DE2308835C3 - Regelbarer Verstärker für elektrische Signale - Google Patents
Regelbarer Verstärker für elektrische SignaleInfo
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Description
— zwischen die Signalquelle (1) und den Verstärker (5,6) ein Widerstand (4) eingeschaltet ist,
— an die Signalquelle ein Referenzelement (3) zur Erzeugung einer Bezugsspannung als im wesentlichen konstante Vorspannung für den Verstärker unabhängig vom Eingangssignal angeschlossen ist, und
— die RegelstromqueUe (9) zwischen dem Verstärker und dem Widerstand angekoppelt ist
Z Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dafe das Referenzelement ein Transistor (3)
ist, dessen Basis und Kollektor zusammengeschaltet sind.
3. Verstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des Transistors (3) auf
Massepotential liegt
4. Verstärker nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsklemme (8) des Verstärkers (5) zur Konstanthaltung des' Gleichwertpegels mit dem Ausgang
einer von der Regelstromquelle (9) aus beaufschlagten Korrekturschaltung (15 bis 19) verbunden ist
(F ig. 4 oder 5).
5. Verstärker each tinem der vorstehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichi. st, daß das Potential am Ausgang des Referenzelements durch eine
von der RegelstromqueUe (9) aus beaufschlagte. Kompensationsschaltung (20, 21) zusätzlich stabili- <
siert ist (F i g. 6 oder 7).
6. Verstärker nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Regelsignal einer Regelspannungsquelle (14) entnommen
und über einen Trennverstärker (10, 11) mit Verstärkungsgrad EINS dem Eingang des Verstärkers (5) zuführbar ist
7. Verstärker nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Trenn verstärker (10,11) aus zwei
in Kaskade geschalteten Transistoren (10, 11) besteht, von denen der der Regelspannungsquelle
(14) zugewandte Transistor (11) als Diode geschaltet ist und der kollektorseitig mit dem Eingang des
Verstärkers (5) verbundene Transistor (10) emitterseitig auf Bezugspotential liegt
8. Verstärker nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Verstärkungskennlinie des
Trennverstärkers (10, 11) so gewählt ist, daß eine Nichtünearität in der Verstärkungskennlinie des
Verstärkers (5) zu einer Geraden kompensierbar ist
9. Verstärker nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet daß die als Diode geschaltete Eingangsstufe (11) des Trennverstlrkers emitterseitig über einen
gegenkoppelnden Wid erstand (12) auf Bezugspoten-' tial liegt, dessen Wert so bemessen ist, daß die in der
Verstärkerkennlinie des Verstärkers 5 auftretende Nichtünearität kompensierbar ist
10. Verstärker nach einem der vorstehenden Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß zur
Verbesserung des Signal: Rauschverhältnisses der
Ausgang der Regelspaniiungsquelle (14) über einen
Widerstand (2*) -auf den Bezugspotentialpunkt gekoppelt ist (F i g. 2).
Die Erfindung betrifft einen regelbaren Verstärker für elektrische Signale nach dem Oberbegriff des
Patentanspruchs 1.
ίο ; Bei herkömmlichen, für die Auslegung in integrierter
Schaltkreistechnik geeigneten Verstärkungsregelschal-
- tungen wird gewöhnlich ein Differenzverstärker mit zwei Transistoren verwerdet Die Emitter dieser
Transistoren sind zusaminengeschaltet und am Ein
gcngstransistor liegt ein BezugspotentiaL Der Basis des
Eingangstransistors wird zum Beispiel ein Eingangssignal zugeführt, während ein Regelsignal, z.B. ein
AGC-Signal (AGC = Automatic Gain Control- automatische Verstärkungsregelung), eine der Basen der
beiden Transistoren beaufschlagt Die Ausgangsklemme ist mit den Kollektoren der beiden Transistoren
verbunden. Mit einer regelbaren Verstärkerschaltung dieser Art jedoch läßt sich eine Stromverstärkung nicht
linear regem, da das Verhältnisses Eingangsstroms zum
Ausgangsstrom infolge der Änderungen des Regelstroms bei großem Regelbereich nicht konstant
gehalten werden kanrt Weiterhin ist der Aussteueroder Regelbereich infolge der zur Verfügung stehenden,
begrenzten Betriebsspannung bzw. des begrenzten
Arbeitskennlinienbereichs für die Transistoren schmaL
Daraus ergeben sich ersichtlicherweise insbesondere bei in integrierter Technik aufgebauten Regelanordnungen, für die ein zusätzlicher großer Toleranzbereich
einkalkuliert werden muß, erhebliche Nachteile.
Aus der DE-OS 20 03 863 ist auch eine Signalübertragerschaltung mit einem Veirstärkertransistor bekannt
zu dessen Basis-Emitter^trecke ein weiterer Transistor
parallelgeschaltet ist Der weitere Transistor ist basisseitig mit einer einstellbaren Gleickspannungsquel-
Ie verbunden und wirkt damin auf das Eingangssignal des
Verstärkertransistors als variable Dämpfung.
Diese Dämpfung des Eingangssignals ist jedoch nur in einem relativ eng begrenzten Bereich der Arbeitskennlinie des weiteren Transistors linear. Mit anderen
Worten: Wird eine solche Sij;nalübertragerschaltung als
AGC-Schaltkreis verwendet, so ist — ähnlich wie bei den erwähnten Differenzverstärkeranordnungen — der
lineare Verstärkungsregelbereich relativ schmal, insbesondere, wenn in der integrierten Technik noch hohe
so Exemplarstreuungen berücksichtigt werden müssen.
Der Erfindung liegt damit ausgehend von einer regelbaren Verstärkerschaltang nach dem Oberbegriff
des Patentanspruchs 1 die Aufgabe zugrunde, eine solche Schaltung so zu verbessern, daß die AGC-Funk
tion in Abhängigkeit vom Regelsignal und vom
. Eingangssignal über einen weiten Bereich linear wird.
Insbesondere soll das Eingangs- und Ausgangs-Gleichpotential unabhängig von Schwankungen des Regelsignals auf konstantem Wert gehalten werden können.
Als Ziel soll die Schaltungsauslegung möglichst so
verwirklicht werden, daß die gesamte Verstärkerschaltung sich zur Herstellung als integrierter Schaltkreis
eignet
Diese Aufgabe wird bei der eingangs genannten
Schaltung durch die im kennzeichnenden Teil des
Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Der besondere Vorteil der erfindungsgemäßen Regelschaltung ist darin zu sehen, daß durch eine von
der Regelstromquelle unabhängige Bezugsspannungsquelle mit festem Arbeitspunkt eine variable, jedoch
sehr hoh,e Eingangsimpedanz, für den Verstärkertransistör unabhängig vom Eingangssignal ein sehr breiter
linearer Regelbereich verwirklicht ist
Durch den gemäß der Erfindung zwischen einem Referenzspannuiigselement und einer den Arbekspunkt
der Verstärkerschaltung bestimmenden Regelstromquelle liegenden Widerstand wird ein in weiten Grenzen
linear veränderbarer Stromverstärkungsgrad erreicht, der im wesentlichen nur von dem über dem Widerstand
aufgrund des Regelstroms auftretenden Spannungsabfall abhängt
Die Schaltung selbst benötigt außer aktiven Elementen nur Widerstände und läßt sich daher gut als
integrierter Schaltkreis herstellen.
In vorteilhafter und im Rahmen der gestellten Aufgabe gut realisierbarer Ausführungsfonn besteht
das Referenzspannungselement aus einem als Diode geschalteten Transistor, dessen Emitter auf Massepotential liegt Um für manche Anwendungsfälle den
Gleichspannungspegel des Verstärkerausgangs bei sich stark änderndem Regelsignal unabhängig vom Regelstrom konstant zu halten, kann zusätzlich eine von der
Regelstromquelle beaufschlagte Korrekturschaltung vorgesehen sein, deren Ausgang mit dem Ausgang der
Verstärkerschaltung verbunden ist In einfacher und ebenfalls mitintegrierbarer Ausführungsform besteht
diese Korrekturschaltung im wesentlichen aus einem parallel zum Verstärkerelement geschalteten variablen
Impedanzelement das bei ansteigendem Regelstrom, also bei absinkendem Verstärkungsgrad, seinen Impedanzwert erniedrigt und umgekehrt
Eine zusätzliche Stabilisierung des Gleichspannungspotentials am Ausgang des Referenzspannungselements
(also etwa am Kollektor des als Diode geschalteten Transistors) läßt sich vorteilhaft durch eine mitintegrierbare Ergänzungsschaltung erreichen, die in Abhängig-
keit vom Regelstrom am Ausgang des Referenzelements einen zusätzlichen Kompensationsstrom einspeist Dies ist etwa für die Anwendung als Videoverstärkerschaltung erwünscht
Als Anwendungsbereich für die Erfindung ist insbesondere an regelbare integrieite Verstärkerschaltungen für Videosignale in Fernsehempfängern oder für
Tonfrequenzsignale in Hörfunkempfängern gedacht
Bei einer vorteilhaften und erprobten Ausführungsform der Erfindung wird das von der Regelspannungs-
quelle gelieferte Regelspannungssignal über einen ebenfalls in die Schaltung integrierbaren Trennverstärker in ein Stromsignal umgesetzt Die Verstärkungskennlinie des Trennverstärkers kann dabei auf einfache
Weise, beispielsweise durch einen entsprechend bemessenen, gegenkoppelnden Widerstand im Hauptstrompfad eines Verstärkerelements des Trennverstärkers so
eingestellt werden, daß eine evtl. Nichtlinearität der Verstärkerkennlinie des Verstärkers zu einer Geraden
kompensiert wird. so
Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert Es
zeigen
F i g. 1 und 2 je ein Schaltbild einer Signalregelschaltung mit Merkmaien nach der Erfindung,
Fig.3A bis 3C Kennlinien zur Erläuterung der Arbeitsweise der Schaltung gemäß F i g. 2,
rungsformen der Erfindung, bei denen der Gleichstromwert an der Ausgangsklemme durch Schwankungen des
Regelsignals nicht beeinflußt wird,
Fig.6 und 7 Schaltbilder weiter abgewandelter
Ausführungsformen,bei denender Gleichstromwert an
der Eingangsklemme durch Änderungen des Regelsignals nicht beeinträchtigt wird, und
F i g. 8 eine noch weitere abgewandelte Ausfuhrungsform einer erfindungsgemäßen regelbaren Verstärkerschaltung.
Gemäß Fig. 1 ist eine Eingangssignalquelle 1 über einen Widerstand 2 an den Kollektor eines npn-Transistors 3 angeschlossen, dessen Emitter mit einem
Bezugspotentialpunkt (Masse) und dessen Basis mit dem Kollektor verbunden ist so daß der Transistor 3 als
Diode geschaltet ist die eine konstante Bezugsvorspannung entsprechend der Durchlaßkennlinie festlegt Bei
dieser Schaltung besitzt der Widerstand 2 einen vergleichsweise hohen Weit, so daß die Eingangssignalquelle 1 als Stromquelle betrachtet werden kann.
Der Kollektor des Transistors 3 <at zusätzlich über
einen Widerstand 4 an die Basis eines Vtrstärkertransistors S angekoppelt, dessen Kollektor einmal mit einer
Signalausgangsklemme 8 und zum anderen über einen Arbeitswiderstand 6 mit einer an eine Versorgungsquelle angeschlossenen Klemme 7 verbunden ist Der
Emitter dieses Transistors 5 liegt auf BezugspotentiaL
1 Bei dieser grundsätzlichen Ausführungsform der
Erfindung ist eine Regelstromquelle 9 unmittelbar an den Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand 4 und
der Basis des Transistors 5 angeschlossen. Der
Spannungsabfall über dem Widerstand 4 wird durch Änderung des Stroms der Regelstromquelle 9 geregelt
Die Signalregelschaltung gemäß Fig. 1 arbeitet wie
folgt:
ι Zunächst sei angenommen, der Regelsinrom der
Regelstromquelle 9, z. B. ein Signalstrom zur automatischen Verstärkungsregelung (im folgenden als AGC-Si-' gnalstrom /,^bezeichnet), sei nahezu NuIL Der über den
Transistor 3 fließende Strom, nämlich ein Eingangssi£ aalstrom In ist dann im wesentlichen gleich dem über
den Transistor 5 und seinen Arbeitswiderstand 6 fließenden Strom, d. h. gleich dem Ausgangsstrom I0Ut-Dies ergibt sich daraus, daß die Restspanrwiigen über
den Basis-Emitter-Strecken der beiden Transistoren 3 und 5, d. h. Vj«i und Vba. nahezu gleich sind und der
Verstärkungsfaktor des Transistors 5 vergleichsweise sehr groß ist, während sein Basisstrom sehr klein im
Vergleich zum Eingangs- bzw. Ausgangsstrom ist
Wenn sich der Strom /v allmählich erhöht bewirkt er
einen Gleichspannungsabfall über dem Widerstand 4. Infolgedessen wird die Basis-Emitter-Spannung VM £es
Transistors 3 größer als die entsprechende Spannung Vba. des Transistors 5. Entsprechend dieser geringeren
Basis-Emitter-Spannung VbA nimmt auch der Ausgangsstrom lout ab, da der Gegenscheinleitwert gm des
Transistors 5 abnimmt Da der durch den Transistor 5 mit geerdetem Emitter erreichte Spannungsverstärkungsgrad dem Wert gm unmittelbar proportional ist
nimmt auch die Amplitude der am Kollektor des Transistors 5 erzeugten Signale ab.
; Bei Vernachlässigung der sehr kleinen Basisströme der Transistoren 3 und 5 läßt sich dl: Grundgleichung
für den über den als Diode geschalteten Transistor 5 fließenden Strom i« allgemein wie folgt ausdrücken:
= Iso (exp -^ψ VM - Λ %/so exp
VM
(D
Darin bedeuten:
k — Boltzmann-Konstante,
T — absolute Temperatur in Grad Kelvin,
e — Ladung des Elektrons und
Iso— Sättigungsstrom des Transistors.
Auf ähnliche Weise ergibt sich die Grundgleichung für den über den Transistor 5 fließenden Strom /„,, zu:
Auf ähnliche Weise ergibt sich die Grundgleichung für den über den Transistor 5 fließenden Strom /„,, zu:
= ho ex P jj Vbtl
(2)
Da der Kollektor des Transistors 10 direkt mit der Basis des Transistors 5 verbunden ist, beaufschlagt eine
Kollektorspannungsänderung am Transistor JO unmittelbar die Basis des Transistors S, so daß dessen
Basis-Emitterspannung, d. h. der durch den Arbeitswiderstand 6 fließende Ausgangsstrom geregelt wird.
Tatsächlich jedoch liegt der Widerstand 12 im Emitterstrompfad des Transistors 11, so daß für den
AGC-Pegelstrom/jjfr folgende Gleichung gilt:
Das Verhältnis zwischen der Basis-Emitterspannung V(wi des Transistors 3 und der Basis-Emitterspannung
Vbe2 des Transistors 5 wird durch die Gleichung
- R
■ = Vh„ - K..
(3)
bestimmt, in welcher R den Widerstandswert des
Widerstands 4 und V1^ die vom Regelstrom llgc am
Widerstand 4 erzeugte Spannung bedeuten.
Bei Einfügung von Gleichung (3) in die Gleichung (2) ergibt sich:
/,«=/soexp -JPy(
(4)
Folglich ist der durch Signalregelschaltung gemäß Fig. 1 erreichte Stromverstärkungsgrad A1 folgender:
Ai = ΊΪ = exp (-W
(5)
Dies bedeutet, daß die Stromverstärkung A-, durch
Variation des AGC-Signalstroms, d. h. des Spannungsabfalls
VifC über dem Widerstand 4 über einen weiten
Bereich geregelt werden kann.
F i g. 2 zeigt die vollständige AGC-Regelstromquelle
9, wobei den vorher beschriebenen Teilen entsprechende
Teile mit den gleichen Bezugsziffern wie in F i g. 1 bezeichnet sind.
Gemäß Fig.2 wird die Regelstromquelle 9 im.
wesentlichen durch Transistoren 10 und 11 gebildet, die
einen linearen Verlauf der Stromverstärkung Ai
bewirken. Bei der dargestellten Ausführungsform ist die Verbindung zwischen dem Widerstand 4 und der Basis
-' λ Transistors 5 mit dem Kollektor eines npn-Transistors
10 verbunden, dessen Emitter am Bezugspotential liegt, während seine Basis einmal unmittelbar mit dem
Kollektor des Transistors 11 und zum anderen Ober einen Widerstand 13 mit einer Regelspannungsquelle 14
verbunden ist Die Basis des Transistors U ist mit seinem Kollektor verbunden und sein Emitter ist über
einen Widerstand 12 auf Bezugspotential gelegt Die Ausführungsform gemäß F i g. 2 arbeitet wie folgt:
Wird der Widerstand 12 zunächst als weggelassen gedacht so daß der Emitter des Transistors U auf
Masse liegt, so ergibt sich für den über den Transistor 10 Hießenden Kollektorstrom, d.h. für den AGC-Signaistrcm
/iA> praktisch derselbe Wert wie für den
Regelstrom lc der aus dem Widerstand 13 und der ω
Regelspannungsquelle 14 in Verbindung mit den Transistoren 10 und 11 gebildeten Konstantstromquelle,
wobei die Stromverstärkung dieses Verstärkers nahezu den Wert »1« erreicht Die Kennlinie des Regelstroms Ic
in Abhängigkeit vom AGC-Regelstrom /^c ist gemäß
F i g. 3A eine Gerade 51, da die Koiiektor-Ernitterspannung
des Transistors 10 linear und proportional zur Änderung des AGC-Regelstroms geändert wird.
= Icexp(~-R'lA,
in welcher /?'dem Widerstandswert des Widerstands 12
entspricht. In der Praxis ist deshalb die Kennlinie des Regelstroms /c in Abhängigkeit vom AGC-Regelstrom
läge gemäß F i g. 3 gekrümmt, wie durch die Linie 52
dargestellt
Wie erwähnt, wird andererseits die durch den AGC-Regelstrom gesteuerte Stromverstärkung .4,
c-isprechend der Gleichung (5) bestimmt Die Kennlinie
des Stromverstärkungsgrads Ai in Aohängigkeit vom Regelstrom ist in F i g. 3B dargestellt
Weiterhin wird die Gleichung für die resultierende Stromverstärkung A1 in der Verstärkungsregelschaltung
gemäß F i g. 2 durch Einsetzen von Gleichung (6) in Gleichung (5) wie folgt erhalten:
[e / e
--T=RIcCXPt-T=:
KI \ K I
KI \ K I
Gleichung (7) steilt, wie in Fig.3C gezeigt, eine
Gerade dar. Folglich wird bei der Ausführungsform gemäß F i g. 2 die Stromverstärkung A, bei Änderung
des Regelstroms lc bzw. der Regelspannungsquelle 14
über einen weiten Bereich linear geregelt Selbst wenn sich bestimmte Parameter der Schaltung aus irgendeinem
Grund andern,, ist — wie in Fig.3C gestrichelt
eingezeichnet — die Änderung der Kennlinie A/Ic sehr
gering.
Bei dieser Ausführungsform ist zu beachten, daß der Widerstand 12 anstatt an den Emitter des Transistors 11
an den Emitter des Transistors 10 angeschlossen sein kann.
Weiterhin kann bei dieser Ausführungsform ein über do;'. Transistor 3 fließender Vorspannungs-Gleichstrom
über einen weiteren Widerstand 2' durch die Regelspannungsquelle 14 geliefert werden. Wenn der Regelstrom
/a d. h. eine vom Eingangssignal abhängige Größe kleiner ist kann dabei auch der über den Transistor 3
fließende Strom reduziert werden. Infolgedessen is» das Rauschsignal, das proportional zu dem über den
Transistor 3 fließenden Strori erzeugt wird, klein, so daß das Signal: Rausch verhältnis der Transistorstufe
bei geerdetem Emitier besser ist
Fig.4 zeigt eine andere Ausführungsform der
Erfindung, bei welcher der Gleichstrompegel an der Ausgangsklemme 8 durch den Strom Ilgc nicht
beeinflußt wird.
Um dies zu erreichen, sind die zuvor in Verbindung mit den F i g. 1 und 2 beschriebenen Schaltungen um
Transistoren 15,16 und 17 ergänzt worden. Der Emitter
des Transistors 15 ist über den Widerstand 6 mit der Ausgangsklemme 8 verbunden, während der Kollektor
an die Klemme der Versorgungsquelle 7 angeschlossen ist. Die Basis des Transistors 15, mit welcher
Widerstände 18 und 19 zur Erzeugung einer Vorspannung verbunden sind, liegt über die Kollektor-Emitter-
strecke des Transistors 16 an Masse. Der Transistor 17
ist als Diode geschaltet und seine Basis ist mit der AGC-Spannungsquelle 14 verbunden.
Bei einer Erhöhung der AGC-Spannung erhöht sich der Strom /3Jfcund nimmt auch die Spannung über dem
Widerstand 4 zu, so daß die Spannung Vbci reduziert
wird. Da der Kollektorstrom /uui abnimmt, kann das
Gleichs^annungspotential an der Klemme 8 ansteigen. Bei der Schaltung gemäß F i g. 4 jedoch nimmt auch der
Kollektorstrom des Transistors 16 zu, und das Gleichspannungspotential an der Basis des Transistors
15 fällt ab. Dies bedeutet, daß sich die \orspannung zwischen Basis und Emitter des Transistors 15
verringert, so daß sich folglich die Impedanz des Transistors 15 erhöht.
Dennoch kann dabei der nach unten tendierende Gleichwert an der Klemme 8 konstant gehalten werden.
Dagegen kann bei einem Absinken der AGC-Spannung der Kollektorstrom des Transistors 5 erhöht werden.
Die Impedanz des Transistors 15 wird jedoch verringert, so daß der Gleichstromwert an der Klemme 8 den
gleichen Wert beibehält oder nur verringert ansteigen kann.
Eine erfindungsgemäße AGC-Schaltung zeichnet sich
dadurch aus, daß sie durch Änderungen des AGC-Stgnals selbst nicht beeinflußt wird. Diese Schaltung
eignet sich daher vorteilhaft als gleichstromgekoppelter Verstärker.
F i g. 5 zeigt eine Abwandlung der Ausführungsform
gemäß Fig.4. Dabei ist der Transistor 15 zum Transistor 5 parallel geschaltet und die Ausgangsklemme 8 ist mit den beiden Kollektoren der Transistoren 5
und 15 verbunden. Die Arbeitsweise und die Wirkung dieser Schaltung entsprechen weitgehend der Schaltung
gemäß F i g. 4.
F i g. 6 zeigt noch eine weitere Ausführungsform der Erfindung, bei welcher die Gleichspannung am Kollektor des Transistors 3 konstant gehalten werden so!!. Da
der über den Transistor 3 fließende Strom dem Wert (Iin—hp:) entspricht, ändert sbh entsprechend der
automatischen Verstärkungsregelung die Spannung· zwischen dem Kollektor und dem Emitter. Zur
Vermeidung dieses unerwünschten Effekts sind Transistoren 20 und 21 vorgesehen, von denen der Transistor
20 einen Kompensationsstrom Λ zum Transistor 3
liefert, wodurch der über den Transistor 3 fließende
Strom stets konstant gehalten wird. Der Transistor 21 beaufschlagt den Transistor 11 mit einem Regelstrom.
Dies bedeutet, daß der Strom I1 bei einer Spannungser
höhung der AGC-Stromquelle 14 abnimmt. Anderer
seits verringert sich auch der über den Transistor 21 fließende Strom. Es ist somit möglich, den reduzierten
Strom /, entsprechend dem verringerten AGC-Strom einzustellen. Infolgedessen kann das Gleichstrompoten
tial am Kollektor des Transistors 3 sehr konstant
gehalten werden, ohne durch den Strom /,„,· beeinflußt
zu werden.
F i g. 7 veranschaulicht eine noch weitere abgewandelte Ausführungsform, bei welcher ein Transistor 21
den Kompensationsstrom /, und den Regelstrom gleichzeitig liefert. Hierdurch wird die Zahl der
Transistoren verringert, während die anderen Wirkungen und Vorteile die gleichen sind wie bei der Schaltung
nach F i g. 6.
Es sei noch ergänzt, daü bei den Ausführungsformen
gemäß den F ι g. 6 und 7 der Transistor 22 als Impedanzwandler zur Umwandlung der Eingangssignalquelle in eine Stromquelle dient.
Erfindung, bei welcher die Gleichstrompegel an der Ausgangsklemme 8 und am Kollektor des Transistors 3
unabhängig von Schwankungen des Stroms lttc konstant
gehalten werden sollen. Arbeitsweise und Wirkung dieser Ausführungsform entsprechen weitgehend denje
nigen der Schaltungen gemäß F i g. 4 und 5 sowie F i g. 6
und 7.
Die wesentlichen Elemente einer erfindungsgemäßen regelbaren Verstärkerschaltung, die sich gut als
integrierter Schaltkreis herstellen läßt, können wie folgt
zusammengefaßt werden: Ein Verstärkertransistor ist
basisseitig über einen Widerstand an eine Eingangssignalquelle angeschlossen. Ein Diodenelement, das eine
Bezugsvorspannung für den Verstärkertransistor liefert,
ist mit der Signalquellenseite des Widerstands verbun
den, während an seine am Verstärkertransistor liegende
Seite eine variable Stromquelle angeschlossen ist. Der Gegenscheinleitwert des Transistors ist durch Regelung
des Stroms der variablen Stromquelle veränderbar, wodurch der Verstärkungsgrad des Verstärkers sich
linear über einen weiten Bereich regeln läßt
Claims (1)
1. Regelbarer Verstärker für elektrische Signale mit einem durch eine Regelstromquelle in seinem
Verstärkungsgrad geregelten Verstärker für ein Eingangssignal, dadurch gekennzeichnet,
daß
Applications Claiming Priority (3)
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| JP8126472A JPS5315357B2 (de) | 1972-08-14 | 1972-08-14 |
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| DE2308835C3 true DE2308835C3 (de) | 1986-03-27 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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