DE2440010A1 - Siliciumlegierung - Google Patents
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- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 67
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 67
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 64
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 59
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 59
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 51
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 32
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 29
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 13
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 13
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 10
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 7
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 57
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 229910000519 Ferrosilicon Inorganic materials 0.000 description 12
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 4
- YBCAZPLXEGKKFM-UHFFFAOYSA-K ruthenium(iii) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Ru+3] YBCAZPLXEGKKFM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRACIMOSEUMYIP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)iron Chemical compound [Si]=[Fe]=[Si] JRACIMOSEUMYIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N disodium;3,7-dioxido-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane Chemical compound [Na+].[Na+].O1B([O-])OB2OB([O-])OB1O2 UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- 229910021350 transition metal silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005347 FeSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001021 Ferroalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CFOAUMXQOCBWNJ-UHFFFAOYSA-N [B].[Si] Chemical compound [B].[Si] CFOAUMXQOCBWNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFCWKPUNMWPHLM-UHFFFAOYSA-N [Si].[B].[Fe] Chemical compound [Si].[B].[Fe] NFCWKPUNMWPHLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- FHTCLMVMBMJAEE-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)manganese Chemical compound [Si]=[Mn]=[Si] FHTCLMVMBMJAEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021358 chromium disilicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 239000003317 industrial substance Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910021343 molybdenum disilicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKLVYJBZJHMRIY-UHFFFAOYSA-N technetium atom Chemical compound [Tc] GKLVYJBZJHMRIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C28/00—Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
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- C25B11/00—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Silicon Compounds (AREA)
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Description
Dr. Michael Hann H / W (706) ,5471
Patentanwalt
63 Giessen
Ludwigstrasse 67
63 Giessen
Ludwigstrasse 67
PPG Industries, Inc., Pittsburgh, Pa., USA
SILICIUMLEGIERUNG
Priorität: 27. August 1973 / USA / Ser.No. 391 118
Diese Erfindung betrifft eine elektrisch-leitende, korrosionsbeständige Legierung mit einem hohen SiIiciumgehalt.
Elementares Silicium und Siliciumlegierungen mit einem hohen Gehalt an elementarem Silicium haben
sich als hervorragende elektrisch-leitende Materialien für die Verwendung in sauren Medien, wie zum
Beispiel als Anodenmaterial für elektrolytische Zellen, erwiesen. Derartige Anoden sind im einzelnen
in der Anmeldung P 23 28 417.5 offenbart. Solche Siliciumanoden besitzen zwar befriedigende elektrochemische
Eigenschaften, sind aber schwer zu giessen
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2UQ010
und besitzen eine verhältnismässig hohe Sprödigkeit,
wodurch ihnen die gewünschte Schlagzähigkeit für viele Anwendungen fehlen.
Gegenstand dieser Erfindung ist eine Siliciumlegierimg,
die sich zur Herstellung von Elektroden eignet, die diese Nachteile nicht besitzen. Die neue Siliciumlegierung
besitzt eine elektrische Leitfähigkeit von grosser als 100 (Ohm-cm) und enthält Silicium, ein Dotiermittel
und ein Übergangsmetall oder ein Silicid eines Übergangsmetalls und ist dadurch gekennzeichnet, dass sie eine
vorherrschende diskontinuierliche siliciumreiche Phase,
diskrete Knötchen (nodules) einer an Dotiermittel reichen Phase und im wesentlichen, kontinuierliche Flüsschen (rivulets)
einer an einem Übergangsmetall oder einem Silicid eines Übergangsmetalls reichen Phase, die die siliciumreiche
Phase umgibt und deren Grenzen bildet, besitzt.
In dieser Legierung ist das Dotiermittel in solchen Mengen enthalten, dass es der Legierung die vorhin genannte
elektrische Leitfähigkeit erteilt und das- sie zweckmässigerweise bei der Verfestigung einen volumetrischen
Expansionskoeffizienten besitzt, der niedriger ist als die + 10%ige Expansions-charakteristik
von Silicium selbst.
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Die Legierung nach der Erfindung ist besonders für die Herstellung von elektrisch-leitenden Elementen
in sauren Medien geeignet, zum Beispiel von Anoden in elektrolytischen Zellen, wie in Chlorzellen. Derartige
Anoden sind im einzelnen in der vorhin genannten Anmeldung und ausserdem in der US-Anmeldung
356,972 offenbart. ·
Die Siliciumlegierung nach der Erfindung besitzt eine
elektrische Leitfähigkeit von grosser als 100 (Ohm-cm) ,
bevorzugt grosser als 1000 (Ohm-cm) und häufig so hoch wie 1500 (Ohm-cm)"" . Die Legierung zeichnet sich
ferner durch ihre Beständigkeit gegenüber Korrosion aus, insbesondere in sauren Medien, wie zum Beispiel
in sauren Salzsolen, in denen nascierendes Chlor entsteht.
Ein v/eiterer Vorteil der Legierung nach der Erfindung besteht in ihrer leichten Giessbarkeit. Elementare Siliciumlegierungen
mit einem besonders niedrigen Gehalt an Legierungselementen werden durch ihre Expansion
bei der Verfestigung charakterisiert. Der Expansionskoeffizient von elementarem Silicium bei der Verfestigung
liegt bei etwa 10%. Er wird nach der Formel Δ V/Vo
errechnet, in der Vo das Anfangsvolumen und Δ V die
volumetrische Expansion in übereinstimmenden Einheiten
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ist. Diese Expansion bei der Verfestigung führt zu inneren und zu thermischen Spannungen, die eine Zerstörung
des Giesslings zur Folge haben können. Die Siliciumlegierung nach der Erfindung zeichnet sich
auch dadurch aus, dass itn wesentlichen solche Spannungen nicht vorhanden sind. Bei einer Ausführungsform der Erfindung wird der Expansionskoeffizient
nach der Erfindung bis auf + 5% oder weniger reduziert.
Auf elementarer Basis betrachtet enthält die Legierung nach der Erfindung Silicium, ein Übergangsmetall
und ein Dotiermittel. Das Dotiermittel und das Übergangsmetall
liegen im allgemeinen als Silicide vor und bilden feste Lösungen mit dem Silicium.
Als Dotiermittel wird im allgemeinen Stickstoff, Phosphor, Aluminium oder Bor verwendet. Die bevorzugten
Dotiermittel sind Bor oder Phosphor, wobei Bor am meisten bevorzugt ist. Die Menge des Dotiermittels
sollte so sein, dass die Legierung eine elektrische Leitfähigkeit von grosser als 100 (Ohm-cm)"·*- besitzt.
Dies wird bei Dotiermittelanteilen in der Legierung von etwa 0,2 Gewichtsprozent oder mehr erreicht.
Geringere Mengen an Dotiermittel, das heisst, weniger als etwa 0,2 Gew%, erhöhen zwar die Leitfähigkeit
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der Legierung ebenfalls, doch steigt sie in der Regel
nicht bis oberhalb 100 (Ohm-cm) . In der Praxis wird die Konzentration des Dotiermittels in der Regel grosser
als die Löslichkeit des Dotiermittels in dem geschmolzenen Silicium sein. Dies ist in der Regel bei
etwa 0,5 Gev/% der Fall. Die Konzentration des Dotiermittels
wird in der Regel aber nicht so hoch sein, dass dadurch die Anfälligkeit der Legierung gegenüber
Korrosion oder Ausspaltungen erhöht wird. Meistens liegt deshalb die obere Grenze an Dotiermittel bei
etwa 2 Gew%.
Unter einer an einem "Übergangsmetall reichen Phase" oder einer an einem "Silicid eines Übergangsmetalles
reichen Phase" wird verstanden, dass diese Phase der Legierung den höheren oder den höchsten Gehalt des
Übergangsmetalls entweder als Metall oder als Silicid, berechnet auf elementarer Basis, enthält. Die an Übergangsmetall
reiche Phase enthält in der Regel 20 oder mehr Atom-% des Übergangsmetalles, auf elementarar Basis,
wobei das Übergangsmetall in der R^g el als Silicid
vorliegt.
Beispiele von geeigneten Siliciden von Übergangsmetall
sind Mangandisilicid, Chromdisilicid, Eisendisilicid,
Kobalttrisilicid, Nickeldisilicid und Molybdändisilicid. In den-meisten Fällen ist das Silicid des Über-
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gangsmetalles in einer an Übergangsmetall reichen Phase vorhanden, die eine feste Lösung aus dem SiIicid
des Übergangsmetalles und elementarem Silicium ist.
Das Metall, das zur Bildung der am Übergangsmetall reichen Phase oder der an dem Silicid des Übergangsmetalls reichen Phase befähigt ist, kann ein beliebiges
Übergangsmetall sein, das entweder in Silicium löslich ist oder in dem Silicium löslich ist oder
das ein Silicid bildet, in dem Silicium löslich ist. Geeignete Übergangsmetalle dieser Art sind Scandium,
Yttrium, die Lanthanide, Titan, Zirkon, Hafnium, Tantal, Chrom, Molybdän, Wolfram, Mangan, Technetium, Rhenium,
Eisen, Kobalt, Nickel, Ruthenium, Rhodium, Palladium, Osmium, Iridium, Platin, Kupfer, Silber und Gold.
Als Übergangsmetall v/erden im allgemeinen Eisen, Kobalt, Nickel, Chrom, Mangan oder Molybdän verwendet.
Häufiger dienen Eisen, Kobalt oder Nickel als Übergangsmetalle. Das bevorzugte Übergangsmetall ist
Eisen. Es ist jedoch für den Fachmann klar, dass diese Übergangsmetalle untereinander austauschbar
sind.
Die Konzentration des Übergangsmetalls sollte ausreichend sein, um im wesentlichen eine kontinuierliche
Phase zu ergeben, die die Bereiche der an Silicium
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reichen Phase umgibt beziehungsweise umhüllt, so dass dies zum Beispiel mit einem optischen Mikroskop
mit einer Vergrösserung von.mehr als etwa das Zweihundertfache
erkennbar ist.
Die minimale elementare Konzentration des Übergangsmetalls in der Legierung ist diejenige Menge, die
erforderlich ist, um die Bildung einer zweiten oder an Übergangsmetall reichen Phase herbeizuführen. Dies
ist im allgemeinen eine Menge bei oder gerade über der Löslichkeitsgrenze des Silicide des Übergangsraetails
in dem Silicium, das heisst, die Konzentration, bei der das Silicid des Übergangsmetalls zum ersten Mal als
getrennte Phase auftritt. Bei Eisen liegt dies bei etwa 4 Gew% Eisen, bei Kobalt bei etwa 9 Gew% Kobalt
und bei Molybdän bei etwa 5 Gew% Molybdän. Für Nickel oder Chrom oder Mangan liegen diese Mengen bei einem
Spurenniveau, zum Beispiel 1 Gew% oder mehr.
Die Konzentration des Übergangsmetalls sollte ausreichend sein, um eine flüssige Phase um die feste SiIiciumphase
während den ersten Stufen .der Verfestigung zu ergeben, wodurch die thermischen Spannungen, die
bei der Verfestigung innerhalb der an Silicium reichen Phase auftreten, abgeschwächt werden. Bevorzugt sollte
die Konzentration des Übergangsmetalles ausreichend sein, um bei der Verfestigung einen Expansionskoeffi-
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zienten von weniger als etwa + 10% zu ergeben, bevorzugt von etwa + 5% oder weniger.
Von dem Standpunkt der Korrosionsbeständigkeit her betrachtet, sollte die Konzentration des Übergangsmetalls in der Legierung so sein, dass die Korrosionsbeständigkeit
bei dem Niveau derjenigen von elementarem Silicium gehalten wird. Deshalb sollte die an Silicium
reiche Phase als die metallographisch vorherrschende Phase erhalten bleiben, wobei in der Regel etwa zwei
Drittel und bevorzugt drei Viertel oder mehr in der an Silicium reichen Phase Silicium ist. Wenn als Übergangsmetall
Eisen verwendet wird, sollte die Konzentration in Gewichtsprozenten und als Element berechnet
niedriger als 39 %, bevorzugt niedriger als etwa 18 % und besonders bevorzugt niedriger als etwa 14 % sein.
Wenn als Übergangsmetall Kobalt benutzt wird, sollte die Konzentration niedriger als etwa 38 %, bevorzugt
niedriger als etwa 18 % und besonders bevorzugt niedriger als etwa. 12 % sein. Bei Benutzung von Nickel
als Übergangseiement sollte die Konzentration niedriger
als 50 %, bevorzugt niedriger als etwa 15 % und besonders bevorzugt niedriger als etwa 7 Gew% sein. Wenn
Mangan das Übergangsmetall ist, sollte die Konzentration niedriger als 25 %, bevorzugt niedriger als etwa 15 %
und besonders bevorzugt niedriger als etwa 6 % sein. Für Chrom sind die entsprechenden Werte niedriger als
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etwa 28 %, bevorzugt niedriger als etwa 18 % und be- .
sonders bevorzugt niedriger als etwa 6 %. Alle diese Angaben beziehen sich auf Gewichtsprozente und auf die
Elemente der Übergangsmetalle.
Bevorzugte Bereiche für den Anteil der Übergangsmetalle sind bei den Legierungen nach der Erfindung wie
folgt: Eisen etwa 4 bis etwa 14 Gew%, bevorzugt etwa 8 Gew%; Kobalt etwa 9 bis etwa 12 Gew%, bevorzugt etwa
10 Gew%; Nickel etwa 1 bis etwa 7 Gew%, bevorzugt etwa 6 Gew%; Chrom etwa 1 bis etwa 7 Gew%, bevorzugt etwa
6 Gew%; und Mangan etwa 1 bis etwa 6 Gew%, bevorzugt etwa 6 Gew%.
Wenn als Übergangsmetall Scandium, Yttrium oder ein Lanthanid verwendet wird, sollte dies in etwa 1 bis
etwa 18 Atom-% der Legierung vorkommen, unabhängig in
welcher Form es vorliegt. Wenn Titan, Zirkon oder Hafnium als Übergangsmetalle dienen, sollten sie in
Mengen von 1,5 bis 7 Atom-% in der Legierung vorhanden sein, unabhängig davon, in welcher Form sie vorliegen.
Wenn Vanadin, Niob oder Tantal das Übergangsmetall sind, sollten sie in Mengen von etwa 1 bis 16 Atom-%
vorhanden sein, unabhängig von der Form, in der sie vorliegen. Eine besonders gut brauchbare Legierung
enthält etwa 1,0 bis etwa 2,0 Atom-% Tantal. Wenn
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Wolfram das Übergangsraeta11 ist, sollte der Wolframgehalt
bei etwa 1 Atom-% liegen, unabhängig von der Form, in der Wolfram vorhanden ist. Bei Benutzung von
Kupfer, Silber oder Gold als Übergangsmetall sollte der Anteil dieser Metalle bei etwa 1 bis 20 Atom-%
liegen.
Die bevorzugten Legierungen nach der Erfindung sind Dreiphasenlegierungen, die eine an einem Übergangsmetall oder an einem Silicid eines Übergangsmetalls
reiche Phase, ein Dotiermittel oder eine an einem Dotiermittel reiche Phase und eine silicium-reiche
Phase enthalten. Die silicium-reiche Phase ist die vorherrschende Phase und ist im wesentlichen diskontinuierlich,
das heisst, dass sie in zahlreiche individuelle Bereiche aufgegliedert ist. Bei einer bevorzugten
Ausführungsform der Erfindung bildet die an
dem Übergangsmetall oder an dem Silicid des Übergangsmetalls reiche Phase enge Flüsschen oder Bäche entlang
der Grenzen der Bereiche der silicium-reichen Phase.
Bevorzugt sind diese Flüsschen im wesentlichen kontinuierlich um alle Bereiche der silicium-reichen Phase vorhanden.
Das Dotiermittel liegt in Form von Knötchen an
den Grenzen zwischen den Phasen und innerhalb der einzelnen Phasen vor.
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In den Figuren werden Fotoinikrografien von einer bevorzugten
Ausführungsform der Erfindung gezeigt.
Figur 1
ist eine Fotomikrografie rait einem Rasterelektronenmikroskop
von einer polierten Oberfläche einer Legierung, die 8 % Eisen, 0,3 % Bor und als Restbestandteil
Silicium enthält. Die Vergrösserung ist in der linken unteren Ecke angegeben.
Figur 2
ist eine Fotomikrogirafie der gleichen Oberfläche bei
stärkerer Vergrösserung.
Figur 3
ist eine Fotomikrografie der Oberfläche von Figur 2
bei stärkerer Vergrösserung.
Figur 4
ist eine Fotomikrografie mit einem Rasterelektronenmikroskop
einer polierten Oberfläche einer Legierung, die weniger als 0,5 Geu% Eisen, 0,3 Gew% Bor und als
Restbestandteil Silicium enthält. Die Vergrösserung ist gleich gross wie bei Figur 2.
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Figur 5
ist eine Fotomikrografie mit einem Rasterelektronenmikroskop
von einer polierten Oberfläche einer Legierung, die 30 Gew% Eisen, 0,5 Gew% Bor und als Restbestandteil
Silicium enthält. Die Vergrösserung ist die selbe wie bei den Figuren 2 und 4.
Wie aus den Figuren 1, 2 und 3 hervorgeht, wird die vorherrschende Phase von einer diskontinuierlichen
siliciumreichen Phase gebildet. Die Phase hat gut ausgeprägte
Grenzen. Die genaue Zusammensetzung der Phase ist nicht bekannt, doch x^ird angenommen, dass sie
eine feste Lösung aus elementarem Silicium und Eisensilicid ist, die mehr als 85 Gew% Silicium enthält.
Wahrscheinlich besteht die Phase vorwiegend aus Silicium
mit weniger als etwa 2 % Gesatntsilicide, das heisst Eisensilicid und Borsilicid. Innerhalb der
diskontinuierlichen siliciumreichen Phase, das heisst, der festen Lösung aus Silicium und den Siliciden,
sind die Silicide bei oder unterhalb ihrer Löslichkeitsgrenze in dem Silicium vorhanden.
Es ist zu erkennen, dass die siliciumreiche Phase von
im wesentlichen kontinuierliche Flüsschen oder Ströme
der an Übergangsmetall reichen Phase umgeben ist. Es wird angenommen, dass diese Flüsschen aus der an Übergangsmetall
reichen Phase Eisendisilicid, FeSi9, in Form einer festen Lösung des Disilicids in dem elementaren
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Silicium enthalten. Das elementare Silicium ist bei oder unterhalb der Löslichkeitsgrenze des elementaren
Siliciums in dem Silicid vorhanden. Dieses Material wird in der Literatur auch als Lebeauit bezeichnet.
Die Flüsschen haben im allgemeinen eine Weite von etwa 10 Mikron oder weniger und unterteilen die Bereiche
der siliciumreichen Phase. Häufig werden aber auch
Bereiche mit einem Durchmesser von 100 bis 200 Mikron oder mehr zwischen den siliciumreichen Phasen beobachtet.
Die Knoten der an Dotiermittel reichen Phase treten in beiden der vorhin geschilderten Phasen und an deren
Grenzen auf. Die Knoten bestehen aus besonders hochschmelzenden Bestandteilen der Legierung und stellen
eine Silicium-Borphase dar, das heisst, ein Borsilicid oder ein Siliciumborid.
Die Fotomikrografien zeigen ferner, dass die siliciumreiche Phase vorherrscht. Obwohl sie diskontinuierlich
ist, besitzt sie zahlreiche Bereiche, die eine Länge oder einen Durchmesser von einigen tausend Mikron oder
mehr haben.
In der Legierung mit der Kornstruktur von Figur 4, die weniger als 0,5 Gew% Eisen und 0,3 Gew% Bor auf elemen-
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tarer Basis enthält, ist die siliciumreiche Phase nicht nur die vorherrschende Bhase sondern auch im wesentlichen
eine kontinuierliche Phase. Die Eisensilicidphase ist sowohl eine kleine als auch eine diskontinuierliche
Phase.
Die Legierung mit der Kornstruktur von Figur 2, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Figuren 1 bis 3
diskutiert wurde, zeichnet sich durch eine vorherrschende diskontinuierliche siliciumreiche Phase, eine untergeordnete
kontinuierliche Eisensilicidphase und Knoten einer Boridphase aus.
Bei der Legierung mit der Kornstruktur von Figur 5, die 30 Gew% Eisen tmd 0,3 Gew% Bor auf elementarer
Basis enthält, sind die Eisensilicidphasen kontinuierlich. Sie erscheinen auch als die vorherrschenden Phasen,
die eine Legierung ergeben, die vorwiegend aus Ferrosilicium
mit nur kleinen Mengen einer Siliciumphase besteht.
In den folgenden Beispielen wird die Erfindung noch näher erläutert.
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Um den Einfluss der Abwesenheit eines Dotiermittels festzustellen, wurde ein Gusskörper einer Siliciumlegierung
hergestellt, der 8 Gew% Eisen, 0,3 Gew% Bor und als Restbestandteil Silicium enthielt. Das verwendete
Ferro-silicium war ein handelsübliches Ferrosilicium
mit einem nominellen Eisengehalt von 35 Gew% und einem tatsächlichen Eisengehalt von 30 Gew%. Es
wurden 700 g der Ferro-silicium-Legierung in einen Nr. 10 Graphittiegel gegeben. Der Tiegel wurde auf
15800C für etwa 65 Minuten erwärmt. Die geschmolzene Legierung wurde dann in eine Graphitform mit den Dimensionen
2,5 χ 2,5 χ 14,6 cm gegossen. Nachdem das Ferrosilicium erstarrt und abgekühlt war," wurde die elektrische
Leitfähigkeit des Giesskörpers unter Verwendung eines Weston Milliameters, Modell 911, gemessen,
wobei der für die Messung verwendete Strom durch einen Silicium-Gleichrichter derKokour Company geleitet wurde.
Es wurde eine elektrische Leitfähigkeit von 32 (Ohm-cm) gefunden. Der Giesskörper zeigte keine Spalte und entwickelte
keine Spannungsrisse, woraus hervorgeht, dass der Koeffizient für die volumetrische Expansion bei
der Verfestigung weniger als 107o beträgt.
Zur Untersuchung des Einflusses des Dotiermittels wurde dann eine Legierung hergestellt, die 8 Gew% Eisen, 0,3
Gew% Bor und als Restbestandteil Silicium enthält. Für
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die Herstellung dieser Legierung wurden 5,4 kg Ferrosilicium, das 75 Gew% Silicium enthielt, 5,4 kg Silicium
und 152 g geschmolzenes Natriumtetraborat (Na„B,07)
in einen Graphittiegel gegeben. Der Tiegel wurde in einen Ofen eingebracht und etwa 50 Minuten auf 1435°C
erwärmt. Dann wurde die geschmolzene Eisenborsiliciumlegierung in eine Form gegossen, die auf 10000C vorerwärmt
war. Nachdem das Metall sich verfestigt hatte und abgekühlt war, wurde seine elektrische Leitfähigkeit unter
Verwendung der bereits geschilderten Einrichtung gemessen. Sie lag bei 1090 (Ohm-cm)"·'-. Der Giesskörper zeigte
keine Spalte und entwickelte keine Spannungsrisse, woraus hervorgeht, dass der Koeffizient für die volumetrische
Expansion bei der Verfestigung weniger als 10% beträgt.
Die Probe wurde dann geschnitten und eine nicht-geschnittene Oberfläche der Probe wurde mit dem Sandstrahl
behandelt und unter Verwendung eines Haushaltswaschmittels gewaschen. Dann wurde die Probe 5 Minuten mit
einer 2,5-n Natriumhydroxydlösung bei 9O0C geätzt, mit
Wasser gespült und an der Luft getrocknet.
Es wurden dann zwei Striche einer Lösung für einen Grundierstrich (undercoating solution) von 20 g Rutheniumtrichlorid
mit einem Gehalt von 39,71 Gew% Ruthenium auf elementarer Basis in 380 g absolutem Äthylalkohol
auf die nicht-geschnittene Oberfläche jeder Probe aufge-
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tragen. Nach jedem Strich wurde die Probe für 15 Minuten auf 3500C erwärmt.
Danach wurden drei Striche einer Lösung für einen Deckstrich
(outer coating solution) auf diesem Grundierstrich
aufgetragen. Die Lösung für den Deckstrich wurde hergestellt, indem 54,3 g Titanchlorid (K and K Laboratories)
in 154,5 g einer 15 Gew%igen wässrigen Chlorwasserstofflösung (Fisher Scientific Company) aufgelöst wurden.
100 g dieser Zusammensetzung wurden mit 50 g absolutem
Methylalkohol (Mallinckrodt) und ausreichenden Mengen 30 Gew%igem Wasserstoffperoxyd (Baker and Adams) gemischt,
daß die Flüssigkeit braun wurde. Diese Mischung wurde dann mit 60 g einer flüssigen Zusammensetzung gemischt,
die aus 15 g Rutheniumtrichlorid und 60 g absolutem Methylalkohol hergestellt worden war. .Fünf Striche der erhaltenen
flüssigen Zusammensetzung wurden auf die vorher
beschichtete Oberfläche der Probe aufgetragen. Nach jedem Strich wurde die Elektrode für 10 Minuten auf 3500C erwärmt. Nach dem letzten Strich wurde die Elektrode 16
Stunden auf 4500C erwärmt. Die Elektrode hatte eine
Chlorüberspannung von 0,03 bis 0,06 Volt bei einer Stromdichte von 200 Ampere pro 929 cm in einer chlorhaltigen
Solelösung, die 315 g Natriumchlorid pro Liter enthielt.
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Es wurden Eisen-Bor-Silicium-Legierungen hergestellt,
die 12% Eisen, unterschiedliche Mengen Bor und als Restbestandteil Silicium enthielten.
Zur Herstellung dieser Legierungen wurde ein handelsübliches Ferro-silicium (Ohio Ferro Alloys) mit einem
nominellen Eisengehalt von 15 Gew% und einem tatsächlichen Eisengehalt von 12 Gew% verwendet.
700 g Ferro-silicium wurden in einen Nr. 10 Graphittiegel
gegeben. Der Tiegel wurde auf 158O0C für etwa
eine' Stunde erwärmt. Das geschmolzene Ferro-silicium wurde dann in eine auf 10000C vorerwärmte Form mit den
Dimensionen 0,63 χ 2,5 χ 15,2 gegossen. Nach der Verfestigung und Abkühlung des Ferro-siliciums wurde seine
elektrische Leitfähigkeit in gleicher Heise wie in Beispiel 1 gemessen. Die elektrische Leitfähigkeit lag
bei 11 (Ohm-cm)"" . Der Giesskörper zeigte keine Spalte
und entwickelte keine Spannungsrisse, woraus hervorgeht, dass der Koeffizient für die volumetrische Expansion
bei der Verfestigung weniger als 10% beträgt.
Es wurden zwei Elektroden hergestellt, die 12 Gew% Eisen, 0,5 Gew% Bor und als Restbestandteil Silicium
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enthielten. Zur Herstellung dieser Elektroden wurden
1800 g Ferro-silicium und 42 g geschmolzenes Natriumtetraborat (Na2B4O7) in einen Nr. 10 Graphit'tiegel
gegeben. Der Tiegel wurde etwa 1 Stunde in einem Ofen auf 158O0C erwärmt. Dann wurde das borhaltige geschmolzene
Ferro-silicium in eine vorerhitzte Graphitform mit den Dimensionen 8,3 χ 2,5 χ 15,2 cm gegeben.
Nach dem Erstarren und Abkühlen des Metalls von jedem Gusskörper zwei Proben mit den Dimensionen
12,7 χ 1,9 χ 0,63 cm geschnitten. Die Proben zeigten keine Zeichen von Spalten oder Spannungsrissen, woraus
hervorgeht, dass der Koeffizient für die volumetrische Expansion bei der Verfestigung bei niedriger als 10%
liegt. Die nicht-geschnittene Oberfläche jeder Probe
wurde mit dem Sandstrahl bearbeitet und unter Verwendung eines Haushaltsreinigungsmittels gewaschen. Jede
Probe wurde dann 5 Minuten in 2,5-n Natriumhydroxydlösung bei 90 C geät:
der Luft getrocknet.
der Luft getrocknet.
lösung bei 9O0C geätzt, mit Wasser gespült und an
Es wurden dann 3 Striche einer Grundierlösung von 2 g
Rutheniumtrichlorid (Englehard Industries) in 18 g absolutem Äthylalkohol (US Industrial Chemical) auf die
nicht-geschnittene Oberfläche jeder Probe aufgetragen. Nach jedem Strich wurde die Probe für 10 Minuten auf
350°C erwärmt.
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Dann wurden 3 Striche einer Lösung für einen Deckstrich auf die Grundierung aufgetragen. Die Lösung für den
Deckstrich x\oirde hergestellt, indem 18,1 g Titanchlorid
in 51,5 g einer 15 Gew%igen wässrigen Salzsäure aufgelöst wurden. 2 g dieser flüssigen Zusammensetzung wurden
mit 1 g absolutem Methylalkohol und 0,5 g 30 GewXigem Wasserstoffperoxid gemischt. Diese flüssige Zusammensetzung
wurde dann mit 1,2 g einer anderen flüssigen Zusammensetzung, die aus 1 g Rutheniumtrichlorid und
4 g absolutem Methylalkohol hergestellt worden war, gemischt. Es wurden drei Striche dieser flüssigen
Mischung auf die grundierten Oberflächen von jeder Probe aufgetragen. Nach den ersten beiden Strichen wurde
die Elektrode für 10 Minuten auf 3500C erwärmt. Nach
dem letzten Strich wurde die Elektrode 30 Minuten auf 4500C
erwärmt.
Die erhaltenen Elektroden hatten elektrische Leitfähigkeiten von 1500 (0hm-cm)~ . Jede Elektrode hatte eine
Chlorüberspannung von 0,08 bis 0,10 Volt bei einer
Stromdichte von 200 Ampere pro 929 cm in einer chlorhaltigen Solelösung, die 315 g Natriumchlorid pro Liter
enthielt.
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Claims (16)
1. SiIiciumlegierung mit einer elektrischen Leitfähigkeit
von grosser als 100 (Ohm-cm)"^ aus Silicium,
einem Dotiermittel und einem Übergangsmetall oder einem .SiIicid eines Übergangsmetalls, dadurch
gekennzeichnet , dass sie eine vorherrschende diskontinuierliche, siliciumreiche
Phase, diskrete Knötchen einer an Dotiermittel reichen Phase und im wesentlichen kontinuierliche
Flüsschen einer an einem Übergangsmetall, insbesondere einem Silicid eines Übergangsmetalls reichen
Phase, die die Siliciumphase umgibt und deren Grenzen bildet, besitzt.
2. Legierung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet
, dass das Dotiermittel Bor oder Phosphor enthalt.
3. Legierung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , dass der Dotiermittelgehalt
grosser als die Löslichkeit des Dotiermittels in Silicium ist.
4. Legierung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , dass der Dotiermittelgehalt
bei 0,2 bis 2,0 GewX der Legierung liegt.
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5. Legierung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet ,
dass das Übergangsinetall Eisen, Kobalt, Nickel,
Chrom, Molybdän oder Mangan ist.
6. Legierung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Gehalt
an Übergangsmetall grosser als die Löslichkeit des Übergangsmetalls im Silicium ist.
7. Legierung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , dass das Übergangsmetall
Eisen ist und der Eisengehalt bei etwa 4 bis etwa 14 Gew% der Legierung liegt.
8. Legierung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dass sie einen
volumetrischen Expansionskoeffizienten bei der Verfestigung von weniger als 10% besitzt.
9. Siliciumlegierung, bestehend im wesentlichen aus einem ausreichenden Anteil eines Dotiermittels,
um eine Leitfähigkeit von grosser als etwa 100 (Ohm-cm)™-'- zu ergeben, einem ausreichenden
Anteil an einem Silicid eines Übergangsmetalls, um einen volumetrischen Expansionskoeffizienten von
weniger als 5% bei der Verfestigung zu ergeben und einem Restanteil an Silicium.
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10. Legierung nach Anspruch 9, dadurch
gekennzeichnet , dass das Dotiermittel Bor oder Phosphor enthält.
11. Legierung nach Anspruch 10, dadurch
gekennzeichnet , dass der Dotiermittelgehalt grosser als die Löslichkeit des
Dotiermittels im Silicium ist.
12. Legierung nach Anspruch 11, dadurch
gekennzeichnet , dass das Dotiermittel
Bor ist und der Borgehalt bei etwa 0,1 bis etV7a 2,0 Gevj% der Legierung liegt.
13. Legierung nach Anspruch 9, dad urch
gekennzeichnet , dass das Silicid des Übergangsmetalls ein Silicid von Eisen, Kobalt,
Nickel, Chrom oder Mangan ist.
14. Legierung nach Anspruch 13, dadurch
gekennzeichnet , dass1 der Gehalt des Silicids des Übergangsmetalls grosser als die
Löslichkeit des Silicids des Übergangsmetalls in dem Silicium aber nicht ausreichend für die Bildung
eines vorherrschenden Phase des Silicids des Übergangsmetalls ist.
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15. Legierung nach Anspruch 14, dadurch
gekennzeichnet , dass das Übergangsmetall Eisen ist und dass der Gehalt an
Eisen bei etwa 4 bis etwa 14 Gew%j, berechnet
auf elementarer Basis,, liegt.
16. Legierung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet , dass die Legierung
eine vorwiegende, diskontinuierliche,,, siliciumreiche
Phase,
diskrete Teilchen einer an Dotiermittel reichen Phase innerhalb der Grenzen der siliciumreichen
Phase und
im wesentlichen kontinuierliche Flüsschen einer an einem Silicid eines Übergangsmetalls reichen Phase,,
die die siliciumreiche Phase umgibt und deren Grenzen bildetj enthält.
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| DE2440010A1 true DE2440010A1 (de) | 1975-03-27 |
| DE2440010B2 DE2440010B2 (de) | 1977-07-07 |
| DE2440010C3 DE2440010C3 (de) | 1978-03-09 |
Family
ID=23545322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| DE2440010A Expired DE2440010C3 (de) | 1973-08-27 | 1974-08-21 | Gußlegierung |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5051026A (de) |
| BE (1) | BE819172A (de) |
| BR (1) | BR7406948D0 (de) |
| CA (1) | CA1031558A (de) |
| DE (1) | DE2440010C3 (de) |
| FR (1) | FR2242478B1 (de) |
| GB (1) | GB1466455A (de) |
| IT (1) | IT1016879B (de) |
| NL (1) | NL7410878A (de) |
| SE (1) | SE406776B (de) |
| ZA (1) | ZA744645B (de) |
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- 1974-07-19 ZA ZA00744645A patent/ZA744645B/xx unknown
- 1974-07-19 CA CA205,198A patent/CA1031558A/en not_active Expired
- 1974-08-14 NL NL7410878A patent/NL7410878A/xx not_active Application Discontinuation
- 1974-08-21 DE DE2440010A patent/DE2440010C3/de not_active Expired
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- 1974-08-26 SE SE7410819A patent/SE406776B/xx unknown
- 1974-08-26 BE BE147891A patent/BE819172A/xx unknown
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| DE102016008754B4 (de) * | 2016-07-18 | 2020-03-26 | Wieland-Werke Ag | Kupfer-Nickel-Zinn-Legierung, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung |
| DE102016008757B4 (de) | 2016-07-18 | 2020-06-10 | Wieland-Werke Ag | Kupfer-Nickel-Zinn-Legierung, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung |
| DE102016008758B4 (de) | 2016-07-18 | 2020-06-25 | Wieland-Werke Ag | Kupfer-Nickel-Zinn-Legierung, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2242478B1 (de) | 1978-09-22 |
| ZA744645B (en) | 1976-02-25 |
| FR2242478A1 (de) | 1975-03-28 |
| IT1016879B (it) | 1977-06-20 |
| NL7410878A (nl) | 1975-03-03 |
| SE406776B (sv) | 1979-02-26 |
| GB1466455A (en) | 1977-03-09 |
| SE7410819L (de) | 1975-02-28 |
| BR7406948D0 (pt) | 1975-06-24 |
| DE2440010B2 (de) | 1977-07-07 |
| JPS5051026A (de) | 1975-05-07 |
| CA1031558A (en) | 1978-05-23 |
| AU7224174A (en) | 1976-02-12 |
| BE819172A (fr) | 1975-02-26 |
| DE2440010C3 (de) | 1978-03-09 |
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