DE2233786C3 - Thyristor mit erhöhter Ein- und Durchschaltgeschwindigkeit - Google Patents
Thyristor mit erhöhter Ein- und DurchschaltgeschwindigkeitInfo
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions
- H10D64/27—Electrodes not carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. gates
- H10D64/291—Gate electrodes for thyristors
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Description
60
Die Erfindung betrifft einen Thyristor mit einem Halbleiterkörper mit hoher Leitfähigkeit in der anoden-
und kathodenseitigen Emitterzone und mit geringer Leitfähigkeit in den Basiszonen, bei dem eine Anode die
anodenseitige Emitterzone, eine Kathode die kathodenseitige Emitterzone und eine Steuerelektrode die
Steuerbasiszone kontaktiert und bei dem mittels einer Fingerstruktur der Steuerbasiszone beim Zünden mit
Hilfe eines Steuerstromes eine erhöhte Ein- und Durchschaltgeschwindigkeit dadurch erzielt wird, daß
innerhalb der Steuerbasiszone, mit Abstand von den pn-Übergängen dieser Zone zu den benachbarten
Zonen, ein im Vergleich zu dem übrigen Teil der Steuerbasiszone hochdotierter zusammenhängender
Bereich gleichen Leitungstyps angeordnet ist, der, von dem Kontakt der Steuerelektrode ausgehend, sich
finger- oder netzförmig in der ganzen Steuerbasiszone erstreckt und so Strombahnen für den Steuerstrom
bildet, nach DBP 22 03 156.
Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung nach DBP 22 03 156 gehen bei einem solchen Thyristor von einem
zentral angeordneten Steuerkontakt radialsymmetrisch sich erstreckende, fingerförmige Steuerstrombahnen
aus, die eine um Größenordnungen höhere Dotierungskonzentration als die übrige Steuerbasiszone aufweisen
und die zumindest an ihren Enden ankerförmig verästelt sind. Diese Steuerstrombahnen sind in den Abmessungen
und in der Dotierungskonzentration derart bemessen, daß der Spannungsabfali des Steuerstromes
in den Steuerstrombahnen bei Zimmertemperatur höchstens 25 mV beträgt, und daß bei vorgegebener
Flächengröße der die Steuerstrombahnen bildenden Finger die Breite dieser Finger entsprechend der mit
zunehmender Entfernung vom Kontakt der Steuerelektrode abnehmenden Strombelegung der Finger abnimmt.
Um den Zündvorgang bei einem derartigen Thyristor noch mehr zu beschleunigen, können erfindungsgemäß
die Steuerstrombahnen in verschiedener Weise gestaltet sein. Die Steuerstrombahnen können zwei unter
einem Winkel sich schneidende Scharen von unter sich parallelen geradlinigen Steuerstrombahnen bilden, die
in den Schnittpunkten netzförmig miteinander zusammenhängen und verbunden sind. Des weiteren können
die von einem Kontakt der Steuerelektrode ausgehenden Steuerstrombahnen durch hierzu Trajektorien
bildende Strombahnen, und speziell von einem zentralen Kontakt der Steuerelektrode radialsymmetrisch
ausgehende Finger der Steuerstrombahnen durch in bezug auf diesen Kontakt konzentrische, ringförmige
Steuerstrombahnen miteinander zusammenhängen und verbunden sein.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend anhand der Zeichnung näher beschrieben. Es
zeigen die
F i g. 1 und 2 Längsschnitte durch zwei verschieden ausgestaltete Steuerstrombahnen eines Thyristors.
Bei einem Thyristor nach Fig. 1, einem aus einer n + -leitenden kathodenseitigen Emitterzone, einer p-leitenden
Basiszone, einer η-leitenden Basiszone und einer ρ+-leitenden anodenseitigen Emitterzone bestehenden
η+pnp+-Thyristor, liegt die Steuerstrecke zwischen
einem mit der p-leitenden Basiszone, der Steuerbasiszone 3, verbundenen Kontakt der Steuerelektrode 5' und
der Kathode, die mit der kathodenseitigen Emitterzone verbunden ist. Innerhalb der p-leitenden Steuerbasiszone
3 sind netzförmig Strombahnen 5, 5" angeordnet. Diese· bestehen aus zwei Seharen 5 und 5" mit je fünf
geradlinigen, zueinander parallelen Strombahnstreifen, die sich gegenseitig senkrecht durchdringen und
dadurch miteinander zusammenhängen und verbunden sind. Der zentral angeordnete Kontakt 5' der Steuerelektrode:
des Thyristors ist mit dem Schnittpunkt der beiden mittleren Strombahnstreifen der Scharen 5 und
5" verbunden. Diese Strombahnen erstrecken sich in der
ganzen Steuerbasiszone 3. Die,einzelnen Strombahnstreifen
können kürzer sein und dann zweckmäßig an den Enden mit ankerförmigen Verästelungen weiter
ausgebildet sein. Mit den netzförmigen Strombahnen für den Steuerstrom wird nahezu die ganze für die
Stromführung verfügbare Längsschnittfläche des Halbleiterkörpers des Thyristors von dem Zündvorgang
erfaßt Entsprechend einer mit zunehmendem Abstand χ vom Steuerkontakt 5' abnehmenden Strombelegung der
Strombahnstreifen können diese eine mit zunehmen- in
dem Abstand χ kleiner werdende Breite b aufweisen.
Nach Fig.2 bilden die Steuerstrombahnen der
Steuerbasiszone 3 ein in bezug auf einen ebenfalls zentral angeordneten Kontakt 5' der Steuerelektrode
radialsymmetrisches Netz mit einer Schar 5 von vier vom Kontakt 5' radial ausgehenden Streifen oder
Finger und einer Schar 5" von drei konzentrisch angeordneten Kreisringen 5", die sich gegenseitig
durchdringen und dadurch miteinander zusammenhängen und verbunden sind. Mit Hilfe eines solchen Netzes :n
von Steuerstrombahnen wird die ganze für die Stromführung verfügbare Längsschnittfläche des Halbleiterkörpers
des Thyristors von dem Zündvnrgang optimal erfaßt, und der Zündvorgang wird daher
optimal beschleunigt. Bei einem nach F i g. 2 ausgebildeten Netz von Steuerstrombahnen gilt hinsichtlich der
Breite der Strombahnstreifen die oben dargelegte Bemessungsregel.
Ein nach Fig. 1 oder in sinngemäßer Abänderung nach F i g. 2 ausgebildetes Netz von Steuerstrombahnen
ist vorteilhaft auch bei einem Thyristor mit einem nicht zentral angeordneten Kontakt der Steuerelektrode
verwendbar. Dieser wird zweckmäßig wieder in einem Schnittpunkt zweier oder mehrerer Steuerstrombahnfinger
angeordnet und mit denselben verbunden. In sinngemäßer Abwandlung von F i g. 2 erhält man z. B.
ein Netz von Strombahnen, das aus einer Schar radial vom Steuerkontakt ausgehender Finger und einer Schar
von in bezug auf den Kontakt der Steuerelektrode einander ähnlichen Ellipsen besteht, welche die radialen
Finger durchdringen und mit diesen verbunden sind.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
- Patentansprüche:I.Thyristor mit einem Halbleiterkörper mit hoher Leitfähigkeit in der anöden- und kathodenseitigen Emitterzone und mit geringer Leitfähigkeit in den ι Basiszonen, bei dem eine Anode die anodenseitige Emitterzone, eine Kathode die kathodenseitige Emitterzone und eine Steuerelektrode die Steuerbasiszone kontaktiert und bei dem mittels einer Fingerstruktur der Steuerbasiszone beim Zünden in mit Hilfe eines Steuerstromes eine erhöhte Ein- und Durchschaltgeschwindigkeit dadurch erzielt wird, daß innerhalb der Steuerbasiszone, mit Abstand von den pn-Übergängen dieser Zone zu den benachbarten Zonen, ein im Vergleich zu dem übrigen Teil der Steuerbasiszone hochdotierter zusammenhängender Bereich gleichen Leitungstyps angeordnet ist, der, von dem Kontakt für die Steuerelektrode ausgehend, sich finger- oder netzförmig in der ganzen Steuerbasiszone erstreckt und so Strombah- >o nen für den Steuerstrom bildet, nach DBP 22 03 156, gekennzeichnet durch zwei unter einem Winkel sich schneidender, ein Netz bildender Scharen (5, 5") von unter sich parallelen geradlinigen Steuerstrombahnen, die in den Schnittpunkten miteinander zusammenhängen und verbunden sind.
- 2. Thyristor mit einem Halbleiterkörper mit hoher Leitfähigkeit in der anöden- und kathodenseitigen Emitterzone und mit geringer Leitfähigkeit in den Basiszonen, bei dem eine Anode die anodenseitige so Emitterzone, eine Kathode die kathodenseitige Emitterzone und eine Steuerelektrode die Steuerbasiszone kontaktiert und bei dem mittels einer Fingerstruktur der Steuerbasiszone beim Zünden mit Hilfe eines Steuerstrom· ; eine erhöhte Ein- und Durchschaltgeschwindigkeit dadurch erzielt wird, daß innerhalb der Steuerbasiszone, mit Abstand von den pn-Übergängen dieser Zone zu den benachbarten Zonen, ein im Vergleich zu dem übrigen Teil der Steuerbasiszone hochdotierter zusammenhängender Bereich gleichen Leitungstyps angeordnet ist, der, von dem Kontakt für die Steuerelektrode ausgehend, sich finger- oder netzförmig in der ganzen Steuerbasiszone erstreckt und so Strombahnen für den Steuerstrom bildet, nach DBP 22 03 156, dadurch gekennzeichnet, daß die von einem Kontakt (5') der Steuerelektrode ausgehenden Strombahnen (5) für den Steuerstrom durch hierzu Trajektorien bildende Strombahnen (5") miteinander zusammenhängen und verbunden sind.
- 3. Thyristor nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch von einem zentral angeordneten Kontakt (5') der Steuerelektrode radialsymmetrisch ausgehende Finger der Strombahnen (5) für den Steuerstrom, welche durch in bezug auf diesen Kontakt konzentrische, ringförmige Strombahnen (5") miteinander zusammenhängen und verbunden sind.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2233786A DE2233786C3 (de) | 1972-01-24 | 1972-07-10 | Thyristor mit erhöhter Ein- und Durchschaltgeschwindigkeit |
| US326275A US3906545A (en) | 1972-01-24 | 1973-01-24 | Thyristor structure |
| GB363373A GB1410726A (en) | 1972-01-24 | 1973-01-24 | Thyristor with increased switching on an switching through speed |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2203156A DE2203156B2 (de) | 1972-01-24 | 1972-01-24 | Thyristor mit erhöhter Ein- und Durchschalt geschwindigkeit |
| DE2233786A DE2233786C3 (de) | 1972-01-24 | 1972-07-10 | Thyristor mit erhöhter Ein- und Durchschaltgeschwindigkeit |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2233786A1 DE2233786A1 (de) | 1974-01-31 |
| DE2233786B2 DE2233786B2 (de) | 1981-07-16 |
| DE2233786C3 true DE2233786C3 (de) | 1982-03-11 |
Family
ID=32043832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2233786A Expired DE2233786C3 (de) | 1972-01-24 | 1972-07-10 | Thyristor mit erhöhter Ein- und Durchschaltgeschwindigkeit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2233786C3 (de) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2299727A1 (fr) * | 1975-01-28 | 1976-08-27 | Alsthom Cgee | Thyristor a caracteristiques de commutation ameliorees |
| US4060821A (en) * | 1976-06-21 | 1977-11-29 | General Electric Co. | Field controlled thyristor with buried grid |
| JPS607394B2 (ja) * | 1978-08-18 | 1985-02-23 | 株式会社明電舎 | 半導体制御素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3619738A (en) * | 1969-10-13 | 1971-11-09 | Tokyo Shibaura Electric Co | Semiconductor device with improved connection to control electrode region |
-
1972
- 1972-07-10 DE DE2233786A patent/DE2233786C3/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2233786B2 (de) | 1981-07-16 |
| DE2233786A1 (de) | 1974-01-31 |
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Legal Events
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| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8340 | Patent of addition ceased/non-payment of fee of main patent |