DE2625869A1 - Ammoniacal etching solution - for copper laminated circuit board which is coated with tin, tin-lead, or nickel-gold - Google Patents
Ammoniacal etching solution - for copper laminated circuit board which is coated with tin, tin-lead, or nickel-goldInfo
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Abstract
Description
Wäßrige ammoniakalische Ätzlösung zum Ätzen von Kupfer und Kupferlegierungen Die Erfindung betrifft eine wäßrige ammoniakalische Ätzlösung zum Ätzen von Kupfer und Kupferlegierungen, insbesondere von galvanisierten Leiterplatten, in welcher Ammoniak und Ammoniumcarbonat enthalten sind.Aqueous ammoniacal etching solution for etching copper and copper alloys The invention relates to an aqueous ammoniacal etching solution for etching copper and copper alloys, especially of galvanized printed circuit boards, in which Ammonia and ammonium carbonate are included.
Aus der DT-AS 1 521 723 ist es bereits bekannt, zum Ätzen von kupferkaschierten Leiterplatten wäßrige Natriumchloritlösungen:-su verwenden, welche Ammoniak und Ammoniumcarbonat enthalten. Der Ätzvorgang läuft nach der folgenden Formel ab : Cu + 1/2 NaCl02 + 2 NH3 + (NH4)2CO3 --->[Cu(NH3)4]CO3 + 1/2 NaCl + H20 Daraus ist ersichtlich, daß als Reaktionsprodukte Tetraminkupfer(II)-carbonat und Natriumchlorid entstehen. Obwohl bis 50 g/l Kupfer abgeätzt werden können, dürfte die wirtschaftlich tragbare Grenze bei 30 bis 40 g/l liegen. Die abwassertechnische Aufbereitung der Ätzkonzentrate gestaltet sich schwierig, da durch noch nicht vollständig umgesetzte Anteile des Natriumschlorits Chlordioxyd, welches chlorähnliche Bigenschaften hat und außerdem ggf. explosiv ist, entstehen kann.From DT-AS 1 521 723 it is already known for etching copper-clad Circuit boards aqueous sodium chlorite solutions: -su use which ammonia and Contain ammonium carbonate. The etching process is based on the following formula: Cu + 1/2 NaCl02 + 2 NH3 + (NH4) 2CO3 ---> [Cu (NH3) 4] CO3 + 1/2 NaCl + H20 From this it can be seen that tetramine copper (II) carbonate and sodium chloride are the reaction products develop. Although up to 50 g / l copper can be etched away, this should be economical acceptable limit is 30 to 40 g / l. The wastewater treatment of the Etching concentrates are difficult because they have not yet fully reacted Parts of the sodium chlorite, chlorine dioxide, which has properties similar to chlorine and may also be explosive.
Da die anfallenden Ätzkonzentrate nur wenig Kupfer enthaltern, werden sie von einschlägigen Kupferverarbeitungsbetrieben auch nur zu relativ ungünstigen Bedingungen zurückgenommen. Weitere Nachteile derartiger Ätzlösungen sind ihre geringen Ätzgeschwindigkeiten und ein gegenüber anderen Ätzlösungen etwas erhöhter Preis; zudem besteht bei Abnahme des pH-V[ertes bzw. bei Abscheidung von Chloritsalzen Explosionsgefahr in der Ätzmaschine. Andererseits bieten Ätzlösungen auf der Basis von Batriumchlorit gegenüber anderen bekannten Ätzlösungen, wie Eisen chlorid, Kupferchlorid, Ammolliumpersulfat oder Wasserstoffperoxid erhebliche Vorteile beim Ätzen von Leiterplatten mit metallischen Ätzreserven, da sie Ätzreserven wie Bleizinn, Zinn, Gold und Nickel nicht angreifen. Charakteristisch für alle diese Lösungen, außer Fupferchlorid, ist, daß sie nicht regenerierbar sind. Ihre Atzkraft nimmt während des Ätzprozesses stats ab und sie müssen schließlich verworfen und durch frische Ätzlösung ersetzt werden.Since the resulting etching concentrates contain only a small amount of copper from relevant copper processing companies only to relatively unfavorable ones Terms withdrawn. Further disadvantages of such etching solutions are their minority Etching speeds and a slightly higher price than other etching solutions; in addition, there is a decrease in the pH value or the separation of chlorite salts Risk of explosion in the etching machine. On the other hand, offer etching solutions on the basis of sodium chlorite compared to other known etching solutions such as iron chloride, copper chloride, Ammollium persulfate or hydrogen peroxide have considerable advantages when etching printed circuit boards with metallic etch reserves, as they have etch reserves such as lead tin, tin, gold and nickel do not attack. Characteristic of all these solutions, except for copper chloride, is that they cannot be regenerated. Your etching force decreases during the etching process stats and they must eventually be discarded and replaced with fresh caustic solution will.
Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, eine Ätzlösung zu schafft, die eine konstante Ätzkraft aufweist, nicht explosionsgefährdet ist und außerdem die oben erwähnten metallischen Ätzreserven nicht angreift und nur geringfügig unterätzt.The invention is therefore based on the object of providing an etching solution creates, which has a constant etching power, is not explosive and also does not attack the above-mentioned metallic etching reserves and only slightly undercut.
Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung eine Ätzlösung der eingangs genannten Art vor, welche zusätzlich Tetraminkupfer(II)-Ionen und Ammoniumchlorid enthält, wobei auf einen Liter Lösung 2,00 bis 2,75 Mol Cupri-Ionen 8,40 bis 14,00 Mol Ammoniak, gesamt 4,00 bis 6,50 Mol Chlorid-Ionen und 0,20 bis 1,00 Carbonat-Ionen entfallen.To solve this problem, the invention provides an etching solution of the initially introduced mentioned type, which additionally tetramine copper (II) ions and ammonium chloride contains, whereby per liter of solution 2.00 to 2.75 moles of cupric ions 8.40 to 14.00 Moles of ammonia, total 4.00 to 6.50 moles of chloride ions and 0.20 to 1.00 carbonate ions omitted.
Beim Ätzen mit hilfe dieser Ätzlösung läuft der Ätzprozeß nach den folgenden Gleichungen ab: a) Ätzen: b) Regenerierung: Daraus ergibt sich als Gesamtreaktion: Gemäß Reaktion I entsteht aus metallischem Kupfer und dem Detraminkupfer(II)-Komplex [Cu(NH3)4]++ zu++ die doppelte Menge an inaktivem Diaminkupfer(I)-Komplex WU(NH3); +. Letzterer wird nach der Reaktion II unter Verbrauch von NH3 und NH4+-Ionen sowie unter Mitwirkung des Luftsauerstoffs wieder zu dem ätzfähigen Tetraminkupfer(II)-Ion aufoxydiert. Die Gesamtreaktion III zeigt, daß beim Ätzen des metallischen Kupfers Ammoniak, NII4+ -Ionen und Luftsauerstoff verbraucht werden, wobei Getraminkupfer(II)-Ionen entstehen. Fur das Ätzen von 63,5 g Cu (1 g Atom) sind 2 Mol NIS3 (150 ml konz -I3) und 2 Mol NH4+-Ion (107 g NH4Cl) erforderlich. Die durch den Ätzregenerierprozeß verbrauchlten Stoffe, Ammoniak und NH4+-Ionen, müssen daher der Ätzlösung zudosiert werden.When etching with the help of this etching solution, the etching process proceeds according to the following equations: a) Etching: b) regeneration: This results in the overall reaction: According to reaction I, metallic copper and the detramine copper (II) complex [Cu (NH3) 4] ++ to ++ result in twice the amount of inactive diamine copper (I) complex WU (NH3); +. After reaction II, the latter is oxidized again to the etchable tetramine copper (II) ion with consumption of NH3 and NH4 + ions and with the assistance of atmospheric oxygen. Overall reaction III shows that when the metallic copper is etched, ammonia, NII4 + ions and atmospheric oxygen are consumed, with beverage copper (II) ions being formed. For the etching of 63.5 g Cu (1 g atom) 2 mol NIS3 (150 ml conc -I3) and 2 mol NH4 + ion (107 g NH4Cl) are required. The substances consumed by the etching regeneration process, ammonia and NH4 + ions, must therefore be added to the etching solution.
Die Ausgangsätzlösung wird nach Gleichung III durch Ätzen von metallischem Kupfer (z*B. Kupferplatten mit Ammoniak, Ammoniumchlorid und Ammoniumcarbonat (unter Mitwirkung des Buftsaucrstoffes) hergestellt: Nachdem sich auf diese Weise [Cu(NH3)4]@-Ionen gebildet haben, verläuft der ejiemische Prozeß nach den Gleichungen I und II. Die erforderliche Konzentration an Tetraminkujfer(IT)-Ion wird durch die Mengen an metallischem Kupfer eingestellt.The initial etching solution is produced according to equation III by etching metallic copper (e.g. copper plates with ammonia, ammonium chloride and ammonium carbonate (with the help of the oxygen): After [Cu (NH3) 4] @ ions have formed in this way, the ejiemische process proceeds according to equations I and II. The required concentration of tetraminkufer (IT) ion is set by the amount of metallic copper.
Die sich hierbei ergebende Ätzlösung bietet gegenüber den bekannten Ätzlösungen auf der Basis von Natriumchlorit eine Reihe von Vorteilen, sofern die angegebenen Konzentrationen eingehalten werden. So besitzt sie eine kurze und konstante Ätzgechwindigkeit, ca. 50" für 35 µm Cu-Auflage. Die Ätzlösung auf liatriunchlorit-Basis ätzt dagegen langsamer und wird während des Ätzprozesses schwächer. Die Ätzzeit beginnt mit ca. 80" und steigt bis über 206", wobei die stark verbrauchte Ate gegen frische Ätzlösung ausgetauscht wird.The resulting etching solution offers compared to the known Etching solutions based on sodium chlorite provided a number of advantages specified concentrations are observed. So it has a short and constant one Etching speed, approx. 50 "for 35 µm Cu layer. The etching solution based on lithium chloride In contrast, etches more slowly and becomes weaker during the etching process. The etching time starts with approx. 80 "and rises to over 206", with the heavily used Ate against fresh etching solution is exchanged.
Ferner ist die Zusammensetzung der erfindungsgemäßen Ätzlösung so gewahlt, daß kein elektrolytisher Effekt bei vergoldeten Leiterplatten auftreten kann. Dies wird durch die hohe Konzentration an Cupri-Ionen erreicht. Das Kupfer wird überall auch in der Nähe der vergoldeten Leiterbahnen bzw.Furthermore, the composition of the etching solution according to the invention is like this chosen so that no electrolytic effect occurs with gold-plated circuit boards can. This is achieved through the high concentration of cupric ions. The copper is everywhere also in the vicinity of the gold-plated conductor tracks or
Lötaugen gleich schnell abgeätzt, so daß sich nur geringfügige Unterätzungen ergeben. Ist die C++-Konzentration dagegen geringer (<120 g/l), so werden die vergoldeten Leiterplatten durch den auftretenden elektrolytischen Effekt stark unterätzt. Außerdem wird durch die Anwesenheit von Carbonat in den angegebenen Konzentrationen eine dunkle Verfärbung und eine Beeinträchtigung der Lötbarkeit von Zinnblei-Oberflächen verhindert. Anstelle des teuren und explosiven Natriumchlorits wird als Oxydationsmittel gemäß Gleichung II Luftsauerstoff verwendet. Die Geschwindigkeit dieser Reaktion is-t so groB, daß hierfür keine Preßluft, wie es bei der analogen Oxydation des bekannten Cu Cl2-Ätzregenerierverfahrens Cu+ + II+ + 1/4 02 --> 02Cu + 1/2 H20 geschieht, erforderlich ist. Da jede Jitzmaschine an einer Absaugung angeschlossen ist, genügt der angesaugte Lufstrom für die restlose Oxydation des [Cu(NH3)2]+ - lons zum zweiwertigen FCu(rn13)$1++-Ion. Die Oxydation erfolgt also praktisch konstenlos ohne zunätzlichen Aufwand. Außerdem fallen die Kosten für Lagerraum und für Stapelbehalter für die NaClO2-Lösung weg. Schließlieh stellt sich bei der erfintlungsgemäßen Ätzlösung die Abwassersitwation besonders einfach, da die stark kupferhaltigen Ätzkonzentrate von einschlägigen Kupferverarbeitungsbetrieben zu chr günstigen Bedingungen angekauft werden. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Ätzlösung entfallen auf einen -Liter Lösung 2,3 bis 2,45 Mol Cupri-Ionen 9,8 bis 12,2 Mol Ammoniak, gesamt 4,8 bis 5,7 Mol Chlorid-Ionen und 0,2 bis 0,8 Mol Carbonat-Ionen.Solder eyes are etched off at the same time, so that there are only minor undercuts result. If, on the other hand, the C ++ concentration is lower (<120 g / l), the gold-plated printed circuit boards are severely underetched due to the electrolytic effect that occurs. In addition, the presence of carbonate in the specified concentrations a dark discoloration and impairment of the solderability of tin-lead surfaces prevented. Instead of the expensive and explosive sodium chlorite it is used as an oxidizing agent according to equation II atmospheric oxygen is used. The speed of that response is so large that there is no compressed air for this, as is the case with the analogous oxidation of the known Cu Cl2 etching regeneration process Cu + + II + + 1/4 02 -> 02Cu + 1/2 H20 happens, is required. Since every Jitz machine is connected to an extraction system the air flow sucked in is sufficient for the complete oxidation of the [Cu (NH3) 2] + - ions to the divalent FCu (rn13) $ 1 ++ ion. The oxidation takes place practically free of charge without additional effort. In addition, the costs for storage space and for stacking bins are reduced gone for the NaClO2 solution. The final result is the etching solution according to the invention The sewage situation is particularly easy, as the caustic concentrates contain a lot of copper Purchased from relevant copper processing companies on favorable terms will. at a preferred embodiment of the invention Etching solution accounts for 2.3 to 2.45 moles of cupric ions 9.8 to 1 liter of solution 12.2 moles of ammonia, a total of 4.8 to 5.7 moles of chloride ions and 0.2 to 0.8 moles of carbonate ions.
Diese engen Bereiche der Konzentrationen der einzelnen Bestandteile stellen hinsichtlich der geringen Unterätzung von vergeldeten Leiterplatten, dei Erhaltung der Tötbarkei, von bleiverzinnten Leiterplatten und der hohen Xtzgeschwindigkeit ein Optimum dar.These narrow ranges of the concentrations of the individual components provide with regard to the low undercutting of paid-for printed circuit boards, dei Preservation of the lethality of lead-tinned printed circuit boards and the high Xtz speed represents an optimum.
Ein Verfahren zum Ätzen von Kupfer und Kupferlegierungen unter Verwendung der vorstehend angegebenen Ätzlösungen ist dadurch gekennzeichnet, daß zur Aufrechterhaltung der Konzentrationen an Cupri-Ionen ein Teil der Lösung entfernt und dieser Teil durch die gleiche Volumenmenge einer Ergänzungslösung ersetzt wird, welche 215 bis 335 g/l Ammoniumchlorid 20 bis 80 g/l Ammoniumcarbonat 300 bis l15 ml/l konzentriertes Ammoniak enthält. Gemäß Gleichung III werden beim Ätzen neben dem Luftsauerstoff laufend Ammoniak und 1>E4+-Ionen verbraucht.A method of etching using copper and copper alloys of the etching solutions given above is characterized in that to maintain the concentration of cupric ions removes part of the solution and this part is replaced by the same volume of a supplementary solution, which 215 to 335 g / l ammonium chloride 20 to 80 g / l ammonium carbonate 300 to l15 ml / l concentrated Contains ammonia. According to equation III, in addition to atmospheric oxygen constantly consumed ammonia and 1> E4 + ions.
Durch die Zufuhr der Ergänzungslösung wird der Verbrauch an Ammoniak und Nil4 -Ionen ausgeglichen, so daß der Atzvorgng stets unter den erwünschten günstigen Bedingungen stattfindet. Insbesondere wird durch die Aufrechterhaltung der Konzentration an Cupri-Ionen die Ätzkraft der Xtzlösung konstant gehalten. Beim Zudosieren der Ergänzungslösung fließt gleichzeitig aus einem Überlauf der Ätzmaschine die gleiche Menge an Ätzkonzentrat heraus. Das Zudosieren kann über die Dichtemessung der Ätzlösung voll automatisiert werden.The addition of the supplementary solution reduces the consumption of ammonia and Nil4 ions balanced, so that the etching process is always below the desired favorable Conditions takes place. In particular, it is done by maintaining concentration the etching power of the Xtz solution was kept constant on Cupri ions. When adding the The same supplementary solution flows from an overflow of the etching machine at the same time Amount of caustic concentrate out. The metering can be done by measuring the density of the etching solution be fully automated.
Die Zusammensetzung der Ergänzungslösung für den oben angegebenen engeren Konzentrationsbereich der Ätzlösung lautet: 255 bis 305 g/l Ammoniumchlorid 20 bis 80 g/l Ammoniumcarbonat 345 bis 370 ml/l konz. Ammoniak Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand der Zeichnung näher erläutert. Die Figuren 1 und 2 zeigen den starken Einfluß der Cu++ - Konzentration' auf die Unterätzung beim Ätzen von Leiterplatten mit galvanisch aufgebrachten Ni/Au-Oberflächen.The composition of the supplementary solution for the above given the narrower concentration range of the etching solution is: 255 to 305 g / l ammonium chloride 20 to 80 g / l ammonium carbonate 345 to 370 ml / l conc. ammonia In the following, exemplary embodiments of the invention are described in more detail with reference to the drawing explained. Figures 1 and 2 show the strong influence of the Cu ++ concentration ' on the undercutting when etching circuit boards with galvanically applied Ni / Au surfaces.
Beispiel 1 In dem Tank einer Sprühätzmaschine wurden 100 1 einer wäßrigen Lösung mit 355 ml/l konz. Ammoniak (4,72 Mol/l NH3) und 253 g/l Ammoniumchlorid (4,72 Mol/l NH4 Cl) angesetzt. Diese Mengen an Chemikalien reichen aus, um 150 g Cu/l (2,36 g Atom Cu/l) zu ätzen. (Siehe Gleichung III). Zur Herstellung der Tetraminkupfer(II)-Ätze wurden daher 15 kg Kupfer, z.B. in Form von Kupferplatten bei ca. 47°C hineingeätst. Die resultierende Ätzlösung wies folgende Zusammensetzung auf: 2,36 Mol/l Cu++ 1 150 g/l) 9,44 Mol/l 1i3 gesamt 4,72 Mol/l Cl .Example 1 In the tank of a spray etching machine, 100 liters of an aqueous Solution with 355 ml / l conc. Ammonia (4.72 mol / l NH3) and 253 g / l ammonium chloride (4.72 mol / l NH4 Cl). These amounts of chemicals are enough to make 150 g Cu / l (2.36 g atom Cu / l) to be etched. (See equation III). For the production of the tetramine copper (II) etches Therefore, 15 kg of copper, e.g. in the form of copper plates, were put into it at approx. 47 ° C. The resulting etching solution had the following composition: 2.36 mol / l Cu ++ 1 150 g / l) 9.44 mol / l 1i3 total 4.72 mol / l Cl.
Anschließend wurden zur Verbesserung der Eigenschaften der Ätzlösung gegenüber bleiverzinnten Leiterplatten (Aussehen und Lötbarkeit) und zur Stabilisierung des pH-Wertes 70 g/l Ammoniumcarbonat (0,71 Mol/l) gelöst. Der resultierende pH-Wert betrug 8,9 und die Dichte 1,21 g/cm3.Subsequently, to improve the properties of the etching solution compared to tin-lead printed circuit boards (appearance and solderability) and for stabilization the pH value 70 g / l ammonium carbonate (0.71 mol / l) dissolved. The resulting pH was 8.9 and the density was 1.21 g / cm3.
In dieser Ätzlösung wurden Leiterplatten mit 55/um Kupferaufloage und einer Ni/Au-Oberfläche als Ätzreserve bei 470C geätzt. Die Ätzzeit betrug ca. 78 Sekunden. Zur Aufrechterhaltung der vorstehend angegebenen Konzentrationen wurde während des Atzprozesses mit Hilfe einer Dosierautomatik eine wäßrige Ergänzungslösung mit folgender Zusammensetzung zudosiert: 253 g/l Ammoniumchlorid (NlI4Cl) 70 g/l Ammoniumcarbonat ((N114)2C03) 355 ml/l konz. Ammoniak (NH3) Als Regelgröße der Dosierautomatik diente hierbei die einer Kupferkonzentration von 150 g/i (2,36 Mol/l) entsprechende Dichte der Ätzlösung. Nach Beendigung des Ätzvorganges wurden die Leiterplatten gespült, wobei das anfallende Spülwasser zum Ansetzen der Ergänzungslösung wieder verwendet wurde. Die auf diese Weise geätzten Leiterplatten zeigten eine hohe Kantengenauigkeit und im Vergleich zu weniger konzentrierter Kupfertetramin(II)-tzlösungen äußerst geringe Unterätzungen.In this etching solution, printed circuit boards with a 55 μm copper layer were deposited and a Ni / Au surface as an etch reserve at 470C. The etching time was approx. 78 seconds. To maintain the concentrations given above, an aqueous supplementary solution during the etching process with the help of an automatic metering device metered in with the following composition: 253 g / l ammonium chloride (NlI4Cl) 70 g / l Ammonium carbonate ((N114) 2C03) 355 ml / l conc. Ammonia (NH3) as The controlled variable of the automatic dosing system was used for a copper concentration of 150 g / l (2.36 mol / l) corresponding density of the etching solution. After the end of the etching process the circuit boards were rinsed, with the resulting rinse water to prepare the Supplement solution was used again. The printed circuit boards etched in this way showed a high edge accuracy and compared to less concentrated copper tetramine (II) etching solutions extremely low undercutting.
Figur 1 zeigt einen Querschnitt durch eine Leiterbahn einer derart geätzten Leiterplatte. Das Basismaterial (z.B. Epoxid-Glasgewebe) ist mit 1, die Kupferkaschierung (35/um) mit 2, die galvanisierte Aufkupferung (20/zum) mit 3 und die Ni/Au-Oberfläche mit 4 bezeichnet. Bei einer Dicke der geätzten Kupferschicht von h = 55/um beträgt die seitliche Unterätzung im Mittel a1 = 27/um.Figure 1 shows a cross section through a conductor track of such a type etched circuit board. The base material (e.g. epoxy glass fabric) is 1, the Copper cladding (35 / um) with 2, the galvanized copper (20 / zum) with 3 and denotes the Ni / Au surface with 4. With a thickness of the etched copper layer of h = 55 μm, the lateral undercutting is on average a1 = 27 μm.
Beispiel 2 Zur Demonstration des Einflusses der Cu++-Konzentration auf die Unterätzung wurde in Abwandlung des Beispieles 1 eine Ätzlösung angesetzt, die folgende Zusammensetzung aufwies: 1,75 Mol/l Cu++ 9,44 Mol/l NlI3 gesamt 4,72 Mol/l Cl 0,71 Mol/l Cu Die Konzentration an Cuf+-Ionen von 1,75 Mol/l (111,2 g/l) lag also deutlich außerhalb des für die erfindungsgemäße Ätzlösung angegebenen Bereiches. Beim Ätzen der im Beispiel 1 beschriebenen vergoldeten Leiterplatten stellte sich infolge der geringen Cu++-Konzentration ein elektrolytischer Effekt mit starken Unterätzungen des Leiterbildes ein. Figur 2 zeigt einen Querschnitt durch eine Leiterbahn einer derart geätzten Leiterplatte. Die Kupferkaschierung ist wieder mit 2 und die galvanisierte Aufkupferung mit 3 bezeichnet. Bei einer Diese der Kupferschicht von h = 55/um beträgt der MittelQJert der seitlichen Unterätzung in diesem Fall a2 = 60/um.Example 2 To demonstrate the influence of the Cu ++ concentration In a modification of Example 1, an etching solution was applied to the undercut, had the following composition: 1.75 mol / l Cu ++ 9.44 mol / l NlI3 total 4.72 Mol / l Cl 0.71 Mol / l Cu The concentration of Cuf + ions of 1.75 Mol / l (111.2 g / l) was therefore clearly outside the range specified for the etching solution according to the invention. When the gold-plated printed circuit boards described in Example 1 were etched, it turned out due to the low Cu ++ concentration, an electrolytic effect with strong Undercuts of the conductor pattern. Figure 2 shows a cross section through a conductor track a printed circuit board etched in this way. The copper lamination is again with 2 and the galvanized copper plating denoted by 3. With one of these the copper layer of The mean Q value of the lateral undercutting in this case is a2 = h = 55 μm 60 / um.
Beiaticl 3 Unter Verwendung einer Ätzlösung der im Beispiel 1 angegebenen Zusammensetzung wurden Leiterplatten mit 55/um Kupferauflage und einer SnPb-Oberfläche als Ätzreserve bei 470 C geätzt. Die Ätzzeit betrug 78 Sekunden bei konstanter Ätzgeschwindigkeit, da automatisch über die Dichtemessung Ergänzungslösung taktweise zudosiert wurde. Die fertiggeätzten Leiterplatten zeigten eine hohe Kantengenauigkeit mit einem Mittelwert der seitlichen Unterätzung von 27/um. Die SnPb-Oberfläche erfuhr während des Ätzprozesses keine Änderung der Originalfarbe, d.h.Beiaticl 3 Using an etching solution of that given in Example 1 The composition was printed circuit boards with 55 μm copper plating and an SnPb surface etched at 470 C as an etch reserve. The etching time was 78 seconds at constant etching speed, because supplementary solution was automatically added in cycles via the density measurement. The completely etched circuit boards showed high edge accuracy with a mean value the lateral undercutting of 27 / um. The SnPb surface experienced during the etching process no change to the original color, i.e.
sie blieb hell und wies eine sehr gute Lötbarkeit auf.it remained bright and exhibited very good solderability.
4 Patentansprüche 2 Figuren4 claims 2 figures
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19762625869 DE2625869A1 (en) | 1976-06-09 | 1976-06-09 | Ammoniacal etching solution - for copper laminated circuit board which is coated with tin, tin-lead, or nickel-gold |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19762625869 DE2625869A1 (en) | 1976-06-09 | 1976-06-09 | Ammoniacal etching solution - for copper laminated circuit board which is coated with tin, tin-lead, or nickel-gold |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| DE2625869A1 true DE2625869A1 (en) | 1977-12-22 |
Family
ID=5980163
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| DE19762625869 Ceased DE2625869A1 (en) | 1976-06-09 | 1976-06-09 | Ammoniacal etching solution - for copper laminated circuit board which is coated with tin, tin-lead, or nickel-gold |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2625869A1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992001086A1 (en) * | 1990-07-05 | 1992-01-23 | Elo-Chem Ätztechnik Gmbh | Etching solution |
| WO2006026989A1 (en) * | 2004-09-10 | 2006-03-16 | Danmarks Tekniske Universitet | A method of manufacturing a mould part |
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1976
- 1976-06-09 DE DE19762625869 patent/DE2625869A1/en not_active Ceased
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