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DE2425379A1 - Molybdaen-aetzmittel - Google Patents

Molybdaen-aetzmittel

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Publication number
DE2425379A1
DE2425379A1 DE19742425379 DE2425379A DE2425379A1 DE 2425379 A1 DE2425379 A1 DE 2425379A1 DE 19742425379 DE19742425379 DE 19742425379 DE 2425379 A DE2425379 A DE 2425379A DE 2425379 A1 DE2425379 A1 DE 2425379A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
molybdenum
etchant
solution
layer
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19742425379
Other languages
English (en)
Inventor
Daniel Leonard Brors
Henry Durward Rodeen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Western Digital Corp
Original Assignee
Western Digital Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Digital Corp filed Critical Western Digital Corp
Publication of DE2425379A1 publication Critical patent/DE2425379A1/de
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54Absorbers, e.g. of opaque materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
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    • GPHYSICS
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    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

  • Molybdän-Ätzmittel Die Erfindung betrifft das Gebiet der phototechnischen Herstellung oder Bearbeitung von WerkstUcken und insbesondere die Anwendung in der elektronischen Industrie für die Herstellung von integrierten Schaltungen, Masken fUr die Herstellung von integrierten Schaltungen u.dgl.
  • In den vergangenen Jahren hat die Anwendung von phototochnischen Herstellungsverfahren und Techniken filr die Massenproduktion erheblich zugenommen. Derartige Techniken wurden zur Herstellung von Teilen aus Blech durch Ätzung, insbesondere dann verwendet, wenn die Teile nur unter sehr großen Schwierigkeiten oder überhaupt nicht durch Stanzen oder andere mechanische Bearbeitungsverfahren hergestellt werden konnten.
  • Weiter wurden PrOdukte hergestellt, bei denen ein akuter in einer auf einem Grundmaterial aufgebrachte Schicht eingeätzt wurde, wie beispielsweise gedruckte Schaltungskarten. Am notwenigsten ist die Verwendung von phototechnischen Herstellungs verfahren jedoch auf dem Gebiet der Herstellung von Halbleiter-Bauelementen, insbesondere integrierten Schaltungen, bei denen Kantenbegrenzungen in der Größenordnung von etwa 250µm und weniger erforderlich sind, und wobei Maskeneigenschaften, wie Verschleißwiderstand, Featigkeit, Fehlerfreiheit wesentliche Erfordernisse sind.
  • Die Heretellung von integrierten Schaltungen erfolgt im allgemeinen durch eine Reihe von Photofabrikations schritten, die dazu dienen, Flächen auf einem Substrat zu begrenzen, so daß Materialien niedergeschlagen oder abgeätzt werden können und Dotiermittel durch die so begrenzten Flächen il das Substrat eindiffundiert werden können. So können beispielsweise sowohl Bipolar wie auch Peldeffekt-Bauelemmte durch Diffusion eines oder mehrerer Dotiermittel in vorbestimmte Flächen eines Silizium-Substrats hergestellt werden.
  • Im allgemeinen erfolgt dies so, daß Ueber einem Substrat eine Siliziumoxidschicht und hierauf eine Photolackschicht vorgesehen werden, worauf der Phttolack durch eine Photomaske mit einer geeigneten Lichtquelle belichtet wird. Danach wird der Photolack entwickelt und abhängig von der Eigenschaft des Photolacks werden entweder die belichteten oder die unbelichteten Flächen ausgelöst, wodurch ausgewählte Flächen der Siliziumoxidschicht freigelegt werden. Ein geeignetes Ätzmittel wird zur Entfernung der Siliziumoxidschicht und zur Freilegung der unter ihr befinalichen Substratoberfläche verwendet. Nach der Entfernung desxertlichen Photolacks mittels eines geeigneten Lösungsmittels können Dotierstoffe selektiv in die freigelegten Flächen eindiffundiert werden, da du verbleibende Oxid WT die üblichen Dotierstoffe renativ undurchlässig ist. Die Herstellung der meisten Bauelemente erfordert dann im allgemeinen die erneute Bildung einer Oxidschicht über den freigelegten Substrat-Zonen und die Begrenzung einer oder mehrerer. zußätzlicher Zonen zur Diffusion o.dgl0 in fester, vorbestimmter Lagerzu den Flächen des ersten Diffusionsvorgangs. Diese zweiten Flächen werden wieder mit der gleichen Reihe von Photofabrikationsschritten begrenzt, wobei geeignete Masken zur Begrenzung der neuen Flächen verwendet werden. Der abschließende Verfahrensechritt bei der Herstellung von integrierten Schaltungen umfasst zumeist die Niederschlagung einer geeigneten Metallschicht und die Ätzung der Matallschicht in ein vorbestimmtes Muster, das wiederum in fester Beziehung zu den in früheren Photofabrikationsschritten hergestellten ein diffundierten Zonen, niedergeschlagenen Schichten usw.
  • steht, so daß beispielsweise Verbindungsleitungen der Schaltung u.dgl. erzeugt Werden.
  • Im vorliegenden Stand der Technik kann eine typische iwltegrierte Schaltung eine Seitenlänge in der Größenordnung von etwa 2,5 mm haben, wobei Schaltungen mit Integration in größerem Format Seitenlängen bis zu einer Größe von etwa 6,4 mm haben können. Halbleiterscheibchen,auf denen derartige Schaltungen hergestellt werden, haben üblicherweise die Größenordnung von etwa 50 mm, wobei in der Industrie gegenwärtig eine Tendenz zur Verschiebung dieser Größe auf einen Standard-Scheibchendurchmesser von etwa 75 mm zu beobachten ist. Photomasken haben daher üblicherweise ein Matrix-Muster der gewünschten Schaltungsmuster. Während jede Maske eines zur Herstellung einer integrierten Schaltung verwendeten Maskensatzes unterschiedlich ist, muß offensichtlich die Maskengeometrie extrem genau sein, wenn die Masken genau übereinander gelegt werden ollen, wie dies zur Ausrichtung Jeder Maske fUr Jede gleichzeitig auf einem Einzelscheibchen gebildeten integrierten Schaltung erforderlich ist. Beim g gegenwärtigen Stand der Technik liegen die Kantenbegrenzungen auf Photomasken in der Größenordnung von 0,25 mm und weniger bei durch die Photomaske begrenzten diffundierten Zonen, welche Widerstände, eindiffundierte Schaltungsverbindungen u.dgl. mit Breiten, in der Größenordnung von etwa 0,025 mm und weniger aufweisen. FUr die Herstellung von Photomasken verwendete Materialien und die Herstellungsverfahren müssen daher so ausgewählt sein, daß ein extrem scharfes, genau begrenztes und präzis ausgerichtetes Muster auf den Photomasken erzielt wird.
  • Wegen der erforderlichen Genauigkeit wird bei den zur Herstelung von integrierten Schaltungen angewandten Photo-Fabrikationsverfahren die Kontaktdrucktechnik angewandt, bei der die Musterseite der Photomaske in direkter Anlage an der Photolackschicht auf dem Substrat steht. Daher unterliegt die Maske einer möglichen Abnutzung und mechanischen Verschlechterung des extrem empfindlichen Musters. Auch die geringste Fehlstelle der Maske, sei sie durch eine Mikropore oder ein Nadelloch in der Maskierschicht vor der Bildung des Musters oder durch eine Beschädingung nach deren Herstellung entstanden, führt zu einer nicht bunktionsfähigen integrierten Schaltung von diesem Muster. Für die Herstellung von in der Produktion eingesetzten Masken werden Ublicherweise sogenannte Master-Masken eingesetzt, und zwar ebenfalls in einem Kontaktdruckverfahren, so daß hierbei dieselben Probleme auftreten.
  • Die bekannten Photomasken weisen im allgemeinen eine bekanne Silber- Silberhalogenid-Schicht auf einem Glassubstrat auf, die mittels bekannter Verfahren belichtet und entwickelt wird. Einig gegenwärtig verwendete neuere Materialien umfassen Silizium-Masken und Chrom-Masken.
  • Von diesen sind Chrom-Masken die einzigen Metallschicht-Masken, die in erwähnenswerten Mengen eingesetzt wurden.
  • Metallisierungsschichten auf Halbleiter-Bauelementen, die zur Bildung von Verbindungsleitungen u. del. gemustert werden, bestehen im allgemeinen aus Aluminium oder Gold und deren Legierungen. Unter bestimmten Umständen werden Jedoch andere Materialien verwendet, wenn unterschiedliche elektrische Eigenschaften, bessere Haftung, höhere Temperatur - Beständigkeit und/oder andere Eigenschaften erforderlich sind. Unter diesen Materialien ist Molybdän zu erwUmen, welches ein gegen temperatureinflüsse widerstandsfähiges Material, Jedoch nicht leicht zu ätzen ist.
  • Für das Ätzen derartiger Materialien, wie Molybdän sind daher im allgemeinen starke Ätzmittel erforderlich, welche die Tendenz haben, auch den Photolack anzugreifen, wodurch die erreichbare Kantenbegrenzung beeinträchtigt und eine verminderte Qualität des Maskenmusters erhalten wird.
  • Dem-gegenüber liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren sowie ein Ätzmittel fär die Ätzung von Molybdän anzugeben, welches die Herstellung hochgenauer Muster auf Photomasken ermöglicht, deren Maskenschicht aus Molybdän besteht.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren zur Ätzung von Molybdän besteht darin, daß zunächst eine Lösung aus H2O und H2O2 und daß Kontakt zwischen der Lösung und dem Molybdän hergestellt wird. Eine weitere Verbesserung kann dadurch erzielt werden, daß der Lösung ein Netzmittel zugefttgt wird.
  • Das erfindungsgemäße Ätzmittel ist also durch eine Lösung von H2O und H2O2 gekennzeichnet, die vorzugeweise zusätslich ein Netzmittel aufweist.
  • Mit dem erfindungsgemäßen Ätzmittel wird so ein Molybdän-Ätzmittel zur Verfügung gestellt, das für solche Zwecke, wie dem Ätzen von Mustern in Dünnschichten aus Molybdän und zur Herstellung von Photomasken verwendbar ist. Eine Photomaske kann beispielsweise aus einer Dünnschicht aus auf ein transparentes Substrat, beispielsweise Glas, niehrgeschlagenom Molybdän bestehen, in welche das erforderliohe Photomaskenmuster eingeätzt ist, Konventionelle photollithographische Verfahren, wie sie bei der Herstellung von Halbleiter-Bauelementen üblicherweise verwendent werden, können sur Erzeugung des Musters in der Molybdän-Schicht angewandt werden, mit der Ausnahme, daß bei der Erfindung das Ätzmittel ein Gemisch aus Wasserstoffperoxid, Wasser und einem geeigneten Netzmittel ist, welches eine schnelle Ätzrate ohne Angreifen des Photolacks zur Bildung des Musters erlaubt.
  • Die Erfindung ist nachstehend anhand der Zeichnung näher erläutert, und zwar zeigt: Fig. 1 eine Schnittansicht durch ein transparentes Substrat mit einer auf ihm niedergeschlagenen Molybdän-Schicht: Pig. 2 eine Schnitt ansicht des in Fig. 1 gezeigten Substrats, wobei uber der Molybdän-Schicht eine Photolaok-Schicht dargestellt ist; Fig, 3 eine Schnitt ansicht des Substrats nach der Belichtung und Entwicklung des Photolacks; Fig. 4 eine Schnittansicht nach dem Abätzen der freiliegenden Flächen der Molybdän-Schicht mittels des erfindungsgemäßen Ätzmittels; und Fig. 5 eine Schnittansicht des Substrats nach Entfernung des restlichen Photolacks.
  • Molybdän ist ein temperaturbeständiges Metall, welches sehr hart und hooh-korrosionsfest ist. Wegen dieser Eigenschaften wurds es sowohl für Dünnschichten, wie auch für Dickschichten, beispielsweise als Gate-Elektroden fur MOS-Bauelemente mit metallischem Gate verwendet. Wegen seiner Korrosionsbeständigkeit war das Ätzen von Molybdän Jedoch bisher ein Hauptproblem und die im Stande der Technik verwendeten Standard-Ätzmittel, wie HCL, HNO2; H2SO1; Königswasser u.dgl. zeigten hohen Korrosionsangriff und waren mit Photolack-Emulsionen nicht verträglich, Daher war die erzielbare Kantenbegrenzung beim Versuch, Muster in Molybdän einzuätsen, bisher schlecht, weil Hinterschneidungarund Schädigungen des Photolacks durch das Ätzmittel auftraten.
  • s hat sich herausgestellt, daß mit der erfindungsgemäßen Lösung aus Wasserstoffperoxid und Wasser, die vorzugsweise mit einem Netzmittel, beispielsweise einem Detergens versetzt sind, ein hervorragendes Molybdän-Ätzmittel gegeben ist. So ätzt die Lösung das Molybdän schnell und gleichmäßig, obwohl die üblichen Photolacks nicht angegriffen werden. Außerdem ist die Lösung ungiftig und deshalb einfach in der Anwendung. Eine im Verhältnis 1 t 1 zusammengesetzte Lösung aus H2O;H2O2 hat die gewünschten Eigenschaften, obgleich auch Lösungen im Bereich von 4 t 1 2 t 3 von H2O:H2O2 in Abhängigkeit von solchen Einflußgrößen, wie der gewünschten Ätzrate u.dgl. verwendet werden können. Eine große Anzahl von Netzmittel sind als Teil des Ätzmittels verwendbar, beispielsweise ein von der Firma Proctor and Gamble unter der Bezeichnung Joy vertriebenes Detergens.
  • Da beider Ätzung die Standard-Photolack-Emulsionen nicht nerlich angegriffen werden, ist es nunmehr unter Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens möglich, Molybdän-Photomasken sahr hoher Qualität für die Produktion von Halbleiter-Bauelementen hersustellen. Eine solche Maske kann hergestellt werden, indem ein fur die gewünschte Wellenlänge von Licht, üblicherweise ultraviolettes Licht, hinreichend transparantes Substrat benutzt wird, beispielsweise das in Fig. 1 mit 20 bezeichnete Substrat, und indem über diesem Substrat eine dünne Schicht 22 aus Molybdän niedergeschlagen wird. Im allgemeinen wird ein Glassubfrat verwendet, obgleich auch andere geeignete Materialien, bei spielsweise Quarz, verwandet werden können, Die Niedersohlagung des Molybdäns kann mit bekannten Zerstäubungsverfahren erfolgen. Pllr die Herstellung von Photomasken sollte das Molybdän mit einer Dicke in der Größenordnung von 200 - 900 t und vorsugsweise mit einer Dicke von etwa 500 t aufgebracht werden. Der in Fig. 1 gezeigte Ausgangsbauteil für die Molybdän-Mesken kann dann mit einem bekannten Photolack (entweder einem positiven oder einem negativen Photolack) schleuderbeschichtet werden. Eine derartige Schleuderbeschichtung ist in der Photofabrikation bekannt und wird insbesondere bei der Herstellung von Halbleiter-Bauelementen als bekanntes Verfahren eingesetzt, so daß es im vorliegenden Zusammenhang nicht weiter beschrieben werden muß.
  • Nach der Sohleuderbesohichtung des ausgangsbauteils wird der beschichtete Molybdän-rohteil vorzugsweise gebrannt, um Lösungsmittel und andere leichtflüchtige Materialien aus der Photolackschicht auszuteiben und die mechanische Unversehrtheit der Schicht zu verbessern. Der mit einer Photolaokschicht 24 versehene Photomasken-Rohteil ist in Fig 2 gezeigt.
  • Im nächsten Schritt wird die Photolaok-Schicht 24 mittels einer geeigneten Lichtquelle, üblicherweise einer Ultraviolett-Lichtquelle, durch eine Maskiereinriohtung so belichtet, daß im Photolaok das gewünschte Muster abgebildet wird. Es ist ersichtlich, daß andere Lacke, beispielsweise Elektronen-Lacke verwendet werden können, wobei der Lack dann in geeigneter Weise. beispielsweise in einem Elektronenstrahl-Muster-Generator oder in einem El ektronenbild-Projektionssystem belichtet wird. Bei der Herstellung von Produktionsmasken erfolgt diese Belichtung üblicherweise unter Anwendung einer bestimmten Form einer Master-Maske in einem Kontaktdruckverfahren. Wenn die herzustellende Maske selbst eine Master-Maske ist, dann kann die Belichtung auf andere Weise, beispielsweise mittels einer Intervall- und Wiederholungskamera (step and repeat camera) erfolgen. Solche Einrichtungen sind bekannt und werden zur Verkleinerung eines Schaltungsmusters auf photographischem Wege und zur mechanischen stufenweise wiederholten Belichtung verwendet, so daß der Photolack wiederholt im Schaltungsmuster belichtet wird, um eine Matrix der Schaltungemuster in ihm zu erzeugen. Nach der Belichtung wird der Photolack entwickelt, mit dem Ergebnis, daß der Photolack in den Flächen, wo er mit Ultraviolett-Licht belichtet ist oder in den Gebieten, in denen er vor dem ultravioletten Licht maskiert war, entfernt wird, was davon abhängt, ob ein positiver oder ein negativer Lack verwendet wurde.
  • Nach diesem Verfahrensschritt ist es angezeigt, wenn auch nicht unbedingt erforderlich, den Masken-Rohteil erneut zu brennen. Das Ergebnis ist in Fig. 3 gezeigt, in der die Photolackschicht 24 nunmehr gemustert ist, wobei vorbestimmte Flächen der darunterliegenden Molybdän-Schicht 22 freiliegen.
  • Der nächste Schritt bei der Herstellung der Photomaskdn ist die Ätzung der entwickelten Rohteile mit dem erfindungsgemäßen Ätzmittel. Infolge der gleichförmigen Ätzrate des Ätzmittels und weil der Photolaok durch das Ätzmittel nicht aegegriffen wird, ist die Größensteuerung des Ätzmnsters leicht zu erreichen, auch dann, wenn eine Partie-weise Prozessftihrung erfolgt, da das Ätzmittel das Substrat 20 nicht angreift und keine merkliche Hinterschneidung auftritt, wenn geeignete Partie-Steuerungsverfahren angewandt werden.
  • Im abschließenden Herstellungsschritt der Masken wird der Photolaok entfernt, wobei vorzugsweise säurefreie Mittel, beispielsweise J-loo ( eine Bezeichnung eines Mittelsder Firma Indust-Ri-Chem Lab, Inc. Riohardson, Texas,) oder ein Alkohol-Azeton-Freon-Gemisch verwendet werden In Fi8. 5 ist die so hergestellte Photomaske gezeigt, die aus einem Substrat 2c besteht, auf dem die gemusterte Molybdän-Schicht 22 liegt.
  • Das erfindungsgemäße Ätzmittel hat also eiqr Anzahl von sehr wesentlichen Vorteilen gegenüber den #ekannten für die Ätzung von Molybdän verwendeten Ätzmittel, insbesondere spweit sie für die Ätzung von Mustern in Dünnschichten verwendet wurden, Das erfindungsgemäße Ätzmittel hat eine gute Ätzrate und hat einen gleichförmigen Ätzangriff. Die bekannten Photolack-Materialien werden nicht angegriffen, so daß Hinterschneidungen auf ein Minimum begrenzt werden und die Kantenbegrenzung und die genaue örtliche Anordnung eines geätzten Musters im wesentlichen durch das Photolack-Muster bestimmt werden.
  • Im Gegensatz zum Stand der Technik ist das Ätzmittel außerdem ungiftig und deshalb in der Herstellung und Handhabung einfach.
  • Das erfindungsgemäße Ätzmittel ist vorstehend im Zusammenhang mit einem Verfahren zur Herstellung einer Photomaske beschrieben, Jedoch ist ersichtlich, daß die Anwendung des Ätzmittels nicht hierauf beschränkt ist, da CB ganz allgemein für die Ätzung von Molybdän, speziell für dlicke oder dünne Schichten geeignet ist, wobei ei gleichgultig ist, ob diese Schicht für integrierte Schaltungsbauelemente oder Photomasken oder dergl. verwendet werden. Außerdem ist es gleichgültig, ob das Molybdän im wesentlichen rein oder nur in erheblichen Mengen in einem Material enthalten ist.

Claims (9)

  1. Patentansprüche
    Verfahren zur Ätzung von Molybdän, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst eine Lösung aus H2O und H2O2 und dann Kontakt zwischen der Lösung und dem Molybdän hergestellt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Lösung ein Netzmittel zugefügt wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Netzmittel ein Detergens verwendet wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Mengenverhältnis der Lösung aus H2°2 und H2O auf einen Bereich zwischen 1 t 4 3 s 2 eingestellt wird.
  5. 5. Ätzmittel für Metalle, insbesondere zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 - 4, gekennzeichnet durch eine Lösung von H2O und H2O2.
  6. 6. Ätzmittel nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung zusätzlich ein Netzmittel aufweist,
  7. 7. Ätzmittel nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Mengenverhältnis von H2O2 und H2O der Lösung im Bereich zwischen 1 s 4 und 3 1 2 liegt.
  8. 8. Verfahren zur Herstellung einer Molybdän-Photomaske unter Verwendung des Ätzmittels nach einem der Ansprüche 5 # 7, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer Seite eines für eine vorbestimmte Wellenlänge von Licht im wesentlichen durchlässigen Substrats eine Schicht aus Molybdän niedergeschlagen wird; daß die Molybdän-Schicht mit einem für eine bestimmte Art der Belichtung empfindlichen Lack beschichtet und der Lack dann in einem vorgewählten Muster auf die bestimmte Art belichtet wird; daß der Lack dann entwickelt und die nach der Entwicklung des Lacks freiliegenden Bereiche der Molybdän-Schicht mit dem Ätzmittel in Kontakt gebracht werden; und daß nach hinreichender Ätzung der restliche Lack entfernt wird.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontakt zwischen Ätzmittel und Molybdän-Schicht durch Eintauchen des Substrats in das Ätzmittel hergestellt wird.
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