DE2750382A1

DE2750382A1 - HIGH FREQUENCY PHASE SHIFTER

Info

Publication number: DE2750382A1
Application number: DE19772750382
Authority: DE
Inventors: Richard Monroe Cox; Russell Eugene Jones
Original assignee: Bendix Corp
Current assignee: Bendix Corp
Priority date: 1976-11-15
Filing date: 1977-11-10
Publication date: 1978-05-18
Also published as: JPS5362445A; FR2371066A1; NO773889L; AU3018577A; IT1090147B

Description

THE BENDIX CORPORATION, Executive Offices, Bendix Center, Southfield, Michigan 48075, U₄₁SATHE BENDIX CORPORATION, Executive Offices, Bendix Center, Southfield, Michigan 48075, U ₄₁ SA

Hochfrequenz-PhasenschieberHigh frequency phase shifter

Die Erfindung betrifft einen HF-Phasenschieber und speziell einen HF-Diodenphasenschieber.The invention relates to an RF phase shifter and, more particularly, to an RF diode phase shifter.

Elektronisch steuerbare Antennenanordnungen für Radargeräte hoher Qualität und Kommunikationssysteme erfordern eine große Anzahl von Antennenelementen und zugeordneten Komponenten. Eine Grnndkomponente, die bei jedem Antennenelement verwendet wird, besteht aus einem Elementphasenschieber, der die HF-Energie an dem Antennenelement in Abhängigkeit von einem logischen Befehl phasenmäßig verschiebt, so daß dadurch der Antennenstrahl im Raum gesteuert wird.Electronically controllable antenna assemblies for high quality radars and communication systems require a large number of antenna elements and associated components. One The basic component used in every antenna element consists of an element phase shifter that controls the RF energy on the antenna element in dependence on a logical command shifts in phase, so that thereby the antenna beam is controlled in the room.

Es gibt zwei Hauptklassen von Phasenschieber^ die in Verbindung mit elektronisch steuerbaren Antennenanordnungen verwendet werden können und zwar: Ferritphasenschieber und Diodenphasenschieber. In bestimmter Hinsicht stellt jede Klasse den Gegensatz der anderen dar, d.h. die Vorteile der einen Klasse stellen sehr häufig Nachteile der anderen Klasse dar, obwohl in einigen Anwendungsfällen eine Vorrichtung einer der Klassen die Aufgabe erfüllen kann und obwohl nicht alle Parameter optimal sind. Beispielsweise können Ferritphasenschieber normalerweise höhere HF-Energiewerte verarbeiten und sind mit einer geringeren Einfügungsdämpfung behaftet als vergleichbare DiodenphasenschieberThere are two main classes of phase shifters ^ which can be used in connection with electronically controllable antenna assemblies, namely: ferrite phase shifters and diode phase shifters. In certain respects, each class is the opposite of the other, ie the advantages of one class very often represent disadvantages of the other class, although in some applications a device of one of the classes can accomplish the task and although not all parameters are optimal. For example, ferrite phase shifters can typically handle higher levels of RF energy and have lower insertion loss than comparable diode phase shifters

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Die Ferritphasenschieber sind auch allgemein teuer als vergleichbare Diodenphasenschieber. Es ergibt sich somit, daß in Anwendungsfällen mit niedriger HP-Leistung und dort, wo die Ein fügungsdämpfung weniger ine Gewicht fällt, die Diodenphasenschieber gewöhnlich attraktiver sind. Es gibt eine Reihe von Anwendungsfällen elektronisch steuerbarer Antennenanordnungen, die mit geringer HF-Leistung arbeiten, wobei die Einfügungsdämpfung keine so große Rolle spielt. Es ergibt sich somit ein wirtschaftlicher Vorteil ohne einen Nachteil hinsichtlich der Qualität, wenn man in solchen Anwendungsfällen Diodenphasenschieber verwendet.The ferrite phase shifters are also generally more expensive than comparable diode phase shifters. It thus follows that in Use cases with low HP and where the Ein Attenuation is less of a weight, the diode phase shifters are usually more attractive. There are a number of Applications of electronically controllable antenna arrangements, that work with low RF power, whereby the insertion loss does not play such a major role. It thus results in a economic advantage without any disadvantage in terms of quality when using diode phase shifters in such applications.

Im folgenden wird ein Diodenphasenschieber und eine Technik beschrieben, um eine Impedanzanpassung der Dioden desselben an die HF-Schaltung vorzunehmen. Der Diodenphasenschieber ist in Form einer Mikrowellen-Bandleitungsanordnung dargestellt und zwar unter Verwendung von Dioden, die allgemein begannt sind als PIN-Dioden (P-Zone, Intrinsic-Schicht, N-Zone). Der Phasenschieber besteht aus mehreren in Beine geschalteten Hybrid-Ndzwerken, die eine HF-Übertragungsleitung und mehrere PIN-Dioden und Diodenvorspannaittel enthalten.The following describes a diode phase shifter and a technique for impedance matching the diodes thereof make the RF circuit. The diode phase shifter is shown in the form of a microwave ribbon line arrangement and using diodes that are generally started as PIN diodes (P-Zone, Intrinsic-Layer, N-Zone). The phase shifter consists of several leg-connected hybrid networks that contain an RF transmission line and several PIN diodes and diode pretensioners.

In funktioneller Hinsicht arbeitet der Diodenphasenschieber in der folgenden Weise: Die in den Phasenschieber gelangende HF-Energie wird in zwei gleiche Anteile bzw. Pfade aufgespalten und zwar*durch ein Overlay-3 db-Hybridnetzwerk. Das Hybridnetzwerk oder Gabelnetzwerk ist durch PIN-Dioden mit einer Impedanz abgeschlossen, die von der Vorspannung abhängt, welche den Dioden zugeführt wird. Ein· Vorwärts vorgespannte Diode erscheint als sehr kleiner Widere tandswert und nähert sich einem Kurzschluß über der Leitung an. Eine rückwärts vorgespannte Diode wirkt als kleine Kapazität und stellt eine Annäherung an einen offenen Kreis der Leitung dar. Ein wichtiges Merkmal der Vor-Functionally, the diode phase shifter works in in the following way: The RF energy entering the phase shifter is split into two equal parts or paths namely * through an overlay 3 db hybrid network. The hybrid network or fork network is through PIN diodes with an impedance which depends on the bias voltage applied to the diodes. A forward biased diode will appear as a very small resistance value and approximates a short circuit across the line. A reverse biased diode acts as a small capacitance and represents an approximation of an open circuit of the line. An important feature of the

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richtung besteht in der Art und Weise, in welcher die Dioden die Leitung abschließen« Speziell werden Dioden, die an mit Gewinde versehenen Stiften oder Bolzen angeordnet sind,/den konisch ausgebildeten Offnungen in einem Halteblock installiert, der elektrischen Kontakt mit Masseebenen auf einer der Seiten der HF-Schaltung hat. Die Dioden kontaktieren das Ende der HF-Leitung am Rand der gedruckten Leiterplatte. Es sind kleine Federklipse um den Rand der Platte gelegt und£wischen die HF-Leitung und die Diode eingefügt, um einen fe'dervorbelasteten Kontakt sicherzustellen. Diese Anordnung gibt die Möglichkeit, daß die Dioden die Übertragungsleitung symmetrisch abschließen.direction consists in the way in which the diodes terminate the line provided pins or bolts are arranged / the conical openings are installed in a holding block, is in electrical contact with ground planes on either side of the RF circuit. The diodes contact the end of the HF line at the edge of the printed circuit board. Small spring clips are placed around the edge of the plate and wipe the HF line and inserted the diode to ensure a spring-loaded contact. This arrangement gives the possibility that the diodes terminate the transmission line symmetrically.

Der symmetrische Abschluß führt zu einer besseren Steuerung der Impedanz, zu einem höheren Reflexionskoeffizienten und zu einer geringeren Schwingungsbereichsänderung der Energie in der Nachbarschaft der Diode.The symmetrical termination leads to better control of the impedance, a higher reflection coefficient and a less change in the oscillation range of the energy in the vicinity of the diode.

Es werden mehrere derartige Gabe!schaltungen mit Absc&ußdioden in Reihe angeordnet, wobei jede Gabelschaltung einem Phasenschiebe-Bit entspricht und die Fähigkeit besitzt, die Phase des HF-Signals zu verschieben, welches durch diese Schaltung hindurchgelangt und zwar um einen vorbestimmten Betrag in Abhängigkeit von der Vorspannung der Diode. Bei dem zu beschreibenden Ausführungsbeispiel sind vier derartige Hybrid- oder Gabelschaltungen gezeigt, wobei die Phase in sechzehn Schritten von Null bis· >37,5° geschoben werden kann, wobei die durch die verschiedene! Hybridabschnitte eingeführte Phasenverschiebung in binären Schritten von 22,5° bis 180° zunimmt.There are several such gift circuits with cut-off diodes arranged in series, each hybrid having a phase shift bit and has the ability to shift the phase of the RF signal passing through this circuit by a predetermined amount as a function of on the bias of the diode. In the embodiment to be described, there are four such hybrid or hybrid circuits shown, whereby the phase can be shifted in sixteen steps from zero to ·> 37.5 °, whereby the different! Hybrid sections introduced phase shift increasing in binary steps from 22.5 ° to 180 °.

Zwischen die zuvor erwähnten Hybridschaltungen, die hier als Phasenschiebe-Hybridschaltungen bezeichnet werden, sind mehrere Vorspann-Hybridschaltungen angeordnet, welche die Dioden-Gleichspannungsvorspannungen von der HF-ÜbertragungsleitungThere are several between the aforementioned hybrid circuits, which are referred to herein as phase shift hybrids Hybrid bias circuits arranged which the diode DC bias voltages from the RF transmission line

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isolieren.isolate.

Es soll auch eine Technik erläutert werden, durch die die Dioden hinsichtlich ihrer Impedanz an die Übertragungsleitung angepaßt werden, um die gewünschte Phasenverschiebung für eine bestimmte Hybridschaltung zu erzielen, die den Dioden zugeordnet ist.We will also discuss a technique by which the diodes are impedance matched to the transmission line in order to achieve the desired phase shift for a particular hybrid circuit associated with the diodes is.

Es ist Aufgabe der Erfindung einen Diodenphasenschieber der genannten Art zu schaffen. Im Rahmen dieser Erfindung soll der Diodenphasenschieber für HF-Energie ausgelegt sein und speziell für die Verwendung in Verbindung mit elektronisch steuerbaren Antennenanordnungen verwendbar sein.It is the object of the invention to create a diode phase shifter of the type mentioned. In the context of this invention, the Diode phase shifter designed for RF energy and specifically for use in conjunction with electronically controllable Antenna arrangements can be used.

Durch die Erfindung soll auch eine Tevhnik und eine Einrichtung für die Impedanzanpassung der Dioden eines Diodenphasenschieben an die HF-Ubertragungsleitung gescheiten werden.The invention is also intended to provide a Tevhnik and a device for the impedance matching of the diodes of a diode phase shift be passed to the RF transmission line.

Dabei soll die erwähnte Einrichtung in einem Diodenphasenschieber so ausgebildet sein, daß die Gleichspannungs-Diodenvorspannung von der HF-Obertragunfsleitung isoliert gehalten wird.The aforementioned device in a diode phase shifter should be designed in such a way that the DC diode bias voltage is kept isolated from the HF transmission line.

Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Aueführungebeispiele unter Hinweis auf die Zeichnungen nähe^erläutert. Es zeigen:In the following the invention will be explained with reference to an example with reference to the drawings near ^. It demonstrate:

Figur Λ einen schematischen Schaltplan eines Vierbit-Diodenphasenschiebers, der nach der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist;Figure Λ is a schematic circuit diagram of a four-bit diode phase shifter constructed in accordance with the present invention;

Figur 2 eine interne Schaltungsanordnung des Vierbit-Diodenphasenschieber-Prototyps;FIG. 2 shows an internal circuit arrangement of the four-bit diode phase shifter prototype;

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Figur 3 eine Anordnung in auseinandergezogener JDarstellung einer praktischen Ausführungsform der Erfindung; undFIG. 3 shows an arrangement in an exploded view of a practical embodiment of the invention; and

Figur 4- ein Diagramm, welches dazu dient, zu erläutern, auf welche Weise die verschiedenen Schaltungsparameter ermittelt werden können.Figure 4- is a diagram which is used to explain the manner in which the various circuit parameters can be determined.

Figur 1 zeigt einen vereinfachten schematischen Schaltplan eines Vierbit digitalen Phasenschiebers mit einem Eingangsanschluß 10, an welchem HF-Energie eingespeist wird und mit einem Ausgangsanschluß 22, an welchem HF-Energie, die in Einklang mit bestimmten logischen Signalen phasenverschoben wurde, abgegeben wird. Der Phasenschieber besteht aus Hybridschaltungen 12 bis 20. Die Hybridschaltungen 13, 15, 17 und 19 sind als Phasenschieber-Hybridschaltungen bezeichnet, da sie in erster Linie die Phasenschiebefunktion durchführen, während die Hybridschaltungen 12, 14, 16, 18 und 20 als Isolations-Hybridschaltungen bezeichnet sind,da deren Funktion darin besteht, die verschiedenen Diodengleichspannungs-Vorspannungen gegeneinander isoliert zu halten und weiter die Vorspannungen daran zu hindern, zu den Anschlüssen 10 und 22 zu gelangen. Die Isolations-Hybridschaltungen stellen eine Einrichtung dar, um eine Gleichspannungs-Vorspannung einzuspeisen, ohne die Notwendigkeit von Gleichspannungs-Abblockkapazitäten und HF-Umgehungskapazitäten verwenden zu müssen.FIG. 1 shows a simplified schematic circuit diagram of a four-bit digital phase shifter with an input connection 10, at which RF energy is fed in and with an output terminal 22, at which RF energy which is in accordance with out of phase with certain logic signals. The phase shifter consists of hybrid circuits 12 to 20. The hybrid circuits 13, 15, 17 and 19 are phase shift hybrids referred to as they primarily perform the phase shift function while the hybrid circuits 12, 14, 16, 18 and 20 are referred to as isolation hybrids because their function is to address the various To keep diode DC voltage biases isolated from each other and further to prevent the bias voltages from to get to the connections 10 and 22. The hybrid isolation circuits provide a means of generating a DC voltage bias feed in without the need for DC blocking capacities and RF bypass capacities having to use.

Es sind acht Dioden verwendet, wobei zwei Dioden jeder Phasenschieber-Hybridschaltung zugeordnet sind, um die HF-Übertragung leitungen abzuschließen. Beispielsweise sind die Dioden 26-1 und 26-2 der Hybridschaltung 13 zugeordnet, die Dioden 26-3 und 26-4 der Hybridschaltung 15ι die Dioden 26-5 und 26-6 der Hybridschaltung 17 und die Dioden 26-7 und 26-8 der Hybridschaltung 19 zugeordnet. Die Vorspannung wird von mehreren TeilernEight diodes are used, with two diodes in each phase shifter hybrid are assigned to complete the RF transmission lines. For example, the diodes are 26-1 and 26-2 of the hybrid circuit 13 assigned, the diodes 26-3 and 26-4 of the hybrid circuit 15ι the diodes 26-5 and 26-6 of the hybrid circuit 17 and the diodes 26-7 and 26-8 of the hybrid circuit 19 are assigned. The bias is made up of several dividers

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6-9 den Anschlüssen 24-1 bis 24-8 zugeführt lind damit über die HF-Filterpfade 30-1 bis 30-8 und die Impedanzwandlerstufen 28-1 bis 28-8 zu jeder Diode 26-1 bis 26-8. Wie noch an späterer Ste Ie näher erläutert werden soll, stellen die Filter Dämpfungsgi ie der 30-1 bis 30-8 Schaltungsvorrichtungen dar, die die HF-Energie der Phasenschieber-Schaltungsanordnung daran hindern, in die Treiberstufen zugelangen. Vie weiterhin auch noch gezeigt werden wird, ist bei den Impedanzwandlerstufen 28-1 bis 28-8 ein Ende jeder Diode mit der HF-Signalrückführleitung verbunden, die hier als Masse oder Erde dargestellt ist.6-9 are fed to connections 24-1 to 24-8 via the RF filter paths 30-1 to 30-8 and the impedance converter stages 28-1 to 28-8 to each diode 26-1 to 26-8. As in later Ste Ie is to be explained in more detail, the filters are attenuation energy of 30-1 to 30-8 circuit devices which prevent the RF energy of the phase shifter circuit arrangement from being in to get the driver stages. What will still be shown is at impedance converter stages 28-1 through 28-8 one end of each diode is connected to the RF signal return line, shown here as ground.

Jede Phasenschieber-Hybridschaltung zusammen mit den zwei Dioden, zwei Impedanzwandlerstufen und den zwei HF-FiIterdämpfungs gliedern stellen das Phasenschieber-Bit dar. Beiaxelsweise besteht ein Phasenschieber-Bit aus der Gabelschaltung 13 zusammen mit den Dioden 26-1 und 26-2, den Impedanzwandlerstufen 28-1 un 28-2 und den HF-Filter-Dämpfungsgliedern 30-1 und 30-2. Es wer-· den gleich große Vorspannungen gleichzeitig den Vorspann-Anschlüssen jedes speziellen Phasenschieber-Bits zugeführt, beispielsweise an den Anschlüssen 24-1 und 24-2. Wenn eine relativ hohe Vorspannung den Dioden zigp führt wird, so werden diese rückwärts vorgespannt und wirken als kleine Kapazitäten, die angenähert einen offenen Kreis an der Leitung darstellen. Wenn eine relativ niedrige Vorspannung von entgegengesetzter Polarität an die Dioden angelegt wird, so werden diese vorwärts vorgespannt und erscheinen als sehr kleine Widerstandswerte, die angenähert einen Kurzschluß an der Leitung darstellen.Each phase shifter hybrid circuit together with the two diodes, two impedance converter stages and the two RF filter attenuation The phase shifter bit represents a phase shifter bit with the diodes 26-1 and 26-2, the impedance converter stages 28-1 un 28-2 and the RF filter attenuators 30-1 and 30-2. It who-· the equal bias voltages are simultaneously fed to the bias terminals of each particular phase shifter bit, for example at terminals 24-1 and 24-2. If a relative high bias voltage is applied to the zigp diodes, these will be biased backwards and act as small capacitances, which approximately represent an open circle on the line. if If a relatively low bias of opposite polarity is applied to the diodes, they will be forward biased and appear as very small resistance values, which represent approximately a short circuit on the line.

Figur 2 zeigt nun eine Draufsicht auf eine gedruckte Leiterplatte 23 mit einem zentralen HF-Leiter und mit weiteren Schaltungsanordnungen der Figur 1 in Bandleitungsform. Die gedruckte Leiterplatte ist in Wirklichkeit zweiseitig ausgebildet, so daß also die Bandleitung auf jeder Seite vorhanden ist, wobei dieFIG. 2 now shows a plan view of a printed circuit board 23 with a central HF conductor and with further circuit arrangements from FIG. 1 in the form of a strip line. The printed The printed circuit board is in reality two-sided, so that the ribbon line is present on each side, with the

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Bandleitung auf der nahegelegenen Seite mit vollen Linien ausgezogen verans-chaulicht ist und die Bandleitung auf der gegenüberliegenden Seite mit strichlierten Linien dargestellt ist. Die Bandleitung auf der einen Seite der gedruckten Leiterplatte überdeckt die Bandleitung auf der gegenüberliegenden Seite der gedruckten Leiterplatte in geradlinigen Abschnitten, welche die Gabe!schaltungen 12 bis 20 ausmachen. Die Standard-Leitungs impedanz bei dieser Ausführungsform beträgt 50 Ohm.Tape line drawn out in full lines on the nearby side veranschaulicht is and the ribbon cable on the opposite Page is shown with dashed lines. The ribbon line on one side of the printed circuit board covers the ribbon line on the opposite side of the printed circuit board in straight sections, which Make up the gift! circuits 12 to 20. The standard line impedance in this embodiment is 50 ohms.

Die Dioden 26-1 bis 26-8 sind schematisch dargestellt und sind über einen kurzen Abschnitt von einer 50 Ohm-Leitung jeweils mit den Impedanzwandlerstufen 28-1 bis 28-8 verbunden. Wie sich erkennen läßt, sind die Impedanzwandlerstufen ebenfalls aus Bandleitungen gebildet.Diodes 26-1 through 26-8 are shown schematically and are over a short section of a 50 ohm line each connected to the impedance converter stages 28-1 to 28-8. As can be seen, the impedance converter stages are also off Ribbon lines formed.

Die Vorspann-Anschlüsse 24-1 bis 24-8 sind an gegenüberliegenden Rändern der gedruckten Leiterplatte in Form von kurzen Ab-v schnitten einer 50 Ohm-Bandleitung angeordnet. Die Vorspannanschlüsse sind mit dem Haupt-HP-Leiter über die Filter-Dämpfungsglieder 30-1 bis 30-8 jeweils verbunden. Wie bereits an früherer Stelle erwähnt wurde, besteht die Funktion der Filter-Dämpfungsglieder darin, die HF-Energie daran zu hindern, zu den Vorspann-Schaltkreisen^zu gelangen. Jedes Anpaß-Dämpfungsglied, beispielsweise das Filter-Dämpfungsglied 30-1, besteht aus einer Impedanzwandlerstufe in Form eines, relativ dünnen Abschnittes einer- Bandleitung 40 mit zwei Paaren 42 und 44 einer Viertelwellenlänge-Filterstichleitung 42a, 42b, 44a und 44b, die daran angeschlossen sind. Die ViertelwLlenlängen-Stichleitungen sind gefaltet gezeigt, um eine Überlagerung benachbarter Stichleitungen zu vermeiden. Ein Paar von Stichleitungen 42 besitzt einen Abstand von einer Viertelwellenlänge entlang dem Leiter 40 vom Stichleitungspaar 44. Auch die Eingangs- und Ausgangsanschlüsse 10 und 22, wie sie original in Figur 1 gezeigt sind,The bias terminals 24-1 through 24-8 are on opposite sides Edges of the printed circuit board arranged in the form of short sections of a 50 ohm ribbon cable. The bias connections are connected to the main HP conductor through the filter attenuators 30-1 to 30-8, respectively. As already on As mentioned earlier, the function of the filter attenuators is in preventing the RF energy from getting to the bias circuits ^. Each adapter attenuator, For example, the filter attenuator 30-1 consists of an impedance converter stage in the form of a relatively thin section a ribbon line 40 with two pairs 42 and 44 of quarter wavelength filter stubs 42a, 42b, 44a and 44b, the are connected to it. The quarter-wave length stubs are shown folded to overlay adjacent stubs to avoid. A pair of stubs 42 are spaced a quarter wavelength apart along the conductor 40 from the pair of stubs 44. The input and output connections 10 and 22, as originally shown in FIG.

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sind hier ebenfalls veranschaulicht.are also illustrated here.

Die hauptsächlich in Betracht kommenden Hybrid-Param&er ist das Eingangs- und Ausganges tehwellenverhältnis oder Velligkeitsfaktor (VSVR) und die Energieaufteilung zwischen den hybrid-gekoppelten Zweigen, das sind diejenigen Abschnitteder Bandleitung von Figur 2, die übereinander liegen. Venn Hybridschaltungen in Kaskade geschaltet werden, wie dies bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel der Fall ist, so beeinflussen dief se Parameter eine Gabelschaltung zur nächsten. Die Anpassungsimpedanz, die in die Gabelschaltung hinein gesehen wird und die Leistungsaufspaltung zwischen gekoppelten Zweigen werden beide durch die Impedanz der Bandleitung gesteuert, die in der Kopplungszone verwendet wird, wie dies dem Fachmann gut bekannt ist Diese Impedanz wird durch die Verwendung von Abgleich-Stichleitungen, beispielsweise den Stichleitungen 50 bis 53 gegenüber der Hybridschaltung 13 angepaßt und zwar so nahe an die Kopplunge-" zone als möglich. Ähnliche Abgleich-Stichleitungen sind bei jeder Hybridschaltung verwendet.The main hybrid param & er under consideration is the input and output voltage wave ratio or ripple factor (VSVR) and the energy distribution between the hybrid-coupled branches, these are the sections of the Ribbon line of Figure 2, which are superimposed. If hybrid circuits are connected in cascade, as is the case in the present exemplary embodiment, the f These parameters switch a hybrid circuit to the next. The matching impedance seen into the hybrid circuit and the Power split between coupled branches are both controlled by the impedance of the ribbon line used in the coupling zone, as is well known to those skilled in the art This impedance is compared with the use of matching stubs, for example the stubs 50 to 53 Hybrid circuit 13 adapted as close to the coupling "zone as possible. Similar trimming stubs are used in each hybrid circuit.

Die Impedanzwandlerstufen 28-1 bis 28-8, die jeweils vor jeder Diode 26-1 bis 26-8 vorgesehen sind, sind erforderlich, um die Phase entsprechend einer offenen Diode oder eines Kurzschlusses in die gewünschte Phasenverschiebung um-zuwandeln. Beispielsweise sind die Impedanzwandlerstufen 28-1 und 28-2 bei diesem Ausführungsbeispiel so ausgelegt, daß sie eine Phasenverschiebung von 180° in einer Richtung des HF-Signals vornehmen, welches vom Eingangsanschluß 10 sum Ausgangsansfcluß 22 gelangt, wenn die Dioden 26-1 und 26-2 aus ihrem vorwärts vorgespannten Zustand in ihren rückwärts vorgespannten Zustand gelangen, und eine Phasenverschiebung von 180° in entgegengesetzter Richtung vornehmen, wenn die Dioden aus ihrem rückwärts vorgespannten Zustand in ihren vorwärts vorgespannten Zustand übergeführt werj-The impedance converter stages 28-1 to 28-8, each in front of each Diode 26-1 through 26-8 are required to control the Phase corresponding to an open diode or a short circuit to convert into the desired phase shift. For example, the impedance converter stages 28-1 and 28-2 in this one Embodiment designed so that they carry out a phase shift of 180 ° in one direction of the RF signal, which arrives from the input terminal 10 and the output terminal 22, when diodes 26-1 and 26-2 are forward biased out of their State in their backward biased state, and a phase shift of 180 ° in the opposite direction when the diodes are converted from their reverse biased state to their forward biased state.

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Das Verfahren zur Auslegung der richtigen Impedanztransformationsstufe soll unter Hinweis auf Figur 4 erläutert werden. Figur 4 zeigt eine vereinfachte Form eines Smith-Diagramms, das ist ein Ubertragungsleitungsdiagramm, auf welchem die verschiedenen Eigenschaften einer Übertragungsleitung grafisch dargestellt werden können. Wie der Fachmann weiß, bestehen Kurven mit gleichem Stehwellenverhältnis (VSWR) aus Kreisen, die konzentrisch zum Zentrum des Smith-Diagramms angeordnet sind. Bewegt man sich um einen gegebenen VSWR-Kreis, so ist dies äquivalent einer Bewegung entlang einer verlustlosen Übertragungsleitung, bei welcher das Stehwellenverhältnis dem betreffenden Kreis entspricht. Daher entsprechen die aufeinanderfolgenden Impedanzwerte, die durch einen gegebenen Kreis angegeben werden, den Leitungsimpedanzwerten und aufeinanderfolgenden Längen entlang der verlustlosen Leitung. Der Abstand auf der tatsächlichen Übertragungsleitung ist direkt proportional zum Drehwinkel um den stehenden Wellenkreis, wobei eine vollständige Umdrehung exakt einer halben Wellenlänge der Übertragungsleitung entspricht. Es sei darauf hingewiesen, daß die Verwendung des hier beschriebenen Impedanzübertragers oder Wandlerstufe die Möglichkeit bietet, den gleichen Diodentyp für den Phasenschieber zu verwenden. Es kann somit erwartet werden, daß das Stehwellenverhältnis (VSWR) und die Impedanz der Dioden relativ dicht beeinander liegen und daß ein Mittelwert als repräsentative Größe des ganzen genommen werden kann.The procedure for designing the correct impedance transformation stage should be explained with reference to FIG. Figure 4 shows a simplified form of a Smith chart, This is a transmission line diagram showing the various properties of a transmission line graphically can be represented. As those skilled in the art know, Equal Standing Wave Ratio (VSWR) curves are made up of circles that are arranged concentrically to the center of the Smith chart. Moving around a given VSWR circle, this is it equivalent to a movement along a lossless transmission line, in which the standing wave ratio corresponds to the relevant Circle corresponds. Hence, the successive impedance values correspond to those indicated by a given circle , the line impedance values and successive lengths along the lossless line. The distance on the actual transmission line is directly proportional to the angle of rotation around the standing wave circle, being a complete Rotation corresponds exactly to half a wavelength of the transmission line. It should be noted that the use of the impedance transformer or converter stage described here offers the possibility of using the same type of diode for the Use phase shifter. It can thus be expected that the voltage standing wave ratio (VSWR) and the impedance of the diodes are relative are close together and that a mean value as representative Size of the whole can be taken.

Ein vollständiger Impedanzübertrager, beispielsweise der Impedanzübertrager oder Umwandler 26-2 beginnt mit einem kurzen Abschnitt der Übertragungsleitung, wie dem Abschnitt 70 von Figur 2, dessen Impedanz so berechnet ist, daß sie Aufschluß über die zugeordnete Diode sowohl in dem vorwärts vorgespannten als auchA complete impedance transformer, for example of the impedance transformer or converter 26-2 begins with a short section of transmission line, such as the portion 70 of Figure 2, the impedance is calculated so as to be biased information about the associated diode in both the forward and

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rückwärts vorgespannten Zustand gibt. Um diese Berechnung durchzuführen, ist es erforderlich, den Impedanzwert und Reflexionskoeffizienten (VSWR) der Diode für jeden Zustand zu kennen. Die se Parameter können durch bekannte Einrichtungen in einer 50 Ohm-Testleitung gemessen werden. Bei den in einer tatsächlich realisierten Ausführungsform des Gegenstandes der Erfindung verfwendeten Dioden wurden die folgenden Parameterwerte gefunden:backward biased state there. To do this calculation, it is necessary to know the impedance value and reflection coefficient (VSWR) of the diode for each state. the These parameters can be measured by known devices in a 50 ohm test lead. In the case of one, actually realized embodiment of the subject of the invention used diodes, the following parameter values were found:

Vorwärts vorgespannter ZustandForward biased condition

VSWR - 29/1VSWR - 29/1

ZD - 1,72 Ohm,ZD - 1.72 ohms,

wobei ZD die Impedanz bedeutet. Rückwärts vorgespannter Zustandwhere ZD means the impedance. Backward biased state

VSWH » 36/1VSWH »36/1

ZD - 1800 Ohm.ZD - 1800 ohms.

Die Impedanz Zo des typischen kurzen Abschnitts 70, der die Diode in gleicher Weise wiedergeben soll, besteht aus dem geometrischen Mittelwert der Diodenimpedanzen in den zwei Zuständen, so daß sich schreiben läßt:The impedance Zo of the typical short section 70, which the diode is supposed to represent in the same way, consists of the geometric mean value of the diode impedances in the two states, so that one can write:

. . Zo = \J18OO + 1,72 - 42,4 Ohm.. . Zo = \ J18OO + 1.72 - 42.4 ohms.

Die Parameter einer typischen Diode, die bei der tatsächlichen Ausfuhrungsform des Gegenstandes der Erfindung verwendet wurde wurde auf einem Smith-Diagramm gemäß Figur 4 aufgetragen, auf die nun näher eingegangen werden soll. Im vorwärts vorgespannten Zustand sind die Diodenparameter auf der radial verlaufenden Linie 60 an der Stelle 60a aufgetragen und im rückwärts vorge-The parameters of a typical diode used in the actual embodiment of the subject invention was plotted on a Smith chart according to Figure 4, which will now be discussed in more detail. Im forward biased State, the diode parameters are plotted on the radial line 60 at the point 60a and moved backwards

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spannten Zustand sind die Parameter auf der radial verlaufenden Linie 62 an der Stelle 62a aufgetragen.tensioned state are the parameters on the radial Line 62 plotted at point 62a.

Die Längen der verschiedenen kurzen Abschnitte 70 sollten derart bemessen sein, daß die Impedanzwerte der zwei Diodenzustände in Symmetriepositionen um die mittlere Linie des Smith-Diagramms gedreht werden. Diese Symmetrielinien sind die Linien 60b und 62b, die das Ergebnis einer Drehung der Linien 60 und 62 um einen Winkel A im Uhrzeigersinn sind. Der Wert des Winkels A kann durch Inspektion des Smith-Diagramms bestimmt werden. Natürlich ist der Winkel A proportional zur Länge eines typischen Abschnitts 70.The lengths of the various short sections 70 should be such be dimensioned that the impedance values of the two diode states in symmetry positions around the middle line of the Smith chart to be turned around. These lines of symmetry are lines 60b and 62b which are the result of rotating lines 60 and 62b 62 are clockwise by an angle A. The value of the angle A can be determined by inspecting the Smith chart. Of course, the angle A is proportional to the length of a typical section 70.

Am Ende des kurzen Abschnitts 70 dreht eine Änderung der Übertragungsleitungsimpedanz die Linien 60b und 62b der Figur 4 symmetrisch entweder zu den niedrigeren oder höheren Leitfähigkeitszonen, was davon abhängt, ob die Impedanztransformation zu einem höheren oder niedrigeren Impedanzwert hin erfolgt. Beispielsweise führen die Impedanztransformatoren 28-1 und 28-2 der Figur 2, die zusammen mit den Dioden 26-1 und 26-2 und der Hybridschaltung 13 eine Phasenverschiebung von 180° vorsehen, zu einer Impedanztransformation vom typischen Abschnitt 70 zum Übertragungsleitungsabschnitt 72. Diese Impedanztransformation zusammen mit der Impedanztransformation am Ende des Abschnitts 72, wo dieser zur 50 Ohm-Übertagungsleitung gelangt, sollte derart sein, daß die Linien 60b und 62b um einen Winkel B zu den Positionen der Leitungen 60c und 62c gedreht werden, d.h. um einen Phasenwinkel von 180° getrennt werden. Der Abschnitt j 72 ist eine Viertelwellenlänge lang, um eine Drehung von 180 ; der Zeilen 60c und 62c zu bewirken, um die gleiche Phasewinkeltrennung von 180° beizubehalten.
I At the end of short section 70, a change in transmission line impedance rotates lines 60b and 62b of Figure 4 symmetrically to either the lower or higher conductivity zones, depending on whether the impedance transformation is towards a higher or lower impedance value. For example, the impedance transformers 28-1 and 28-2 of FIG. 2, which together with the diodes 26-1 and 26-2 and the hybrid circuit 13 provide a phase shift of 180 °, lead to an impedance transformation from the typical section 70 to the transmission line section 72 Impedance transformation together with the impedance transformation at the end of section 72 where it comes to the 50 ohm transmission line should be such that lines 60b and 62b are rotated by an angle B to the positions of lines 60c and 62c, ie by a phase angle of 180 ° separated. Section j 72 is a quarter of a wavelength, one turn of 180; of lines 60c and 62c to maintain the same phase angle separation of 180 °.
I.

j Die Impedanz Zs des Abschnitts 72 läßt sich aus der folgendenj The impedance Zs of the section 72 can be derived from the following

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^A1 ^A 1

Beziehung berechnen: Zs - ZoCalculate relationship: Zs - Zo

worin A^ der normierte Blinkleitwert auf der Symmetriezeile von Figur 4 bedeutet;where A ^ is the standardized blinking conductance on the symmetry line of Figure 4 means;

Zn der normierte Blinkleitwert auf den Linien bedeutet, die symmetrisch zum Impedanzwert von Null des Smith-Diagramms gelegen sind und durch den gewünschten Phasenwinkel getrennt sind; und Zo die normale Übertragungsleitungeimpedanz bedeutet.Zn is the standardized flashing conductance on the lines that mean are located symmetrically to the zero impedance value of the Smith chart and separated by the desired phase angle are; and Zo means normal transmission line impedance.

Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel gilt:In the present exemplary embodiment, the following applies:

A₁ - 0,7A ₁ - 0.7

Zo - 50 Ohm.Zo - 50 ohms.

Wie sich nunmehr erkennen läßt, hat Zn für die verschiedenen Phasenschiebe-Bits die folgenden Werte:As can now be seen, Zn has the following values for the various phase shift bits:

Zn - 1 für 180^o-PhasenverschiebungZn - 1 for 180 ^o phase shift Zn - 0,415 für eine 90⁰-Phasenver8chiebungZn - 0,415 for a 90 ⁰ -Phasenver8chiebung Zn « O₄ 2 für eine 45°-PhasenverschiebungZn «O ₄ 2 for a 45 ° phase shift Zn ■ 0,1 für eine 22,5°-Pha8enverschiebung.Zn 0.1 for a 22.5 ° phase shift.

Die Impeüanzwerte der Leitungsabschnitte 72, 73« 74 und 75 betragen somit jeweils 41,8, 65,0, 93,5 und 132,3 Ohm.The impedance values of the line sections 72, 73, 74 and 75 are thus 41.8, 65.0, 93.5 and 132.3 ohms, respectively.

Figur 3 zeigt nun ein praktisches Ausführungsbeispiel der Erfindung in auseinandergezogener Darstellung. Die gedruckte Leiterplatte 25 mit der HF-Übertragungsleitung ist in der Mitte zwischen zwei Seitenplatten 80 und 82 gehaltert, die in geeigneter Weise untereinander identisch sind und jeweils eine di-Figure 3 now shows a practical embodiment of the invention in an exploded view. The printed circuit board 25 with the RF transmission line is in the center held between two side plates 80 and 82 which are suitably identical to one another and each have a di-

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elektrische Platte 80a und 82a aufweisen, welche geringfügig dicker sind als die Platte 25, jedoch die gleichen Abmaße aufweisen und welche die Platte 23 zwischen sich halten. Zusätzlich enthalten die Platten 80 und 82 jeweils eine aufgezogene Metallfolie bzw. Masseflächen 80b und 82b. Die Anordnung, welche aus der Platte 25, den Platten 80 und 82 besteht, ist selbst zwischen relativ schweren und elektrisch leitenden Platten 84 und 86 angeordnet bzw. eingefaßt. Effektiv stellen die Platten 84 und 86 und die Kupferfolie die Masse der HF-Übertragungsleitung dar.have electrical plate 80a and 82a, which are slightly thicker than the plate 25, but have the same dimensions and which hold the plate 23 between them. Additionally the plates 80 and 82 each contain a drawn-on metal foil or ground planes 80b and 82b. The arrangement which consisting of plate 25, plates 80 and 82, is itself between relatively heavy and electrically conductive plates 84 and 86 arranged or enclosed. Effectively, plates 84 and 86 and copper foil ground the RF transmission line represent.

Die Frontflächen 84a und 86a der Platten 84 und 86 sind mit konisch verlaufenden öffnungen, beispielsweise 88a und 88b ausgestattet, um Schrauben 88 und 90 aufzunehmen, so daß dadurch die Diodenhalterungsvorrichtung 92 befestigt werden kann.The front surfaces 84a and 86a of the plates 84 and 86 are conical extending openings, for example 88a and 88b, to receive screws 88 and 90, so that the Diode holder device 92 can be attached.

Jede Phasenschieberdiode, von denen in Figur 3 nur eine gezeigt ist, beispielsweise die Diode 26-8, ist in Form einer Spitze 94 eines mit Gewinde versehenen Stiftes 96 montiert, der in einer Gewindebohrung 98 in der Halterungsvorrichtung 92 aufgenommen wird. Bei dieser Ausführungsform enthält die Spitze 94 die Dioden-Anodenelektrode und der Gewindestift 96 enthält die Diodenkathodenelektrode. Die Diode wird in der Öffnung 98 so angeordnet, daß die Spitze 94 gegen einen Arm eines L-förmigen Federanschlusses 100 drückt, dessen anderer Arm mit dem ImpedanztransfQrmator verlötet ist, der der Diode zugeordnet ist, in dem vorliegenden Fall der Abschnitt 70 des Impedanztransformators 28-8, der auf der Oberseite der Platte 25 vorhanden ist. Es läßt sich erkennen, daß diese Einrichtung bzw. Befestigung der Dioden derart ausgebildet ist, daß die Kathoden der Dioden symmetrisch zu den Masse-Ebenen bzw. Erde der Übertragungsleitung -verbunden sind. Ein weiterer L-förmiger Federanschluß 100 ist mit dem Impedanztransformator 28-7 verlötet, der bei dem ge-Each phase shifting diode, only one of which is shown in FIG. 3, for example diode 26-8, is in the form of a tip 94 a threaded pin 96 which is received in a threaded bore 98 in the mounting device 92 will. In this embodiment, tip 94 contains the diode anode electrode and the set screw 96 contains the diode cathode electrode. The diode is positioned in opening 98 with tip 94 against one arm of an L-shaped spring terminal 100 presses, the other arm of which is soldered to the impedance transformer associated with the diode, in in the present case, section 70 of the impedance transformer 28-8, which is present on the top of the plate 25. It can be seen that this device or attachment of the diodes is designed in such a way that the cathodes of the diodes are symmetrical to the ground planes or earth of the transmission line -are connected. Another L-shaped spring connection 100 is soldered to the impedance transformer 28-7, which is

809820/092?809820/092?

zeigten Ausführungsbeispiel auf der unteren Seite der Platte 25 gelegen ist. Dieser Anschluß verbindet die Diode 26-7 (in dieser Figur nicht gezeigt), wie dies nunmehr hervorgehen sollte. Auf diese Weise ist jede Diode mit dem zugeordneten Impedanztransformator bzw. Wandler verbunden.showed embodiment on the lower side of the plate 25 is located. This connection connects the diode 26-7 (not shown in this figure), as should now be apparent. In this way, each diode is connected to the associated impedance transformer or converter.

Zwei an einem Flansch montierte Koaxialverbindungsteile oder Buchsen 102 und 104 sind über ihre äußeren Leiter fest mit den Platten 84 und 86 verbunden und deren innerer Leiter ist jeweils elektrisch mit dem Eingaagsanschluß 10 und dem Ausgangsanschluß 22 verbunden. Diese elektrischen Verbindungsteile sind zweckmäßigerweise von demjenigen Typ, bei welchem der innere Leiter in einer flachen Nase endet, die zwischen die gedruckte Leiterplatte 23 und eine der Seitenplatten 80 oder in geeigneter Weise eingeführt werden kann. Beispielsweise ist der äußere Leiter 102a des Koaxialverbindungsteiles 102, der einen Flansch 102b besitzt, welcher durch Gewindebolzen (nicht gezeigt) über Offnungen 102c in Gewindebohrungen 84c und 86c in Flächen 84a und 86a befestigt, so daß die innere Leiternase oder Fahne 102d zwischen die Platten 25 und 80 eingeschoben wird und ein elektrischer Kontakt mit dem Eingangsanschluß 10 gebildet wird. Das zweite Koax-ialverbindungsteil 104 ist in ähnlicher Weise befestigt, so daß der äußere Leiter desselben elektrischen Kontakt mit* den Platten 84 und 86 hat und der innere Leiter bzw. Nase elektrischen Kontakt mit dem äüferen Anschluß 22 hat, der zwischen die Platten 23 und 82 eingeschoben ist.Two flange-mounted coaxial connectors or sockets 102 and 104 are fixed to the via their outer conductors Plates 84 and 86 are connected and their inner conductor is electrically connected to the input terminal 10 and the output terminal 22, respectively. These electrical connectors are expediently of the type in which the inner conductor ends in a flat nose, which is between the printed circuit board 23 and one of the side plates 80 or can be introduced in a suitable manner. For example, the outer conductor 102a of the coaxial connector 102 is the has a flange 102b which is secured by threaded bolts (not shown) via openings 102c in threaded bores 84c and 86c secured in surfaces 84a and 86a so that inner conductor tab or tab 102d is sandwiched between panels 25 and 80 and electrical contact with input terminal 10 is made. The second coaxial connector 104 is in similarly attached so that the outer conductor of the same has electrical contact with the plates 84 and 86 and the inner conductor or nose has electrical contact with the outer terminal 22 which is inserted between the plates 23 and 82 is.

Es sei darauf hingewiesen, daß dann, wenn der Phasenschieber von Figur 3 zusammengebaut wird, die Platte 92 direkten elektri sehen Kontakt mit den Platten 84 und 86 hat, jedoch einen gewissen Abstand von dem Schichtaufbau besitzt, der aus den Platten 25t 80 und 82 besteht und zwar entweder durch VerwendungIt should be noted that when the phase shifter of Figure 3 is assembled, the plate 92 direct electrical see contact with the plates 84 and 86, but some distance from the layer structure consisting of the plates 25t 80 and 82, either by use

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von Abstandsteilen zwischen der Platte 92 und den Platten 84 unl 86 oder durch Verwendung der Platten 84 und 86, die geringfügig breiter sind als die Platten 25, 80 und 82. Auf diese Weise haben die Kontaktklipse 100 nur mit den Enden 94 der Dioden und nicht mit der Platte 92 Kontakt.of spacers between the plate 92 and the plates 84 unl 86 or by using plates 84 and 86, which are slightly wider than plates 25, 80 and 82. In this way, have the contact clips 100 only with the ends 94 of the diodes and not in contact with plate 92.

Es können Vorrichtungen, die ähnlich oder identisch zu den Kontaktklipsen 100 sind, dazu verendet werden, um die Vorspannungs quellen mit den Anschlüssen 24-1 bis 24-8 zu verbinden, die in Figur 2 gezeigt sind.There can be devices that are similar or identical to the contact clips 100 are used to bias sources to be connected to terminals 24-1 through 24-8 shown in FIG.

Zusammenfassend schafft die Erfindung somit einen Hybrid-gekoppelten Diodenphasenschieber, der mehrere symmetrisch reflektierende Diodenabschlüsse aufweist, die jeweils in einen offenen Kreis oder in einen Kurzschlußkreis bzw. Zustand getrieben werden, um eine Phasenverschiebung über eine HF-Schaltung zu erreichen. Mit Hilfe einer zusätzlichen Hybridankopplung kann der HF-Kreis gleichspannungsmäßig von den Diodentreiberstufen isoliert werden.In summary, the invention thus creates a hybrid-coupled one Diode phase shifter, which has several symmetrically reflective diode terminations, each in an open Circle or in a short circuit or state to be driven to a phase shift via an RF circuit reach. With the help of an additional hybrid coupling, the HF circuit can be supplied in terms of DC voltage from the diode driver stages to be isolated.

Obwohl die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels erläutert wurde, ist es offensichtlich, daß von einem Fachmann verschiedene Abwandlungen und Änderungen vorgenommen werden können ohne jedoch dadurch den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.Although the invention has been explained using an exemplary embodiment, it is obvious that various from a person skilled in the art Modifications and changes can be made without, however, going beyond the scope of the present invention leaving.

Sämtliche in der Beschreibung erkennbaren und in den Zeichnungen veranschaulichten technischen Einzelheiten sind für die Erfindung von Bedeutung. All of the technical details that can be recognized in the description and illustrated in the drawings are important for the invention.

Claims

BROSE^DK-BROSEBROSE ^DK -BROSE

Karl A. DrV\CC D. Karl ΟΓ\/"\ΟΓ D'P'omKarl A. DrV \ CC D. Karl ΟΓ \ / "\ ΟΓ D'P'om

Engineers

D-8023 München-Pullach. Wiener Str. 2, Tel. (G89) 7 93 30 71; Tdlex 5Σ12Κ7 b.os d; Cables: -Patentibus- MünchenD-8023 Munich-Pullach. Wiener Str. 2, Tel. (G89) 7 93 30 71; Tdlex 5Σ12Κ7 b.os d; Cables: -Patentibus- Munich

Your mark day: 1Q. September 1977

Your ref ΡβΓΙβ file:? 436-A Date J / ^

THE BENDIX CORPORATION, Executive Offices, Bendix Certer, Southfield. Michigan 48075, USATHE BENDIX CORPORATION, Executive Offices, Bendix Certer, Southfield. Michigan 48075, USA

PATENTANSPRÜCHEPATENT CLAIMS

1/ Hochfrequenz-Diodenphasenschieber mit einer HF-Schaltung, die entsprechend der Bandleitungetechnik aufgebaut ist und einen HF-Eingangsanschluß besitzt, der mit des einen Ende der HF-Schaltung verbunden ist, und einen HF-Ausgangsanschluß besitzt, der mit dem anderen Ende der HF-Schaltung verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Phasenschieber folgende Einrichtungen und Merkmale aufweist: eine dielektrische Platte (25) mit gedruckten Leiterbahnen auf einer ihrer Seiten, wobei die gedruckten Leiterbahnen der Platte die HF-Schaltung bilden, und die HF-Schaltung mehrere Phasenschiebe-Hybridschaltungen (13, 15, 17* 19) aufweist, «wischen denen mehrere Vorspannhybridschaltungen (12, 14, 16, 18, 20) angeordnet sind, wobei jede Hybridschaltung aus einem ersten Abschnitt der gedruckten Leiterbahn auf einer Seite der Platte (25), der einem zweiten Abschnitt der gerückten Leiterbahn auf der anderen Seite der Leiterplatte (25) gegenüberliegt,1 / High-frequency diode phase shifter with an RF circuit that is constructed according to the tape line technology and has an RF input terminal connected to one end of the RF circuit and an RF output terminal which is connected to the other end of the RF circuit, characterized in that the phase shifter has the following Apparatus and features comprises: a dielectric board (25) with printed circuit traces on one of its faces, the printed circuit traces of the board forming the RF circuit, and the RF circuit comprising a plurality of phase shift hybrids (13, 15, 17 * 19) , «Wipe them a plurality of bias hybrids (12, 14, 16, 18, 20) are arranged, each hybrid consisting of a first portion of the printed circuit trace on one side of the board (25), which is a second section of the moved conductor track on the other side of the printed circuit board (25) is opposite,

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consists; multiple diodes (26-1 to 26-8), a pair of these Diodes each phase shift hybrid is assigned and this pair terminates the associated hybrid circuit in an effective short circuit when a bias voltage in the one Direction is applied, and the associated hybrid circuit accordingly closes an effectively open circuit when the bias is applied in the opposite direction; a pretensioning device (6-9, 12, 14, 16, 18, 20) for pretensioning the Diodes (26-1 to 26-8) in pairs in one direction or the other, with the biasing device (£> -9, 12, 14, 16, 18, 20 the hybrid bias circuits (12, 14, 16, 18, 20)

2. phase shifter according to claim 1, characterized in that a first and a second mass or grounded plate or Levels (84, 86) are provided, between which the dielectric see circuit board (25) is arranged that the diodes (26-1 to 26-8) has first and second electrodes, the first electrodes with the phase shift hybrid circuits (13, 15 »17»

.tied together
19) / and the second electrodes are interconnected and are connected to the first and second ground planes or surfaces (84, 86).

3. Phase shifter according to claim 1, characterized in that the diodes (26-1 to 26-8) consist of P-zones, intrinsic layer, N-zone diodes exist.

4. phase shifter according to claim 1, characterized in that the biasing device $ -9, 12, 14, 16, 18, 20) contains a plurality of bias driver stages (6-9), one for each pair of diodes, so that the diodes of each pair of diodes simultaneously in one direction or in the other direction independently of the other diode barriers can be biased.

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5. Phasenschieber nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere HF-Filter-Dämpfungsglieder (30-1 bis 30-8) vorgesehen sind, und daß jedes Filter-Dämpfungsglied einer Diode zugeordnet ist und zwischen dieser Diode und deren Vorspann-Treiber^ stufe eingeschaltet ist, derart, daß die HF-Energie daran gehindert wird, in die Vorspanntreiberstufen (6-9) zu gelangen.5. phase shifter according to claim 4, characterized in that several RF filter attenuators (30-1 to 30-8) are provided are, and that each filter attenuator is associated with a diode and between this diode and its bias driver ^ stage is turned on such that the RF energy is prevented from entering the bias driver stages (6-9).

6. Phasenschieber nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeich-6. phase shifter according to claim 1 and 2, characterized in that

net, daß mehrere Impedanzwandler oder Transformatorstufen (28-1 bis 28-8) vorgesehen sind, wobei jede Impedanztransformatorstufe einer bestimmten Diode zugeordnet ist und mit einer Elektrode derselben verbunden ist, wobei die andere Elektrode dieser Diode mit den Masseebenen oder Flächen (84, 86) verbunden ist.net that several impedance converters or transformer stages (28-1 to 28-8) are provided, wherein each impedance transformer stage is assigned to a specific diode and is connected to one electrode thereof, the other electrode of this Diode is connected to the ground planes or surfaces (84, 86).

7. Phasenschieber nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Impedanz-Transformatorstufen (28-1 bis 28-8) aus einer Streifenleitung bestehen, die auf der dielektrischen Leiterplat te (25) ausgebildet ist.7. phase shifter according to claim 6, characterized in that the impedance transformer stages (28-1 to 28-8) from one Strip lines exist on the dielectric circuit board te (25) is formed.

8. Phasenschieber nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, daß die Impedanztraneformatorstufe einen Abschnitt (70) der übertragungsleitung mit einer Impedanz (20) aufweist, die derart ausgelegt ist, daß sie den geometrischen Mittelwert der Vorwärt svorspannimpedanz und der Rückwärt svorspannimpedanz der zugeordneten Diode bildet.8. phase shifter according to claim 7 »characterized in that the impedance transformer stage has a section (70) of the transmission line with an impedance (20) which is such is designed to form the geometric mean of the forward bias impedance and the reverse bias impedance of the associated diode.

809820/092?809820/092?