DE2505063A1 - Verfahren und vorrichtung zur feststellung von fotomaskendefekten - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zur feststellung von fotomaskendefektenInfo
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Description
«2 WIESBADEN · SONNENBERGER STRASSE 43 · TEL (04121) «2943, «1998 MÖNCHEN
VJestern Electric Company, Incorporated
New York, N. Y., USA Cuthbert 5-1-2
Verfahren und Vorrichtung zur Peststellung von Potomaskendefekten
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und. eine Vorrichtung zur Peststellung von Defekten in einer Fotomaske* die im wesentlichen ein Muster geradliniger Kanten aufweist.
Ein grundsätzliches Hilfsmittel bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen,
insbesondere bei integrierten Siliciumhalbleiterschaltungen, ist die Fotomaske. Diese besteht typischerweise
aus einem lichtundurchlässigen Metallmuster, das auf einem lichtdurchlässigen Substrat wie Glas gebildet ist. Fotomaskenmuster,
insbesondere jene, welche zur Festlegung von integrierten Schaltungen verwendet werden, setzen sich im allgemeinen aus
geradlinigen Kanten zusammen. Solche Fotomasken können Halbleiterbereiche repräsentieren, die für Dotierstoffeinbringung, Metall,-niederschlag,
selektive Schichtentfernung oder dergleichen zu maskieren oder nicht zu maskieren sind. Um eine respektable
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ORlGlNAL INSPECTED
Schaltungsausbeute zu erreichen, müssen die Fotomasken eine sehr niedrige Defektdichte aufweisen.. Da winzige Defekte
kritisch sein können, stellt die Maskenprüfung ein schwieriges Problem dar.
Es sind verschiedene optoelektronische Methoden zur Prüfung von Fotomaskenmustern entwickelt worden. Einige Methoden
schließen für einen Vergleich die Verwendung von Holografie oder angepaßten Filtern ein. Es sind auch Anordnungen
entwickelt worden, die eine Musterprüfung dadurch ausführen, daß das Muster in einer Rasterabtastung bestrichen wird. Bei
einer Anordnung ist die Prüfung weitgehend beschrankt auf Muster mit senkrecht angeordneten Musterteilen, wobei Defekte
dadurch festgestellt werden, daß beim Abtasten des Musters anomale Pulsbreiten auftreten. Bei einer anderen Anordnung
wird von der Musterredundanz Gebrauch gemacht, die einer Mutter- oder Vorlagemaske einer integrierten Schaltung innewohnt,
um die Prüfung durchzuführen. Bei einer solchen Anordnung werden zwei Abtastleuchtpunkte verwendet, und die Information
von den beiden Leuchtpunkten wird zum Auffinden der Defekte verglichen.
Räumliche Filteranordnungen machen Gebrauch von dem Beugungsmuster, das durch eine Beleuchtung des gesamten Musters einer
Fotomaske für integrierte Schaltungen erzeugt wird, Bei diesen Anordnungen wird ein möglichst breites Strahlenbündel verwen-
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det, um eine maximale Anzahl identischer Maskenmuster integrierter Schaltungen gleichzeitig zu beleuchten. Ein
in der Fourier-Ebene angeordnetes räumliches Filter sperrt dann das von gültigen wiederholten Merkmalen stammende
Licht, während, es das von einzelnen Defekten, stammende-Licht
durchläßt. .
Mit Ausnahme der Pulsbreitenmethode umfassen alle diese
Anordnungen Vergleichsmethoden, für welche perfekte oder
Musterfotomasken oder -filter erforderlieh sind, und ferner *
ist eine präzise Ausrichtung oder Orientierung für den Prüfvorgang
nötig. Demgemäß bedarf es einer Prüfanordnung, die absolut und in dem Sinn vollständig flexibel ist, daß sie
keine Vergleichsanordnung zur Bestimmung- des Vorhandenseins von Defekten benötigt, aber dennoch die Beschränkungen und
Begrenzungen des Pulsbreitenverfahrens überwindet.
Des weiteren können Methoden mit räumlicher Filterung beeinflußt
werden durch Dickenschwankungen der Fotomaskensubstrate. Deshalb ist es erwünscht, daß eine optische Fotomaskenprüfung
unabhängig von annehmbaren Substratdickenschwankungen ist.
Obige Probleme werden erfindungsgemäß mit einem Verfahren gelöst,
das sich dadurch auszeichnet, daß die Fotomaske mit einem dünnen Lichtfleck von einem kohärenten Lichtstrahlenbündel abgetastet wird, das Jeweils höchstens zwei eine-
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Ecke des Musters bildende Kanten beleuchtet, daß das die beleuchteten Potomaskenteile passierende und von diesen
gebeugte Licht gesammelt wird, daß das gesammelte Licht einer Fotodetektoranordnung zugeführt wird, und daß die
elektrischen Signale der Fotodetektoranordnung zum Erhalt einer Anzeige für die Abtastung eines Defekts verarbeitet
werden. Ferner weist die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens eine Quelle eines kohärenten
Lichtstrahlenbündels mit einer Lichtfleckgröße, mit der jeweils höchstens zwei eine Ecke des Musters bildende- Kanten
beleuchtbar sind, auf, eine Abtastvorrichtung zum Führen des Strahlenbündels über die Fotomaske, ein sammelndes Mittel
zum Sammeln des die Fotomaske passierenden und von dieser gebeugten Lichtes, und mehrere Fotodetektoren zum Umsetzen des
gesammelten Lichtes in Signale, die das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein eines Fotomaskenfehlers anzeigen.
Ein Vorteil der vorliegenden Erfind.ung liegt darin, daß ein Musterprüfνerfahren mit einem hohen Grad an Flexibilität
erreicht wird.
Ein weiterer erfindungsgemäßer Vorteil liegt darin, daß eine
Methode zum Feststellen von Defekten in Mustern entwickelt
ist, bei welcher ein Vergleich mit einem perfekten Muster nicht erforderlich ist.
Ein weiterer erfindungsgemäßer Vorteil liegt darin, daß das
Erfordernis irgendeiner speziellen Ausrichtmg zwischen dem
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zu prüfenden Muster und dem Ablenkstrahlenbündel eliminiert ist. ·
In der Zeichnung zeigen: ^
Fig. 1 ein s'chematisches Diagramm einer erfindungsgemäßen
optischen Anordnung;
Fig. 2 ein detaillierteres schematisches Diagramm eines
Teils der optischen Anordnung zur Trennung und Messung des
Ausgangsstrahlenbündels; c
FIg. J>&. ein schematisches Diagramm zur Darstellung der
Beugungswelle an einem Rand;
Fig. j3b eine schematische Ansicht des durch die Konfiguration der Fig. ."5a erzeugten Beugungsmusters;
Fig. 4a, 4b und 4c Diagramme zur Darstellung unterschiedlicher Situationen des mit einer Kante in Wechselwirkung
stehenden Abtastflecks;
Fig. 4a,, 4b, und 4c, die den Situationen der Fig. 4a,
4b und 4c entsprechenden Beugungsmuster;
Fig. 5a, 5b und 5c Diagramme, die denen der Fig. 4a, 4b und 4c ähnlich sind und eine Wechselwirkung des Abtastflecks
mit Ecken darstellen;
Fig. 5a-, 5b, und 5c, entsprechende Beugungsmuster; Fig. 6a bis 6f Formen von Defekten in Fotomasken;
FIg. 6a, bis 6f, Beugungsmuster entsprechend diesen Defekten; und .
Fig. 7, 8 und 9 Fotodetektoranordnungen, die für die
praktische Durchführung der Erfindung geeignet sind.
■ ■- 6 50.9 83 2/0 8.10
Bei einem erfindungsgemäßen AusfUhrungsbeispiel wird ein kleiner Bereich des zu prüfenden Musters unter Verwendung
eines fokussierten kohärenten Lichtstrahlenbündels beleuchtet. Insbesondere ist-der diesen schmalen Bereich beleuchtende
Lichtfleck kleiner als die kleinste charakteristische oder Merkmalsabmessung des Musters. Das den kleinen beleuchteten
Bereich passierende und durch diesen gebeugte Licht wird gesammelt und einer Fotodetektoranordnung zugeführt. Wenn der
beleuchtete Bereich eine Kante oder Kanten, im Fall einer Ecke, beleuchtet, wird ein charakteristisches Beugungsmuster
erzeugt. Dieses Beugungsmuster wird einer Fotodetektoranordnung zugeführt, deren Ausgangssignale analysiert werden, um
zwischen dem Vorhandensein einer gültigen Kante und einer defekten Kante zu unterscheiden. Bei den hier interessierenden
Mustern sind gültige Kanten im wesentlichen geradlinig, wohingegen
die Kanten von Defekten, meist nicht geradlinig sind.
Bei der praktischen Ausführung wird der Lichtfleck rasterartig
über das zu untersuchende Fotomaskenmuster geführt» und alle
resultierenden Beugungsmuster werden Kontinuierlich analysiert. Die Analyse umfaßt lediglich den grundsätzlichsten der Vergleiche,
der zwischen den durch geradlinige Kanten erzeugten Beugungsmustern und jenen Mustern besteht, die von unregelmäßigen
Rändern oder Defekten herrühren.
Ein weiteres Merkmal einer erfindungsgemäßen AusfUhrungsform
besteht darin, einen Abtastkompensationsspiegel vorzusehen,
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um das momentane Beugungsbild feststehend zu machen für die Zuführung zur Fotodetektoranordnung und für die Analyse
durch diese. Demzufolge repräsentiert die zeitliche Änderung des Musters die Tatsache, daß der Lichtfleck über das zu
prüfende Muster geführt wird.
Ein weiteres Merkmal ist die Verwendung einer Fotodetektoranordnung
oder eines Fotodetektorfeldes, so daß die Analyse der Beugungsmuster dadurch ausgeführt wird, daß das Verhält- nis
zwischen den Mengen auf verschiedene Fotodetektoren auffallenden Lichtes betrachtet wird. Bei einer Betriebsart kann
dies einen Vergleich der beobachteten maximalen und minimalen Werte umfassen. Diesem Merkmal untergeordnet sind optische
Anordnungen zum Aufteilen des das Beugungsmuster darstellenden Lichtstrahlenbündels in getrennte Teile, die von der Fotodetektoranordnung
aufgenommen werden.
Eine optische Anordnung zur Durchführung der erfindungsgemäßen
Fotomaskenprüfung ist in Fig. 1 gezeigt. Ein Fleck kohärenten Lichtes, das von einem Laser 11 erzeugt und mittels
einer Linse 12 fokussiert ist, wird in einem Raster über die Fotomaske 14 geführt, und zwar durch die Bewegung eines Abtastspiegels
13· Das die Fotomaske 14 passierende Licht wird
durch eine Linse 15 gesammelt und auf einen Abtastkompensationsspiegel
16 gerichtet. Bekanntlich ist es für die gewünschte Strahlenbündelfokussißrung erforderlich, daß der Abtastspiegel
- 8 5 0.9 83 2/0810
I^ von der Linse 12 einen Abstand von einer Brennweitenlänge
aufweist und die Fotomaske 14 von der anderen Seite der Linse 12 eine Brennweitenlänge entfernt ist. Dieselben
Abstandsverhältnisse gelten hinsichtlich der Linse 15/ der
Fotomaske 14 und des Abtastkompensationssplegels l6. Ferner
werden Abtast- und Abtastkompensationsspiegel mit exakt derselben Frequenz aber mit einer Phasenverschiebung von l80°
bewegt, so daß am Ausgang des Abtastkompensationsspiegels l6 ein Lichtstrahlenbündel auftritt, dessen Richtung feststehend
ist, dessen Verteilung jedoch zeitlich veränderlich ist. Demgemäß ist das Ausgangssignal des Abtastausgangsspiegels
ein bewegungsloses Beugungsmuster. Dieses Muster enthält als Folge der Streuung und Reflexion an den verschiedenen
Linsenoberflächen unerwünschtes oder nicht kollimiertes Licht. Dieses Licht wird dadurch entfernt, daß das Strahlenbündel
fokussiert und durch eine Apertur 18 geführt wird. Das Strahlenbündel
passiert dann eine Linse 19, die zu seiner erneuten Kollimierung dient und das Beugungsmuster wieder herstellt,
Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird das erneut kolli-1
mierte Lichtstrahlenbündel von Linse 19 in drei Teile aufgeteilt,
nämlich einen Kern- oder Mittenteil, einen Zwischenringteil und einen Außenringteil. Dies wird durch eine Spiegelanordnung bewirkt, die in Fig. 1 schematisch und in Fig.
in vergrößerter Form dargestellt ist.
Es sei nun insbesondere Fig. 2 betrachtet· Ein Mittelspiegel
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31 nimmt das Mittel- oder Gleiehstromstrahlenbündel auf und richtet dieses über dine Linse 21 auf einen Fotodetektor
22. Ein Spiegel 32 nimmt einen Innenring des Strahlenbündels
auf und richtet das Licht über eine fokussierende Linse 23 auf
einen Fotodetektor 24. Der Außenringteil des Lichtstrahlenbündels wird von 12 Segmentspiegeln 25 aufgenommen, die dieses
Licht auf die Fotodetektoren 26 reflektieren. '
Auf diese Weise wird das Lichtstrahlenbündel durch optische Mittel in separate Teile getrennt, wobei jeder Teil auf einen
Fotodetektor gerichtet wird. Bekanntlich erzeugt die Intensität des auf einen gegebenen Detektor fallendem Lichtes einen
analogen Strom, der in eine Spannung umgesetzt und geeignet verstärkt werden kann. Die Ausgangssignale der verschiedenen
Fotodetektoren werden auf analoge und digitale Schaltungen
gegeben, um zu bestimmen, ob ein vorhandenes Beugungsmuster das Vorhandensein eines Defektes anzeigt oder nicht.
Die oben beschriebene spezielle AusfUhrungsform, bei welcher
optische Mittel das Lichtstrahlenbündel teilen, ergibt gewisse Vorteile, wie die Verwendung einzelner kleiner Fotodetektoren,
die im allgemeinen schneller ansprechen als Fotodetektoren mit größerer Fläche. Die Erfindung hängt jedoch nicht von der oben beschriebenen besonderen Anordnung
ab· Alternativ dazu kann der Abtastkompensationsspiegel 16
durch eine ausgedehnte Fotodetektoranordnung ersetzt werden,
. - 10 -
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auf welche das fokussierte Lichtstrahlenbündel direkt auf- .
trifft. Bei einem solchen Aufbau muß die Fotodetektoranordnung in einem Abstand von einer Brennweitenlänge von der
Linse 15 angeordnet sein, und es ist wichtig, daß dar maximale Winkel, mit welchem das Lichtstrahlenbündel abgelenkt
wird/ klein ist. Bei einem solchen Aufbau kann die Fotodetektoranordnung ein im wesentlichen ebenes Fotodetektorfeld
aufweisen, um eine gleiche Funktion zu erzielen, wie sie
durch die Fotodetektoren 22, 24 und. 26 der Fig. 2 erhältlich
der
ist. Das funktionelle Äquivalent ebenen Anordnung kann so sein, wie es Fig. 9 zeigt. Selbstverständlich umfaßt der Ausdruck Fotodetektoranordnung sowohl planar angeordnete als auch mehr verteilt angeordnete Fotodetektoren, wie es beispielsweise die Ausführungsform der Fig. 1 zeigt.
ist. Das funktionelle Äquivalent ebenen Anordnung kann so sein, wie es Fig. 9 zeigt. Selbstverständlich umfaßt der Ausdruck Fotodetektoranordnung sowohl planar angeordnete als auch mehr verteilt angeordnete Fotodetektoren, wie es beispielsweise die Ausführungsform der Fig. 1 zeigt.
Ebenso kann eine Fotodetektoranordnung einfach jenseits der Kollimatorlinse 19 angeordnet werden. Jede der obigen Anordnungen
kann je nach Kompliziertheitsgrad und gewünschter Ansprechgeschwindigkeit
gewählt werden. Die Erfindung soll hier insbesondere im Hinblick auf die bevorzugte, in den Figuren
und 2 dargestellte Ausführungsform beschrieben werden, bei welcher eine Vielzahl einzelner Detektoren zum Empfang von
Teilen des aufgeteilten und getrennten Licirtstrahlenbündels angeordnet ist.
Im Betrieb einer erfindungsgemäßen Prüfanordnung hat das von
- 11 -
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der Abtastlinse 12 auf die Fotomaske 14 auftreffende Licht drei Möglichkeiten: Es kann geradlinig durch einen
durchsichtigen Bereich hindurchgehen; es kann vollständig durch einen lichtundurchlässigen Bereich gesperrt werdenjoder
es kann durch eine Kante oder einen Winkel teilweise gesperrt und auch gebeugt werden. Es ist für die vorliegende Erfindung
wichtig, daß der fokussierte Lichtfleck einen Durchmesser hat, der kleiner als die kleinste charakteristische Abmessung
des zu prüfenden Musters ist. Dabei bezieht sich die charakteristische
Abmessung beispielsweise auf die Breite eines.durchlässigen oder undurchlässigen Streifens auf der Fotomaske. Im
Fall eines Gauß*sehen Strahlenbündels, beispielsweise von
einem im TEQQQ-Moden arbeitenden Laser, ist der interessierende
Durchmesser gleich dem Abstand zwischen den l/e Intensitätspunkten.
Die Bedeutung dieser Beziehung zwischen Lichtfleckgröße'und charakteristischer Abmessung besteht
darin, sicherzustellen, daß der Lichtfleck Jeweils lediglich eine gültige Kante oder Ecke des Musters beleuchtet. Vorliegend
soll die Bezugnahme auf eine Kante des Musters eine : Ecke einschließen. ' .-."·-
Immer wenn das Ausgangssignal des Abtastkompensationsspiegels
16 ein Beugungsmuster umfaßt, wird es durch die weiteren Teile der in den Fig. 1 und 2 dargestellten optischen Anordnung und
eine zusätzliche elektronische Anordnung verarbeitet, wie es
im folgenden ausführlicher erläutert wird. Defekte unterschei-
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-IS-
den sich von gültigen Kanten erfindungsgemäß dadurch, daß
die gültigen Kanten zugeordneten Beugungsmuster bestimmte Bedingungen erfüllen, welchen die Defekten zugeordneten
Beugungsmuster nicht Genüge tun.
Die Existenz dieser Bedingungen läßt sich besser verstehen,
aufgrund einer auf der Theorie der Wellenbeugung an Rändern beruhenden Erläuterung. Gemäß dieser Theorie setzt sich das
einer Apertur zugeordnete Beugungsfeld aus der Summe zweier Komponenten zusammen. Die erste ist eine geometrische Komponente
und weist diejenige Lichtverteilung auf, welche aufgrund der geometrischen Optik zu erwarten ist. In der Fourier-Ebene
bewirkt diese Komponente einen intensiven Mittelfleck im Beugungsmuster. Dieser wird oft als Gleichstrom- oder Nullfrequenzkomponente
des optischen Spektrums bezeichnet.
Die zweite Komponente des Beugungsfeldes ist die Rand-Beugungswelle,
die vom physikalischen Kantenbereich der Apertur austritt. Jeder kleine Abschnitt der Kante kann aufgefaßt werden
als Ursprung einer Huygen'sehen Elementarwelle,
deren Intensität proportional ist sowohl zur Intensität des einfallenden Lichtes als auch zu anderen Parametern wie
Kantenrauhigkeit und Lichtundurchlässigkeitsgradient. Für eine endliche Kantenlänge interferiereTi die Elementarwellen
addierend und sich auslöschend, um tfie makroskopische
Rand-Beugungswellenfront zu erzeugen. Dies ist schematisch dargestellt in Fig. 3a für die Halbebene ζ = O, y
> 0, die
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mittels zur z-Achse parallel verlaufenden Lichtes gleichmäßig beleuchtet ist. Die Huygen'sehen Elementarwellen
wirken zur Erzeugung einer mit der x-Achse koaxial verlaufenden zylindrischen Welle zusammen. Nach einer Pourier-Transförmation
durch eine geeignete optische Anordnung führt diese Rand-Beugungswelle zu dem in Fig. "5b schematisch
gezeigten Beugungsmuster. Eine ausführlichere Erläuterung der Theorie der Wellenbeugung an Rändern findet sich
in "Principles of Optics" von Max Born und Emil Wolf, insbesondere
auf den Seiten 449 bis
Wie oben angegeben steht der Lichtfleck jeweils nur mit einer Kante eines Mustermerkmals in Wechselwirkung, so daß die
Form der Wechselwirkung lediglich vom senkrechten Abstand vom Lichtfleck bis zur Kante abhängt. Einige verschiedene
Situationen erläutern dies für den abgelenkten Lichtfleck,
wie er in den Fig. 4a, 4b und 4c gezeigt ist. In diesen
Figuren ist der Annäherungsabstand χ in Jedem Fall identisch,
so daß die Verteilungen des gebeugten Lichtes in der Fourier-Ebene,
die in den Fig. 4a., 4b. und 4c. dargestellt sind, abgesehen von einem Rotationsfaktor ebenfalls identisch sind.
Jedoch ist, wenn der Lichtfleck zur Kante hin schwenkt, die
zeitliche Abhängigkeit von χ für diese drei Fälle sehr verschieden.
In Fig. 4a ändert sich x(t) sehr rasch, wohingegen x(t) in Fig. 4c zeitunabhängig ist. Folglich existiert die
in Fig. 4a. dargestellte spezielle Beugungsmusteramplitude
viel kürzer als diejenige in Fig. 4C1.'
- 14 -
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Die Theorie der Wellenbeugung an Rändern kann dazu .verwendet
werden, die Lichtverteilung in. der Fourier-Ebene und deren Abhängigkeit von χ vorauszusagen. Wie bereits
bemerkt, ist die Stärke der Rand-Beugungswelle, die von einem Punkt auf einer geradlinigen Kante ausgeht, proportional
zur Amplitude der an diesem Punkt eintreffenden Welle. Die Lichtverteilung in derjenigen Komponente des
Beugungsfeldes, welche der Rand-Beugungswelle zugeordnet ist, ist immer dieselbe, wenn man von einer Maßstabsfunktion
absieht, die vom Verhältnis des Annäherungsabstandes χ zum Lichtfleckdurchmesser O abhängt.
Die Wechselwirkung eines Lichtflecks mit einer 9O°-Ecke ist
in den Fig. 5a und 5b gezeigt. In einer guten ersten Näherung
steht der Lichtfleck mit den beiden geradlinigen, die Ecke bildenden Kanten so in Wechselwirkung, als wären diese
Kanten unendlich lang, so daß sich das in den Fig. 5a. und 5b. dargestellte Beugungsmuster ergibt. In Fig. 5b, ist die
der Kante AB zugeordnete Beugungsmusterkomponente stärker als diejenige von AC, und zwar weil zum einen dem Strahlenbündel
ein längeres Kantensegment ausgesetzt ist, und weil zum anderen die Lichtintensität in der Nähe des Zentrums
des Gavß'sehen Lichtflecks größer ist..
Es wird nun eine Korrektur zweiter Ordnung der obigen Beschreibung einsr Beugung an einer scharfen Ecke betrachtet.
Gemäß dem Überlagerungsprinzip breiten sich die von den
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- 15 -
beiden die Ecke bildenden Kanten ausgehenden zylindrischen
Wellen je unabhängig aus. In der Betrachtungsebene (in diesem Fall der Fourier-Ebene) interferieren sie Jedoch und
bewirken dadurch, daß die beobachtete Lichtverteilung sich von derjenigen unterscheidet, welche ansonsten auftreten
würde. Bei einer 90°-Ecke breiten sich die zylindrischen
Wellen rechtwinkelig zueinander aus, so daß sich die Phasendifferenz·
zwischen den Wellen an jedem Punkt in der Fourier-Ebene, ausgenommen in der Nähe des Ursprungs, sehr rasch mit
der Position ändert. Folglich kann sich keine zusätzliche Wellenfront mit bedeutender Amplitude bilden. Sehr nahe am
Ursprung ändert sich die Phasendifferenz mit der Position
langsamer (d. h., die zylindrischen Oberflächen überlappen sich stärker), und es entsteht eine bezeichnend niedrige
Amplitude. Bei einer spitzwinkligeren Ecke, wie sie in Fig. 5c
dargestellt ist, überlappen sich die Oberflächen der auftretenden zylindrischen Wellenfronten beträchtlich mehr als bei
einer 9O°-Ecke. Dies bewirkt, daß etwas mehr Licht in die in
den Fig. 5a,, 5b. und 5c, als G bezeichneten Bereiche· gelangt,
welche in der ersten Näherung vollständig dunkel sind.
Einen weiteren Grund dafür, daß die mit G bezeichneten Bereiche
in den Fig. 5a^, 5b1 und 5c. Lieht empfangen, stellt
der endliche Krümmungsradius dar, den wirkliche Ecken aufweisen.
Im Fall einer sehr scharfen Ecke ist die von der
Spitze ausgehende Rand-Beugungswelle.im wesentlichen kugel-
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förmig aber von geringer Amplitude, da die zugeordnete
Peripherie sehr klein ist. Deswegen empfangen die Bereiche G folglich im wesentlichen kein Licht. Andererseits weist
die Rand-Beugungswelle für eine abgerundete Ecke eine'aushat
geprägtere Keule in Vorwärtsrichtung auf und/aufgrund ihrer
größeren Peripherie eine größere Amplitude. Folglich können räumliche Frequenzen in der Nähe des Ursprungs (d. h. Bereiche
G in den Figuren 5a., 5b, und 5C1) Licht empfangen,
wobei die Menge vom Krümmungsradius der Ecke abhängt.
Es werden nun charakteristische Beugungsmuster typischer Defektformen betrachtet. Fig. 6a zeigt einen durch den Lichtfleck
beleuchteten praktisch runden, lichtundurchlässigen Defekt. Wenn der Fleck ein gleichmäßiges Intensitätsprofil
aufweist, ist das gebeugte Licht dem einer Airy-Scheibe gleich, und das Licht wird, wie in Fig. 6a- gezeigt, stark
in hohe räumliche Frequenzen gebeugt. Wenn der Durchmesser des Defektes groß ist, wie in Fig. 6b, nimmt die relative
Amplitude des in hohe räumliche Frequenzen gestreuten Lichtes ab, wie es in Fig. 6b, angedeutet ist.
Defekte haben selten die in den Fig. 6a und 6b dargestellten runden Formen. Typischer sind Defektformen, wie sie in den
Fig. 6c bis 6f dargestellt sind, deren Beugungsmuster die Fig. 6c, bis 6f, zeigen. Übliche Defekte haben Kanten, die
im Vergleich zu denen gültiger Merkmale stark zerklüftet sind. Wenn das Maß dieser Zerklüftetheit mehr als einige ■
5 0.9 8 3 2 / 0 8 1 0 " 1? "
Wellenlängen tief ist, wird Licht stark in hohe räumliche '
Frequenzen gestreut. Im Fall eines kleinen, annähernd
runden, zerklüfteten Defektes, wie in Fig. 6c, folgt die Lichtverteilung noch annähernd der Airy-Funktion, hat jedoch
eine beträchtlich größere Amplitude, als sie ein entsprechendes
glattes Nadelloch verursachen würde.
Die Streuung in hohe räumliche Frequenzen infolge eines Defektes,
wie des in Fig. 6 gezeigten, ist stark,-und-zwar sowohl aufgrund
des Vorhandenseins zweier etwa paralleler Kanten innerhalb des Lichtfleckdurchmessers als auch wegen der Zerlelüftetin
heit der Kanten. Im Fall der Fig. 6e,/welchem ein Teil des
Merkmals fehlt, ist die resultierende Stärke der Streuung in hohe räumliche Frequenzen nicht so groß wie in Fig. 6d, aber
wegen der Rauhigkeit übertrifft sie noch die Stärke für eine gültige geradlinige Kante. Fig. 6f zeigt eine gelegentlich
unangenehme Situation, bei welcher ein schmaler Defekt in die
Nähe einer gültigen Kante fällt. Neben den überlagerten Beugungsmüstern, die der gültigen Kante und dem Defekt zugeordnet
sind, tritt zusätzliches gebeugtes Licht auf, das durch die Nahwirkung verursacht wird. Dies entsteht aufgrund des
schmalen Spaltes, der zwischen dem Defekt und der gültigen Kante gebildet ist.■
Methoden, mit denen Defekte von gültigen Merkmalen aufgrund
der oben beschriebenen Beugungsmusterdifferenzen" unterschieden
- 18 5 0-9832/ 08 1 G
werden, verwenden Fotodetektoranordnungen, wie sie als
Beispiele die Fig. 7, 8 und 9 zeigen. .
In der Anordnung nach Fig. 7 spricht der Detektorbereich C auf Licht an, das irgendwo innerhalb seiner Grenzen auftrifft,
wobei jene Bereiche ausgenommen sind, welche durch die Detektoren A, B (O), B(90) belegt sind. Diese Anordnung
ist insbesondere geeignet zur Prüfung von Masken mit "Manhattan" -Struktur, d. h. für Masken, bei welchen alle gültigen
Kanten von Merkmalen horizontal oder vertikal verlaufen. Wenn Fotomasken solchen Aufbaus abgetastet werden, fällt das an
gültigen Merkmalen gebeugte Licht meist vollständig auf die Detektoren A, B(O) oder B(90). Eine horizontale Kalte hat
das Auftreten von Licht auf die Detektoren A und B(O) zur Folge, und eine scharfe Ecke bewirkt, daß Licht auf die Detektoren
A, B(O) und B(90) fällt. Eine vertikale Kante erzeugt ein Beugungsmuster, dessen Licht auf die Detektoren A und B(90)
fällt. Da Defekte in der Fotomaske ausnahmslos Peripherieteile in einer "Nicht-Manhattanrt-Orientierung aufweisen, wird
das Licht von diesen Kanten in jene Bereiche gebeugt, die durch den Detektorbereich C belegt sind, und somit werden
solche Defekte dadurch festgestellt, daß ein. Signal von
diesem Detektorbereich beobachtet wird..
Ein Problem ergibt sich aus der Tatsache, daß Ecken nicht unendlich scharf sind, und daß deshalb, wie in Verbindung
- 19 50.9832/0810'
mit Fig. 5a, 5b und 5c erläutert, eine geringe Lichtmenge
von diesen gültigen Merkmalen den Detektor C erreichen kann*
Wenn sehr kleine Defekte festgestellt werden sollen, kann das Eckensignal fälschlich einen Defekt anzeigen. Da eine
Ecke durch B(O) und B(SK)) festgestellt wird, wird immer dann, wenn gleichzeitig eine Beleuchtung dieser Detektoren auftritt,
signalisiert, daß eine Ecke vorhanden ist, und jegliches Signal am Detektor C kann automatisch ignoriert werden. Eine
Möglichkeit, dies zu erreichen, besteht darin, mit elektronischen Mitteln vorzusehen, daß das Produkt der Signale von
B(O) und B(90) in geeignetem Maßstab vom Signal von Detektor C subtrahiert und dadurch das Eckensignal unterdrückt wird.
Die Prüfung von Mustern mit anderen als gerade "Manhattan"-Geometrien
kann unter Verwendung der in Fig. 8 dargestellten •Ring-Fotodetektoranordnung durchgeführt werden. Eine "bekannte
Charakteristik des Beugungsmusters für alle gültigen Kanten
und Ecken ist die, daß die radiale Intensitätsverteilung für alle solche Kanten- und Eckenorientierungen im wesentlichen
dieselbe ist. Defekte erzeugen jedoch aufgrund ihrer zerklüfteten und kurvenreichen Merkmale im allgemeinen ein Beugungsmuster mit einer radialen Intensitätsfunktion, die sich von
derjenigen durch die gültigen Merkmale der Fotomaske erzeugten unterscheidet. Ein Defekt kann deshalb dadurch festgestellt
werden, daß in Echtzeit das Verhältnis zwischen dem in den
- 20 5 0.9832 /08 1 0
Detektor B gebeugten und dem in den Detektor C gebeugten Licht gemessen wird. Für Kanten und Ecken ist das Verhältnis
meist konstant, wenn der Fleck über diese geführt wird. Aber bei Defekten, sogar einschließlich derjenigen,
welche weniger Gesamtlicht als eine Kante streuen, haben die Beugungsmuster radiale Intensitätsverteilungen, die
unterschiedliche Verhältnisse erzeugen. Diese Feststellmethode ist unabhängig von der Lichtintensität.
Für viele Defekte ist die absolute Intensität des durch einen solchen Defekt gebeugten Lichtes auch größer als diejenige
von gültigen Kanten und Ecken* Unter diesen Umständen wird der
Defekt dann festgestellt, wenn das Signal des Detektors B oder C der Anordnung nach Fig. 8 einen bestimmten Schwellenwert
überschreitet.
Die^obigen Defekt-Feststellanordnungen arbeiten am besten,
wenn das dem Defekt zugeordnete gebeugte Licht angemessen stark ist. Einige Arten von Defekten in DUnnsehicht-Emulsionsmasken
brechen aufgrund ihrer schwachen Kantengradienten weniger stark. Eine vorteilhafte Konfiguration zur Feststellung
solcher Defekte ist die in Fig. 9 dargestellte Anordnung, welche schematisch die in den Fig. 1 und 2 gezeigte bevorzugte
AusfUhrungsform repräsentiert. Eine besonders zweckmäßige Weise der Feststellung mit dieser Form der Fotodetektoranordnung
besteht darin, die Ausgangssignale der C-Detektoren
- 21 -
5 0.9 832/081 0
einem Computer zuzuführen, der zu jedem Zeitpunkt die maximalen und die minimalen Ausgangswerte auswählt, und das
Verhältnis dieser Werte bestimmt. Aufgrund einer Betrachtung derjenigen Beugungsmuster, welche den in den Fig. 4a,, 4b., 4c. und 5^1 > 5b. und 5c. gezeigten gültigen Kanten zugeordnet sind, kann man sehen, daß dieses Verhältnis für gültige Merkmale einen großen Wert aufweist. Für Defekte ist .dieses Verhältnis andererseits anomal klein, wodurch deren Feststellung ermöglicht wird.
Verhältnis dieser Werte bestimmt. Aufgrund einer Betrachtung derjenigen Beugungsmuster, welche den in den Fig. 4a,, 4b., 4c. und 5^1 > 5b. und 5c. gezeigten gültigen Kanten zugeordnet sind, kann man sehen, daß dieses Verhältnis für gültige Merkmale einen großen Wert aufweist. Für Defekte ist .dieses Verhältnis andererseits anomal klein, wodurch deren Feststellung ermöglicht wird.
Es können natürlich Variationen dieser Grundausführungsform entwickelt werden. Beispielsweise kann die Fotomaske mittels
zusätzlicher optischer Anordnungen durch ein Lichtfleckpaar abgetastet und der Prüfvorgang somit beschleunigt werden.
. 5 0.9 8 3 2 / O 8 1 O
Claims (9)
- BLUMBACH ■ WESER · BERGEN & KRAMERPATENTANWÄLTE IN WIESBADEN VND MOrJCHENDIPL-ING. P. G. BLUMBACH · DIPL-PHYS. DR. W. WESER . DIPL-ING. DR. JUR. P. BERGEN DtPLMNG. R. KRAMER«2 WIESBADEN · SONNENBERGER STRASSE 43 ■ TEL (06121) »»43, 561998 MDNCHENPatentansprücheyVerfahren zur Feststellung von Defekten in einer Fotomaske, die im wesentlichen ein Muster geradliniger Kanten aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Fotomaske mit einem Lichtfleck von einem kohärenten Lichtstrahlenbündel abgetastet wird, das jeweils höchstens zwei eine Ecke des Musters bildende Kanten beleuchtet, daß das die beleuchteten Fotomaskenteile passierende und von diesen gebevigte Licht gesammelt wird, daß das gesammelte Licht einer Fotode.tektoranordnung zugeführt wird, und daß die elektrischen Signale der Fotodetektoranordnung zum Erhalt einer Anzeige für die Abtastung eines Defekts verarbeitet werden.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im Rahmen der Signalverarbeitung Signale von verschiedenen Teilen der Fotodetektoranordnung hinsichtlich ihrer Amplitude verglichen werden.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im, Rahmen der Beaufschlagung der Fotodetektoranordnung mit dem- 23. 50.9832/08 TOgesammelten Licht dieses in mehrere Teile aufgeteilt und getrennt wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Licht in einen zentralen Lichtteil und wenigstens zwei ringförmige Lichtteile aufgeteilt wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der äußerste ringförmige Teil des gesammelten Lichtes in einzelne, gleiche Segmente aufgetrennt wird.
- (5. Verfahren nach Anspruch 5, -dadurch gekennzeichnet, daß im Rahmen der Signalverarbeitung die Amplituden der durch die Segmentteile des gesammelten Lichtes erzeugten maximalen und minimalen Signale verglichen werden.
- 7. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Quelle (11) eines kohärenten Lichtstrahlenbündels mit einer Lichtfleckgröße, mit der jeweils höchstens zwei eine Ecke des Musters bildende Kanten beleuchtbar sind; eine Abtastvorrichtung .(!."5* 12) zum Führen des Strahlenbündels über die Fotomaske (14); ein sammelndes Mittel (15-I9) zum Sammeln des die Fotomaske (14) passierenden und von dieser gebeugten Lichtes; und. mehrere Fotodetektoren (22, 24, 26) zum Umsetzen des gesammelten Lichtes in Signale, die das Vorhandensein oder NichtVorhandensein eines Fotomaskenfehlers anzeigen.5 0.9 832/0810 - 2|; -
- 8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß eine Aufteilungsanordnung (3I,.32, 21, 23, 25) vorgesehen ist zum Aufteilen und Trennen des gesammelten Lichtes in einzelne, den Fotodetektoren zugeführte Teile.
- 9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Fotodetektoren derart angeordnet sind, daß sie entsprechende Teile des aufgeteilten und getrennten Lichtstrahlenbündels getrennt empfangen.0.9832/08 109ΓLeerseife
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US440151A US3879131A (en) | 1974-02-06 | 1974-02-06 | Photomask inspection by real time diffraction pattern analysis |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2505063A1 true DE2505063A1 (de) | 1975-08-07 |
Family
ID=23747649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19752505063 Withdrawn DE2505063A1 (de) | 1974-02-06 | 1975-02-06 | Verfahren und vorrichtung zur feststellung von fotomaskendefekten |
Country Status (8)
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|---|---|
| US (1) | US3879131A (de) |
| JP (1) | JPS597211B2 (de) |
| BE (1) | BE824783A (de) |
| CA (1) | CA1038948A (de) |
| DE (1) | DE2505063A1 (de) |
| FR (1) | FR2260102B1 (de) |
| GB (1) | GB1493861A (de) |
| IT (1) | IT1027452B (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19726967C1 (de) * | 1997-06-25 | 1999-06-02 | Basler Gmbh | Vorrichtung zum optischen Abbilden der umlaufenden Seitenfläche eines Gegenstandes, insbesondere eines 0-Rings |
| US9213003B2 (en) | 2010-12-23 | 2015-12-15 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Method for characterizing a structure on a mask and device for carrying out said method |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4070114A (en) * | 1976-03-01 | 1978-01-24 | Greenwood Mills, Inc. | Detector optics for use in fabric inspection |
| JPS52140385A (en) * | 1976-05-18 | 1977-11-22 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Surface inspecting apparatus |
| US4030835A (en) * | 1976-05-28 | 1977-06-21 | Rca Corporation | Defect detection system |
| JPS5324233A (en) * | 1976-08-19 | 1978-03-06 | Fujitsu Ltd | Pattern examination system |
| JPS5329758A (en) * | 1976-08-31 | 1978-03-20 | Fujitsu Ltd | Pattern inspecting method |
| JPS53127752A (en) * | 1977-04-13 | 1978-11-08 | Fujitsu Ltd | Extracting method of characteristics of patterns |
| JPS545750A (en) * | 1977-06-15 | 1979-01-17 | Fujitsu Ltd | Pattern inspecting method |
| CH622896A5 (de) * | 1978-03-20 | 1981-04-30 | Landis & Gyr Ag | |
| US4334780A (en) * | 1979-06-29 | 1982-06-15 | Grumman Aerospace Corporation | Optical surface roughness detection method and apparatus |
| US4465371A (en) * | 1979-08-06 | 1984-08-14 | Grumman Aerospace Corporation | Optical flaw detection method and apparatus |
| JPS56126747A (en) * | 1980-03-12 | 1981-10-05 | Hitachi Ltd | Inspecting method for flaw, alien substance and the like on surface of sample and device therefor |
| JPS57128834A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Inspecting apparatus of foreign substance |
| US4468120A (en) * | 1981-02-04 | 1984-08-28 | Nippon Kogaku K.K. | Foreign substance inspecting apparatus |
| US4487476A (en) * | 1981-04-28 | 1984-12-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method of multivariant intraclass pattern recognition |
| JPS58108423U (ja) * | 1982-11-11 | 1983-07-23 | 富士通株式会社 | パタ−ンの特徴抽出装置 |
| US4871257A (en) * | 1982-12-01 | 1989-10-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical apparatus for observing patterned article |
| JPS58108424U (ja) * | 1982-12-09 | 1983-07-23 | 富士通株式会社 | パタ−ン検査装置 |
| GB8314778D0 (en) * | 1983-05-27 | 1983-07-06 | Pa Management Consult | Adaptive pattern recognition |
| DE3501283A1 (de) * | 1984-01-17 | 1985-07-25 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Fotoelektrische detektorvorrichtung und hiermit ausgestattetes ausrichtgeraet |
| US4731855A (en) * | 1984-04-06 | 1988-03-15 | Hitachi, Ltd. | Pattern defect inspection apparatus |
| US4856902A (en) * | 1987-11-13 | 1989-08-15 | Lasersense, Inc. | Imaging and inspection apparatus and method |
| US4906097A (en) * | 1987-11-13 | 1990-03-06 | Lasersense, Inc. | Imaging and inspection apparatus and method |
| US5206699A (en) * | 1988-05-06 | 1993-04-27 | Gersan Establishment | Sensing a narrow frequency band of radiation and gemstones |
| GB8826224D0 (en) * | 1988-11-09 | 1988-12-14 | Gersan Anstalt | Sensing shape of object |
| US5002348A (en) * | 1989-05-24 | 1991-03-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Scanning beam optical signal processor |
| JP3099535B2 (ja) * | 1992-07-08 | 2000-10-16 | キヤノン株式会社 | 表面状態検査装置 |
| US5331370A (en) * | 1993-05-03 | 1994-07-19 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for determining a feature-forming variant of a lithographic system |
| US5428452A (en) * | 1994-01-31 | 1995-06-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Optical fourier transform method for detecting irregularities upon two-dimensional sheet material such as film or tape |
| JPH1096700A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-04-14 | Nikon Corp | 異物検査装置 |
| US6542304B2 (en) * | 1999-05-17 | 2003-04-01 | Toolz, Ltd. | Laser beam device with apertured reflective element |
| DE10146355A1 (de) * | 2001-09-20 | 2003-04-24 | Muetec Automatisierte Mikrosko | Verfahren zum automatischen optischen Vermessen einer OPC-Struktur |
| US7440094B2 (en) * | 2005-11-30 | 2008-10-21 | Wafermasters Incorporated | Optical sample characterization system |
| JP2008216054A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 被検査物の検査装置及び被検査物の検査方法 |
| US8380003B2 (en) * | 2007-11-07 | 2013-02-19 | The Board of Trustees of the Lenard Stanford Junior University | Image reconstruction with incomplete fourier-space magnitude data combined with real-space information |
| CN102322820B (zh) * | 2011-09-14 | 2013-07-10 | 西南科技大学 | 面形检测系统中前后表面反射光斑自动分离方法 |
| TWI596359B (zh) * | 2015-12-31 | 2017-08-21 | 致茂電子股份有限公司 | 一種抑制雷射光斑雜訊提升穩定性之三維形貌掃描系統 |
| CN109115467B (zh) * | 2018-08-24 | 2020-04-14 | 成都精密光学工程研究中心 | 一种用于焦距检测的双刀口差分检测装置、检测方法及数据处理方法 |
| US12146830B2 (en) * | 2019-02-28 | 2024-11-19 | Lumina Instruments Inc. | Slope, p-component and s-component measurement |
| US12147033B2 (en) * | 2019-02-28 | 2024-11-19 | Lumina Instruments Inc. | Scanning micro profiler |
| US12130243B2 (en) * | 2019-02-28 | 2024-10-29 | Lumina Instruments Inc. | Angle independent optical surface inspector |
| US12146732B2 (en) * | 2019-02-28 | 2024-11-19 | Lumina Instruments Inc. | Surface contour measurement |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3630596A (en) * | 1969-09-30 | 1971-12-28 | Western Electric Co | Photomask regeneration by intensity spatial filtering |
| US3658420A (en) * | 1969-12-10 | 1972-04-25 | Bell Telephone Labor Inc | Photomask inspection by spatial filtering |
| US3790280A (en) * | 1972-05-03 | 1974-02-05 | Western Electric Co | Spatial filtering system utilizing compensating elements |
-
1974
- 1974-02-06 US US440151A patent/US3879131A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-11-21 CA CA214,342A patent/CA1038948A/en not_active Expired
-
1975
- 1975-01-24 BE BE152716A patent/BE824783A/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-02-03 IT IT7567274A patent/IT1027452B/it active
- 1975-02-04 GB GB4688/75A patent/GB1493861A/en not_active Expired
- 1975-02-05 JP JP50014472A patent/JPS597211B2/ja not_active Expired
- 1975-02-05 FR FR7503620A patent/FR2260102B1/fr not_active Expired
- 1975-02-06 DE DE19752505063 patent/DE2505063A1/de not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19726967C1 (de) * | 1997-06-25 | 1999-06-02 | Basler Gmbh | Vorrichtung zum optischen Abbilden der umlaufenden Seitenfläche eines Gegenstandes, insbesondere eines 0-Rings |
| US9213003B2 (en) | 2010-12-23 | 2015-12-15 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Method for characterizing a structure on a mask and device for carrying out said method |
| US9605946B2 (en) | 2010-12-23 | 2017-03-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for characterizing a structure on a mask and device for carrying out said method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BE824783A (fr) | 1975-05-15 |
| FR2260102A1 (de) | 1975-08-29 |
| GB1493861A (en) | 1977-11-30 |
| US3879131A (en) | 1975-04-22 |
| JPS50110779A (de) | 1975-09-01 |
| CA1038948A (en) | 1978-09-19 |
| IT1027452B (it) | 1978-11-20 |
| JPS597211B2 (ja) | 1984-02-17 |
| FR2260102B1 (de) | 1977-04-15 |
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