DE2361810C3 - Signalumwandlungsschaltung - Google Patents

Description

satcrelement Co angeschlossen, das einen Injektionsoder Kopplungskondensator C1 und eben Streukondensator CB aufweist. Der Streukondensator CB bildet auf eine noch zu erläuternde Weise einen Bestandteil des Kondensatorelements Co.

Das Kondensatorelement Co und mindester s bestimmte Teile des Mischkreises 4 und des Empfängeroszillators 6 sind auf einein Halbleiterplättchen in Form einer insgesamt mit 10 bezeichneten integrierten Schaltung ausgebildet, zu der gemäß F i g. 1 eine äußere Klemme Il turn Zuführen hochfrequenter Signale gehört, ferner eine äußere Klemme 12 zum Entnehmen der Ausgangssignale des Mischkreises 4, sowie äußere Klemmen 13 und 14 zum Anschließen vwi Schaltungselementen, welche die Frequenz des Empfangsoszillators 6 bestimmen.

Gemäß Fi g. 1 besteht der Mischkreis 4 im wesentlichen aus zwei Transistoren Ql und Ql, die eine Kaskadenschaltung bilden, wobei ein Kondensator C4 vorhanden ist, so daß der Transistor Q 2 als Ver- ao stärker mit geerdeter Basis arbeitet.

Der Empfängeroszillaior 6 ist auf bekannte Weise als Colpitts-Oszillator ausgebildet, bei dem ein Kondensator CS zwischen der Basis und dem Emitter eines Haupttransistors Q 3 liegt, bei dem ein Kon- as densator C 6 zwischen dem Emitter und dem Kollektor des Transistors Q 3 angeschlossen ist, unu bei dem ein LC-Kreis in Form einer Reihenschaltung vorhanden ist, zu der gemäß F i g. 1 ein verstellbarer Kondensator Cl und eine verstellbare Induktivität L1 gehören, wobei dieser LC-Kreis an Klemmen 13 und 14 zwischen der Basis und dem Kollektor des Transistors Q 3 angeschlossen ist. Die Gesamtimpedanz des LC-F.reises ist induktiv, und die Frequenz des Empfängeroszillators 6 wird dadurch eingeregelt, daß man entweder den Kondensator C 7 oder die Induktivität Ll verstellt, um die Gesamtinduktivität zu ändern.

In Fig. 1 sind nur die grundsätzlichen Schaltungselemente des Mischkreises 4 und des Empfängeroszillators 6 in Form von Wechselspannungs-Äquivalentschaltungen dargestellt; die weiteren Einzelheiten der Schaltungsteile 4 und 6 werden weiter unten an Hand von F i g. 5 erläutert.

Beim Betrieb der Schaltung nach F i g. I werden die der Antenne 1 entnommenen Eingangssignale durch den Hochfrequenzverstärker 2 selektiv verstärkt und dann dem Eingang 4 a des Mischkreises 4 über den Transformator 3 und den Satz von Kondensatoren Cl bis C 3 zugeführt, während das örtlich erzeugte schwingende Signal des Empfängeroszillators 6 dem Mischkreis 4 über den Injektionskondensator C 1 des Kondensatorelements Co und die Eingangsklcmme 4 α zugeführt wird.

Die Frequenzen der hochfrequenten Signale und der Signale des Empfängeroszillators werden im Verhältnis zueinander mit Hilfe eines nicht dargestellten Kanalwählers so gewählt, daß die Frequenz der Ausgangssignalc, die an der Klemme 12 des Mischkreises 4 erscheinen, konstant gehalten wird und mil einer sogenannten Zwischenfrequenz übereinstimmt.

Um das Verständnis der Erfindung zu erleichtern, werden nachstehend an Hand von F i g. 2 und 3 verschiedene Ausführungsformen von Kondensatoren beschrieben, die auf einer HalbleitcrunterUige bzw. einem Halbleiterplättchen ausgebildet sind.

F i g. 2 zeigt in einem großen Maßstab unter übertriebener Darstellung der Dickenmaße einen SchniU durch ein Kondensatorelement Co vom Metall-Oxid-Silizium-Typ bzw. vom sogenannten MOS-Typ. Zu dem Kondensatorelement Co gehört eine Unterlage 21 aus einem Halbleitermaterial vom P-Typ, bei der eine Halbleiterzone 22 vom N-Typ in eine Fläche 21a hineindiffundiert worden ist. In der Zone 22 vom N-Typ ist eine in hohem Maße gedopte Zone 23 vom N⁺-Typ ausgebildet, und eine Elektrode 24 steht in ohmschem Kontakt mit der Zone 23 vom N+-Typ. Auf der Fläche 21a der Unterlage 21 ist eine Isolierschicht 25 ausgebildet, und auf der Fläche 25 a der Isolierschicht befindet sich eine weitere Elektrode 26, welche sich vollständig über einem Teile der Zone 23 vom N+-Typ befindet. Von den Elektroden 24 und 26 gehen zwei Leitungen 27 und 28 aus, die zu zwei Klemmen 29 und 30 führen. Bei dem so aufgebauten Schaltkreis befindet sich ein Hauptkondensator Cl zwischen den Elektroden 24 und 26 bzw. zwischen den Klemmen 29 und 30, und ein Streukondensator CB ist im wesentlichen zwischen der Elektrode 24 und der Halbleiterunterlage 21 vorhanden.

F i g. 3 zeigt eine weitere Ausführungsform eines Kondensatorelements Co auf einer Unterlage 31 aus einem Halbleitermaterial vom P-Typ, in deren Fläche 31 α eine Zone 32 vom N-Typ hineindiffundiert worden ist. In der Zone 32 vom N-Typ ist eine Zone 33 vom P-Typ ausgebildet, und die Zone 33 vom P-Typ ist ihrerseits mit einer weiteren Zone 34 vom N-Typ versehen. Es sind drei Elektroden 35, 36 und 37 vorhanden, die in ohmschem Kontakt mit den zugehörigen Zonen 32, 33 und 34 stehen, und die Fläche 31 a der Unterlage 31 ist mit einer Isolierschicht 38 bedeckt.

Mit den Elektroden 35, 36 unnd 37 sind drei Leitungen 39,, 39., und 40 verbunden, wobei die Leitungen 39, und 39., zu einer gemeinsamen Leitung 39 und über diese zu einer Klemme 41 führen, während die Leitung 40 an eine Klemme 42 angeschlossen ist. Bei dem integrierten Schaltkreis nach Fig. 3 ist ein Hauptkondensator C1 zwischen den Klemmen 41 und 42 vorhanden, wenn der PN-Übergang zwischen der Zone 33 vom P-Typ und der Zone 34 vom N-Typ in der Gegenrichtung vorgespannt ist, und ein derartiger Kondensator wird gewöhnlich als »PN-Übergangs-Kondensator« bezeichnet; ferner ist ein Streukondensator CB im wesentlichen zwischen dei Klemme 41 und der Unterlage 31 vorhanden.

Fig. 4 zeigt eine Äquivalentschaltung für das Kondensatorelement vom MOS-Typ nach F i g. 2 bei Betrachtung desselben von den Klemmen 29 und 3d aus bzw. für das Kondensatorelement vom PN-Übergangs-Typ nach F i g. 3 bei Betrachtung desselben von den Klemmen 41 und 42 aus. Sowohl bei dem Kondcnsatorelement vom MOS-Typ als auch bei demjenigen vom PN-Übergangs-Typ ist im wesentlichen ein Streukondensator CB zwischen der einen Klemme 29 bzw. 41 des Hauptkondensators Cl und der Unterlage vorhanden, der geerdet werden muß Zu der Äquivalentschaltung gehört ein mit dem Streukondensator CB parallelgeschalteter Widerstand R, der jedoch so groß ist, daß man ihn vernachlässigen kann. Die Klemme 29 bzw. 41 kann von der alitieren Klemme 30 bzw. 42 je nach deir Aufbau des Kondensators nach F i g. 2 bzw. Fig.? unterschieden werden. Tatsächlich ist der Kapazitätswert des Streukondensators CB relativ hoch, d. h." ei kann z. B. in der Größenordnung vonn 3 bis 5 Picofa-

rad liegen, wenn der Kondensator C 1 eine Kapazität in der Größenordnung von 3 Picofarad hat.

Gemäß F i g. 1 wird der Kondensator C1 des Kondensatorelcmcnts Co als Injektionskondensator benutzt, um den Empfängeroszillator 6 mit dem Mischkreis 4 zu koppeln, und gemäß der Erfindung ist das Kondensatorelement Co an die Schaltkreise 4 und 6 so angeschlossen, daß die Klemme 29 bzw. 41 mit dem Eingang 4« des Mischkreises 4 und die andere Klemme 30 bzw. 42 mit der Ausgangsklemme 6 a des Empfängeroszillators 6 verbunden ist, so daß sich der Streukondensator CB auf der Mischkreisseile des Injeklionskondensalors und nicht etwa auf dessen Oszillatorseite befindet.

Durch die Schaltungsweisc des Kondensatorelemenles Co werden die folgenden Vorteile erzielt:

1. Der Wirkungsgrad, mit dem die Signale aus dem Empfängeroszillator 6 in den Mischkreis 4 überführt werden, läßt sich auf einem hohen Wert halten, da der Streukondensator CB nicht auf der Oszillatorseite des Injektionskondensators C 1 erscheint; wenn dies der Fall wäre, würde ein großer Teil der Signale des Empfängeroszillators über einen Nebenschluß abgeleitet.

2. Die Frequenzregelung des Empfängeroszillators 6 mit Hilfe des verstellbaren Kondensators C 7 oder der verstellbaren Induktivität L1 wird durch den SlreuKondensator CB erheblich weniger beeinflußt oder beeinträchtigt, als e= Α·>λ Fail sein würde, wenn der Streukondensator CB auf der Oszillatorseile erscheinen würde und mit dem Kondensator C 7 und der Induktivität L 1 parallel geschaltet wäre.

?i. Der Streukondensator CB unterstützt den Resonanzkreis 5, da dieser Kondensator mit additiver Wirkung mit dem Kondensator C3 parallel geschaltet ist, so daß der Kondensator C 3 einen niedrigeren Kapazitätswert erhalten kann.

F i g. 5, wo Schaltungselemente, die an Hand von F i g. 1 beschriebenen Schaltungselementen entsprechen, jeweils mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind, zeigt ein praktisches Beispiel für eine Schaltung nach Fig. 1, bei welcher der Mischkreis 4 mehrere Vorspannwiderstände Rl, R2, R 3, R 4 und R 5 für die eine Kaskadenschaltung bildenden Transistoren Q 1 und Q 2 aufweist, und bei der eine Gleichspannungsquelle E an eine äußere Klemme 16 des integrierten Schaltkreises 10 angeschlossen ist. Bei dem Mischkreis 4 nach Fig.5 ist der PN-Übergang zwischen der Basis und dem Emitter eines weiteren Transistors β 4 in der Gegenrichtung vorgespannt, und er bildet den Kondensator CA nach F i g. 1 zum Verbinden der Basis des Transistors Q 2 mit dem Emitter des Transistors Q1. Eine äußere Klemme 15 des integrierten Schaltkreises 10 ist an den Emitter des Transistors ßl angeschlossen, und ein Kondensator C 8 liegt zwischen der Klemme 15 und Masse, so daß der Emitter des Transistors Q 1 für Wechselstrom geerdet ist. Die Basis des Transistors Q 2 ist für Wechselstrom ebenfalls geerdet, und zwar durch einen Kondensator, der durch den Transistor β 4 und den Kondensator C8 gebildet wird.

Gemäß F i g. 5 gehört zu dem Empfängeroszillator 6 der an Hand von F i g. 1 beschriebene Hauptiransistor β 3 und außerdem ein Transistor β 15, bei dem der PN-Übergang zwischen der Basis und dem Emitter in der Gegenrichtung vorgespannt ist, um den Kondensator CS nach Fi g. 1 zu bilden, der zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors Q 3 liegt. Der Kondensator C6, bei dem es sich z.B. um einen Kondensator vom MOS-Typ handelt, liegt zwischen dem Emitter des Tarnsistors β 3 und Masse, wie es auch in F i g. 1 gezeigt ist.

Zu dem Empfängeroszillator6 nach Fig. 5 gehört ferner ein Transistor β 6, der eine mit einem konstanten Strom arbeitende Vorspannschaltung für den

ίο Transistor β 3 bildet. Weiterhin sind bei der Schaltung nach F i g. 5 Widerstände R 6, R 7, R 8, R 9 und R 10 sowie Dioden D 1 und D 2 als Vorspannelemente für die Transistoren β 3, β 5 und Q 6 vorhanden.

Zu dem LC-Kreis zum Regeln der Frequenz des Empfängeroszillators 6 gehören bei der Schaltung nach Fi g. 5 ein Kondensator C 9 und eine Induktivität L 2, die in Reihe mit einer weiteren Induktivität Z. 3 geschaltet sind, die z. B. in Abhängigkeit von der Betätigung eines Kanalwählers veränderbar ist, wobei dieser Kreis zwischen der Klemme 13 und Masse iiegt. Ferner verläuft eine Reihenschaltung, die sich aus einem Kondensator ClO, dem Basis-Kollektor-Übergang eines Transistors β 7 und einem Kondensator CIl zusammensetzt, von dem Knotenpunkt zwischen den Induktivitäten L 2 und 7. 3 und Masse. Da der Emitter des Transistors β 7 nicht angeschlossen ist, bildet der PN-Übergang zwischen der Basis und dem Kollektor dieses Transistors einen variablen Kondensator, dessen Kapazität durch die Gleichspannung bestimmt wird, die zwischen der Basis und dem Kollektor des Transistors β 7 über Entkopplungswiderstände R 11 und R 12 angelegt wird, und die ihrerseits durch eine Steuerspannung geregelt

wird, welche an die Klemmen 17 und 18 von einer nicht dargestellten sogecannten Feinabstimmschaltung aus angelegt wird. Der in F i g. 1 lediglich durch den verstellbaren Kondensator C 7 und die verstellbare Induktivität L1 repräsentierte LC-Kreis ist ge-

genüber Wechselstrom das Äquivalent der entsprechenden Schaltung nach F i g. 5.

Bei der Schaltung nach Fig.5 ist das Kondensatorelement Co zwischen der Ausgangsklemme 6 a des Empfängeroszillators 6 und der Eingangsklemme 4 a

des Mischkreises 4 angeschlossen, so daß gemäß der Erfindung der Streukondensator CB auf der Mischkreisseite des Injektions- oder Hauptkondensators CI erscheint

In Fig.6, wo der Aufbau und die Schaltung des

Kondensatorelements Co zwischen dem Transistor ßl des Mischkreises 4 und dem Transistor β 3 des Empfängeroszillators 6 nach F i g. 5 für den FaU dargestellt ist, daß das Kondensatorelement gemäß Fig.2 als Kondensator vom MOS-Typ ausgebildet

ist, sind die verschiedenen Schaltungselemente jeweils mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet wie die entsprechenden Schaltungselemente in Fig.2 und 5 Der Transistor β 3 des Empfängeroszillators 6 ist in F i g. 6 als NPN-Transistor dargestellt, der auf

einer Halbleiterunterlage 21 ausgebildet ist und eine Kollektorzone 50, eine Basis 51 und eine Emitterzone 52 aufweist, mit denen zugehörige Elektroden 53, 54 und 55 in ohmschem Kontakt stehen. Der Transistor Q1 des Mischkreises 4 ist ein NPN-Tran-

sistor, der ebenfalls auf der Halbleiterunterlage 21 ausgebildet ist und eine Kollektorzone 56. eine Basiszone 57 und eine Emitterzone 58 aufweist mit denen zugehörige Elektroden 59. 60 und 61 in ohm-

schein Kontakt stehen. Das Kondensalorclcmcnt Co ist in der uns Fi g. 2 ersichtlichen Weise ebenfalls auf der Unterlage 21 ausgebildet, und seine Klemme 29 ist mit der Basis 60 des Transistors Q I über die Fingangsklcmmc 4 c/ des Mischkreises 4 verbunden, wiihicnd die andere Klemme 30 des Kondensatorelements an die Basis 54 des Transistors Q 3 über die Alisgangsklemme da des Ilmpfängeroszilkitors 6 angeschlossen ist. Aus Fig. 6 ist ersichtlich, daß bei dem dargestellten integrierten Schaltkreis der Streukondensator CU auf der Seite des Injektions- oder Ilaupikondensators C I liegt, die dem Transistor Q 1 des Mischkreises zugewandt ist, und nicht etwa auf der dem Transistor Q 3 des F.mpfängeroszillators zugewandten Seite.

Aus Fig. 7, wo der Aufbau und der Anschluß des Kondensators Co zwischen dem Transistor Ql des Mischkreises 4 und dem Transistor Q3 des Empfiingeros/illators 6 für den Fall dargestellt ist, daß das Kondensalorclcmcnt Co gemäß F i g. 3 als Kondensator vom PN-Obcrgangs-Typ ausgebildet ist, ist ersichtlich, daß die Transistoren Ql und (J 3 den an Hand vein Fig. 6 beschriebenen Transistoren ähneln, weshalb ihre Teile jeweils mit den gleichen Bezugszahlen bezeichnet sind, und daß die Teile des Kondensatorelemcnts Co mit Bezugszahlen bezeichnet sind, die den in Fig. 3 verwendeten entsprechen. Bei dem integrierten Schaltkreis nach Fig. 7 sind die Transistoren Ql und (?3 des Kondcnsatorelcments Co auf der gleichen Halbleilerunterlage 31 ausgebildet, und die Klemme 41 dieses Kondensatorelements ist mit der Basis 60 des Transistors 1 über die Eingangsklemme 4ij des Mischkreises 4 verbunden, während die andere Klemme 42 des Kondensatorelements CV; an die Basis 54 des Transistors Q 3 über die Ausgangsklcmme da des Empfängcroszillators 6 angeschlossen ist. In diesem Fall wird die Gleichspannung an der Basis 60 des Transistors Q 1 niedriger gewählt als diejenige an der Basis 54 des Transistors Q3, um den PN-Übergang zwischen den Zonen 33 und 34 des Kondcnsatorelcments Co dadurch in der Gegenrichtung vorzuspannen, daß die Widerstandswerte der Widerstände Rl bis Λ 10 nach F i g. 5 entsprechend gewählt werden. Bei dem integrierten Schaltkreis nach F i g. 7 befindet sich der Streukondensator CB des Kondensators vom PN-Übergangs-Typ wie zuvor auf der dem Transistor Ql des Mischkreises zugewandten Seite des Injektions- oder Hauptkondensators CI und nicht etwa auf der dem Empfängeroszillator zugewandten Seite des Transistors Q3.

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

1. C Einer der Hauptgründe hierfür besteht darin, daß

   Patentansprüche: _{zu e}j_ner Umwandlungsschaltung gewöhnlich mehrere

   1 Signalumwandlungsschaltung mit einem Kondensatoren und Induktivitäten gehören die sich MischkS Tr eine Eingangsklemme zum Auf- nur unter Schwierigkeiten als Bestandteile ,ntegriernehmen der umzuwandelnden Eingangssignale 5 terSchaltkre.se hersteilerι lasser'-Außerdem ergeben und eine Ausgangsklemme zum Abgeben der um- sich sehr nohe Signalverluste bei der Verwendung gewandelten Signale aufweist, einem Empfänger- eines Injekt.ons- oder Kopplungskondensators zwioszillator und einem Kopplungs- bzw. Injek- sehen dem Empfangerosz.llator und dem M.schkreis, tionskondensator, mittels dessen das Ausgangssi- und die^ Arbeitsweise des Empfangeroszillators wird gnal des Empfängeroszillators auch der Ein- *° durch den Kondensator beeinträchtigt wenn der gangsklemme des Mischkreises zugeführt wird, Kondensator zusammen mn anderen Scheltkreisen dadurch gekennzeichnet, daß der In- auf dem glichen Halbleiterplattchen ausgebildet ist. jekiionskondensator (C/) zwischen einer ersten Der im Anspruch 1 angegebenen Erfmdung liegt Klemme (29; 41) und einer zweiten Klemme (30; die Aufgäbe zugrunde, eine Signalumwandlungs-42) eines Kondensatorelements (Co) angeschlos- 15 schaltung zu schaffen die als integrierter Schaltkreis sen ist, das auf einer Unterlage (21; 31) aus auf einem einzigen Plättchen aus einem Halbleitereinem Halbleitermaterial ausgebildet ist und Trägermaterial ausgebildet ist, die auf der Unterlage außerdem einen Streukondensator (CB) zwischen zusammen mit einem Injektions- oder Kopplungsder genannten ersten Klemme (29; 41) und der kondensator angeordnet ist, der ein Signal eines Unterlage aus dem Halbleitermaterial bildet, daß « Empfängeroszillators einem Mischkreis zuführt, bei die erste Klemme des Kondensatorelements an der die auf den Injektions- oder Kopplungskondendie Eingangsklemme (4 a) des Mischkreises (4) sator zurückzuführenden Signalverluste auf ein Miniangeschlossen ist, und daß die zweite Klemme mum verringert sind, und bei der die Arbeitsweise des Kondensatorelements mit der Ausgangs- des Empfängeroszillators durch das Vorhandensein klemme (6 a) des Empfängeroszillators (6) ver- 25 des Kopplungskondensators nicht auf unerwünschte .bunden ist, so daß der Streukondensator auf der Weise beeinflußt oder beeinträchtigt wird.
   dem Mischkreis zugewandten Seite des Injek- Die Arbeitsweise des Empfängeroszillators wird tionskondensators liegt. . durch den Streukondensator nicht beeinträchtigt; der
2. 2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekenn- Wirkungsgrad des Mischkreises zum Zuführen des Sizeichnet, daß mindestens ein Teil (Q 1) des 3° gnats wird erhöht. Vorteilhafte Weiterbildungen der Mischkreises (4) und mindestens ein Teil (Q 3) Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben, des Empfängeroszillators (6) zusammen mit dem Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im Kondensatorelement (Co) au* der gleichen Unter- folgenden an Hand schematischer Zeichnungen nälage (21; 31) aus dem Halbleitermaterial ausge- her erläutert. Es zeigt

   bildet sind. 35 F i g. 1 ein Schaltbild, aus dem die Hauptteile einet
3. 3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch ge- Ausführungsform einer Signalumwandlungsschaltung kennzeichnet, daß das Kondensatorelement (Co) ersichtlich sind,

   ein Kondensator vom MOS-Typ ist (Fig. 2 Fig.2 einen Schnitt durch eine Ausführungsform

   und 6). eines Kondensatorelements für die Signalumwand-
4. 4. Schaltung nach Anspruch2, dadurch ge- 40 lungsschaltungnach Fig. 1,

   kennzeichnet, daß das Kondensatorelement (Co) Fig. 3 einen Schnitt durch eine weitere Ausfüh-

   ein Kondensator vom PN-Ubergangs-Typ ist rungsform eines Kondensatorelements für die Signal-

   (Fi g. 3 und7). Umwandlungsschaltung nach Fig. 1,
5. 5. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 Fig.4 schematisch eine den Kondensatorelemenbis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die umzuwan- 45 ten nach F i g. 2 und 3 äquivalente Schaltung,
   delnden Eingangssignale der Eingangsklemme F i g. 5 ein vollständigeres Schaltbild einer Ausfüh-(4 a) des Mischkreises (4) über einen Resonanz- rungsform einer Signalumwandlungsschaltung,

   kreis (S) zugeführt werden, der mindestens einen F i g. 6 einen Schnitt durch eine Ausführungsforrr

   Kondensator (C 3) aufweist, welcher mit dem eines integrierten Schaltkreises, der einen Bestandteil Streukondensator (CB) des Kondensatorelements 50 der Schaltung nach F i g. 5 bildet, und bei dem da: (Co) parallel geschaltet ist. Kondensatorelement nach Fig.2 verwendet ist; unc

   Fig. 7 einen integrierten Schaltkreis ähnlich dem-

   jenigen nach F i g. 6, bei dem jedoch das Kondensatorelement nach F i g. 3 verwendet ist.

   Bei bestimmten elektronischen Geräten, z.B. bei 55 Gemäß Fig. 1 umfaßt der dargestellte Signalein- :rnsehcmpfüngem, werden zahlreiche Schaltkreise, gangsteil eines Empfängers eine Antenne 1, an die eir B. Zwischenfrequenzverstärker, Leuclitdichle-Ver- Hochfrequenzverstärker 2 angeschlossen ist, desser irker, Chrominanzverstärker, mit Tonfrequenzen Ausgang mit der Primärwicklung eines Transformabeitende Schaltungen u.dgl., bereits als integrierte tors3 verbunden ist, während die Sekundärwicklung haltungen auf einem einzigen Plättchen bzw. einer 60 dieses Transformators über einen Satz von Kondeniterlage aus einem Halbmaterial ausgebildet, und satoren Cl bis C 3 an einen Eingang 4 a eine; 'ar jeweils aliein oder zusammen mit anderen Mischkreises4 angeschlossen ist. Die Sekundärwick haltkreiscn. Bei Signalumwandlungsschaltungen lung des Transformators 3 und der Satz von Konden t einem Mischkreis und einem lZmpfängeroszilla- satoren Cl bis C3 bilden zusammen einen Reso r, wie sie gewöhnlich bei einem Kanalwähler vor- 65 nanzkreis 5 zum Zuführen eines gewählten enipfannden sind, wurden bis jetzt bezüglich der Herstel- genen Signals zum Eingang 4a des Misch^vreises 4 ig solcher Schaltungen als integrierte Schaltkreise Ein Ausgang 6 a eines Empfangsoszillators 6 ist ar

   r geringe oder überhaupt keine Fortschritte erzielt. den Eingang 4 α des Mischkreises 4 über ein Konden-