DE2728760C2 - Eingangsschaltung für die Frequenzbereiche VHF Band I und VHF Band III mit einer Mischstufe - Google Patents
Eingangsschaltung für die Frequenzbereiche VHF Band I und VHF Band III mit einer MischstufeInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Eingangsschaltung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Bei einer bekannten Eingangsschaltung dieser Art (Funktechnik, 1977, S. F & E 65-69) ist der Sekundärkreis
eines einer Vorstufe nachgeschalteten Bandfilters kapazitiv an ein Gate eines Feldeffekttransistors angeschlossen.
Gleichzeitig liegt dieses Gate über einen Koppelkondensator am Hochpunkt eines Oszillatorschwingkreises,
dessen Induktivitäten einendig an Masse angeschlossen sind. Der Sekundärkreis des Bandfilters
besteht aus der Serienschaltung von zwei Induktivitäten, die einendig über einen Kondensator an Masse
angeschlossen ist, während das andere Ende über die Serienschaltung eines Abblockkondensators und eine
Kapazitätsvariationsdiode ebenfalls an Masse angeschaltet ist. An den Verbindungspunkt der Induktivitäten
ist eine Schaltdiode angelegt, die zur Serienschaltung aus einer Spule und einem an Masse angeschalteten
Kondensator führt. Im Gleichstrompfad der Schaltdiode liegt eine weitere Schaltdiode, welche über eine
Induktivität des Primärkreises des Bandfilters und einen Widerstand an Masse angelegt ist. Die Einspeisung einer
Schaltspannung für die Schaltdioden erfolgt am kalten Ende der Induktivitäten des Sekundärkreises. Daneben
führt von dem mit der Eingangsfrequenz und der Oszillatorfrequenz beaufschlagten Gate des Feldeffekttransistors
der Mischstufe ein ohmscher Widerstand zur Gleichstromversorgung gegen Masse. Hierdurch tritt
neben einer Bedämpfung des Sekundärkreises des Bandfilters und des Oszillatorschwingkreises auch eine
Verminderung des an sich hohen Eingangswiderstandes des Mischtransistors ein. Im übrigen wird dem Gate des
Mischtransistors über eine zusätzliche Schaltdiode die Zwischenfrequenz einer UHF-Eingangsschaltung zugeführt,
um bei UHF-Betrieb den Mischtransistor der VHF-Eingangsschaltung als Zwischenfrequenzverstärker
ausnutzen zu könnea Bei einem Aufbau einer Eingangsschaltung dieser Art sind somit für die Frequenzbereichsumschaltung
des Bandfilters zwei Schaltdioden und ein besonderer Anschluß für die Zuführung der
Umschaltspannung erforderlich. Außerdem ist der Kopplungsfaktor vom Sekundärkreis zum Mischtransistor
durch den zwischengeschaheten Kondensator in den beiden Frequenzbereichen unterschiedlich, was
auch auf die Kopplung zwischen dem Mischtransistor und dem Oszillator zutrifft Hinzu tritt daß sich bei einem
Feldeffekttransistor die Eingangskapazität durch das Eingangssignal entsprechend der Amplitude desselben
ändert Diese Kapazitätsänderung bedingt bei Verwendung eines Feldeffekttransistors als Mischtransistor
über die kapazitive Oszillatorankopplung eine Rückwirkung auf den Oszillator und erzeugt eine Änderung der
Oszillatorfrequenz im Rhythmus der Änderung der Eingangskapazität was wiederum eine unerwünschte Frequenzmodulation
und rhythmische Änderung der Zwischenfrequenz zur Folge hat. Diese Änderung wirkt sich
zur höheren Frequenz hin mehr aus, da die Impedanz des Koppelkondensators zu höheren Frequenzen hin
abnimmt Nachdem außerdem die Oszillatorspannung nach höheren Frequenzen hin annähernd linear zunim.nt,
wird durch die abnehmende Impedanz des Koppelkondensators die auf das Gate des Mischtransistors
geführte Oszillatorspannung noch zusätzlich erhöht. Hierdurch wird die Rückwirkung auf den Oszillator weiter
verstärkt. Daneben wird durch die kapazitive Ankopplung des Eingangssignals ein Spannungsverlust am
Koppelkondensator erzeugt, so daß die ohnehin schwache Energie der Eingangsfrequenz noch gemindert wird.
Außerdem können Hochfrequenzspannungen über die Steuerspannungsleitung, die unmittelbar an die eine
Spule des Eingangskreises angeschlossen ist, verschleppt werden.
Es ist auch eine Eingangsschaltung bekannt (ELO, 1977, S. 23-25), bei der die Ankopplung eines Oszillators
an eine Mischstufe über die Serienschaltung einer Ankoppelinduktivität und einem Kondensator erfolgt.
Dieser Kondensator ist zur Trennung eines Gleichstromweges zwischen dem Oszillator und der Basiselektrode
des Mischtransistors erforderlich, um an der Basiselektrode die notwendige Arbeitügleichspannung erzeugen
zu können. Außerdem ist bei dieser für einen UKW-Tuner ausgebildeten Eingangsschaltung eine
Frequenzbereichs-Umschaltung nicht vorgesehen. Auch ist der verwendete bipolare Transistor kein Feldeffekttransistor
mit den daraus entstehenden Rückwirkungen der Eingangskapazität, auf den Oszillator. Im
übrigen ist nicht angegeben, ob die Serienschaltung aus der Ankoppelinduktivität und dem Kondensator über
den Frequenzdurchstimmbereich kapazitiv oder induktiv wirkt bzw. eine Resonanzstelle durchläuft.
Schließlich ist eine Eingangsschaltung für einen UKW-Tuner bekannt (FUNKSCHAU, 1970. S. 549—552), bei der die Ankopplung zwischen einem Oszillator und einer Mischstufe sowohl am Oszillatorschwingkreis wie am Gate des Feldeffekt-Mischtransistors transformativ und damit frequenzunabhängig erfolgt. Dabei bildet die Sekundärwicklung des Hochfrequenzübertragers in der Mischstufe zusammen mit dem Feldeffekttransistor eine Brückenschaltung, in welche die Empfangsfrequenz gleichstrommäßig durch einen
Schließlich ist eine Eingangsschaltung für einen UKW-Tuner bekannt (FUNKSCHAU, 1970. S. 549—552), bei der die Ankopplung zwischen einem Oszillator und einer Mischstufe sowohl am Oszillatorschwingkreis wie am Gate des Feldeffekt-Mischtransistors transformativ und damit frequenzunabhängig erfolgt. Dabei bildet die Sekundärwicklung des Hochfrequenzübertragers in der Mischstufe zusammen mit dem Feldeffekttransistor eine Brückenschaltung, in welche die Empfangsfrequenz gleichstrommäßig durch einen
Kondensator von einem vorausgehenden Eingangsschwingkreis getrennt in eine Mittelanzapfung der Sekundärwicklung
des Hochfrequenzübertragers eingespeist wird. Hierdurch wird eine erhöhte Mischverstärkung
bei geringer Rückwirkung zwischen Eingangsfrequenz und Oszillatorfrequenz erreicht, Nachdem jedoch
die Eingangskapazität des Feldeffekttransistors parallel zur Sekundärwicklung des Hochfrequenzübertragers
liegt, werden Kapazitätsänderungen über die transformative Kopplung auf den Oszillatorschwingkreis übertragen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Eingangsschaltung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs
1 zu schaffen, bei der mit einfachen Maßnahmen und einer geringen Zahl von Bauelementen eine
Umschaltung des Frequenzbereichs des Eingangsschwingkreises und eine über den jeweiligen Frequenzbereich
vergleichmäßigte Spannungsankopplung des Oszillators an die Mischstufe bzw. dessen kapazitive
Entkopplung von der Mischstufe erreicht wird.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt gemäß der Erfindung durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs
1.
Durch die galvanische Ankopplung der Empfangssignalspannung an das Gate des Feldeffekttransistors
wird die Empfangssignalspannung frequenzunabhängig und unvermindert an den Feldeffekttransistor abgegeben
sowie durch die Ankoppelinduktivität zwischen diesem Gate und dem Oszillatorschwingkreis der kapazitiven
Rückwirkung entgegengewirkt. Zusätzlich wird über die Gleichstromverbindung vom Eingangsschwingkreis zum Gate und von dort über die Ankoppelinduktivität
sowie die an Masse angeschaltete Oszillatorinduktivität eine gleichstrommäßige Masseverbindung
geschaffen, so daß die Schaltdiode nur einseitig über einen Widerstand mit der erforderlichen Schaltspannung
gespeist werden muß. Die Verschleppung von Hochfrequenzspannungen wird dabei durch den Widerstand
in einfacher Weise unterbunden. Gleichzeitig wird die Kopplung des Oszillators durch den steigenden, induktiven
Widerstand der Ankoppelinduktivität nach höheren Frequenzen zu vermindert und somit der Frequenzgang
der abgegebenen Spannung linearisiert. Es wird auch die kapazitive Belastung vermindert, so daß
ein großer Frequenzdurchstimmbereich der Schwingkreise erreicht wird.
Wird die Empfangssignalspannung über eine weitere Schaltdiode an das Gate des Feldeffekttransistors angeschlossen
und in Flußrichtung mit der ersten Schaltdiode gepolt, dann kann bei gesperrten Schaltdioden ein
UHF-Zwischenfrequenzsignal unmittelbar auf das Gate
geführt werden, ohne dieses Signal durch den Eingangsschwingkreis zu belasten.
Die Erfindung ist nachfolgend anhand der Zeichnung eines Ausführungsbeispiels näher erläutert.
Mit 1 ist ein Eingangskreis, z. B. ein abstimmbarer Einzelkreis oder ein Sekundärkreis eines Bandfilters für
die zu empfangenden Frequenzen, beispielsweise für den Fernsehbereich VHF Band I und VHF Band III,
bezeichnet, dessen frequenzbestimmende Bauelemente aus einer Kapazitätsvariationsdiode 2 und zwei abgleichbaren
Induktivitäten 3 und 4 bestehen. Die Kondensatoren 5 und 6 dienen im wesentlichen zum Abblokken
einer Gleichspannung, und zwar einerseits der Abstimmspannung Ud für die Kapazitätsvariationsdiode 2
und andererseits der Schaltspannung Us, die einer Schaltdiode 7 zugeführt wird, um die Induktivität 4
hochfrequenzmäßig nach Masse zu schalten, so daß nur noch die Induktivität 3 die Schwingkreisfrequenz bestimmt
Hierdurch kann die Umschaltung des Eingangskreises auf zwei Frequenzbereiche erfolgen.
Der Eingangskreis 1 ist am Hochpunkt galvanisch an einen Mischer 8 angekoppelt Dieser besteht aus einem
Feldeffekttransistor 9, an dessen Gate 10 die Eingangssignale und die Oszillatorfrequenz angelegt sind. Die
Ankopplung der Eingangssignale erfolg) hier über eine Schaltdiode 11. die im durchgeschalteten Zustand die
Eingangssignale zum Gate lö durchlassen, während im Sperrbetrieb diese abgeblockt werden und ein nicht
dargestelltes UHF-Abstimmaggregat eingeschaltet ist, dessen Zwischenfrequenz dann am Gate 10 wirksam ist.
In diesem Schaltzustand wirkt der Feldeffekttransistor 9 als Zwischenfrequenzverstärker.
Am Gate 10 ist erfindungsgemäß eine Ankoppelinduktivität 12 angeschlossen, über die die Oszillatorfrequenz
eines Oszillators 13 angekoppelt wird. Der Oszillatorkreis 14 ist über eine Kapazitätsvariationsdiode 15
abstimmbar und zwecks Umschaltung für die zwei Frequenzbereiche VHF Band I und III besteht der induktive
Zweig aus zwei abgleichbaren Induktivitäten 16 und 17, von denen die letztere bei Empfang von Band HI
über eine Schaltdiode 18 HF-mäßig kurzgeschlossen werden kann. Beim Ausführungsbeispiel ist noch eine
abgleichbare Induktivität 19 zwischen den beiden anderen vorgesehen, die über eine weitere Schaltdiode 20
ebenfalls HF-mäßig kurzschließbar ist.
Die Ankoppelinduktivität 12 ist am Hochpunkt 21 des Oszillatorkreises 14 angeschlossen. An der Ausgangselektrode
des Feldeffekttransistors 9 liegt ein ZF-Kreis 22.
Es sei angenommen, daß an den Kapazitätsvariationsdioden 2 und 15 die Abstimmspannung Up anliegt und
lediglich die Schaltdiode 11 in Durchlaßbetrieb geschaltet
ist, und ein angeschlossenes U H F-Aggregat nicht wirksam ist. Der Eingangskreis 1 und der Oszillatorkreis
14 sind in diesem Fall so abgestimmt, daß der VHF-Bereich Band I empfangen werden kann, da alle frequenzbestimmenden
Induktivitäten 3, 4 bzw. 16, 17, 19 wirksam sind. Der Eingangskreis 1 ist damit galvanisch mit
Gate 10 verbunden und die Oszillatorfrequenz ist über die Ankoppelinduktivität 12 angekoppelt.
Wird nun an die Schaltdioden 7, 20 und 18 eine positive Schaltspannung angelegt, so werden diese durchgeschaltet,
so daß im Eingangskreis 1 die Induktivität 4 und im Oszillatorkreis die Induktivitäten 19 und 17 HF-mäßig
an Masse liegen und unwirksam sind. Hierdurch sind die Kreise für den Empfang des Frequenzbereiches
VHF Band III geschaltet.
Durch die zusätzliche Induktivität 19, die jetzt HF-mäßig kurzgeschlossen ist, liegt die Oszillatorfrequenz
oberhalb der Empfangsfrequenz. Lieg» jedoch die Schaltdiode 20 an negativem Potential und ist damit in
Sperrichtung betrieben, so ist nur noch die Induktivität 17 HF-mäßig nach Masse geschaltet. Der Oszillatorschwingkreis
14 ist dann so ausgelegt, daß er unterhalb der Empfangsfrequenz schwingt. Hierdurch ist es möglich,
die Schaltung für ein Abstimmaggregat sowohl für Fernsehgeräte nach CCIR-Norm als auch nach französischer
Norm zu betreiben.
Vorzugsweise sind die Schwingkreise, also Eingangskreis 1 und Oszillatorkreis 14, als Parallelresonanzkreise
ausgebildet. Dies hat u. a. den Vorteil, daß bei Verwendung der Schaltdiode 11 zur galvanischen Ankopplung
der Eingangssignale an den FET-Mischer diese über die erfindungsgemäße Ankoppelinduktivität 12 und die Oszillatorinduktivität(en)
nach Masse geschaltet werden
kann, was den Schaltungsaufbau sehr vereinfacht.
Weiterhin kann es von Vorteil sein, die Kreise als .T-Kreise mit Längszweig liegender Induktivität auszubilden,
weil dann die Eingangskapazität des FET als Hochpunkt-Kapazität des Schwingkreises verwendet
werden kann. An der anderen Induktivitätsseite liegt dann die Abstimmdiode.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
to
20
25
30
40
45
50
60
65
Claims (3)
1. Eingangsschaltung für die Frequenzbereiche VHF Band I und VHF Band III mit einer Mischstufe,
die einen Feldeffekttransistor als Mischtransistor aufweist, dessen Gate sowohl die Oszillatorfrequeni
eines über einen größeren Frequenzbereich durchstimmbaren
Oszillators als auch die Empfangsfrequenz über einen Eingangsschwingkreis mit zwei in
Serie geschalteten Induktivitäten zugeführt ist, deren freie Enden über Kapazitäten und deren Verbindungspunkt
über die Serienschaltung aus einer Schaltdiode, einer Spule und einem Kondensator an
Masse angeschlossen sind, wobei eine Gleichstromverbindung zur Schaltdiode vorgesehen und die Induktivität
des Oszillatcrschwingkreises an Masse angeschaltet ist dadurch gekennzeichnet, daß das Empfangssignal dem Gate (10) des Feldeffekttransistors
(9) über einen Gleichstrompfad zugeführt ist und daß dieses Gate (10) über eine Ankoppelinduktivität
(12) an die Induktivität (16,17,19) des Oszillatorschwingkreises (14) angeschlossen ist.
2. Eingangsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Empfangssignal dem Gate
(10) über einen Gleichstrompfad über eine weitere Schaltdiode (11) zugeführt ist, die in Flußrichtung
mit der ersten Schaltdiode gepolt ist
3. Eingangsschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ankoppelinduktivität
(12) am Hochpunkt (21) des Oszillatorschwingkreises (14) angeschlossen ist
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2728760A DE2728760C2 (de) | 1977-06-25 | 1977-06-25 | Eingangsschaltung für die Frequenzbereiche VHF Band I und VHF Band III mit einer Mischstufe |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2728760A DE2728760C2 (de) | 1977-06-25 | 1977-06-25 | Eingangsschaltung für die Frequenzbereiche VHF Band I und VHF Band III mit einer Mischstufe |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2728760A1 DE2728760A1 (de) | 1979-01-04 |
| DE2728760C2 true DE2728760C2 (de) | 1985-03-07 |
Family
ID=6012389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2728760A Expired DE2728760C2 (de) | 1977-06-25 | 1977-06-25 | Eingangsschaltung für die Frequenzbereiche VHF Band I und VHF Band III mit einer Mischstufe |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2728760C2 (de) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3004205C2 (de) * | 1980-02-06 | 1982-06-09 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Mischerschaltung für einen UHF/VHF-Tuner mit einem Dual-Gate-Mos-Feldeffekttransitor |
-
1977
- 1977-06-25 DE DE2728760A patent/DE2728760C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2728760A1 (de) | 1979-01-04 |
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