DE2721086A1

DE2721086A1 - Verfahren zum abaetzen einer siliziumdioxidschicht von einer unterlage

Info

Publication number: DE2721086A1
Application number: DE19772721086
Authority: DE
Inventors: Richard Lewis Bersin; James H Junkin; Richard Francis Reichelderfer
Original assignee: INT PLASMA CORP
Current assignee: INT PLASMA CORP
Priority date: 1976-05-14
Filing date: 1977-05-11
Publication date: 1977-12-01
Also published as: JPS6048902B2; US4127437A; GB1539700A; NL7705320A; CH614808A5; JPS531198A; FR2350937A1; IT1083827B

Description

PATENT ANWÄLTE

R. SPLANEMANN ob. B. REITZNER

DIPL.-ING. DIPL.-CHEM.

A D N C H E N

J. RICHTER F. WERDERMANN

DIPL.-ING. OIPL.-ING.

* HAMBURG

SOOO HAMMURO 3β NEUER WALL 1O

TEL. (O4O) 34OO4S

34 OO ββ

TELEGRAMME: INVENTIUS HAMBURG

2721088

,10.5,77

: 2725-1 -3376 . /1. 77087 Fl.

IHR ZEICHEN:

PATENTANMELDUNG

PRIORITÄT:

BEZEICHNUNG:

V. St. v. A., Ser. No. 686 vom 14. Mai 1976

Verfahren zum Abätzen einer Siliziumdioxidschicht von einer Unterlage

ANMELDER:

International Plasma Corporation 31159 San Benito Street Hayward, Kalif. (V.St.A.)

ERFINDER:

Richard L. Bersin, James H. Junkin und Richard F. Reichelderfer

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Konto«: DwMt Bank AG, Hamburg. Konto Nr.

(BLZ 20070000) Postscheck nmt Homburg. Konto Nr 767080W1 (BLZ JOO100»)

Die Erfindung betrifft das Gebiet der Fotoätzverfahren und insbesondere ein Verfahren zum selektiven Abätzen einer Siliziumdioxidschicht von einer Unterlage wie z.B. einer Halbleiterunterlage.

Siliziumdioxid wird bei der Herstellung von Halbleiterelementen allgemein zur Steuerung der Fremdstoffdiffusion in ausgewählte Bereiche an der Oberfläche einer Siliziumunterlage verwendet. Zunächst wird auf der Halbleiterunterlage eine Siliziumdioxidschicht ausgebildet und dann diese durch eine Maskierung aus positivem oder negativem Fotoresist überlagert, in welcher sich Fenster befinden, durch welche hindurch die wegzuätzenden Bereiche der Siliziumdioxidschicht entsprechend einem vorgegebenen Muster freiliegen. Die freiliegenden Bereiche der Siliziumdioxidschicht werden dann vermittels eines Ätzmittels entfernt.

Die seither zum Abätzen von Siliziumdioxid verwendeten Ätzmittel wie z.B. Fluorwasserstoffsäure und Salpetersäure mit Fluorwasserstoffpuffer führen im Hinblick auf Hinterschneidungen nicht zu zufriedenstellenden Ergebnissen. Da die Säuren außerdem in flüssiger Form eingesetzt werden, ergeben sich die bei allen chemischen Naßverfahren auftretenden Schwierigkeiten. Es ist zwar auch bereits versucht worden, Fluorwasserstoffgas einzusetzen, jedoch waren die mit diesem Gas erzielten Ergebnisse erratisch und nicht vorhersehbar.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein neuartiges und verbessertes Verfahren zum Abätzen einer Siliziumdioxidschicht von einer Unterlage zu schaffen.

Das zur Lösung der gestellten Aufgabe vorgeschlagene Verfahren besteht darin, daß eine Schicht aus negativem

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Fotoresist in unmittelbarer Nähe der wegzuätzenden SiIiziumdioxidschicht aufgebracht und die Siliziumdioxidschicht während einer zum Wegätzen derselben ausreichend lang bemessenen Zeitspanne Fluorwasserstoffgas ausgesetzt wird.

Die Anmelderin hat gefunden, daß organische Stoffe wie z.B. negativer Fotoresist als Katalysatoren beim Abätzen von Siliziumdioxid vermittels Fluorwasserstoffgas verwendet werden können, wodurch das Abätzen mit Fluorwasserstoff gas möglich wird. Der negative Fotoresist dient dabei nicht so sehr als Maskierung, sondern bewirkt eine Konzentrierung des Fluorwasserstoffgases, wobei eine wesentlich verbesserte Ätzwirk^ng in den vom Fotoresist bedeckten Bereichen erzielbar ist. Der negative Fotoresist kann dabei entweder unmittelbar auf die Unterlage wie z.B. eine Halbleiterunterlage aufgebracht werden, wobei die wegzuätzenden Bereiche der Siliziumdioxidschicht ggf. mit einer Schicht aus positivem Fotoresist überlagert sind oder freiliegen, oder kann auf ein anderes Plättchen oder eine in Nähe der zu ätzenden Oberfläche befindliche Schicht aufgebracht werden.

Weitere Ausgestaltungen des erfindungsgemäß vorgeschlagenen Verfahrens bilden den Gegenstand der Unteransprüche 2 - 12.

Das Verfahren nach der Erfindung ist im nachfolgenden anhand der in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert. In der Zeichnung ist

Fig. 1 ein teilweise schematischer Längsschnitt durch eine zur Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens geeignete Vorrichtung,

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Fig. 2 ein in einem größeren Maßstab gehaltener Aufrißquerschnitt durch ein vermittels der Vorrichtung nach Fig. 1 verarbeitbares Plättchen,

Fig. 3 ein schematischer Querschnitt durch eine weitere Ausführungsform einer zur Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens geeigneten Vorrichtung,

Fig. 4 ein in einem größeren Maßstab gehaltener Aufrißquerschnitt durch ein Halbleiterplättchen, das eine Maskierung aus positivem Fotoresist und eine diese überlagernde Schicht aus negativem Fotoresist trägt, und

Fig. 5 ein in einem größeren Maßstab gehaltener Aufrißquerschnitt durch ein Halbleiterplättchen mit einer unmittelbar auf die wegzuätzenden Bereiche der Siliziumdioxidschicht aufgebrachten Schicht aus negativem Fotoresist.

Die in Fig. 1 dargestellte Vorrichtung zur Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht aus einer Reaktionskammer 11 mit einer zylindrischen Seitenwand 12 und ebenen Endwänden 13 und 14. Die Kammerwände bestehen aus einem Werkstoff, der nicht von dem Fluorwasserstoffgas-Ätzmittel angegriffen wird wie z.B. Quarz. Ein (hier nicht dargestellter) Verschluß gestattet den Zugang zum Innenraum der Reaktionskammer 11.

Der Reaktionskammer 11 wird Fluorwasserstoffgas von einem Vorratsbehälter 16 über ein Ventil 17 zugeführt. Eine mit dem Innenraum der Reaktionskammer 11 verbundene

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Vakuumpumpe 18 dient zum Absaugen von Gas aus der Reaktionskammer.

Die Unterlagen wie z.B. Halbleiterplättchen 21 sind zum Zwecke der Behandlung in der Reaktionskammer 11 in der weiter unten beschriebenen Weise in einem Schiffchen 22 gestapelt. Wie Fig. 2 zeigt, besteht jedes Plättchen aus einer allgemein ebenen Unterlage 26 aus einem Halbleiterwerkstoff wie z.B. Silizium. Auf der Oberfläche der Unterlage ist eine Siliziumdioxidschicht 27 ausgebildet, und diese trägt eine Schicht 28 aus positivem Fotoresist. Für diesen Zweck geeignete Fotoresistwerkstoffe sind Shipley AZ 1350, positiver Fotoresist der Firma Kodak, Tokyo Ohka OFPR und andere, Phenolformaldehydpolymerisate enthaltende positive Fotoresistwerkstoffe. In der Fotoresistschicht sind in bekannter Weise Fenster 29 ausgebildet, durch welche hindurch die wegzuätzenden Bereiche der Siliziumdioxidschicht freiliegen. Die die Fotoresistschicht tragende Seite des Plättchens ist mit dem Bezugszeichen 31 angegeben und wird als Plättchenvorderseite bezeichnet, während die andere Seite der Unterlage, welche mit dem Bezugszeichen 32 versehen ist, als Plättchenrückseite bezeichnet ist.

Es wurde gefunden, daß das Abätzen von Siliziumdioxid von den nicht von dem positiven Fotoresist bedeckten Bereichen wesentlich verbessert werden kann, wenn ein organisches Material der Siliziumdioxidschicht gegenüberliegend angeordnet wird. Besonders gute Ergebnisse werden dabei mit negativen Fotoresistwerkstoffen, Polymerisaten wie z.B. Polyäthylen und dgl. erhalten. Geeignete negative Fotoresistwerkstoffe sind die handelsüblichen Erzeugnisse wie z.B. Kodak KMER, Kodak KTFR, Waycoat IC und Kodak 747. Mit Olefingruppen enthaltenden

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Kohlenwasserstoffen wurden gleichfalls besonders gute Ergebnisse erzielt. Bei der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung wird der negative Fotoresist in Form einer Schicht auf ein Plättchen 33 aufgebracht, das sich in unmittelbarer Nähe des die abzuätzende Siliziumdioxidschicht aufweisenden Halbleiterplättchens befindet.

Ein besonders gleichförmiger Ätzvorgang wird erhalten, wenn die wegzuätzende Siliziumdioxidschicht mit einem Metall hinterlegt wird. Das kann beispielsweise in der Weise erfolgen, daß eine dünne Aluminiumscheibe 36 gegen die Plättchenrückseite angelegt wird.

Bei Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens vermittels der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung werden die HaIbleiterplättchen 21 in jede zweite Ausnehmung 22a des Schiffchens 22 gesteckt, und mit negativem Fotoresist oder einem anderen organischen Werkstoff beschichtete Plättchen 33 werden in die dazwischen freigehaltenen Ausnehmungen eingesetzt. Der Fotoresist oder das andere organische Material befindet sich dabei in einer solchen Lage, in welcher es der abzuätzenden Siliziumdioxidschicht gegenüberliegt, wobei mit einem Abstand zwischen den beiden Oberflächen in der Größenordnung von 4,7 mm gute Ergebnisse erzielt werden. Die Aluminiumscheiben 36 sind in Anlage gegen die Plättchenrückseiten 32 in die Ausnehmungen eingesetzt. Das Aufnahmevermögen des Schiffchens 22 kann dadurch gesteigert werden, daß in jede Ausnehmung zwei Plättchen mit einer zwischen diesen befindlichen Aluminiumscheibe eingesetzt werden.

Nach Einsetzen des Schiffchens in die Reaktionskammer wird diese geschlossen und die Vakuumpumpe 18 angeschaltet, um den Druck innerhalb der Reaktionskammer auf einen

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Anfangsdruck in der Größenordnung von 0,1 Torr oder darunter abzusenken. Gleichzeitig damit wird die Reaktionskammer auf eine Temperatur von z.B. 170⁰C bis 190 ⁰C erhitzt. Zu diesem Zweck kann eine (hier nicht dargestellte) Widerstandsheizung an der Reaktionskammerseitenwand vorgesehen sein. Bei eingeschalteter Vakuumpumpe 18 wird das Ventil 17 geöffnet, so daß Fluorwasserstoffgas in die Reaktionskammer eintreten kann. Der Gasdurchsatz wird dabei so bemessen, daß der Druck innerhalb der Reaktionskammer auf einen Wert von z.B. 3 bis 7 Torr ansteigt. Das Gas durchströmt dann den Zwischenraum zwischen den sich gegenüberliegenden Flächen der Plättchen und ätzt dabei die freiliegenden Bereiche der Siliziumdioxidschicht weg.

Dieser Gasdurchsatz wird während einer ausreichend lang bemessenen Zeitspanne aufrecht erhalten, um die freiliegenden Bereiche der Siliziumdioxidschicht zu entfernen. Dann wird das Ventil 17 geschlossen, die Vakuumpumpe 18 abgeschaltet und der Druck innerhalb der Kammer auf atmosphärischen Druck gebracht, so daß die geätzten Plättchen aus der Reaktionskammer entnommen werden können.

Beispiel

Vermittels des vorstehend beschriebenen Verfahrens und den angegebenen Fotoresistwerkstoffen wurde eine Siliziumdioxidschicht in einer Stärke von 8000 Angström in angenähert 7 Minuten weggeätzt, wobei keine nennenswerte Durchdringung des positiven Fotoresists oder Wegätzen unter diesem zu beobachten war. Die Verfahrenstemperatur betrug dabei 180 ⁰C, der Anfangsdruck lag unter 0,1 Torr und der Druck während des Ätzvorgangs war angenähert 6 Torr. Der Abstand der sich gegenüberliegenden Plättchenoberflächen betrug 4,7 mm, und eine Aluminiumscheibe war

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gegen jede Plättchenrückseite angelegt. Nach Ablösen des Fotoresists von der Siliziumdioxidschicht wiesen die zurückbleibenden Bereiche dieser Schicht nach wie vor eine Stärke von 8000 Angström auf.

Die in Fig. 3 dargestellte Ausführungsform der Vorrichtung besteht aus einer etwa zylindrischen Reaktionskammer 51 aus z.B. Quarz, das nicht von Fluorwasserstoffgas angegriffen wird. Mehrere Gaseinlässe 52 sind im unteren Bereich der Reaktionskammer, und ein Gasauslaß 53 ist im oberen Kammerbereich angeordnet. Koaxial innerhalb der Reaktionskammer befindet sich ein Durchbrechungen aufweisender Aluminiumzylinder 54, in welchen die zu ätzenden Plättchen eingesetzt werden.

Zum Erhitzen der innerhalb der Reaktionskammer befindlichen Plättchen sind Infrarotstrahler 57 in Verbindung mit Reflektoren 58 vorgesehen. Bei der hier dargestellten Ausführungsform befinden sich die Infrarotstrahler und die Reflektoren 58 außerhalb der Reaktionskammer, und die Gaseinlässe 52 münden in den Bereich zwischen der Kammerwand und dem Aluminiumzylinder 54.

Beim Abätzen von Siliziumdioxid vermittels Fluorwasserstoff gas wirkt negativer Fotoresist mehr als Katalysator denn als Maskierung für das Ätzmittel. Positiver Fotoresist wirkt jedoch in der bekannten Weise als wirksame Maskierung für das Fluorwasserstoffgas beim Wegätzen der Siliziumdioxidschicht.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens unter Verwendung der in Fig. 3 dargestellten Vorrichtung wird ein Halbleiterplättchen entsprechend der Darstellung in Fig. 4 behandelt. Das Plätt-

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chen besteht dabei aus einer allgemein ebenen Unterlage (Substrat) 61 aus einem Halbleiterwerkstoff wie z.B. Silizium. Auf der Oberfläche der Unterlage ist eine Siliziumdioxidschicht 62 ausgebildet, und diese trägt eine Schicht 63 aus positivem Fotoresist. In der Fotoresistschicht sind in bekannter Weise Fenster 64 ausgebildet, durch welche hindurch Bereiche 62a, 62b der wegzuätzenden Siliziumdioxidschicht freiliegen. Eine Schicht 66 aus negativem Fotoresist wird dann auf die Schicht aus positivem Fotoresist und die freiliegenden Siliziumdioxidbereiche 62a, 62b aufgebracht. Das Aufbringen des negativen Fotoresists kann in bekannter Weise durch Schleudern erfolgen. Positiver und negativer Fotoresist können dabei aus einem in Verbindung mit der Ausführungsform nach Fig. 1 beschriebenen Werkstoff bestehen.

Nach Aufbringen des negativen Fotoresists werden die Plättchen in die Reaktionskammer eingesetzt, und diese wird vermittels der Infrarotstrahler 57 auf eine Temperatur in der Größenordnung von 150 ⁰C bis 200 ⁰C aufgeheizt. Fluorwasserstoffgas wird durch die Gaseinlässe 52 zugeführt und durch den Gasauslaß 53 wiederum abgeführt. Das.Gas tritt durch die Durchbrechungen im Aluminiumzylinder 54 hindurch, durchdringt den negativen Fotoresist und ätzt die Siliziumdioxidschicht unterhalb der Fenster 64 weg* Der positive Fotoresist schützt an den Stellen, an welchen er aufgebracht ist, die Siliziumdioxidschicht, so daß diese an diesen Stellen nicht vom Fluorwasserstoffgas angegriffen wird. Wie oben ausgeführt, dient der negative Fotoresist als Katalysator und bewirkt ein wesentlich schnelleres und zuverlässigeres Wegätzen des Siliziumdioxids durch das Fluorwasserstoffgas.

Wenn der positive Fotoresist länger als einige Minuten

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auf der Siliziumdioxidschicht belassen wird, neigt er in gewissem Grade zur Entpolymerisierung und Auflösung in den negativen Fotoresist, so daß ein Grenzbereich entsteht, an welchem das völlige Wegätzen des Siliziumdioxids schwierig wird. Zur Vermeidung derartiger Schwierigkeiten wird der positive Fotoresist vor Aufbringen des negativen Fotoresists durch Erhitzen repolymerisiert. Durch Erhitzen des positiven Fotoresists auf eine Temperatur von etwa 120 ⁰C über einen Zeitraum von 30 Minuten wird die Löslichkeit des Fotoresists vollkommen beseitigt, so daß ein sauberes Ätzen bis zu den Rändern der Fenster erfolgen kann.

Das Siliziumdioxid läßt sich vermittels Fluorwasserstoffgas auch in einem gewünschten Muster wegätzen, indem lediglich negativer Fotoresist auf die wegzuätzenden Bereiche aufgebracht wird und die übrigen Bereiche unmaskiert bleiben. Dieser Verfahrensgang ist anhand Fig. 5 veranschaulicht. Diese zeigt eine auf der Oberfläche einer Halbleiterunterlage 71 ausgebildete Siliziumdioxidschicht 72. Negativer Fotoresist 73 ist auf die wegzuätzenden Bereiche der Siliziumdioxidschicht 72a, 72b aufgebracht. Zu diesem Zweck geeignete Fotoresistwerkstoffe sind sämtliche anhand der vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele genannte Fotoresistwerkstoffe.

Es wurde gefunden, daß die freiliegenden Bereiche der Siliziumdioxidschicht widerstandsfähig gegenüber einer Ätzwirkung durch Fluorwasserstoff gemacht werden können, indem die Siliziumdioxidoberfläche 72c vor dem Ätzvorgang einem Plasma ausgesetzt wird. Die erforderliche Vorbehandlung kann innerhalb der Reaktionskammer 51 erfolgen, indem ein entsprechendes Gas durch die Gaseinlässe 52 in die Kammer eingeführt und zur Ausbildung eines Plasmas

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innerhalb der Kanuner ionisiert wird. Geeignete Gase zu diesem Zweck sind Freon 14, Sauerstoff, Argon und dgl..

Nachdem die Siliziumdioxidoberfläche 72c dem Plasma ausgesetzt worden ist, wird das Plasmagas wiederum aus der Kammer abgeführt. Dann werden die Unterlagen erhitzt, und das Fluorwasserstoffgas wird zugeführt. Dieses Fluorwasserstoffgas wird durch den negativen Fotoresist konzentriert und ätzt die vom Fotoresist bedeckten Bereiche der Siliziumdioxidschicht weg.

Wie aus Fig. 5 ersichtlich, nehmen die ohne positive Fotoresistbeschichtung unterhalb des negativen Fotoresists ausgebildeten öffnungen (oder Schlitze) eine sich verjüngende Formgebung an, d.h. sie erweitern sich von der Unterlagenoberfläche zur Siliziumdioxidoberfläche 72c hin. Diese trichterförmige Formgebung dürfte auf die starke katalytische Wirkung des negativen Fotoresists zurückzuführen sein, welcher den oberen Bereichen der öffnungen sehr nahe ist, und ist besonders vorteilhaft für öffnungen, die zur Aufnahme elektrischer Kontakte bestimmt sind, welche durch die Siliziumdioxidschicht hindurch bis zur Unterlage führen. Die sich verjüngenden öffnungen weisen größere Wandflächen als geradlinig begrenzte öffnungen auf, so daß der Kontaktwerkstoff wie z.B. Aluminium eine bessere Verbindung mit den Wänden der öffnung eingehen kann.

Das erfindungsgemäß vorgeschlagene Verfahren weist mehrere Vorteile auf. Der negative Fotoresist oder ein anderer organischer Katalysatorwerkstoff haben ein wesentlich leichteres Abätzen von Siliziumdioxid zur Folge, und das unter Einsatz von Fluorwasserstoffgas ausgeführte Verfahren ist schnell und zuverlässig durchführbar.

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Claims

Patentansprüche

[ 1. !Verfahren zum Abätzen einer Siliziumdioxidschicht von einer Unterlage, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schicht (66) aus negativem Fotoresist in unmittelbarer Nähe der wegzuätzenden Siliziumdioxidschicht (27, 62) aufgebracht und die Siliziumdioxidschicht während einer zum Wegätzen derselben ausreichend lang bemessenen Zeit Fluorwasserstoffgas ausgesetzt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Fotoresist (66) unmittelbar auf die wegzuätzende Siliziumdioxidschicht (27, 62) aufgebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die nicht von negativem Fotoresist bedeckten Stellen der Siliziumdioxidschicht (27) einem Gasplasma ausgesetzt und durch dieses widerstandsfähig gegen die Ätzwirkung des Fluorwasserstoffgases gemacht werden.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 - 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schicht (28, 63) aus positivem Fotoresist auf die nicht wegzuätzenden Bereiche der Siliziumdioxidschicht (27, 62), und der negative Fotoresist (66) unmittelbar auf die Schicht aus positivem Fotoresist und die wegzuätzenden Bereiche der Siliziumdioxidschicht aufgebracht wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (66) aus negativem Fotoresist auf die Oberfläche einer zur Oberfläche der Siliziumdioxidschicht parallelen, ebenen Platte (36) oder Scheibe aufgebracht wird.

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6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 - 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage (26, 61) mit Metall (36) hinterlegt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 - 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage (26, 61) in eine auf eine Temperatur von 150 ⁰C bis 200 ⁰C erhitzte Reaktionskammer (11, 51) eingelegt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 - 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumdioxidschicht (27, 62) unter einem Druck von 3 bis 7 Torr weggeätzt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 - 8, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schicht (63) aus positivem Fotoresist in Form einer Maskierung auf die nicht wegzuätzenden Bereiche der Siliziumdioxidschicht (62) , die Schicht (66) aus negativem Fotoresist auf die wegzuätzenden Bereiche der Siliziumdioxidschicht (62) aufgebracht und dann die Unterlage (61) mit den auf dieser aufgebrachten Schichten in der Reaktionskammer (11, 51) auf eine Temperatur zwischen 150 ⁰C und 200 ⁰C erhitzt wird und dabei die in unmittelbarer Berührung mit dem negativen Fotoresist stehenden Bereiche der Siliziumdioxidschicht unter Einwirkung des Fluorwasserstoffgases weggeätzt werden.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (63) aus positivem Fotoresist vor Aufbringen der Schicht (66) aus negativem Fotoresist durch Erhitzen auf eine vorbestimmte Temperatur repolymerisiert wird.

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11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-8, wobei die Siliziumdioxidschicht auf eine Halbleiterunterlage aufgebracht ist, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schicht (63) aus positivem Fotoresist in Form einer Maskierung auf die Siliziumdioxidschicht (62) aufgebracht und mit Fenstern (64) versehen wird, durch welche hindurch die wegzuätzenden Bereiche der Siliziumdioxidschicht in Form eines bestimmten Musters freiliegen, die Schicht (66) aus negativem Fotoresist in einem Abstand den freiliegenden Bereichen der Siliziumdioxidschicht gegenüberliegend angeordnet und das Fluorwasserstoffgas in den Zwischenraum zwischen der organischen Schicht aus negativem Fotoresist und der Siliziumdioxidschicht eingeleitet wird und die freiliegenden Bereiche der Siliziumdioxidschicht weggeätzt werden.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß während des Ätzvorgangs eine Metallplatte (36) hinter der Unterlage (61) angeordnet wird.

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