DE2734078A1

DE2734078A1 - Speicher-kathodenstrahlroehre

Info

Publication number: DE2734078A1
Application number: DE19772734078
Authority: DE
Inventors: Duane Austin Haven
Original assignee: Tektronix Inc
Current assignee: Tektronix Inc
Priority date: 1976-08-02
Filing date: 1977-07-28
Publication date: 1978-02-09
Also published as: JPS5386156A; JPS5718298B2; NL7708476A; CA1082763A; FR2360987A1; JPS5317272A; JPS5720662B2; GB1584163A; FR2360987B1; DE2734078C2; NL166817B; NL166817C

Description

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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Speicher-Kathodenstrahlröhre mit einem Kolben und Einrichtungen zum Emittieren und Ablenken von Elektronen hoher Geschwindigkeit sowie mit einer Einrichtung zum Emittieren und Ablenken von Elektronen niedriger Geschwindigkeit auf eine .Speicherplatte am freien Ende des Kolbens.

Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf eine Kathodenstrahlröhre mit einer bistabilen Speicherplatte sowie auf ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Kathode.

In den US-Patentschriften 3 531 675 und 3 956 662 sind bistabile Speicherplatten für Speicher-Kathodenstrahlröhren der genannten Art beschrieben. Eine derartige Speicherplatte weist eine Vielzahl von Kollektor-Tei!elektroden auf, die sich durch eine dielektrische Speicherschicht hindurch erstrecken, welche in engem Kontakt mit den Kollektor-Tei!elektroden und dem darunter liegenden Kollektor bzw. der Speicherelektrode steht.

Ähnliche Strukturen sind auch in der US-Patentanmeldung Nr. 599 vom 28. JuII 1975 enthalten. Da bei diesen Speicherplatten die dielektrische Speicherschicht in direktem Kontakt mit den Kollektor-Teilelektroden steht, findet um diese Kollektor-Tei (elektroden wahrend des Betriebes der Kathodenstrahlröhre ein Hintergrundleuchten statt, weil der Bündetungsgrad von primären, aus der Flutkanone stammenden Flutelektrorien sowie von Sekundarelektronen, die von den beschriebenen Bereichen des Speicherdielektrikums an der BeröhrungsstetIe von SpeicherdielektrI-kum und freiliegenden KoIlektor-TeiIetektroden emittiert werden, infolge der großen Flache der KoIlektor-Tei(elektroden, welche fret I legen, hoch ist. Dadurch wachst die Stromdichte an diesen Bereichen an. Dieses Hintergrundleuchten ist unerwünscht, da es eine verminderte Leistung' zur Folge hat, weil der Kontrast abnimmt und die Informationsdarstellung nicht exakt ist, was die Sichtbarmachung der angezeigten Information ebenso wie das Auslesen der angezeigten Information behindert. .<

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Die KoIlektor-Tei!elektroden gemäß der US-Patentschrift 3 531 675 können aus der dielektrischen Speicherschicht isoliert werden, aber das Ätzen der Frontplatte, welche die Vorsprünge bildet, die die Basis for die Kollektor-Teilelektroden darstellen, ist kostspielig in der Herstellung. Außerdem ist es schwierig, die Struktur der Vorsprünge konstant zu halten.

Im Falle des Speicherplattenaufbaues nach der US-Patentanmeldung 599 620 stellt die Bildung der KoIIektor-TeiIeIektroden mittels Glasrändern, die durch Schmelzen mit der Glasfrontplatte befestigt und mit einer elektrisch leitenden Schicht bedeckt sind, einen wirtschaftlichen Speicherplattenaufbau dar, der auch stabil ist; der Aufbau der Kollektor-Teilelektroden Ist jedoch nicht vollkommen gleichförmig. Das macht es schwierig, eine Isolierschicht um sie herum anzubringen.

Die KoIlektor-Teile Iektroden an der Speicherplattenstruktur nach der US-Patentschrift 3 956 662 sind aus Meta I I te!Ichen gebildet, die nichtstabil sind, keine gleichförmige Verteilung aufweisen und b&l denen das Bedecken mit Isoliermaterial um sie herum schwierig ist.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Kathodenstrahlröhre mit einer Speicherplatte so auszubilden, daß sie ein niedriges Hintergrundleuchten aufweist, wodurch die Anzeige und das Auslesen der dargestellten Information verbessert wird.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des kennzeichnenden Teiles des Anspruches 1 bzw. der Ansprüche 11 und 21 gelöst. Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen dargestellt.

Bei der erfindungsgemäßen Speicher-Kathodenstrahlröhre enthält eine Speicherplatte eine elektrisch isolierende Trägerplatte,

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auf deren inneren Oberfläche eine elektrisch leitende Schicht vorgesehen ist. Aus dieser elektrisch leitenden Schicht heraus erstreckt sich ein Muster von Kollektor—TeiIe lektroden nach außen. Wenigstens jede der Kollektor-Teilelektroden weist eine Isolierschicht um sie herum auf mit Ausnahme eines freiliegenden Bereiches an den äußeren Enden der KoIlektor-Te!Ielektroden. Eine dielektrische Speicherschicht ist an der Speicherplatte angeordnet, wobei die dielektrische Speicherschicht die elektrisch Isolierten Kollektor-Teilelektroden berührt oder umgibt und Abschnitte der isolierten KoIlektor-TeiIelektroden einschließlich der freiliegenden Flächen derselben erstrecken sich über die Oberfläche der dielektrischen Speicherschicht hinaus. Dabei erstrecken sich die elektrisch leitenden Kollektor-Teilelektroden durch eine dielektrische Speicherschicht hindurch, welche Teil einer Unterkollektor-Elektrode unter der dielektrischen Speicherschicht sind und mit einer Isolierschicht bedeckt sind, um die Ko I Iektor-TeiIeIektroden von der dielektrischen Speicherschicht zu Isolieren.

Die äußeren Enden der elektrisch Isolierten Kollektor-Teilelektroden liegen frei, um Sekundärelektronen aus den beschriebenen Bereichen der dielektrischen Speicherschicht elnzufangen.

Zwischen dielektrischer Speicherschicht und elektrisch leitenden KoI lektor-Te Me lektroden ist eine elektrisch isolierende Schicht angeordnet, um während der Anzeige der Information das Hintergrundleuchten an der KoIIektor-TeiIeIektrode auf ein Minimum zu reduzieren; dadurch wird die Anzeige und das Auslesen der auf diese Weise dargestellten Information verbessert.

Die metallischen Kollektor-Teilelektroden sind mit einer elektrisch leitenden Schicht an einer inneren Oberfläche einer elektrisch

isolierenden Trägerplatte über Schichten aus elektrisch leitendem Material befestigt, wobei wenigstens die KoIIektor-TelIeIektroden mit Isoliermaterial bedeckt sind und sich eine dielektrische Speicherschicht längs der elektrisch leitenden Schicht erstreckt und mit der elektrisch Isolierenden Abdeckschicht

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um jede Kollektoi—Tei IeIektrode in Berührung steht.

Die erfindungsgemäße Speicherplatte für eine Kathodenstrahlröhre soll stabile, kompakte Ko I Iektor-Tei IeIektroden mit gleichförmiger Anordnung aufweisen, die leichter in einer bestimmten Anordnung herzustellen sind, die weiterhin höher sind gegenüber herkömmlichen Tei Ie I ektroden und damit leichter mit einer umgebenden Isolierschicht zu versehen sind.

Für die Herstellung der bistabilen Speicherplatte wird ein besonderes Herstellungsverfahren verwendet.

Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung gehen aus der detaillierten Beschreibung von bevorzugten AusfUhrungsbeispielen der Erfindung anhand der beiliegenden Zeichnung hervor.

Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Darstellung einer

erfindungsgemäßen Kathodenstrah|röhre,

Flg. 2 einen Schnitt eines Teiles einer elektrisch

isolierenden Trägerplatte mit Meta I I sch Ichten an einer ihrer Oberflächen,

Fig. 3 ähnlich Fig. 2 mit einer weiteren Metallschlcht,

Fig. 4 ähnlich Fig. 3 mit einem Photolack auf der

äußeren Metallschicht und darauf eine Photomaeke.

Flg. 5 ähnlich Fig. 4 mit wieder entfernter Photomaske und entfernten nlchtpolymerisierten Bereichen des Photolackes, wobei darin Öffnungen gebildet wurden,

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Fig. 6 ähnlich Fig. 5, wobei innerhalb der Öffnungen des Photolackes Metall abgelagert wurde,

Fig. 7 ähnlich Fig. 6, wobei auf das Metall in den Öffnungen des Photolackes Kappen aufgesetzt wurden,

Fig. 8 ähnlich Fig. 7, wobei der polymerisierte Photolack entfernt ist,

Fig. 9 ähnlich Fig. 8, wobei die äußere Metallschicht mit Ausnahme des unter den Ko I Iektor-TeiIeIektroden angeordneten Anteiles entfernt ist,

Fig. 10 ähnlich Fig. 9, wobei die nächste Metallschicht

außer des Anteiles unter den KoIIektor-Teile Iektroden entfernt ist,

FIg. 11 ähnlich Fig. 10, wobei eine elektrisch Isolierende Schicht die innere elektrisch leitende Schicht, die KoIlektor-TelI elektroden und die darauf gesetzte Metallkappe, abdeckt,

Fig. 12 ähnlich Fig. 11 mit einer dielektrischen Speicherschicht, die auf der elektrisch Isolierenden Abdeckschicht gebildet 1st,

Fig. 13 ähnlich Fig. 12, wobei die isolierten Metallkappen entfernt sind,

Flg. 14 einen Schnitt eines anderen AusfUhrungsbeispIeIs einer bistabilen Speicherplatte, und

Flg. 15 einen Teilschnitt eines weiteren Ausführungsbeispteles für eine erfindungsgemäße bistabile SpeicherpIatte.

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Gemäß Fig. 1 enthält eine Speicher-Kathodenstrahlröhre 10 einen Kolben 12 aus Isoliermaterial, in welchem eine Elektronenkanone mit einem Heizdraht 14, einer Kathode 16, die mit einer hohen negativen Spannungsquelle verbunden ist,ein Steuergitter 18 und eine Fokussier- und Beschleunigungseinrichtung 20 angeordnet ist.

Ein Elektronenstrahl 22 mit Elektronen hoher Geschwindigkeit, der durch die Elektronenkanone erzeugt ist, wird über horizontale Ablenkplatten 24 horizontal und über vertikale Ablenkplatten 26 vertikal abgelenkt und zwar in Abhängigkeit von einem Eingangssignal, das an einem Eingang 28 angelegt ist. Das Signal betreibt übliche Ablenkungsschaltkreise 30, die mit den horizontalen und vertikalen Ablenkungsplatten verbunden sind, so daß der Elektronenstrahl in Abhängigkeit vom Eingangssignal auf die Speicherplatte 32 am anderen Ende des Kolbens 12 gegenüber der Elektronenkanone auftrifft.

In der Speicher-Kathodenstrahlröhre sind ein oder mehrere Flutelektronenkanonen 34 vorgesehen, wobei jede Flutkanone eine Kathode 36, ein Steuergitter 38 und eine Anode 40 enthält. Die Flutkanonen 34 befinden sich innerhalb des Kolbens 12 nahe den Ausgangsenden der vertikalen Ablenkplatten 26. Die Kathoden 36 werden üblicherweise bei niedrigen Spannungen betrieben, die üblicherweise die Grundspannung darstellen, wobei die Gitter 38 mit einer niedrigen negativen Spannung verbunden sind. Die von den Flutkanonen 34 emittierten Elektronen niedriger Geschwindigkeit divergieren in einem konusförmlgen Strahl und werden gleichförmig über die Speicherplatte 32 verteilt.

An der Innenseite des Kolbens \2 zwischen den Flutkanonen 34 und der Speicherplatte 32 sind mehrere Elektroden angeordnet. Diese Elektroden sind vorzugsweise als in einem Abstand angeordnete Schichtelektroden aus elektrisch leitendem Material ausgebildet. Die erste Schichtelektrode 42 dient In erster Linie als Fokussier-EIektrode für die von den Flutkanonen

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emittierten Flutelektronen. Sie ist mit dem Anschluß einer geeigneten elektrischen Spannungsquelle verbunden. Eine zweite Schichtelektrode 44 in Form einer Wand ist in einem Abstand von der Schichtelektrode 42 angeordnet. Sie ist ebenfalls elektrisch mit einer positiven Spannungsquelle verbunden und dient als Fokussier- und koI Iimierende Elektrode. Eine dritte Schichtelektrode 46 ist in einem Abstand von der Schichtelektrode 44 angeordnet, ist mit einer positiven Spannungsquelle verbunden und dient ebenfalls als Fokussierund koI Iimlerende Elektrode. Als Ergebnis der koI Iimierenden Wirkung der Schichtelektroden werden die aus den Flutkanonen 34 stammenden Elektronen gleichförmig über die Oberfläche der Speicherplatte 32 verteilt.

Eine vierte wandförmige Schichtelektrode 48 ist zwischen und in einem Abstand von der Schichtelektrode 46 und der Speicherplatte 32 angeordnet und mit einer positiven Spannungsquelle verbunden. Die Schichtelektrode 48 dient ebenfalls als Fokussier- und koI Iimlerende Elektrode für die Flutelektronen.

Die Elektroden 42, 44, 46 und 48 sind mit Spannungsquellen abnehmender positiver Spannung verbunden, wobei für einen optimalen Betrieb die höchste positive Spannung an der Elektrode 42 anliegt.

Wie am besten aus Flg. 13 zu ersehen Ist, weist die Speicherplatte 32 eine Isolierende Endplatte in Form einer Tragerplatte 50 auf, an der eine transparente Speicherplatte - bzw. Kollektorelektrode 52 angeordnet ist, über welcher eine Reihe von elektrisch leitenden Ko I Iektor-Tei IeIektroden 54 In Form eines Fleckenmusters angeordnet ist. Eine darüber liegende elektrisch Isolierende Abdeckschicht 56 bedeckt die Kollektor-

elektrode 52 und umgibt die KoIlektor-TeiI β Iektroden 54 mit Ausnahme von äußeren freiliegenden Enden. Eine dielektrische Speicherschicht 58 bedeckt die elektrisch isolierende Abdeckschicht 56

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mit Ausnahme derjenigen Stellen, an denen die elektrisch isolierten Kollektor-Teilelektroden 54 hindurch und über die äußere Oberfläche der dielektrischen Schicht 58 hinausragen. Die elektrisch isolierende Endplatte bildet eine Stützplatte und ist aus transparentem Material, beispielsweise Glas, hergestellt. Die Speicherplatten^ bzw. Kollektorelektrode 52 ist eine dünne transparente Schicht vorzugsweise aus Zinnoxid, welche in geeigneter Weise mit dem Abgriffpunkt eines Spannungsteilers verbunden ist, der Widerstände 60 und 62 enthält, welche zwischen einer positiven Spannungsquelle und Masse (Erde) geschaltet sind. Der Widerstand 62 Ist variabel und so eingestellt, daß an der Speicherelektrode 52 eine geeig nete Betriebsspannung anliegt. Alternativ kann die Speicherelektrode 52 mit einer Verstärkereinrichtung verbunden werden, um ein elektrisches Auslesen der auf der Speicherplatte gespeicherten Information zu ermöglichen, welche dann in einem Raster angezeigt werden kann, wie In der US-Patentschrift 3 214 516 beschrieben wurde, oder es können Hartkopien, beispielsweise Papierkopien der Information gemacht werden, wie in der US-Patentschrift 3 Θ11 007 beschrieben wurde.

Die Ko I Iektor-TeI IeIektroden 54 sind vorzugsweise aus Nickel hergestellt, und sie haben vorzugsweise die Form eines Kegelstumpfes, dessen Basis mit der Kollektor-Elektrode 52 über laminierte Meta I I schichte" 64 und 66 verbunden ist. Die Schicht besteht vorzugsweise aus Chrom und die Schicht 66 vorzugsweise aus Kupfer. Die Ko I Iektor-TeI Ielektroden 54 können auch eine andere Gestalt als diejenige eines KegeI stumpfes aufweisen, beispielsweise eines umgekehrten KegeI stumpfes, einer teilweisen Kugelform oder ähnliches mehr. Die elektrisch IsolPerende Abdeckschicht 56 besteht vorzugsweise aus Aluminiumoxid oder Thorlumoxid oder Irgendeinem geeigneten Oxid, das elektrophoretisch auf die- Elektrode 52 und/oder um die KoI lektor-TeI!elektroden 54 herum abgelagert werden kann. Die dielektrische Schicht 58 besteht aus Phosphor und vorzugsweise P-1-Phosphor oder sie kann aus einer Mischung von P-1-Phosphor und Yttriumoxid oder Yttr I umoxysu I f I d,, das durch ein Element der Seltenen

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Erden aktiviert wurde, wie in der deutschen Patentanmeldung P 27 03 813.7 (IPC HOU 29-41) vom 29. Januar 1977 beschrieben wurde, bestehen.

Die Information wird auf die Speicherplatte 32 mit Hilfe des Elektronenstrahls 22 aufgeschrieben; dies kann in Form einer den vertikalen Ablenkplatten 26 zugeführten Wellenform geschehen, während der Strahl Ober horizontale Ablenkplatten 24 horizontal abtastet. Zusätzlich zum elektrischen Auslesen wird die auf der Speicherplatte geschriebene Information durch die transparente Trägerplatte 50 sichtbar angezeigt. Während des Betriebes sind die Röhrenspannungen so eingestellt, daß der Strahl 22 eine relativ hohe Schreibgeschwindigkeit aufweist und zum Erzeugen von Sekundärelektronen im Stande ist, wenn er auf die dielektrische Speicherschicht 58 auftrifft. Die durch den Strahl 22 getroffene Fläche wird aus dem Grundniveau auf das Potential der Kollektor-Teil e lektroden 54 sowie der Speicherplatten-Elektrode 52 angehoben, wobei die dielektrische Speicherplatte phosphoresziert. Diese Sekundärelektronen werden dann durch die freiliegenden Flächen der KoI Iektor-TeI IeIektroden 54 eingefangen, und die Flächen der dielektrischen Speicherschicht 58, die mit dem Strahl In Berührung stehen, werden positiv aufgeladen, so daß die FIuteIektrohen der Flutkanonen 34 zu diesen positiv aufgeladenen Flachen hingezogen werden. Diese emittieren sodann in einem bestimmten Verhältnis dazu Sekundärelektronen, welche über die Kollektor-Teilelektroden 54 eingefangen werden, die an die positiv aufgeladenen (beschriebenen) Flächen der dielektrischen Speicherschicht 58 angrenzen, wobei die Information visuell zu beobachten Ist und für Zwecke des Studiums oder der photographischen Abbildung unbeschränkt lange in diesem Zustand verbleibt. Die Speicherplatte kann auf übliche Weise gelöscht werden, In dem man die Speicherplatten-Elektrode pulsiert, um die dielektrische Speicherschicht auf das Potential der KoIIektor-Tel(elektroden anzuheben und dann auf das Grundniveau

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abzusenken, so daß sie die Flutelektronen auf diesem Niveau halten bis der Strahl 22 eine neue Information aufschreibt. Bezüglich weiterer Information betreffend den Betrieb von bistabilen Speicherplatten dieser Art wird auf die US-Patentschriften 3 293 473 sowie 3 531 675 verwiesen.

Anhand der Fig. 2 bis 13 soll im folgenden die Herstellung einer erfindungsgemäßen Speicherplatte 32 beschrieben werden. Gemäß Fig. 4 weist eine transparente Trägerplatte 50 eine elektrisch leitende Schicht 52 aus Zinnoxid auf, welche die saubere Innenfläche bedeckt und auf diese durch Vakuumablagerung in einer Dicke von 5000 Angström abgeschieden wurde. Auf die elektrisch leitende Zinnoxidschicht 52 wurde durch Vakuumabscheiden eine dünne elektrisch leitende Schicht 64 aus Chrom mit einer Dicke von 100 bis 200 Angström abgeschieden. Das Abscheiden der Chromschicht geschieht aus Adhäsionsgründen, damit die Ko I Iektor-Tei IeIektroden aus Nickel oder anderem Metall haften bleiben. Auf die Chromschicht 64 wird gemäß Fig. 3 eine Schicht 66 aus Kupfer von etwa 1 um Dicke Im Vakuumverfahren abgeschieden. Die Kupferschicht gewährleistet eine gleichförmige Stromdichte über die Oberfläche der Speicherplatte. Auf die Kupferschicht 66 wird bis zu einer brauchbaren Dicke eine Schicht 68 aus PhotowIderstandsmaterlal bzw. eine lichtempfindliche Schicht bzw. ein Photolack aufgebracht, beispielsweise der unter dem Warenzeichen RISTON von der Herste I I erf Irma E. I. Dupont de Nemours, Inc. Im Handel befindliche Photolack. Auf den Photolack 68 wird eine Photomaske 70 aufgesetzt. Durch die transparenten Bereiche der Photomaske 70 werden von einer Lichtquelle 72 gebündelte Lichtstrahlen auf den Photolack abgegeben , wodurch der Photolack In diesen belichteten Bereichen polymerisiert. Unter denjenigen Bereichen der Photomaske, welche keine Lichtstrahlen zum Aktivieren des Photoläckes hindurch lassen, Ist der Photolack nicht polymerisiert und wird durch ein übliches Lösungsmittel, beispielsweise ein ButyI ze I IuI öse-LösungsmltteI entfernt. Dadurch entstehen Ausnehmungen 74 und damit freiliegende Flächen der Kupferschicht 60 Im Photolack 68, welche der

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Anordnungen derjenigen Flächen in der Photomaske 70 entsprechen, die kein Licht hindurchgelassen haben. Die Ausnehmungen 74 können die Anordnung eines KegeI stumpfes haben, wobei der geringste Durchmesser sowohl am äußeren Ende als auch am inneren Ende auftreten kann. Sie können auch die Form eines KegeIabschnittes oder ähnliche Konfigurationen aufwei sen.

Wie In Fig. 6 links dargestellt, sind die Meta I I sch Ichten 52, 64, 66 mit einer negativen Elektrode verbunden, und die entstandene Speicherplattenanordnung wird in einem Elektrolyt mit Metallionen wie von Nickel oder Irgendeinem anderen Metall, das aus einer wässerigen Lösung auf die metallischen Flächen der Kupferschicht 66 abgeschieden werden kann, eingelegt. Unter der Begrenzung durch die Löcher entsprechend den Ausnehmungen 74, aus welchen der nichtpoIymerisierte Photolack entfernt wurde, werden dadurch die KoIlektor-TelIelektroden 54 gebildet. Nach Wunsch können dadurch die gewünschten Metal Honen auf diejenigen Flächen der Kupferschicht 66, welche durch die den öffnungen 74 entsprechenden Löcher begrenzt sind, durch' Ub I I ehe E IektroIytabscheI detechn I ken abgeschieden werden, wobei an denjenigen Stellen, wo der poIymerlsierte Photolack vorhanden Ist, keine Abscheidung von Metal I Ionen stattfindet.

Nach der Bildung der Kollektor-Teilelektroden 54 wird die Speicherplattenanordnung Je nach Wunsch In eine andere Elektrolytlösung eingelegt, welche Metal Honen einer anderen Art enthalt, vorzugsweise aus Zinn. Dadurch werden Kappen 76 auf die Spitzen der KoIlektor-Tel!elektroden 54 In einer Pilzanordnung gem8ß Flg. 7 gebildet. Dazu kann das gleiche Metall wie das der Kollektor-Teilelektroden 54 verwendet werden.

Anschließend wird der Phdtolack 68 durch Verwendung eines üblichen Lösungsmittels, wie Methylenchlorid entfernt, wobei Hie In Flg. 8 dargestellt Ist, frelstehende,ρi Izförmlge KoIlektor-Tel!elektroden zurückbleiben.

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Anschließend wird die Speicherplatten-Anordnung einer Lösung von Chrom- und Schwefelsäure ausgesetzt, um die Kupferschicht 66 mit Ausnahme des unter den Kollektoi—Teilelektroden liegenden Teiles zu entfernen und einen Aufbau zu erhalten, wie er aus Fig. 9 ersichtlich ist. Danach wir die Chromschicht 64 in gleicher Weise entfernt, um zu einer Schickung entsprechend Fig. 10 zu kommen. Mit Ausnahme des Anteiles unter der verbleibenden Kupferschicht und der Kollektor-Teilelektrode wird die Chromschicht abgetragen, wofllr sich eine Lösung aus Salzsäure und Glyzerin verwenden läßt.

Anschließend wird die Speicherplatten-Elektrode 52, die Ko I Iektor-TeiIelektrode 54 mit den laminierten Schichten aus Chrom 64 und Kupfer 66 darunter vollständig mit einer elektrisch Isolierenden Abdeckschicht 56 aus Aluminiumoxid oder Thorlumoxid mit einer Dicke von etwa 2 b I s _5 /Jm bedeckt, wie in Flg. 11 gezeigt ist. Dies wird vorzugsweise gemäß der technischen Lehre einer gleichzeitigen Para I IeIpatentanmeI dung (Anwaltsaktenzelchen 11 543) durchgeführt, wobei die Spelcherplattenelektrode 52 mit dem negativen Anschluß einer Glelch-Spannungsquelle von 240 -Volt verbunden Ist und die Speicherplattenanordnung in einer kolloiden Suspension aus Isoliermaterial gegenüber einer Gegenelektrode angeordnet Ist, die mit dem positiven Anschluß der 42-VoIt-GIe1chstromqueI Ie verbunden ist. Die kolloidale Suspension von Aluminiumoxid oder Thoriumoxid erfolgt in IsopropyI a IkohoI, Wasser und einem Elektrolyten aus Aluminiumnitrat im Falle von Aluminiumoxid bzw. von Thoriumnitrat bei Verwendung von Thorlumoxid. Wenn die Gleichspannung an die Speicherplattenelektrode und an die Gegenelektrode angelegt Ist, wobei eine kontinuierliche Isolierschicht 56 darüber aufgebaut vird, so wird das Oxid elektrophoretisch auf die Speicherplattenelektrode 52 und die Ko I Iektor-Tei IeIektroden 54 einschließlich der Chromschicht 64 und der Kupferschicht 66 darunter abgeschieden.

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Die Verwendung von Aluminiumoxid als Isoliermaterial wird bevorzugt, da es eine erhöhte Sekundärelektronenemission gewährleistet, was eine erhöhte Schreibgeschwindigkeit der Speicherplatte zur Folge hat. Selbstverständlich können jedoch auch andere Oxide, die sich durch Elektrophorese niederschlagen lassen, verwenden.

In dem Zustand gemäß Fig. 11 wird am Umfang der Speicherplattenanordnung ein Rahmen angeordnet, und ein photopol ymerisierbarer Brei aus Polyvinylalkohol, Hasser, Dimehtylsul foxld, Ammoniumdichromat und Phosphor oder die Kombination von Phosphor und Yttriumoxid oder YttriumoxysulfId, die in der deutschen Patentanmeldung P 27 03 813.7 (H 01 J 29-41, Anwaltsakte ]] 493) beschrieben ist, wird auf die elektrisch Isolierende Abdeckschicht 56 bis zu einer Tiefe von mindestens der halben Höhe der KoIlektor-TelIelektroden 54 aufgebracht. Danach wird gebündeltes Licht von einer Lichtquelle beispielsweise der Lichtquelle 72 gemäß Fig. 4, durch die transpaarente Trägerplatte 50, die transparente, elektrisch leitende Schicht 52 und die elektrisch Isolierende AbdeckschIcht 56 In den Brei hindurch geschickt, wobei die Lichtstrahlen den Brei In denjenigen Bereichen aktivieren, wo keine KoIIektor-TelI-elektroden 54 angeordnet sind, und dabei den Polyvinylalkohol In diesen Bereichen polymerisieren. Für diese Tätigkeit ist keine Photomaske erforderlich, da die KoIlektor-TeI IeIktroden 54 für sich schon eine Photomaske darstellen, so daß im Bereich jeder KoIlektor-Tel!elektrode keine Polymerisation des PolyvlnyIaIkohols stattfinden kann. Dieser Arbeltsprozeß Ist ebenfalls vollständig In der US-Patentschrift 3 956 662 beschrieben.

Die Speicherplattenanordnung gemäß Fig. 12 wird als nächstes in eine wässerige Lösung/ beispielsweise aus Natronlauge und Natrlumdisulfat eingebracht, welche an der Verbindung der KoIlektor-Tel!elektroden 54 und der Kappen 76 wegen kleiner Offnungen bzw. Undichtheiten der elektrisch isolierenden Abdeckschicht 56 In die isolierten Kappen 76 eindringt. Das

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Lösungsmittel löst die Zinnkappen 76, wobei die darübei— liegende isolierende Abdeckschicht 56 zusammenbricht und sich von der Speicherplattenstruktur abtrennt, welche die oberen Oberflächen der Ko I Iektor-TeiIeIektroden 54 freilegt.

Alternativ dazu kann man die Kappen 76 auf die oben beschriebene Weise entfernen, sodann wird die dielektrische Speicherschicht 58 auf der elektrisch isolierenden Abdeckschicht 56 aufgetragen wie oben beschrieben wurde.

Danach wird die Speicherplattenanordnung mit Wasser ausgewaschen, das den ηichtaktivierten Brei entfernt und eine Schicht des lichtaktivierten Breies zurückläßt, der eine dielektrische Speicherschicht bildet. Im vorliegenden Falle hat das photopoIymerisierbare Material zur Bildung des Musters der elektrisch leitenden KoIIektor-TeiIeIektroden und der dielektrischen Schicht die Form eines Breies. Es kann Jedoch auch die Form eines photopolymerisI erbaren trockenen Filmes haben. Wie aus den Fig. 12 und 13 zu ersehen ist, steht die Fläche der dielektrischen Spe i chers.ch i cht, welche Jede der Te i I e I ektroden 54 umgibt, mit der elektrisch isolierenden Abdeckschicht 56 In Berührung, um die dielektrische Speicherschicht 58 davon zu isolieren, womit das Leuchten um die Kollektor-Teilelektroden auf ein Minimum reduziert wird, indem der Einfangwirkungsgrad der Primärelektronen der Flutkanone an der BerUhrungsstelle der dielektrischen Speicherschicht und der elektrisch Isolierenden Abdeckschicht 56 reduziert wird. Die freiliegenden äußeren Flächen der Ko I Iektor-TeiIelektroden 54 erstrecken sich über die äußere Oberfläche der dle Iektrisehen Speicherschicht 58 h i naus.

Nach der Herstellung der Speicherplattenstruktur wird sie bei geeigneter Temperatur in einem Ofen "gebacken", um organische Bindemittel zu entfernen und die dielektrische Speicherschicht zu belassen, die im wesentlichen aus Phosphor oder dem Material

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gemäß der in der deutschen Patentanmeldung P 27 03 813.7 beschriebenen Speicherplatte besteht. Die Speicherplatte ist nunmehr fertiggestellt und wird durch übliche Anschmelztechniken zusammen mit der Trägerplatte, welche die Abschlußplatte bildet, am Kolben 12 in ihrer Lage angeordnet.

In Fig. 14 ist ein anderes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Speicherplatte dargestellt, wobei elektrisch isolierende Kragen 56 a jede der KoIIektor-TeiIeIektroden 54a sowie die laminierten Meta Il schichten aus Chrom 64a und Kupfer 66a umgeben; die dielektrische Speicherschicht 58a ist mit der elektrisch leitenden Schicht 52 a verbunden und steht mit den elektrisch isolierenden Kragen 56a in Verbindung, wobei die KoI I ektor*-Te ile I ektroden 54a von der dielektrischen Speicherschicht 58a isoliert werden.

Die bistabile Speicherplatte gemäß Fig. 14 wird hergestellt, indem man von der Speicherstruktur gemäß Fig. 10 ausgeht, einen Brei aus elektrisch isolierendem Material in Polyvinylalkohol auf die elektrisch leitende Schicht 52 bis zur Höhe oder etwa bis zur Höhe der Kappen 76 auffüllt. Das elektrisch isolierende Material kann vorzugsweise deaktiviertes Yttriumoxid oder deaktiviertes YttriumoxysuIfid sein. Danach wird eine Photomaske auf die äußere Oberfläche der Trägerplatte aufgesetzt, wobei an den Stellen jeder Ko I Iektor-Tei IeIektrode Löcher mit einem Durchmesser etwas größer demjenigen der Kappen 76 vorgesehen sind. Sodann wird durch die Löcher in der Photomaske, die Trägerplatte, die elektrisch leitende Schicht und In dem Brei gebündeltes Licht hindurchgeschickt, wobei der Brei an den Stellen der Löcher um Jede der Kollektoi—Te I IeIektroden polymerisiert wird. Anschließend wird der ηichtpoIymerisierte Anteil des Breies durch Wasser ausgewaschen, so daß Jede Kollektoi—Te i I e I ekt rode durch ei nen el ektr i sch isolierenden Kragen 56a aus Isoliermaterial umgeben ist. Sodann werden die Kappen 76 entfernt und die dielektrische Speicherschicht 58a wird an die elektrisch leitende Schicht 52 a angefügt und steht mit dem elektrisch isolierenden Kragen 56a in Berührung, wie oben

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beschrieben wurde. Nach Wunsch können die Kappen 76 in ihrer Lage bleiben, bis die dielektrische Speicherschicht 58a auf die elektrisch leitende Schicht 52a fixiert ist; danach werden die Kappen 76 entfernt.

Das Muster der Ko I Iektor-Tei Ielektroden 54, das die Kollektor-Elektrode darstellt, ist vorzugsweise derart, daß die Entfernung Zentrum zu Zentrum zwischen aneinander angrenzenden Kollektor-Teilelektroden 54 geringer ist als der Durchmesser des Elektronenstrahles 22. Dadurch erhält man eine "verbesserte Kollektor-Einrichtung zum Einfangen von Sekundärelektronen, eine optimale Auflösung der Information, die auf der Speicherplatte dargestellt ist, eine Ausmerzung von Schattenbildungen der Aufzeichnung, eine verbesserte sichtbare Anzeige, ein auf ein Minimum reduziertes Leuchten um die Kollektor-Teilelektroden und eine gute Auslesegenauigkeit der auf der bistabilen Speicherplatte gespeicherten Information. Der Einfang-Wirkungsgrad für Sekundärelektronen durch die Ko I Iektor-TeiIeIektroden wird wegen des im wesentlichen gleichförmigen Potentia IfeI des erhöht, das durch das Muster der Ko I Iektor-Te1IeIektrpden hergestellt wird. Dies bedeutet eine schnellere Schreibgeschwindigkeit und ein verbessertes Leuchten der Speicherplatte. Die Lebensdauer der Speicherplatte wird erhöht, well sie bei niedrigeren Betriebsspannungen arbeitet und der Verschleiß der Speicherplatte bei niedrigeren Betriebsspannungen geringer ist.

Die bisher beschriebenen AusfUhrungsbeispiele weisen eine ebene Trägerplatte auf, auf denen eine dünne, elektrisch leitende Schicht und daran anschließend elektrisch leitende Teilchen in Form von Ko I Iektor-TeiIelektroden aufgebracht wurden, die mit der elektrisch leitenden Schicht in Verbindung stehen, wobei eine elektrisch isolierende Schicht die elektrisch leitende Schicht und die KoIIektor-TeiIelektroden mit Ausnahme der äußeren freiliegenden Abschnitte oder die Kollektor-Teilelektroden mit Ausnahme der äußeren freiliegenden Abschnitte bedeckt, und wobeH eine dielektrische

Speicherschicht die elektrisch I so I Ierende"Sch Icht

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bedeckt und von den Kollektor-Teilelektroden durch die elektrisch isolierende Schicht isoliert ist, oder die elektrisch leitende Schicht bedeckt und von den Kollektor-Teilelektroden durch elektrisch islierende Kragen um die KoIlektor-TeiI-elektroden isoliert ist.

Die Spitzen der freiliegenden KoIlektor-Tei!elektroden erstrecken sich Ober die Spitze oder die Süßere Oberfläche der dielektrischen Schicht hinaus, wobei sie eine Speicherplatte von ebenen Aufbau bilden. Die Tragerplatte kann in Abhängigkeit von der Größe der herzustellenden Speicherplatte eben oder uneben sein.

Fig. 15 zeigt eine Speicherplattenstruktur, bei der die Tragerplatte 50b schalenförmig ist und einen unebenen oder gewölbten Abschnitt aufweist. Ober welcher die elektrisch leitende Schicht 52b, die KoIlektor-Tei!elektroden 54b einschließlich der laminierten Schichten aus Chrom 64b und Kupfer 66b, die elektrisch isolierte Schicht 56b und die dielektrische Speicherschicht 58b angeordnet sind.

Wie aus der Fig. 15 zu ersehen ist, ist die kol11 mierende Elektrode 48b an der inneren Oberflache der Wand der Tragerplatte 50b in eine« Abstand von der elektrisch leitenden Schicht 52 b angeordnet. Die elektrisch Isolierende Schicht 56 b und die Speicherschicht 58b bedecken den Zwischenrau· zwischen elektrisch leitender Schicht 52b und berühren das innere Ende der kolIi»lerenden Elektrode 58b, um einen HaIo-Effekt am Umfang der Anzeigeflache der Speicherplatte auszuschalten. Diese Speicherplatte ist natürlich auf die oben beschriebene Weise hergestelIt.

Die erf IndungsgemäBe Speicherplatte ist leichter und damit wirtschaftlicher herstellbar. Die Tragerschicht mit den elektrisch leitenden Schichten und den KoIIektor-TeFIelektroden ist reparierbar, weil die dielektrische Speicherschicht entfernt werden kann, wenn sie fehlerhafte Bereiche aufweist, und durch

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eine neue Schicht aus dielektrischem Speichermaterial ersetzt werden kann.

Die Hersteilung der erfindungsgemäßen Speicherplatten kann gegenüber üblichen Herstellungsverfahren besser kontrolliert nerden, was sich in einer besseren Produktionsausbeute äußert. Die erfindungsgemäßen Speicherplatten sind wegen der Herstellung der Kollektor-Teilelektroden an Ort und Stelle stabiler und unempfindlicher, weisen ein besseres Leitungsmaterial für die KoIIektor-TeiIelektroden auf. Sie sind leichter herzustellen, wobei höhere Kollektor-Tel !elektroden einer gegebenen oder ausgewählten Konfiguration hergestellt werden können; sie ermöglichen eine bessere Auslesefähigkeit, weil sie einbesseres Signal-zu-Rausch-VerhäItnis für den Zweck des Auslesens aufweisen, sie ermöglichen ein rascheres Löschen der auf der Speicherplatte gespeicherten Information, weil ein kürzeres Zeitintervall des positiven Anteils des Löschimpulses verwendet wird, was sich in einer im wesentlichen gradlosen bzw. funkenlosen Löschung äußert; darüberhinaus sind die KoIlektor-Tellelektroden wegen ihres einfachen und dauerhaften Aufbaues leicht zu Isolieren.

Zusammenfassend wird festgestellt, daß sich die vorliegende Erfindung auf eine Speichel—Kathodenstrahlröhre , Insbesondere auf eine bistabile Speicher-Kathodenstrahlröhre bezieht, wobei die bistabile Speicherplatte eine elektrisch leitende Schicht auf einer elektrisch isolierenden Trägerplatte aufweist, die elektrisch leitende Schicht eine Vielzahl von Kollektor-Teilelektroden enthält, wobei wenigstens die Kollektor-Teilelektroden mit Ausnahme des äußeren Bereiches von einer elektrisch Isolierenden Schicht bedeckt sind. Entlang der elektrisch leitenden Schicht ist eine dielektrische Speicherschicht engeordnet; die elektrisch isolierten KoMektor-Te I I e lektroden erstrecken sich durch die dielektrische Speicherschicht hindurch. Die freiliegenden elektrisch leitenden Bereiche der Kollektor-Teil-

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elektroden fangen die Sekundärelektronen ein, welche von beschriebenen Flächen der dielektrischen Schicht emittiert werden und erzeugen ein im wesentlichen gleichförmiges Potential über der Speicherplattenoberfläche. Die Berührungsstelle zwischen dielektrischer Schicht und elektrisch Isolierender Schicht um dte Ko I Iektor-TeiIeIektroden bewirkt eine Isolierung zwischen dielektrischer Schicht und Kollektor-Teilelektroden, wobei das Leuchten um die Kollektor-Teilelektroden auf ein Minimum reduziert wird.

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Le'erseite

Claims

Patentansprüche:

Speicher-Kathodenstrahlröhre mit einem Kolben, Einrichtungen zum Emittieren und Ablenken von Elektronen hoher Geschwindigkeit sowie eine Einrichtung zum Emittieren und Ablenken von Elektronen niedriger Geschwindigkeit au-f eine Speicherplatte am freien Ende des Kolbens, gekennzeichnet durch folgende Merkmale der Speicherplatte:

eine elektrisch Isolierende Trägerplatte (50) mit einer darauf angeordneten elektrisch leitenden Schicht (52),

ein Muster von KoI Iektor-TeiIelektroden (54) über dieser elektrisch leitenden Schicht (52), mit darin enthaltenen Metall schichten (64, 66), welche von der elektrisch leitenden Schicht (52) verschieden sind und die Kollektor-Teilelektroden (54) mit der elektrisch leitenden Schicht (52) verbinden,

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eine elektrisch isolierende Abdeckschicht (56), die wenigstens jede der KoIIektor-TeiIeIektroden (54) abdeckt und den entsprechenden Anteil der Meta I I schichten (64, 66) mit Ausnahme eines nach außen hervorstehenden ßere i ches,

eine dielektrische Schicht (58) zum Speichern eines Ladungsbildes, die sich längs der elektrisch leitenden Schicht (52) erstreckt und die elektrisch isolierende Abdeckschicht (56) berührt, wobei sich der äußere freiliegende Bereich jeder der Ko I Iektor-Tei IeIektroden (54) über die äußere Oberfläche der dielektrischen Schicht (58) hinaus erstreckt,

eine mit der elektrisch leitenden Schicht (52) verbundene Spannungsversorgung zur Zufuhr einer bestimmten Spannung an diese Schicht und die Ko I Iektor-TeiI β Ιektroden (54) über die Meta I I schichten (64, 66), so daß das Potential über der Speicherplattenoberfläche Im wesentlichen gleichförmig Ist, und

durch eine elektrisch isolierende Trägerplatte (50), welche am freien Ende des Kolbens (12) mit diesem abgedichtet ist, um an der äußeren Oberfläche der Trägerplatte (50) auf der dielektrische" Schicht (58) ein Ladungsbild zu erzeugen, und die=3S i- einem von zwei stabilen Potentialzuständen zu bewahren.
2. Speicher-Kathodenstrahlröhre nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch isolierende Abdeckst cht (56) Kragen um jede der Kollektor-Teil e lektroden (5Ί und die entsprechenden Metal I-schicnten (64, 66 bi Idet.

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3. Speicher-Kathodenstrahlröhre nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch isolierende Abdeckschicht (56) die elektrisch leitende Schicht (52) und jede der Kollektor-Teilelektroden (54) sowie die entsprechenden Anteile der Metallschicht (64, 66) mit Ausnahme der nach außen stehenden Bereiche abdeckt.
4. Speicher-Kathodenstrahlröhre nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennz e i c h η e t , daß die elektrisch isolierende Trägerplatte (50, 50a) eben ist.
5. Speicher-Kathodenstrahlröhre nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch isolierende Trägerplatte (50b) uneben ist.
6. Spefcher-KathodenstrahI rohre nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch Isolierende Trägerplatte (50b) einen tellerförmigen Aufbau hat mit einer Wand, einer kollimierenden E I ekt rode"ne i η r i chtung (48b) an der Inneren Oberfläche der Wand und In einem Abstand von der elektrisch leitenden Schicht (52b), und daß die elektrisch isolierende Abdeckschicht (56b) den Umfang der elektrisch leitenden Schicht (52b) und ein inneres Ende der kollimierenden Elektrodeneinrichtung (48b) bedeckt.
7. Speicher-Kathodenstrahlröhre nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrische Schicht (58b) den Umfang der elektrisch leitenden Schicht (52b) und ein inneres Ende der kollimierenden EIektroceneinrichtung (48b) bedeckt.
8. Speicher-Kathodenstrahlröhre nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht (64 bis 64b,

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66 bis 66b) laminiert ist.
9. Speicher-Kathodenstrahlröhre nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die laminierte Metallschicht (64 bis 64b; 66 bis 66b) Chrom und Kupfer enthält bzw. daraus besteht.
10. Speichel—Kathodenstrahlröhre nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die KoIlektor-Tei !elektroden (54 bis 54b) die Form eines KegeI stumpfes aufweisen.
11. Speicherplatte für eine KathodenstrahI-Rohre nach Anspruch 1 mit einer Vielzahl von Kollektor-Teilelektroden, die sich durch eine dielektrische Schicht hindurch erstrecken, die in engem Kontakt mit den Kollektor-Teil eIektroden und dem darunter angeordneten Kollektor bzw. der Kollektor-Elektrode stehen, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:

eine elektrisch isolierende Trägerplatte (50), auf deren Innenseite eine elektrisch leitende Schicht (52) angeordnet ist,

ein Muster von Ko I Iektor-TeiIeIektroden (54) auf der elektrisch leitenden Schicht (52) gemäß Anspruch 1,

eine elektrisch isolierende Abdeckschicht (56) wenigstens um jede der Ko I Iektor-TeMeIektroden (54) sowie den entsprechenden Anteil der Meta I I schichten (64, 66) mit Ausnahme des Süßeren freiliegenden Bereiches derselben, und

eine dielektrische Speicherschicht (58), die sich längs der elektrisch leitenden Schicht (52) erstreckt und die

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elektrisch isolierende Abdeckschicht (56) berührt, so daß die KoIlektor-Tei!elektroden (54) von der dielektrischen Speicherschicht (58) isoliert sind, und die freiliegenden Bereiche der KoIlektor-TeiIelektroden (54) über eine äußere Oberfläche der dielektrischen Speicherschicht (58) hinaus angeordnet sind.
12. Speicherplatte nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, da3 die elektrisch isolierende Abdeckschicht (56) mit der elektrisch leitenden Schicht (52) in Berührung steht und diese abdeckt, und daß die dielektrische Speicherschicht (58) die elektrisch isolierende Abdeckschicht (56) berührt.
13. Speicherplatte nach Anspruch ti, dadurch g e kennzet chnet, daß die elektrisch isolierende Abdeckschicht (56) Kragen bildet, welche jede der Kollekten—Teilelektroden (54) sowie die entsprechenden Anteile der Metal I schichten (64, 66) umgibt und die dielektrische Speicherschicht (58Ϊ die elektrisch leitende Schicht (52) und die Kragen berührt.
14. Speicherplatte nach Anspruch Tt, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch isolierende Trägerplatte (50) eben ist.
15. Speicherplatte nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch isolierende Trägerplatte (5Ob) uneben ist.
16. Speicherplatte nach Anspruch 11, dadurch gekennzei chnet, daß die elektrisch isolierende Trägerplatte (50b) tellerförmig ist mit einer Wand, einer kolIimierenden Elektrodeneinrichtung (48b) an der inneren

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Oberfläche der Hand in einem Abstand von der elektrisch leitenden Schicht (52b), und daß die elektrisch isolierende Abdeckschicht (56b) den Umfang der elektrisch leitenden Schicht (52b) und ein inneres Ende der koI Iimlerenden Elektrodeneinrichtung (48b) bedeckt.
17. Speicherplatte nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektor-Teilelektroden (54) aus Nickel bestehen und die Meta I I schichten (64, 66) I ami η i ert sind.
18. Speicherplatte nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die laminierten Metijllschichten (64, 66) Chrom und Kupfer enthalten bzw. daraus bestehen.
19. Speicherplatte nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerplatte (50), die elektrisch leitende Schicht (52) und die elektrisch isolierende Schicht (56) wegen der Sichtbarmachung der an dar Speicherplatte (58) angezeigten Information transparent sind.
20. Speicherplatte nach Anspruch 11, dadurch g e kennzei chnet, daß die elektrisch isolierende Abdeckschicht (56) aus der Gruppe von Aluminiumoxid und Thoriumoxid ausgewählt ist.
21. Verfahren zum Herstellen einer Speicherplatte für die Verwendung in einer Kathodenstrahlröhre, bestehend aus folgenden Schritten:

Anbringen einer elektrisch leitenden Schicht (52) auf eine Oberfläche einer elektrisch isolierenden Trägerplatte (50),

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Abdecken dieser elektrisch leitenden Schicht (52) mit Metallschichten (64, 66),

Aufbringen eines Photowiderstandsmaterials bzw. eines lichtempfindlichen Materials bzw. eines Photolackes auf die Meta I I schichten (64, 66),

Aufsetzen einer Photomaske (70) mit einem Muster von Öffnungen (74) und einem Muster von ηichtIichtdurchlässigen Bereichen auf den Photolack (68), Hindurchsenden von Licht durch das Muster der Öffnungen (74), das den Photolack (68) in denjenigen Bereichen fixiert, welche dem Muster der Öffnungen (74) entsprechen, während diejenigen Bereiche des Photolackes (68) und den nichtlichtdurchlässigen Bereichen ηichtfixierte Bereiche sind,

Entfernen der ηichtfixierten Bereiche des Photolackes (68) wobei Löcher entstehen, welche Bereiche der Meta I I schichten (64, 66) frei legt,

Auffüllen der Löcher mit einem Metall, das ein Muster von Metall-Teilelektroden (54) erzeugt,

Entfernen des fixierten Photolackes (68),

Entfernen der Meta I I schichten (64, 66) mit Ausnahme der Anteile unter den Meta I I-Tei IeIektroden (54),

Anbringen einer elektrisch isolierenden Abdeckschicht (56) um wenigstens jede der Meta I I-Tei Ie I ektroden (54) und des darunterliegenden Anteiles der Meta I I schichten (64, 66) mit Ausnahme des äußeren freiliegenden Bereiches jeder der Metal I tei Ie lektroderr (54) und

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Anbringen einer dielektrischen Speicherschicht (58) entlang der elektrisch leitenden Schicht (52), die
in Kontakt mit der elektrisch isolierenden Abdeckschicht (56) um die Meta II-TeiIeIektroden (54) steht, wobei die Meta I I-TeiIeIektroden (54) von der dielektrischen Speicherschicht (58) isoliert werden.
22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß das Abdecken der
elektrisch leitenden Schicht (52) mit den Meta I I schichten (64, 66) die Dampfabsehe I dung einer Chromschicht auf die elektrisch leitende Schicht (52) und die Dampfabscheidung einer Kupferschicht auf die Chromschicht umfaßt.
23. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch g e kennze i chnet, daß das Auffüllen der Löcher mit einem Metall durch Elektroplattieren erfolgt.
24. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß das Anbringen einer elektrisch isolierenden Schicht (56) um wenigstens jede der Metall-Teilelektroden (54) und den darunter angeordneten Metal Ischlchten (64, 66) durch eIektrophoretisches Ablagern der Isolierschicht (56) erfolgt.
25. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch Isolierende Abdeckschicht (56) an der elektrisch leitenden Schicht (52) und rund um die Meta I I-Te I le Iektroden (54) und die
elektrisch Isolierende Abdeckschicht (56) angebracht wird.
26. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch g e kennze I chn'et, daß vor dem Entfernen der Metal I-schichten (64, 66) auf die Meta II-TeI le Iektroden Kappen

(76) aufgesetzt werden.

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