DE29823900U1 - Einrichtung zur plasmagestützten Schichtabscheidung - Google Patents
Einrichtung zur plasmagestützten SchichtabscheidungInfo
- Publication number
- DE29823900U1 DE29823900U1 DE29823900U DE29823900U DE29823900U1 DE 29823900 U1 DE29823900 U1 DE 29823900U1 DE 29823900 U DE29823900 U DE 29823900U DE 29823900 U DE29823900 U DE 29823900U DE 29823900 U1 DE29823900 U1 DE 29823900U1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- magnetic pole
- plasma
- target
- magnetron sputtering
- medium frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000938 samarium–cobalt magnet Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 5
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910001172 neodymium magnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
von Ardenne Anlagentechnik GmbH
01324 Dresden
Die Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputtereinrichtung zur großflächigen, reaktiven plasmagestützten Abscheidung hauptsächlich elektrisch isolierender Schichten auf Substraten entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Die zu beschichtenden Substrate können dabei aus den unterschiedlichsten Grundmaterialien bestehen und die unterschiedlichste geometrische Form haben. In der Praxis werden aber hauptsächlich metallische Bänder oder ebene Glasscheiben als Substrate in Frage kommen.
Sowohl für die Abscheidung von dielektrischen Schichtsystemen für z.B. die Herstellung von wärmereflektierenden Glasscheiben für Fenster, als auch zur großflächigen Beschichtung von metallischen Bändern mit lichtabsorbierenden Schichten zur Herstellung von Solarabsorbern werden Magnetron-Sputterquellen eingesetzt. Damit gelingt es in erforderlichem Umfang in den 0 Eigenschaften homogene und in der Schichtdicke gleichmäßige Schichten auch auf großen Flächen abzuscheiden.
Bei bekannten Verfahren zum Beschichten von Substraten mit Hilfe der Sputtertechnik und Materialien, die isolierende Schichten bilden, besteht das Problem, daß neben dem Substrat auch Teile der Einrichtung selbst mit diesem elektrisch nicht, oder schlecht leitenden Materialien beschichtet werden, wodurch der Prozeß instabil wird und elektrische Überschläge
auftreten.
Weiterhin ist die aus ökonomischer Sicht wünschenswerte Erhöhung der Produktivität derartiger Beschichtungsanlagen durch die dann erforderliche hohe Beschichtungsgeschwindigkeit des einzelnen Magnetrons begrenzt. Der übliche Ausweg ist die Erhöhung der Anzahl der zur Abscheidung einer einzelnen Schicht eingesetzte Magnetrons, bzw. eine Erhöhung der pro Magnetron umgesetzten elektrischen Leistung. Beiden Maßnahmen sind in der Praxis relativ enge Grenzen gesetzt.
So ist die Magnetronanzahl durch geometrische Größen festgelegt und die maximal anwendbare Leistung pro Target-Oberflächeneinheit durch Werkstoffkenngrößen und die Kühlmöglichkeiten des Targets. Die gewünschte Produktivitätserhöhung der Anlage ist somit nur erreichbar, wenn es gelingt, die spezifischen Eigenschaften der Einzelschichten, die jeweils an eine bestimmte Schichtdicke gebunden sind, auch bei geringeren Schichtdicken zu erreichen.
Das ist oftmals dann möglich, wenn die Schichten in ihrer Struktur und ihrer Dichte den Werten des jeweiligen kompakten Materials angeglichen werden. Ein Weg dazu ist die Schichtabscheidung mit Unterstützung eines dichten Plasmas in Substratnähe.
Die positiven Effekte des Plasmas, wie z.B. die Erhöhung des Brechungsindex von 2,35 auf 2,55 bei den sehr häufig in der optischen Beschichtung eingesetzten TiO2-Schichten wurden bereits beschrieben (Zöllner: Plasmaunterstütztes Aufdampfverfahren eröffnet neue Perspektiven in der Brillen- und Feinoptik, Vakuum in Forschung und Praxis 1997, Nr. 1, 19 - 24).
Die Ursache dafür ist eine Änderung der Gitterstruktur von Anatase zu Rutil auch bei niedriger Beschichtungstemperatur.
Analog konnte gezeigt werden, daß bei SiO2 der Brechungsindex von 1,48 auf 1,46 infolge einer dichteren Struktur sinkt (Szyzbowski, Bräuer, Teschner, Zmelty: Large Scale Antire-
Analog konnte gezeigt werden, daß bei SiO2 der Brechungsindex von 1,48 auf 1,46 infolge einer dichteren Struktur sinkt (Szyzbowski, Bräuer, Teschner, Zmelty: Large Scale Antire-
fleeting Coatings, PSE '96).
Es wurde weiterhin festgestellt, daß die Erhöhung der Schichtdichte zur erhöhten elektrischen Leitfähigkeit, z.B. bei SiI-berschichten führt. Da mit dem Schichtwiderstand aber auch die Emissivität metallischer Schichten ansteigt, gelingt es mit dünneren Silberschichten gleiche Reflexionseigenschaften zu erreichen und gleichzeitig die optische Transmission zu verbessern.
Oftmals ist die Magnetron-Entladung nicht primär zur Abstäubung von Targetmaterial eingesetzt, sondern dient als Plasmaquelle. Das ist jeweils dann der Fall, wenn eine nahezu vollständige Bedeckung des Targets mit Reaktionsprodukten erzwungen wird.
Üblicherweise ist die Sputterrate der Reaktionsprodukte geringer als die des entsprechenden Targetmaterials. Mit wachsendem Reaktivgasanteil sinkt die Sputterrate des Targetmaterials und die in das Magnetron eingespeiste Leistung wird zunehmend im Plasma umgesetzt. In diesem Falle der magnetronunterstützten Plasma-CVD ist eine wesentliche, die Abscheidungsgeschwindigkeit bestimmende Größe die Plasmadichte in unmittelbarer Substratnähe. Damit verbunden ist die Dichte der Radikale und weiterer energiereicher Spezies, die für die Schichtabscheidung verantwortlich sind.
In beiden Fällen, sowohl beim üblichen reaktiven Sputterprozeß wie auch bei magnetronunterstützter Plasma-CVD, führt eine Steigerung der Plasmadichte in unmittelbarer Substratnähe zu einer Erhöhung der Beschxchtungsproduktivität infolge verbesserter Schichteigenschften, bzw. einer höheren spezifischen Schichtabscheidungsrate.
Es existieren eine Vielzahl von Methoden, die Plasmadichte auch bei größeren Abständen vom Target zum Substrat zu erhöhen. Eine Gruppe von Methoden benutzt zusätzliche Plasmaquellen, neben dem Magnetron selbst (Hohlkatodenunterstützte
Sputtertechnik, Glühkatodenunterstützte Sputtertechnik, zusätzliche Mikrowellenentladung). Alle diese Methoden besitzen den prinzipiellen Nachteil des hohen apparativen Aufwandes und der damit verbundenen niedrigen Zuverlässigkeit der Einrichtung und Langzeitstabilität der Prozesse.
Eine weitere Methode besteht darin, mit Gleichspannung betriebene Magnetrons magnetisch unbalanziert aufzubauen (Window, Surf.Coat. Technol. 71 81995) 93, DE 40 17 112).
Dadurch wird eine erhebliche Steigerung der Plasmadichte auch bei Abständen von einigen 10 cm vom Target erreicht, ohne daß ein nennenswerten zusätzlicher apparativer Aufwand erforderlich ist. Nachteilig hierbei ist allerdings, daß bei der reaktiven Abscheidung isolierender Schichten die zur Aufrechterhaltung der Entladung erforderlichen Elektroden (Anode) im Laufe des Abscheidungsprozesses gleichfalls isoliert, die Entladung dadurch instabil wird und schließlich verlischt. Aus diesem Grunde wird diese Methode bisher auch im wesentlichen bei der Abscheidung von Metallschichten, bzw. metallisch leitfähiger Verbindungsschichten eingesetzt (D.G. Teer, Surf. Coat. Technol. 39 (1989) 565; W. D. Münz, D. Schulze, F. J. M. Hauzer, Surf. Coat. Technol. 50 (1992) 169).
Eine Möglichkeit, den Nachteil der instabilen Anodenprozesse, die beim reaktiven Sputtern mit dem gleichspannungsbetriebenen Magnetron auftreten, zu vermeiden und langzeitstabil, ohne häufige elektrische Überschläge und dadurch bedingte Prozeßstörungen die Abscheidung auch von dielektrischen Oxidschichten zu realisieren, ist sowohl in der DD 252 205, wie auch in EP 0 502 242 beschrieben. Diese Anordnung besteht aus zwei parallel zueinander und im wesentlichen auf einer Ebene liegenden Magnetrons, dem Doppelmagnetron, bzw. Twin-Magnetron. Die beiden Einzelmagnetrons sind mit dem Ausgangstransformator einer Stromversorgungseinheit verbunden, die mit Frequenzen im Bereich zwischen 20 ... 100 kHz eine ihr Vorzeichen wechselnde Spannung liefert.
Dadurch wird erreicht, daß jeweils ein Magnetron während einer Spannungspolarität die Anode des Zweiten darstellt; nach Umpolung aber selbst sputtert und dadurch eine reine Targetoberfläche nach einer weiteren Umpolung als Anode zur Verfugung steht.
Bei entsprechender Wahl der Frequenz wird erreicht, daß die Ausbildung der Isolierschicht auf dem jeweiligen Target langsamer verläuft, als die Umpolung stattfindet und dadurch ein stabiler Anodenprozeß zur Verfügung steht.
Im Frequenzbereich bis zu ca. 1 MHz können die Ionen des Entladungsplasmas dem wechselnden elektrischen Feld noch folgen. Es kommt dadurch zu einer geringfügigen Erhöhung der Plasmadichte, bzw. einer Ausdehnung des Bereiches des dichten Plasmas vom Target weg und zu verbesserten Haftungsbedingungen der Schichten auf den Substraten.
Der entscheidende Vorteil derartiger Einrichtungen ist die Langzeitstabilität der Prozesse bei der reaktiven Zerstäubung zur Abscheidung isolierender Schichten. Die erforderliche deutliche Erhöhung der Plasmadichte an entfernten Substraten, und damit die deutliche Einwirkung auf die Eigenschaften der sich bildenden Schicht, sowie die Dichteerhöhung der Radikale 5 und energetischen Spezies in Substratnähe bei magnetrongestützten-CVD Prozessen wird nur unvollkommen erreicht.
Aufgabe der Erfindung ist es eine Doppelmagnetron-Sputtereinrichtung anzugeben, die ohne hohen technischen Aufwand eine hohe Plasmadichte in Substratnähe, insbesondere bei reaktiven Sputterprozessen, bei denen die entstehende Schicht selbst isolierend oder schlecht leitend ist, erzeugt und die gleichzeitig über lange Zeiten stabil arbeitet.
Die Aufgabe wird bei einer mit Mittelfrequenzspannung gespeisten Doppelmagnetron-Sputtereinrichtung der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß bei jedem der das Doppelmagnetron bildenden Einzelmagnetrons die jeweils in der Ebene des
Targets gemessene magnetische Feldstärke des inneren Magnetpols niedriger ist, als die des äußeren Magnetpols.
Damit läßt sich mit geringem Aufwand eine hohe Plasmadichte in Substratnähe bei großer Langzeitstabilität erreichen.
Die unterschiedliche Feldstärke der Magnetpole läßt in Fortführung der Erfindung dadurch erreichen, daß der äußere Magnetpol im wesentlichen aus hartmagnetischen Material, der innere Magnetpol im wesentlichen aus Material mit einer hohen Permeabilität und in gleicher Weise wie die Rückplatte zusammengesetzt ist.
Als hartmagnetisches Material wird bevorzugt SmCo, oder NdFeB und als Material mit der hohen Permeabilität wird bevorzugt St 3 7 verwendet, so daß eine besonders kostengünstige Realisierung der Erfindung möglich ist.
Zur Verhinderung von parasitären Entladungen außerhalb der äußeren Magnetpole sind neben diesen angeordnete Bleche aus Aluminium vorgesehen.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben.
In der zugehörigen Zeichnungsfigur ist schematisch der Querschnitt durch eine erfindungsgemäße Einrichtung dargestellt. Auf einer Trägerplatte aus Edelstahl 1 sind auf isolierenden Zwischenstücken 4 zwei gleichartig gestaltete Einrichtungen, 0 bestehend aus jeweils äußeren Magnetpolen 2, inneren Magnetpolen 3, montiert auf Rückplatten 6 und Targetplatten 5, aufgebaut.
Das Target selbst besteht aus Chrom. Die äußeren Magnetpole 2 sind aus jeweils einer Schicht quaderförmiger Permanentmagnete aus NdFeB mit einem Querschnitt von 10x10 mm2 und einem darüberliegendem Polschuh aus St 37 mit einem Querschnitt von 10x5 mm2 aufgebaut.
• ·
t»
Die inneren Magnetpole 3 bestehen hingegen ausschließlich aus einem Stück quaderförmigen Stahl St37 mit einem Querschnitt von 10x15 mm2.
Die äußeren Magnetpole 2 sind dabei derart angeordnet, daß jeweils um den inneren Magnetpol 3 ein tunnelförmiger, geschlossener Magnetfeldring erzeugt wird. Im Beispiel ist der Nordpol der Magnete der äußeren Magnetpole 2 auf der dem darüberliegenden Target 5 zugewandten Seite angeordnet.
10
10
Zur Verhinderung von parasitären Entladungen außerhalb der äußeren Magnetpole 2 sind Bleche aus Aluminium 7 mit einer Dicke von ca. 3 mm vorgesehen.
Zwischen den beiden Einzelmagnetrons, zur magnetischen Abschirmung gegeneinander, wird ein weiterer quaderförmiger Stab aus permeablen Material 8 eingesetzt.
Die beiden Einzelmagnetrons werden nunmehr mit einer nichtdar-0 gestellten Mittelfrequenz-Stromversorgung verbunden. Nach Erzeugung der üblicherweise erforderlichen Umgebungsbedingungen für den Betrieb einer Magnetron-Sputterquelle, Erzeugung eines niedrigen Gasdruckes in einer die Quelle umgebenden abgeschlossenen Kammer, Einlaß eines prozeßtypischen Gasgemisches, wird die Entladung gezündet und dadurch der Sputtervorgang eingeleitet.
Bei einem typischen Gasdruck von ca. 5*10'2 mbar in einem Ar/CH4-Gasgemisch werden auf ein Substrat 9, das im Abstand von 100 mm vor dem Target angeordnet ist, und elektrisch auf einem negativen DC-Potential von ca. -150 V liegt, Me:C-H Schichten durch einen magnetronunterstützten Plasma-CVD Prozeß abgeschieden. Auch bei einem erforderlichen geringen Metallanteil· in der Schicht von 15 at.% Cr, geiingt es, den Prozeß langzeitstabil über mehrere Stunden mit konstanter Stöchiometrie der Schicht, ohne störende Veränderungen der Targetbedeckung und damit verbundenen Instabilitäten und arc-Entladungen bei einer hohen Schichtabscheidungsrate zu führen.
• ·
Gleichzeitig ist eine Ionenstromdichte am Substrat von 2 mA/cm2 einstellbar, die zur Ausbildung einer harten und kompakten Schicht führt.
Claims (4)
1. Mit Mittelfrequenzspannung gespeiste Doppelmagnetron-Sputtereinrichtung, bestehend aus zwei im wesentlichen in einer Ebene parallel nebeneinander liegenden Einzelmagnetrons mit gleicher Magnetfeldrichtung, jeweils umfassend einen inneren Magnetpol 3, einen äußeren Magnetpol 2 mit einer Polarität, die derjenigen des inneren Magnetpols 3 entgegengesetzt ist und der so angeordnet und gestaltet ist, daß er den inneren Magnetpol 3 umschließt, ein Target 5, welches zumindest oberhalb des inneren Magnetpols 3 angeordnet ist und sich von dort aus in der Ebene und in Richtung des äußeren Magnetpols 2 erstreckt, beide Magnetpole 2, 3 fixiert auf einer Rückplatte 6 aus permeablen Material, dadurch gekennzeichnet, daß bei jedem der das Doppelmagnetron bildenden Einzelmagnetrons die, jeweils in der Ebene des Targets gemessene magnetische Feldstärke des inneren Magnetpols 3 niedriger ist, als die des äußeren Magnetpols 2.
2. Mit Mittelfrequenzspannung gespeiste Doppelmagnetron-Sputtereinrichtung nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß der äußere Magnetpol 2 im wesentlichen aus hartmagnetischen Material, der innere Magnetpol 3 im wesentlichen aus Material mit einer hohen Permeabilität und in gleicher Weise wie die Rückplatte 6 zusammengesetzt ist.
3. Mit Mittelfrequenzspannung gespeiste Doppelmagnetron-Sputtereinrichtung nach Anspruch 1 und 2 dadurch gekennzeichnet, daß das hartmagnetische Material SmCo, oder NdFeß ist und das Material mit der hohen Permeabilität St 37 ist.
4. Mit Mittelfrequenzspannung gespeiste Doppelmagnetron-Sputtereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß außerhalb der äußeren Magnetpole 2 neben diesen Bleche 7 aus Aluminium angeordnet sind.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE29823900U DE29823900U1 (de) | 1998-06-20 | 1998-06-20 | Einrichtung zur plasmagestützten Schichtabscheidung |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE29823900U DE29823900U1 (de) | 1998-06-20 | 1998-06-20 | Einrichtung zur plasmagestützten Schichtabscheidung |
| DE1998127587 DE19827587A1 (de) | 1998-06-20 | 1998-06-20 | Einrichtung zur plasmagestützten Schichtabscheidung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE29823900U1 true DE29823900U1 (de) | 2000-01-05 |
Family
ID=26046944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE29823900U Expired - Lifetime DE29823900U1 (de) | 1998-06-20 | 1998-06-20 | Einrichtung zur plasmagestützten Schichtabscheidung |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE29823900U1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002090612A1 (de) * | 2001-05-09 | 2002-11-14 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Elektrodenanordnung für die magnetfeldgeführte plasmagestützte abscheidung dünner schichten im vakuum |
-
1998
- 1998-06-20 DE DE29823900U patent/DE29823900U1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002090612A1 (de) * | 2001-05-09 | 2002-11-14 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Elektrodenanordnung für die magnetfeldgeführte plasmagestützte abscheidung dünner schichten im vakuum |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0502242B1 (de) | Reaktive Zerstäubungsvorrichtung | |
| EP0755461B1 (de) | Verfahren und einrichtung für die ionengestützte vakuumbeschichtung | |
| EP0439561B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von substraten | |
| EP2778254B1 (de) | Dampfabscheidung und Ionenbehandlung mittels Niederdruck-Lichtbogenplasmaimmersionsbeschichtung | |
| DE69329161T2 (de) | Verbesserungen von Verfahren der physikalischen Dampfphasen-Abscheidung | |
| EP2100322A1 (de) | Vakuumbeschichtungsanlage zur homogenen pvd-beschichtung | |
| DE2215151A1 (de) | Verfahren zum herstellen von duennen schichten aus tantal | |
| EP3810824B1 (de) | Ionenquellenvorrichtung | |
| EP0811238A1 (de) | Einrichtung zur reaktiven beschichtung | |
| EP0776987B1 (de) | Vakuumbeschichtungsanlage mit einem in der Vakuumkammer angeordneten Tiegel zur Aufnahme von zu verdampfendem Material | |
| EP0910683A1 (de) | Vakuumbeschichtungsanlage mit einer beschichtungskammer und zumindest einer quellenkammer | |
| DE102007004760A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten von plattenförmigen oder bandförmigen metallischen Substraten | |
| DE102008022145B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Hochleistungs-Puls-Gasfluß-Sputtern | |
| EP0603464A1 (de) | Verfahren zum Beschichten von Substraten | |
| DE29823900U1 (de) | Einrichtung zur plasmagestützten Schichtabscheidung | |
| DE19605932A1 (de) | Verfahren zum Ablagern einer optisch transparenten und elektrisch leitenden Schicht auf einem Substrat aus durchscheinendem Werkstoff | |
| DE19827587A1 (de) | Einrichtung zur plasmagestützten Schichtabscheidung | |
| DE4202211A1 (de) | Sputteranlage mit wenigstens einer magnetron-kathode | |
| WO2002097157A2 (de) | Modifizierter dlc-schichtaufbau | |
| DE4425626A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur plasmainduzierten Beschichtung einzelner Formteile mit metallischen und polymeren Schichten | |
| DE102016012460A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung definierter Eigenschaften von Gradientenschichten in einem System mehrlagiger Beschichtungen bei Sputter - Anlagen | |
| DE3503397C2 (de) | ||
| EP3665315B1 (de) | Anordnung zur beschichtung von substratoberflächen mittels elektrischer lichtbogenentladung | |
| EP0434797B1 (de) | Gerät zur beschichtung von substraten durch kathodenzerstäubung | |
| EP2646596A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines kohlenstoffhaltigen schichtsystems sowie vorrichtung zur durchführung des verfahrens |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R207 | Utility model specification |
Effective date: 20000210 |
|
| R150 | Utility model maintained after payment of first maintenance fee after three years |
Effective date: 20010720 |
|
| R157 | Lapse of ip right after 6 years |
Effective date: 20050101 |