DE2436160A1 - Rasterelektronenmikroskop - Google Patents
RasterelektronenmikroskopInfo
- Publication number
- DE2436160A1 DE2436160A1 DE2436160A DE2436160A DE2436160A1 DE 2436160 A1 DE2436160 A1 DE 2436160A1 DE 2436160 A DE2436160 A DE 2436160A DE 2436160 A DE2436160 A DE 2436160A DE 2436160 A1 DE2436160 A1 DE 2436160A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- sample
- detectors
- electron microscope
- electron beam
- scanning electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 30
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2441—Semiconductor detectors, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2446—Position sensitive detectors
- H01J2237/24465—Sectored detectors, e.g. quadrants
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2446—Position sensitive detectors
- H01J2237/2447—Imaging plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24592—Inspection and quality control of devices
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
Patentanwälte Liodl, Dr. Pontani, Nöth, Zeitler 2436160
München 22, Steinsdorfstraße 21-22, Telefon 089/29 84 62
B 6831
NIHON DENSHI KABUSHIKI KAISHA 1418, Nakagami-cho, Akishima-shi, Tokyo/ JAPAN
Die Erfindung betrifft ein Rasterelektronenmikroskop für die Aufzeichnung
eines Durchstrahlungsbildes mit einem elektronenoptischen System zur Fokussierung eines Elektronenstrahles und zur Abtastung einer Probe,
welche insbesondere als dünner Film vorliegt, mittels des Elektronenstrahles, der in einer Elektronenstrahlquelle erzeugt wird und mit
Aufzeichnungsmitteln für ein Rasterbild auf einer Kathodenstrahlröhre, welche mit dem abtastenden Elektronenstrahl synchronisiert ist, wobei
N/
509808/0779
die Helligkeit der Kathodenstrahlröhre in Abhängigkeit vom empfangenen
Signal der durch die Probe hindurchgestrahlten Elektronen synchronisiert wird.
Bei einem Rasterelektronenmikroskop hängt das Auflösungsvermögen
und die Bildschärfe des Probenbildes zum größten Teil davon ab, wie die Elektronen, welche von der Probe bei der Elektronenbestrahlung
ausgesendet werden, empfangen und weiterverarbeitet werden.
Wenn man beispielsweise Elektronen empfängt, die durch eine Dünnfilmprobe
hindurchgeschickt worden sind, ist das Dunkelfeldbild, das man beim Empfangen der gestreuten, hindurchgegangenen Elektronen
erhält, gewöhnlich besser bezüglich der Bildschärfe und der Auflösung als das Hellfeldbild, das man beim Empfangen der ungestreuten Elektronen
erhält.
Es ist seit neuestem möglich geworden, Atome zu beobachten, indem man die elastisch und unelastisch gestreuten Elektronen trennt und
empfängt. Da es jedoch bei dieser Technik notwendig ist, einen gestreuten Elektronenstrahl, der einen Winkel von 50 bis ungefähr 100 m.
rad aufweist, zu empfangen, ist die Intensität des Strahles äußerst gering, so daß sich schwerwiegende technische Probleme hierbei ergeben.
Im Falle einer kristallinen Dünnfilmprobe hat man Rasterbilder erhalten,
indem man die Beugungselektronen, welche von den Gitterebenen der kristallinen Probe in eine bestimmte Richtung gestreut worden sind,
verwendet. Aber auch hier ist die erhaltene Signalintensität äußerst schwach im Vergleich zu der Dunkelfeldmethode, bei der alle Beugungselektronen erfaßt bzw. empfangen werden.
6831 509808/0779
Aufgabe der Erfindung ist es daher, die im vorstehenden genannten technischen Probleme bei einem Rasterelektronenmikroskop zu lösen,
indem die gestreuten Elektronen innerhalb eines Streuwinkels von 50 m. rad erfaßt bzw. empfangen werden, wobei eine ausreichende Signalintensität
und ein ausreichender Bildkontrast sichergestellt sind.
Diese Aufgabe wird bei einem Rasterelektronenmikroskop der eingangs
genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß mehrere ringförmige Detektoren, deren gemeinsame Achse mit der optischen Achse des
elektronenoptischen Systems zusammenfällt, sowie eine Signalverarbeitungseinrichtung
zum Addieren, Subtrahieren und/oder Dividieren der Ausgangssignale der Detektoren vorgesehen sind.
Bei der Erfindung handelt es sich somit um ein Empfangssystem bzw.
um eine Detektor einrichtung, welche in Verbindung mit einem Rasterelektronenmikroskop
verwendet wird. Es werden hierbei die durch die Probe hindurchgetretenen Elektronenstrahlen von mehreren ringförmigen
Detektoren erfaßt. Das Verhältnis von zwei Detektorausgängen kann mit feinern konstanten Wert verglichen werden. Ein Ausgang der Detektoren
wird in Abhängigkeit vom Ergebnis dieses Vergleiches an die Aufzeichnungsmittel geliefert oder nicht.
Mit Hilfe der Erfindung ist es möglich, Rasterbilder zu erhalten, welche
ausgewählten Elementen zugeordnet sind, indem die gestreuten Elektronen, welche nur den Atomen von ausgewählten Elementen zugeordnet
sind, ausgewählt werden.
Ferner ermöglicht es die Erfindung, Durch Strahlungsbilder von kristallinen
Proben, welche in Filmform vorliegen, unter Verwendung einer relativ hohen Intensität der Elektronen zu erhalten. Diese Bilder enthalten
eine skelettartige Information, welche der kristallinen Probe zugeordnet ist.
6831 509808/0779
In den beiliegenden Figuren sind bevorzugte Ausführungsbeispiele der
Erfindung dargestellt. Ss ,soll anhand dieser Figuren die Erfindung noch
näher erläutert werden. Es zeigen:
Fig.' 1 in schematischer Darstellung ein Rasterelektronenmikroskop
'gemäß der Erfindung;
Fig. 2 eine schematische Darstellung eines Detektors, der bei dem
Rasterelektronenmikroskop in der Fig. 1 zur Anwendung
kommt; ·
Fig. 3 eine Kurvendarstellung zur Erläuterung des erfindungsgemä-
Fig» 4 schematische Darstellungen anderer bevorzugter Ausführungsbeispiele der Erfindung;
Fig. β eine Kurvendarstellung der Intensitätsverteilung des Elektronenstrahls,
der von eier Probe gestreut wurde;
Fig. 1 schematische Darstellungen weiterer bevorzugter Ausfüh-
igo 9 eine schematische Darstellung eines weiteren Detektors, der
bei der Erfindung Anwendung finden kann.
In der Fig. 1 ist eine, E iektronenstrahlquelle 1 mit hoher Helligkeit dargestellt.
Es handelt sich hierbei um eine Feldemissionselektronenkanone. Ein Elektronenstrahl 2, der von der Eiektronenstrahlquelle erzeugt wird,
wird zu einem Fleck auf einem dünnen Film einer Probe 3 foiaissiert.
6831 S09808/0779
Zur Fokussierung dient eine Kondensorlinse 4. Gleichzeitig tastet der
Elektronenstrahl 2 eine Mikrofläche bzw. einen Mikrobereich der Probenoberfläche
ab. Diese Abtastung erfolgt aufgrund des Betriebes von Ablenkspulen 5X und 5Y, welche von einem Abtastsignalgenerator 6 gespeist
werden. Als Folge hiervon, werden mehrere Elektronenstrahlen
E1, E„, E3, E.usw. unter Winkeln ^1 , oc2 , a3 , c^ usw. gegenüber
der optischen Achse 7 gestreut. Diese gestreuten Elektronen werden von ringförmigen Detektoren 8a, 8b, 8c, 8d usw. erfaßt bzw. empfangen.
Diese Detektoren sind unterhalb der Probe angeordnet bzw. in Strahlrichtung gesehen der Probe nachgeordnet. Für diese Detektoren
werden beispielsweise pn-Übergangshalbleiter oder dgl. verwendet. Die Detektoren sind so angeordnet, daß ihre gemeinsame Achse bzw.
ihr gemeinsamer Mittelpunkt mit der optischen Achse 7 zusammenfällt, wie das in der Fig. 2 dargestellt ist. Zwei der Ausgänge der ringförmi- ·
gen Detektoren werden mittels Verstärker 9 und 10 verstärkt und danach mittels einer Signalverarbeitungsschaltung 11 verarbeitet. Das verarbeitete
Signal wird an eine Kathodenstrahlröhre 12 als Heliigkeitsmodulationssignal
gelegt. Ablenkspulen 13X und 13Y werden mit Abtastsignalen vom Abtastsignalgenerator 6 versorgt. Es handelt sich hierbei um
den gleichen Abtastsignalgenerator, der auch die Ablenkspulen 5X und 5Y beliefert. Da diese Signale synchronisiert sind, erscheint ein Rasterbild
der Probe von den hindurchgetretenen Elektronen auf dem Bildschirm der Kathodenstrahlröhre 12.
Die Signalverarbeitungsschaltung 11 enthält zwei Torschaltungen 14 und 15,
welche zwischen den Verstärkern 9 und 10 und der Kathodenstrahlröhre geschaltet sind. Diese Tor schaltungen werden mittels einer Dividierschaltung
16, einer Vergleicherschaltung 17 und einer Polaritätsumkehrschaltung 18 angesteuert. Die Wirkungsweise der Signalverarbeitungsschaltung
11 soll im folgenden in Verbindung mit der Fig. 3 erläutert werden.
6831 509808/0779
In der Fig. 3 ist auf der Abszisse der Streuwinkel θ der hindurchgetretenen Elektronen und auf der Ordinate der atomare Streufaktor fe ( ö )
aufgezeichnet. Das Quadrat des atomaren Streufaktors ist proportional zur Ausgangsintensität des Elektronenstrahldetektors. Die drei Kurvendarstellungen
zeigen die Beziehung zwischen Au, Cu und Al, welche mit einem 100KeV-Elektronenstrahl bestrahlt worden sind.
Es sei angenommen, daß die Probe aus zwei Elementen besteht, beispielsweise
Au und Cu und daß die hindurchgetretenen Elektronen, welche einen Streuwinkel θ.=7,4 m.rad. aufweisen, empfangen bzw. erfaßt worden
' 7 92 2
sind. Der Bildkontrast der beiden Elemente ist dann gleich ) =3,8,
wenn ferner der Streuwinkel der hindurchgetretenen Elektronen '3 =18,
m.rad. ist, so ist der Bildkontrast der beiden Elemente gleich
(γ-Tc) =4,8. Hieraus wird ersichtlich, daß bei steigendem 9 der Bildkontrast
ebenfalls anwächst. Das Anwachsen des Kontrastes hat jedoch einen unvermeidbaren Nachteil bezüglich der Signalintensität und bezüglich
des Rauschabstandes bzw. S/N-Verhältnisses des Detektorausganges.
Bei der Ausführungsform in der Fig. 1 ist es möglich, zwei Signale,
welche den Streuwinkeln β. und ^ entsprechen, zu erhalten, indem
man mittels Umschaltern 19 und 20 entsprechend umschaltet. Das Verhältnis
der beiden Signale wird in der Dividierschaltung 16 ermittelt. Demgemäß gelangt ein Empfangssignal, das entweder dem Winkel 1^.
oder .ö_ entspricht, durch die Torschaltungen und erreicht die Kathodenstrahlröhre
als Helligkeitsmodulationssignal.
Wenn der Elektronenstrahl von Au-Atomen gestreut wird, ist die Interi-
θρ. 7 92 2
sität des empfangenen Signales -JS- gleich (η) = 6,25. Für den Fall
von Cu-Atomen ist das Verhältnis der Intensitäten der empfangenen
Signale ^ gleich -) = 7,84. Demgemäß unterscheidet das Aus-
6831 509808/0779
gangssignal der Vergleichsschaltung 17 zwischen Au- und Cu-Atomen,
indem sie den ungefähren Mittelwert von 6, 25 und 7,84, d.h. 7 als Referenzsignal,
verwendet. Wenn der Ausgang der Dividierschaltung 16 geringer als 7 ist, wird die Torschaltung 14 in offenem Zustand gehalten
und die Torschaltung 15 ist in geschlossenem Zustand. Dies erfolgt aufgrund der Vergleichsschaltung 17 und der Polaritätsumkehrschaltung
Wenn andererseits der Ausgang der Dividierschaltung 16 hoher ist als 7,
befindet sich die Torschaltung 14 im geschlossenen Zustand und die Torschaltung 15 ist geöffnet, Demgemäß wird der Bildkontrast der Au- und
7 92 2
Cu-Atome U' a§) >
was etwa 30 entspricht. Dies bedeutet einen bedeutend
höheren Kontrast als er beim Stand der Technik erzielt wird. Darüber hinaus erhält man eine Verbesserung beim Rauschabstand bzw.
beim S/N-Verhäitnis, da die starke Intensität der Elektronen,· welche einen ziemlichen kleinen Streuwinkel aufweisen, erfaßt bzw. empfangen
werden und für das Bildsignal verwendet werden.
Die Fig. 4 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung, welches
mehrere Kathodenstrahlröhren aufweist. Hierbei bildet jede Kathodenstrahlröhre ein Probenbild ab, das einem speziellen Element zugeordnet
ist. Bei dieser Vorrichtung ist die Probe 3 im Linsenfeld einer stark erregten Linse 21 angeordnet» Durch die starke Erregung der Linse
21 zeigt das Linsenfeld einen Dreifachlinseneffekt, was durch die Linsen
21a, 21b und 21c angedeutet ist. Der von der Elektronenstrahlquelle
erzeugte Elektronenstrahl 2 wird mittels der Kondensorlinse 4 und der
Scheinlinse 21a auf die Probe fokussiert. Die durch die Probe hindurchgetretenen
Elektronen werden, wenn die Probe kristallin ist, in einer
rückwärtigen Brennpunktebene 22 der ScheinÜnse 21b in ein Beugungsmuster geformt. Dies erfolgt durch die Wirkung der Scheinlinse 21b.
Ferner wird das von der Scheinlinse 21b gebildete Beugungsmuster durch die Scheinlinse 21c in vergrößertem Maßstab in der Detektorebene erzeugt.
6831 509808/0779
Die Beugungsmuster bzw. Beugungsbilder bleiben dieselben, unabhängig
von der Stelle auf der Probenoberfläche, auf welche der Elektronenstrahl gerichtet ist. Demgemäß ist es möglich, Elektronenstrahlen
zu erfassen, deren Beugungswinkel äußerst gering ist, wobei man ringförmige
Detektoren verwenden kann, welche vergleichsweise große Durchmesser aufweisen.
Die Ausgangssignale der Detektoren 8a, 8b, 8c und 8d werden von Verstärkern
23, 24, 25 und 26 verstärkt, bevor sie in die Dividierschaltungen gelangen, wo ihre Intensitätsverhältnisse errechnet werden. Danach
werden diese Signale in den Vergleichsschaltungen mit bestimmten Referenz wer ten P1, P0 und PQ verglichen. Wenn eines der Signale
gleich P., P? oder P„ ist, wird das fragliche Signal an eine der drei
Torschaltungen 33, 34, 35 weitergeleitet, welche sich hierbei im geöffneten Zustand befindet.
Zu dem Zeitpunkt, zu welchem der Elektronenstrahl über dem Bereich
der Probe tastet, welcher Au-Atome enthält, ist das Intensitätsverhältnis
der Ausgänge der Detektoren 8a und 8b gleich dem Wert P: und die Torschaltung 33 ist vom Ausgang der Vergleichsschaltung 30 geöffnet.
Das gleiche gilt auch dann, wenn der Elektronenstrahl über einem Bereich
der Probe tastet, der Cu- oder Al-Atome aufweist. Es wird dann ■
die Torschaltung 34 bzw. 35 vom Ausgang der Vergleichsschaltung 31 bzw. 32 geöffnet. Folglich werden die Probenbilder von Au, Cu und Al
auf entsprechenden Bildschirmen der Kathodenstrahlröhren 36, 37 und dargestellt. Da das Helligkeitsmodulationssignal des Probenbildes vom
ringförmigen Detektor 8a, der Elektronen mit starker Intensität und geringem Streuwinkel erfaßt, erhalten wird, hat das Probenbild einen
hohen Rauschabstand bzw. ein hohes S/N-Verhältnis.
Unter Berücksichtigung der Breite der ringförmigen Detektoren bzw.
6831 509808/0779
von Empfangsfehlern erstrecken sich die Referenzwerte bzw. Vergleichswerte von P., P„ und P„ über einen bestimmten Bereich, d.h. über
P1 _ A ~ ^x + Δ, ^ - Δ ~ P2 + Δ>
£i - Δ ~ "S + Δ etc··
Die Fig. 5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung. Das
elektronenoptische System ist identisch zu dem, das in der Fig. 1 gezeigt ist. Es wird jedoch eine unterschiedliche Signalverarbeitungsschaltung
verwendet, um die Beobachtung von kristallinen Proben zu erleichtern.
Die Fig. 6 zeigt die Intensitätsverteilung des Elektronenstrahles, der
von einer kristallinen Probe gestreut worden ist. Auf der Abszisse ist der Streuwinkel und auf der Ordinate ist die Intensität des Elektronenstrahles
aufgetragen. S1, ο«, Θ„ und β. bedeuten Streuwinkelbereiche
der Detektoren 8a, 8b, 8c und 8d. Aus der Verteilungskurve ist ersichtlich, daß die Beugungsringe bzw. Beugungsflecken A und B von ringförmigen
Detektoren 8a und 8d empfangen werden. Wenn man die Ausgänge dieser Detektoren in der Signalverarbeitungseinrichtung 39 (Fig. 5) addiert,
erhält man ein Signal mit einer ausreichenden Intensität, das eine allgemeine Information über die Kristallstruktur enthält. Ferner
erhält man durch Subtraktion des Ausganges des Detektors 8d vom Ausgang des Detektors 8a ein Signal, das die Nettointensität des Beugungsringes A anzeigt, da die Hintergrundkomponente der Intensität des
Empfangssignales im Streuwinkelbereich θ- immer gleich der Gesamtintensität des Empfangssignales im Streuwinkelbereich 3O ist. Da darüber
hinaus nur das erwünschte Signal erhalten wird, wird sichergestellt, daß ein Empfangs signal vorhanden ist, das einen hohen Rauschabstand
bzw. ein hohes S/N-Verhältnis aufweist. Bei der Ausführungsform in
der Fig. 5 wird das Empfangs signal von den ringförmigen Detektoren
gleichzeitig mittels zweier unterschiedlichen Methoden behandelt, bevor es in die Kathodenstrahlröhren 40 und 41 weitergeleitet wird. Auf diese
6831 509808/0779
Weise kann man zwei verschiedene Arten von Bildern beobachten.
Die Fig. 7 und 8 zeigen Ausführungsformen, welche geeignet sind, rückgestreute Elektronen zu empfangen.
Ih der Fig. 7 ist mit 42 ein unteres Polstück einer Endstufe einer Fokussierungslinse,
welche den Elektronenstrahl 2 auf einen Punkt auf der Oberfläche einer Probenmasse 43 fokussiert, bezeichnet. Diese
Probenmasse wird von einem Probenträger 44 getragen. Da die Probenoberfläche senkrecht zum Elektronenstrahl 2 ist, fällt der mittlere
Strahl der rückgestreuten Elektronen mit dem bestrahlenden Elektronenstrahl2 zusammen. Da ferner die ringförmigen Detektoren 45a, 45b,
45c und 45d am unteren Polstück 42 angeordnet sind, fällt ihre gemeinsame Achse mit dem Elektronenstrahl zusammen. Die.Ausgänge der
Detektoren werden der Signalverarbeitungsschaltung 11 bzw. 39, beispielsweise der Ausführungsform in der Fig. 1 oder 4, zugeleitet.
Beim Ausführungsbeispiel in der Fig. 8 ist die Probenmasse 43 so angeordnet,
daß der Elektronenstrahl 2 unter einem Winkel 3 (= 45 ) auf die Probenoberfläche auftrifft. Darüber hinaus sind die ringförmigen Detektoren
45a, 45b,45c und 45d so angeordnet, daß der Mittelstrahl 46 der rückgestreuten Elektronen mit der gemeinsamen Achse der ringförmigen
Detektoren zusammenfällt.
In der Fig. 9 ist ein ringförmiger Detektor dargestellt, der aus mehreren
winzigen Detektorelementen 47 zusammengesetzt ist, wie das durch die Linienschraffur dargestellt ist. Um diesen Detektortyp für den angegebenen
Zweck verwenden zu können, sind die Ausgänge von bestimmten Gruppen von Elementen durch Verbindungsschalckreise 48, 49 und 50
miteinander verbunden. Hierdurch können Ausgänge Q., Q? und Q„
gleich den Ausgängen von ringförmigen Detektoren 8a, 8b und 8c, welche
6831 50-9808/07 7 9
in den vorherigen Ausführungsbeispielen beschrieben worden sind, gemacht
werden. In einem anderen Fall kann die Verarbeitung der Ausgangssignale aller winziger Detektoren von einem Rechner 51 verarbeitet
werden.
6831 509808/0779
Claims (1)
- ^PatentansprücheRasterelektronenmikroskop für die Aufzeichnung insbesondere eines Durchstrahlungsbildes mit einem elektronenoptischen System zur Fokussierung eines Elektronenstrahles und zur Abtastung einer Probe, welche insbesondere aus einem dünnen Film Bestellt mittels des iSlektronenstrahleSj der in einer Elektronenstrahlquelle erzeugt wird und mit Aufzeichnungsmitteln für ein Rasierbild auf einer Kathodenstrahlröhre, welche mit dem abtestenden Elektronenstrahl synchronisiert ist, wobei die Helligkeit der Kathodenstrahlröhre in Abhängigkeit vom empfangenen Signal der durch die Probe hindurchgestrahlten bzw» von der Probe gestreuten Elektronen moduliert wird, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere ringförmige Detektoren "(8a, b, C9 d; 45a, hs c, d), deren gemeinsame Achse mit der optischen Achse des elektronenoptischen Systems zusammenfällt sowie eine Signalverarbeitungseinriehtung (11; 39; 51) zum Addieren, Subtrahieren und/oder Dividieren der Ausgangssignale der Detektoren vorgesehen sind,2ο Rasterelektronenmikroskop nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Signalverarbeitungseinrichtung eine Vergleicherschaltung (17; 3Oj, SI«, 32) zum Vergleichen des Signalverhältnisses von zwei Ausgangs Signalen der ringförmigen Detektoren mit einem konstanten Signal sowie ferner Steuerungseinrichiungen zum Ansteuern von Torschaltungen (14 bzw= 15; 33, 34P 35), welche zwischen die Kathodenstrahlröhren und die ringförmigen Detektoren geschaltet sind, in Abhängigkeit vom Ausgang der Vergleichsschaltung enthält»3. Rasterelektronenmikroskop nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß anstelle der ringförmigen Detektoren ein einzelner Detektor vorgesehen ist, der aus mehreren winzigen auswählbaren Detektorelementen besteht, die gleichförmig unter der Probe angeordnet sind.6831- BQ98-Ö8/Ö77S4. Rasterelektronenmikroskop nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ferner zwischen der Probe und den Detektoren eine weitere Linse (21) vorgesehen ist bzw. die Probe (3) im Feld dieser Linse angeordnet ist.5. Rasterelektronenmikroskop, bei dem aus reflektierten bzw. rückgestreuten Elektronen ein Bild erzeugt wird nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoren so angeordnet sind, daß sie die rückgestreuten bzw. bei schrägem Strahleinfall die unter den entsprechenden Winkeln gestreuten Elektronen auffangen.6331 509808/0779Lfii a r ς ö j f
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8466273A JPS5329472B2 (de) | 1973-07-27 | 1973-07-27 | |
| JP48141620A JPS5093078A (de) | 1973-12-17 | 1973-12-17 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2436160A1 true DE2436160A1 (de) | 1975-02-20 |
| DE2436160B2 DE2436160B2 (de) | 1978-03-23 |
| DE2436160C3 DE2436160C3 (de) | 1978-11-23 |
Family
ID=26425657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2436160A Expired DE2436160C3 (de) | 1973-07-27 | 1974-07-26 | Rasterelektronenmikroskop |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4068123A (de) |
| DE (1) | DE2436160C3 (de) |
| FR (1) | FR2220871B1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1313126A3 (de) * | 2001-11-16 | 2005-01-19 | LEO Elektronenmikroskopie GmbH | Detektoranordnung und Detektionsverfahren |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2297452A1 (fr) * | 1975-01-08 | 1976-08-06 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de controle de balayage d'une cible par un faisceau de particules |
| DE2652273C2 (de) * | 1976-11-12 | 1978-11-02 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur bildlichen Darstellung eines Beugungsbildes bei einem Durchstrahlungs-Raster-Korpuskularstrahlmikroskop |
| NL7804037A (nl) * | 1978-04-17 | 1979-10-19 | Philips Nv | Elektronenmikroskoop met ongedifferentieerde fase- beeldvorming. |
| FR2441182A1 (fr) * | 1978-11-07 | 1980-06-06 | Thomson Csf | Dispositif de visualisation de la repartition de la densite du courant au sein d'un faisceau de particules chargees |
| US4439680A (en) * | 1980-06-26 | 1984-03-27 | Regents Of The University Of Minnesota | Color-coded mapping system and method for identifying elements in a specimen |
| JPS5780649A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-20 | Hitachi Ltd | Electron ray energy analyzer |
| JPS58152354A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-09 | Hitachi Ltd | 電子顕微鏡の軸調整装置 |
| US4514629A (en) * | 1982-07-07 | 1985-04-30 | National Research Development Corporation | Scanning transmission electron microscopes |
| DE3602366A1 (de) * | 1986-01-27 | 1987-07-30 | Siemens Ag | Verfahren und anordnung zum nachweis der auf einer probe von einem primaeren korpuskularstrahl ausgeloesten sekundaerkorpuskeln |
| US4897545A (en) * | 1987-05-21 | 1990-01-30 | Electroscan Corporation | Electron detector for use in a gaseous environment |
| JPS6482445A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Hitachi Ltd | Charged particle detector |
| JPH07105209B2 (ja) * | 1988-04-28 | 1995-11-13 | 株式会社日立製作所 | 電子顕微鏡 |
| JP2602287B2 (ja) * | 1988-07-01 | 1997-04-23 | 株式会社日立製作所 | X線マスクの欠陥検査方法及びその装置 |
| JPH0233843A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
| US5093573A (en) * | 1990-06-04 | 1992-03-03 | Nobuo Mikoshiba | Reflection electron diffractometer and method for observing microscopic surface structure |
| JP3287858B2 (ja) * | 1991-05-15 | 2002-06-04 | 株式会社日立製作所 | 電子顕微鏡装置及び電子顕微方法 |
| US5866905A (en) * | 1991-05-15 | 1999-02-02 | Hitachi, Ltd. | Electron microscope |
| DE69223088T2 (de) * | 1991-06-10 | 1998-03-05 | Fujitsu Ltd | Apparat zur Musterüberprüfung und Elektronenstrahlgerät |
| US5557105A (en) * | 1991-06-10 | 1996-09-17 | Fujitsu Limited | Pattern inspection apparatus and electron beam apparatus |
| US5384463A (en) * | 1991-06-10 | 1995-01-24 | Fujisu Limited | Pattern inspection apparatus and electron beam apparatus |
| US5212383A (en) * | 1991-07-29 | 1993-05-18 | David Scharf | Color synthesizing scanning electron microscope |
| GB2393571B (en) * | 2002-09-26 | 2007-03-21 | Leo Electron Microscopy Ltd | Improvements in and relating to the control of instruments |
| US7872236B2 (en) * | 2007-01-30 | 2011-01-18 | Hermes Microvision, Inc. | Charged particle detection devices |
| ITBO20070409A1 (it) * | 2007-06-11 | 2008-12-12 | C N R Consiglio Naz Delle Ri C | Dispositivo rivelatore per microscopio elettronico. |
| US7960697B2 (en) * | 2008-10-23 | 2011-06-14 | Hermes-Microvision, Inc. | Electron beam apparatus |
| US7919760B2 (en) * | 2008-12-09 | 2011-04-05 | Hermes-Microvision, Inc. | Operation stage for wafer edge inspection and review |
| US8094924B2 (en) * | 2008-12-15 | 2012-01-10 | Hermes-Microvision, Inc. | E-beam defect review system |
| US20140027632A1 (en) * | 2012-07-26 | 2014-01-30 | Gatan, Inc. | System and method for measuring angular luminescence in a charged particle microscope |
| US9190241B2 (en) | 2013-03-25 | 2015-11-17 | Hermes-Microvision, Inc. | Charged particle beam apparatus |
| US9177758B2 (en) * | 2013-03-25 | 2015-11-03 | Hermes Microvision Inc. | Charged particle beam apparatus |
| US10236156B2 (en) | 2015-03-25 | 2019-03-19 | Hermes Microvision Inc. | Apparatus of plural charged-particle beams |
| JP7431136B2 (ja) * | 2020-10-09 | 2024-02-14 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置、及び制御方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3473023A (en) * | 1967-02-01 | 1969-10-14 | Rupert Bloch | Process for a linear analysis of surfaces of structurally heterogeneous metallic or non-metallic substances |
| DE1639280C3 (de) * | 1967-03-30 | 1974-01-31 | Takeo Kawasaki Kanagawa Ichinokawa (Japan) | Elektronenmikroskop mit einer magnetischen Zylinderlinse zur Energieanalyse der Elektronen |
| NL7100609A (de) * | 1970-02-07 | 1971-08-10 | ||
| US3626184A (en) * | 1970-03-05 | 1971-12-07 | Atomic Energy Commission | Detector system for a scanning electron microscope |
| US3812288A (en) * | 1972-11-21 | 1974-05-21 | Edax Int Inc | Television display system |
-
1974
- 1974-07-25 FR FR7425921A patent/FR2220871B1/fr not_active Expired
- 1974-07-25 US US05/491,835 patent/US4068123A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-07-26 DE DE2436160A patent/DE2436160C3/de not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1313126A3 (de) * | 2001-11-16 | 2005-01-19 | LEO Elektronenmikroskopie GmbH | Detektoranordnung und Detektionsverfahren |
| US7084406B2 (en) | 2001-11-16 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Detector arrangement and detection method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2220871A1 (de) | 1974-10-04 |
| DE2436160B2 (de) | 1978-03-23 |
| DE2436160C3 (de) | 1978-11-23 |
| US4068123A (en) | 1978-01-10 |
| FR2220871B1 (de) | 1978-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2436160C3 (de) | Rasterelektronenmikroskop | |
| DE19838600B4 (de) | Energiefilter und Elektronenmikroskop mit Energiefilter | |
| DE1943140B2 (de) | Verfahren zum analysieren des oberflaechenpotentials eines prueflings | |
| DE112014007154B4 (de) | Ladungsteilchen-Strahlvorrichtung | |
| DE3412715C2 (de) | Feldemissions-Abtastelektronenmikroskop | |
| DE102014226985A1 (de) | Verfahren zum Analysieren eines Objekts sowie Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens | |
| DE3504720C2 (de) | ||
| DE2011470A1 (de) | Verfahren zum Auswerten eines nach einem Rasterverfahren aufgenommenen Bildes | |
| DE3249005T1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur bilderzeugung | |
| EP0428906B1 (de) | Korpuskularstrahlgerät | |
| DE4423407C2 (de) | Vorrichtung zum Abtasten einer Probe mit fokussierten Ionenstrahlen sowie ein Beobachtungsverfahren und ein Bearbeitungsverfahren unter Verwendung dieser Vorrichtung | |
| DE2731142C3 (de) | Verfahren zur Feststellung der Lage eines Elektronenstrahls in bezug auf auf einem Objekt angeordnete Ausrichtmarkierungen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
| DE102008038216A1 (de) | Verfahren zum Erzeugen von Korpuskularstrahlbildern mit einem Korpuskularstrahlgerät | |
| DE2652273C2 (de) | Verfahren zur bildlichen Darstellung eines Beugungsbildes bei einem Durchstrahlungs-Raster-Korpuskularstrahlmikroskop | |
| DE19855629A1 (de) | Teilchenoptische Anordnung und Verfahren zur teilchenoptischen Erzeugung von Mikrostrukturen | |
| DE1564658A1 (de) | Verfahren zur genauen Fokussierung der Objektivlinse eines Korpuskularstrahlmikroskops,insbesondere eines Elektronenmikroskops | |
| DE2043749C3 (de) | Raster-Korpuskularstrahlmikroskop | |
| DE2440120A1 (de) | Vorrichtung zur wiedergabe der energieverteilung eines aus geladenen teilchen bestehenden strahles | |
| DE2529735A1 (de) | Korpuskularstrahlmikroskop, insbesondere elektronenmikroskop, mit verstelleinrichtungen zur aenderung der lage des abzubildenden objekts | |
| DE1248181B (de) | Elektronenmikroskop mit einem monoenergetischen Elektronenbuendel | |
| DE19703048B4 (de) | Fuzzy-gesteuertes Linsensystem einer teilchenoptischen Kolonne und Verfahren zu seinem Betrieb | |
| DE2719800C3 (de) | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Projektion einer Maske auf ein Präparat mit einer Einrichtung zur Justierung der Maske relativ zum Präparat und Verfahren zur Justierung | |
| DE102019101750A1 (de) | Elektronenstrahlvorrichtung | |
| DE940615C (de) | Verfahren und Vorrichtung zur roentgenmikroskopischen Darstellung der Struktur mikroskopischer Objekte | |
| DE1764467A1 (de) | Mikroskop |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: LIEDL, G., DIPL.-PHYS., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN |
|
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |