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DE2549001A1 - Druckaufnehmer - Google Patents

Druckaufnehmer

Info

Publication number
DE2549001A1
DE2549001A1 DE19752549001 DE2549001A DE2549001A1 DE 2549001 A1 DE2549001 A1 DE 2549001A1 DE 19752549001 DE19752549001 DE 19752549001 DE 2549001 A DE2549001 A DE 2549001A DE 2549001 A1 DE2549001 A1 DE 2549001A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
pressure
membrane
pressure transducer
thickened
sensitive element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19752549001
Other languages
English (en)
Inventor
Antonius Cornelis Maria Gieles
Jan Leendert Spoormaker
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2549001A1 publication Critical patent/DE2549001A1/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
    • G01L9/0052Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
    • G01L9/0054Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one piezoelectric, electrostrictive or magnetostrictive element covered by groups H10N30/00 – H10N35/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich axif einen Druckaufnehmer mit einem druckempfindlichen Element aus monokristallinem Silizium, welches druckempfindliche Element eine Membran geringer Dicke aufweist und an der Aussenseite einen verdickten Rand hat, wobei in der Membran dolinungaempfindliche Widerstände angeordnet sind.
Ein derartiger bekannter Druckaufnehmer ist beispielsweise in der niederländischen Patentanmeldung 68.17089 beschrieben worden. Das druckempfindliche Element hat eine flache Membran; der verdickte Rand dient dazu, das druckempfindliche Element leicht befestigen υλχ können. Die Widerstände sind beispielsweise 609820/1012
PHN. 7796.
— 2 —
in eine Wheatstone-Briickenschaltung aufgenommen. Die Ausgangs spannung der Brücke kann beispielsweise einer .integrierten Schaltung zugeführt werden. Wenn die Membran verhältnismässig dick ist, wird die Ausgangsspannung ziemlich gut linear mit dem Druck verlaufen. Um eine hohe Empfindlichkeit zu erzielen ist es jedoch erwünscht, die Membran möglichst dünn auszubilden. Dabei tritt jedoch eine starke Abweichung der gewünschten Linearität zwischen Druck und Ausgangs spannung auf.
Die Erfindung bezweckt nun, einen Druckaufnehmer mit einer grossen Empfindlichkeit zu schaffen, wobei der Zusammenhang zwischen Druck und Ausgangs— spannung dennoch ziemlich linear ist« Dazu weist nach der Erfindung die Membran einen starren Mittenteil auf, der als Verdickung ausgebildet ist, welche Verdickung einen Durchmesser in der Grössenordmmg von dem 0,5 bis 0,7-fa-chen des Innendurchmessers des verdickten Randes hat. Es hat sich herausgestellt, dass unter Anwendung dieser Massnahme bei einer Linearität besser als 15° die Dicke der Membran derart verringert werden kann, dass der· Druckaufnehmer eine h— bis 5mal gross ere Empfindlichkeit hat als bei Verwendung einer Membran ohne den starren Mittenteil. Andererseits ist bei gleicher Dicke der Membranen die Linearität beim Druck» aufnehmer nach der Erfindung wesentlich besser als beim bekannten Druckaufnehmer.
Es sei bemerkt, dass druckempfindliche Elemente 609820/ 1012
PHN. 7796.
— 3 —
mit einem verdickten Mittenteil an sich bei Beschleurii~ gungsmessern bekannt sind. Dabei ist im allgemeinen nicht von einer Membran die Rede (Sondern dex· verdickte Teil ist über Speichen mit einem Aussenring verbunden, Weiter wird beabsichtigt, ein auf Beschleunigungen, reagierendes Element zu erhalten und nicht die Linearität zu verbessern. Weiter weicht das Verhältnis des Durchmessers des Mitteiiteils zum Innendurchmesser dos verdickten Randes bei bekannten Ausbildungen von dein bei der Erfindung gewünschten Wert xtfesentlich ab.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform nach der Erfindung besteht die Membran aus einer epitaxialen Schicht, die auf einem Siliziumsubstrat aufgewachsen ist, in welchem Substr-at der verdickte Rand und der verdickte Mittenteil gebildet sind.
Der Druckaufrieliiner kann ein sehr günstiges Anwendungsgebiet finden bei Gasströmungsmessung, beispielsweise beim Messen der Eintrittsluft eines Verbrennungsmotors, Bei dieser Luftmengenmessung ist der Massenstrom zur absoluten Temperatur umgekehrt proportional. Um eine geeignete Anwendung des Druckaufnehmers zu erhalten muss dieser Temperatureinfluss dann auf irgendeine Weise ausgeglichen werden, was bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung geschieht wenn die dehnungsempfindlichen Widerstände durch Diffusion eines Akzeptors in einer η-leitenden epitaxialen Schicht gebildet sind, \'7obei die Diffusionskonzentration
B 0 9 R ? 0 / 1 η 1 ?
■if--
25490Π1
PHN. 7796. 24-10-1975.
1 R in der Grössenordnung· von 5 x 10 Atome pro cm3 ist.
Piezowidersta.ndskoGffizient des p-leitenden Siliziums, aus dem die Widerstände bestehen, ist temperaturabhängig; es wurde gefunden, dass bei der genamiten Konzentration dieser Koeffizient zur absoluten Temperatur nahezu umgekehrt proportional ist in einem Temperaturbereich zwischen -4o°C bis + 1200C, so dass ein völliger Ausgleich stattfindet.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden naher1 beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 einen Schnitt durch ein druckempfindliches Element gemäss der Linie 1-1 in Fig. 2,
Fig. 2 eine Draufsicht des druckempfindlichen Elementes.
In den Fig. 1 und 2 ist eine Aus führungsf oriu eines druckempfindlichen Elementes nach der Erfindung dargestellt. Auf einem Substrat aus beispielsweise η-leitendem monokristallinem Silizium ist eine nleitcnde epitaxiale Schicht 5 angebracht. Im Substrat ist eine ringförmige Ausnehmung 1 gebildet, die bis zur epitaxialen Schicht weiterläuft. Die Ausnhemung 1 kann beispielsweise mit Hilfe von Funkenerosion gebildet sein. Dabei entsteht ein druckempfindliches Element mit einer dünnen Membran 2, einem verdickten Rand 3 und einem starren verdickten Mittenteil h. In der epitaxialon Schicht 5 sind dchmmgsempfindliche
609820/10 12
9 R 4 9 O η 1
pun. 7796. 2^-10-1975.
5 -
Widerstände 6 angeordnet, beispielsweise durch. Diffusion eines Akzeptors, vie Bor.
Die Widerstände 6 sind djann aus p-leitendem Silizium. Im Grunde könnte das Substrat und die epitaxiale Schicht jedoch auch aus p-leitendem Silizium bestehen, in das n~leiten.de Widerstände eindiffundiert sind oder die Widerstünde können mittels Ionenimplantation gebildet werden.
Fig. 2 zeigt ein Beispiel eines Musters dex· Widerstände 6, die entsprechend einer Wheatstone-Brücke geschaltet sind. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind jeweils zwei Widerstände beieinander angeordnet, einer in der Nähe des verdickten Randes 3 und einer in der Nähe des Mittenteils h. Damit wird erreicht, dass die Krümmung dieser Widerstände beim Ausbiegen der Membran entgegengesetzt ist (der verdickte Rand 3 wird in einem Gehäuse fest angeordnet, der starre Mittenteil k bewegt sich mit der Membran).
Die epitaxiale Schicht ist mit einer elektrisch isolierenden .Schicht 7 aus beispielswei se Siliziumoxid bedeckt. Auf dieser Schicht sind Leiter 8 angeordnet, die in einer öffnung der isolierenden Schicht 7 bei 9 mit den Widerständen 5 elektrisch νerbundeη sind.
Von den Leitern 8 können elektrische \rerbindungen zu nicht dargestellten elektronischen Schaltungselementen geführt werden.
609 8 20/1012
N. 7796.
2 5 49 O Π1 24-10-1975.
Das druckempfiiiclliclie Element kann in jedem beliebigen Gehäuse eingebaut werden. Wie bereits erwähnt, dient der verdickte Rand 3 dazu, eine günstige Verbindung im Gehäuse zu erhalten. An der Seite, an der sich die epitaxiale .Schicht befindet, kann im Gehäuse ein Vakuum vorhanden sein, während ein Gasoder Flüssigkeitsdruck auf die andere Seite wirkt. Das druckempfindliche Element kann jedoch auch bei Differenz druckmessung verwendet werden. Als Anwendungsbereich einer· Flüssigkeitsdruckmessung kann beispielsweise Blutdruckmessung genannt werden. Eine sehr günstige Anwendung bei Gasdruckmessung ist das Messen der Zuluft bei einem Verbrennungsmotor. Bei einer richtigen Dosierung von Zuluft und Kraftstoff wird eine günstige Verbrennung erhalten, während Luftverunreinigung vermieden wird.
Bei einer günstigen Ausführungsform hat das druckempfindliche Element einen Mittenteil 4 mit einem Aussenxhirchmesser von 0,5. mm und einen verdickten Rand 3 mit einem Innendurchmesser von 1 mm. Die Dicke der epitaxialen Schicht 5 beträgt 10 /um. Diese sehr geringe Dicke der Membran hat eine grosse Empfindlichkeit; mit dem starren Mittenteil h der gegebenen Bemessung wird erreicht, dass die Linearität des Druckes gegenüber der Ausgangs spannung der Wheatstone-Brücke kleiner ist als 0,5 fo.
Es ist günstig, insbesondere bei Messung von 6 0 9 8 2 0/1012
2 5 4 9 O η 1
PHN. 779^. 24-10-1975.
Luft für Verbrennungsmotoren, die Diffusionskonzentration der p-leitenden Widerstände 6 in der Grössenord-
1 ft
nung von 5·10 Atome pro cm3 statt des üblichen Wertes
10 zu wählen. Es wurde gefunden, dass dabei der Temperatureinfluss auf den Widerstandswert der absoluten Temperatur umgekehrt proportional ist. Da auch der Massenstrom der Luft der absoluten Temperatur umgekehrt proportional ist, brauchen bei der genannten Konzentration keine weiteren temperaturausgleichenden Massnahmen getroffen zu werden.
6098?0/1 01 ?

Claims (2)

  1. pun. 7796.
    2549001 2^-10-1975. - 8 PATENTANSPRÜCHE .
    1 λ Druckaufnehmer mit ein^m druckempfindlichen Element aus monokristallinem Silizium, welches druckempfindliche Element eine Membran geringer Dicke aufweist' und an der Aussenseite einen verdickten Rand hat, wobei in der Membran dehnungsempfindliche Widerstände angeordnet sind, dadux-ch gekennzeichnet, dass die Membran einen starren Mittenteil aufweist, der als Verdickung ausgebildet ist, welche Verdickung einen Durchmesser hat in der Grössenordnung von dem 0,5 bis O,7f"achen des Innendurchmessers des verdickten Randes.
  2. 2. Druckaufnehmer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran aus einer epltaxialen Schicht besteht, die auf einem Siliziumsubstrat aufgewachsen ist, in welchem Substrat der verdickte Rand und der, verdickte Mittenteil gebildet sind.
    3· Druckaufnehmer nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die dehnungsempfindlichen Widerstände durch Diffusion eines Akzeptors in einer nleitenden epitaxialen Schicht gebildet sind, wobei die Diffusionskonzentration in der Grössenordnung von
    18
    5 x 10 Atome .pro cm3 ist.
    609820/1012
DE19752549001 1974-11-06 1975-11-03 Druckaufnehmer Pending DE2549001A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7414459A NL7414459A (nl) 1974-11-06 1974-11-06 Drukopnemer.

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Publication Number Publication Date
DE2549001A1 true DE2549001A1 (de) 1976-05-13

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DE19752549001 Pending DE2549001A1 (de) 1974-11-06 1975-11-03 Druckaufnehmer

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JP (1) JPS5169678A (de)
DE (1) DE2549001A1 (de)
FR (1) FR2290658A1 (de)
IT (1) IT1048760B (de)
NL (1) NL7414459A (de)
SE (1) SE7512278L (de)

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NL7414459A (nl) 1976-05-10
JPS5169678A (de) 1976-06-16
IT1048760B (it) 1980-12-20
FR2290658A1 (fr) 1976-06-04
SE7512278L (sv) 1976-05-07

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