DE2702120A1 - Radialstroemungsbeaufschlagter reaktor zum beschichten von werkstuecken - Google Patents
Radialstroemungsbeaufschlagter reaktor zum beschichten von werkstueckenInfo
- Publication number
- DE2702120A1 DE2702120A1 DE19772702120 DE2702120A DE2702120A1 DE 2702120 A1 DE2702120 A1 DE 2702120A1 DE 19772702120 DE19772702120 DE 19772702120 DE 2702120 A DE2702120 A DE 2702120A DE 2702120 A1 DE2702120 A1 DE 2702120A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrode
- gas
- chamber
- workpiece support
- support zone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010944 pre-mature reactiony Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 230000003763 resistance to breakage Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
.R
BLUMBACH · WESER · BERGEN · KRAME
ZWIRNER · HIRSCH
PATENTANWÄLTE IN MÜNCHEN UND WIESBADEN
Postadresse München: Palentconsult 8 München 60 Radedcestraße 43 Telefon (089) 883603/863604 Telex OS-212315
Postadresse Wiesbaden: Patentconsult 6? Wiesbaden Sonnenberger Straße 43 Telefon (06121)562943/561998 Telex 04-186237
Western Electric Company, Incorporated
New York, N.Y., USA Alexander 1-1-4-16-2-5-16
Radialströmungsbeaufschlagter Reaktor zum Beschichten von Werkstücken
Die Erfindung bezieht sich auf einen radialströmungsbeaufschlagten
Reaktor gemäß Oberbegriff des AjjSpruchs 1.
Die Erfindung wird im folgenden im Zusammenhang mit dem Niederschlagen
von Silicium-Stickstoff-Schichten auf Siliciumsubstraten beschrieben. Sie ist gleichwohl nicht darauf beschränkt.
Die Zuverlässigkeit von Halbleitervorrichtungen, insbesondere von Metall-Oxidisolierung-Halbleiter-Vorrichtungen (MOS) ist
weitgehend eine Funktion der Art und Weise, in der sie passiviert
worden sind, und wie die vollständigen Vorrichtungen von der Umgebung isoliert sind. Es ist bekannt, einen HF-betriebenen
radialströmungsbeaufschlagten zylindrischen Reaktor zum
709830/0981
Beschichten mehrerer Halbleitersubstrate mit einer anorganischen Schicht mittels einer Niedrigtemperaturplasmaniederschlagsmethode
zu verwenden. Eines der bei diesem Reaktor auftretenden Probleme besteht darin, daß die Glimmentladungsreaktion dazu neigt, \ ^zeitig in einem Teil der Kammer aufzutreten,
der unterhalb der Halbleitersubstrate liegt. Diese unerwünschte Reaktion führt zu einer Verarmung der Gase, die
schließlich über die zu beschichtenden Halbleitersubstrate fließen. Dies führt zu einer etwas ungleichmäßigen Beschichtung
der Substrate. Zudem begrenzt diese verfrühte Reaktion die Energiemenge, die durch die HF-Quelle zugeführt werden
kann, was zu Schichten führt, die zu einer relativ hohen Zugspannung und einer relativ niedrigen Dichte neigen. Man
fand, daß beide diese Eigenschaften zu einem Brechen der Schichten beitragen.
Es wäre wünschenswert, einen verbesserten radialströmungsbeaufschlagten
Reaktor verfügbar zu haben, in dem die Entladungsplasmareaktion im wesentlichen auf den Bereich oberhalb und
in der Nähe der zu beschichtenden Halbleiterscheiben beschränkt 1st. Eine solche verbesserte Reaktionskammer würde
die Erzeugung von Schutzschichten erleichtern, die sowohl
eine gleichförmige Beschichtung darstellen als auch eine re
lativ hohe Widerstandsfähigkeit gegen Brechen aufweisen.
Die Lösung dieser Aufgabe ist im Anspruch 1 gekennzeichnet.
709830/0981
Ausgestaltungen und Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Lösung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Im folgenden wird die Erfindung anhand einer Ausführungsform näher erläutert. In der zugehörigen Zeichnung zeigen:
Fig. 1 und 2 eine AusfUhrungsform eines radialströmungsbeaufschlagten
Reaktors gemäß Erfindung und
Fig. 3 ein Gasflußdiagramm, das beim Reaktor gemäß
Fig. 1 und 2 verwendet werden kann.
In den Fig. 1 und 2 ist ein zylinderförmiger, radialströmungsbeaufschlagter, hochfrequenz-(HF-)betriebener Reaktor 10 dargestellt. Der Reaktor 10 umfaßt einen Oberplattenabschnitt 12,
einen Unterplattenabschnitt 14 und eine zylindrische Seitenwand 16. Die Seitenwand 16 ist mit der Ober- und der Unterplatte 12 bzw. 14 dicht verbunden, um eine evakuierbare Kammer
24 zu bilden.
Eine erste Elektrode 18, bei der es sich typischerweise um ein kreisförmiges Metallteil handelt, ist über ein Impedanzanpaßnet zwerk 20 mit einer HF-Quelle 22 verbunden. Gemäß Darstellung ist die Elektrode 18 elektrisch von der Oberplatte
12 isoliert. Eine zweite Elektrode 26, bei der es sich typischerweise um ein kreisförmiges Metallteil handelt, weist eine
709830/0981
Jr-
obenliegende Oberfläche 28 auf, die zum Tragen von Halbleiterscheiben
30 ausgebildet ist, einen Unterteil 32 und einen Endteil 34. Heizvorrichtungen 36, die typischerweise im Inneren
der Elektrode 26 enthalten sind, werden dazu verwendet, die Halbleiterscheiben 30 auf eine vorgewählte Temperatur
zu erwärmen.
Im dichten Abstand von der Elektrode 26 ist eine Gasströmungsabschirmung
38 angeordnet, welche die Elektrode 26 im wesentlichen umgibt, mit Ausnahme desjenigen Teils von deren obenliegender
Oberfläche 28, auf welchem die Halbleiterscheiben 30 angeordnet sind. Ein Bodenteil 40 der Abschirmung 38 verläuft
im wesentlichen parallel zum Bodenteil 32 der Elektrode 26. Ein (im Querschnitt) U-förmiger Endteil 42 der Abschirmung
38 umgibt den Endteil 34 des Elektrode 26.
Mehrere Rohre 44 stehen durch die Bodenplatte 14 und den Bodenteil
40 der Abschirmung 38 hindurch mit dem Innenteil der Kammer 24 in Verbindung. Die Rohre 44 sind einen Endes mit
einem Gasring 46 verbunden, der eine Vielzahl von im wesentlichen im gleichen Abstand angeordneten kleinen öffnungen 48
aufweist. Der Gasring 46 ist innerhalb des Hohlraums zwischen dem Bodenteil 32 der Elektrode 26 und dem Bodenteil 40 der
Gasabschirmung 38 angeordnet. Die Rohre 44 sind anderen Endes mit einem gemeinsamen Rohr 50 verbunden, das in Serienschal-
709830/0981
tung ein Steuerventil 52 aufweist.
Ein Rohr 54 steht durch die Platte 14 und die Abschirmung 38 hindurch und .über eine durch die Elektrode 26 führende
öffnung 56 hindurch mit dem Inneren der Kammer 24 in Verbindung, und ein Ende des Rohres 54 ist dicht innerhalb der öffnung
angeordnet. Das andere Ende des Rohres 54 ist mit Vakuumpumpen 58 verbunden, die zum Evakuieren des Inneren der Kammer
24 verwendet werden. Das Rohr 54 dient somit dazu, die Kammer über die öffnung 56 in der Elektrode 26 zu evakuieren.
Die zur Beschichtung der Halbleiterscheiben 30 benötigten und in der Kammer 24 enthaltenen Reaktionspartnergase werden in
das Rohr 50 eingelassen und fließen in der durch Pfeile dargestellten
Weise, d. h., sie fließen um den Boden der Elektrode 26 und dann in Radialrichtungen über deren obere Oberfläche
zur öffnung 56.
Eine HF-Glimmentladungsreaktion wird im Inneren der Kammer
24 zwischen den Elektroden 18 und 26 verursacht, wenn die HF-Quelle 22 aktiviert wird und geeignete Gase durch das
Rohr 50 in die Kammer 24 geleitet werden. Die Gasabschirmung 38 hat typischerweise einen Abstand von etwa 6 mm oder weni
ger von der Elektrode 26. Dieser geringe Abstand erzeugt eine elektrostatische Abschirmung für das Gas, wenn es zur
oberen Oberfläche der Elektrode 26 fließt, und er verhindert
709830/0921
im wesentlichen, daß die Glimmentladungsreaktion, die zwischen
der Elektrode 18 und der oberen Oberfläche 28 der Elektrode 26 auftritt, rund um den Endteil 34 und den Bodenteil
32 der Elektrode 26 auftritt. Dies dient zur Intensivierung der HF-Glimmentladungsreaktion unmittelbar oberhalb
der Halbleiterscheiben 30. Zusätzlich erlaubt die Gasabschirmung 38 die effektive Verwendung einer höheren Eingangs-HF-Energie,
als sie ohne die Abschirmung möglich wäre. Ohne Abschirmung 38 neigen die in die Kammer 24 geleiteten Oase dazu,
unterhalb der Elektrode 26 zu reagieren und deshalb vor Erreichen der Halbleiterscheiben 30 verloren zu gehen. Folglich
ist ohne die Abschirmung 38 eine Erhöhung der HF-Energie über einen bestimmten Punkt hinaus nicht sonderlich hilfreich
für eine Intensivierung der Glimmentladungsreaktion oberhalb der Scheiben 30, wo das Auftreten der Reaktion wichtig
ist.
Die Vakuumpumpen 58 in Fig. 1 sind so gewählt, daß sie mit einem hohen Gasdurchsatz von etwa 2 Litern pro Minute bei
einem Druck von mehr als 1 mm Hg verträglich sind.
Bei einer erfindungsgemäßen AusfUhrungsform bestehen die
Wände 12, 14 und 16 des Reaktors 10 aus rostfreiem Stahl und
die Elektrode 18 ist aus Aluminium hergestellt. Es werden zwei Rohre 44 benutzt, und der verwendete Gasring ist ein Rohrteil
709830/0981
mit einem Durchmesser von etwa 12,5 mm. Der Abstand zwischen dem U-förmigen Abschnitt 42 der Gasabschirmung 38 und dem
Endteil 34 der Elektrode 26 beträgt etwa 6 mm. Der Abstand zwischen der obenliegenden Oberfläche 28 der Elektrode 26
und der Elektrode 18 beträgt etwa 2,5 cm.
Bei einer anderen erfindungsgemäßen Ausführungsform bestehen die Oberwand 12 und die Unterwand 14 aus Aluminium, und die
Seitenwand 16 ist aus Pyrex-Glas hergestellt. Da die Oberwand 12 elektrisch von den Wänden 14 und 16 isoliert ist, ist
es nicht erforderlich, daß die elektrische Verbindung vom Impedanzanpaßnetzwerk 20 zur Elektrode 18 elektrisch von der
Oberwand 12 isoliert ist. In diesem Reaktor handelt es sich bei dem Gasring um ein kreisförmiges Teil mit einem Durchmesser von etwa 35 cm. Es sind etwa 120 Gasaustrittsöffnungen
mit einem Durchmesser von je 1 mm mit gleichem Abstand rund
um diesen Gasring angeordnet. Der Abstand zwischen dem Endteil 34 der Elektrode 26 und dem U-förmigen Teil 42 der Gasabschirmung
38 beträgt etwa 3 mm. Der Abstand zwischen der Oberfläche 28 der Elektrode 26 und der Elektrode 18 beträgt
etwa 2,5 cm.
Im Betrieb werden Halbleitersubstrate 30 auf die Tragoberfläche 28 gegeben. Der Reaktor 10 wird dann dichtgemacht, geschlossen
und bis auf 10 mm Hg leergepumpt· Die Heizvorrichtungen 36 im Inneren der Elektrode 26 werden eingeschaltet,
709830/0981
und die Halbleitersubstrate werden auf etwa 275° C erhitzt. Die Reaktionspartnergase werden in den Reaktor eingelassen
und es wird ein dynamischer Druck von etwa 60 um Hg im Reaktor eingestellt, wobei die einströmenden Gase mit den
gewünschten Durchsätzen fließen. Die HF-Energiequelle wird nun auf den gewünschten Energiewert eingestellt.
Fig. 3 zeigt ein Flußdiagramm von Reaktionspartnergasen, das für den Reaktor gemäß Fig. 1 und 2 verwendet werden kann. Eine
Quelle 1000 für Silan (SiH^) in Argonträgergas (Ar), eine
Quelle 1100 für Ammoniak (NH,) in Argonträgergas (Ar), eine Quelle 1200 für Kohlenstofftetrafluorid (CF^) und eine Quelle
1300 für Sauerstoff (O2) sind über je ein gesondertes Ventil
1400, 1500, 1600 bzw. 1700 mit gesonderten Durchflußmessern 1800, 1900, 2000 bzw. 2100 und von da aus über gesonderte
Durchlaßventile 2200, 2300, 2400 bzw. 2500 verbunden. Die Ausgänge
der Durchlaßventile 2400 und 2500 sind über ein Ventil 2900 gemeinsam mit einer Reaktionskammer 2700 verbunden. Bei
der Reaktionskammer 2700 kann es sich um die Kammer 24 der Fig. 1 und 2 handeln. Die Ausgänge der Durchlaßventile 2200
und 2300 sind beide mit einer Mischkammer 2600 verbunden. Die Mischkammer 2600 steht über ein Ventil 2800 mit der Reaktionskammer 2700 in Verbindung.
Die Reaktionspartnergase SiH^ und NH, mischen sich in der
Mischkammer 2600 und gelangen dann durch das Ventil 2800 in
709830/0981
die Reaktionskammer 2700. Während anorganische Schichten auf Halbleitersubstraten niedergeschlagen werden, sind die Ventile
1600, 1700, 2400, 2500 und 2900 geschlossen und die Ventile 1400, 1500, 2200, 2300 und 2800 geöffnet.
Nach einem oder mehreren Niederschlagsdurchgängen bilden sich auf den Elektroden 18 und 26 und auf anderen Bereichen
im Reaktor gemäß Fig. 1 und 2 anorganische Schichten. Zur Entfernung dieser Schichten werden die Heizvorrichtungen und
die HF-Quelle cer Fig. 1 eingeschaltet und die Ventile 1600, 1700, 2400, 2500 und 2900 werden alle geöffnet und die Ventile
1400, 1500, 2200, 2300 und 2800 werden alle geschlossen. Die Auf den Reaktorinnenteilen niedergeschlagenen Schichten werden
durch die resultierende HF-Glimmentladungsreaktion (Reaktionspartnergase sind CF^ und O2) entfernt. Dann kann ein
neuer Satz Halbleiterscheiben in den Reaktor gegeben werden, um auf diesen Schutzschichten niederzuschlagen.
Vorteilhafterweise werden alle Rohrverbindungen zur Verbindung der in Flg. 3 dargestellten Gasquellen mit dem Reaktor
der Fig. 1 und 2 aus rostfreiem Stahl hergestellt, um sicher zustellen, daß diese Verbindungen im wesentlichen leckfrei
sind. Dies verhindert im wesentlichen, daß irgendwelche ausser den gewünschten Gasen während des NMerschlagsvorgangs
in die Anlage eindringen. Im wesentlichen reine Quellen für
709830/0981
SiH^, NH, und Ar können leicht an die Stelle der Quelle 1000
für SiH^ in Ar und die Quelle 1100 für NH, in Ar treten.
709830/0981
Leerseite
Claims (4)
- BLUMBACH · WESER · BERGEN · KRAMER ZWIRNER · HIRSCHPATENTANWÄLTE IN MÜNCHEN UND WIESBADENPostadresse München: Patentconsull 8 München 60 Radeclcestra3e 43 Telefon (089) 88360J/883604 Telex 05-212315 Postadresse Wiesbaden: Patentconsull 62 Wiesbaden Sonnenberger Straße 43 Telefon (06121)562943/561998 Telex 04-186237- 11 Western Electric Company, Incorporated Alexander 1-1-4-16-2-5-16Patentansprüche. 1.) Radialströmungsbeaufschlagter Reaktor zum Beschichten von Werkstücken, mit einer evakuierbaren Kammer, in der eine erste Elektrode untergebracht ist sowie eine zweite Elektrode, die eine Werkstücktragzone umfaßt, in einem Abstand von der ersten Elektrode angeordnet ist und im Zusammenwirken mit der ersten Elektrode eine Plasmaentladung zwischen den Elektroden zu erzeugen vermag, ferner eine Gaszufuhreinrichtung, mit der sich eine Gasströmung eines Gases, das zur Verwendung bei einem Plasmaentladungsreaktionsbeschichtungsvorgang geeignet ist, in radialen Richtungen über der Wekrstücktragzone der zweiten Elektrode erzielen läßt, dadurch gekennzeichnet , daß die Gaszufuhreinrichtung (44, 46, 48) eine um Teile der zweite Elektrode (28) angeordnete Abschirmvorrichtung (38) umfaßt, mit der die Plasmaglimmentladung im Bereich der zweiten Elektrode im wesentlichen auf deren Werkstücktragzone begrenzt ist.709830/0981München: Kramer ■ Dr.Weser · Hirsch — Wiesbaden: Blumbach · Or. Bergen · ZwirnerORIGlWAI
- 2. Reaktor nach Anspruch 1, bei dem das Gas in die Kammer auf derjenigen Seite der zweiten Elektrode eingeführt wird, welche der der ersten Elektrode gegenüberliegenden Seite entgegengesetzt ist, bei dem die zweite Elektrode eine durch einen Mittelteil der Werkstücktragzone gehende Öffnung aufweist und bei dem eine Absaugvorrichtung vorgesehen ist, die mit der Öffnung verbunden ist und ein Leerpumpen des die Werkstücktragzone unmittelbar umgebenden Raums bewirkt, dadurch gekennzeichnet , daß die Abschirmvorrichtung (38) eine Bahn für den Fluß des Gases definiert, von welcher dieses in unmittelbarer Nachbarschaft zur Werkstücktragzone in die Kammer eingelassen wird, und daß die Abschirmvorrichtung diese Bahn von der ersten Elektrode abschirmt, um eine Plasmaglimmentladung längs· dieser Bahn zu verhindern.
- 3. Reaktor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß im Inneren der zweiten Elektrode (26) Heiz elemente (36) vorgesehen sind, mit denen die von dieser Elektrode getragenen Werkstücke auf eine vorgewählte Temperatur aufheizbar sind.
- 4. Reaktor nach Anspruch 3t dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Elektrode mit der Wand der Kammer (24) elektrisch gekoppelt ist.Hi/ku 709830/0981
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/651,555 US4033287A (en) | 1976-01-22 | 1976-01-22 | Radial flow reactor including glow discharge limiting shield |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2702120A1 true DE2702120A1 (de) | 1977-07-28 |
Family
ID=24613299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19772702120 Ceased DE2702120A1 (de) | 1976-01-22 | 1977-01-20 | Radialstroemungsbeaufschlagter reaktor zum beschichten von werkstuecken |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4033287A (de) |
| JP (1) | JPS52132677A (de) |
| BE (1) | BE850518A (de) |
| DE (1) | DE2702120A1 (de) |
| FR (1) | FR2339001A1 (de) |
| GB (1) | GB1563529A (de) |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4226897A (en) * | 1977-12-05 | 1980-10-07 | Plasma Physics Corporation | Method of forming semiconducting materials and barriers |
| US4328258A (en) * | 1977-12-05 | 1982-05-04 | Plasma Physics Corp. | Method of forming semiconducting materials and barriers |
| JPS5538043A (en) * | 1978-09-12 | 1980-03-17 | Fujitsu Ltd | Dry etching device |
| US4282267A (en) * | 1979-09-20 | 1981-08-04 | Western Electric Co., Inc. | Methods and apparatus for generating plasmas |
| US4307283A (en) * | 1979-09-27 | 1981-12-22 | Eaton Corporation | Plasma etching apparatus II-conical-shaped projection |
| US4270999A (en) * | 1979-09-28 | 1981-06-02 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for gas feed control in a dry etching process |
| JPS5811240U (ja) * | 1981-07-14 | 1983-01-25 | 株式会社島津製作所 | プラズマｃｖｄ装置 |
| US4574733A (en) * | 1982-09-16 | 1986-03-11 | Energy Conversion Devices, Inc. | Substrate shield for preventing the deposition of nonhomogeneous films |
| US4462333A (en) * | 1982-10-27 | 1984-07-31 | Energy Conversion Devices, Inc. | Process gas introduction, confinement and evacuation system for glow discharge deposition apparatus |
| US4525375A (en) * | 1983-03-28 | 1985-06-25 | Rca Corporation | Method of controllong the deposition of hydrogenated amorphous silicon and apparatus therefor |
| JPS59207620A (ja) * | 1983-05-10 | 1984-11-24 | Zenko Hirose | アモルフアスシリコン成膜装置 |
| US4593644A (en) * | 1983-10-26 | 1986-06-10 | Rca Corporation | Continuous in-line deposition system |
| JPS60117716A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Zenko Hirose | 成膜方法 |
| DE3587369D1 (de) * | 1984-01-28 | 1993-07-01 | Philips Patentverwaltung | Vorrichtung zur beschichtung eines substrates mittels plasma-chemical vapour deposition oder kathodenzerstaeubung und damit ausgefuehrtes verfahren. |
| JPS61232612A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 気相反応装置 |
| JPS6164121A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-02 | Toshiba Corp | Ｃｖｄ装置 |
| US4694779A (en) * | 1984-10-19 | 1987-09-22 | Tetron, Inc. | Reactor apparatus for semiconductor wafer processing |
| US6786997B1 (en) | 1984-11-26 | 2004-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JPH0752718B2 (ja) * | 1984-11-26 | 1995-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成方法 |
| GB8508699D0 (en) * | 1985-04-03 | 1985-05-09 | Barr & Stroud Ltd | Chemical vapour deposition of products |
| JPS62281913A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | 株式会社 ヒロ−・ミラ− | 着色鏡及びその製造方法 |
| US5332697A (en) * | 1989-05-31 | 1994-07-26 | Smith Rosemary L | Formation of silicon nitride by nitridation of porous silicon |
| JPH03269401A (ja) * | 1990-03-19 | 1991-12-02 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 装飾反射面付透明体の製法 |
| US5304282A (en) * | 1991-04-17 | 1994-04-19 | Flamm Daniel L | Processes depending on plasma discharges sustained in a helical resonator |
| EP1038046A4 (de) * | 1997-12-05 | 2006-08-02 | Tegal Corp | Plasmareaktor mit abscheidungsabschirmung |
| US6390019B1 (en) | 1998-06-11 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Chamber having improved process monitoring window |
| AU1786301A (en) * | 1999-12-02 | 2001-06-12 | Tegal Corporation | Improved reactor with heated and textured electrodes and surfaces |
| US6440219B1 (en) * | 2000-06-07 | 2002-08-27 | Simplus Systems Corporation | Replaceable shielding apparatus |
| WO2002024985A1 (de) * | 2000-09-22 | 2002-03-28 | Aixtron Ag | Gaseinlassorgan für cvd-verfahren und vorrichtung |
| US6797639B2 (en) | 2000-11-01 | 2004-09-28 | Applied Materials Inc. | Dielectric etch chamber with expanded process window |
| US7780785B2 (en) * | 2001-10-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus for atomic layer deposition |
| US20090029033A1 (en) * | 2007-07-27 | 2009-01-29 | Joseph Chou | Method of manufacturing thin-film based PV modules |
| US8298338B2 (en) * | 2007-12-26 | 2012-10-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
| KR101004822B1 (ko) * | 2008-04-18 | 2010-12-28 | 삼성엘이디 주식회사 | 화학 기상 증착 장치 |
| KR100982987B1 (ko) * | 2008-04-18 | 2010-09-17 | 삼성엘이디 주식회사 | 화학 기상 증착 장치 |
| JP5179339B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2013-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置 |
| JP5457021B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2014-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE345859C (de) * | 1919-10-26 | 1922-03-03 | Michel Schmierer | Glimmlichtroehre zur Erzeugung leuchtender Zeichen, Zeichnungen o. dgl., insbesondere fuer Reklame |
| US3675066A (en) * | 1970-09-04 | 1972-07-04 | Sperry Rand Corp | Planar raised cathode alpha-numeric gas discharge indicator |
| US3757733A (en) * | 1971-10-27 | 1973-09-11 | Texas Instruments Inc | Radial flow reactor |
-
1976
- 1976-01-22 US US05/651,555 patent/US4033287A/en not_active Expired - Lifetime
-
1977
- 1977-01-17 FR FR7701184A patent/FR2339001A1/fr active Granted
- 1977-01-19 BE BE174190A patent/BE850518A/xx not_active IP Right Cessation
- 1977-01-20 DE DE19772702120 patent/DE2702120A1/de not_active Ceased
- 1977-01-21 GB GB2489/77A patent/GB1563529A/en not_active Expired
- 1977-01-22 JP JP543977A patent/JPS52132677A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BE850518A (fr) | 1977-05-16 |
| FR2339001B1 (de) | 1979-03-09 |
| US4033287A (en) | 1977-07-05 |
| JPS52132677A (en) | 1977-11-07 |
| FR2339001A1 (fr) | 1977-08-19 |
| GB1563529A (en) | 1980-03-26 |
| JPS5732904B2 (de) | 1982-07-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2702120A1 (de) | Radialstroemungsbeaufschlagter reaktor zum beschichten von werkstuecken | |
| DE3885034T2 (de) | Eingangsverteiler und Verfahren zur Steigerung der Gasdissoziation und zur PECVD von dielektrischen Filmen. | |
| DE60305605T2 (de) | Schicht bildendes Apparat und Verfahren | |
| DE3102174C2 (de) | Plasmareaktor zur Behandlung von Halbleitern | |
| DE2251571A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum aufbringen von beschichtungen auf substraten | |
| DE2601288A1 (de) | Gasaetzvorrichtung, insbesondere zur herstellung von halbleitervorrichtungen | |
| DE69422550T2 (de) | Verfahren zur plasmaunterstützten chemischen Abscheidung von Schichten aus der Dampfphase unter Verbesserung der Zwischenflächen | |
| DE68921286T2 (de) | Anlage zur plasmachemischen Gasphasenabscheidung. | |
| DE19851824C2 (de) | CVD-Reaktor | |
| DE2161055A1 (de) | Verfahren zum Niederschlagen eines hitzebeständigen Metalls | |
| DE69418058T2 (de) | Verfharen und vorrichtung zur herstellung angeregter gase | |
| DE2911484C2 (de) | Metall-Isolator-Halbleiterbauelement | |
| DE2702165A1 (de) | Verfahren zum aufbringen eines ueberzugs auf substraten | |
| DE112010000724T5 (de) | Plasmaverarbeitungsvorrichtung und Plasma-CVD-Filmbildungsverfahren | |
| EP1844180B1 (de) | Gasverteiler mit in ebenen angeordneten vorkammern | |
| DE2052221C3 (de) | Verfahren zum Erzeugen einer Siliciumoxidschicht auf einem Süiciumsubstrat und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens | |
| DE10236896A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum thermischen Behandeln von Halbleiterwafern | |
| EP0077535B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Schichten aus hochschmelzenden Metallen bei niedrigen Substrattemperaturen | |
| DE2951453C2 (de) | ||
| EP2636054B1 (de) | Vorrichtung zum behandeln von substraten | |
| DD153497A3 (de) | Verfahren und vorrichtung zum plasmaaetzen oder zur plasma cvd | |
| EP1861520B1 (de) | Gaseinlassorgan f]r einen cvd-reaktor | |
| EP3531804B9 (de) | Niederdruckplasmakammer, niederdruckplasmaanlage und verfahren zur herstellung einer niederdruckplasmakammer | |
| DE69805742T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von korrosionsbeständigen Bauteile | |
| DE102008030677B4 (de) | Verfahen und Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8131 | Rejection |