DE2505461A1 - Messgroessenumformer - Google Patents
MessgroessenumformerInfo
- Publication number
- DE2505461A1 DE2505461A1 DE19752505461 DE2505461A DE2505461A1 DE 2505461 A1 DE2505461 A1 DE 2505461A1 DE 19752505461 DE19752505461 DE 19752505461 DE 2505461 A DE2505461 A DE 2505461A DE 2505461 A1 DE2505461 A1 DE 2505461A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- membrane
- pressure
- transmitter according
- transmitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 44
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 9
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 claims 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 241000935974 Paralichthys dentatus Species 0.000 description 1
- 241001313099 Pieris napi Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000004035 construction material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0001—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means
- G01L9/0008—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations
- G01L9/0022—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations of a piezoelectric element
- G01L9/0025—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations of a piezoelectric element with acoustic surface waves
-
- G—PHYSICS
- G10—MUSICAL INSTRUMENTS; ACOUSTICS
- G10K—SOUND-PRODUCING DEVICES; METHODS OR DEVICES FOR PROTECTING AGAINST, OR FOR DAMPING, NOISE OR OTHER ACOUSTIC WAVES IN GENERAL; ACOUSTICS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G10K11/00—Methods or devices for transmitting, conducting or directing sound in general; Methods or devices for protecting against, or for damping, noise or other acoustic waves in general
- G10K11/36—Devices for manipulating acoustic surface waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/326—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator the resonator being an acoustic wave device, e.g. SAW or BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/02—Details
- H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S73/00—Measuring and testing
- Y10S73/04—Piezoelectric
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Length Measuring Devices Characterised By Use Of Acoustic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Description
Patentanwalt )ipHng. IblfMenges
8011 Pöring/München Commerzbank München
Hubertusstrasse 20 4406120
Telefon (08106) 2176
Telegramme Postscheck München
PATENTMENGES Zorneding 30 74 87-803
Tag/Date ?>
Anwaltsakte: U 238
United Aircraft Corporation Hartford, Conn. 06 108, V.St.A,
Messgrossenumformer
Die Erfindung bezieht sich auf Messumformer (Transducer), bei welchen Oberflächenschallwellen als ein Mittel verwendet
werden, um Druck, Beschleunigung, Temperatur, mechanische Spannung oder Beanspruchung in digitaler Weise
zu erfassen, und insbesondere betrifft die Erfindung einen Messgrossenumformer, bei welchem Oberflächenschallwellen
dazu benutzt werden, die Verformung des Oberflächenwegs einer flexiblen Membran festzustellen, die einer äusseren Belastung
oder Kraft ausgesetzt ist.
Druckmessumformer zum Umwandeln von Druck in elektronische Signale, welche mit Test-, Anzeige- und Steuersystemen
509835/1037
kompatibel sind, sind bekannt. Viele derartige Druckmessumformer enthalten Bestandteile, wie etwa Magnete, Spulen,
Schaltkreise, mechanische Schwingungselemente und Resonanz— kristalle. Zum Erzeugen von digitalen AusgangsSignalen ^
mit den bekannten Druckmessumformern sind auch Verfahren, wie beispielsweise Impuls-Drehmomentsignalgabe und Analog-Digital-Umwandlung,
bekannt.
Da beispielsweise Turbinentriebwerke und deren Steuerungen an Komplexität zunehmen und zunehmend ungünstigeren Umgebungen
ausgesetzt sind, besteht Bedarf an einem einfachen, nicht teueren,robusten
Druckmeßumformer, der mit den technologischen Fortschritten im Stand der Technik kompatibel ist. Die Verfügbarkeit
von kleinen, robusten, zuverlässigen und verhältnismässig billigen Digitalcomputern hat dazu geführt,
dass solche Computer in fortschrittlichen Turbinentriebwerkssteuerungen eine feste Verwendung gefunden haben. Bekannte
Druckmessumformer haben mit der Technologie der Turbinentriebwerke und deren Regelung nicht Schritt gehalten
und leiden unter Nachteilen, wie beispielsweise Kosten, Grosse, Leistungsaufnahme, Zuverlässigkeit und Empfindlichkeit
gegen Stösse, Schwingungen, elektromechanische Störung und Temperaturschwingungen. Viele bekannte Messumformer
haben analoge Ausgangssignale, die mit neuzeitlichen Digitalsystemen nicht direkt kompatibel sind und
zusätzliche elektronische Umwandlungseinrichtungen erfordern.
Die Erfindung verwendet die neueren Fortschritte in der Mikroelektronik und benutzt Oberflächenschallwellen als
ein Mittel zum Erfassen von Gas- oder Flüssigkeitsdruck in einer Weise, die mit Digitalsystemen kompatibel ist. Die
Verwendung von Oberflächenschallwellen führt zu einem Druckmessumformer, der klein, robust, billig in der Herstellung,
empfindlich und zuverlässig ist, und zwar infolge seiner
5 0 8 8 3 5 /10 3?
Herstellungsverfahren ih integrierter Elektronik, und
der einen niedrigen Leistungsbedarf hat. Der Messumformer kann ausserdem zum Abfühlen der Beschleunigung, der
Temperatur und der mechanischen Spannung oder Beanspruchung verwendet werden.
Bei der Erfindung werden Oberflächenschallwellenerscheinungen
zum Erzeugen einer Frequenz verwendet, die eine Funktion des ausgeübten äusseren Druckes oder der ausgeübten äusseren
Kraft ist. Da ein Frequenzausgangssignal unter Verwendung von Standardfrequenzzählschaltungen leicht in verschiedene
Digitalcodegruppen umgewandelt werden kann, ist die Erfindung in digitalen Systemen anwendbar. Die Erfindung macht
von einer einfachen Konfiguration Gebrauch, welche eine
dünne, biegsame Membran und mikroelektronische elektroakustische Messumformer umfasst, die auf gegenüberliegenden
Rändern der Membran hergestellt werden. Als ein Ergebnis des
ausgeübten äusseren Druckes oder der ausgeübten äusseren Kraft wird die Membran verformt, was zur Folge hat, dass
die Membranspannung und-weglänge geändert werden und ihrerseits bewirken, dass die Schallwellenausbreitungszeit zwischen
den Messumformern verändert wird. Wenn die Messumformer und
der Membranoberflächenwellenweg in einer Rückkopplungsschaltung
verbunden sind, die einen Verstärker enthält, kann die Schaltung mit einer Frequenz schwingen, die sich im
Verhältnis zur Membranverformung und damit zu dem ausgeübten
äusseren Druck oder der ausgeübten äusseren Kraft verändert. Obgleich im allgemeinen die Schaltung in einer
Anzahl von Schwingungstypen (Moden) schwingen könnte, welche
Vielfache der Grundfrequenz sind, die durch die Schalläufzeit über die Membran festgelegt ist, können die mikroelektronischen Messumformer leicht so aufgebaut werden, dass
sie als Filter arbeiten, die nur einen Schwingungstyp zulassen. Im typischen Betrieb sind die Änderungen in der
Schwingungsfrequenz aufgrund von Druck- oder Kraftänderungen
B0983B/10 3 7
im Vergleich zu der Modenfreguenz klein.
Die Erfindung kann ausserdem einen als Referenzweg bezeichneten zweiten Schallweg umfassen, welcher entweder
keine Membran oder eine Membran enthält, die einem unterschiedlichen ausgeübten Druck oder einer unterschiedlichen
ausgeübten Kraft ausgesetzt ist. Die ersten und zweiten Schallwege werden so hergestellt, dass sie die gleiche
geometrische Länge haben und eng nebeneinander angeordnet sind, so dass sie auf derselben Temperatur gehalten werden,
obgleich sich ihre gemeinsame Temperatur ändern kann. Eine zweite Rückkoppelungsschaltung, die aus zwei Messumformern,
dem Referenzweg und einem zweiten Verstärker besteht, schwingt mit einer als Referenzfreguenz bezeichneten zweiten
Freguenz. Durch Anlegen eines Abtastwerts der ersten und
zweiten Oszillatorspannungen an einen Halbleitermischer wird ein Differenzfreguenzausgangssignal erzielt, welches
zu dem Differenzdruck oder der Differenzkraft proportional ist, der bzw. die auf die ersten und zweiten Membranen ausgeübt
wird. Die Änderungen in der Oszillatorfreguenz, die durch Temperatur verursacht werden, führen jedoch dazu,
dass gleiche Änderungen mit demselben Vorzeichen in beiden Rückkopplungsschaltungen verursacht werden. Infolgedessen
wird das Differenzfreguenzausgangssignal temperaturunabhängig
sein.
Die Erfindung kann ausserdem mit nur einer kleinen Veränderung in der Membrankonfiguration als ein Beschleunigungsmesser
mit digitalem Ausgang verwendet werden. Ein kleines Materialstück mit der Masse M, wird an der Unterseite der
Membran befestigt, wo sich die Schallwellen nicht fortpflanzen. Wenn die Membran in ein Gehäuse eingeschlossen
ist, welches Druckänderungen eliminiert, so wird durch Beschleunigung der Masse M, und die äussere Beschleunigung
eine Verformung der Membran erzeugt. Wenn der Membranschallweg
509835/1037
und die zugeordneten Messumformer in einer Rückkopplungsschaltung mit einem Verstärker verbunden sind, kann die
Schaltung mit einer Frequenz schwingen, die sich im Verhältnis zu der ausgeübten Beschleunigung ändert. Wie zuvor,
kann eine Referenzmembran mit einer unterschiedlichen Masse M2 zusammen mit einer zugeordneten zweiten Rückkopplungs- ,
schaltung vorgesehen sein, damit sich eine Referenzschwingungsfrequenz
ergibt. Wenn die beiden Membranen so aufgebaut sind, dass sie dieselbe Temperatur erreichen, so wird die Differenzfrequenz,
die durch Anlegen von Abtastsignalen beider Rückkopplungsschaltungen
an einen Halbleitermischer erzielt wird, temperaturunabhängig sein.
Der Messumformer kann ausserdem zum Messen der Spannung oder Beanspruchung verwendet werden* indem die Membran oder
nur die Messumformer direkt auf die zu messende räumliche Oberfläche aufgeklebt werden.
Mehrere Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher
beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 in schematischer Form eine Seitenan
sicht des Druckmessumformers in geklebter Konfiguration,
Fig. 2 in schematischer Form eine Seitenan
sicht des Druckmessumformers in monolithischer Konfiguration,
Fig. 3 in Draufsicht eine schematische Dar
stellung des Druckmessumformers und der zugeordneten Rückkopplungsschaltung,
Fig. 4 in Seitenansicht eine schematische
509835/10 37
Darstellung des Druckmessumformers und der zugeordneten Rückkopplungsschaltung,
Fig. 5 - ein Schema des Druckmessumformers mit
einem verbesserten Elektrodenmuster zum Unterdrücken ausgewählter Frequenz-Moden,
Fig. 6A eine Draufsicht auf einen Zweikanal
druckmessumformer,
Fig. 6B eine schematische Darstellung des Druck
messumformers von Fig. 6A,
Fig. 7A eine Draufsicht auf einen gekapselten
Druckmessumformer,
Fig. 7B eine Seitenansicht des gekapselten
Druckmessumformers von Fig. 7A,
Fig. 8 eine Seitenansicht eines Hochtemperatur-
Druckmessumformers,
Fig. 9 . eine Seitenansicht eines zur Beschleunigungsmessung
abgewandelten Messumformers, und
Fig. 10 eine schematische Ansicht eines Mess
umformers, der zur Spannungs-Beanspruchung s-Messung verwendet wird.
Die grundlegende Druckmessumformer Konfiguration ist in den
Figuren 1 bis 4 dargestellt. Der Messumformer besteht aus einer druckabhängigen Oberflächenschallwellen-Verzögerungsleitung
und aus einer elektronischen Rückkopplungsschaltung,
welche eine durch den ausgeübten Druck festgelegte
509835/1037
—■ *7 ·■·
Schaltungsschwingungsfieqzuenz liefert.
Die druckabhängige Oberflächenschallwellenverzögerungs— leitung besteht aus einem stabilen Substrat 10, einer
dünnen, flexiblen Membran 12, die,einem Gasdruck P ausge- .
setzt werden kann, und zwei elektroakustischen Messumformern 14 und 16, die auf gegenüberliegenden Rändern der
Membranoberfläche hergestellt sind. Abhängig von der gewünschten Herstellungs- und Betriebsumgebung kann die Verzögerungsleitung
die eine oder andere der beiden Konfigurationen haben, die speziell in den Figuren 1 und 2 gezeigt
sind. Die Membran 12 in Fig. 1, die aus Metall, Dielektrikum,
einem Halbleitermaterial oder Gemischen dieser Materialien bestehen kann, ist mit der Oberfläche des Substrats 10
durch Kleben, Löten, Schweissen, Thermokompression oder andere Verbindungstechniken verbunden, oder die Membran
kann auf der Substratoberfläche durch Aufdampfen im Vakuum, HF-Zerstäubung oder chemisches Bedampfen aufgewachsen oder
aufgetragen sein. Das Material des Substrats ΙΟ, bei welchem
es sich ebenfalls um Metall, Dielektrikum oder Halbleitermaterial
handeln kann, wird so gewählt, dass es das gewünschte Herstellungsverfahren begünstigt. In dem Fall der
Herstellung mittels Kleben, in welchem die Membran 12 und
das Substrat 10 als zwei getrennte Bestandteile, gehandhabt
werden können, wird" das Loch oder die Öffnung in dem Substrat 10, welches die Seitenabmessungen der Membran
festlegt, gewöhnlich aus dem Substrat 10 ausgefräst oder ausgeschnitten, bevor die beiden Bestandteile verklebt werden.
Wenn man die Membran 12 auf der Oberfläche des Substrats aufwachsen lässt oder auf dieselbe aufträgt, wird das Loch
in dem Substrat durch Fräsen, Funkenerosion oder chemische Ätzverfahren gebildet, wie sie häufig bei der Herstellung
von mikroelektronischen Schaltungen angewendet werden.
Bei der monolithischen Konfiguration der Verzögerungsleitung,
509835/1037
die in Fig. 2 dargestellt ist, wird eine Membran 12 verwendet, die in einem monolithischen Substrat IO hergestellt
wird. Das Loch oder die Öffnung, welches die Membranseitenabmessungen festlegt, wird durch Fräsen,
Funkenerosion oder chemische Ätzverfahren hergestellt, wie oben erwähnt. Hier kann jedoch die Membrandicke dadurch
kontrolliert werden, dass die Öffnung nur teilweise in das Substrat 10 eingefräst wird und dass anschliessend
die obere Fläche geschliffen und poliert wird, bis die gewünschte Membrandicke erreicht ist.
Die elektroakustischen Messumformer, die in ihrer Gesamtheit mit 14 und 16 bezeichnet sind, werden auf der
Membran-Substrat-Oberfläche durch Anwendung von Standardverfahren der Mikroelektronik hergestellt. Wenn die Membran
12 ein Metall, Halbleiter oder nichtpiezoelektrisches Dielektrikum ist, wird ein Dünnfilmstreifen 18 aus piezoelektrischem
Material, wie beispielsweise ZnO, an den gewünschten Messumformerstellen hergestellt, vorzugsweise
durch HF-Zerstäubung. Ein Dünnfilm aus Cr/Au oder aus einem anderen Metall wird häufig aufgebracht, bevor das ZnO aufgebracht
wird, um die piezoelektrischen Eigenschaften des Messumformers zu verbessern. Die Schlüsselkomponente in
diesen elektroaktustischen Messumformern ist ein Muster aus Dünnfilmelektroden 20, welches durch Vakuumbedampfung
und Mikroelektronikmuster-Erzeugung auf der Oberseite des piezoelektrischen Dünnfilms 18 erzeugt wird. Dieses Metallmuster,
welches gewöhnlich aus Al besteht, hat Elektroden 20, die entweder in einem Interdigitalmuster oder in einem
Gittermuster angeordnet sind. In dem Fall des Interdigitalmusters,
der ausführlich in Fig. 3 gezeigt ist, ist die Breite d und der Abstand der Elektroden 20 so gewählt, dass
er ein Viertel der gewünschten Schallwellenlänge Λ (d.h. d ■ Λ /4) beträgt. Abwechselnde Elektroden sind
miteinander in dem Fall des Interdigitalmusters verbunden, wie am besten aus Fig. 3 ersichtlich. Andererseits ist das
50983 5/1037
Gittermuster (nicht dargestellt) so gewählt, dass die
Elektrodenbreite und der Elektrodenabstand gleich der Hälfte der gewünschten Schallwellenlänge ist ( d =Λ /2).
In dem Gittermuster sind sämtliche Elektroden parallel geschaltet und es ist wichtig, dass ein metallischer
leitender Film, eine leitende Membran oder ein leitendes Substrat unter dem piezoelektrischen Film vorhanden ist.
Der Messumformer wird fertiggestellt, indem Mikroelektronikklebedrähte zum Verbinden des Messuaformermusters mit dem
übrigen Teil der Druckmessumformerschaltung verwendet werden.
Eine andere elektroakustische Messumformerkonfiguration kann
verwendet werden, wenn das Membranmaterial nutzbar piezoelektrisch ist. Das Messumformer—Elektrodönmuster(Interdigital-
oder Gittertyp) kann dann, direkt auf der Membranoberfläche
hergestellt werden, ohne dass ein dazwischen liegender piezoelektrischer Film erforderlich ist» Die effiziente
Auslegung sämtlicher oben betrachteten Schallwellen-Messumformer ist in dem Aufsatz von R. M. White, "Surface
Elastic Waves", Proc. IEEE, !58, S. 1 238 - 1 276 (August 1970) beschrieben.
Im allgemeinen ist die Verwendung von piezoelektrischen Dünnfilmstreifen 18 von Fig. 1 vorzuziehen, weil die
Membran 12 dann im Sinne einer Optimierung ihrer mechanischen Eigenschaften gewählt werden kann, ohne dass der starke
Zwang besteht, dass sie auch eine nutzbare piezoelektrische
Kopplung besitzen muss. HF-Zerstäubtes ZnO ist ein interessantes piezoelektrisches Dünnfilmmaterial für viele Druckmessumformeranwendungen,
weil es an einer Vielzahl von Membranoberflächen fest haftet und weil es eine verhältnismässig
hohe piezoelektrische Kopplung hat. Beispielsweise können mit ZnO elektroakustische Hochleistungsmessumformer auf
Siliziummembranen hergestellt werden, sogar wenn das Silizium gut leitend ist, wenn ein Dünnfilm aus Cr/Au zuerst
509835/1037
- IO -
auf die Siliziumoberfläche aufgebracht wird. Das Silizium
kann vorher durch Standardmikroschaltungsverfahren dünner gemacht werden, und zwar bis auf eine Dicke in der Grössenordnung
von 0,002 Zoll (0,054 mm). Nach der Messumformerherstellung
kann das Silizium mit einem massiven Metallsubstrst verklebt werden, wie oben erläutert.
ZnO-Hochleistungsmessumformer 14 und 16 können auch für die
monolithische Verzögerungsleitungskonfiguration von Fig. hergestellt werden, bei welcher die Membran 12 zuerst aus
einem monolithischen Silizium-, Metall- oder dielektrischen Substrat 10 herausgeätzt oder -gefräst wird. Wiederum würde
zunächst eine Schicht aus Cr/Au normalerweise auf die Substratoberfläche aufgebracht werden, um die Herstellung
und den Wirkungsgrad des ZnO zu vergrössern.
Für die Hochtemperaturanwendungen in dem Bereich oberhalb 500 C kann erwartet werden, dass die Verwendung von
HF- zerstäubten Dünnfilmen aus AlN, die auf Saphirmembranen aufgebracht sind, von Bedeutung sind. Die AIN/Saphir-Konfiguration
hat eine verhältnismässig starke piezoelektrische Kopplung und zersetzt sich nicht bei Temperaturen
von mindestens bis zu 1 000 C.
Die Figuren 3 und 4 zeigen den Schaltungsaufbau, der bei der Erfindung zum Erzeugen einer Schaltungsschwingungsfrequenz
verwendet wird, die durch den ausgeübten äusseren Druck P festgelegt ist. Wenn eine Wechselspannung aus einer
nicht dargestellten Quelle an ein Klemmenpaar A angelegt wird, wird in dem linken elektroakustischen Messumformer
14 ein räumlich veränderliches elektrisches Feld erzeugt und Oberflächenschallwellen werden durch piezoelektrische
Wechselwirkung in den beiden Richtungen normal zu den Meßumformerelektroden
20 ausgesandt. Gewöhnlich ist es erwünscht, dass nur diejenigen Wellen benutzt werden, die
sich nach rechts zu der flexiblen Membran 12 ausbreiten.
509835/1037
Die in der entgegengesetzten Richtung ausgesandten Wellen können durch Aufrauhen der Oberfläche in dieser
Richtung absorbiert werden. Messumformer r.it li-vfcerdigital-
oder Gitterelektrodenmustern sind am wirksamsten bei Frequenzen in der Nähe der Synchronismusfrequenz f , die
festgelegt ist durch .
f = ν* / Λ
ο a ο
ο a ο
wobei ν die Oberflächenschallwellengeschwindigkeit der
3 .
Messumformer-Membran-Konfiguration und Λ die periodische
Elektrodenabmessung ist. Im allgemeinen arbeiten diese Messumformer wie Filter mit bevorzugten Durchlassbereichen
in der Nähe der Frequenz f . Im folgenden wird beschrieben, wie die Messumformer-Durchlassbereiche ausgelegt -werden
können, um den Betrieb des Druckmessumformers zu optimieren. Die der Frequenz f entsprechende Schallwellenlänge ist
Λ = ν /f . Da die Schallwellengeschwindigkeiten verhältnismässig klein sind, annähernd 3 000 m/s, sind die
Oberflächenschallwellenlängen sehr kurz, annähernd 30 Mikrometer für einen Betrieb mit 100 MHz. Da die Eindringtiefe
einer Oberflächenwelle auf ungefähr eine Wellenlänge begrenzt ist, kann die Membrandicke sehr dünn sein und
trotzdem eine Oberflächenlänge ohne Modenumwandlung und
die diese begleitende Verzerrung tragen. Infolgedessen können Membranen für den Oberflächenwellen-Druckmessumformer
sehr dünn gemacht werden, um die Empfindlichkeit der
Einrichtung in kleine Druckbereiche auszudehnen.
Oberflächenwellen, die durch den linken elektroakustischen Messumformer 14 in den Figuren 3 und 4 ausgesandt werden,
bewegen sich in einem Bündel oder Kanal über die Membran 12r und erreichen den rechten Messumformer 16, in welchem
eine piezoelektrische Wechselwirkung eine Wechselspannung an dem Klemmenpaar B ergibt. Wenn kein Gasdruck oder andere
mechanische Spannungen auf die Membran 12" ausgeübt werden, wird ein kurzer HF-Energieimpuls mit einer Frequenz nahe
der Frequenz f , der an das Klemmenpaar A angelegt wird,
509835/1037
das Klemmenpaar B mit einer Verzögerungszeit von
τ = i /v
po Apo a ο
po Apo a ο
erreichen, wobei^ und ν die Mitte-zu-Mitte-Weglänge
zwischen den elektroakustischen Messumformern 14 und 16 bzw. die mittlere Oberflächenschallwellengeschwindigkeit
bei einer Membranspannung Null sind. Es ist zweckmässig, die Verzögerungszeit τ in zwei Komponenten zu zerlegen
τ = τ + τ,
po eo do
po eo do
wobei τ und τ, die Verzögerungszeit für Wellen sind,
welche über den Teil des starren Substrats bzw. den Teil der flexiblen Membran des Verzögerungsweges hinweggehen.
Wenn die Membran aufgrund eines ausgeübten äusseren Druckes P gebogen ist, bleibt die Verzögerungszeit τ
konstant, aber die Membranverzögerung ist annähernd gegeben durch
Ί + a, P'+ ao P2 +
d ~ "do X Z
1 + P1 P + ß2 P2 +
wobei die Koeffizienten α, und ß, erhalten werden, indem
die Verzögerungsweg- und Geschwindigkeitsänderungen in Potenzreihenentwicklungen mit der Veränderlichen P ausgedrückt
werden. Für kleine Membranbiegungen können die Koeffizienten für ein bestimmtes Membranmaterial und eine
bestimmte Membrankonfiguration unter Verwendung der bekannten Biegeplattentheorie berechnet werden. Gute Angaben
darüber finden sich in dem Buch von Timoshenko und Woinowsky - Krieger, Theory of Plates and Shells, 2. Ausgabe,
McGraw Hill, 1959. Im allgemeinen werden die Ausdrücke
2
o. P und ß, P am grössten sein, während sie selbst für einen kleinen Druck P viel kleiner als Eins sein werden. Durch eine sorgfältige Auswahl von Membranparametern und -konfiguration ist es möglich, den Zustand zu erreichen, in welchem der
o. P und ß, P am grössten sein, während sie selbst für einen kleinen Druck P viel kleiner als Eins sein werden. Durch eine sorgfältige Auswahl von Membranparametern und -konfiguration ist es möglich, den Zustand zu erreichen, in welchem der
2 Ausdruck ß, P viel grosser ist als a_ P , wodurch sich eine
fast linieare Änderung der Verzögerungszeit mit dem Druck ergibt.
509835/1037
Wenn gemäss Fig. 3 und 4 die Verzögerungsleitungsklemmenpaare
A und B in einer Rückkopplungsanordnung mit einem Verstärker 26 verbunden sind und wenn die Verstärkung des
Verstärkers bis zu dem Punkt erhöht wird, an welchem die Verstärkung der Rückkopplungsschleife Eins überschreitet,
wird die Schaltung in einer oder mehreren Frequenzmoden schwingen, welche durch f festgelegt sind:
fn T Po + V*n = n
wobei φ die Phasenverzögerung des Verstärkers und η eine ganze Zahl ist. Da f ■ τ gewöhnlich viel grosser als φρ/2π für eine Verzögerungsleitungsrückkopplungsschaltung ist, wird sich die Frequenz der η-ten Mode wie τ / τ verändern.
wobei φ die Phasenverzögerung des Verstärkers und η eine ganze Zahl ist. Da f ■ τ gewöhnlich viel grosser als φρ/2π für eine Verzögerungsleitungsrückkopplungsschaltung ist, wird sich die Frequenz der η-ten Mode wie τ / τ verändern.
η po
Wenn der Ausdruck ß, P vorherrschend ist, wie oben beschrieben, wird sich die Frequenz der η-ten Mode annähernd
folgendermassen verändern: · -
fn = (n/ Tpo} f1 + Pl P)
Diese Gleichung gibt an, dass sich die Frequenz der n. Mode ,.
linear mit dem ausgeübten äusseren Druck verändert. In Versuchen mit einem Siliziummembran-Druckmessumformer,
dessen Membran einen Durchmesser von 6,5 mm und eine Dicke von 0,05 mm hat, ergeben sich die Werte η = 332, f = 166 MHz
und τ =2,0 -ps. Für den Koeffizienten ß, hat sich experimentell
annähernd —10 / Atmosphäre über dem Null zu Eins Ätmosphärendruckberexch ergeben. Die Ausgangsfrequenz des
Druckmessumformers nahm deshalb um annähernd 16,6 kHz über einer Druckänderung von einer Atmosphäre ab. Da die
Frequenz bis auf 1 Hz mit Mittenfrequenzen bis zu 500 MHz
mit Hilfe von elektronischen Standardeinheiten, wie beispielsweise dem Hewlett-Packard Modell 5 327 C, gezählt
werden kann, hat die vorliegende Erfindung potentielle Messgenauigkeiten in der Grössenordnung von O,Ol %.
Die Tatsache, das viele Frequenzmoden in der -Schaltung der
Figuren 3 und 4 erlaubt sein können, .konnte zu einem ernsten Problem werden, weil Instabilitäten dazu führen
509835/1037
2S05461
können, dass die Schaltung von Mode zu Mode springt, wodurch sich eine falsche Anzeige der Druckänderung ergibt.
Ein einfaches Verfahren, durch das Modeninstabilitäten verhindert werden, macht Gebrauch von einem Messumformeraufbau
mit vielen Elektroden und ist in ,Fig. 5 dargestellt. Die beiden Messumformer 14 und 16 sind mit derselben .Anzahl
von Elektroden versehen, die jedoch eine ganz unterschiedliche räumliche Verteilung haben. Der linke Messumformer
14 hat r Paare von Elektroden und hat deshalb eine Gesamtlänge in der Schallwellenausbreitungsrichtung von
r Λ . Der rechte Messumformer hat p/r Gruppen von Elektroden, wobei sämtliche Gruppen parallel sind, jede Gruppe s Paare
von Elektroden hat und der Mitte-zu-Mitte-Abstand dieser Gruppen gleich r Λ ist. Schliesslich ist der Mitte-zu-Mitte-Abstand
der beiden elektroakustischen Messumformer 14 und 16 so gewählt, dass er (p + r) Λ beträgt. Der Gesamtfrequenzgang,
der beim Durchgang durch die beiden Messumformer 14 und 16 erreicht wird, verändert sich annähernd
wie (sin X/X)2, wobei X = 2 π . q (f-f )/f und q = ρ + r ist.
Diese Messumformeranordnung liefert Minima in dem Frequenzgang der Rückkopplungsschleife bei den Frequenzen f ,
m ο
wobei m irdendeine von Null verschiedene ganze Zahl ist.
wobei m irdendeine von Null verschiedene ganze Zahl ist.
Wenn der Mitte-zu-Mitte-Abstand des Messumformers genau gleich g Λ = <3 (v /f ) gemacht wird, so ist f /q = 1/ τ
ο a ο ο ]P^
und der Messumformerfrequenzgang dämpft stark alle weiter oben beschriebenen Frequenzmoden f , mit Ausnahme der Mittenmode
f = ν / Λ . Die obige Messumformerkonstruktion wurde ο a ο
zuerst in England zum Stabilisieren von nichtdruckabhängigen Oberflächenschallwellen-Rückkopplungsoszillatoren verwendet
(vgl. Crabb, Lewis und Maines, "Surface Acoustic Wave Oscillators: Mode Selection und Frequency Modulation",
Electronics Lett., j3, 195-197, 17. Mai 1973). Messumformer
mit einer Vielelektroden-, Schmalbandcharakeristik wurden in dem Siliziummembran-Druckmessumformer verwendet, der
weiter oben beschrieben ist. Es wurden bei dieser Einrichtung
509835/1037
keine Modeninstabilitäten beobachtet.
Ein wichtiges Problem in vielen Einrichtungen, die Schallwellenerscheinungen
benutzen, ist die Änderung der Schallparameter und die Änderung der Schallverzögerung in Abhängigkeit
von der Temperatur. Ein linearer Temperaturkoeffizient in der Grössenordnung von 30 ppm/°C wird für
die meisten Verzögerungsleitungs- und Membranmaterialien beobachtet. Da die beobachteten Empfindlichkeiten für die
Erfindung in der Grössenordnung von 100 ppm/atm liegen, ist zu erwarten, daß eine Temperaturdrift ein ernstes Problem
darstellt. Die Figuren 6A und 6B zeigen eine einzigartige Zweischallkanal-Konfiguration, die Temperatureffekte wesentlich
verringern kann und ein druckabhängiges Frequenzausgangssignal ergibt, welches niedrig genug ist, damit es mit
billigen Zählern, die dem Fluke Model 1 941 A, gezählt werden kann. Die beiden Schallkanäle werden eng nebeneinander
auf demselben Substrat 10 hergestellt, so dass ihre Temperaturdifferenz sehr klein ist. Der Hauptkanal besteht
aus Messumformeranordnungen 14 und 16, die auf einem piezoelektrischen Dünnfilm 18 hergestellt und durch
eine Hauptmembran 12 getrennt sind, wie weiter oben beschrieben. Der Referenzkanal besteht aus Messumformeranordnungen
14' und 16', die auf demselben piezoelektrischen Dünnfilm 18 hergestellt und durcheine Refererizmembran 12'
getrennt sind. Im Idealfall sind die Membranen 12 und 12' gleich, damit gleichwertige Wärmestrahlungseigenschaften
sichergestellt sind. Es sind jedoch Vorkehrungen getroffen, dass unterschiedliche äussere Drücke auf die beiden Kanäle
ausgeübt werden. Wenn auf beide Kanäle kein Druck ausgeübt wird, ist die Oberflächenwellenverzögerung für beide
Kanäle die gleiche, und wenn gleiche Verstärker und Rückkopplungsverbindungen verwendet werden, sind die
Schwingungsfrequenzen f_ und f_ für den Druck Null für die
ir K.
Haupt- bzw. Referenzkanäle gleich. In der Praxis wird eine
509835/103 7
2505481
zwar kleine, aber konstante Differenzfrequenz aufgrund von Schaltungsunstimmigkeiten beobachtet. Diese Differenz
wird hier vernachlässigt- Himmt man an, dass die Rückkopplungsschaltungen
für die Haupt- und Referenzkanäle, welche die Verstärker 26 und 26' enthalten,-mit einem
Mischer 30verbunden sind, wie in Fig. 6B gezeigt, und dass das Differenzfreguenzausgangssignal f = f - f
JL/ ir x\
gewählt ist, da die beiden Kanäle beinahe gleich sind, so kann angenommen werden, dass ihre Frequenzen bei dem
Druck Null beinahe gleich sind (f - f ) und dass ihre
JrO KO
linearen Druckempfindlichkeiten beinahe gleich sind ( P1 P £^ ß^ R). Die abgegebene Differenzfrequenz ist
dann
fD- fRo * Pl · R · (PP - V
was zeigt, dass die grossen temperaturabhängigen Schalländerungen durch die Verwendung der Doppelkanalkonfiguration
und des Differenzfreguenzausgangssignals aufgehoben werden
können. Die Doppelkanaleinrichtung arbeitet wie ein Differenzdruckmessumformer,
das Ausgangssignal ist proportional zu (P- - P~). Wenn der Referenzkanaldruck konstant ge-
ir K
halten wird, dann wird das Ausgangssignal zu einem Mass des absoluten Druckes P . Das Differenzfreguenzausgangssignal
des Mischers 30 wird dann durch einen Frequenzzähler 32 (Fig. 6B) in ein digitales Ausgangssignal umgewandelt.
Oben ist stillschweigend angenommen worden, dass die Schallausbreitungsoberfläche
des Messumformers in einer Vakuumumgebung gehalten wird, so dass der gesamte Membrandruck
auf die Unterseite der Membran ausgeübt werden kann. Diese Annahme ist wichtig, weil die Oberflächenwelle gestört und
gedämpft werden kann, wenn die Ausbreitungsumgebung sich ändert oder aufgrund von Feuchtigkeit oder anderen Flüssigkeitseffekten
viskos ist. Wegen der Umgebungseinwirkungen muss Sorgfalt auf das Umhüllen der Erfindung Verwendet
werden, wenn ein zuverlässiger Betrieb erreicht werden soll.
509835/1037
Die Figuren 7A und 7B zeigen eine Möglichkeit, wie die Einrichtung zweckmässig montiert werden kann, um Umgebungseinflüsse
auszuschalten. Das Doppelkanalsubstrat 10, auf welchem die Messumformer 14, 14', 16 und 16' angebracht sind,
ist an dem Boden eines Mikroelektronik-Flachgehäuses (frlat-pak package) 34 befestigt, so dass die Oberflächenwellen-Ausbreitungsoberfläche
nach oben weist und die druckabhängigen Membranen 12 und 12' in getrennte Gasdruckkanäle
36 und 38 weisen. Das Flachgehäuse 34 kann zweckdienlich gross genug sein, um die Rückkopplungsschleifenverstärker
40 und den Ausgangsschaltungsmischer 42 aufzunehmen, die in geeigneter Weise mit den Messumformern
verbunden sind. Nach dem Montieren dieser Bauteile und dem Herstellen der Mikroelektronik-Anschlussverbindungen
44 kann der Flachgehäusedeckel im Vakuum oder in einer leichten Inertgasatmosphäre aufgeschweisst werden. Der
Flachgehäusedeckel kann einen Befestigungszapfen 46 haben,
damit der Messumformer in den verschiedensten Anwendungsfallen
zweckmässig montiert werden kann.
Da in der Druckmessumformer-Verzögerungsleitungskonfiguration
nur stabile, pas-sive Materialien verwendet werden, kann sie
potentiell bei sehr hohen Temperaturen betrieben werden, beispielsweise bei Temperaturen von 1 000 C. Solche
Temperaturen wären für einen zuverlässigen Betrieb der elektronischen Rückkopplungsverstärker zu hoch, die gewöhnlich
auf einen Betrieb bei 100 °C oder niedriger begrenzt sind. Fig. 8 zeigt eine Durchgangskonfiguration,
die erlaubt, dass der Doppelkanal-Druckmessumformer in einer HochtemperaturUmgebung arbeitet, während die Rückkopplungsschaltung
etwas davon entfernt unter relativ niedrigen Temperaturbedingungen arbeiten kann. Das Substrat
10, auf welchem die geeignete Verzögerungsleitung einschliesslich der akustischen Messumformer hergestellt ist und
509835/1037
welches eine Membran 12 enthält, ist innerhalb einer Steckanordnung 50 angebracht, wobei der Stecker auf seiner
Aussenseite mit Gewinde versehen ist, so dass er in einer Befestigungswand 52 montiert und durch eine Gegenmutter
54 gesichert werden kann. Ein Durchlass 56 verbindet die Membran 12 mit dem zu messenden Druck P. Die elektrischen
Verbindungen mit den Messumformern sind durch Kanäle 58 hindurch zu der gegenüberliegenden Seite der Wand 52 geführt,
wo Verbindungen mit einem Verstärker 60 und den anderen elektronischen Bauteilen hergestellt sind. Für die elektrischen
Verbindungen können bei Bedarf Dichtungen vorgesehen sein. Eine Deckplatte 62, die auf dem Stecker 50 befestigt ist,
schützt die Verzögerungsleitung vor der Umgebung. Der dem Substrat benachbarte Raum ist evakuiert oder mit Inertgas
gefüllt. Auf diese Weise kann die Membran über den Durchlass 56 zu einer Hochtemperaturumgebung hin offen sein, wie beispielsweise
einem Turbinentriebwerk, in welchem ein Druck gemessen werden soll, während der Verstärker 60 und andere
wärmeempfindliche Bauteile sich auf einer viel niedrigeren. Temperatur befinden können. Zum Verbinden der Verzögerungsleitung
und der Rückkopplungsverstärker könnte ein warmfestes Koaxialkabel verwendet werden, es könnten sogar
mehrere Fuß Kabel verwendet werden, da die Verzögerungszeit für das Kabel nur. Nanosekunden pro Fuss (30,5 cm) beträgt,
während die Verzögerung der Verzögerungsleitung eine Mikrosekunde oder mehr beträgt.
Die Grundkonfiguration für
den Oberflächenschallwellen-Druckmessumformer kann ausser zur Druckmessung auch zum Messen von anderen Grossen verwendet
werden.Die Schallausbreitung ist gewöhnlich gegenüber Temperaturänderungen sehr empfindlich. In der Doppelkana!konfiguration
ändert sich die Rückkopplungsschaltungsfrequenz in jedem Kanal annähernd linear, wenn der Druck
konstant gehalten wird. In einem ganz anderen Anwendungsfall könnte die in Fig. 9 dargestellte, leicht abgewandelte
Konfiguration zur Beschleunigungsmessung verwendet werden.
509835/ 1037
An der Membran von Fig. 1 und 2 ist nun eine Massenbelastung
M im Mittelpunkt der Membran 12 befestigt, so dass eine Kraft F = M.a,wobei a die Beschleunigung ist, auf
die Membran ausgeübt wird. Die Gesamtheit von Membran und Substrat sind zwar nun in ein Vakuum oder eine leichte
Inertgasatmosphäre eingeschlossen, um einen Membrandruck aufgrund von äusseref Gasbelastung zu beseitigen, die
grundlegende Verzögerungsleitung und Rückkopplungsoszillatorschaltung sind jedcch unverändert. Da die Oszillatorfrequenz
in annähernd linearer Beziehung zu der auf die Membran ausgeübten Gesamtkraft steht, wird sich das Frequenzausgangssignal
der Einrichtung nun im Verhältnis zu der ausgeübten Beschleunigung verändern. Eine Doppelkanalkonfiguration
mit unterschiedlichen Massenbelastungen M, und M~ in den beiden
Kanälen könnte verwendet werden, um Temperaturänderungen
aufzuheben.
Die Grundkonfiguration kann auch verwendet werden, um
Messungen von mechanischer Spannung-Beanspruchung in situ auszuführen. In diesem Fall wird die Messumformerkonfiguration
von Fig. 1 und 2 entweder direkt auf der zu messenden räumlichen Oberfläche hergestellt, wie in Fig. 10 gezeigt,
oder die dünne Membran mit zugeordneten Messumformern wird gleichmässig mit der Messfläche verklebt. In Fig. 10 sind
die Messumformer 14 und 16 direkt auf der Oberfläche einer
Platte 50 angebracht, die aufgrund eines Biegemoments M^
unter mechanischer Spannung steht.
Die Phasenverzögerung zwischen den Messumformern wird eine Funktion der mechanischen Oberflächenspannung sein,
wie es weiter oben bei der Beschreibung des Betriebs des Druckmessumformers beobachtet wurde. Wie zuvor, ist die
Messumformerkonfiguration mit einer Rückkopplungsverstärkerschaltung
verbunden, damit ein von der mechanischen·Spannung
509835/1037
abhängiger Frequenzwert erhalten wird. Ausserdem ist für
Anwendungen auf den meisten Konstruktionsmaterialoberflächen die Beziehung zwischen ' echanischer Spannung und Beanspruchung
bekannt. Somit kann die Grundkonfiguration einen genauen Messwert der Oberflächenbeanspruchung liefern. Der Hauptvorteil
des in Fig. 10 dargestellten Spanriungs- Beanspruchungs-Fühlers gegenüber anderen Lösungen ist: 1) direktes Herstellen
auf oder Verkleben mit der Messfläche, um eine stabile Messkonfiguration
zu schaffen. 2) Möglichkeit eines Betriebs bei sehr hoher Temperatur, wie beispielsweise in dem kritischen
Nachbrennerbereich eines Strahltriebwerks, und 3) Kompatibilitat
mit digitalen Systemen.
Hält man die Membran oder die Wellenausbreitungsoberfläche
gegenüber Änderungen des ausgeübten Druckes oder mechanischen Spannung isoliert, so kann die Einrichtung nach der Erfindung
zum Abfühlen der Temperatur verwendet werden. Die Rückkopplungsschaltungsfrequenz wird sich in dieser Anordnung
dann ungefähr linear als eine Funktion der Temperatur verändern, und zwar aufgrund der mit Temperaturänderungen
auftretenden Expansion in der Membran oder der Wellenausbreitungsoberfläche.
Die Einrichtung kann ausserdem als Mengenflußmessgerät
zum Messen der Strömung entweder von Gasen oder von Flüssigkeit verwendet werden. Das wird erreicht, indem
die Strömung derart auf die Membran geleitet wird, dass sich die Strömung nach dem Hinweggehen über die Membran
oder an der Berührungsstelle mit der Membran umkehrt. Die Momentänderung führt zu einer auf die Membran ausgeübten
Kraft, die zu dem Moment proportional ist, welches seinerseits gleich der Masse pro Längeneinheit der Strömung
multipliziert mit der Geschwindigkeit der Strömung ist. Somit wird die Geschwindigkeit gemessen, wenn die Massendichte
509835/1037
der Strömung bekannt ist.
Im Rahmen der Erfindung bietet sieb, dem Fachmann über die
beschriebenen Ausführungsbeispiele hinaus eine Vielzahl von Vereinfachungs- und Verbesserungsmöglichkeiten.
5098 35/1037
Claims (18)
- Patentansprüche :Messumformer/ gekennzeichnet durch ein Substrat mit einer flexiblen Membran, durch Einrichtungen zum Übertragen-einer Reihe von Oberflächenschallwellen über das Substrat einschliesslich der flexiblen Membran, und durch eine Einrichtung zum Messen der Zeitverzögerung in der Ausbreitung der Reihen von Oberflächenschallwellen über das Substrat, welche durch Verformung der flexiblen Membran in Abhängigkeit von einem äusseren Zustand hervorgerufen wird.
- 2. Messumformer nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine elektronische Rückkopplungseinrichtung, die mit der Messeinrichtung verbunden ist und ein Signal erzeugt, dessen Frequenz eine Funktion der Verformung der Membran ist.
- 3. Messumformer nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zum Ausüben eines äusseren Druckes auf die flexible Membran, um diese zu verformen, wobei das Signal eine Funktion dieses Druckes ist.
- 4. Messumformer nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch eine an der flexiblen Membran befestigte und gemeinsam mit dieser bewegbare Masse.
- 5. Messumformer nach einem der Ansprüche 1 bis 3, insbesondere zur Druckabfühlung, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtungen zum Übertragen einer Reihe von Oberflächenschallwellen enthalten:erste und zweite Messumformer, die auf dem Substrat auf gegenüberliegenden Seiten der Membran hergestellt sind, Einrichtungen zum Betätigen des ersten Messumformers, um eine erste Reihe von Oberflächenschallwellen zu erzeugen, die sich über das Substrat einschliesslich der Membran fortpflanzen und den zweiten Messumformer kreuzen,509835/1037und dass die Zeitmesseinrichtung eine elektronische Rückkopplungsschaltung enthält, die mit den ersten und zweiten Messumformern zum Erzeugen eines ersten Frequenssigrials verbunden ist, welches die Zeitverzögerung in der Fortpflanzung der ersten Reihe von Schallwellen über das Substrat angibt, die durch die Verformung der Membran in Abhängigkeit von'einem ausgeübten Druck hervorgerufen wird.
- 6. Messumformer nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch dritte und vierte Messumformer, die auf dem Substrat angebracht sind, durch eine Einrichtung zum Betätigen des dritten Messumformers, um eine zweite Reihe von Oberflächen-Schallwellen mit derselben Frequenz wie die erste Reihe zu erzeugen, die sich über das Substrat fortpflanzen und den vierten Messumformer kreuzen, durch eine Einrichtung zum Erzeugen eines zweiten Frequenzsignals, welches die Zeitverzögerung in der Fortpflanzung der zweiten Reihe von Schallwellen zwischen den dritten und vierten Messumformern angibt, und durch eine Einrichtung zum Vereinigen der ersten und zweiten Frequenzsignale, um ein Ausgangssignal zu erzeugen, welches den ausgeübten Druck anzeigt.
- 7. Messumformer nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch eine zweite flexible Membran, die in dem Substrat zwischen den dritten und vierten Messumformern enthalten ist, wobei die zweite Reihe von Oberflächenschallwellen die zweite Membran kreuzt, und durch eine Einrichtung zum Ausüben eines Druckes auf die zweite Membran, der von dem Druck verschieden ist, der auf die Membran zwischen den ersten und zweiten Messumformern ausgeübt wird, wobei das Ausgangssignal die Differenz zwischen den ausgeübten Drücken anzeigt.
- 8. Messumformer nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch509835/1037gekennzeichnet, dass die ersten und zweiten Messumformer mehrere auf dem Substrat hergestellte Elektroden enthalten.
- 9. Messumformer nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat ein dielektrisches Material ist und dass eine dünne Schicht aus einem piezoelektrischen Material auf dem Substrat zwischen dem Substrat und den Elektroden hergestellt ist.
- 10. Messumformer nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das piezoelektrische Material ZnO ist.
- 11- Messumformer nach einem der Ansprüche 5 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran eine dünne Schicht aus flexiblem Material umfasst, die auf der Oberseite des Substrats physikalisch befestigt ist.
- 12. Messumformer nach einem der Ansprüche 5 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran aus demselben Material wie das Substrat hergestellt ist.
- 13. Messumformer nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung zum Vereinigen der ersten und zweiten Freguenzsignale eine elektronische Mischschaltung ist.
- 14. Messumformer nach Anspruch 13, gekennzeichnet durch eine Freguenz-Digital-Umsetzungseinrichtung, die mit der Mischschaltung verbunden ist/ um das Ausgangssignal in ein Digitalsignal umzusetzen, welches den ausgeübten Druck anzeigt.
- 15. Messumformer nach Anspruch 1 zur Druckmessung in einer HochtemperaturUmgebung, gekennzeichnet durch eine Befestigungsanordnung für das Substrat, durch einen ersten509835/1037Durchlass in der Befestigungsanordnung, damit die Membran einer Hochtemperatur-Druck-Umgebung ausgesetzt ist, wobei der Druck eine Verformung der Membran bewirkt, durch einen zweiten Durchlass in der Befestigungsanordnung, wobei ein Ende des zweiten Durchlasses in der Nähe des Substrats offen ist und wobei das andere Ende des Durchlasses zu einer Umgebung hin offen ist, die im wesentlichen kühler als die Hochtemperatur-Druck-Umgebung ist, und dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung zum Messen der Zeitverzögerung in der Ausbreitung der Reihen von Oberflächenschallwellen' über das Substrat, die durch Verformung der Membran verursacht wird, eine elektrische Einrichtung ist, die in der im wesentlichen kühleren Umgebung angeordnet und mit dem Substrat über den zweiten Durchlass elektrisch verbunden ist.
- 16. Messumformer nach Anspruch 1 zur Beschleunigungsmessung, dadurch gekennzeichnet, dass an der flexiblen Membran eine mit dieser gemeinsam bewegbare Masse befestigt ist und dass die Zeitverzögerungsmesseinrichtung die Zeitverzögerung in der Ausbreitung der Reihen von Oberflächenschallwellen über das Substrat misst, die durch Verformung der flexiblen Membran in Abhängigkeit von einer Beschleunigungskraft hervorge-* rufen wird.
- 17. Messumformer nach Anspruch 1 zur Spannungs-Beanspruchungs-Messung, dadurch gekennzeichnet, dass Mittel zum Verkleben des Substrats mit der räumlichen Oberfläche vorgesehen sind, deren Oberflächenspannung gemessen werden soll, und dass die Zeitverzögeruncjlhesseinrichtung die Zeitverzögerung in der Ausbreitung der Reihen von Oberflächenschallwellen über das Substrat misst, die durch Verformung der flexiblen Membran in Abhängigkeit von einer mechanischen Spannung in der räumlichen Oberfläche erzeugt wird.50983 5/1037
- 18. Messumformer nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtungen zum Übertragen einer Reihe von Oberflächenscha1lweIlen enthalten:erste und zweite Messumformer, die auf der Oberfläche des Materials hergestellt sind, dessen mechanische Oberflächen·; spannung zu messen ist,Einrichtungen zum Betätigen des ersten Messumformers, um eine Reihe von Oberflächenschallwellen zu erzeugen, die sich über das Material ausbreiten und den zweiten Messumformer kreuzen, und dass die Zeitverzögerungsmesseinrichtung mit den ersten und zweiten Messumformern verbunden ist, damit die Zeitverzögerung in der Ausbreitung der Reihen von Oberflächenschallwellen über das" Material gemessen wird, die durch eine mechanische Spannung in dem Material erzeugt wird.509835/1037
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/445,193 US3978731A (en) | 1974-02-25 | 1974-02-25 | Surface acoustic wave transducer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2505461A1 true DE2505461A1 (de) | 1975-08-28 |
| DE2505461C2 DE2505461C2 (de) | 1987-03-26 |
Family
ID=23767943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2505461A Expired DE2505461C2 (de) | 1974-02-25 | 1975-02-10 | Meßumformer zum Bestimmen einer ein Substrat verformenden Meßgröße |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3978731A (de) |
| JP (1) | JPS626174B2 (de) |
| CA (1) | CA1029122A (de) |
| DE (1) | DE2505461C2 (de) |
| FR (1) | FR2262288B1 (de) |
| GB (1) | GB1486377A (de) |
| IT (1) | IT1031931B (de) |
| SE (1) | SE417870B (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2831270A1 (de) * | 1977-07-20 | 1979-02-01 | Nippon Soken | Vorrichtung zur temperaturmessung |
| DE2757577A1 (de) * | 1977-12-23 | 1979-06-28 | Gould Inc | Ein unter verbindung von oberflaechenwellen arbeitender kraftmessfuehler mit digitalausgabe |
| DE112004002281B4 (de) * | 2003-11-27 | 2016-12-22 | Kyocera Corp. | Drucksensorvorrichtung |
Families Citing this family (79)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4175243A (en) * | 1977-11-17 | 1979-11-20 | Corbett James P | Temperature compensated oscillating crystal force transducer systems |
| FR2443067A1 (fr) * | 1978-11-30 | 1980-06-27 | Thomson Csf | Accelerometre a ondes elastiques de surface |
| US4454440A (en) * | 1978-12-22 | 1984-06-12 | United Technologies Corporation | Surface acoustic wave (SAW) pressure sensor structure |
| US4216401A (en) * | 1978-12-22 | 1980-08-05 | United Technologies Corporation | Surface acoustic wave (SAW) pressure sensor structure |
| FR2451026A1 (fr) * | 1979-03-09 | 1980-10-03 | Thomson Csf | Capteur de pression a ondes elastiques de surface |
| FR2454616A1 (fr) * | 1979-04-18 | 1980-11-14 | Thomson Csf | Capteur de pression a ondes elastiques de surface et systeme d'allumage pour moteur a combustion interne mettant en oeuvre ce capteur |
| US4265124A (en) * | 1979-06-04 | 1981-05-05 | Rockwell International Corporation | Remote acoustic wave sensors |
| FR2467388A1 (fr) * | 1979-10-12 | 1981-04-17 | Thomson Csf | Dispositif de mesure de debit d'un fluide et systeme senseur du debit d'air dans un moteur a combustion interne mettant en oeuvre un tel dispositif |
| GB2071848B (en) | 1980-02-28 | 1984-05-23 | Marconi Co Ltd | Mass flow measurement device |
| US4747309A (en) * | 1980-10-02 | 1988-05-31 | Imperial Chemical Industries Plc | Structures and methods of testing them with linear microphones |
| US4342971A (en) * | 1980-12-30 | 1982-08-03 | E-Systems, Inc. | Continuously variable surface acoustic wave delay line |
| US4359498A (en) * | 1981-04-20 | 1982-11-16 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Transducer structure employing vertically walled diaphragms with quasi rectangular active areas |
| GB2117115B (en) * | 1982-03-23 | 1985-11-06 | Standard Telephones Cables Ltd | Surface acoustic wave accelerometer |
| US4512198A (en) * | 1982-09-29 | 1985-04-23 | Schlumberger Technology Corporation | Surface acoustic wave sensors |
| US4586382A (en) * | 1982-09-29 | 1986-05-06 | Schlumberger Technology Corporation | Surface acoustic wave sensors |
| US4566084A (en) * | 1982-09-30 | 1986-01-21 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Acoustic velocity measurements in materials using a regenerative method |
| FR2546303B1 (fr) * | 1983-05-20 | 1985-07-05 | Thomson Csf | Capteur de forces a ondes elastiques de surface |
| US4479070A (en) * | 1983-06-10 | 1984-10-23 | Sperry Corporation | Vibrating quartz diaphragm pressure sensor |
| JPS60122303A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-29 | Agency Of Ind Science & Technol | 歪計 |
| US4565096A (en) * | 1983-12-09 | 1986-01-21 | Rosemount Inc. | Pressure transducer |
| CS267053B1 (en) * | 1985-06-24 | 1990-02-12 | Capek Jan | Palpable sensing element for robot |
| DE4229487A1 (de) * | 1992-09-03 | 1994-03-10 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und System zum Auswerten des Signals eines Drucksensors in einem Kraftfahrzeug |
| JPH0671364U (ja) * | 1993-03-19 | 1994-10-07 | サンワ車輌株式会社 | 運搬車 |
| US5477156A (en) * | 1993-10-21 | 1995-12-19 | The Regents Of The University Of California | Detonation wave detection probe including parallel electrodes on a flexible backing strip |
| DK79198A (da) * | 1998-06-11 | 1999-12-12 | Microtronic As | Fremgangsmåde til fremstilling af en transducer med en membran med en forudbestemt opspændingskraft |
| US6370964B1 (en) * | 1998-11-23 | 2002-04-16 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Diagnostic layer and methods for detecting structural integrity of composite and metallic materials |
| US6453757B1 (en) | 1999-05-06 | 2002-09-24 | M&Fc Holding Company | Symmetrical ultrasound gas flow meter housing and related multi-configuration gas flow meter assembly |
| US6345683B1 (en) | 2000-04-06 | 2002-02-12 | Nortek Usa, Llc | System and method for an improved device for measuring water levels |
| US6609430B1 (en) * | 2000-05-09 | 2003-08-26 | Shrinivas G. Joshi | Low profile transducer for flow meters |
| US7330271B2 (en) * | 2000-11-28 | 2008-02-12 | Rosemount, Inc. | Electromagnetic resonant sensor with dielectric body and variable gap cavity |
| US6523414B1 (en) * | 2001-04-16 | 2003-02-25 | Zevex, Inc. | Optical pressure monitoring system |
| RU2244908C2 (ru) * | 2002-02-19 | 2005-01-20 | Заренков Вячеслав Адамович | Устройство для дистанционного измерения давления |
| US6810750B1 (en) | 2002-03-20 | 2004-11-02 | Invocon, Inc. | Encoded surface acoustic wave based strain sensor |
| GB0305461D0 (en) * | 2003-03-10 | 2003-04-16 | Transense Technologies Plc | Improvements in the construction of saw devices |
| WO2003104759A1 (en) * | 2002-06-08 | 2003-12-18 | Lg Innotek Co.,Ltd | Saw sensor device using slit acoustic wave and method thereof |
| DE10343498A1 (de) * | 2003-02-07 | 2005-05-04 | Univ Leipzig | Verfahren zur Feststellung wenigstens eines Zustandsparameters eines Dichtungssystems sowie Dichtungssystem |
| US20040159166A1 (en) * | 2003-02-13 | 2004-08-19 | Schiller Peter J. | Solid-state piezoelectric motion transducer |
| US6907787B2 (en) * | 2003-04-30 | 2005-06-21 | Honeywell International Inc. | Surface acoustic wave pressure sensor with microstructure sensing elements |
| US7100451B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-09-05 | Sawtek, Inc. | Surface acoustic wave sensing system and method for measuring pressure and temperature |
| US6868731B1 (en) * | 2003-11-20 | 2005-03-22 | Honeywell International, Inc. | Digital output MEMS pressure sensor and method |
| JP4511206B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2010-07-28 | 京セラ株式会社 | 圧力センサモジュール |
| JP4511208B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2010-07-28 | 京セラ株式会社 | 圧力センサモジュール |
| JP4511207B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2010-07-28 | 京セラ株式会社 | 圧力センサモジュール |
| JP4511216B2 (ja) * | 2004-02-26 | 2010-07-28 | 京セラ株式会社 | 圧力センサモジュール |
| US7000298B2 (en) * | 2004-04-20 | 2006-02-21 | Honeywell International Inc. | Method a quartz sensor |
| US7198981B2 (en) * | 2004-10-21 | 2007-04-03 | Honeywell International Inc. | Vacuum sealed surface acoustic wave pressure sensor |
| JP2006268578A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 情報提供システムおよび画像形成装置 |
| US7140261B2 (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-28 | Honeywell International Inc. | Acoustic wave flow sensor |
| US20070051176A1 (en) * | 2005-09-08 | 2007-03-08 | Honeywell International Inc. | Passive hybrid lc/SAW/BAW wireless sensor |
| DE602005027072D1 (de) * | 2005-09-16 | 2011-05-05 | St Microelectronics Srl | Druckwandler mit akoustischen Oberflächenwellen |
| JP4345984B2 (ja) * | 2005-11-11 | 2009-10-14 | Necトーキン株式会社 | 振動検知方法、振動検知システム、バッテリレス振動センサ及び質問器 |
| TWI330461B (en) * | 2006-01-12 | 2010-09-11 | Ind Tech Res Inst | Surface acoustic wave bio-chip |
| JP5138246B2 (ja) * | 2006-03-21 | 2013-02-06 | ラディ・メディカル・システムズ・アクチェボラーグ | 圧力センサ |
| US8157527B2 (en) * | 2008-07-03 | 2012-04-17 | United Technologies Corporation | Airfoil with tapered radial cooling passage |
| US8572844B2 (en) * | 2008-08-29 | 2013-11-05 | United Technologies Corporation | Airfoil with leading edge cooling passage |
| US8303252B2 (en) * | 2008-10-16 | 2012-11-06 | United Technologies Corporation | Airfoil with cooling passage providing variable heat transfer rate |
| GB2465577A (en) * | 2008-11-21 | 2010-05-26 | Vestas Wind Sys As | Monitoring device for a wind turbine |
| US8109725B2 (en) | 2008-12-15 | 2012-02-07 | United Technologies Corporation | Airfoil with wrapped leading edge cooling passage |
| US8317392B2 (en) * | 2008-12-23 | 2012-11-27 | Honeywell International Inc. | Surface acoustic wave based micro-sensor apparatus and method for simultaneously monitoring multiple conditions |
| JP5310572B2 (ja) * | 2010-01-13 | 2013-10-09 | 凸版印刷株式会社 | 圧力センサ |
| RU2415392C1 (ru) * | 2010-02-15 | 2011-03-27 | Открытое акционерное общество "Авангард" | Устройство для дистанционного измерения давления |
| US8486020B2 (en) | 2010-08-11 | 2013-07-16 | Zevex, Inc. | Pressure sensor and method of use |
| US7954387B1 (en) * | 2010-08-18 | 2011-06-07 | General Electric Company | Ultrasonic transducer device |
| KR20130139957A (ko) | 2010-10-01 | 2013-12-23 | 제벡스, 아이엔씨. | 주입 펌프용 압력 감시 시스템 |
| US8752436B2 (en) | 2010-10-01 | 2014-06-17 | Zevex, Inc. | Pressure sensor seal and method of use |
| JP2012189333A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-10-04 | Seiko Instruments Inc | センサ |
| JP4853596B1 (ja) * | 2011-03-15 | 2012-01-11 | オムロン株式会社 | 酸化金属膜を備えたセンサおよびその利用 |
| CN103926017A (zh) * | 2013-01-14 | 2014-07-16 | 北京中讯四方科技股份有限公司 | 一种基于特殊石英材料的声表面波温度传感器 |
| US9702772B2 (en) | 2014-03-26 | 2017-07-11 | Mnemonics, Inc. | Surface acoustic wave (SAW) based strain sensor |
| CN106840056A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-06-13 | 电子科技大学 | 一种双声表面波应变传感器及其设计方法 |
| CN110462558A (zh) * | 2017-07-19 | 2019-11-15 | 深圳纽迪瑞科技开发有限公司 | 一种压力感应装置及压力感应设备 |
| CN109427975B (zh) * | 2017-08-23 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性基板及其制备方法、检测弯曲的方法以及柔性显示装置 |
| EP3995795A1 (de) * | 2018-04-30 | 2022-05-11 | Sonion Nederland B.V. | Vibrationssensor |
| BE1026684B1 (fr) | 2018-10-05 | 2020-05-07 | Safran Aero Boosters Sa | Pièce de machine d’aéronef intégrant au moins un capteur de pression |
| US11143561B2 (en) * | 2018-12-05 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Passive microphone/pressure sensor using a piezoelectric diaphragm |
| US11835414B2 (en) | 2018-12-05 | 2023-12-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Passive pressure sensor with a piezoelectric diaphragm and a non-piezoelectric substrate |
| CN110044538B (zh) * | 2019-04-09 | 2020-10-09 | 重庆大学 | 一种液体作用下圆形薄膜最大应力的确定方法 |
| CN111023957B (zh) * | 2019-12-20 | 2021-05-28 | 北京航空航天大学 | 一种耐高温径向位移传感器装置 |
| WO2022030356A1 (ja) * | 2020-08-06 | 2022-02-10 | 株式会社村田製作所 | 変形量検知装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3241373A (en) * | 1961-04-17 | 1966-03-22 | Magnavox Co | Static safety and arming device |
| US3575050A (en) * | 1968-12-04 | 1971-04-13 | Panametrics | Fluid flowmeter |
| US3587297A (en) * | 1968-09-25 | 1971-06-28 | Us Navy | Apparatus for precise stress measurement |
| US3723915A (en) * | 1969-04-17 | 1973-03-27 | Zenith Radio Corp | Acoustic surface wave device |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2938386A (en) * | 1957-04-08 | 1960-05-31 | Bell Telephone Labor Inc | Method and apparatus for measuring predetermined pressures |
| US3513430A (en) * | 1968-06-19 | 1970-05-19 | Tyco Laboratories Inc | Semiconductor strain gage transducer and method of making same |
| US3580057A (en) * | 1969-06-19 | 1971-05-25 | Univ Utah | Probe device usable in measuring stress |
| US3812709A (en) * | 1972-02-09 | 1974-05-28 | Thermo Electron Corp | Stress gage |
| US3863497A (en) * | 1972-10-24 | 1975-02-04 | Sperry Rand Corp | Acoustic delay surface wave motion transducers |
| US3848144A (en) * | 1973-04-11 | 1974-11-12 | Sperry Rand Corp | Acoustic delay surface wave motion transducer systems |
-
1974
- 1974-02-25 US US05/445,193 patent/US3978731A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-09-10 CA CA208,869A patent/CA1029122A/en not_active Expired
-
1975
- 1975-01-21 GB GB2612/75A patent/GB1486377A/en not_active Expired
- 1975-02-07 FR FR7503836A patent/FR2262288B1/fr not_active Expired
- 1975-02-10 DE DE2505461A patent/DE2505461C2/de not_active Expired
- 1975-02-21 IT IT20501/75A patent/IT1031931B/it active
- 1975-02-21 SE SE7501968A patent/SE417870B/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-02-24 JP JP50022695A patent/JPS626174B2/ja not_active Expired
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3241373A (en) * | 1961-04-17 | 1966-03-22 | Magnavox Co | Static safety and arming device |
| US3587297A (en) * | 1968-09-25 | 1971-06-28 | Us Navy | Apparatus for precise stress measurement |
| US3575050A (en) * | 1968-12-04 | 1971-04-13 | Panametrics | Fluid flowmeter |
| US3723915A (en) * | 1969-04-17 | 1973-03-27 | Zenith Radio Corp | Acoustic surface wave device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2831270A1 (de) * | 1977-07-20 | 1979-02-01 | Nippon Soken | Vorrichtung zur temperaturmessung |
| DE2757577A1 (de) * | 1977-12-23 | 1979-06-28 | Gould Inc | Ein unter verbindung von oberflaechenwellen arbeitender kraftmessfuehler mit digitalausgabe |
| DE112004002281B4 (de) * | 2003-11-27 | 2016-12-22 | Kyocera Corp. | Drucksensorvorrichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1029122A (en) | 1978-04-04 |
| DE2505461C2 (de) | 1987-03-26 |
| IT1031931B (it) | 1979-05-10 |
| FR2262288B1 (de) | 1980-05-09 |
| AU7735175A (en) | 1976-07-22 |
| FR2262288A1 (de) | 1975-09-19 |
| SE7501968L (de) | 1975-08-26 |
| US3978731A (en) | 1976-09-07 |
| JPS50120673A (de) | 1975-09-22 |
| GB1486377A (en) | 1977-09-21 |
| JPS626174B2 (de) | 1987-02-09 |
| SE417870B (sv) | 1981-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2505461A1 (de) | Messgroessenumformer | |
| DE3741568C2 (de) | ||
| DE2221062C3 (de) | Kapazitiver Druckwandler | |
| DE69111118T2 (de) | Schwingungserkennung eines Mikrobalkens durch eine Hülle. | |
| DE69936794T2 (de) | Halbleiterdrucksensor und vorrichtung zur erfassung von drucken | |
| DE60108217T2 (de) | Kornwachstumsverfahren zur herstellung einer elektrischen verbindung für mikroelektromechanische systeme (mems) | |
| DE69211504T2 (de) | Halbleiter-Druckwandler mit zwei Membranen | |
| DE19701055B4 (de) | Halbleiter-Drucksensor | |
| EP0455070B1 (de) | Kapazitiver Sensor mit Frequenzausgang | |
| DE69308298T2 (de) | Messgerät-herstellungsverfahren | |
| DE2052356B2 (de) | Quarzresonator-Druckmesswertwandler | |
| DE2709945A1 (de) | Kapazitiver druckwandler und verfahren zu dessen herstellung | |
| CH701162B1 (de) | Elektro-akustischer Sensor für Hochdruckumgebungen. | |
| DE2503781A1 (de) | Verfahren zur herstellung von druck-messwertwandlern in halbleiterbauweise | |
| WO2007028810A1 (de) | Vorrichtung mit piezoaküstischem resonatorelement und integriertem heizelement, verfahren zu dessen herstellung und verfahren zur ausgabe eines signals in abhängigkeit einer resonanzfrequenz | |
| DE19601078C2 (de) | Druckkraftsensor | |
| DE69714204T2 (de) | Druckmessgerät | |
| WO1991000522A1 (de) | Vorrichtung zur messung mechanischer kräfte und kraftwirkungen | |
| DE69627970T2 (de) | Drucksensor mit rechteckigen Schichten und senkrechtem Wandler | |
| DE19820208C2 (de) | Piezoelektrischer Schwinger | |
| EP1922809B1 (de) | Vorrichtung mit piezoakustischem resonatorelement und deren verwendung zur ausgabe eines signals in abhängigkeit einer resonanzfrequenz | |
| DE69505383T2 (de) | Verwendung eines strömungsmessgerätes als mikrofon und system mit einem solchen mikrofon | |
| DE2326064A1 (de) | Seismische trosse | |
| DE10147911A1 (de) | Beschleunigungssensor | |
| DE102013211378A1 (de) | Mikromechanische Feuchtesensorvorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren sowie mikromechanische Sensoranordnung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| 8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: UNITED TECHNOLOGIES CORP., HARTFORD, CONN., US |
|
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition |