DE2815691A1

DE2815691A1 - Elektrooptisches bildsignal-verarbeitungssystem

Info

Publication number: DE2815691A1
Application number: DE19782815691
Authority: DE
Inventors: Satoru Itoh; Takashi Ozawa; Mutsuo Takenouchi; Syoji Wako
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1977-04-11
Filing date: 1978-04-11
Publication date: 1978-10-19
Also published as: US4177487A; DE2858221C2; GB1600772A; DE2815691C2

Description

Fuji Xerox Co., Ltd., Tokyo/japan Elektrooptisches Bildsignal—Verarbeitungssystem Beschreibung

Die Erfindung betrifft, ein elektrooptisches Bildsignal-Verarbeitungssystem. Insbesondere betrifft die Erfindung ein elektrooptisches Bildsignal-l/erarbeitungssy stem zur Umsetzung eines optischen Bildes in zeitlich aufeinanderfolgende elektrische Signale bzui. zum Umsetzen von zeitlich aufeinanderfolgenden elektrischen Bildsignalen in ein optisches Bild bzw. in ein elektrostatisches latentes Bild. Besonders befaüt sich die Erfindung mit einem elektrooptischen Bildsignal-Verarbeitungssystem, das imstande ist, Sekundärelektronen zu vervielfachen und Elektrodensegmente abzutasten, die in einer Richtung angeordnet sind.

Es sind bereits verschiedenartige Dokumentlesegeräte bekannt, mit denen ein optisches Bild in aufeinanderfolgende elektrische Signale umgewandelt werden kann, beispielsweise Bildaufnahmeröhren, Festkörper—Abbildungselemente und Photovervielfacherröhren, die kombiniert sind mit Bildröhren mit abgelenktem Lichtfleck oder einem abgelenkten Laserstrahl. Besonders in den letzten Jahren wurden Bildverstärker eingeführt, bei denen Kanalplatten als Bildsignal-Verstärkungsvorrichtung verwendet werden, und einige dieser Bildverstärker wurden bereits auf den liiarkt gebracht.

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Aufgabe der Erfindung ist es, ein elektrooptisches Bildsignal-Verarbeitungssystem zu schaffen, das ein Originalbild bzu/. eine Information auf einem Dokument in zeitlich sequenzielle elektrische Signale mit großer Auflösung und hoher Geschwindigkeit umsetzt bzw. zeitlich sequenzielle elektrische Signale in ein Bild, einen Buchstaben oder dergleichen umsetzt. Der elektrische Stromverbrauch des Systems soll dabei möglichst gering sein, und das System soll aufgrund der Verwendung von Sekundärelektronen-Vervielfachervorrichtungen und einer eindimensionalen Abtasteinrichtung kompakt und kostengünstig sein.

Diese Aufgabe wird durch ein elektrooptisches Bildsignal-Uerarbeitungssystem gelöst, daß gemäß der Erfindung gekennzeichnet ist durch eine Photoelektronen-Emissionsebene, die aus einer Anzahl von Segmenten besteht, die so groß wie Bildelemente sind und in einer Dimension angeordnet und derart gruppiert sind, daß jede Gruppe dieselbe Anzahl dieser Segmente enthält, eine Bildprojektionsvorrichtung zum Projizieren eines optischen Bildes eines Dokumentes auf der Photoelektronen-Emissionsebene und die es ermöglicht, daß jedes Photoelektronen-Emissiönssegment Photoelektronen ansprechend auf die Lichtdichte bzu/. Helligkeit des optischen Bildes emittiert, eine ffiehrzahl von Gitterelektrodensegmenten, von denen jedes einer Gruppe der Photoelektronen-Emissionssegmente gegenüberliegt, zur " Steuerung der Photoelektronenemission aus diesen, eine Sekundärelektronen-v/ervielf achervorrichtung, die Sekundärelektronen ansprechend auf den Einfall von Photoelektronen aus den Photoelektronen-Emissionssegmenten erzeugt, eine elektrische Stromauelle, die eine Spannung zur Beschleunigung der Sekundärelektronen liefert, eine Anode zum Auffangen der vervielfachten Sekundärelektronen und eine Einrichtung zum Ablenken bzw. Abtasten der Photoelektronen-Emissionssegmente vom einen Ende zum anderen und zur Ermöglichung, daß die Elektronen aus dem ausgewählten Photöelektronen-Emissions— segment die Sekundärelektronen-Uervielfachervorrichtung erreichen.

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Ui&itere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus.·. Ubr Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. V/on dan Figuren zeigen:

Fiq. 1 eine schematische Darstellung eines Bildverstärkers nach dem Stand der Technik, mit einem Sekundärelektronenvervielfacher;

Fig. ? eine vergröQerte Perspektivansicht eines Teiles des in Fig, 1 gezeigten Sekundärelektronenvervielfachers;

Fig. 3 eine schematische Darstellung eines Sekundärelektronenver— vielfachungsmechanismus;

Fig. 4 und 5 schematische Perepektiv-Teilschnittansichten einer

ersten bzw. einer zweiten Ausführungsform der Erfindung ;

Fig. 6 ein Blockschaltbild einer Treiberschaltung zur Erläuterung des Abtastvorganges bei den beiden Ausführungsformen;

Fig. 7 eine graphische Darstellung der elektrischen Potentiale des Steuergitter& und der Photokathode beim Abtasten;

Fig. 8 ein Schaltbild eines l/orverstärkers, der für jede der gezeigten Ausführungsformen geeignet ist;

Fig. 9 eine vergröQerte Teilperspektivansicht der Sekundärelek— tronen-Uervielfacherebene und der Steuerelektrode bei der zuzeiten Ausführungsform;

Fig. 1ü eine vergrößerte perspektivische Teilansicht eines anderen Ausführungsbeispiels der Sekundärelektronen-Uervielfacherebene und der Gitterelektrode;

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Fig. 11 eine schematische Perspektiv-Teilschnittansicht einer dritten, bevorzugten Ausführungsform der Erfindung; und

Fig. 12 ein Blockschaltbild der Treiberschaltung in Fig. 11.

Es wird zunächst auf Fig. 1 Bezug genommen. Der dort gezeigte bekannte Bildverstärker enthält eine Sekundärelektronen-Vervielfacherplatte, wie sie won der Galileo Electro-Optics, Co., Ltd. hergestellt wird und bei der ein Bild 1A eines Gegenstandes 1 wie ein Dokument oder eine Bildszene auf einer Photokathode 4 durch eine Fokussierlinse 2 fokussiert wird. Die won der photoelektrischen Oberfläche der Photokathode 4 ansprechend auf ein darauf projiziertes Bild 1A emittierten Elektronen werden zu einem Sekundärelektronenvervielfacher 5 gelenkt. Der Sekundärelektronenvervielfacher 5 ist, wie in Fig. 2 teilweise vergrößert gezeigt ist, aus einem Bündel von Sekundärelektronenvervielfacherröhren 9 zusammengesetzt, von denen jede einen Durchmesser von einigen 10 Λ< m besitzt, und eine Gleichspannung E2 wird an den Enden der Röhren angelegt. Fig. zeigt schematisch den Mechanismus bei der Sekundärelektronenvervielfachung einer Vervielfacherröhre 9; die auf der linken Seite in der Zeichnung eintretenden Elektronen werden durch ein Kaskadenverfahren vervielfältigt, so daß die Anzahl der an der Anode 10 entnommenen Sekundärelektronen mehrere 1000 mal so groß ist wie die Anzahl der eingeleiteten Elektronen. Da der Sekundärelektronenvervielfacher 5 die Struktur eines Röhrenbündels 9 aufweist, sind die vervielfachten Ausgangselektronen den Eingangselektronen an ihren jeweiligen Röhren zugeordnet. Wenn in Fig. 1 die multiplizierten Efektronen auf dem fluoreszierenden Körper 6 der Anode auftreffen, so wird ein verstärktes sichtbares Bild erzeugt. Dieses Bild wird über optische Fasern 7 gesendet. Dieser Aufbau kann unter Zuhilfenahme der optischen Fasern 7 zur Bildübertragung und eines photoempfindlichen Filmes, der am Ausgangsende der Fasern angeordnet wird, für eine Kamera für geringe Lichtstärken verwendet werden, die ein schwaches Bild verstärkt, das von einer Kamera mit liiellenlängenumsetzung oder einem Teleskop aufgenommen wird. Das in Fig. 1 gezeigte System kann bei einer hochempfindlichen Gitter-

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steile rung-Kamera, beispielsweise eine Streifenkamera, verwendet u/erden, wenn ein Siebgitter zwischen die Kathode 4 und den Sekundärelektronenvervielfacher 5 gesetzt wird oder eine EIN-AUS-Steuerung der Stromquellen E_? und E₁ durchgeführt wird. Um jedoch eine Auflösung von 10 Zeilen/mm bei dem Sekundärelektronenvervielfacher 5 zu erreichen, beträgt die Anzahl der röhrenförmigen Vervielfacherröhren 9, die gebündelt werden müssen, 10 für jeden Quadratzentimeter. Daher meist dieses System den Nachteil auf, daß es mit hohen Kosten verbunden ist. Da ferner das Sekundärelektronenvervielfachersystem ein ITietallgitter für die Gittersteuerung aufuieist, ist zwar eine simultane EIN-AUS-Steuerung des zweidimensionalen Bildes möglich, die Information des Bildelementes kann jedoch nicht in zeitlich seciuenzielle Signale umgesetzt werden.

Andererseits sind in der Technik bereits mechanische Ablenksysteme, elektronische Ablenksysteme und dergleichen als Bildaufzeichnungssysteme mit Ablenkung bzw. Abtastung bekannt. Die elektronischen Ablenksysteme werden hauptsächlich für Hochgeschwindigkeitsaufzeichnung bzw. -auslesung verwendet. Als elektrostatische Auf— Zeichnungssysteme sind bereits eine Vorrichtung mit einer Vielzahl von Stiften und elektrostatische Aufzeichnungsröhrenvorrichtungsn bekannt. Das System mit einer Vielzahl von Stiften benötigt eine große Anzahl von elektronischen Treiberschaltungen, die eine Hochspannung vertragen, die direkt an den Stiftelektroden angelegt wird, und daher ist es schwierig, das System als integrierte Schaltung herzustellen und die Kosten so zu senken. Bei dem elektrostatischen Aufzeichnungsröhrensystem ist die Ablenkschaltung für den Elektronenstrahl so kompliziert, daß sie nur mit- Schwierigkeiten in geringer Größe und damit kostengünstig hergestellt werden kann.

Fig. 4 zeigt eine schematische perspektivische Teilschnittansicht der ersten Ausführungsform der Erfindung. Ein elektrooptisches Bildsignal-Verarbeitungssystem, d.h. ein Dokumentlesesystem, enthält gemäß der Erfindung ein optisches System zur Erzeugung eines

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Bildes des Dokuments 21 , eine photoelektri sehe Umsetzvorrichtung -2? uoiD Typ eines Photoelektranenvervielfachers, eine Gittersteuerschaltung 23 und einen Vorverstärker 24. Dem Fachmann ist wohlbekannt, daß es ausreicht-, eine mechanische Ablenkvorrichtung zur Bewegung des Dokumentes oder Bines Sensors zu einem eindimensionalen Ablenksystem bzw. Abtastsystem hinzuzufügen, um Informationen wie Bilder und Buchstaben eines Originaldokumentes in zeiüich sequenzielle elektrische Signale umzusetzen. Die nachfolgende detaillierte Beschreibung erfolgt also nur unter Bezugnahme auf ein eindimensionales Abtast— bzw. Ablenksystem und dessen Arbeitsweise . · -"■■". :

Das optische System 21 ist zusammengesetzt aus einer Glasplatte 25 und einer optischen Linse 26 (z.B. SELFOC-Linse, die won der Nippon Sheet Glass Co., Ltd. hergestellt wird), deren Brennebene auf der Photokathode 27 liegt. Statt der SELFQC-Linse kann auch eine gewöhnliche Fokussierlinse verwendet, werden. Die Photokathode 27 ist in eine Anzahl von Segmenten unterteilt, von denen jedes die Größe eines Bildelementes aufweist, welche in einer Dimension angeordnet sind; zusätzlich sind diese Segmente elektrisch voneinander isoliert und werden mit ihren jeweiligen Spannungen versorgt. Uienn die Umsetzung von Informationen auf einem Dokument in elektrische Signale mit einer solchen Genauigkeit, erfolgen soll, daß eine Auflösung von 8 Zeilen pro mm erforderlich ist, so kann die Segmentgrööe der Photokathode 27 100 m χ 100 m betragen, mit einem Abstand von 125 m. Die photoelektrische Umsetzvorrichtung 22 ist zusammengesetzt aus der Photokathode 27, einer Sekundär— elektronen-Vervielfachervorrichtung 30, einer Anode 31 und einem evakuierten Gehäuse 32, das diese Elemente in der genannten Reihenfolge angeordnet enthClt. Die Vorrichtung 2? ist mit der 'Gitter— st.euc;r serial tu ng 23 zum eindimensionalen Ablenken und mit den Vor-' verstärkern 24 zum Verstärken des erfaßten Signals verbunden.

Die l'hotükathode 27 ist ein unter Vakuum aufgedampfter Film aus Sb-Cs, Ag-O-Cs oder Ag-Bi-O-Cs, der in einer Anzahl von elektrisch

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diskontinuierlichen Segmenten 27a, 27b,... unterteilt ist. Jedes Segment, ist hergestellt durch ein Siebgitter-Verdampfungsverfahren und chemische Behandlung mit Cäsiumdampf und bildet, eine eindimensionale photoelektrische Platte. Die Vervielfachervorrichtung 30 ist zusammengesetzt aus einer Gitterelektrode 28 an dem Ende, ujo die Elektronen eintreten, Sekundärelektronen-Vervielfacherplatten (kontinuierliche Dinode) 29, die parallel zueinander angeordnet sind, um einen Raum für den Elektronenujeg dazwischen zu bilden, und Elektroden 42, 43, die jeu/eils an den Sekundärelektronen-Vervielfacherplatten 29 gebildet, sind. Obwohl die Gitterelektrode 28 in Fig. 4 als eine Anzahl won parallel angeordneten dünnen Leitern gezeigt ist, kann sie in der Praxis ersetzt werden durch ein ftletallgitter mit Löchern, durch die Photoelek— tronen hindurchgelangen können. Im übrigen besteht die Gitterelektrode 28 aus einer fflehrzahl von großen Segmenten 28a, 28b,..., die jeweils eine solche Größe aufweisen, daß sie den Durchgang von Elektronen aus einem oder mehreren Photokathodensegmenten gleichzeitig steuern können. Jegliches leitende Material wie Gold, Silber, Aluminium, Wolfram oder eine rostfreie Legierung usu/. können für die Gitterelektrode 28 verwendet werden. Die Sekundärelektronen-Uervielfacherplatte (kontinuierliche Dinode) 29 ist eine Kombination aus zwei parallelen isolierten Substraten, die jeweils eine Innenoberfläche aufweisen, auf der eine Schicht zur Emission von Sekundärelektronen gebildet ist. Werkstoffe für eine Sekundärelek— tronen-Vervielfacherplatte 29 sind gewöhnlich PbO-Glas, bei dem eine Oberfläche durch ein Wasserstoffreduktionsverfahren in einen n—Leitungstyp—Halbleiter umgesetzt ist, anorganische Substanzen wie Halbleiterkeramik, die hauptsächlich aus Bariumtitanat zusammengesetzt ist, und Halbleiterkeramik, die hauptsächlich aus Zinnoxid zusammengesetzt ist, oder organische Substanzen wie Polyäthylen, Polyvinylchlorid und Polystyrol. Die Anode 31 kann eine Hfletall- oder eine Glasplatte sein, auf der unter Vakuum Aluminium aufgedampft ist. Die Anode ist nahe dem Austrittsende der Sekundärelektronen-Vervielfacherplatten 29 angeordnet.

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Fig. 6 zeigt eine Ausführungsform der Gattersteuerschaltung 23. Eine Photokathoden-Ablenkschaltung 40 enthält einen Multiplexer oder ein Schieberegister mit einem Zähler (z.B. SN74154 von TI Co., Ltd.) oder einen Ringzähler 33, einen Photokoppler 34 und Eingangsanschlüsse für Taktimpulse 35. Die Photokathgdensegmente sind unterteilt in viele Gruppen, von denen jede dieselbe Anzahl von Segmenten 27a bis 27n aufweist. Kathodensegmente an denselben relativen Stellen in den jeweiligen Gruppen sind gemeinsam miteinander mit den jeweiligen Ausgangsanschlüssen des Ringzählers 33 verbunden. Eine Gitterelektrode-Ablenkschaltung 41 enthält einen Ringzähler 36, der den gleichen Aufbau wie Ringzähler 33 aufweisen kann, einen Photokoppler 37 und Eingangsanschlüsse für Taktimpulse 38. Die Ausgänge des Ringzählers 36 werden an die Gitterelektroden 28a, 28b... angelegt. Eine Stromnuelle ist mit Anschluß 39 verbunden. Jedes Gitterelektrodensegment ?8a, 28b... liegt einer Gruppe von Photokathodensegmenten 27a, 27b... 27n gegenüber und dient zur Steuerung der dort hindurchlaufenden Photoelektronen, lüenn ein Taktsignal C,. dem Anschluß 35 zugeführt wird, so wird ein Ausgangsanschluß des Ringzählers 33 in den Zustand EIN versetzt, während die anderen Ausgänge im Zustand AUS verbleiben, und zwar aufgrund der U/irkung eines eingebauten Adressenzählers (nicht dargestellt). Bei dieser Ausfuhrungsform beträgt an jedem Ausgangsanschluß die Spannung -503 Volt im Zustand EIN und -497WoIt im Zustand AUS. lüenn ein Taktsignal C₂ niit einer Impulswiederholungsfrequenz, die η mal größer ist als diejenige des Taktsignals C, (n steht für die Zahl der Photokathodensegmente in einer Gruppe) an einem anderen Anschluß 38 angelegt wird, so wird einer der Ausgangsanschlüsse des Ringzählers 36 in den Zustand EIN geschaltet, und die übrigen verbleiben im Zustand AUS, und zwar aufgrund der Wirkungsweise eines eingebauten Adressenzählers (nicht dargestellt)· Bei dieser Ausführungsform beträgt die Spannung an jedem Ausgangsanschluß -500 UoIt im Zustand EIN und -506 UoIt im Zustand AUS. In Fig. 7 zeigen eine durchgezogene bzw. eine punktierte Linie jeweils wie die Spannungen der Photokathodensegmente bzw. der Gittersteuerungssegmente sich vom Zustand EIN in den Zustand AUS verändern. Das Gitter-

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Blektrodensegment erlangt eine höhere Spannung als das Photokathodensegment, das diesem gegenüberliegt, und u;ird folglich positiv gegenüber der Photokathode nur dann vorgespannt, wenn beide Segmente gleichzeitig im Zustand EIN sind. Nur luenn also beide Segmente im Zustand EIN sind und Licht auf das Photokathoden— segment projiziert wird, so u/erden also die von den Segmenten der Photokathode 27 emittierten Elektronen von der Gitterelektrode 28 angezogen. Wegen des Hochspannungsgradienten zwischen dem Dinodenanschluü 42 und der Gitterelektrode werden fast alle Photoelektronen von den Sekundärelektronen-Vervielfacherplatten 29 angezogen und treffen auf diese auf. Oa diese Elektronen auf der Sekundärelektronen-Abgabeebene 29 aufschlagen, um eine vergrößerte Anzahl von Elektronen darin freizusetzen, ist die Anzahl der am anderen Ende bzw. am Ausgang emittierten Elektronen einige Male größer als die Anzahl am Eingang, wenn die Reihenfolge der Figur zugrundegelegt wird. Die vervielfachten Elektronen werden an der Anode 31 aufgefangen. Ein an der Anode erzeugter elektrischer Strom wird von einem Vorverstärker 24 verstärkt, und Bildelementsignale werden durch Detektion des elektrischen Stromes erhalten. In Fig. uiird übereinstimmend mit der Ankunft jedes Taktsignals C, eines der Photokathodensegmente im Zustand EIN des entsprechenden Gitterelektrodensegmentes eingeschaltet, so daß die Aktivierung der Photokathodensegmente beispielsweise vom linken Ende 27a zum rechten Ende 27n verschoben wird. Das bedeutet, daß die eindimensionale Ablenkung bzw. Abtastung der Photokathodensegmente erreicht wird.

Fig. 8 zeigt eine bevorzugte Ausführungsform des Vorverstärkers nach der Erfindung. Der Pegel des ursprünglichen Ausgangssignals an der Anode 31 ist so klein, daß eine Stromverstärkungsschaltung mit niedriger Eingangsimpedanz und hoher Ansprechgeschwindigkeit bevorzugt wird.

Beim Erfindungsgegenstand ist eine nur sehr kurze Zeit von weniger als- 10 Nanosekunden erforderlich, um Ausgangssignale an der Anode 31 zu erhalten, nachdem die Photoelektroden die Photokathode 27 verlassen haben. Eine hohe Verarbeitungsgeschwindigkeit von 100 IHlHz

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kann möglich sein, u'enn nur die zeit für die photoelektrische Umwandlung berücksichtigt wird. Ferner u'ird die eindimensionale Ablenkung mit einem Niederspannungsignal von einigen wenigen Volt durchgeführt, und der Stromverbrauch ist niedrig, uieil die Sekundärelektronen-Vervielfachungsvorrichtung mit parallelen flachen Platten arbeitet. Folglich kann ein Dokumentlesesystem geschaffen werden, das kompakt ist, kostengünstig ist und eine hohe Arbeitsgeschuiindigke.it aufweist. Ferner ist es offensichtlich, daß das Dokumentlesesystem imstande ist, eine beliebige Breite abzutasten, indem geeignete Längen für die Photokathode und die Steuergitterelektrode gewählt u/erden, die in einer Dimension angeordnet sind, und indem die Größe der Photokathodensegmentleitungen möglichst gering gemacht wird, um die Auflösung zu verbessern. . Beim Erfindungsgegenstand ist ferner die Helligkeit der zur Beleuchtung des Dokumentes erforderlichen Lichtciuelle niedriger als bei den bekannten Lichtnuellen, so daß eine kleine und einfache Lichtciuelle verwendet werden kann.

Fig. 5 zeigt eine schematische perspektivische Teilschnittansicht, der zweiten Ausführungsfarm der Erfindung, wobei dieselben bzw. äquivalente Teile mit denselben Bezugszeichen wie in Fig. 4 bezeichnet sind. Beim Vergleich mit Fig. 4 fällt auf, daß diese Ausführungsform durch eine Gitterelektrode ?8 und eine Sekundärelektronen-Vervielfacherplatte 29 gekennzeichnet, ist, die auf einem einzelnen isolierenden Substrat gebildet sind. Fig. 9 zeigt eine vergrößerte Perspektivansicht eines Teiles der Gitterelektrode 28- und der Sekundärelektronen-Vervielfacherplatte 29. Jedes der Gitterelektrodensegmente 28a, 28b... ist wie bei der ersten Ausführungsform gegenüber einer entsprechenden Gruppe von Photokathodensegmenten 27a, 27b... 27n angeordnet und dient zum gatterartigen Steuern der Photoelektronen, die von dem Photokathodensegment emittiert werden. Da die Treiberschaltung denselben Aufbau und dieselbe Arbeitsweise wie diejenige in Fig. 6 aufweist, entfällt eine detaillierte Beschreibung.

Bei einem Erprobungsaufbau wurden die in Fig. 5 gezeigte Anordnung der Teile und die in Fig. 6 gezeigte Ablenksteuerschaltung 23 ver-

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irendet. Als optische Linse in dem optischen System 21 zur Erzeugung eines Bildes für die Duplikation eines Dokumentes luurde eine Linse vom Typ Fujinon EPF 5-6/f90mm verwendet., die von Fuji Photofilm Co., Ltd. hergestellt uiird. Die Photokathoden-Ablenkschaltung 40 in der Steuerschaltung 23 war zusammengesetzt aus zu-ei Schieberegistern mit 16 Gattern und eingebautem Zähler (der genannte Typ SN 74154), einem Photokoppler und drei Zener— dioden usw. Die Gitterelektroden-Ablenkschaltung 41 war zusammengesetzt aus einem Schieberegister des oben genannten Typs und einem Photokoppler usu.·. Jedes Photokathodensegment 27a,... 27n blieb im Zustand AUS auf -497 UoIt und -503 UoIt im Zustand EIN. Die Gitterelektrodensegmente 28a, 28b... verblieben hingegen auf -506 UoIt im Zustand AUS und auf -500 UoIt im Zustand EIN. IiJe η η also beide Elektrodensegmente im Zustand EIIM waren, so wurde das Potential der Gitterelektrode +3 UoIt höher als dasjenige der Photokathode. PbO-Glasplatten der Größe 10 χ 10 χ 50mm wurden als Substrate für die Uervielfacherplatten 29 verwendet. Jede Platte wurde poliert, nachdem ein Ende abgeschrägt bzw. verjüngt wurde. Über dem verjüngten Teil wurden sieben dünne Dünnschichten aus Gold mit 4 mm Breite durch Aufdampfen gebildet, um getrennte Gitterelektrodensegmente 28a, 28b... zu bilden. Zwei von diesen Platten, deren Oberflächen, die nicht die Sekundärelektronen-Uervielfacheroberflschen bilden, durch einen Schutzfilm abgedeckt waren, wurden in einen Reduktionsofen gebracht, der auf 350-400⁰C gehalten wurde, um kontinuierliche Dinoden 29 zu bilden; nach Befestigung der Dinoden-Spannungsversorgungsanschlüsse 42, 43 an diesen Uervielfacherplatten 29 wurden diese zwei Platten einander gegenüber mit 100 Mm dicken Abstandshaltern (nicht gezeigt) dazwischen aufgebaut. Die Anode 31 war ein Aluminiumfilm der Größe 200 M m χ 50 mm, der auf einem Glassubstrat aufgedampft war. Zur Herstellung der Photokathode 27 wurden Sb-Dampf und Cäsiumdampf verwendet, die durch Erhitzen von CS„CrO. erhalten wurden. Die Größe jedes Segmentes betrug 100 .L/m χ 100 ^KH, und die Segmente wurden jeweils einzeln alle 125 »Mm über 50 mm angeordnet. Nach Bildung der Photokathode 27 wurden verschiedene Uerfahren in Uakuum durchgeführt. Das Gehäuse

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32 wurde unter Vakuum mit Indium abgeschirmt, so daü es an Luft arbeiten konnte. Bei Projektion eines eindimensionalen optischen Bildmusters auf der Photokathode 27 mittels des Optiksystems 21 wurde die Abtaststeuerschaltung 23 aktiviert, und die aus dem Vorverstärker 24 erhaltenen elektrischen Signale wurden an ein Speicheroszillöskop angelegt, luobei die auf dessen Schirm uiiedergegebene UJellenform genau mit dem ursprünglichen Bildmuster übereinstimmte .

Da bei der zureiten Ausführungsform die Gitterelektrode 20 und die Sekundärelektrorien-Veruielfacherplatten 29 auf einem gemeinsamen Substrat angeordnet sind, weist diese insofern zusätzliche Vorteile auf, als ihre Herstellung, ihr Zusammenbau und ihre Abstimmung einfach ist, und gleichzeitig steigt, auch die mechanische Festigkeit. -

Fig. 10 ist eine perspektivische schematische Teilschnittansicht einer weiteren Ausführungsform der Sekundärelektronen-Vervielfacherplatte, die bei den beiden AusfühTungsformen verwendet werden kann. Die Gitterelektrode und die Sekundärelektronen-Vervielfächeroberflache sind nicht zu Isolierzwecken getrennt sondern kontinuierlich auf einem gemeinsamen Substrat angeordnet. Eine Seite 44 des Substrats wird als Gitterelektrode verwendet, die aus einer Anzahl von Segmenten 44a, 44b... besteht, und jede Sekundärelektronen-Vervielfacherplatte 29 ist unterteilt in eine Anzahl von Segmenten, die sich in Richtung des Elektronenweges erstrecken. Natürlich weist die Vorrichtung nach diesem Ausfuhrungsbeispiel dieselbe Arbeitsweise und Wirkung auf wie diejenige nach der zweiten Ausführungsform. Diese gleiche Arbeitsweise und Wirkung wird ferner auch dann erreichtj wenn die Unterteilung der Sekundärelektronen-Vervielfacherplatten 29 in Richtung der Elektronenbewegung nicht über die gesamte Länge vom Eintritt bis zum Austritt, der Elektronen erfolgt, sondern nur in der |\jähe des Elektroneneintritts, wo der größte Teil· der Spannung abfällt, um die Elektronen anzuziehen.

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Fig. 11 zeigt eine perspektivische schematische Teilschnittansicht Eiiner uieitare-n Ausführungsform der Erfindung, bei der die Sekunden;] Pktronen-Vervielfachungsfunktion und eine eindimensionale El fik t ruüBnsegnient—Ablenk funt ion nach der Erfindung angewendet •j errinn bei einem elektrooptischen Bildsignal-Uerarbeitungssystem odtr einem Bildsignal-Aufzeichnungssystem, das zeitlich seauenzielle bzu). aufeinanderfolgende Bildsignale in ein optisches Bild, beispielsweise ein Buchstabe, ein graphisches Bild usiu., oder in ein elektrostatisches latentes Bild umsetzt. In der Figur bedeuten Teile, die mit. denselben Bezugszeichen versehen sind, wie in Fig. und Fig. 5, äquivalente Teile. Die Photokathode 27, die aus einer mehrzahl von Segmenten mit Uildelementgröüe besteht, ujird mit einer Spannung aus der Gittersteuerschaltung 23 versorgt und emittiert Pnotoelektronen, mährend sie von einem Leuchtkörper 52 gleichmäßig beleuchtet wird. Eine flache Platte aus Elektroluminiszenzmaterial ist als Leuchtkörper 52 geeignet. Das Steuergitter ist zwar zur Vereinfachung als Stab gezeigt, der dem Photokathodensegment gegenüberliegt, dabei kann es sich jedoch in Wirklichkeit um ein Hf'ietallgitter handeln, wie anläßlich der ersten und zweiten Ausführungsform erl-utort wurde. Ein graues Steuergittersegment ist gemeinsam mit einer Gruppe von Kathodensegmenten vorgesehen. Der Sekundärelektronen-Uervielfacherteil ist eine parallele Anordnung aus dünnen Röhren zur Bildung t?ine.*r Sakundärelektronen-Uervielfachereinrichtung 29A, von denen jede über die Elektroden 42A und 43A, die mit den Eingangs- bzw. Ausgeingsenden verbunden sind, mit Spannung versorgt wird. Der Querschnitt der Uervielfacherrohren 29A ist nicht großer als die Bildelementgrüöe, und eine oder mehrere Röhren 29A sind einem Bildelement bzw. einem Photokathodensegment zugeordnet. Die Anode 3ΊΛ ist ferner in Segmente mit Bildelementgröße unterteilt. Uedes ι f. ι 'jnginente und dip. entsprechende fitiftelektrode 57, welche did Innt-nstii te mit dnr Außenseite des evakuierten Gehäuses 32 verbindet, sind in oinetn Kbrpur aufgebaut bzw. miteinander verbunden. Eine fiiickelsktrode 58 liegt hinter einem isolierenden Aufzeichnungsrripriium 59 an den Stiftelektroden 57, und diese Elektrode 58 ist rril jtdeT der Anoden 31A und den Stift&lektroden 57 über eine Hoch—

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r-pannungsnutilla E5 una jeweils einen Lastwiderstand 51 verbunden. Die Spannung der Spannungsciuelle E5 ist so gewählt, daO sie etwas niudriyer it;i- als die Auslüsespannung für eine Entladung zwischen den Stiftelektroden 57 und der Rückelektrode 58.

Fig. 12 zeigt ein Blockschaltbild einer Treiberschaltung, die zur L rl.:u terung des Ablenkvorganges bei dieser Ausführungsform dargestellt ist, wobei dieselben Uezugszeichen wie in Fig. 6 und 11 entsprechende Teile bezeichnen. Zunächst erfolgt, eine Erläuterung, uie das Gitter für den Durchgang der Photoelektronen gesteuert wird, die von den durch die Lichtaueila 52 erregten Photokathoden ?7a, 27b... emittiert werden. Mit dem Eingang (a) des Sekundärelektronenvervielfachers 29Λ als üezugsgröße liefert die Strom-QUt³IIe E1 eine Spannung (b) von -5G6 UoIt an eine Konstantspannungs-RChai tung 61, die wiederum Spannungen (c) und (d) von -503 UoIt bzw.-497 UoIt liefert, um sie einem Ringzähler 33 zuzuführen. Somit wird nur einer der Ausgyngsanschlüsses des Ringzählers 33, beispielsweise Anschluß g, in den Zustand EIN geschaltet, und seine Spannung wird -503 UoIt, während der andere Anschluß im Zustand AUS bei —497 UoIt verbleibt. Diese Spannungen werden jeweils an den entsprechenden Photokathodensegmonten angelegt. Wie in der Figur gezeigt ist. jeder Ausgangsanschluß des Ringzählers 33 mit jedem Photokathodensuginnnt an derselben Relativposition in den jeweiligen Gruppen verbunden, die mit. den Gitterelektrodensegmenten 28a, 28b in Klassen eingeteilt sind. Ferner werden zwei Spannungen, nämlich-606 UoIt (e) und -50Ü UoIt (f), die in der Konstantspannungsschaltung 62 erzeugt werden, dem Fiingzähler 36 und UND-Gattern 65 zugeführt. Folglich entstehen die Ausgangssignale "O" (im Zustand AUS) und "1" (im Zustand EIN) des Ringzählers 36 und die UND-Gatter 65 führt η juweils -bO6 UoIt (e) bzw. -500 UoIt (f). Die Ausgänge aer uku-Gctter fc5 werden juweils an die? Gittersegmente 28a, 28b... pngRlngt. uUenn sin Taktsignal C. an den Ringzähler 33 über eine Isolitireinrichtung 66 angelegt wird, so wird ein Ausgangsanschluü des Zählers ausgewählt, um eingeschaltet zu werden, und diese Aus—

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wahl uiird durch das darauffolgende Taktsignal verschoben, so daß die Spannung des ausgewählten einen Photokathodensegments 27a, 27b... in jeder Gruppe von -497 WoIt auf -503 UoIt geändert wird (uiie in Fig. 7 gezeigt). Diese Taktimpulse C₁ u/erden einem Frenuenz— teiler 66 zugeführt, der Taktimpulse C„ an den Ringzähler 36 abgibt. Jeder Ausgang des Ringzählers 36 ist an einen Eingang jedes UND-Gatters 65 ange?legt, und ferner wird ein Zeitsenuenz-Bildsignal (j) an den anderen Eingang des Gatters 65 über eine Trennstufe bzw. Isolierstufe 67 angelegt. Unter der Bedingung, daß das Videosignal bzw. Bildsignal j seinen Logikzustand "1" annimmt, so u/ird UND-Gatter 65, das durch das logische Ausgangssignal "1" des RingzLhlers 36 ausgewählt wurde, eingeschaltet, und treibt das entsprechende Gittersegment in seinen Zustand EIN. Die Spannungen an den Gittersegtnenten 28a, 28b... werden folglich von -506 UoIt auf —500 UoIt geändert, in Abhängigkeit von Taktsignal C„ und dem Zeitseauenz-Bildsignal (j), wie in Fig. 7 gezeigt. liJenn das Photokathodensegment auf -503 UoIt liegt und das Gitterelektrodensegment auf -500 UoIt ist, so beträgt die Spannungsdifferenz dazwischen +3 UoIt und ermöglicht es, daß das Kathodensegment Elektronen emittiert. Unter anderen Bedingungen ist die Uorspannung -3 UoIt oder -9 UoIt, und die Photoelektronenemission wird unterdrückt, li/enn folglich das Teilerverhältnisdes Freauenzteilers 68 gleich der Anzahl der Photokathodensegmente in einer Gruppe von Kathodenseg— menten gewählt wird, die entlang einem der Steuergittersegmente 28a, 28b... angeordnet, sind, so werden alle Photokathodensegmente beispielsweise in Fig. 12 vom linken zum rechten Ende eines nach dem anderen abgetastet. Nur wenn das Bildsignal im Zustand "1" ist, so können die von dem Segmentteil oder Photokathodensegment emittierten Photoelektronen durch das Steuerelektrodensegment hindurchgelangen. Nach Durchlaufen des Steuerelektrodensegmentes werden die Photoelektronen durch ein Zwischenelektrodenpotential von etwa 500 UoIt beschleunigt, bevor sie die Sekundärelektronen-Uervielfacherröhre 29A erreichen. Die darin vervielfachten Elektronen werden an der Anode 31A aufgefangen. Im Ergebnis tritt ein Spannungsabfall in der in der Zeichnung gezeigten Richtung am Lastwiderstand 51 auf.

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Da die Stromauelle E5 eine Spannung liefert, die etwas niedriger ist als der Auslösepegel für eine Entladung zwischen den Stiftelektroden 27, die mit den Anoden 31A verbunden sind, und der RiJckelektrode 58, führt, eine Spannung am Lastiuiderstand 51 zur Auslösung der Entladung, u/as zu einer bestimmten Höhe einer elektrostatischen Ladung auf der Oberfläche des isolierenden Aufzeichnungsmedium? 59 entsprechend der Intensität des Bildsignals führt.

bereits erwähnt erfolgt die eindimensionale Abtastung mittels Stiftelektroden 57. LJenn also das Aufzeichnungssystern nach der Erfindung bzu/. das Aufzeichnungsmedium rechtwinklig zur Abtast— richtung bewegt wird, so wird ein zweidimensionales elektrostatisches Bild auf dem Aufzeichnungsmedium erzeugt. Das in der beschriebenen Üieise erzeugte elektrostatische Bild wird mit. einem gewöhnlichen Verfahren zu einem sichtbaren DiId entwickelt.

Es ist offensichtlich, daß anstelle der Elektronenamissionsplatte (Leuchtkörper 52 und Hhotokathode 27) sine thermische Ionenemissionskathode verwendet werden kann, öle iJtiftelektroden 57 können ersetzt werden durch eine fluoreszierende Tafel, die ansprechend auf die vervielfachten Elektronen Licht erzeugt, um photoempfindliches Material direkt zu belichten oder ein elektrostatisches latentes Bild zu erzeugen. Es ist. auch möglich, ein Bündel von Sekundärelektronen-l/ervielfacherruhren 29A für ein einzelnes Bildolement zu verwenden. Der Querschnitt kann mit beliebiger Form ausgebildet, werden, sofern eine solche Unterteilung erfolgt, daß in Abtastrichtung die gewünschte Auflösung erzielt wird. Ferner ist es offensichtlich, daß ein gleicher Effekt, erzielt wird, wenn ein Photokathodeni-treifen 27 anstelle von Kathodensegmenten verwendet wird und eint ti t eueralektrode 28 in eine Anzahl von Segmenten unterteilt wird, die jeweils eine sofche Größe aufweisen, daß die erforderliche Auflösung erreicht wird, und die unabhängig steuerbar sind. Ferner kann diese Ausführungsform bei einem System angewendet, werden, bei dem die Stiftelektrode 57 und die damit zusammenwirkende Elektrode auf derselben Seite wie das Aufzeichnungsmedium 59 angeordnet sind.

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Durch die Erfindung ergaben sich also folgende Vorteile: Da die Spannung mit einem Pegel, dar etwas niedriger ist als das Auslöse— potential für eine Entladung, zuvor zwischen der Stiftelektrode 57 und der damit zusammenwirkenden Elektrode 58 angelegt wird, reicht eine relativ niedrige Spannung am Lastu/iderstand 51 aus, um die Entladung zwischen den zwei Elektroden auszulösen, und folglich ist der Strom über die Anode 31A ebenfalls klein. Aufgrund der Elektronenvervielfachungsfunktion, die unter Bezugnahme auf die anderen Ausführungsformen beschrieben wurde, sind ferner die von der Steuerschaltung zu steuernden Spannungen niedrig, und folglich kann die erfindungsgemäöe Vorrichtung mit geringer Größe und niedrigen Kosten hergestellt werden.

Kurz umrissen wird also durch die Erfindung ein elektrooptisches Bildsignal-Uerarbeitungssystem geschaffen, bei dem ein optisches Bild in zeitlich seauenzielle elektrische Bildsignale umgesetzt wird oder umgekehrt zeitlich seauenzielle elektrische Bildsignale in ein optisches Bild oder ειϊη elektrostatisches latentes Bild umgesetzt wird. Das System ist versehen mit einer Elnktronenemissionsebene, die in einer Dimension angeordnet ist, einer Steuerelektrode, die gegenüber dieser Ebene angeordnet ist, um den Durchlaü uon Elektronen aus der Elektronenemissionsebene zu steuern, einer Sekundärelok tronen-Varvielf achervorrichtung, die Sekundär— elektronen ansprechend auf die die Steuerelektrode durchlaufenden Elektronen abgibt, und einer Anode, welche die vervielfachten Sekundrirelektronen aufsammelt. Von der Elektronenemissionsebene und der Steuerelektrode ist wenigstens eine in eine Anzahl von Segmenten unterteilt, die so grau wie Bildelemente sind und in einer Dimension angeordnet sind, und vom einen Ende zum anderen wird eines der Segmente ausgewählt. UJenn ein optisches Bild in zeitlich seauenzielle elektrische Signale umgesetzt wird, so wird die Anzahl der einen ausgewählten Sogmenttail durchlaufenden Elektronen ansprechend auf die Helligkeit jedes Bildelementes des optischen Bildes gesteuert. •Je η η umgekehrt, zeitlich seauenzialle elektrische Signale in ein optisches Bild oder ein elektrostatisches latentes Bild umgesetzt

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ujerden, so wird die Potentialdif f erenz zwischen dem ausgewählten Teil der Elektronenemissionsebene und der Steuerelektrode durch Zeitsenuenz-Bildsignale gesteuert.

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-ΖΊ-

Leerseite

Claims

Fuji Xerox Co., Ltd., Tokyo/Japan Elektrooptisch^s Bildsignal-Uerarbeitungssystem Pa tentansprüchs

1. Elektrooptisches 3ildsignal-Verarbeitungssystem, gekennzeichnet durch

eine Photoelektronen—Emissionsebene (27), die aus einer Anzahl von Segmenten (27a, 27b, 27c...) besteht, die so groß u'ie BiIdelemente sind und in einer Dimension angeordnet und derart, gruppiert, sind, daß jede Gruppe dieselbe Anzahl dieser Segmente enthält,

eine Bildprojektionsvorrichtung (21) zum Projizieren eines optischen Bildes eines Dokumentes auf der Photoelektronen-Emissionsebene (27) und die es ermöglicht, daß jedes Photoelektronen-Emissionssegment. Photoelektronen ansprechend auf die Lichtdichte bzw. Helligkeit des optischen Bildes emittiert,

eine Mehrzahl von Gitterelektrodensegmenten (28a, 28b, 28c...), von denen jedes einer Gruppe der Photoelektronen-Emissionssegmente (27a, 27b, 27c...) gegenüberliegt, zur Steuerung der Photoelektronenemission aus diesen,

eine Sekundärelektronen-Vervielfachervorrichtung (30), die Sekundärelektronen ansprechend auf den Einfall von Photoelektronen aus den Photoelektronen—Emissionssegmenten erzeugt,

eine elektrische Stromciuelle, die eine Spannung zur Beschleunigung der Sekundärelektronen liefert,

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ORIGINAL FNePECTED

eine Anode (31) zum Auffangen der vervielfachten Sekundär— elektronen und

eine Einrichtung (23) zum Ablenken bzw. Abtasten der Photo— elektronen-Emissionssegmente vom einen Ende zum anderen und zur Ermäglichung, daß die Elektronen aus dem ausgewählten Photoelek— tronen—Emissionssegment, die Sekundärelektronen-VerviBlfschervorrichtung (3D) erreichen.

2. Elektrooptisches Bildsignal—Verarbeitungssystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dia Ablenk- bzu/. Abtasteinrichtung eine Einrichtung zum Auswählen eines der Photoelektronen-Emissionssegmente in jeder Gruppe zum Einschalten desselben, während die anderen im Zustand AUS verbleiben, und eine Einrichtung zum Auswählen eines der GitterelektrodensegmBnte zum Einschalten desselben und zum Belassen der anderen im Zustand AUS enthalt, wobei nur zu dem Zeitpunkt, wo sowohl ein Photoelektronen-Emissionssegment als auch das zugeordnete Gitterelektrodensegment im Zustand EIN sind, die von dem Photoelektronen-Emissionssegment emittierten Photoelektronen durch die Gitterelektrode hindurch zu der Sekundärelektronen-Vervielfachervorrichtung gelangen können.

3. Elektrooptisches Bildsignal-Verarbeitungssystem nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Sekundärelektronen-Vervielfachervorrichtung (30) zwei Platten (29) enthält, die parallel zueinander mit ihren Sekundärelektronen—Vervielfacherschichten auf der Innenseite angeordnet sind, wobei ein Raum für den Durchgang der Elektronen freigelassen ist.

4. Elektrooptisches Bildsignal-Verarbeitungssystem nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Gitterelektrodensegmente (28a, 28b, 28c...) auf den Oberflächen der Platten gebildet sind, welche die Sekundärelektronen-Vervielfacherschichten tragen, und zwar derart, daß sie von diesen isoliert sind.

5. Elektraoptisches Bildsignal—Verarbeitungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Gitterelektroden-

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segments (28a, 28b, 28c...) auf den Oberflächen der Platten gebildet sind, welche die Sekundürelektronen-Vervielf acherschi chten tragen, und zwar derart, claß sie damit in Berührung sind, und daü ü.¹ e η i g s te ns Teile de r Sekünd a relekt ro η en—\/ervielfache rschic h te η, die in der Nähe der Elektrodensegmente liegen, in eine Mehrzahl von Segmenten längs eines Elektronenweges unterteilt sind.

6. Elektrooptischen Bildsignal—Verarbeitungssystem, gekennzeichnet durch

eine in einer Dimension angeordnete Elektronenemissionsebene,

eine Gitterelektrode zur Steuerung des Durchlasses von aus der Elektronenemissionsebene emittierten Elektronen,

eine Anzahl von Sekundärelektronen-Vervielfachervorrichtungen, von denen jede einen Querschnitt aufweist, der nicht größer ist als die Bildelementgröüe, und ,Sekundärelektronen ansprechend auf den Einfall von Photoelektronen aus der Elektronenemissionsebene erzeugt,

eine elektrische Stromquelle, die eine Spannung zum Beschleunigen der Sekundärelektronen erzeugt und

eine Anode, die aus einer Anzahl von Segmenten besteht, die so groß uiie Bildelemente sind, zum Auffangen der vervielfachten Sekündarelektronen,

wobei von der Elektronenemissionsebene und der Gitterelektrode wenigstens eine in einer Anzahl von Segmenten mit Bildelementgröße unterteilt ist:, die eindimensional abgetastet bzui» abgerufen werden, so daß von einem Ende zum anderen eine Auswahl erfolgt, und wobei ferner eine Spannung zwischen der Elektronenemissionsebene und der Gitterelektrode an dem ausgewählten Segmentteil in Übereinstimmung mit einem zeitlich sequenziellen Bildsignal gesteuert, bzw. geregelt, wird. .".".-_

7. Elektrooptisches Bildsignal-Verarbeitungseystem nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß von der Elektronenemissionsebene und der Gitterelektrode wenigstens eine aus einer l'f:ehrzahl von Segmenten besteht, die so groß wie ein Bildelement sind und derart gruppiert, sind, daß jede Gruppe dieselbe Anzahl dieser Segmente enthält, und

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die andere aus großen Segmenten besteht, die jeweils einer dieser Gruppen von Segmenten mit Bildelementgröße zugewendet sind, und daß, wenn jedes Segment mit Bildelementgröße an derselben Relativpot:ition in den jeweiligen Gruppen zum Einschalten in den Zustand EIN ausgewählt wird, die übrigen im Zustand AUS verbleiben und andererseits, wenn eines der großen Segmente zum Einschalten in den Zustand EIN ausgewählt ist, die übrigen im Zustand AUS verbleiben, und folglich nur dann, wenn sowohl ein Segment mit Bild— ßlementgröße als auch ein großes entsprechendes Segment in den Zustand EIN geschaltet werden, Elektronen aus diesem Segmentsteil durch die Gitterelektrode durchgelassen werden.

8. Elektrooptisches Bildsignal-Verarbeitungssystem nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch

Stiftelektroden (57), die mit den Anodensegmenten (31A) jeweils verbunden sind,

eine mit diesen Stiftelektroden (57) zusammenwirkende Elektrode (58),

eine Hochspannungsauelle (E5) zum Anlegen eines Potentials, das etwas niedriger ist als das Entladungsauslösepotential zwischen den zwei Elektroden und

einen Anoden-Lastwiderstand (51), der Spannungsabfälle erzeugt, die dem hohen Potential überlagert werden sollen, um die Entladung zwischen den zwei Elektroden auszulösen,

wobei ein elektrostatisches latentes Bild auf einem isolierenden Aufzeichnungsmedium durch Sekundärelektronen erzeugt wird, die an der Anode aufgefangen werden.

9. Elektrooptisches Bildsignal—Uerarbeitungssystem nach einem der Ansprüche 6 bis B, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektronenemissicnsebene eine Photoelektronen-Emissionsebene und eine Lichtquelle zur gleichmäßigen Beleuchtung der Photoelektronen—Emissionsebene enthält.

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10. Elektrooptisches Bildsignal-Uerarbeitungssystem mit folgenden Elementen

eine Photoelektronen—Emissionsebene, die in einer Dimension angeordnet ist,

eine Bildprojektionsvorrichtung zum Projizieren eines optischen Bildes auf der Photoelektronen-Emissionsebene zum Emittieren von Photoelektronen in Abhängigkeit von der Lichtintensität,

eine Gitterelektrode zur Steuerung des Durchlasses von Elektronen, die von der Elektronenemissionsebene emittiert werden,

eine Sekundärelektronen-Vervielfachervorrichtung, die Sekundärelektronen ansprechend auf das Auftreffen von Photoelektronen erzeugt, die durch die Gitterelektrode hindurchgelangen,

eine elektrische Stromquelle, die eine Spannung zur Beschleunigung der Sekundärelektronen liefert, und eine Anode zum Auffangen der vervielfältigten Sekundärelektronen,

dadurch gekennzeichnet, daß die Photoelektronen-Emissionsebene (27) aus einer lYlehrzahl von Segmenten (27a, 27b, 27c...) besteht, die so groß uiie Bildelemente sind, die derart gruppiert sind, daß jede Gruppe dieselbe Anzahl dieser Segmente enthält, daß die Gitterelektrode (28) aus einer Mehrzahl von großen Segmenten (28a, 28b, 28c...) besteht, von denen jedes jeder Gruppe dieser Photoelektronen-Emissionssegmente jeweils gegenüberliegt, und daß, luenn eines der Photoelektronen-Emissionssegmente von einem Ende bis zum anderen ausgewählt uiird, nur Photoelsktronen aus einem ausgewählten Photoelektronen-Emissionssegment durch die Gitterelektrode (28) zu der Sekundärelektronen-UervielfacherVorrichtung (30) durchgelassen werden.

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