[go: up one dir, main page]

DE2419040A1 - Regenerier- und bewerterschaltung nach art eines getasteten flipflops - Google Patents

Regenerier- und bewerterschaltung nach art eines getasteten flipflops

Info

Publication number
DE2419040A1
DE2419040A1 DE2419040A DE2419040A DE2419040A1 DE 2419040 A1 DE2419040 A1 DE 2419040A1 DE 2419040 A DE2419040 A DE 2419040A DE 2419040 A DE2419040 A DE 2419040A DE 2419040 A1 DE2419040 A1 DE 2419040A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
flip
flop
transistor
transistors
switching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE2419040A
Other languages
English (en)
Inventor
Dietbert Dipl Phys Essl
Guenther Dipl Ing Meusburger
Gottfried Dipl Ing Wotruba
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DE2419040A priority Critical patent/DE2419040A1/de
Publication of DE2419040A1 publication Critical patent/DE2419040A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/409Read-write [R-W] circuits 
    • G11C11/4091Sense or sense/refresh amplifiers, or associated sense circuitry, e.g. for coupled bit-line precharging, equalising or isolating
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356Bistable circuits
    • H03K3/356017Bistable circuits using additional transistors in the input circuit
    • H03K3/356052Bistable circuits using additional transistors in the input circuit using pass gates
    • H03K3/35606Bistable circuits using additional transistors in the input circuit using pass gates with synchronous operation
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356Bistable circuits
    • H03K3/356069Bistable circuits using additional transistors in the feedback circuit
    • H03K3/356078Bistable circuits using additional transistors in the feedback circuit with synchronous operation
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356Bistable circuits
    • H03K3/356086Bistable circuits with additional means for controlling the main nodes
    • H03K3/356095Bistable circuits with additional means for controlling the main nodes with synchronous operation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

  • Regenerier- und Bewerterschaltung nach Art eines getasteten Flipflops.
  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Regenerierschaltung nach d Oberbegriff des Patentanspruches 1.
  • Regenerierschaltungen die aus einem Flipflop mit Quertransistor bestehen sind bekannt. In der DOS 2 148 896 (unser Zeichen VPA 71/7126) ist eine solche Regenerierschaltung beschrieben.
  • Im wesentlichen besteht eine solche Regenerierschaltung aus zwei Schalttransistoren und zwei Lastwiderständen. Die Lastwiderstände sind dabei vorzugsweise als Feldeffekt-Transistoren ausgebildet. Jeweils ein Knden des FljPfl0D5 ist mit jeweils einer Bitleitung verbunden. Über diese Bitleitungen werden die liesesignale der Regenerierschaltung zugeführt Zwischen den Knoten des Flipflops ist ein Quertransistor vorgesehen.
  • Im Fall des elektrisch leitenden Zustandes dieses Transistors sind die beiden tr.o-ten elektrisch miteinander verbunden u:d befinden sich daher zwangswe i je auf etwa denselben Potential.
  • Im elektrisch gesperrten Zustand des Transistors können die Knoten, wie dies für eine Flipflop-Schaltung typisch ist, zwei zueinander komplementäre stabile Punkte annehmen, wenn an die Anschlüsse der Flipflop-Schaltung eine entsprechende elektrische Versorgungsspannung angeschlossen ist. Die Unschaltung des Quertransistors von dem einen in den anderen Zustand wird durch Anlegen eines entsprechenden Potentials an den Gateanschluß des Quertransistors bewirkt. Durch den elektrischen Kurzschluß zwischen den beiden Knoten wird die Flipflop-Schaltung vor dem Auslesen in einen Arbaitspunkt, in den labilen Punkt, gezwungen. der den labilen Gleichgewichts zustand zwischen den beiden stabilen Zuständen der Flipflop-Schaltung darstellt.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Bewerter- und Regenerierschaltung für Ein-Transistor-Speicherelemente anzugeben, deren Empfindlichkeit größer ist als die Empfindlichkeit der oben geschilderten Regenerierschaltung des Standes der Technik.
  • Diese Aufgabe wird durch eine Regenerierschaltung für Ein-Transistor-Speicherelemente gelöst, die durch die in dem kennzeichen des Patentanspruches 1 angegebenen Merkmale gekennzeichnet ist.
  • Weitere Erläuterungen zur Erfindung und zu deren Ausgestaltungen gehen aus der Beschreibung und den Figuren der Erfindung und deren Weiterbildungen hervor.
  • Figur 1 zeigt in schematischer Darstellung die Schaltung einer erfindungsgemäßen Regenerierschaltung.
  • Figur 2 zeigt das Taktprogramm fur die Schaltung der Figur 1.
  • Das in der Figur 1 dargestellte Flipflop besteht im wesentlichen aus den beiden Inverterstufen 3 und 4 und dem Quertransistor 5. Der Inverter 3 besteht aus dem Schalttransistor 52 une dem vorzugsweise als Lastwiderstand ausgebildeten Beldeffekt-Transistor 31. In der aus der Figur ersichtlichen Weise ist zwischen dem Feldeffekt-Transistor 51 und dem Schalttransistox 32 der Knoten 1 des Flipflops angeordnet. Der Inverter 4 besteht aus dem Schalttransistor 42 und dem vorzugsweise als Lastelement ausgebildeten Feldeffekt-Transistor 41. Die Drainan schlüsse der Transistoren 31 und 41 sind gemeinsam mit dem Anschluß 8 verbunden. Die Gateanschlüsse dieser Transistoren sind mit dem Anschluß 311 verbund-en. Über diesen Anschluß 311 s;tnf beide Transistoren gemeinsam ansteuerbar. Zwischen dem Feldeffekt.
  • Transistor 41 und dem Schalttransistor 42 ist der Krioten 2 des Flipflops angeordnet. Die Knoten 1 und 2 sind in der aus der Figur ersichtlichen Weise über den Quertransistor 5 miteinander verbunden. Der Quertransistor 5 ist über den Gateanschluß 51 ansteuerbar. Der Gateanschluß 321 des Schalttransistors 32 ist über den Transistor 6 mit dem Knoten 2 verbunden. Der Gateanschluß 421 des Transistors 42 ist über den Transistor 7 mit dem Knoten 1~verbunden. Die Gateanschlüsse der Transistoren 6 und 7 sind mit dem Anschlußpunkt 61 verbunden und über diesen gemeinsam ansteuerbar. Die Versorungsspannung wird an die Anschlüsse 8 und 9 des Flipflops angelegt.
  • Vorzugsweise liegt dabei der Anschluß 9 an 1sse. Die Bitleitung 10 ist in dem Punkt 321 mit dem Flipflop verbunden.
  • Die Bitleitung 20 ist in dem Punkt 421 mit dem Flipflop verbunden.
  • In der Figur 1 ist an Ein-Transistor-Speicherelment 21, das aus dem Transistor 22 und dem Kondensator 23 besteht, dargestellt.
  • In dem Punkt 24 ist dieses Speicherelement mit der Bitleitung 20 und in dem Punkt 27 mit der Wortleitung 26 verbunden. Über diese Wortleitung 26 kann der Transistor 22 dieses Speicherelementes leitend geschaltet werden, so daß die in dem Speicherelement 21 in Form von elektrischer Ladung gespeicherte Information auf die Bitleitung 20 fließt.
  • Im folgenden soll nun im Zusammenhang mit der Figur 2 die Funktionsweise einer erfindungsgemäßen Regenerierschaltung erläutert werden. Mit Hilfe der erfindungsgemäß in den Rückopplungszweigen des Flipflops angeordneten Transistoren 6 und 7 soll die Empfindlichkeit, diebsi Flipflop-Schaltungen des Standes der Technik durch Unsymmetrien, die von der unvermeidbaren Parameter-Streuung bei der Herstellung herrühren, relativ klein gehalten wird, erhöht werden. Mit Hilfe dieser Transistoren 6 und 7 ist es möglich, daß jeder Blipflop-Zweig als Vorverstärker für das Lesesignal benutzt werden kann.
  • Dadurch kann die Emfindlichkeit gegenüber den bekannten Schaltungen. bedeutend erhöht werden.
  • Zum Zeitpunkt t1 wird bei eingeschalteten Takten # 311 und # 61 der Takt # 51 an den Quertransistor 5 angelegt. Diese Takte bewirken, daß die Transistoren 31, lyl, 5, 6 und 7 in den leitenden Zustand versetzt werden. Dies hat zur Folge, daß an den Knoten 1 und 2 des Flipflops und somit auch an den Bitleitungen 10 und 20 die Referenzspannung Uref eingeprägt wird. Dies bedeutet, daß die Bitleitungen 10 und 20 ebenfalls auf die Spannung Uref vorgeladen werden (Precharge), wobei die Spannung Uref etwa gleich der idealen Referenzspannung 0,5 . (US1 + USO) ist. Die Spannungen US1und Tr fallen am Speicherkondensator 23 ab, wenn in einem Fall eine "1" und im anderen Fall eine "O" gespeichert ist.
  • Zum Zeitpunkt t2 wird das Potential # 61 abgeschaltet, was bewirkt, daß die Transistoren 6 und 7 in den sperrenden Zustand übergehen. Zum Zeitpunkt t3 wird das Potential # 51 abgeschaltet, was bewirkt, daß der Quertransistor 5 in den sperrenden Zustand versetzt wird. Zum Zeitpunkt t3 zu dem also die Transistoren 5, 6 und 7 sperrend sind, sind die Inverter 3 und 4 voneinander elektrisch getrennt, wobei das Referenzpotentiål Uref an den Bitleitungen 10 bzw. 20 erhalten bleibt.
  • Beim Auslesen eines Speicherelementes, beispielsweise des Speichen elementes 21, wird zum Zeitpunkt t4 das Potential # 26 an die Wortleitung 26 gelegt. Dadurch wird bewirkt, daß der Transistor 22 des Speicherelementes 21 leitend wird, wodurch wiederum an der Bitleitung 20 eine Spannungsänderung #U20' die vergrößert um den Verstärkungsfaktor K des Inverters 4 am Flipflopknoten 2 erscheint, entsteht.
  • Zum Zeitpunkt t5 werden nun mit Hilfe des Taktes # 61 die Transistoren 6 und 7 in den leitenden Zustand versetzt, was bedeutet, daß die Rückkopplung aktiviert wird. Dies bewirkt, daß das Flipflop in die durch das vorverstärkte Lesesignal vorgregebene Richtung kippt.
  • Zum Zeitpunkt t6 ist das Kippen des Flipflops abgeschlossen und das Flipflop befindet sich in jenem stabilen Zustand, der der zum Zeitpunkt t4 ausgelesenen Information entspricht. An den Bitleitungen 10 und 20 liegen dann etwa die Spannungen Ug und U51 an, so daß die Information in das über den Takt # 26 noch immer ausgewählte Speicherelement 21 eingeschrieben wird. Es entsteht jedoch ein wesentlicher Vorteil, wenn zum Zeitpunkt t6 der Takt # 311 abgeschaltet wird,da die Spannung USO dabei zu Null wird, während die Spannung U51 bis auf den infolge des Abschaltens des Taktes # 311 über parasitäre Koppelkapazitäten erfolgenden geringen Verlustes erhalten bleibt.
  • Zum Zeitpunkt t7 ist der Speicherkondensator 23 auf das Informationspotential U50 bzw. U51 (in Figur 2 wird im Kondensator 23 das Potential USO @ O V gespeichert) geladen und es kann zu einem nachfolgenden Zeitpunkt t8 auch der Takt # 61 abgeschaltet werden.
  • Zur vollen Ausnützung der Symmetrieeigenschaften des Flipflops sind bei einer Weiterbildung der erfindungsgemäßen Regenerier schaltung zu beiden Seiten des Flipflops je eine Hilfswortleitung 15 bzw. 25 (Fig. 1) (dummy-word line) über eine Kompensationskapazität 151 bzw. 251 (dummy capacity) in der aus der Figur 1 ersichtlichen Weise angeordnet und mit der Bitleitung 10 bzw. 20 verbunden. Dabei ist die Dimension der Kompensationskapazität 151 bzw. 251 entsprechend der Größe der Gatekapazität des Auswahltransistors 22 des Speicherelementes gewählt. Bei der Auswahl jener Hilf swortleitung, die dem geo wählten Speicherelement gegenüber liegt, werden die über die Gatekapazität des Transistors 22 und der Bit-Wortleitungskapazität 201 erfolgenden. Einkopplung auf die Bitleitungen kompensiert, so daß das Flipflop in der hier angewandten Betriebs art gegen die Auswahl der Wortleitung unempfindlIch ist. Im-Beispiel der Figur 1 wird für den Auswahltransistor 22 die Hilfswortleitung 15 ausgewählt.
  • Vorzugsweise werden als Kompensationskapazitäten 151 bzw. 251 MOS-Kapazitäten verwendet. Dies bietet den zusätzlichen Vorteil, daß diese Elemente die Gatekapazität der Auswahltransistoren, beispielsweise des Auswahltransistors 22, besser nachbilden und daß die ausgewählten Bitleitungen, beispielsweise die Bitleitung 20, nicht zusätlich kapazitiv belastet werden.
  • 6 Patentansprüche 2 Figuren

Claims (6)

  1. P a t e n t a n s p r ü c h e Ö Regenerler- und Bewerterschaltung für Binärsignale nach Art eine: getasteten Flipflops mit wenigstens zwei über Rückkopplungszweige rückgekoppelten, invertierenden Verstärkerstufen, wobei Schaltmittel zum Auftrennen der Rückkopplungszweige vorgesehen.
    sind, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die Knoten (1, 2) des Flipflops zusätzlich über einen steuerbaren Quertransistor (5) verbunden sind.
  2. 2. Regenerier- und Bewerterschaltung nach Anspruch 1, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß wenigstens eine Bitleitung (10, 20) mit einer Gateelektrode (321, 421) wenigstens eines Schalttransistors (32, 42) verbunden ist.
  3. 3. Regenerier- und Bewerterschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß jeweils eine Bitleitung (10, 20) über jeweils eine Kompensationskapazität (151, 251) mit jeweils einer Hilfswortleitung (15, 25) verbunden ist.
  4. 4. Regenerier- und Bewerterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß als Schalt transistoren (32, 42), als Schaltmittel (6, 7), als Quertransistor (5) und als Lastelemente (31, 41) MCS-Feideffekt-Transistoren verwendet sind.
  5. 5. Regenerier- und Bewerterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch- g e k e fl n z e i c h n e t , daß an beiden Seiten des Flipflops je eine Hilfswortleitung (15 bzw. 25) vorgesehen ist, und daß jeweils zwischen einer Hilfswortleitung (15 bzw. 25) und einer Bitleitung (10 bzw. 20) eine Kompensationskapazität (151 bzw. 251) vorgesehen ist.
  6. 6. Verfahren zum Betrieb einer Regenerier- und Bewerterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch g e k e n n -z e i c h n e t , daß zum Vorbereiten (Precharge) durch die Takte # 311, # 61 und # 51 die Transistoren (31, 41, 5, 6 und 7) in den leitenden Zustand versetzt werden (Zeitpunkt t1), wodurch eine Referenzspannung Uref an den Knoten (1, 2) und an den Bitleitungen (10, 20) eingeprägt wird, daß durch Abschalten des Potentials # 61 die Transistoren (6 und 7) gesperrt werden (Zeitpunkt t2), daß durch Abschalten des Potentials # 51 der Quertransistor (5) gesperrt wird (Zeitpunkt t5), wodurch zu diesem Zeitpunkt die Inverter () und 4) voneinander elektrisch getrennt sind, daß anschließend beim Auslesen von Information aus einem Speicherelement der Transistor (22) eines Speicherelementes (24) über eine Wortleitung (26) leitend geschaltet wird, wodurch an der Bitleitung (20) eine Spannungsänderung #U20' die vergrößert um den Verstärkungsfaktor K des jeweiligen Inverters (4) am Flipflopknoten (2) erscheint (Zeitpunkt t4), und daß die Transistoren (6 und 7) mit Hilfe des Taktes # 61 wieder in den leitenden Zustand versetzt werden, was bewirkt, daß das Flipflop in die durch das vorverstärkte Lesesignal vorgegebene Richtung kippt (Fig 2).
    Leerseite
DE2419040A 1974-04-19 1974-04-19 Regenerier- und bewerterschaltung nach art eines getasteten flipflops Ceased DE2419040A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2419040A DE2419040A1 (de) 1974-04-19 1974-04-19 Regenerier- und bewerterschaltung nach art eines getasteten flipflops

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2419040A DE2419040A1 (de) 1974-04-19 1974-04-19 Regenerier- und bewerterschaltung nach art eines getasteten flipflops

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2419040A1 true DE2419040A1 (de) 1975-10-30

Family

ID=5913394

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2419040A Ceased DE2419040A1 (de) 1974-04-19 1974-04-19 Regenerier- und bewerterschaltung nach art eines getasteten flipflops

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2419040A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2840578A1 (de) * 1977-09-19 1979-03-22 Motorola Inc Abtast-verstaerker
DE2912320A1 (de) * 1978-04-03 1979-10-04 Rockwell International Corp Cmos-speicher-abfuehlverstaerker
EP0598308A1 (de) * 1992-11-16 1994-05-25 RCA Thomson Licensing Corporation Differential-Komparatorschaltung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2840578A1 (de) * 1977-09-19 1979-03-22 Motorola Inc Abtast-verstaerker
DE2912320A1 (de) * 1978-04-03 1979-10-04 Rockwell International Corp Cmos-speicher-abfuehlverstaerker
EP0598308A1 (de) * 1992-11-16 1994-05-25 RCA Thomson Licensing Corporation Differential-Komparatorschaltung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2409058A1 (de) Regenerierschaltung fuer binaersignale nach art eines getasteten flipflops und verfahren zu deren betrieb
DE3882278T2 (de) MOS-Speicher.
DE2324965C3 (de) Schaltungsanordnung zum Auslesen eines kapazitiven Datenspeichers
DE69018948T2 (de) Differentieller C-MOS-Leserverstärker.
DE2525225A1 (de) Schaltungsanordnung zur anzeige der verschiebung elektrischer ladung
DE3716803A1 (de) Leseverstaerker fuer halbleiterspeicher
DE2712735C2 (de)
DE2621137B2 (de) Leseverstärker und Verfahren zu seinem Betrieb
DE2628383A1 (de) Monolithischer halbleiterspeicher fuer wahlfreien zugriff mit abfuehlschaltungen
DE2001471C3 (de) Bitorientierte Speicheranordnung und Verfahren zur Vermeidung des Einschreibens von Informationen in nur ueber eine Zeilenleitung angesteuerte Speicherzellen einer bitorientierten Speicheranordnung
EP0012802B1 (de) Dynamischer Halbleiterspeicher
DE2646653C3 (de)
DE2317497B1 (de) Verfahren zum Betrieb eines Fünf-Transistoren-Speicherelementes
DE2443529B2 (de) Verfahren und anordnung zum einschreiben von binaersignalen in ausgewaehlte speicherelemente eines mos-speichers
EP0005743B1 (de) Schaltung zum Nachladen des Ausgangsknotens einer Feldeffekt-Transistorschaltung und Anwendung der Schaltungsanordnung als Lastelement in einem Flip-Flop
DE1959374C3 (de) Einspeicherungs- und Ausspeicherungsschaltungsanordnung für eine binäre Halbleiter -Speicherzelle
DE2247937C3 (de) Verfahren zur Messung einer kleinen gespeicherten Ladung
DE3855792T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit verbesserter Ausgabeschaltung
DE2419040A1 (de) Regenerier- und bewerterschaltung nach art eines getasteten flipflops
DE3028754C2 (de) Dynamischer Leseverstärker für MOS-Halbleiterspeicher
DE3874276T2 (de) Ausleseschaltung einer verzoegerungsschaltung.
EP0078335A1 (de) Verfahren zum Lesen eines Halbleiterspeichers
DE2758810C2 (de) Bewerterschaltung für Halbleiterspeicher
DE2734137A1 (de) Leseschaltung fuer digitale speicherelemente
EP0588111B1 (de) Speicherelement

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8131 Rejection