DE2523631B2 - Verfahren und Vorrichtung zur Ultraschallreinigung - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur UltraschallreinigungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Reinigen von dünnen, flächigen Teilen, wie Halbleiterbauplatten,
Fotomasken u.dgl., mit Hilfe von Ultraschall in einem Reinigungsbad in einem durch einen Ultraschallsender
beaufschlagten Behälter, wobei das zu reinigende Teil in einem Halter in das Reinigungsbad getaucht und der
Ultraschallsender erregt und danach das Teil aus dem Behälter entnommen, in einem Spülbad gespült und
schließlich getrocknet wird.
In der US-PS 36 40 295 ist ein Stand der Technik beschrieben, der sich mit der Ultraschallreinigung von
chirurgischen Instrumenten befaßt, welche in dem Reinigungsbad in ein während des Beschallens um
verschiedene Winkel hin- und herzuschwenkendes Gestell gesetzt sind. Die zu reinigenden Teile sind
äußerst unregelmäßig geformt
Aus dem Aufsatz von Benninghoff »Anwendung des Ultraschalls« in der Zeitschrift »Fertigungstechnik«,
Heft 5, 1957, kann entnommen werden, daß die Anordnung eines flächigen, zu reinigenden Gegenstandes
senkrecht zur Richtung des jeweiligen Ultraschall-Strahls günstig ist Dadurch soll offenbar erreicht
werden, daß der zu reinigende Gegenstand in Richtung seiner Flächennormalen hochfrequent erschüttert wird
mit der Folge, daß Verunreinigungen abgeschleudert werden. Bei einer massiven und in sich stabilen
optischen Linse, für die die bekannte Verfahrensweise vorgesehen ist mag eine solche Erschütterung Schaden
nicht hervorrufen. Anders liegen die Verhältnisse jedoch bei einem häufig aus vielen Schichten zusammengesetzten
Halbleiterscheibchen. Hierbei besteht erhebliche Gefahr, daß sich aufgrund der in der
Flächennormalen erfolgenden, hochfrequenten Erschütterung einzelne Schichten oder Teile lösen.
Das Entfernen von kleinen Staubteilchen und/oder Fett von einer Oberfläche ist im übrigen einer der
schwierigsten Vorgänge bei der Herstellung von Halbleiterbauteilen, Fotomasken und dergleichen. Die
meisten kleinen Staub-, Schmutz- und Rußteilchen werden auf der Oberfläche hartnäckig festgehalten, so
daß für ihr Entfernen relativ große Kräfte erforderlich sind. Anstelle der Ultraschall-Reinigung hat man
hierbei, insbesondere beim Herstellen von Halbleiterbauteilen, z. B. von Vidicon-Elektroden, Bürsten aus
synthetischem Material benutzt, um Staubteile gegebenenfalls zu entfernen. Dieses manuelle Reinigen ist aber
sehr zeitaufwendig, da nur jeweils ein einzelnes Scheibchen gleichzeitig gereinigt werden kann.
Es ist ferner versucht worden, die Oberfläche eines Siliziumscheibchens mit heißer Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid-Lösung
durch Tauchen zu reinigen. Diese Methode ist jedoch nur dann erfolgreich, wenn die
Staub- oder Schmutzteilchen organischen Ursprungs sind und die zu entfernenden Verbindungen in der
Lösung löslich oder durch diese chemisch anzugreifen sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren gemäß Oberbegriff des Anspruchs I zu
schaffen, mit dessen Hilfe das Reinigen von im wesentlichen dünnen, flächigen Teilen jeglicher Art
zuverlässig möglich ist, ohne daß die Gefahr einer Schädigung des Körpers oder der Oberfläche des
jeweiligen zu reinigenden Bauelements besteht. Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist dadurch
gekennzeichnet, daß bei Verwendung eines mit einer Fiequenz zwischen 0,2 und 5,0 MHz schwingenden und
in einer bestimmten Richtung strahlenden Ultraschall-Senders die /u reinigende Oberfläche des dünnen,
flächigen Teils in dem Reinigungsbad im wesentlichen parallel zu der bestimmten Ultraschall-Strahlrichtung
ausgerichtet wird. Verbcsserungen und weitere Ausbildungen des Erfindungsgegenstandes sind in den
Unteransprüchen beschrieben.
Da die Ultraschall-Strahlen erfindungsgemäß nicht auf die empfindlichen Flächen der zu reinigenden Teile auftreffen, sondern nur auf deren Kanten, ist einerseits eine Oberflächenkorrosion der zu schützenden Flächen nicht zu befürchten und andererseits werden von den Flächen zu entfernende Partikeln so von den Schallwellen getroffen, daß sie unmittelbar tangential von der Fläche abgeschleudert werden. Da die zu reinigenden Teile bei der Anordnung gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren ihre größte Ausdehnung in der
Da die Ultraschall-Strahlen erfindungsgemäß nicht auf die empfindlichen Flächen der zu reinigenden Teile auftreffen, sondern nur auf deren Kanten, ist einerseits eine Oberflächenkorrosion der zu schützenden Flächen nicht zu befürchten und andererseits werden von den Flächen zu entfernende Partikeln so von den Schallwellen getroffen, daß sie unmittelbar tangential von der Fläche abgeschleudert werden. Da die zu reinigenden Teile bei der Anordnung gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren ihre größte Ausdehnung in der
Fortpflanzungsrichtung der Schallwellen haben, wirken
die Bauteile den Schallwellen gegenüber nicht dünn sondern sogar relativ dick; es besteht also nicht die
Gefahr, daß die zu reinigenden Teile selbst in Resonanz mit den Schallwellen schwingen.
Im einzelnen sollen zum Durchführen des erfindungsgemäßen
Verfahrens demgemäß
a) in einen mit einem Ultraschall-Strahlen in einer bestimmten Richtung aussendenden Energieumwandler
versehenen Behälter eine Reinigungsflüssigkeit für das zu reinigende Bauelement gegeben
werden;
b) das Bauelement in die Reinigungsflüssigkeit getaucht werden;
c) der Wandler derart erregt werden, daß er bei einer '5
Frequenz zwischen ungefähr 0,2 und 5 MHz oszilliert:
d) das Bauelement aus dem Behälter entfernt und in einer Spülflüssigkeit gespült werden; und
e) das Bauelement getrocknet werden. Ein für die Durchführung dieses Verfahrens geeignetes
Gerät besteht beispielsweise aus einer staubfreien Kabine mit einer mit der Umgebung in Verbindung
stehenden öffnung, der Kabine zugeordneten Drucklufteinrichtungen zum Aufrechterhalten eines zum ^5
Einstellen einer laminaren Luftströmung aus der Kabine in die Umgebung hinaus erhöhten Luftdrucks, einem
ersten Behälter für Reinigungsflüssigkeit, einem zum Ausstrahlen eines Ultraschallstrahls mit einer Frequenz
zwischen 0,2 und 5 MHz in einer bestimmten Richtung -° im Behälter geeigneten Energieumwandler, im Behälter
vorgesehenen Einrichtungen zum Anordnen des Bauelements mit der zu reinigenden Oberfläche parallel
zum ausgesandten Ultraschallstrahl, einem Becken für Spülflüssigkeit zum Spülen der Oberfläche des Bauelements
nach dessen Entfernen aus dem ersten Behälter und aus mit der Kabine in Verbindung stehenden
Einrichtungen zum Trocknen des Bauelements nach dessen Entfernen aus der Spülflüssigkeil. Insbesondere
sollen an dem ersten Behälter Einrichtungen zum Erzeugen einer Relativbewegung zwischen dem dünnen
flächigen Teil und dem Energieumwandler bei parallel zur Richtung des Ultraschallstrahls verbleibender
Oberfläche des Teils vorgesehen sein
Besonders vorteilhaft anwendbar ist das erfindungs- J5
gemäße Verfahren zum Reinigen der Oberfläche von Halbleiterscheibchen, die für ihre weitere Verarbeitung
zu Halbleiterbauteilen vorbereitet werden sollen.
Anhand eines in der Zeichnung dargestellten, bevorzugten Ausführungsbeispiels wird die Erfindung Μ
nachfolgend näher erläutert. Bei dem auf der Grundlage des erfindungsgemäßen Verfahrens arbeitenden Mcgaschall-Rcinigungssystem
werden das Reinigen, Spülen und Trocknen der zu behandelnden Gegenstände bzw.
Teile in einer staubfreien Umgebung durchgeführt. Es 5<>
zeigt
Fig. 1 eine perspektivische Teilansicht eines Gerätes
zum Durchführen des Verfahrens.
Fi g. 2 einen perspektivisch vergrößert dargestellten,
zum Reinigen von Halbleiterscheibchen ausgebildeten «>
Teil des Gerätes gemäß F i g. I und
Fig.3 ein Schaltbild für zwei Ultraschall-Energiewandler.
Zu dem in Fig. I dargestellten Megaschall-Reinigung.ssystem
10 gehört sine Haube oder eine Kabine 12 mit einem Boden 14, gegenüberliegenden Seitenwänden
16 und 18 und einer Rückwand 20. Eine Gebläse- und Luftfiltereinrichtung 22 :«t mit dem oberen Teil der
Kabine 12 verbunden, um den Luftdruck in der Kabine 12 gegenüber dem der Umgebung etwas höher zu
halten. Dadurch wird eine laminare Strömung sauberer Luft durch die Frontöffnung 23 der Kabine 12 erzeugt,
und zwar aus der Kabine 12 in die Umgebung.
In der Kabine 12 sind Reinigungseinrichtungen vorgesehen. Dazu gehört ein Reinigungsbehälter 24, der
auf dem Boden 14 der Kabine 12 nahe der Wand 16 untergebracht ist Der Behälter 24 ist durch eine
Trennwand 30 in zwei Teile 26 und 28 unterteilt. Die Trennwand 30 ist nicht so hoch wie die Wände des
Behälters 24; in beiden Behälterteilen 26 und 28 befindet sich eine Reinigungsflüssigkeit 32.
Es sind Einrichtungen vorgesehen, mit denen erreicht wird, daß sich Ultraschallenergiestrahlen in der
Reinigungsflüssigkeit 32 ausbreiten. Dazu dient ein Paar Wandler 34 und 36, die in öffnungen in der Trennwand
30 in geeigneter Weise gehalten sind. Die Energieumwandler 34 und 36 sind im Haruel erhältlich und
bestehen z. B. aus glasüberzogenem KoLalt-Bariuni-Titanatmaterial
mit Silberelektroden. Die Wandler 34 und 36 können bei einer Frequenz von zwischen ungefähr
0,2 und 5 MHz oszillieren, wenn sie durch eine geeignet abgestimmte Hochfrequenzenergiequelle erregt werden,
beispielsweise eine solche mit einer Eingabeleistung von ungefähr 5 bis 15 Watt/cm2 der Wandleroberfläche.
Die Wandler 34 und 36 sind scheibenförmig und in der Trennwand 30 so angeordnet, daß die
Ultraschallstrahlen sich genau senkrecht zur Trennwand 30 ausbreiten. Da die Trennwand 30 den Behälter
24 in die zwei Behälterteile 26 und 28 unterteilt und die Wandler 34 und 36 mit beiden Teilen 26 und 28 in
Verbindung stehen, verbreiten sie die Energiestrahlen in die Reinigungsflüssigkeit 32 in beiden Teilen 26 und 28.
In beiden Teilen 26 und 28 des Behälters 24 sind Halterungen vorgesehen, die die zu reinigenden
Gegenstände aufnehmen. Dazu sind in den Teilen 26 und 28 Plattformen 38 bzw. 40 angeordnet, die durch
Befestigungsarme 42 bzw. 44 gehalten werden. Die Arme 42 und 44 sind mit bekannten, nicht dargestellten,
rotierenden (hin- und hergehend) Antrieben und Nocken verbunden, und zwar durch in der Seitenwand
16 vorgesehene öffnungen 43 bzw. 4"i. so daß die
Plattformen 38 und 40 eine genau rechteckige Bewegung durchführen, wie sie durch die rechteckig
angeordneten Pfeile 46 verdeutlicht wird. Der Zweck dieser Bewegung wird in der nachfolgenden Beschreibung
erläutert.
Benachbart zum behälter 24 ist auf dem Boden 14 der Kabine 12 ein Spülbecken 50 für Spülflüssigkeit 57
vorgesehen. Das Becken 50 ist durch eine Trennwand 58 eb^nf Jl-j in zwei Teile 54 und 56 unterteilt; die Höhe der
Trennwand ist geringer als die der Wände des Spülbeckens 50. Die Spülflüssigkeit wird in den Teil 54
des Beckens 50 durch eine Zuführleitung 60 gegeben. Die Spülflüssigkeit fließt in den Teil 56 des Beckens 50
über die Trennwand 58 und wird durch eine Abführleitung 62 dem Teil 56 entnommen. Bei der
beschriebenen Anordnung kann die Spülflüssigkeit 52 kontinuierlich in den Teil 54 fließen, in den Teil 56
gelangen und dann durch die Abführleitung 62 abgeführt werden.
Benachbart zum Spülbecken 50 ist auf dem Boden 14
der Kabine 12 ein weiterer Reinigungsbehälter 64 vorgesehen. Der Reinigungsbehälter 64 dient der
Aufnahme einer Reinigungsflüssigkeit 66. die sich von
der Reinigungsflüssigkeit 32 im Reinigungsbehalter 24 unterscheidet. So kann 1 B. zum Reinigen von
Siliziumscheiben die Reinigungsflüssigkeit 32 im Behälter 24 aus einer Lösung von Wasser, Wasserstoffperoxid
und Ammoniak im Volumenverhältnis von 4:1:1 bestehen, während die Reinigungsflüssigkeit 66 im
Behälter 64 aus einer Lösung von Wasser, Wasserstoffperoxid und Salzsäure in einem Volumenverhältnis von
4:1:1 bestehen kann. Geeignete, nicht dargestellte Filter für die kontinuierliche Filterung der Reinigungsflüssigkeiten
können vorgesehen sein, um eine Anreicherung an Fremdstoffen in den Lösungen zu vermeiden.
Weiterhin ist das Reinigungssystem mit Einrichtungen
zum Trocknen der gereinigten Gegenstände versehen. Im dargestellten Ausführungsbeispiel ist
hierzu in die Seitenwand 18 der Kabine 12 eine Tür 70 eingehängt, die eine öffnung in der Seitenwand 18
ahrlprWt Di*» Tür 70 cjphört 7ii pinpr TrnrliPnliammpr Ti
die mit erhitzter und gefilterter Luft zum Trocknen der gereinigten Gegenstände versorgt wird. Ein horizontales
Fach 73 ist am unteren Teil der Tür 70 befestigt, das der Aufnahme der gereinigten, zu trocknenden Gegenstände
dient. Mit Hilfe eines geeigneten Lufterwärmungs-, Filter- und Blasgerätes 74 wird die Kammer 72
mit sauberer Luft von Temperaturen zwischen ungefähr 25°C und 3000C versorgt. Das Gerät 74 ist so ausgelegt,
daß eine Luftgeschwindigkeit von ungefähr 3 m/sec erreicht wird. Bei dieser Geschwindigkeit bläst die Luft
Flüssigkeitströpfchen sehr schnell von den Scheibchen ab. Die Oberflächenfeuchtigkeit wird durch erhitzte
Luft, vorzugsweise über 1000C, getrocknet. Bei Scheibchen von einem Durchmesser von 75 mm und
einem gegenseitigen Abstand von 3 mm in geeigneten Haltern dauert der gesamte Trockenvorgang zwischen
1,5 und 3 Minuten. Aus Fig. 1 wird ersichtlich, daß das Reinigen, Spülen und Trocknen der Gegenstände in der
Kabine 12 durchgeführt werden kann, während sie durch eine laminare Luftströmung aus der Kabine in die
Umgebung sauber und staubfrei gehalten wird.
Das Trocknen kann auch mit einem nicht dargestellten,
in der Kabine 12 angeordneten Schleudertrockner durchgeführt werden.
Die Arbeitsweise des Megaschall-Reinigungssystems 10 wird nachfolgend am Beispiel der Reinigung der
Oberflächen mehrerer gleichartiger Gegenstände, wie Siliziumscheibchen, erläutert. In Fig. 2 sind Siliziumscheibchen
76, 78 und 80 dargestellt, deren Oberflächen 82, 84 bzw. 86 gereinigt werden sollen. Die Scheibchen
76 bis 80 werden in einem Scheibenhalter 87 parallel zueinander gehalten. Der Halter 87 kann aus geeignetem
Kunststoff, Quarz, Glas oder einem inerten Metall hergestellt sein, wobei seine gegenüberliegenden
Innenwände mit mehreren Nuten versehen sind, um die Scheibchen 76 bis 80 in paralleler Ausrichtung
zueinander zu halten. Um ein gründliches Reinigen der Scheibchenoberflächen sicherzustellen, sollte die Strömung
der Reinigungsflüssigkeit (oder Trocknungsluft) so wenig wie möglich durch den Scheibchenhalter 87
behindert werden. Dazu kann der im Handel erhältliche Scheibchenhalter 87 durch Entfernen gewisser Teile
seiner Seitenwand geringfügig umgerüstet werden, um Flüssigkeit (und Luft) frei durchfließen zu lassen.
Wenngleich in der Zeichnung nur drei Scheibchen im Halter 87 dargestellt sind, ist es selbstverständlich, daß
eine wesentlich größere Anzahl aufgenommen werden kann. Der Abstand, in dem die Siliziumscheibchen im
Halter 87 voneinander gehallen werden, beträgt zwischen ungefähr 0,125 und 0,625 cm, wie er bei der
Herstellung elektronischer Bauteile üblich und mit Scheibchenbeförderungssystcmen vereinbar ist.
Der Haller 87 befindet sich auf der Plattform 40 des
Teils 28 des Reinigungsbehälters 24. Die zu reinigenden Schcibchenoberflächen 82 bis 86 sind genau parallel
zueinander und parallel zur Richtung der von den Wandlern 34 und 36 erzeugten Ultraschallstrahlen
ausgerichtet.
Ebenfalls auf der Plattform 40 befindet sich ein weiterer Scheibchenhalter 88 für mehrere Scheibchen
ίο 90, 92, 94 und 96. deren Oberflächen 98, 100, 102 bzw.
104 gereinigt werden sollen. Die Oberflächen 98 bis 104 sind parallel zu den Oberflächen 82 bis 86 ausgerichtet
und so aufgestellt, daß die von den Wandlern 34 und 36 kommenden Ultraschallstrahlen zwischen den Schcibchen
passieren können. Der Teil 28 des Behälters 24 wird mit der Reinigungsflüssigkeit 32 gefüllt und die
entsprechend den Pfeilen 46 verletzt. Auf diese Weise werden alle Scheibchen in den Haltern 87 und 88 den
Ultraschallstrahlen der erregten Wandler 34 und 36 ausgesetzt.
Die Scheibchen 76 bis 80 und 90 bis % werden den Ultraschallstrahlen bei Frequenzen im Bereich von
ungefähr 0,2 bis 5 MHz für zwischen 3 Sekunden und 60 Minuten ausgesetzt, was von der Erregungsenergie der
Wandlp- 34 und 36 abhängt. Zum Reinigen von Siliziumscheiben hat sich eine Frequenz von ungefähr
0,8 MHz als vorteilhaft herausgestellt. Da die Wandler 34 und 36 hinsichtlich ihrer Größe limitiert sind, sorgt
die rechteckig verlaufende Bewegung der Plattform 40 während des Reinigungsvorgangs dafür, daß alle
Scheibchen in den Haltern 87 und 88 gereinigt werden.
Ein Satz Scheibchenhalter ähnlich denen im Behälterteil 28 kann im Teil 26 des Reinigungsbehälters 24
während des Reinigungsvorgangs vorgesehen sein. Dies ist deshalb möglich, weil die Wandler 34 und 36 mit
beiden Teilen 26 und 28 des Reinigungsbehälters 24 in Verbindung stehen. Entgegen der Erwartung können
die Scheibchen sehr gut gereinigt werden, wenn der Ultraschallstrahl parallel zu den Hauptoberflächen der
Scheibchen gerichtet ist. Da die Ultraschallstrahlen während ihres reinigenden Passierens zwischen den
Siliziumscheiben aufgrund der Ausrichtung der Scheibchen außerordentlich gering abgeschwächt werden.
können somit zwei oder mehr beladene Scheibchenhalter auf jeder Plattform 38 und 40 in der beschriebenen
Weise untergebracht werden, so daß eine relativ große Anzahl an Scheibchen gleichzeitig gereinigt werden
kann.
In F i g. 3 ist schematisch dargestellt, wie die Wandler
34 und 36 betrieben werden können, um Relativbewegung zwischen einem Ultraschallstrahl und den im
Reinigungsbehälter 24 untergebrachten Gegenständen zu bewirken. Jeder Wandler 34 und 36 ist mit einem
Schrittschalter verbunden, der, wenn er erregt und mit Energie von einer geeigneten Energiequelle 108
versorgt wird, dafür sorgt, daß Ultraschallstrahlen abwechselnd von den Wandlern 34 und 36 ausgesandt
werden. Somit brauchen Gegenstände, deren Oberflächen gereinigt werden sollen, lediglich im Reinigungsbehälter
24 mit ihren Oberflächen parallel zur Richtung der Ausbreitung der von den Wandlern 34 und 36
ausgesandten Energiestrahlen angeordnet zu werden. Die Relativbewegung zwischen den alternierenden
Strahlen und den zu reinigenden Oberflächen macht die Notwendigkeit einer Hin- und Herbewegung der
Plattformen 38 und 40 überflüssig.
Nach Beendigung der Reinigung im Reinigungsbehäl-
Nach Beendigung der Reinigung im Reinigungsbehäl-
ter 24 werden die belaclenen Scheibchenhalter 87 und 88 aus der Reinigungsflüssigkeit 32 mittels geeigneter,
nicht dargestellter Zangen oder Griffe entfernt und in der Spülflüssigkeit 52 im Teil 54 des Beckens 50 gespült.
Unter bestimmten Bedingungen, wenn beispielsweise ■;
organische Stoffe von den zu reinigenden Oberflächen ennernt werden müssen, können die Gegenstände in die
Reinigungsflüssigkeit 66 im Behälter 64 getaucht werden, bis sie gesäubert sind. Nach diesem Vorgang
werden die gereinigten Gegenstände nochmals im Teil m
54 des Beckens 50 gespült.
Die gesäuberten Gegenstände werden getrocknet,
indem sie in die mil erhitzter und gefilterter Luft beschickte Trockenkammer 72 gegeben werden. Die
immer noch in ihren Haltern befindlichen Gegenstände, π
beispielsweise Scheibchen in den Haltern 87 und 88. können auf das Fach 73 in der Kammer 72 gestellt
werden, bis sie getrocknet sind. Die Temperatur der gefilterten Luft kann zwischen 25'C und JOOC
gesteuert werden, was von der Art der zu trocknenden ;n
Gegenstände abhängt.
Vorstehend wurde anhand der beigefügten Zeichnungen ein Megaschall-Reinigungssystem zum Säubern von
Oberflächen beschrieben, wobei das Gerät es erlaubt, eine Vielzahl von Oberflächen gleichzeitig zu reinigen
und die Reinigungs-, Spül- und Trockenvorgänge in einer staubfreien Kabine durchzuführen. Sobald die
gereinigten Gegenstände getrocknet sind, können sie in geeigneten Behältern aufbewahrt werden, bis sie für die
Weiterbearbeitung benötigt werden. Obwohl das erfindunpsgemäüe Megaschall-Reinigungssystem am
Beispiel des Säuberns von Halbleiterscheibchen beschrieben worden ist, kann es in ebenso vorteilhafter
Weise zum Reinigen von Oberflächen einer großen Anzahl andersartiger Gegenstände eingesetzt werden,
zu denen beispielsweise streifenförmige Fotolacke von Fotomasken u. dgl. gehören. Selbstverständlich können
auch andere Reinigungsflüssigkeiten zur Anwendung kommen, was von der Art der von den Oberflächen der
zu reinigenden Gegenstände zu entfernenden Materialien abhängt.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Verfahren zum Reinigen von dünnen, flächigen Teilen, wie Halbleiterbauplatten, Fotomasken und
dergleichen, mit Hilfe von Ultraschall in einem Reinigungsbad, in einem durch einen Ultraschallsender
beaufschlagten Behälter, wobei das zu reinigende Teil in einem Halter in das Reinigungsbad
getaucht, und der Ultraschallsender erregt wird und danach das Teil aus dem Behälter entnommen, in
einem Spülbad gespült und schließlich getrocknet wird, dadurch gekennzeichnet, daß bei
Verwendung eines mit einer Frequenz zwischen 0,2 und 5.0 MHz schwingenden und in einer einzigen
bestimmten Richtung strahlenden Ultraschallsenders (34.36) die zu reinigende Oberfläche (82,84,86)
des dünnen, flächigen Teils (76, 78, 80) in dem Reinigungsbad (32) im wesentlichen parallel zur
Ultraschall-Strahlrichtung ausgerichtet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Ultraschallsender für eine Zeitdauer
zwischen ungefähr 3 Sekunden und 60 Minuten mit einer Frequenz von etwa 0,8 MHz erregt
wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zum gleichzeitigen Reinigen
einer Vielzahl von dünnen, flächigen Teilen diese mit parallel zueinander und zur Richtung Jes Ultraschall-Strahls
ausgerichteten Oberflächen in die Reinigungsflüssigkeit eingeh jcht und relativ zum
Strahl bewegt werden.
4. Vorrichtung zum Durchfü,' -en des Verfahrens
nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch einen bei Betrieb mit einer
Frequenz zwischen 0,2 und 5,0MHz oszillierenden,
einen Ultraschall-Strahl in einer einzigen, bestimmten Richtung in dem Behälter (24) ausstrahlenden
Energieumwandler (34, 36) und im Behälter (24) vorgesehene Einrichtungen zum Ausrichten der
dünnen, flächigen Teile mit der zu reinigenden Oberfläche parallel zum ausgesandten Ultraschall-Strahl.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch dem Behälter (24) zugeordnete Einrichtungen
zum Erzeugen einer Relativbewegung zwischen dem dünnen flächigen Teil und dem Energieumwandler
bei parallel zur Richtung des Ultraschall-Strahls verbleibender Oberfläche des Teils.
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