahllos und die Vertiefungen haben
eine komplizierte zwei- oder dreidimensionelle Anordnung,
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obwohl dies nicht aus den in Fig. 1(b) angegebenen zwei Abmessungen gesehen werden kann. Diese komplizierte
Sekundärstruktur ist ein wichtiges Merkmal der rauhen Oberfläche
der mechanisch gekörnten Alurainiumplatte. Da die Oberfläche eine derartige komplizierte Struktur besitzt,
zeigen die auf Grund der anodischen Oxidation dieser Oberfläche hergestellten lithographischen Druckplatten die
vorstehend geschilderten Fehler.
Fig. 2(a) zeigt eine Photographie der Oberfläche einer Aluminiumplatte, die chemisch nach einer mechanischen körnung
geätzt wurde, welche auf das 200Ofache mittels eines Rasterelektronenmikroskops vergrössert wurde. Die Fig. 2(b)
zeigt einen Querschnitt der Oberfläche. Wie aus Fig. 2(b) ersichtlich, verschwindet die Sekundärstruktur in der Oberfläche
der mechanisch gekörnten Aluminiumplatte und eine schwach geschweifte Wellenausbildung, welche nachfolgend
als Hügel bezeichnet wird, wird gebildet. Die AlumiDiumplatte,
die einer chemischen Ätzung nach der mechanischen Körnung unterliegt, hat eine Oberfläche mit hohem Weissgrad
nach der anodischen Oxidation und eine lithographische Druckplatte mit nur geringer Verunreinigung der Nicht-Bildbereiche
kann erhalten werden. Da jedoch die Sekundäretruktur
verschwunden ist, schälen sich die Bildteile auf der lithographischen Druckplatte leicht von der Oberfläche
dfis Trägers unter den physikalischen Krafteinwirkungen
des Druckes ab, und infolgedessen wird die Druckdauerhaftigkeit
geschädigt.
Fig· 3 (a) stellt eine Photographie der Oberfläche
einer Aluminiuraplatte dar, welche einer elektrolyt}schon
Ätzungsbehandlung nach der ersten mechanischen Körnung
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und anschliessend chemischen Ätzungsbehandlung unterzogenen
wurde, welche auf das 2000JTache durch ein Rasterelektronenmikroskop
vergrößert wurde. Die Fig. 3(b) stellt einen Querschnitt der Oberfläche dar. Wie sich aus den Fig. 3 (a)
und 3(b) ergibt, tritt eine neue Sekundarstruktur anstelle der durch mechanische Körnung an dar Oberfläche der Aluminiumplatte
ausgebildeten Sekundarstruktur ein, bei der die nach der chemischen Ä'tzung anschliessend an die mechanische
Körnung ausgebildete Primärstruktur überwiegt. Diese neue
Sekundärstruktur ist bemerkenswert unterschiedlich gegenüber
der vorstehend abgehandelten Sekundarstruktur, d. h. äpr
durch mechanische Körnung ausgebildeten Sekundarstruktur, da die Richtung, womit die Kerbungslöeher die Hügelfläche
treffen, nahezu senkrecht hierzu ist und die Kerbung verhältnismässig
sparsam dispergiert ist, d. ho mit solcher
Frequenz erfolgt, dass die Hügel verbleiben, obwohl die"
Eerbungen einheitlich vorliegen.
Ba die Aluminiumplatte mit der in den Fig. 3(a).und
3(b) geseigten Sekundärstruktur nach der anodischen Oxidation
einen liehen Ueissgrad besitzt, liefert eine lichtempfindliche lithographische Druckplatte mit einer darauf
ausgebildeten empfindlichen ScMent eine hohe Empfindlichkeit und die "Hieraus erhaltene lithographische. Druckplatte
hat den 7or-tG.il, dass die Anwesenheit unnötiger-Bildbereiehe
loiett dureii den hohen Kontrast zwischen den Bild=
berei.Gli^zi vn(i n@a Nxelrfc-Biläbsreicnen unterschieden werden
!rann. Toxnc-v h^nd-tzt diss© Iitb.og2?ßphiseh® Bruclrplati-s
θ Ins t"3h'~ r'r»«rIi"ö'?.üG2'Iisf"üi-fiIsGi"fe0 öa aie Βϋοο^Γ^ΙοΙι® Ri.cli
auf (ΐ3?\ιηβ. Ü3?: 6i$ Behimä'a^s-tsnuztns au3bild'?üä&ii IxsrbCT
Dichte verteilt sind, dass die Hügel verbleiben, wird eine lithographische Druckplatte mit höchstens geringer Verunreinigung
in den Nicht-Bildbereichen hergestellt. Ferner stellt die Tatsache, dass die Kerbungsrichtung der Kerbungen,
die die Sekundärstruktur ausbilden, einfach im Vergleich zum Fall der durch mechanische Körnung ausgebildeten Sekundärstruktur
i^t, einen der Gründe dar, weshalb eine lithographische
Druckplatte mit höchstens einer geringen Verunreinigung, wie vorstehend beschrieben, gebildet werden kann.
Diese elektrochemische Körnung wird vorzugsweise
so durchgeführt, dass die Porendurchmesser entsprechend einem 5%- bzw.95%-Porendurchmesser auf der kumulativen
Häufigkeitskurve der ausgebildeten Körnung jeweils 3/Um
oder weniger, vorzugsweise 0,5 bis 3/U bzw. 7/um oder weniger,
vorzugsweise 5 bis 7/um, betragen. Ferner beträgt die bevorzugte Dichte der Nadellöcher oder Kerbungen 10 bis
ο ρ
10 Fadellöcher oder Kerbungen/cm .
Trotz der Kenntnis, dass eine Aluminiumplatte mit einer Körnung innerhalb des vorstehenden Bereiches auf der
Oberfläche derselben für die Anwendung als Träger für eine lithographische Druckplatte nicht geeignet ist, wie in der
britischen Patentschrift 2 019 022 A beschrieben, wurde nun in völlig überraschender Weise gefunden, dass eine
Aluminiumplatte mit einer derartigen Körnung, welche durch
eine Kombination von mechanischer Körnung und elektrochemischerKörnung
entsprechend dem erfindungsgemassen Verfahren hergestellt wurde, ganz ausgezeichnet als Träger für lithographischö
Druckplatten ist. Da zusätzlich die Ausbildung der Oberfl&ehe mit einer derartigen Körnung durch eine
elektrochemische Körnung relativ leicht ist, ist das Ver-
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--4Θ—
fahren gemäss der vorliegenden Erfindung bemerkenswert vorteilha* ■ jm Gesichtspunkt der Vereinfachung der Herstellung.
Die vorstehende kumulative Häufigkeitskurve des Porendurchmessers
kann durch Vergrösserung der Oberfläche eines Stückes der elektrochemisch gekörnten Aluminiumplatte auf
das 100- bis 70Ofaehe durch Anwendung eines Elektronenmikroskopes,
beispielsweise vom Rastertyp, Bestimmung der Durchmesser und der Anzahl der Poren in einer Einheitsfläche und anschliessende Auftragung des Porendurchmessers
Com) als Abszisse und der kumulativen Häufigkeit (%) als Ordinate erhalten werden.
Das Verfahren zur Herstellung von l'rägern für lithographische
Druckplatten gemäss der Erfindung wird nachfolgend im einzelnen erläutert.
Die erfindungsgemäss eingesetzte Aluminiumplatte umfasst
reine Aluminiumplattenund Aluminiumleg5erungspla.tten.
Als Aluminiumlegierungen können die verschiedensten Legierungen verwendet v/erden. Beispiele sind Legierungen von
Aluminium und Metallen, v/ie Silicium, Kupfer, Mangan. Magnesium, Chrom, Zink, Bleit Wismut oder llicke.l und dgl»
Diese Massen können Verunreinigungen in Mengen enthalten, welche im Hinblick auf die Zugabe bestimmter Eisen- und
Titanmengen ausser Betracht bleiben können.
Spezifische Beispiele für geeignete Aluminiumlegierungen sind in der nachfolgenden Tabelle aufgeführt, worin
sämtliche Zifferwerte als Gewichtsprozent angegeben sind.
030041/077©
| Aluminium legierung Nr. |
Cu | Si | 1 | 0,6 | 0 | Fe |
■ν···
Λ5 |
Mn | Mg | 0,05 | ,8 | Zn | Cr | Ti | 03 | Al |
| 1050* | 0,05 | 0,25 | 0,5 | 0,40-0 | 0,40 | ,8 0,7 | 0,05 | ,8 | 0,05 | — | 0", | >99,5 | ||||
| 1100* | 0,05-0,20 | 0,40 | To" . | 0,5 | 00,05 | — | ,2 | 0,10 | — | — | >99,Ο | |||||
| 3003 | 0,05-0,20 | - 0,7 | 1,0-1,5 | ,2-1 | ,9 | 0.10 | — | — | Rest | |||||||
| 2024 | 3,8-4,9 | 0,5 | 0,3-0,9 | 1 | ,2-2 | 0,25 | 0,10 | — | Rest | |||||||
| 5052 | 0,10 | 0,10 | 2 | ,8-1 | 0,10 | 0,1S-O,35 | — | 15 | Rest | |||||||
| ■ 6061 | 0,'5-0,40 | 0,15 | 0 | ,1-2 | 0.25 | 0,04-0,35 | ο, | 20 | Rest | |||||||
| ω 7075 σ ο |
1,2-2,0 | 0,30 | 2 | 5,1-6,1 | 0,18-0,35 | ο, | Rest | |||||||||
*fj)ie anderen Mengen ausser denjenigen von Al , κ
geigen Maximalmengen an. ^- τ
Ή' 30121
Vor der mechanischen Körnung wird die Alurainiumoberfläche
allgemein entfettet und die Aluminiumoberfläche wird "behandelt, um eine saubere Alurainiuraoberflache
freizulegen. Zum ersteren Zweck werden Lösungsmittel, wie !Drichloräthylen und dgl», sowie oberflächenaktive Mittel
verwendet. Zum letzteren Zweck wurde ein Alkaliätzverfahren unter Anwendung von Mitteln, wie ITetriumhydroxid oder Kaliumhydroxid
in weitem Umfang verwendet. ¥enn das Valzöl nicht stark anhaftet, kann die Entfettungsbehandlung vor
der mechanischen Körnung auch weggelassen werden.
Gemä&d der Erfindung wird es möglich, eine elektrochemische
Körnung (elektrolytisehe Ätzung) anzuwenden,
welche eine Körnung umfasst, "bei der ein elektrischer Strom durch einen Salzsäure oder Salpetersäure umfassenden
Elektrolyt geleitet wird, mechanische Körnungsverfahren, wie
Nadelbürstenkörnung, welche ein Kratzen der Altiminiumoberf lache
mit Metalldrähten uafasst, eine Kugelkörnung, welche eine
Körnung der Alurainimmoberflache mit Sch3eifkörnern und
Schleifmitteln umfasst, oder eine Bürstenkörnung, welche eine Körnung der Oberfläche mit einer Nylonbürste und dgl.
umfasst. Ein Bürstenkörnungsverfahren wird jedoch "bevorzugt, da es für die kontinuierliche Massenherstellung geeignet
ist. Jedoch kann keine Oberflächenstruktur, die ein Charakter ist ikura der vorliegenden Erfindung darstellt, erhalten
werden, falls irgendeines der vorstehend abgehandelten Verfahren zur Körnung oder Kombination hiervon allein
angewandt wird. Die gekörnte Oberfläche besteht aus einer feinen Struktur (Sekundärstruktur), welche durch
mechanische Ätzung geglättet ist, und einer aufgerauhten Fläche (Primärstruktur), welche durch die chemische Ätzung
nicht zerstört wurde.
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301213S
Unter diesen Verfahren wiad die Bürstenkörnung be sondern
bevorzugt. Einzelheiten für die Bürstenkörnung sind in der japanischen Patent-Veröffentlichung 4004*7/75 und der US-Patentschrift
3 891 516 beschrieben.
Die Körnung wird vorzugsweise so durchgeführt, dass die durchschnittliche Rauheit an der Mittellinie (Ra)
des Trägers 0,4 bis 1,0/Um beträgt. Die hier angegebene
durchschnittliche Rauheit an der Mittellinie wird gemäss JIS-B O6OI-197O in Mikrometer entsprechend der folgenden
Gleichung angegeben:
Ra = jiS\ f(x) dx ,
worin 1 die aus der Rauheitskurve in Richtung der Mittellinie entnommene Länge und y = f(x) die Rauheitkurve bedeuten,
wobei die Mittellinie der Länge als X-Achse und die Längsrichtung als Y-Achse genommen werden.
Das Ausmass der mechanischen Körnung zur Ausbildung
der vorstehend angegebenen Ra-Bereiches lässt sich leicht vom Fachmann bestimmen, wenn die Bedingungen der elektrochemischen,
anschliessend anzuwendenden Körnung und die woiteren zusätzlich anzuwendenden Behandlungen bestimmt
werden.
Die der Körnungsbehandlung unterworfene Aluminiumplatte wird dann chemisch mit einer Säure oder einem Alkali geätzt.
Im Fall der Anwendung einer Säure als Ätzungsmittel ist ein sehr langer Zeitraum zur Zerstörung der Feinstruktur
erforderlich und infolgedessen ist dies industriell nachteilig zur Ausführung der vorliegenden Erfindung. Das
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-Al·
Verfahren kann unter Anwendung eines Alkalis als Ätzmittel
verbessert werden.
Als geraäss der Erfindung geeignete alkalische Mittel
seien Natriumhydroxid, Natriumcarbonat, Natriumaluminat,
Natriummetabοrat, Natriumphosphat, Kaiiumhydroxid und Lithiumhydroxid
und dgl. aufgeführt- Die bevorzugten Konzentrations- und Temperaturbereiche sind 1 bis 50 Gew.% bzw.
20 bis 100° C und es wird besonders bevorzugt, einen Zustand
anzuwenden, bei dem Al in einer Menge von etwa 5 bis
P ·· P
20 g/m gelöst wird. Durch Ätzung vcn 5 g/c oder mehr
des Aluminiums kann eine rauhe Oberfläche, die aus der Primärstruktur selbst, d. h. Hügeln besteht, gebildet
werden.
Nach der Ätzung wird eine Säurewäsche durchgeführt, um den Schmutz von der Oberfläche zu entfernen. Als Säuren
können Salpetersäure, Schweftisäure, Phosphorsäure, Chromsäure,
Fluorwasserstoffsäure und Borfluorsäure verwendet werden.
Die in der vorstehenden Weise behandelte Aluminiumplatte wird dann einer elektrolytischen Ätzung unterworfen, um
eine neue Sekundärstruktur auszubilden. Diese Behandlung
wird durch Elektrolyse der Platte in einer sauren wässrigen Lösung von beispielsweise Salzsäure, Salpetersäure oder
Gemischen hiervon, mit einer Elektrizitätsstärke von
ο
200 coulomb /dm oder weniger, die mit einer Stromdichte
200 coulomb /dm oder weniger, die mit einer Stromdichte
von nicht weniger als 20 A/dm aufgebracht wird, wobei die
Platte als Anode unter Anwendung einer geeigneten Gegenelektrode, beispielsweise aus Graphit oder einer Aluminiumplatte und dgl., besteht, so dass die Elektrizitätsmenge
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mit der Platte als Anode, die nachfolgend als Qa bezeichnet wird, grosser als die Elektrizitätsmenge mit
der Platte als Kathode, die nachfolgend als Qc bezeichnet wird, i st.
Der gemäss der vorliegenden Erfindung eingesetzte
elektrische Strom in wechselnder Wellenform ist eine Wellenform,
die durch alternierende Änderung der Polarität der positiven und negativen Elektroden erhalten wird, und
es können beliebige Wellenformen eingesetzt werden, sofern Qa gleich oder grosser als Qc ist. Ide bevorzugte^eine
derartige Stromwellenform ergebende Spannungswellenform
ist eine, bei der die anodische Spannung (Va) grosser als die kathodische Spannung (Vc) ist. Me Fig.4 zeigt typische
Spannungöwellenfcrmen unter den bevorzugten Spannungswellenformen,
wobei (a) eine Sinuswelle, (b) eine rechteckige Welle und (c) eine ^rapezoidwellt darstellen. In diesen
Fällen wird es bevorzugt, der. anodischen Halbkreiszeitraum (Fig. 4, t.) so einzustellen, dass er gleich oder niedriger
als der kathodische Halbkreiszeitraum (Fig. &, tc) ist.
Durch Änderung des Verhältnisses Qc/Qa durch Regulierung von Spannung und Stromdichte kann die Mikrostruktur der
porösen Oberfläche (Durchmesser und Dichte der Nadellöcher oder Kerbungen) in geeigneter-Weise gesteuert werden.
Falls ferner· "Va" konstant ist und "Vc." zunimmt, zeigt
auch der Durchmesser der Naüellöcher oder Kerbungen eine Neigung zur Zunahme. Falls umgekehrt "Vc" konstant ist
und "Va" zunimmt, zeigt der Durchmesser der Kerbungen oder Nadellöcher eine Neigung zur-Abnahme. Der Xadolloch- oder
Kerbungsdurchmecser zeigt auch eine Neigung zur Zunahme,
wenn die Temperatur der Behandlung erhöht wird oder die Stromdichte gesenkt wird. Es wird dadurch möglich, eine
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•Μ
gekörnte Oberfläche auszubilden, deren Porendurchmesser entsprechend 5 % bzw.95 % der kumulativen Frequenzkurve
des Porendurchmessers der gebildeten Körnung jeweils 3/Um
oder weniger bzv/.7/um oder weniger sind.
Gemäss der Erfindung ist es notwendig, die vorstehend
abgehandelte elektrolfische Behandlung in der Weise auszuführen,
dass die Nadellöcher oder Kerbungen einheitlich auf den vorstehend abgehandelten Hügeln dispergiert sind,
jedoch die Hügel (Primärstruktur) verbleiben.
Falls die Nadellöcher über die gesamte Oberfläche
ausgebildet werden, so dass die Hügel verschwinden, geht die charakteristische Eigenschaft, dass die Nicht-Bildbereiche
schwierig zu verschmutzen sind, verloren. Falls die Nadellöcher nicht einheitlich verteilt sind oder sie in
örtlichen Ansammlungen ausgebildet sind, wird es schwierig, eine geeignete Druckdauerhaftigkeit und Tönungswiedergabe
zu erreichen.
Als Elektrolytbad kann eine Lösung von Salzsäure oder Salzen hiervon und/oder Salpetersäure oder Salzen hiervon
verwendet werden. Erforderlichenfalls können Hemmstoffe
oder Stabilisatoren, wie die in der CJS-Patentechrift
3 755-116 beschriebenen, die in der US-Patentschrift 3 980 530 beschriebene Schwefelsäurer_die in der japanischen
Patentanmeldung ".-1653/76 beschriebene Borsäure und die in der DE-OS 22 50 275 und dgl. beschriebene Phosphorsäure
zu der vorstehend beschriebenen Lösung zugesetzt werden.
Der Elektrolyt kann in einer Konzentration von etwa
0,1 bis 4· Gew.% verwendet werden. Ferner liegen Λχβ Werte
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sowohl von Va als auch Vc, die zur Ausbildung der gewünschten . Struktur geeignet sind, jeweils im Bereich von
etwa 1 bis 50 V und vorzugsweise etwa 5 bis 30 V. Ferner
liegt jeder Wert von Qa und Qc im Bereich von 200 Coulomb/
ο
dm oder weniger und vorzugsweise etwa 70 bis 200
dm oder weniger und vorzugsweise etwa 70 bis 200
Coulomb/dm . Falls er mehr als 200 CouLomVdm beträgt,
ist eine Verunreinigung der Nicht-Bildbereiche schwierig zu verhindern. Die Temperatur der Behandlung liegt üblicherweise
zwischen etwa 10° C und etwa 4-5° C, vorzugsweise
etwa 15 bis 4-5° C.
Um eine einheitliche Dispergierung der Nadellöcher oder Kerbungen zu erreichen, liegt das Verhältnis Qc/Qa
vorzugsweise im Bereich von etwa 0,5/1 bis 1,0/1 und am stärksten bevorzugt etwa 0,7/1 bis 0,95/1· Es ist notwendig,
dass die Anodenstromdichte bei der Elektrolyse etwa
2
20 A/dm oder mehr und vorzugsweise etwa 25 bis 70 A/dm
beträgt. Falls die AnodenStromstärke weniger als etwa
20 A/dm beträgt und der Betrag der anodischen Elektrizi-
tat niedriger als etwa 200 Coulomb/dm ist, iat es schwierig,
eine ausreichende Druckbeständigkeit, Wasserbeibehaltung und Wiedergabe von feinen Haibtonflecken beizubehalten.
Die in der vorstehenden Weise behandelte Aluminiumplatte kann als Träger für 3ithographische Druckplatten,
so wie sie ist, verwendet werden, kann jedoGh auch weiterhin
durch anodische Oxidationsbehandlung oder chemische Behandlung bearbeitet werden.
Die anodische Oxidationsbehanulung kann kurz nach der
Wasserwäsche der in der vorstehenden Weise behandelten
030041/0778
Alutniniumplatte durchgeführt werden, jedoch wird es bevorzugt,"
eine Entschmutzung zur Entfernung des Schmutzes auszuführen, der auf der Oberfläche der elektrolytisch behandelten
Aluminiumplatte ausgebildet ist. Die Entschmutzung wird durch Kontaktieren der Oberfläche der Aluminiumplatte
mit einer wässrigen Lösung von Säuren oder Alkalien beispielsweise durch Eintauchen bewirkt. Beispiele für Säuren
umfassen Phosphorsäure, Schwefelsäure und Chromsäure sowie Gemische hiervon. Als Alkalien ist es möglich, die gleichen
Substanzen zu verwenden, wie sie zur chemischen Ätzung nach der mechanischen Aufrauhungsbohandlung eingesetzt
werden. Hiervon umfasst ein besonders bevorzugtes Entschmutzung sver fahr en die Kontaktierung des Trägers mit
Schwefelsäure in einer Konzentration von etwa Λξ>
bis 65 Gew.% bei 50 bis 90° C, wie in der japanischen Patentanmeldung
12739/78 beschrieben. Das in der japanischen Patent-Veröffentlichung 27123/73 beschriebene alkalische
Ätzverfahren kann gleichfalls angewandt werden.
Die anodische Oxidation kann nach an sich bekannten Verfahren ausgeführt werden. Beispielsweise ist es möglich,
einen anodischen Oxidationsfilm auf der Oberfläche der Aluminiumplatte durch Anlegung eines Gleichstromes oder
eines Wechselstromes an die Aluminiumplatte in wässriger
Lösung .oder nicht-wässriger Lösung von einem oder mehreren der Materialien Schwefelsäure, Phosphorsäure, Chromsäure,
Oxalsäure, SuIfaminsäure und Benzolsulfonsäure.und dgl.
aufζ ubringen.
Obwohl die Bedingungen entsprechend dem eingesetzten Elektrolyt variieren, wird es allgemein bevorzugt, dass
die Konzentration des Elektrolyts etwa 1 bis 80 Gew.%,,
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die I1Iussigkeitstemperatur etwa 5 bis 70° C, die Stroπιο
dichte etwa 0,5 bis 60 A/dm , die Stromstärke etwa 1 bis 100 V und die Elektrolysezeit etwa 30 Sekunden bis 50 Minuten betragen.
dichte etwa 0,5 bis 60 A/dm , die Stromstärke etwa 1 bis 100 V und die Elektrolysezeit etwa 30 Sekunden bis 50 Minuten betragen.
Als anodische Oxidationsbehandlung wi^d es besonders
bevorzugt, ein Verfahren anzuwenden, welches die Durchführung der anodischen Oxidation in Schwefelsäure mit
utnf a ßt
hoher Stromdichte', v.ie in der britischen Patentschrift 1 412 768 beschrieben, oder eir Verfahren anzuwenden, welches die Ausführung der anodischen Oxidation unter Phosphorsäure als Elektrolytbad umfasst, wie in der US-Patentschrift 3 511 611 beschrieben.
hoher Stromdichte', v.ie in der britischen Patentschrift 1 412 768 beschrieben, oder eir Verfahren anzuwenden, welches die Ausführung der anodischen Oxidation unter Phosphorsäure als Elektrolytbad umfasst, wie in der US-Patentschrift 3 511 611 beschrieben.
Die der anouischen Oxidation unterworfene Aluminiumplatte kann durch Eintauchen in eine wässrige Alkali. silicatlösung,
beispielsweise Natriumsulfat, wie in den
US-Patentschriften 2 714 066 und 3 181 461 beschrieben,
behandelt werden oder kann mit einer Unterüberzugsschicht,
die aus hydrophiler Cellulose,ζ. B. Carboxymethylcellulose und dgl., mit dem Gehalt von wasserlöslichen Metallsalzen,
beispielsweise Zinkacetat und dgl., wie in der US-Patentschrift 3 860 426 beschrieben, aufgebaut ist, ausgestattet
werden.
Auf den Trägern für die lithographischen Druckplatten gemäss der Erfindung können bekannte lichtempfindliche
Schichten zur Bildung lichtempfindlicher lithographischer Drucke ausgebildet werden (vorsensibilisierte Platten).
Diese lithographischen Druckplatten besitzen ausgezeichnete Eigenschaften.
030041/0776
301213a
Massen für die vorstehend angegebenen lichtempfindlichen Schichten umfassen die folgenden.
(1) Aus einem Diazoharz und einem Binder aufgebaute empfindliche Schicht:
Als negativ arbeitende lichtempfindliche Diazoverbindung wird ein sogenanntes lichtempfindliches Diazoharz,
d.h. ein Kondensationsprodukt aus Formaldehyd und einem Diphenylatnin-p-diazoniumsalz, welches das Reaktionsprodukt
aus einem Diazoniurasalz und eirem organischen Kondensationsmittel mit einer reaktiven Carbonylgruppe, wie Alöol und
Acetal darstellt, wie in den US-Patentschriften 2 063 631
und 2 667 4-15 angegeben, bevorzugt verwendet. Andere
brauchbare kondensierte Diazoverbindungen sind in den japanischen Patent-Veröffentlichungen 48001/74-, 45322/74
und 45 323/74 aufgeführt. Diese lichtempfindlichen Diazoverbindungen
werden üblicherweise in Form von wasserlöslichen anorganischen Salzen erhalten und infolgedessen
können die Verbindungon als wässrige Lösung derselben
aufgezogen werden. Ferner können diese wasserlöslichen Diazoverbindungen in die entsprechenden praktisch wasserunlöslichen
Diazoharze durch Umsetzung mit aromatischen oder aliphatischen Verbindungen mit einer oder mehreren
phenolischen Hydroxygruppen und/oder Sulfogruppen nach
dem in der japanischen Patent-Veröffentlichung 1167/72 beschriebenen Veifahren..überführt werden, und die in dieser
Weise hergestellten wasserunlöslichen lichtempfindlichen Diazoharze können in der lichtempfindlichen Schicht verwendet
werden.
Beispiele für Reaktionsprodukte mit den vorstehend angegebenen phenolischen Hydroxylgruppen sind Diphenolsäuren,
0300A1/0778
Hydroxybenzophenon, 4,4-Bis-(4'-hydroxyphenyl)-pentansäure,
Resorcin und Diresorein, die auch Substituenten besitzen
können. Zu den Hydroxybenzophenoren gehören 2,4—
Dihydroxybenzophenon, 2-Hydroxy-4~methoxybenzophenon,
2,2'-Dihydroxy-4,4'-dimethoxybenzophenon und 2,2',4,4'-Tetrahydroxybenzophenon.
Als bevorzugte Sulfonsäuren seien aromatische Sulfonsäuren, wie Benzulsulfonsäure,
Toluolsulfonsäure, Xylolsulfonsäure, Naphthalinsulfonsäure,
Phenolsulfönsäure, Naphtholsulfonsäure und Benzophenonsulfonsäure
sowie deren lösliche Salze, beispielsweise
die Ammoniumsalze und Alkalisalze, aufgeführt. Die sulfönsäurehaltigen Verbindungen können substituiert
sein, allgemein mit einer niedrigen Alkylgruppe, Nitrogruppe, Halogengruppe und/oder einer v/eiteren Sulfogruppe.
Bevorzugte Beispiele für derartige Verbindungen sind Benzolsulfonsäure, Toluolsulfönsäure, Naphthalinsulfonsäure,
2,5-Diine thylbenzolsulf onsäure, Natriumbenzolsulfonat,
Naphbhalin-2-sulfönsäure, 1-Naphthol-2-(oder 4)-sulfonsäure,
2,4~Dinitro-1-naphthol-7-sulfonsäure, 2-Hydroxy-4-methoxybenzophenon-5-sulfönsäure,
Natrium-m-(p'-anilinophenylazo)-benzolsulfonat,
Alizarinsulfonsäure, o-Toluidin-msulfonsäure
und Äthansulfönsäure. Die Sulfonsäureester
von Alkoholen und deren Salze sind-gleichfalls brauchbar.
Derartige Verbindungen stehen leicht als anionische oberflächenaktive Mittel zur Verfügung. Beispiele hierfür sind
die Ammoniumsalze oder Allcalisalze von Laurylsulfat, Alkylarylsulfat,
p-Nonylphenylsulfat, 2-Phenyläthylsulfat, Isooctylphenoxydiäthoxyäthylsulfat
und dgl.
Diese praktisch wasserunlöslichen lichtempfindlichen
Diazoharze werden hergestellt und als Niederschläge gewonnen, indem die vorstehenden wasserlöslichen licht-
0300A1/0778
empfindlichen Diazoharze und praktisch ein Äquivalent
einer wässrigen Lösung der vorstehend aufgeführten aromatischen
oder aliphatischen Verbindungen vermischt werden.
Die in der britischen Patentschrift 1 312 925 aufgeführten Diazoharze können gleichfalls verwendet werden.
Das am stärksten bevorzugte Diazoharz besteht aus 2-Methoxy-4-hydroxy-5-benzoylbenzolsulfonat, welches das
Kondensationsprodukt von p-Diazophenylarain und Formaldehyd
darstellt.
Es ist günstig, wenn das Diazoharz in der lichtempfindlichen Schicht in einer Menge von etwa 5 bis
50 Gew.% vorliegt. Falls·d?r Gehalt des Biazoharzes niedriger
ist, nimmt: die Lichtempfindlichkeit selbstverständlich zu, Jedoch wird die Lagerungsstabilität verringert. Der
optimale Gehalt des Diazoharzes beträgt etwa 8 Gew.% bis
etwa 20 Gew.%.
Ferner können verschiedene hochmolekulare Verbindungen als Binder verwendet werden, jedoch werden im Rahmen der
Erfindung Binder mit Hydroxylgruppen, Amingruppen, Kohlenstoff
gruppen, Amidgruppen, SuIfonamidgruppen>aktiven
Methylengruppen, Thioalkoholgruppen, Epoxygruppen und dgl.
bevorzugt verwendet. Beispiele für bevorzugte Binder sind der in der britischen- Patentschrift 1 350 521 beschriebene
Shellak, Polymere mit dem Gehalt an Hydroxyäthylacrylateinheiten
oder Hydroxyäthylmethacrylateinheiten als wiederkehrende Einheit entsprechend der britischen Patentschrift
1 460 978 und der US-Patentschrift 4 123 276, die in der
US-Patentschrift 3 751 257 beschriebenen Polyamidharze,
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3012195
Phenolharze und Polyvinylacetalharze, wie z. B. Polyvinylformalharz,
Polyvinylbutyralharze und dgl., wie in der
britischen Patentschrift 1 074 392 beschrieben, die
in der US-Patentschrift 3 660 097 beschriebenen linearen Polyurethanharze, phthalierte Harze von Polyvinylalkohol,
durch Kondensation von Bisphenol A und Epichlorhydrin
gebildete Epoxyharze, Polymere mit dem Gehalt einer Aminogruppe, wie Polyaminostyrol und Polyalkylaminoacrylat oder
-methacrylat und Cellulosederivate, wie Celluloseacetat, Cellulosealkyläther, Celluloseacetatphthalat und dgl.
Die das Diazoharz uni den Binder enthaltende Masse kann weiterhin Zusätze, wie den in der britischen Patentschrift
1 041 463 beschriebenen pH-Indikator, die in der US-Patentschrift 3 236 646 beschriebenen Phosphorsäuren,
sowie Farbstoffe enthalten.
(2) o-Chinond3 endverbindungen enthaltende lichte mp fin dli ehe Schi chten;
Die bevorzugten o-Chinondiazidverbindungen sind o-Kaphtho·
chinondiazidverbindungen, wie sie beispielweise in den US-Patentschriften 2 766 118, 2 767 092, 2 772 972,
2 859 112, 2 907 665, 3 046 110, 3 046 111, 3 046 115,
3 046 118, 3 046 119, 3 046 120, 3 046 121, 3 046 122, 3 046 123, 3 061 4?0, 3 102 809, 3 106 455, 3 635 709
und 3 647 443 und zahlreichen weiteren Veröffentlichungen
beschrieben sind. Von diesen Verbindungen werden die o-Naphthochinondiazidsulfonsäureester
oder o-Naphthochinondiazidcarbonsäureester von aromatischen Hydroxylverbindungen
und die o-Naphthochinondiazidsulfonsäureamide oder o-Naphthochinondiazidcarbonsäureamide von aromatischen
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Arainverbindüngen besonders bevorzugt. Insbesondere sind
das Vöresterungsprodukt aus der o-Eaphthochinondiazidsulfonsäure
und dem Ko^densationsprodukt von Pyrogallol und Aceton, wie in der US-Patentschrift 3 635 709 beschrieben,
das Veresterungsprodukt eines Polyesters mit endständiger Hydroxylgruppe und o-Naphthochinondiazidsulfonsäure oder
o-Naphthochinondiazidocarbonsäure, wie in der US-Patentschrift 4 028 111 beschrieben, das "Veresterungsprodukt
eines Homopolymeren aus p-Hydroxystyrol oder einem Copolymeren
hiervon und weiteren copolymer!sierbaren Monomeren
und o-Naphthochinondiazidosulfonsäure oder o-Haphthochinondi
azidocarbonsaure, wie in der britischen Patentschrift
1 4-94- 043 beschrieben, und das Amidreaktionsprodukt eines
Copolymeren aus p-Aminostyrol und weiteren copolymerisierbaren
Monomeren und o-Naphthochinondiazidosulfonsäure
oder o-Naphthochinondiazidocarbonsäure, wie in der US-Patentschrift
3 759 711 beschrieben, ganz ausgezeichnet.
Diese o-Chinondaizidverbindungen können einzeln verwendet
werden, jedoch werden sie bevorzugt zusammen mit einem alkalilöslichen Harz verwendet. Eevorzugte alkalilösliche
Harze sind Phenolharze vom Novolaktyp. Praktisch sind dies Phenol/Formaldehydharze, o-.Cresol/FormalcLehyüharze
und..m-Cresol/Formaldehydharze. ,Wie weiterhin in der
US-Patentschrift 4-123 279 beschrieben, wird es weiterhin bevorzugt, die vorstehend angegebenen Phenolharze zusammen
mit einem Kondensationsprodukt aus Formaldehyd und einem Phenol oder Cresol, die mit einer Alkylgruppe mit 3 bis
8 Kohlenstoffatomen substituiert sind, zu verwenden, beispielsweise ein tert.-Butylphenolformaldehydharz. "Her
Gehalt des alkalilöslichen Harzes beträgt etwa 50 bis
etwa 85 Gew.%, vorzugsweise· etwa 60 bis 80 Gew.%, bezogen
030041/077
auf das Gesamtgewicht der die lichtempfindliche Schicht bildenden Masse.
Die die o-Chinondiazidverbindung enthaltende lichtempfindliche Masse kann erforderlichenfalls Zusätze, wie
Farbstoffe. Plastifizierer und Komponenten zur Erteilung
von Ausdruckseigenschaft enthalten, wie beispielsweise in den britischen Patentschriften 1 041 -'-63 und 1 039 4-75
und der US-Patentschrift 3 969 118 beschrieben.
Azidverbindunp;en und Binder (Polymeres) enthaltende
lichtempfindliche Schichten;
Als lichtempfindliche Massen für lichtempfindliche Schichten seien die Massen mit dem Gehalt von Azidverbindungen
und wasserlöslichen oder r.lkalilösuchen Polymeren,
wie sie beispielsweise in den britischen Patentschriften 1 23b 281 und 1 495 861 und den japanischen Patentanmeldungen
32331/76 und 36 128/76 beschrieben sind, sowie die Polymere mit Azidgruppen und Polymere als Binder enthaltenden
Massen, die in den japanischen Patentanmeldungen 5102/75, 84302/7?, 84303/75 und 12984/78 beschrieben sind,
aufgeführt.
(4) Weitere lichtempfindliche Harzschichten;
Diese Materialien umfassen lichtempfindliche Harze, wie die beispielsweise in der japanischen Patentanmeldung
96696/77 aufgeführten Polyesterverbindungen, die in den britischen Patentschriften 1 112 277, 1 313 390, 1 341 004
und 1 377 74-7 beschriebenen Polyvinylcinnamatharze und die
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--S6—
in den US-Patentschriften 4 072 528 und 4 072 527 beschriebenen
Photopolymermassen vom photopolymerisierbaren Typ.
Die Menge der auf dem Träger ausgebildeten licht-
empfindlichen Schicht beträgt etwa 0,1 bis etwa 7 S/m ,
ο vorzugsweise etwa 0,5 bis 4 g/m .
Eine vorsensibilisierte Druckplatte wird bildweise
belichtet und dann durch übliche Behandlungsstufen unter
Einschluss von Entwicklung zur Bildung von Harzbildern verarbeitet. Beispielsweise im Fall von vorsensibilisierten
Platten mit der vorstehend abgehandelten lichtempfindlichen Schicht (1) aus dem Diazoharz und dem Binder wird nach
der Behandlung mittels eines üblichen Verfahrens unter Einschluss der Entwicklung ein Karzbild gebildet. Beispielsweise
im Fall einer vorsensibilisierten Platte mit der vorstehend abgehandelten lichtempfindlichen Schicht
(1) aus einem Diazoharz und einem Binder werden die unbelichteten Bereiche der Schicht durch die Entwicklung nach
der bildweisen Aussetzung an Licht entfernt, so dass die lithographische Druckplatte erhalten wird. Im Fall der
Platte mit der lichtempfindlichen Schicht (2) wird der belichtete Bereich bei der Entwicklung unter Anwendung
einer wässrigen alkalischen Lösung nach der bildweisen Aussetzung an Licht entfernt-und die lithographische
Druckplatte erhalten.
Gemäss der Erfindung wird als ein Träger für eine lithographische Platte sowie ein Verfahren zur Herstellung
eines Trägers für eine derartige Platte vorgeschlagen, wobei das Verfahren umfasst:
die mechanische Aufrauhung der Oberfläche einer Aluminiuiiiplatte,
030041/0778
die chemische Ätzung von etwa 5 bis 20 g/m Aluminium
von der Oberfläche der Platte und
die Anlegung eines elektrischen Stroms von alternierender
Wellenform an die Platte in einer sauren wässrigen Lösung, so dass die mit der Platte als Anode erzeugte
Elektrizitätsmenge gleich oder grosser als die mit der Platte als Kathode erzeugte Elektrizitätsmenge ist, wobei
die Elektrolyse 30 durchgeführt wird, dass die Stromdichte,
falls die Platte die Anode ist, nicht weniger als etwa 20 A/m ist, und die mit der Platte als Anode erzeugte
Elektr
trägt .
trägt .
Elektrizitätsmenge etwa 200 Coulopib/dm oder weniger beDie
vorliegende Erfindung wird nachfolgend im einzelnen anhand der folgenden Beispiele erläutert, worin
sämtliche Prozentsätze auf das Gewicht bezogen sind.
Nachdem ein Aluminiumblech mit einer Reinheit von 99»5 % einer Körnung mit einer Drehnylonbürste in einer
wässrigen Bimsdispersion unterworfen worden war, wurde
es unter Anwendung einer 20%igen wässrigen Natriumhydroxid-
o lösung geätzt, so dass 8 g/m Aluminium gelöst wurden.
Nach ausreichendem Waschten der Platte mit Wasser wurde sie
mit einer 25%igen, wässrigen Salpetersäurelösung gewaschen
und erneut mit Wasser zur Herstellung des Trägers gewaschen.
Die erhaltene Platte wurde in einer wässrigen Salpetersäurelösung
(7 g/l) bei 22° C unter Anwendung einer alternierenden Wellenform unter Anwendung.der in Fig. 4(b) ge-
Q30Ö41 /0778
zeigten Rechteckwelle unter den in Tabelle I aufgeführten
Bedingungen elektrolysiert. Sie wurde dann in eine 15%ige wässrige Schwefelsäurelösung bei 50° C während
3 Minuten zur Reinigung der Oberfläche eingetaucht.
Dann wurde ein anodische.r Oxidfilm von 3 g/m unter Anwendung
einer 10%igen, wässrigen Schwefelsäurelösung gebildet,
so dass die Proben A, B, C, D, E und F erhalten wurden.
Auf den erhaltenen Proben wurde die folgende lichtndliche
Schicht z<
(trocken) ausgebildet?
(trocken) ausgebildet?
empfindliche Schicht zu einer Abdeckung von 2,5 g/m
Veresterte Verbindung aus Naphthochinon-1,2-diazid-5-sulfonylchlorid
und Pyrogallol-Acetonharz (beschrieben in Beispiel 1 der US-Patentschrift 3 6i5 709) 0,75 g
und Pyrogallol-Acetonharz (beschrieben in Beispiel 1 der US-Patentschrift 3 6i5 709) 0,75 g
Cresolnovolakharz 2,00 g
Ölblau 603 (Produkt der Orient-Chemical Co0) 0,04 g
Äthylendichlorid 16 g
2-Methoxyäthylacetat 12 g
Die erhaltene lichtempfindliche lithographische Druckplatte wurde bildweise an Licht während 50 Sekunden in
einem Abstand von 1 m unter Anwendung einer_3kw-Metallhalogenidlampe
ausgesetzt und wurde dann unter Anwendung einer wässrigen Natriumsilicatlösung mit einem Molarverhältnis
von SiO2ZNa2O von 1,2 und einem SiO2~Gehalt von
1,5 % entwickelt.. Wenn das Drucken in üblicher Weise unter Anwendung der erhaltenen lithographischen .Druckplatten
durchgeführt wurde, v;urden die in Tabelle I aufgeführten Ergebnisse erhalten.
030041 /0776
Betrag der Ätzung
Bedingungen·· der
Elektrolyse
Anodische Stromdichte
Anodische Elektrizität
smenge
Qc/Qa
Va
Vc
Betrag des anodischen
Oxi datxonsfilmes
Oxi datxonsfilmes
(Probe A)
8 (g/m2)
8 (g/m2)
(Probe B) 8 .
35 (A/dm2) 20
176 ρ 176 (Coülomb/dra )
0,73 0,72
23 (Volt) 14
12 (Volt) 8
3 (g/m2) 3
-* Kumulative Frequenzkurve
S 5 %
^ 95 %
S 5 %
^ 95 %
0^ Dichte der Sekundärstruktur
(dritte)
Ausmass der einheitlich
in der Sekundärstruktur
dispergierten Nadellöcher
in der Sekundärstruktur
dispergierten Nadellöcher
Hügel
Druckdauerhaftigkeit
Druckdauerhaftigkeit
Verunreinigung
Bemerkungen
Bemerkungen
et
5 Cu)
7 χ 10'
(Nadellöcher/
(Nadellöcher/
gut
vorhanden
100 000
(Bogen)
(Bogen)
ausgezeichnet
erfindungsgemäss
2,5
6,5
3 χ
co2)
gut
vorhanden 100
ausgezeichnet
erfindungsgemäss (Probe C)
8
8
15
176
176
0,73
10
6
10
6
Probe D)
.. 8
.. 8
15
400
400
0,76
11
11
(Probe E) . 8
2 3
7 7
0,5 χ 10? 17 χ 107
schlecht schlecht
(nicht ein- (überdicht)
heitlich)
(nicht ein- (überdicht)
heitlich)
vorhanden
000
000
gut
Vergleich
fehlt
100 000
100 000
schlecht
Vergleich
fehlt fehlt
vorhanden 60 000
ausgezeichnet
Vergleich
(Probe F) • 8
15 1000
0,71 35
17
4 14
schlecht (überdicht)
fehlt 60
schlecnt
Vergleich
Die Erfindung wurde vorstehend anhand bevorzugter Ausführung sfoTnen beschrieben, ohne dass die Erfindung
hierauf begrenzt ist.
030041 /077S
-IS-
L e e r s e i t e
Claims (18)
- Patentansprüche(i. Verfahren zur Herstellung eines Trägers für lithographische Druckplatten, dadurch gekennzeichnet, dassdie. Oberfläche einer Aluminiuraplatte mechanisch aufgerauht wird,etwa 5 bis 20 g/iu Aluminium von der Oberfläche der Platte chemisch geätzt werden undein elektrischer Strom von alternierender Wellenform an die Platte in einer sauren wässrigen Lösung so angelegt wird, dass die mit der Platte eis Anode erzeugte Elektrizität smenge gleich oder grosser als die mit der Platte als Kathode erzeugte Elektrizitätsmenge ist, wobei clie Elektrolyse so durchgeführt wird, dass die Stromdichte, falls die Platte die Anode ist, nicht weniger als etwa20 A/dm beträgt und die mit der Platte als Anode erzeugte Elektrizitätsmenge etwa 200 Coulomb/dm oder weniger beträgt .
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die mit der Aluminiumplatte als Anode erzeugteElektrizitätsmenge etwa 70 bis 200 Coulomb/dm beträgt.
- 3· Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,, dass eine Stromdichte, falls die Aluminiumplattedie Anode ist, von etwa 25 bis 70 A/dm angewandt wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, dass ein Verhältnis der mit der Platts als Kathode erzeugten Elektrizität zu der mit der Platte als Anode erzeugten Elektrizität von etwa 0,5/1 bis 1,0/1 angewandt wird.0300A 1/0776
- 5. Verfahren nach. Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, d' - eine saure wässrige Lösung mit einer Konzentration ν a etwa 0,1 bis 4 % angewancn; wird.
- 6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die slektrolytische Behandlung mit Anoden- und Katho den spannungen im Bereich von 1 bis 50 V durchgeführt wird.
- 7· Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass sich an die elektrolytische Behandlung eine Entschmutzungsbehandlung anschliesst.
- 8. Verfahren nach Anspruch 7i dadurch gekennzeichnet, dass die Entschmutzungsbehandlung durch Kontaktierender Oberfläche dor elektrolytisch behandelten Platte mit
einer wässrigen Lösung einer Säure oder eines Alkalis durchgeführt wird. - 9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass als Säure Phosphorsäure, Schwefelsäure, Chromsäure
oder Gemische hiervon verwendet werden. - 10. Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass sich an die elektrolytische Behandlung eine anodische Oxidation anschliesst.
- 11. Träger für eine lithographische Druckplatte, bestehend aus einem Aluminiumblech, dessen Oberfläche eine aus Hügeln und Nadellöchern oder Kerbungen, welche einheitlich die Oberfläche der Hügel durchsetzen und in solcher Dichte vorliegen, dass die Hügeln noch vorliegen,030041/0776BAOPBtGlNAL■bestehende Körnungsstruktur besitzt.
- 12. Träger nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Verteilung der Nadellöcher- oder Kerbungsdurchmesser so ist, dass die lladellöcher oder Kerbungen entsprechend einem Wert von 5r> "bzw. 95/S auf der kumulativen Häufigkeitskurve für den If&dellöcher- oder Kerbungsdurchtnesser 3/um oder weniger bzw. 7/um odei- weniger hinsichtlich des Durchmessers "betragen.
- 13. Träger nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Verteilung der Kadellöcher - oder Kerbungsdurchmesser so ist, dass die Nadellocher oder Kerbungen entsprechend einem Wert von 5?° bzw. 95$ auf der kumulativen Häuf igkeitskurve für den lladellöcher- oder Ke rbungs durchmesser 0,5 bis 3/ura bzw. 5 bis 7/um betragen.
- 14. Träger nach Anspruch 12 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Nadellöcher oder Kerbun-^en in einer Dichte von 10 bis 10 Nadellöcher oder Kerbungen/cn vorliegen.
- 15. Träger nach Anspruch 12 bis 14> dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche weiterhin eine darauf ausgebildete anodische Oxidschicht besitzt»
- 16. Vorsensibilisierte Druckplatte; enthaltend eine lichtempfindliche Schicht auf einem Träger nach Anspruch 11 bis 15.
- 17. Vorsensibilisierte Druckplatte nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Verteilung der Uadellöcher- oder Kerbungsdurchmesser so ist, dass die Nadellöcher030041/0770BAD ORIGINALoder Kerbungen entsprechend einem Vert von 5 % bzw. 95 % auf einer kumulativen Frequenzkurve für den Nadellöcher- oder Kerbungsdurchmesser 0,5 bis 3/Um bzw. 5 bis 7/um betragen.
- 18. Vorsensibilisierte Druckplatte nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Nadellöcher oderfr οKerbungen in einer Dichte von 10 bis 10 Nadellöcher oder Eerbungen/cn vorliegen.19· Vorsensibilisierte Druckplatte nach Anspruch 16 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche weiterhin eine darauf ausgebildete anodische Oxidschicht aufweist.03004 1/0
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3732879A JPS55128494A (en) | 1979-03-29 | 1979-03-29 | Preparing method for support body for lithographic printing |
| JP4517079A JPS55137993A (en) | 1979-04-13 | 1979-04-13 | Production of support member for lithographic printing plate |
| JP10447379A JPS5628893A (en) | 1979-08-16 | 1979-08-16 | Carrier for lithography plate and manufacture of said carrier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3012135A1 true DE3012135A1 (de) | 1980-10-09 |
| DE3012135C2 DE3012135C2 (de) | 1986-10-16 |
Family
ID=27289428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19803012135 Expired DE3012135C2 (de) | 1979-03-29 | 1980-03-28 | Träger für lithographische Druckplatten, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung zur Herstellung von vorsensibilisierten Druckplatten |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3012135C2 (de) |
| GB (2) | GB2047274B (de) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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