DE2941870A1 - Logik-anordnung - Google Patents
Logik-anordnungInfo
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Description
29A1870
HITACHI, LTD., Tokyo, Japan
Logik-Anordnung
Die Erfindung betrifft eine Logik-Anordnung, die auch als CML-Anordnung (CML = Strom-Betriebsart-Logik) bezeichnet wird.
Eine CML-Anordnung mit bipolaren Transistoren als deren Grundbausteine wird gegenwärtig für fähig gehalten, mit einer
höchsten Geschwindigkeit zu arbeiten. Eine ECL-Anordnung (ECL = emittergekoppelte Logik), die Emitterfolger-Transistoren als
deren Grundbausteine aufweist und mit einer logischen Amplitude von 0,8 V arbeitet, wird bisher als eine Logik-Anordnung
eingeschätzt, die mit einer hohen Geschwindigkeit betreibbar ist. Der bemerkenswerte Fortschritt in der Technik integrierter
Halbleiterschaltungen in den letzten Jahren führte zur Verwirklichung einer Schaltungsintegration bei einer höheren
Packungsdichte und war in der Verringerung des Rauschens auf einen viel tieferen Pegel als den Pegel der herkömmlichen Logik-Anordnungen
dieser Art erfolgreich. Es ist somit nunmehr möglich, eine Kleinamplituden-Logik-Anordnung herzustellen, in
der die logische Amplitude auf ca. 0,4 V von dem vorhergehenden Wert mit 0,8 V verringert ist. Die Kleinamplitude schließt
das Problem der Transistorsättigung aus, und die
81-(A4O14-O2;
η ι. π r. ι 7 / η Q ο 7
Emitterfolger-Transistoren sind nun nicht erforderlich, so daß eine in
Figur 1 gezeigte CML-Anordnung verwirklichbar ist.
In Figur 1, die die Struktur einer derartigen CML-Anordnung zeigt,
sind Transistoren Qn, Q1 und Q_ Grundschaltungselemente der CML-Anordnung
und über ihre Emitter mit dem Kollektor eines weiteren Transistors Q-,
zusammengeschaltet, der eine Konstantstromquelle zusammen mit seinem
Emitterujiderstand FL. bildet. Die Kollektoren der Transistoren Q1 und Q2
sind über einen gemeinsamen Widerstand Rrw mit einer Künstantpotentialquelle
einer Spannung Upn verbunden, während der Kollektor des Transistors
Qn über einen weiteren Widerstand H an die Honstantpotentialquelle der
Spannung \lnr angeschlossen ist. Der Emitter des Transistors Q1 ist über
den Widerstand R7 mit einer anderen Konstantpotentialquelle einer
Spannung Wj-p verbunden, und die Basis des Transistors Q-, ist an einen
Vorspannungsgenerator 14 angeschlossen, um auf einer Spannung \lrc höher
als die Spannung IL..- gehalten zu werden. Der vOrspannungsgenerator 14
legt eine Bezugsspannung \l an die Basis des Transistors Qn.
Diese CML-Anordnung arbeitet in üblicher Weise. Der Betrieb dieser
CML-Anordnung wird im folgenden kurz erläutert. Wenn eines der Eingangssignale IN. und I(\)„, die an den Basisanschlüssen des Transistors Q.
bzuj. des Transistors Q„ liegen, den Pegel der von der Spannungsquelle
der Basis des Transistors Qn zugeführten Bezugsspannung I/ _ überschreitet,
wird ein Strom vom Transistor Qn zum Transistor Q.. oder Q„ geschaltet.
Folglich tritt ein die f\iOR-Logik (Weder-Noch-Logik) der beiden Eingangssignale
IPJ1 und Il\l„ darstellendes Ausgangssignal V™.T1 an den zusammenqeschalteten
Kollektoren der Transistoren Q. und Q„ auf, mährend ein
die DDER-Logik der beiden Eingangssignale IPJ. und INp darstellendes
Ausgangssignal Un.__ am Kollektor des Transistors Qn vorliegt.
In einer derartigen Kleinamplituden-CML-Anordnung sind eine Kompensation für die
Versorgungsspannungen \J und \J souie eine Kompensation für die
Lu LiL»
Übergangstemperatur erforderlich, um die gewünschte Rauschgrenze zu
gewährleisten. Die Hauptfaktoren zur Erfüllung dieser Forderung umfassen
den Betrieb der Konstantstromquelle aus dem Transistor Q-, und dessen
-S-
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Emitteruiiderstand R und den Betrieb des Vorspannungsgenerators 1*tf der
die Stromquellen-Spannung Up1-. an den Transistor Q, legt. Die Grundidee
einer Kompensation einer Änderung in den Versorgungsspannungen und einer
Änderung in der Übergangstemperatur in der in Figur 1 gezeigten CML-Anordnung
liegt in der Verhinderung jeder Veränderung im Potentialpegel
jedes Ausgangssignales \1„.._.. und ^η||Τ2 ohne Beachtung der Änderungen in
den Versorgungsspannungen und der Übergangstemperatur. Hierzu muß die
vom Vorspannungsgenerator lh an die Basis des Transistors Q-, gelegte
Stromquellen-Spannung νΓς so sein, daß der zum Transistor (L· gespeiste
Strom keiner Veränderung aufgrund einer Veränderung in der Versorgungsspannung VpF und einer Veränderung in der Übergangstemperatur unterworfen
ist.
Figur 2 zeigt eine herkömmliche Ausführungsfarm des Vorspannungsgenerators
1ί». Die in Figur 2 dargestellte Anordnung uird auch als
IMebenschlußregler bezeichnet, in dem ein Lüiderstand R, am Kollektor und
der Basis eines Transistors Q, und ein weiterer Widerstand R, an der
Basis und dem Emitter des Transistors Q. liegen, um eine Gegenkopplungsschaltung
oder eine Basis-Vorschaltung für den Transistor Q, zu bilden.
Der durch diese Gegenkopplungsschaltung fließende Strom uird durch zuei
in Reihe geschaltete Widerstände R und R„ begrenzt. Die am Kollektor und
am Emitter des Transistors Q, auftretende Stromquellen-Spannung νρς ist
durch die folgende Gleichung (1) gegeben:
R + R
Vpij-, = Emitter-Basis-Spannung des Transistors Q,
In Gleichung (1) uird der Basisstram des Transistars Q, nicht berücksichtigt.
Ldenn diese Stromquellen-Spannung V an der Basis des Transistors Q-,
liegt und der Widerstand R^ mit dem Emitter des Transistors Q, in Figur
verbunden ist, ist der Kollektorstram des Transistors Q3, d.h. der
+ Basis-Vorspannungs- _ „
schaltung ~
schaltung ~
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Strom-Schaltstrom I „ durch die folgende Gleichung (2) gegeben:
(2)
CS R„ K }
mit Uat-T = Basis-Emitter-Spannung des Transistors Q...
Es wird dabei angenommen, daß V/flE, = U™., = U„E vorliegt und der
durch die Gleichung (1) gegebene Wert von Vp1, in die Gleichung (2)
eingesetzt wird. Das ÄnderungsmaB des Strom-Schaltstromes I„s bezüglich
der Änderung der V/ersorgungsspannung U.-.- und das Änderungsmaß des
Strom-Schaltstromes I „ bezüglich der Änderung der Übergangstemperatur T .
Lb 3
ist durch die folgende Gleichung (3) bzuj. (^) gegeben:
= D (3)
AICS R3
Aus der Gleichung (3) folgt, daß die Verwendung der in Figur 2
gezeigten Strom- bzu. Spannungsquelle *\k die Abhängigkeit der Ausgangssiqnale
^Π|,Τ1 und V/_. _„ υοπ der Uersorgungsspannung UFF- ausschließt, uie
dies in Figur *t gezeigt ist. Jedoch ist die gewünschte Kompensation für
die Übergangstemperatur T . noch nicht ausreichend, uie dies der Gleichung
(it) entnommen werden kann. Es sei z.B. angenommen \l„c = D U, WEE = -2 \J,
Amplitudenwert = D,k \l, Spannung an Widerstand RF = D,^ \1 und \Jr,p = D,ß V·
Dann gilt \lnc = ( ^3. + 1)WaI. = 0,U \l + \lar = 1,2 U, und in diesem Fall
R-, L.b R^ bt dL
ist ·π— = 0,5 gewählt. Daher kann die Gleichung (k) ausgedrückt werden
durch:
π ι η π ι 7 / (ι π η ?
"ß" 29A187Q
Da die Kollektorwiderstände R. und R„o in Figur 1 mit R- ^ R„ s*
Rp geuiählt sind, ist das Änderungsmaß des Kleinpegel-Ausgangssignales
Vn, bezüglich der Änderung der Übergangstemperatur T. durch die folgende
Gleichung (5) gegeben:
RCD
oder R_
,5 AVBE (5)
Das durch die Gleichung (5) gegebene Änderungsmaß ist beträchtlich
groß. Der Wert von AVn. beträgt AVn. = 1OG mV, wenn z.B. AV^/AT. =
-2 mV/°C bei einer üblichen Übergangsspannung und AT . = 50DC vorliegen.
Figur 5 zeigt die Temperaturabhängigkeit eines derartigen Ausgangssignales
Vi-|i|T· Figur 3 zeigt die Übertragungskennlinie der in Figur 1
dargestellten CML-Anordnung, wenn hiermit die in Figur 2 gezeigte Strombzw.
Spannungsquelle 14 verwendet wird.
Daraus folgt also, daß die in Figur 2 dargestellte Schaltung 14
nicht vollständig die Übergangstemperaturabhängigkeit kompensieren kann, obwohl sie ausreichend die Versorgungsspannungsabhängigkeit kompensieren
kann. Wenn das Verhältnis von R zu R, in der Gleichung (4) ausreichend
klein gewählt wird, kann das Änderungsmaß von Irc bezüglich T . klein
Lb J
gemacht werden; jedoch ändert sich der Ausgangspegel nicht zwischen dem
niederen Pegel und dem hohen Pegel aufgrund der Zunahme im Verhältnis
von Rn zu Rr (Rrn zu R oder R zu Rr). Weiterhin kann diese Zunahme
Li L·. L*lv c. LjU L·
im Verhältnis von R zu RF und damit der erhöhte Verstärkungsfaktor im
Strom-Schalter zu einer unerwünschten Schwingung der Schaltung führen.
Weiterhin wird der Schaltungsbetrieb stark durch die Herstellungstoleranzen
dieser Widerstände beeinflußt.
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Die Idee einer Kompensation der Temperaturabhängigkeit und der Versorgungsspannungsabhängigkeit
einer ECL-Anordnung wurde bereits erujähnt
(vergleiche den Aufsatz von Muller und andere: "Fully-Compensated Emitter-Coupled Logic" in 1973 IEEE International Solid-State Circuits
Conference DIGEST OF TECHNICAL PAPERS, Seiten 16B-169).
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine Logik-Anordnung mit einer
CML-Schaltung anzugeben, in der deren Strom- bzu. Spannungsquelle die
Temperaturabhängigkeit und die Versorgungsspannungsabhängigkeit der
CML-Schaltung beide kompensieren kann.
Die erfindungsgemäße Logik-Anordnung hat eine CML-Schaltung einschließlich
wenigstens eines Eingangsanschlusses, an dem ein Eingangssignal liegt, eines Ausgangsanschlusses, an dem ein Ausgangssignal auftritt,und
eines Transistors, der als eine Konstantstromquelle arbeitet, und eine
Vorschaltung, die mit der Basis des Transistors verbunden ist, der
als die Konstantstromquelle arbeitet. Die Vorschaltung hat einen
Nebenschlußregler, der eine Basisvorspannung erzeugt, die unabhängig
von einer Veränderung in der Versorgungsspannung Up„ konstant gehalten
ist, und ein Steuerglied, das den Nebenschlußregler abhängig von einer Veränderung in der Übergangstemperatur steuert, um dadurch entsprechend
die Basisvorapannung zu verändern, die vom IMebenschlußregler zugeführt
ist. Der Nebenschlußregler kompensiert die Veränderung in der Versorgunqsspannung
Vp..-, und das Steuerglied kompensiert die Überganqstemperaturabhängigkeit
des Konstantstromquellen-Transistors.
In einer Logik-Anordnung mit einer Kleinamplituden-CML-Schaltung
einschließlich eines als eine Konstantstromquelle arbeitenden Transistors ist der Konstantstromquellen-Transistar durch eine Vorspannungsquelle vorgespannt, die die Versorgungsspannungsabhängigkeit und die
Übergangstemperaturabhängigkeit der CML-Schaltung beide kompensieren
kann. In der Logik-Anordnung liegt eine Gegenkopplung am Konstantstromquellen-Transistor
über dessen Basis-Vorspannungsstrecke, um die Abhängigkeit des Konstantstromquellen-Transistors von der Versorgungs-
- "IG -
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spannung zu kompensieren, und die Differenz zwischen der Übergangstemperaturabhängigkeit
der Übergangsspannung eines Transistors von zwei Transistoren im Steuerglied und derjenigen des anderen
Transistors aufgrund verschiedener Emitterstramdichten dient zur Kompensation der Abhängigkeit des Konstantstromquellen-Transistors von
der Übergangstemperatur.
Anhand der Zeichnung wird die Erfindung nachfolgend beispielsueise
näher erläutert. Es zeigen:
Figur 1 ein Schaltbild einer direkt gekoppelten Kleinamplituden-CML-Schaltung
(vergleiche oben),
Figur 2 ein Schaltbild eines herkömmlichen V/orspannungsgenerators,
der in der in Figur 1 dargestellten Schaltung verwendet wird,
Figuren 3, 4 und 5 die Übertragungs-Kennlinie bzw. die Uersorgungsspannungsabhängigkeit-Kennlinie
bzw. die Temperaturabhängigkeit-Kennlinie der in Figur 1 gezeigten CML-Schaltung, wenn die in Figur 2 gezeigte
Strom- bzw. Spannungsquelle mit herkömmlichem Aufbau verwendet wird,
Figur S ein Schaltbild eines bevorzugten Ausführungsbeispieles
des erfindungsgemäßen Uorspannungsgenerators,
Figuren 7, 8 und Ό die Übertragungs-Kennlinie bzw. die Uersorgungsspannungsabhängigkeit-Kennlinie
bzw. die Übergangstemperaturabhängigkeit-Kennlinie der in Figur 1 gezeigten CML-Schaltung, wenn der in Figur G
dargestellte erfindungsgemäße Vorspannungsgenerator verwendet wird.
Figur 6 zeigt ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen
Uorspannungsqenerators, wodurch die in Figur 2 gezeigte herkömmliche
Struktur wesentlich verbessert wird. In Figur 6 ist der Schaltungsteil einschließlich des Transistors Q, im wesentlichen mit dem in
Figur 2 dargestellten Schaltungsteil vergleichbar, mit der Ausnahme,
daß der Widerstand H in der torschaltung des Transistors Q, , d.h.
der Gleichstrom-Gegenkopplungsschaltung für den Transistor Q,, in zwei
in Reihe geschaltete Widerstände R,fl und R,n geteilt ist. Ein Mehrfachemitter-Trnnsistor
Qc ist an seinem Kollektor mit dem Verbindungspunkt
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der beiden Widerstände R,fl und FL· verbunden und an seinen Emittern an
die Spannungsquelle für die Wersorgungsspannung \L.p. über einen gemeinsamen
Widerstand R^ angeschlossen. Der Transistor CL ist an seiner
Basis mit dem Kollektor des Transistors Q, über einen Widerstand R,-
und weiterhin mit der Spannungsquelle für die Versorgungsspannung */„
über einen Transistor D1 verbunden, der als Diode arbeitet und daher
im folgenden auch als Diode bezeichnet wird. Der Widerstand R& und
die Diode D1 bilden eine Basis-Vorschaltung für den Transistor CL.
Damit der in Figur 6 gezeigte erfindungsgemäße Worspannungsgenerator
vollständig die V/ersorgungsspannungsabhängigkeit und die Übergangstemperaturabhängigkeit
der in Figur 1 dargestellten CML-Schaltung beide kompensieren kann, uenn er in die CML-Schaltung eingesetzt wird, werden
die Kollektorwiderstände R„w, Rp„ und der Emitterwiderstand Rr- so
gewählt, daß sie den gleichen Widerstandsuiert besitzen, um einen
konstanten Strom in den Transistor Q-. zu speisen. D.h., hinsichtlich
der Stromquellen-Spannung W^5 müssen für die obige vollständige Kompensation folgende Gleichungen erfüllt sein:
= 0 (G)
mit να[--, = Basis-Emitter-Spannung des Transistors D,.
DC. J J
Im folgenden wird der Betrieb der erfindungsgemäßen Strom- bzw.
Spannungsquellenschaltung näher erläutert. Der durch die Diode D1
fließende Strom bzw. der zum Kollektor des Mehrfachemitter-Transistors
CL gespeiste Strom bzw. der durch den Widerstand R, fließende Strom
sind mit I1 bzw. I- bzw. I- bezeichnet. Weiterhin wird zur Vereinfachung
der Basisstram jedes einzelnen Transistars nicht berücksichtigt, da
er vernachlässigbar ist.
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Die Basis-Emitter-Spannung des Mehrfachemitter-Transistors CL bzw.
die l/oruärts- oder Durchlaßspannung der Diode D,. bzw. die Basis-Emitter-Spannung
des Transistors CJ, sind mit U^6 bzu. Ug^1 bzu. VBE-, bezeichnet.
Dann gelten die folgenden Gleichungen (B), (9) und (10):
(8)
τ JET 2
- R3A 1Z + (R3A + R3B}I3
Wenn die durch die Gleichungen (Θ) und (9) gegebenen Uerte von I,
und I- in die Gleichung (10) eingesetzt werden, ergibt sich für Up3:
mit K = Boltzmann-Honstante,
q = Elementarladung,
T = absolute Temperatur,
J1 = Emitterstromdichte in Diode D1,
J„ = Emitterstromdichte in Transistor CL.
q = Elementarladung,
T = absolute Temperatur,
J1 = Emitterstromdichte in Diode D1,
J„ = Emitterstromdichte in Transistor CL.
Aus der Gleichung (11) folgt, daß die die Abhängigkeit Av-EE aeT
Stromquellen-Spannung Vp„ von der Änderung der l/ersorgungsspannung vV^.
darstellende Gleichung (6) nunmehr erfüllt ist. Dagegen ist die Temperaturabhängigkeit
' durch die folgende Gleichung (12) gegeben:
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R3A H . J1 R3A + R3B + \
· ——— In + R5 q J2 R^
Die Emitterfläche der Diade D. und die Emitterfläche des Transistors
CL werden nun mit A . bzw. A bezeichnet. Dann folgt für ^/J?:
1VA I1 A
JV 9 T ~ T A
1 ^ Α X2 ΗΕ1
Mit E2/AE1 = η folgt aus Gleichung (12):
ρ Τ
3A H , , 1 .
_ . ___ in (—— · n)
5 ^ 2
Daher kann die Übergangstemperaturabhängigkeit der CML-Schaltung
vollständig kompensiert werden, wenn die Lüiderstandsuerte der LJiderstände
R^ß, R33, R,, Rg, die Werte der Ströme I-, I„ und der Uert des
Uerhältnisses ftE2/A(r1 = η so gewählt werden, daß der durch Gleichung
(13) festgelegte LJert von —rr=— gleich ist dem durch die Gleichung (7)
AVgE τ J
festgelegten Uert von
festgelegten Uert von
ΔΊ3
Der Transistor Q, muß nicht, wie dargestellt, ein Mehrfachemitter-Transistor
sein, und die Emitterfläche des als die Diode D1 wirkenden
Transistors D. kann von der Emitterfläche des Transistors CL verschieden
sein, um die Temperaturänderung des Transistors Q-, in einer ähnlichen
Ldeise zu kompensieren, wie dies oben beschrieben wurde.
Die Figuren 7, 8 und 9 zeigen die Übertragungs-Kennlinie bzw. die
Vorspannungsabhängigkeit-Kennlinie bzw. die Übergangstemperaturabhängigkeit-
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Hennlinie der in Figur 1 dargestellten Kleinamplituden-CML-Schaltung,
uenn die in Figur 6 dargestellte erfindungsgemäße Strom- bzuj. Spannungsquellenschaltung
verwendet wird.
Aus den obigen Erläuterungen der Erfindung folgt, daß die Gegenkopplung am Transistor CL über dessen Basis-Vorschaltung oder Nebenschlußregler
liegt, um die Abhängigkeit des Transistors Q, von der Wersorgungsspannung
M-- zu kompensieren, und die Differenz zwischen der Temperaturabhängigkeit
der Übergangsspannung des Mehrfachemitter-Transistors CL und derjenigen der Diode D1 aufgrund der verschiedenen Emitterstromdichten
dient zur Kompensation der Temperaturabhängigkeit des Transistors Ck.
Daraus folgt, daß die Versorgungsspannungsabhängigkeit und die Temperaturabhängigkeit
der Kleinamplituden-CML-Schaltung vollständig kompensierbar sind, wenn die erfindungsgemäße Strom- bzw. Spannungsquellenschaltung
verwendet wird, um die Basis-Vorschaltung für den Konstantstrom-Transistor
CL in der CML-Schaltung zu bilden.
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Claims (1)
- Anspruch.e(Iy Logik-Anordnung, mit- einer Strom-Betriebsart-Logik-Schaltung einschließlich wenigstens eines mit einem Eingangssignal beaufschlagten Eingangsanschlusses, eines ein Ausgangssignal abgebenden Ausgangsanschlusses und eines als Konstantstromquelle arbeitenden Transistors, und- einer mit der Basis des Konstantstromquellen-Transistors verbundenen Vorspannungsschaltungseinheit,dadurch gekennzeichnet,- daß die Vorspannungsschaltungseinheit aufweist:- einen Nebenschlußregler, der eine Basis-Vorspannung abgibt, die unabhängig von einer Veränderung in einer Versorgungsspannung konstant gehalten ist, und- ein Steuerglied zum Steuern des Nebenschlußreglers abhängig von einer Veränderung in der Übergangstemperatur, um die Basis-Vorspannung zu verändern.2. Logik-Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,- daß das Steuerglied die Basis-Vorspannung verändert, um die Übergangstemperaturabhängigkeit des Konstantstromquellen-Transistors (Q3) zu kompensieren.3. Logik-Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,- daß der Nebenschlußregler aufweist:- einen ersten Transistor (Q4) zwischen Quellen verschiedener Potentiale, um seine Kollektor-Emitter-Spannung an die Basis des Konstantstromquellen-Transistors (Q,) zu Ie-81-(A4O14-O2)030017/0902ORIGINAL INSPECTED29A187Qgen, und- eine erste Vorspannungsschaltung (R1 , rtr) zum Teilen der Kollektor-Emitter-Spannung des ersten Transistors (Q4), um die Basis-Vorspannung für den ersten Transistor (Q.) zu erzeugen.. Logik-Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,- daß das Steuerglied aufweist:- einen zweiten Transistor (Q,), der mit der ersten Vor-Spannungsschaltung (RoA/ r-3R) verbunden ist, um einen Teil des durch die erste Vorspannungsschaltung (R^A/ R^) fließenden Stromes nebenzuschließen, und- eine zweite Vorspannungsschaltung (Rfi/ D1) zum Erzeugen der Basis-Vorspannung für den zweiten Transistor (Q,),- daß die zweite Vorspannungsschaltung (Rfi> D1) einen als eine Diode arbeitenden dritten Transistor (D1) aufweist, und- daß der zweite Transistor (Q,) und der dritte Transitsstör (D1) bei verschiedenen Emitterstromdichten arbeiten.5. Logik-Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,- daß der zweite Transistor (Q,) und der dritte Transistor (D1) bei verschiedenen Stromdichten arbeiten, um die Ubergangstemperaturabhängigkeit des Konstantstromquellen-Transistors (Qt) zu kompensieren.6. Logik-Anordnung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet,- daß der zweite Transistor (Q,) ein Mehrfachemitter-Transistor ist.030017/090229A18707. Logik-Anordnung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet,- daß der zweite und der dritte Transistor (Q verschiedene Emitterflachen aufweisen.m0017/0902
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12752778A JPS5553924A (en) | 1978-10-17 | 1978-10-17 | Semiconductor logic circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2941870A1 true DE2941870A1 (de) | 1980-04-24 |
| DE2941870C2 DE2941870C2 (de) | 1982-06-24 |
Family
ID=14962212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2941870A Expired DE2941870C2 (de) | 1978-10-17 | 1979-10-16 | Logikschaltung mit einem Strommodlogikkreis |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4329597A (de) |
| JP (1) | JPS5553924A (de) |
| DE (1) | DE2941870C2 (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0083208A3 (en) * | 1981-12-29 | 1984-12-27 | Fujitsu Limited | A bias circuit for an emitter coupled logic circuit |
| EP0131205A3 (en) * | 1983-07-08 | 1987-04-08 | International Business Machines Corporation | Logic circuit network comprising a common control potential generator |
| EP0266112A3 (en) * | 1986-10-29 | 1989-04-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Cml bias generator |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5883434A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-19 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| FR2519211A1 (fr) * | 1981-12-30 | 1983-07-01 | Radiotechnique Compelec | Etage de sortie pour circuit integre a reseau de portes de la technique ecl regule vis-a-vis des variations liees aux temperatures de fonctionnement |
| JPS6066518A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-04-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
| US4547881A (en) * | 1983-11-09 | 1985-10-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | ECL Logic circuit with a circuit for dynamically switchable low drop current source |
| JPH0720059B2 (ja) * | 1984-05-23 | 1995-03-06 | 株式会社日立製作所 | トランジスタ回路 |
| US4620115A (en) * | 1984-09-07 | 1986-10-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Voltage-temperature compensated threshold for hysteresis line receiver at TTL supply voltage |
| US4736125A (en) * | 1986-08-28 | 1988-04-05 | Applied Micro Circuits Corporation | Unbuffered TTL-to-ECL translator with temperature-compensated threshold voltage obtained from a constant-current reference voltage |
| US5013941A (en) * | 1989-08-17 | 1991-05-07 | National Semiconductor Corporation | TTL to ECL/CML translator circuit |
| US5045729A (en) * | 1989-11-15 | 1991-09-03 | National Semiconductor Corporation | TTL/ECL translator circuit |
| JP2995898B2 (ja) * | 1991-05-09 | 1999-12-27 | 日本電気株式会社 | Ecl出力回路 |
| US6483345B1 (en) * | 1999-06-23 | 2002-11-19 | Nortel Networks Limited | High speed level shift circuit for low voltage output |
| US6628145B1 (en) * | 2001-02-23 | 2003-09-30 | Resonext Communications, Inc. | High-speed logic gate |
| US6989685B1 (en) | 2004-08-19 | 2006-01-24 | International Business Machines Corporation | Method and system for maintaining uniform module junction temperature during burn-in |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1762809B2 (de) * | 1968-08-30 | 1977-11-24 | Tokyo Shibaura Electric Co, Ltd, Kawasaki, Kanagawa (Japan) | Mit konstantstrom schaltende logikschaltung |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3329836A (en) * | 1965-06-02 | 1967-07-04 | Nexus Res Lab Inc | Temperature compensated logarithmic amplifier |
| US3590274A (en) * | 1969-07-15 | 1971-06-29 | Fairchild Camera Instr Co | Temperature compensated current-mode logic circuit |
| US3622799A (en) * | 1970-04-20 | 1971-11-23 | Fairchild Camera Instr Co | Temperature-compensated current-mode circuit |
| JPS5090279A (de) * | 1973-12-10 | 1975-07-19 |
-
1978
- 1978-10-17 JP JP12752778A patent/JPS5553924A/ja active Granted
-
1979
- 1979-10-04 US US06/081,894 patent/US4329597A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-10-16 DE DE2941870A patent/DE2941870C2/de not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1762809B2 (de) * | 1968-08-30 | 1977-11-24 | Tokyo Shibaura Electric Co, Ltd, Kawasaki, Kanagawa (Japan) | Mit konstantstrom schaltende logikschaltung |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| IEEE International Solid-State Circuits Conference, Digest of Technical Papers, 1973, S. 168-169 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0083208A3 (en) * | 1981-12-29 | 1984-12-27 | Fujitsu Limited | A bias circuit for an emitter coupled logic circuit |
| EP0131205A3 (en) * | 1983-07-08 | 1987-04-08 | International Business Machines Corporation | Logic circuit network comprising a common control potential generator |
| EP0266112A3 (en) * | 1986-10-29 | 1989-04-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Cml bias generator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4329597A (en) | 1982-05-11 |
| DE2941870C2 (de) | 1982-06-24 |
| JPS635923B2 (de) | 1988-02-05 |
| JPS5553924A (en) | 1980-04-19 |
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