DE2450009A1 - Phase shifter with pin diodes - for waveguides has at least two pin diodes included in the microwave field, or with are coupled to it - Google Patents
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Abstract
Description
"PIN-Dioden-Phasenschieber der Hohlleitertechnik" Die Erfindung betrifft einen PIN-Dioden-Phasenschieber der Hohlleitertechnik und ist besonders vorteilhaft im Steuernetzwerk einer phasengesteuerten Gruppenantenne (phased array antenna) benutzbar. Bei dieser Antennenart werden nämlich bekanntlich tfikrolfellen-Phasenschieber in einer Vielzahl benötigt, bei denen es besonders auf geringes Bauvolumen, auf geringe -Verlustleistung, auf hohe technische Zuverlässigkeit und auf preiswürdige Herstellbarkeit bei sehr häufig relativ hoher zu verarbeitender Mikrowellenleistung ankommt; alle diese Erfordernisse erfüllt der erfindungsgemäße Phasenschieber in hohem Maße. "PIN diode phase shifter of waveguide technology" The invention relates to a PIN diode phase shifter of waveguide technology and is particularly advantageous in the control network of a phased array antenna usable. In this type of antenna, it is known that microflecture phase shifters are used required in a large number of cases where there is a particular need for a small construction volume low power loss, high technical reliability and value for money Manufacturability with very often relatively high microwave power to be processed arrives; The phase shifter according to the invention in FIG to a high degree.
Gegenwärtig werden üblicherweise zwei Arten Von Phasenschiebern in der Mikrowellentechnik überwiegend benutzt, nämlich der Ferrit-Typ und der Dioden-Typ. Es gibt zwar noch andere Phasenschiebertypen, beispielsweise solche mit Ferro-Elektrika oder Halbleiter-Wafern, aber diese Typen haben in der Praxis oft schwerwiegende Nachteile, die ihre Benutzbarkeit einschränken.Currently, two types of phase shifters are commonly used in mainly used in microwave technology, namely the ferrite type and the diode type. There are other types of phase shifters, for example those with ferroelectrics or semiconductor wafers, but these types are often serious in practice Disadvantages that limit their usability.
Die Wahl zwischen Ferrit- und Dioden-Phasenschiebern wird vorwiegend in Abhängigkeit von der Betriebsfrequenz der zu verarbeitenden Mikrowellenleistunggetroffen, wobei Dioden Phasenschieber vorwiegend bei Betriebsfrequenzen unter 2 Gllz und Ferrit Phasenschieber bevorzugt über 10 GHz benutzt werden.The choice between ferrite and diode phase shifters will prevail depending on the operating frequency of the microwave power to be processed, with diode phase shifter mainly at operating frequencies below 2 Gllz and ferrite Phase shifters are preferably used above 10 GHz.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen PIN-Dioden-Phasenschieber der Hohlleitertechnik anzugeben, der im Gegensatz zu Reflektions-Phasenschiebernals Burchlaß-Phasenschieber (Transmissionlinc-Phasenschieber) benutzbar ist und der gegenüber dem Stand der Technik der Dioden-Phasenschieber eine höher Mikrowellenleistung bei geringerer Verlustleistung zu verarbeiten gestattet, während hierdurch ieinHerstellungspreia und seine Themperatur-Unempfindlichkeit nicht nachteilig beeinflußt wird.The invention is based on the object of a PIN diode phase shifter the waveguide technology, which in contrast to reflection phase shifters as Transmission line phase shifter can be used and the a higher microwave power compared to the prior art of the diode phase shifter allowed to process with lower power dissipation, while in this way the manufacturing price and its temperature insensitivity is not adversely affected.
Der erfindungsgemäße PIN-Dioden-PhasenschiebXrist dadurcb gekennzeichnet, daß hintereinander in Fortpflaüzungsrtchtungder Mikrowellen mindestens zwei PIN-Dioden imMikrowellenfold angeordnet oder in dasselbe eingekoppelt sind, daß an sich bekannte Mittel, beispielsweise eine kurzgeschlossene Übertragungsleitung, mit jeder der PIN-Dioden verbunden sind, um zu gewährleisten, daß die Dioden-Reaktanzen im Sperr- und im Durchlass-Zustand gleichen Betrages, aber unterschiedlichen Vorzeichens sind, und daß Transformationsmittel vorgesehen sind, die sowohl die Eingangs- als auch die Ausgangsleitung des Phasenschieber wellenwiderstandsmaßig an den Wellenwiderstand anpassen, der im Phasenschieber im unmittelbaren Wirksamkeitsbereich der Dioden gegeben ist.The PIN diode phase shifter Xrist according to the invention is characterized by that one behind the other in the propagation direction of the microwaves at least two PIN diodes Arranged in a microwave fold or are coupled into the same, that means known per se, for example a short-circuited transmission line, connected to each of the PIN diodes to ensure that the diode reactances in the blocked and in the open state the same amount but different signs are, and that transformation means are provided that both the input and also the output line of the phase shifter in terms of wave resistance to the wave resistance adjust that in the phase shifter in the immediate area of effectiveness of the diodes given is.
Die Mittel zur Erzielung der gewünschten Dioden-Reaktznzen sind zweckmäßigerweise eine hochfrequenzmäßig oder galvanisch kurzgeschlossene, in Serie mit der jeweiligen Diode liegende Koaxialleitung, deren Länge und Impedanz nach Elaßgabe der an den Anschlüssen der Diode meßbaren Impedanz gewählt sind.The means of achieving the desired diode reactions are expedient a high-frequency or galvanically short-circuited, in series with the respective Diode lying coaxial line, its length and impedance according to the specification of the Connections of the diode measurable impedance are selected.
Die Transformationsmittel des erfindungsgemäßen Phasenschiebers sind vorzugsweise nach Art eines Tschebyscheff-Transformators in Form eines Steghohlleiters ausgebildet, wobei der Transformator oder ein Teil desselben gegenüber der Hohlleiterwandung galvanisch isoliert sind, um den Dioden die notwendigen Steuer-Gleichströme zuführen zu können. Zum galvanischen Isolieren ist hierbei zweckmäßigerweiße eine dielektrische Schicht in Form einer Folie oder eine Metalloxyd-, beispielsweise eine Aluminiumoxydschicht, vorgesehen.The transformation means of the phase shifter according to the invention are preferably in the manner of a Chebyshev transformer in the form of a ridge waveguide formed, the transformer or a part thereof opposite the waveguide wall are galvanically isolated in order to supply the diodes with the necessary control direct currents to be able to. A dielectric is expediently used for galvanic isolation Layer in the form of a foil or a metal oxide, for example an aluminum oxide layer, intended.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung sind zwecks Variationsmöglichkeit des Phasenwinkels Justiermittel vorgesehen, mittels derer der gegenseitige Abstand der mindestens zwei Dioden veränderbar ist, wobei die Justiermittel auf die örtliche Lage zumindest einer der Dioden mechanisch einwirken. Bei einer Ausführungsform der Erfindung bestehen diese Justiermittel für jede justierbare Diode aus einer kreiszylindrischen Dioden-Halterung, die ein exzentrisches Verschieben der örtlichen Lage der jeweiligen Diode um eine zur Hohlleiterlängsachse senkrecht verlaufende Achse ermöglicht.According to a further development of the invention, there are options for variation of the phase angle adjustment means are provided, by means of which the mutual distance the at least two diodes can be changed, the adjustment means being based on the local Position at least one of the diodes to act mechanically. In one embodiment According to the invention, these adjusting means consist of one for each adjustable diode circular cylindrical diode holder, which allows eccentric displacement of the local Position of the respective diode around a longitudinal axis perpendicular to the waveguide Axis allows.
Eine besonders hohe verarbeitbare Mikrowellenleistung ergibt sich bei einer Ausbildung eines PIN-Dioden-Phasenschiebers im Sinne einer Weiterbildung der Erfindung, die gekennzeichnet ist durch die konstruktive Vereinigung mehrerer Phasenschieber der erfindungsgemäßen Art in der Weise, daß eine der Hohlleiterwände von zwei unmittelbar benachbarten Phasenschiebern denselben gemeinsam ist; bei Phasenschiebern mit Hohlleitern rechteckförmigen Querschnitts ist vorteilhafterweise eine gemeinsame Hohlleiterbreitseite für zwei benachbarte Phasenschieber vorgesehen.A particularly high processable microwave power results when training a PIN diode phase shifter in the sense of a further training of the invention, which is characterized by the structural combination of several Phase shifter of the type according to the invention in such a way that one of the waveguide walls the same is common to two immediately adjacent phase shifters; with phase shifters with waveguides rectangular cross-section is advantageously a common one Waveguide broadside intended for two adjacent phase shifters.
Die Wirksamkeitsbereiche der Dioden in den Mikrovellenfeldern unmittelbar benachbarter Phasenschieber grenzen infolg. entspreche+O.The areas of activity of the diodes in the microwave fields are immediate neighboring phase shifter limit as a result. match + O.
der Ausbildung der Phasenschieber zweckmäßigerweise unmittelbar an die gemeinsame Hohileiterwandung an.the formation of the phase shifter expediently directly the common Hohileiterwandung.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung sind der nun folgenden Beschreibung in Verbindung mit den Patentansprüchen entnehmbar.Further advantageous embodiments and developments of the invention can be found in the following description in conjunction with the claims.
Der erfindungsgemäße Phasenschieber beruht auf einer Lntwicklungs-Konzeption, die vorsieht, daß ausgehend von den meßbaren Dioden-Reaktanzen in FlurJ- und Sperrichtung des Diodenstroms der zur Verfügung stehenden PIN-Dioden ein geeignetes Phasenschiebernetzwerk entwickelt wird, das eine Anwendung des Kompensationsprinzips unerwünschter Dioden-Parameter weitgehend ulerflüssig macht; so wird beim erflndungsgemäßen Phasenschieber die Kompensation praktischer Dioden-Reaktanzen überflüssig und können Dioden hoher Leistung mit sehr großen Sperrschicht-Kapazitäten benutzt werden, wodurch die verarbeitbare blikrowellenleis tung steigt.The phase shifter according to the invention is based on a development concept which provides that based on the measurable diode reactances in the corridor and reverse direction of the diode current of the available PIN diodes a suitable phase shift network is developed, which is an application of the principle of compensation for undesired diode parameters makes largely superfluous; so in the case of the phase shifter according to the invention Compensation for practical diode reactances is superfluous and high-power diodes can be used with very large junction capacities can be used, making the processable microwave power increases.
Beim erfindungsgeäßen Phasenschieber können relativ einfach eingangs- und ausgangsseitig anstelle von Hohlleitern andere Mikrowellenleitertypen angeschlossen werden.In the phase shifter according to the invention, relatively simple input and other types of microwave conductors are connected on the output side instead of waveguides will.
In Fig. i ist in üblicher Weise das Ersatzschaltbild einer PIN-Diode dargestellt. Die Werte der verschiedenen Komponenten dieses Ersatzschaltbildes hängen vom gewählten Sperrschichttyp ab. C p liegt üblicherweise zwischen 0,05 und 0,5 pF, L zwischen 0,1 und p 3nH und Cj zwischen 0,05 und 5pF.In Fig. I, the equivalent circuit diagram of a PIN diode is in the usual way shown. The values of the various components in this equivalent circuit diagram depend depends on the type of junction selected. C p is usually between 0.05 and 0.5 pF, L between 0.1 and p 3nH and Cj between 0.05 and 5pF.
Der wirksame Mikrowellenwiderstand R hängt gleichfalls von Sperrschichttyp ab und liegt je nach Diodenvorspannungsgröße zwi und -polarität in Durchlaßrichtung typischerweise 0,3 und 3 ohm und in Sperrichtungen etwa zwischen 5 und 15 kohm. Für die meisten Mikrowellenanwendungen ist es erforderlich, die Gehause- und Sperrschicht-Reaktanzen so niedrig wie möglich zu halten, wodurch aber meist die verarbeitbare Mikrowellenleistung sinkt. Da bei der Ereindung diese Reaktanten bei der Di:-lensionierung des Phasenschiebers von vornherein berücksichtigt werden, ist beim erfindungsgemäßen Phasenschieber die Verwendung von PIN-Dioden mit besonders kleinen Gehäuse- und Sperrschichtreaktanzen nicht notwendig; es ist hier nur notwendig, die Dioden-Reaktanzen im Sperr- und Durchlaßzustand auf gleicher Betrag zu halten, selbstverständlich aber mit unterschiedlichem Vorzeichen, was aber in der Praxis einfacher ist als die Durchführung einer Kompensation.The effective microwave resistance R also depends on the type of barrier layer from and, depending on the diode bias value, lies between and polarity in the forward direction typically 0.3 and 3 ohms and in blocking directions between about 5 and 15 kohm. Most microwave applications require the housing and junction reactances to keep it as low as possible, which mostly reduces the processable microwave power sinks. Since these reactants are used when the phase shifter is dimensioned be taken into account from the outset is in the phase shifter according to the invention the use of PIN diodes with particularly small housing and junction reactances unnecessary; it is only necessary here, the diode reactances in the blocking and To keep the state of passage at the same amount, but of course with a different amount Sign, but in practice this is easier than performing a compensation.
Um diese Bedingung der Reaktanz-Änderung um den Nullwert in Sperr-und Durchlaßzustand einzuhalten, werden Serien-Reaktanzen für die Dioden benötigt, die die Erfüllung der Gleichung xs = - (x1 + 2) /2 ermöglichen, wobei X5 diese Serien-Reaktanz und X1 bzw. X2 die Dioden-Eingangs-Reaktanzen im Sperr- und Durchlaßbereich sind.To this condition the reactance change around the zero value in blocking and To adhere to the on-state, series reactances are required for the diodes that enable the fulfillment of the equation xs = - (x1 + 2) / 2, where X5 is this series reactance and X1 and X2, respectively, are the diode input reactances in the reverse and forward regions.
X5 läßt sich praktisch vorteilhaft durch eine hochfrequenzmäßig oder galvanisch lcurzgeschlossene, in Serie mit der jeweiligen Diode liegende Koaxialleitung verwirklichen, deren Länge una; Impedanz nach Maßgabe der an dbn Anschlüssen der Dioden meßbaren Impedanz gewählt sind.X5 can be practically advantageous by a high frequency or galvanically short-circuited, in series with the respective diode Realize lying coaxial line, the length of which is una; Impedance according to the measurable impedance are selected at dbn connections of the diodes.
Der bei der Erfindung benutzte Phasenschiebert ist derjenige einer belasteten Leitung und in Fig. 2 gezeigt. Der Reaktanzwechsel von +jZ und -jZ wird normalenueise durch Kurzschluß einer 1/8-Wellenlänge langen Leitung der Impedanz Z mittels einer PIN-Diode bewirkt. Die Beziehung zwischen den Parametern 20, Z0 und Z bei vernachlässigbarer Verlustleistung kann durch die folgenden Gleichungen in Abhängigkeit von der Phasenverschiebung 0 ausgedrückt werden.The phase shifter used in the invention is one loaded line and shown in FIG. The reactance change from + jZ and -jZ becomes normally by short-circuiting a 1/8 wavelength line of impedance Z effected by means of a PIN diode. The relationship between parameters 20, Z0 and Z with negligible power dissipation can be given by the following equations can be expressed as a function of the phase shift 0.
X = Ro cot (/2) ZO = Ro cos (#/2 ) Falls die Reaktanz Z verlustbehaftet ist, so daß Z = R + jX, kann die >latrizen-Rechnung zum Bestimmen der Verlustleistung benutzt werden, wodurch sich zeigen läßt, daß im X-Band (etwa 3 cm Wellenlänge) infolge der relativ kleinen Dioden-Impedanzen kleine Phasen-Bits nur schwer realisiert werden können. X = Ro cot (/ 2) ZO = Ro cos (# / 2) If the reactance Z is lossy is such that Z = R + jX, the> latrizen calculation can be used to determine the power loss can be used, which shows that in the X-band (about 3 cm wavelength) due to the relatively small diode impedances, small phase bits are difficult to implement can be.
Diese Schwierigkeit kann jedoch behoben werden durch Einführung eines großen Phasen-Bits in einem Vielfach-Bit-Phasenschieber mit geeigneten inkrementellen Unterschieden zum jeweils nächstgrößeren Bit.However, this difficulty can be remedied by introducing a large phase bits in a multiple bit phase shifter with appropriate incremental Difference to the next largest bit in each case.
Beispielsweise hat ein Phasenschieber mit Phasen-Bits von 900, 1330 und 1800 dicselben Einstellmöglichkeiten wie ein solcher mit 45°, 90° und 180°. Im ersten Palle wurden 45°gemäß Fig. 3 durch die Phasenschiebung von 4030 erzeugt.For example, a phase shifter with phase bits of 900 has 1330 and 1800 the same setting options as one with 45 °, 90 ° and 180 °. In the first palle, 45 ° according to FIG. 3 were generated by the phase shift of 4030.
Ein Vorteil der niedrigen Impedanzen rührt daher, daß die Spitzenspannung über den Dioden im Vergleich zu einem 50-01m-Systen reduziert wird.One advantage of the low impedances comes from the fact that the peak voltage across the diodes compared to a 50-01m system.
Fig. 4 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung mit einem Tschebyscheff-Transformator in Form eines Steghohlleiters. Hiermit läßt sich beispielsweise ein Phasenwinkel von 75 einstellen.Fig. 4 shows an embodiment of the invention with a Chebyshev transformer in the form of a ridge waveguide. This can be used, for example, to set a phase angle set from 75.
Die Verschiebung der Dioden vom Zentrum des Steghohlleiters weg führt zu einer gegenseitigen Entkopplung, wodurch die Dioden-Impedanzen anzeigen, was für Hochleistungsanwendungen sehr vorteilhaft ist. Die Vorspannungszufuhrung für die Dioden erfolgt beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 4 über eine durch einen Scheibenkondensator geführte Leitung, die zum gegenüber dem Hohlleiter durch eine Teflon-Folie galvanisch isolierten Transformator führt; der zweite Anschluß der Dioden liegt an Masse, d. h. am Hohlleiter.The displacement of the diodes leads away from the center of the ridge waveguide to a mutual decoupling, whereby the diode impedances indicate what is very beneficial for high performance applications. The bias supply for in the exemplary embodiment according to FIG. 4, the diodes are effected via a disk capacitor guided line, which is galvanic to the opposite of the waveguide through a Teflon foil isolated transformer leads; the second connection of the diodes is to ground, i. H. on the waveguide.
Falls ein Mehrfach-Bit- Phasenschieber gewünscht ist, muß jeder der Dioden-Paare die Vorspannung getrennt zuführbar sein, so daß eine galvanische Unterteilung des Transformators zweckmäßig ist.If a multiple-bit phase shifter is desired, each of the Diode pairs can be supplied with the bias voltage separately, so that a galvanic subdivision of the transformer is appropriate.
Der Transformator in Fig. 4 ist am Hohlleiter durch Schrauben befestigt, die die galvanische Isolation des Transformators gegenüber dem IIohlteiter nicht beeinträchtigen dürfen und daher zwecknäßigerweise Kunststoffschrauben sind oder anderweitig isolierte Schrauben.The transformer in Fig. 4 is attached to the waveguide by screws, which does not provide galvanic isolation of the transformer from the hollow conductor may affect and are therefore appropriately plastic screws or otherwise insulated screws.
Die Dioden beim Ausführungsbeispiel der Fig, 4 sind auf Bolzen befestigt, die innerhalb von Bohrungen in Messing-Zylindern verschiebbar sind und an ihrem anderen Ende an eine Feder angrenzen, die zum Druck der Dioden gegen den Transformator fü:ren.The diodes in the embodiment of Fig. 4 are fastened on bolts, which can be moved within bores in brass cylinders and on their the other end to a spring that presses the diodes against the transformer lead.
Diese Zylinder fungieren gleichzeitig als die Außenleiter er oDen erwähnten Mittel, die die Dioden-Reaktanzen für Sperr- und DurchIafzustand auf gleiche Betrage mit unterschiedlichem Vorzeichen bringen. Bei gelösten Halteschrauben sind die Dioden mit ihren zugehörigen Bolzen und Federn durch die Bohrungen der Zylinder herausnehmbar.These cylinders also act as the outer conductors mentioned means that the diode reactances for blocking and continuity state to the same Bring amounts with different signs. When the retaining screws are loosened the diodes with their associated bolts and springs through the bores of the cylinders removable.
Der in Verbindung mit der Vorspannungszuführung bereits erwähnte Scheibenkondensator befindet sich nach dem Ausfüllrungsbeispiel der Fig. 4 in einer an sich bekannten Wellenfalle, in der das Transformationsverhalten einer Leitung mit einer 1/ 4 -Wellenlänge entsprechenden Länge ausgenutzt ist.The disk capacitor already mentioned in connection with the bias supply is located according to the Ausfüllrungsbeispiel of Fig. 4 in a known per se Wave trap in which the transformation behavior of a line with a 1/4 wavelength corresponding length is used.
Fig. 5 zeigt das gleiche Ausführungsbeispiel der Erfindung wie Fig. 4, jedoch mit Blickrichtung von oben, gesehen in der Darstellungsweise der Fig. 4, wobei die obere Hohileiterwandung teilweise durchbrochen ist, um den Transformator stellenweise erkennbar zu machen. Eingangs- und ausgangsseitig ist das Ausführungsbeispiel der Figuren 4 und 5 mit üblichen IIohlleiter-Flanschen abgeschlossen. Der gegenseitige Abstand der Dioden entspricht vorzugsweise einer 1/4-Betriebsuellenlange, kann jedoch auch davon abweichen, cs lassen sich g;undsätzlich beliebig viele Phasenschieber nach Fig. 4, 5 in Serie schalten.Fig. 5 shows the same embodiment of the invention as Fig. 4, but looking from above, seen in the Representation of Fig. 4, wherein the upper Hohileiterwandung is partially broken to the To make transformer recognizable in places. Is input and output side the exemplary embodiment of FIGS. 4 and 5 is completed with the usual waveguide flanges. The mutual distance between the diodes preferably corresponds to a 1/4 operating source length, can, however, also deviate from this, cs g; and basically any number of phase shifters according to Fig. 4, 5 switch in series.
Fig. 6 zeigt gemäß einer Weiterbildung der Erfindung Justiermittel für die örtliche Lage einer der im Phasenschieber nach der Erfindung, insbesondere nach Fig. i, 5 benutzbaren Diode. Hiermit läi3t sich die Phase exakt einstellen, und zwar dadurch, daß die Diode innerhalb eines Kreiszylinders der Dioden-Halterung exzentrisch um die Zylinderlängsachse rotierbar ist.6 shows adjusting means according to a further development of the invention for the local position of one of the phase shifter according to the invention, in particular according to Fig. i, 5 usable diode. This allows the phase to be set exactly, namely in that the diode is within a circular cylinder of the diode holder can be rotated eccentrically about the longitudinal axis of the cylinder.
Zum Rotieren wird zunächst eine Arretierschraube gelöst. Nunmehr ist der rotierbar Zylinder innerhalb der kreiszylindrischen Dioden-Halterung rotierbar. Im rotierbaren Zylinder befindet sich wiederum ein Bolzen, an dessen einem Ende die Diode befestigt ist und an dessen anderes Ende eine Druckfeder angreift. Das Lösen einer Halterungsschraube erlaubt wiederum das Herausnehmen der Diode mit zugehörigem Beizen und der genannten Feder.To rotate, a locking screw is first loosened. Now is the rotatable cylinder rotatable within the circular cylindrical diode holder. In the rotatable cylinder there is a bolt at one end the diode is attached and a compression spring engages at the other end. That Loosening a retaining screw in turn allows the removal of the diode with the associated Pickling and the said spring.
Die Möglichkeit der flikrowellenverarbeitung durch die bisher beschriebenen Phasenschieber nach der Erfindung ist leistungsmäßig nach oben hin im wesentlichen begrcnzt durch die Durchbruchspannung der Dioden und durch die niedrigste Impedanz, die im Hohlleitersystem realisierbar ist.The possibility of microwave processing through the previously described Phase shifter according to the invention is essentially upward in terms of performance limited by the breakdown voltage of the diodes and by the lowest impedance, which can be implemented in the waveguide system.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung wird zur Erhöhung dieser Leistung das Prinzip der Leistungsteilung angewendet; grundsätzlich könnte hierzu jede Art dor Aufteilung benutzt werden. Als besonders vorteilhaft hat sich jedoch die konstruktive Vereinigung mehrerer Phasenschieber nach der Erfindung in der Weise herausgestellt, daß eine der Hohlleiterwände von zwei unuittelbar benachbarten Phasenschieber denselben gemeinsam ist.According to a further development of the invention, this performance is increased the principle of power sharing applied; in principle, any type dor division can be used. However, the design has proven to be particularly advantageous Unification of several phase shifters according to the invention in such a way that that one of the waveguide walls of two immediately adjacent phase shifters is the same is common.
Fig. 7 zeigt ein Ausführungsbeispiel gemäß dieser Weiterbildung der Erfindung. Es besteht aus zwei Phasenschiebern nach Figuren 4, 5 mit Hohlleitern rechteckförmigen Querschnitts, wobei die beiden Hohlleiter eine gemeinsame Breitseite besitzen.Fig. 7 shows an embodiment according to this development of the Invention. It consists of two phase shifters according to FIGS. 4, 5 with waveguides rectangular cross-section, with the two waveguides having a common broad side own.
Im Gegensatz zu Figuren 4, 5 sind beim Ausführungsbeispiel der Erfindung nach Fig. 7 die Mittel zum jeweils gewünschten Beeinflussen der Dioden-Reaktanzen innerhalb der Transformationsq mittel (Transformator) angeordnet anstelle in nach außen ragenden Zylindern.In contrast to Figures 4, 5 are in the embodiment of the invention according to FIG. 7 the means for influencing the diode reactances as desired in each case arranged within the transformationsq medium (transformer) instead of in after externally protruding cylinders.
Ein- und ausgangsseitig sind beim Ausführungsbeispiel nach Fig, 7 Anpassungs-Transfort:atoren in Form von normalerweise 1/4-Betr ebsweilenlanoe langen Metallklötzen an den äußeren Hohlleiterbreitseiten an den abgestuften Veränderungen der inneren Hohlleiterquerschnitte vorgesehen, wodurch ein- und ausgangsseitig äußerlich wie die Anordnung nach Fig. 7 dirnensionierte Hohlleiter an die gezeigten Flansche anschließbar sind.In the exemplary embodiment according to FIG Adaptation Transfort: ators in the form of normally 1/4 operating lengths Metal blocks on the outer broad sides of the waveguide at the graded changes the inner waveguide cross-sections are provided, whereby the input and output side externally like the arrangement according to FIG. 7 dimensioned waveguides to the flanges shown are connectable.
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Non-Patent Citations (1)
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