DE29819349U1 - Halbleiter-Schaltungsanordnung, insbesondere Hochstromumrichter mit niedriger Zwischenkreisspannung - Google Patents

Description

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Beschreibung

Halbleiter-Schaltungsanordnung, insbesondere Hochstromumrichter mit niedriger Zwischenkreisspannung 5

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiter-Schaltungsanordnung, insbesondere Hochstromumrichter mit niedriger Zwischenkreisspannung, gemäß Patentanspruch 1; derartige Schaltung sanordnungen sind insbesondere zum Einsatz in Kraftfahrzeugen zwischen zumindest einem batteriegestützten Niederspannungs-Bordnetz einerseits und einem Starter-Generator als Anlasser bzw. Lader für die jeweilige Batterie andererseits vorgesehen. Sie dienen im Schubbetrieb des Kraftfahrzeuges zur Anpassung von Spannung und Leistung des dann als Generator arbeitenden Starter-Generators an die entsprechenden Betriebsdaten der jeweiligen nachzuladenden Batterie und beim Starten des dann als Motor arbeitenden Starter-Generators mit Hilfe der jeweiligen Batterie zur Gewährleistung eines hinreichenden Start-Drehmomentes mit entsprechend hohem Anfahr-0 strom.

Als wesentliche Bauteile einer solchen Schaltungsanordnung gelten insbesondere eine Anzahl von Halbleiter-Halbbrücken als Leistungsbauteile, eine Anzahl von Zwischenkreis-Bauelementen, insbesondere Kondensatoren, und eine Anzahl von Steuerelementen, insbesondere Treiberstufen.

Aus der DE 196 45 63 6 Cl ist eine Halbleiter-Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines Elektromotors bekannt, bei der 0 eine Leistungseinheit mit elektronischen Halbleitern auf der Oberseite eines DCB-Substrats angeordnet und kontaktiert ist, das mit seiner Unterseite unmittelbar auf der Oberfläche einer Kühlereinheit aufliegt; parallel und beabstandet liegt oberhalb des DCB-Substrats eine Trägerplatte, auf deren Oberseite und Unterseite Halbleiter-Bauelemente einer zugehörigen Ansteuereinheit gehaltert und kontaktiert, insbesondere verlötet, sind. Senkrechte, mit dem DCB-Substrat verlötete Kon-

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taktstifte dienen der Kontaktierung zwischen der Leistungseinheit auf dem DCB-Substrat einerseits und der Ansteuereinheit auf der Trägerplatte andererseits. Parallel zu dem DCB-Substrat und der Trägerplatte führen Gleichspannungs-Stromschienen durch einen Gehäusekörper nach außen zu dort auf der Oberseite der Kühlereinheit gelagerte Zwischenkreis-Kondensatoren; Anschlußschienen zur Wechsel- bzw. Drehstromseite der Schaltungsanordnung sind senkrecht zum DCB-Substrat und zur Trägerplatte aus dem Gehäusekörper nach außen geführt.

Gemäß Aufgabe vorliegender Erfindung soll die Voraussetzung für ein als Großserienprodukt mit geringem Aufwand fertig- und montierbaren niederinduktiven Umrichter, insbesondere Hochstrom-Umrichter mit niedriger Zwischenkreisspannung, geschaffen werden, der bei kompakter Bauart auch rauhen Betriebseinsätzen, wie z.B. in einem Kraftfahrzeug, gewachsen ist.

Die Lösung der vorgenannten Aufgabe gelingt erfindungsgemäß durch eine Halbleiter-Schaltungsanordnung gemäß Patentanspruch 1; vorteilhafte Ausgestaltungen der Halbleiter-Schaltungsanordnung sind Gegenstand der Unteransprüche 2-10.

Durch das 2-seitige Leiterbahnen-Layout des Substrats der ersten Anordnungsebene ergibt sich im Vergleich zu einer nur einseitigen Kontaktierung ein geringerer Bedarf an Substratfläche und Bauvolumen. Die zweite Anordnungsebene kann in besonders geringem Abstand und damit mit für einen niederinduktiven Aufbau vorteilhaft kurzen Leitungswegen mit der ersten 0 Anordnungsebene kontaktiert werden; der geringe Abstand begünstigt auch eine vibrationsfestere Aufbauweise, insbesondere unter Berücksichtigung der im Sinne einer einfachen Vormontage auf der Oberfläche der Zwischenkreis-Leiterplatte angeordneten Zwischenkreis-Bauelemente.

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Insbesondere in Anwendung auf einen Umrichter in einem Kraftfahrzeug, bei dem üblicherweise der eine batterieseitige Gleichspannungspol auf Massepotential liegt, ist zur weiteren Fertigungsvereinfachung bei gleichzeitig extrem niederinduktiver Aufbauweise die Unterseite des Substrats mit einem, vorzugsweise grobstrukturierten, Leiterbahnen-Layout in Form eines Massepotential-Anschlusses vorgesehen; entsprechende Verbindungen zwischen den Leistungsbauteilen der Oberseite des Substrats können direkt über die Durch- bzw. Randkontaktierungen zu den Massepotential-Leiterbahnen der Unterseite des Substrats geführt werden. In weiterer Vereinfachung liegt die Massepotential führende Unterseite des Substrats elektrisch unisoliert, vorzugsweise gepreßt, mittelbar z.B. über eine Zwischen-Wärmeleitplatte oder unmittelbar auf einer Kühleinheit auf, die ebenfalls Massepotential führt.

Durch die nach einer Ausgestaltung der Erfindung vorgesehene einpreßbare Kontaktstift-Anschlußverbindung zwischen dem Substrat in der ersten Anordnungsebene und der darüberliegenden, 0 vorzugsweise nur an ihrer Oberseite mit Bauelementen zu bestückenden bzw. als Funktionseinheit vormontierbaren Zwischenkreis-Leiterplatte in der gering beabstandeten zweiten Anordnungsebene kann bei weiter vereinfachter Fertigung und Montage das Bauvolumen, insbesondere die Bauhöhe, wegen des Verzichts kann auf einen besonderen Zugang erfordernde Kontaktierung von Einzelleitungen, weiter verringert werden.

Die Erfindung sowie weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung werden im folgenden anhand schematisch dargestell-0 ter Ausführungsbeispiele in der Zeichnung näher erläutert; darin zeigen:

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FIG 1 in einem Schnittbild einen Hochstrom-Umrichter, insbesondere
für ein Kraftfahrzeug;

FIG 2 eine Ausschnittvergrößerung II aus FIG 1;
FIG 3 den Hochstrom-Umrichter gemäß FIG 1 im Schnittverlauf III-III;

FIG 4 den Hochstrom-Umrichter gemäß FIG 1 im Schnittverlauf IV-IV.

In einer ersten Anordnungsebene El ist eine Leistungseinheit

mit vier Modulen M1-M4, bestehend aus jeweils mit Halbleitern T bestückten, von einem Kunststoffrahmen KRl bzw. KR2 bzw.
KR3 bzw. KR4 umfaßten DCB-Substraten S angeordnet. Jedes der
Module M1-M3 ist jeweils als Teil einer Umrichter-Brückenschaltung
je einem Brückenzweig mit Anschluß an eine Phase U

bzw. V bzw. W eines Starter-Generators SG zugeordnet; das Modul M4 enthält den Leistungsteil eines Spannungswandlers. Die Kunststoffrahmen KR1-KR4 sind mit Kontaktstiften KS, insbesondere
durch Einstecken bzw. Eingießen, bestückt und in üblicher
Bond-Technik mit den auf den DCB-Substraten verlöteten Halbleitern T über Leitungen LEI - wie insbesondere aus der
Detailvergrößerung gemäß FIG 2 ersichtlich - verbunden. Die
mit ihrem unteren Ende KS2 in dem jeweiligen Kunststoffrahmen KR1-KR4 gehaltenen Kontaktstifte KS ragen mit einem freien
Ende KSl aus dem Kunststoffrahmen, insbesondere senkrecht

nach oben, heraus.

Die freien Enden KSl der Kontaktstifte KS sind zur Kontaktierung mit korrespondierenden Kontaktaufnahmen KA in einer Zwischenkreis-Leiterplatte ZP, insbesondere einer Multilayer-

0 Leiterplatte, vorgesehen, die betriebsmäßig in geringem Abstand
zu der ersten Anordnungsebene El oberhalb der Substrate S in einer zweiten Anordnungsebene E2 angeordnet ist. Diese
Zwischenkreis-Leiterplatte ZP ist zweckmäßigerweise vor ihrem Zusammenbau mit der ersten Anordnungsebene El als Vormontage-5 einheit mit Zwischenkreis-Bauelementen, insbesondere mit Kondensatoren C und Induktivitäten L, dadurch bestückt, daß diese Zwischenkreis-Bauelemente C;L mit ihren fußseitigen Kon-

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taktenden C1;C2 bzw. L1;L2 bis zu einem Layout-Anschluß auf der Unterseite der Zwischenkreis-Leiterplatte ZP durchgesteckt und dort durch einfaches Schwallöten mit den entsprechenden Leiterbahnen kontaktiert sind. Beim Zusammenbau der derart zuvor mit den Zwischenkreis-Bauelementen C;L bestückten und kontaktierten Zwischenkreis-Leiterplatte ZP einerseits mit der ersten Anordnungsebene El andererseits werden die freien Kontaktenden KSl der in den Kunststoffrahmen KR1-KR4 der Module M1-M4 positionierten Kontaktstifte KS in die korrespondierenden Kontaktaufnahmen KA der Zwischenkreis-Leiterplatte ZP selbsttätig einpreßkontaktiert.

Oberhalb der freien Bauenden der Zwischenkreis-Bauelemente C;L ist in einer dritten Anordnungsebene E3 eine Halterungsplatte ALI seitlich in einem Anordnungsrahmen AR, z.B. mittels Schraubbefestigung, fixiert. In vorteilhafter Weise übergreift bzw. umgreift diese Halterungsplatte ALI formschlüssig die freien Bauenden der Zwischenkreis-Bauelemente C,-L derart, daß diese auch gegenüber stärkeren Stoßbelastungen vibrationsfest gesichert sind. Nach einer Ausgestaltung der Erfindung ist die Halterungsplatte ALI als Wärmelei tplatte, insbesondere als Aluminiumplatte, ausgebildet.

Nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist zwischen der Halterungsplatte ALI und den von dieser positionssichernd umfaßten freien Bauenden der Zwischenkreis-Bauelemente C;L eine wärmeleitende elastische Zwischenlage ZW, insbesondere ein Wärmeleitgummi, angeordnet, derart daß von den Zwischenkreis-Bauelementen C;L Wärme über die formanpassbare Zwi-0 schenlage ZW und die Halterungsplatte ALI an den äußeren Anordnungsrahmen AR weitergegeben werden kann, der seinerseits in vorteilhafter Weise in gut wärmeleitender Verbindung mit einer Zwischen-Wärmeleitplatte AL2, insbesondere Aluminiumplatte, steht, über welche auch die Module M1-M4 bzw. deren 5 Substrat S vorteilhaft wärmeabgebend auf der Oberfläche einer Kühleinheit KE aufliegen.

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Die Zwischen-Wärmeleitplatte AL2 dient auch der mechanischen Fixierung der ersten und zweiten Anordnungsebene El bzw.E2. Dazu dienen z.B. hier nicht dargestellte Schrauben, die auf der Zwischenkreis-Leiterplatte ZP aufliegen, durch Schraublöeher SR1-SR4 der Kunststoffrahmen KR1-KR4 der Module M1-M4 hindurchreichen und in die Zwischen-Wärmeleitplatte AL2 einschraubbar sind.

Zum Schutz gegen eine Wärmebelastung von außen ist die gesamte Schaltungsanordnung durch ein zu dem Anordnungsrahmen AR äußeres, thermisch isolierendes Gehäuse GE eingekapselt.

In weiterer fertigungs- und montagetechnischer Vereinfachung und im Sinne einer möglichst kompakten Baueinheit ist die Halterungsplatte ALI gleichzeitig dazu benutzt, auf ihrer Oberseite eine Ansteuereinheit, insbesondere in Form einer Ansteuer-Leiterplatte SP, aufzunehmen; die Ansteuer-Leiterplatte SP ist über eine Leitungsverbindung LE2 mit der Zwischenkreis-Leiterplatte ZP und über die Kontaktstifte KS mit· 0 der Leistungseinheit der Module M1-M4 sowie über eine Leitungsverbindung LE3 mit einem äußeren Signal-Stecker SS kontaktierbar ist.

Die einfach zu montierende und zu fixierende Halterungsplatte vereint also die vibrationsfeste Fixierung der Zwischenkreis-Bauelemente und der Ansteuer-Leiterplatte sowie die Wärmeentlastung dieser Bauelemente über den Anordnungsrahmen an die Kühleinheit.

0 Für eine besonders einfache und nur kurze Leitungswege erfordernde äußere Anschlußmöglichkeit der Wechsel- bzw. Drehstromseite des Starter-Generators bzw. der Gleichstromseite der Batterie sind entsprechende Wechsel- bzw. Drehstrom-Anschlüsse U;V;W des Stater-Generators SG einerseits und Gleichstrom-Anschlüsse Batl;Bat2;GND für zwei Bordnetze andererseits - wie insbesondere aus FIG 3 ersichtlich - von

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einem seitlichen Gehäuseanschluß auf kurzem Weg zu der Zwischenkreis-Leiterplatte ZP geführt.

Ausgehend von der Erkenntnis, daß in einem Kraftfahrzeug üblicherweise einer der beiden Gleichstrom-Anschlüsse, vorzugsweise der negative Gleichstrom-Anschluß einen Massepotential-Anschluß GND bildet, ist im Sinne einer noch größeren Kompaktheit bei gleichzeitig durch besonders kurze Anschlußwege verminderbarer Induktivität - wie insbesondere aus der vergrößerten Detaildarstellung gemäß FIG 2 ersichtlich - eine Durchkontaktierung des Substrats S der Module M1-M2 zwischen der oberen Substratebene Sl und der unteren Substratebene S2 durch den Isolations-Zwischenträger S3, insbesondere einen Keramik-Zwischenträger, mittels elektrischer Verbindungen DK derart vorgesehen, daß die Massekontakt-Verbindungen der auf der Oberseite des Substrats S angeordneten Halbleiter-Bauelementen T über Kontaktbahnen DK zu der, vorzugsweise im Sinne grobstrukturierter Massepotential-Leiterbahnen ausgebildeten, Unterseite S2 des Substrates S geführt sind; im vorliegenden Fall wird davon ausgegangen, daß der negative Massepotential-Anschluß GND und die Kühleinheit KE das gleiche Spannungs-Potential aufweisen.

Claims (10)

1. Halbleiter-Schaltungsanordnung, insbesondere Hochstromumrichter mit niedriger Zwischenkreispannung, enthaltend:

1. eine erste Anordnungsebene (E1) mit einer Leistungseinheit mit auf der Oberseite eines Substrats (S), insbesondere eines DCB-Substrats, angeordneten und mit diesem kontaktierten Halbleitern (T);

2. eine zweite, oberhalb zu der ersten gering beabstandete, Anordnungsebene (E2) mit auf der Oberseite einer Zwischenkreis-Leiterplatte (ZP), insbesondere einer Multilayer-Leiterplatte, angeordneten und mit dieser kontaktierten Zwischenkreis-Bauelementen (C; L);

3. eine gegenseitige elektrische Funktions-Kontaktverbindung der ersten Anordnungsebene (E1) mit der zweiten Anordnungsebene (E2);

4. eine Ausbildung des Substrates (S) mit einem Leiterbahnen-Layout sowohl an der Oberseite (S1) als auch an der Unterseite (S2) seines Isolations-Zwischenträgers (S3);

5. eine Durch- und/oder Seitenrand-Kontaktierung zwischen den Leiterbahnen der Oberseite (S1) einerseits und der Unterseite (S2) andererseits.

2. Halbleiter-Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, enthaltend:

1. eine Ausbildung der Unterseite (S2) des Substrats (5) als ein Gleichstrom-Anschluß, insbesondere Massepotential- Anschluß (GND), der Leistungseinheit.

3. Halbleiter-Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 und/oder 2, enthaltend:

1. eine, insbesondere elektrisch unisolierte, Auflage der Unterseite (S2) des Substrats (S) auf einer Kühleinheit (KE).

4. Halbleiter-Schaltungsanordnung nach zumindest einem der Ansprüche 1-3, enthaltend:

1. zu der zweiten Anordnungsebene (E2), insbesondere deren Zwischenkreis-Leiterplatte (ZP), geführte äußere Wechsel- bzw. Drehstrom-Anschlüsse (U; V; W) bzw. Gleichstrom-Anschlüsse (Batt1; Batt2; GND).

5. Halbleiter-Schaltungsanordnung nach zumindest einem der Ansprüche 1-4, enthaltend:

1. eine gegenseitige elektrische Funktions-Kontaktverbindung beim Zusammenbau der ersten Anordnungsebene (E1) mit der zweiten Anordnungsebene (E2) mittels aus der einen Anordnungsebene (E1 bzw. E2) vorstehender, in korrespondierende Kontaktaufnahmen (KA) der anderen Anordnungsebene (E2 bzw. E1) einpreßbarer Kontaktstifte (KS).

6. Halbleiter-Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, enthaltend:

1. eine Aufnahme des Substrats (S) innerhalb zumindest eines elektrisch isolierenden Rahmens (KR1-R4), insbesondere Kunststoff-Rahmens, und eine Aufnahme der Kontaktstifte (KS) in den Rahmen (KR1-R4) mit gegen die zweite Anordnungsebene (2) vorstehenden und in deren Kontaktaufnahmen (KA) beim gegenseitigen Zusammenbau der Anordnungsebenen (E1 bzw. E2) einpreßbaren freien Kontaktstift-Enden (KS1).

7. Halbleiter-Schaltungsanordnung nach zumindest einem der Ansprüche 1-6, enthaltend:

1. eine Kontaktierung der Zwischenkreis-Bauelemente (C; L) mit der Zwischenkreis-Leiterplatte (ZP) der zweiten Anordnungsebene (E2) mittels Durchkontaktierung der elektrischen Anschlüsse (C1, C2; L1, L2) der Zwischenkreis-Bauelemente (C; L) bis zur Unterseite der Zwischenkreis-Leiterplatte (ZP) und Verbindung, insbesondere Schwallötung, mit entsprechenden Unterseite-Leiterbahnen.

8. Halbleiter-Schaltungsanordnung nach zumindest einem der Ansprüche 1-7, enthaltend:

1. eine dritte, oberhalb zu der zweiten beabstandete, Anordnungsebene (E3) mit einer von einem äußeren Anordnungsrahmen (AR) aufgenommenen Halterungsplatte (AL1), insbesondere gut wärmeleitenden Aluminiumplatte;

2. mit einer Positionssicherung der ihrem Kontaktierungsende abgewandten freien Bauenden der Zwischenkreis-Bauelemente (C; L) durch die Halterungsplatte (AL1), insbesondere mit einer formschlüssigen, beim Zusammenbau der zweiten und dritten Anordnungsebene (E2 bzw. E3) auf die freien Bauenden aufsteckbaren Umfassung der Zwischenkreis-Bauelemente (C; L).

9. Halbleiter-Schaltungsanordnung nach Anspruch 8, enthaltend:

1. eine oberhalb der Halterungsplatte (AL1) von dieser aufgenommen, mit der Leistungseinheit der ersten Anordnungsebene (E1) in Funktionsverbindung stehende Ansteuereinheit, insbesondere auf einer Ansteuer-Leiterplatte (SP).

10. Halbleiter-Schaltunganordnung nach zumindest einem der Ansprüche 1-9, enthaltend:

1. eine Verwendung als Umrichter zwischen zumindest einem batteriegestützten Gleichstrom-Bordnetz mit Gleichstrom- Anschlüssen (Batt1; Batt2; GND) und einem Starter-Generators (SG) mit Drehstrom-Anschlüssen (U; V; W) in einem Kraftfahrzeug.