[go: up one dir, main page]

DE2233786C3 - Thyristor mit erhöhter Ein- und Durchschaltgeschwindigkeit - Google Patents

Thyristor mit erhöhter Ein- und Durchschaltgeschwindigkeit

Info

Publication number
DE2233786C3
DE2233786C3 DE2233786A DE2233786A DE2233786C3 DE 2233786 C3 DE2233786 C3 DE 2233786C3 DE 2233786 A DE2233786 A DE 2233786A DE 2233786 A DE2233786 A DE 2233786A DE 2233786 C3 DE2233786 C3 DE 2233786C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
control
zone
cathode
current
base zone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2233786A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2233786B2 (de
DE2233786A1 (de
Inventor
Kurt Dr.Rer.Nat. 6053 Obertshausen Roy
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE2203156A external-priority patent/DE2203156B2/de
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DE2233786A priority Critical patent/DE2233786C3/de
Priority to US326275A priority patent/US3906545A/en
Priority to GB363373A priority patent/GB1410726A/en
Publication of DE2233786A1 publication Critical patent/DE2233786A1/de
Publication of DE2233786B2 publication Critical patent/DE2233786B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2233786C3 publication Critical patent/DE2233786C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/20Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions 
    • H10D64/27Electrodes not carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. gates
    • H10D64/291Gate electrodes for thyristors

Landscapes

  • Thyristors (AREA)

Description

60
Die Erfindung betrifft einen Thyristor mit einem Halbleiterkörper mit hoher Leitfähigkeit in der anoden- und kathodenseitigen Emitterzone und mit geringer Leitfähigkeit in den Basiszonen, bei dem eine Anode die anodenseitige Emitterzone, eine Kathode die kathodenseitige Emitterzone und eine Steuerelektrode die Steuerbasiszone kontaktiert und bei dem mittels einer Fingerstruktur der Steuerbasiszone beim Zünden mit Hilfe eines Steuerstromes eine erhöhte Ein- und Durchschaltgeschwindigkeit dadurch erzielt wird, daß innerhalb der Steuerbasiszone, mit Abstand von den pn-Übergängen dieser Zone zu den benachbarten Zonen, ein im Vergleich zu dem übrigen Teil der Steuerbasiszone hochdotierter zusammenhängender Bereich gleichen Leitungstyps angeordnet ist, der, von dem Kontakt der Steuerelektrode ausgehend, sich finger- oder netzförmig in der ganzen Steuerbasiszone erstreckt und so Strombahnen für den Steuerstrom bildet, nach DBP 22 03 156.
Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung nach DBP 22 03 156 gehen bei einem solchen Thyristor von einem zentral angeordneten Steuerkontakt radialsymmetrisch sich erstreckende, fingerförmige Steuerstrombahnen aus, die eine um Größenordnungen höhere Dotierungskonzentration als die übrige Steuerbasiszone aufweisen und die zumindest an ihren Enden ankerförmig verästelt sind. Diese Steuerstrombahnen sind in den Abmessungen und in der Dotierungskonzentration derart bemessen, daß der Spannungsabfali des Steuerstromes in den Steuerstrombahnen bei Zimmertemperatur höchstens 25 mV beträgt, und daß bei vorgegebener Flächengröße der die Steuerstrombahnen bildenden Finger die Breite dieser Finger entsprechend der mit zunehmender Entfernung vom Kontakt der Steuerelektrode abnehmenden Strombelegung der Finger abnimmt.
Um den Zündvorgang bei einem derartigen Thyristor noch mehr zu beschleunigen, können erfindungsgemäß die Steuerstrombahnen in verschiedener Weise gestaltet sein. Die Steuerstrombahnen können zwei unter einem Winkel sich schneidende Scharen von unter sich parallelen geradlinigen Steuerstrombahnen bilden, die in den Schnittpunkten netzförmig miteinander zusammenhängen und verbunden sind. Des weiteren können die von einem Kontakt der Steuerelektrode ausgehenden Steuerstrombahnen durch hierzu Trajektorien bildende Strombahnen, und speziell von einem zentralen Kontakt der Steuerelektrode radialsymmetrisch ausgehende Finger der Steuerstrombahnen durch in bezug auf diesen Kontakt konzentrische, ringförmige Steuerstrombahnen miteinander zusammenhängen und verbunden sein.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend anhand der Zeichnung näher beschrieben. Es zeigen die
F i g. 1 und 2 Längsschnitte durch zwei verschieden ausgestaltete Steuerstrombahnen eines Thyristors.
Bei einem Thyristor nach Fig. 1, einem aus einer n + -leitenden kathodenseitigen Emitterzone, einer p-leitenden Basiszone, einer η-leitenden Basiszone und einer ρ+-leitenden anodenseitigen Emitterzone bestehenden η+pnp+-Thyristor, liegt die Steuerstrecke zwischen einem mit der p-leitenden Basiszone, der Steuerbasiszone 3, verbundenen Kontakt der Steuerelektrode 5' und der Kathode, die mit der kathodenseitigen Emitterzone verbunden ist. Innerhalb der p-leitenden Steuerbasiszone 3 sind netzförmig Strombahnen 5, 5" angeordnet. Diese· bestehen aus zwei Seharen 5 und 5" mit je fünf geradlinigen, zueinander parallelen Strombahnstreifen, die sich gegenseitig senkrecht durchdringen und dadurch miteinander zusammenhängen und verbunden sind. Der zentral angeordnete Kontakt 5' der Steuerelektrode: des Thyristors ist mit dem Schnittpunkt der beiden mittleren Strombahnstreifen der Scharen 5 und 5" verbunden. Diese Strombahnen erstrecken sich in der
ganzen Steuerbasiszone 3. Die,einzelnen Strombahnstreifen können kürzer sein und dann zweckmäßig an den Enden mit ankerförmigen Verästelungen weiter ausgebildet sein. Mit den netzförmigen Strombahnen für den Steuerstrom wird nahezu die ganze für die Stromführung verfügbare Längsschnittfläche des Halbleiterkörpers des Thyristors von dem Zündvorgang erfaßt Entsprechend einer mit zunehmendem Abstand χ vom Steuerkontakt 5' abnehmenden Strombelegung der Strombahnstreifen können diese eine mit zunehmen- in dem Abstand χ kleiner werdende Breite b aufweisen.
Nach Fig.2 bilden die Steuerstrombahnen der Steuerbasiszone 3 ein in bezug auf einen ebenfalls zentral angeordneten Kontakt 5' der Steuerelektrode radialsymmetrisches Netz mit einer Schar 5 von vier vom Kontakt 5' radial ausgehenden Streifen oder Finger und einer Schar 5" von drei konzentrisch angeordneten Kreisringen 5", die sich gegenseitig durchdringen und dadurch miteinander zusammenhängen und verbunden sind. Mit Hilfe eines solchen Netzes :n von Steuerstrombahnen wird die ganze für die Stromführung verfügbare Längsschnittfläche des Halbleiterkörpers des Thyristors von dem Zündvnrgang optimal erfaßt, und der Zündvorgang wird daher optimal beschleunigt. Bei einem nach F i g. 2 ausgebildeten Netz von Steuerstrombahnen gilt hinsichtlich der Breite der Strombahnstreifen die oben dargelegte Bemessungsregel.
Ein nach Fig. 1 oder in sinngemäßer Abänderung nach F i g. 2 ausgebildetes Netz von Steuerstrombahnen ist vorteilhaft auch bei einem Thyristor mit einem nicht zentral angeordneten Kontakt der Steuerelektrode verwendbar. Dieser wird zweckmäßig wieder in einem Schnittpunkt zweier oder mehrerer Steuerstrombahnfinger angeordnet und mit denselben verbunden. In sinngemäßer Abwandlung von F i g. 2 erhält man z. B. ein Netz von Strombahnen, das aus einer Schar radial vom Steuerkontakt ausgehender Finger und einer Schar von in bezug auf den Kontakt der Steuerelektrode einander ähnlichen Ellipsen besteht, welche die radialen Finger durchdringen und mit diesen verbunden sind.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

  1. Patentansprüche:
    I.Thyristor mit einem Halbleiterkörper mit hoher Leitfähigkeit in der anöden- und kathodenseitigen Emitterzone und mit geringer Leitfähigkeit in den ι Basiszonen, bei dem eine Anode die anodenseitige Emitterzone, eine Kathode die kathodenseitige Emitterzone und eine Steuerelektrode die Steuerbasiszone kontaktiert und bei dem mittels einer Fingerstruktur der Steuerbasiszone beim Zünden in mit Hilfe eines Steuerstromes eine erhöhte Ein- und Durchschaltgeschwindigkeit dadurch erzielt wird, daß innerhalb der Steuerbasiszone, mit Abstand von den pn-Übergängen dieser Zone zu den benachbarten Zonen, ein im Vergleich zu dem übrigen Teil der Steuerbasiszone hochdotierter zusammenhängender Bereich gleichen Leitungstyps angeordnet ist, der, von dem Kontakt für die Steuerelektrode ausgehend, sich finger- oder netzförmig in der ganzen Steuerbasiszone erstreckt und so Strombah- >o nen für den Steuerstrom bildet, nach DBP 22 03 156, gekennzeichnet durch zwei unter einem Winkel sich schneidender, ein Netz bildender Scharen (5, 5") von unter sich parallelen geradlinigen Steuerstrombahnen, die in den Schnittpunkten miteinander zusammenhängen und verbunden sind.
  2. 2. Thyristor mit einem Halbleiterkörper mit hoher Leitfähigkeit in der anöden- und kathodenseitigen Emitterzone und mit geringer Leitfähigkeit in den Basiszonen, bei dem eine Anode die anodenseitige so Emitterzone, eine Kathode die kathodenseitige Emitterzone und eine Steuerelektrode die Steuerbasiszone kontaktiert und bei dem mittels einer Fingerstruktur der Steuerbasiszone beim Zünden mit Hilfe eines Steuerstrom· ; eine erhöhte Ein- und Durchschaltgeschwindigkeit dadurch erzielt wird, daß innerhalb der Steuerbasiszone, mit Abstand von den pn-Übergängen dieser Zone zu den benachbarten Zonen, ein im Vergleich zu dem übrigen Teil der Steuerbasiszone hochdotierter zusammenhängender Bereich gleichen Leitungstyps angeordnet ist, der, von dem Kontakt für die Steuerelektrode ausgehend, sich finger- oder netzförmig in der ganzen Steuerbasiszone erstreckt und so Strombahnen für den Steuerstrom bildet, nach DBP 22 03 156, dadurch gekennzeichnet, daß die von einem Kontakt (5') der Steuerelektrode ausgehenden Strombahnen (5) für den Steuerstrom durch hierzu Trajektorien bildende Strombahnen (5") miteinander zusammenhängen und verbunden sind.
  3. 3. Thyristor nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch von einem zentral angeordneten Kontakt (5') der Steuerelektrode radialsymmetrisch ausgehende Finger der Strombahnen (5) für den Steuerstrom, welche durch in bezug auf diesen Kontakt konzentrische, ringförmige Strombahnen (5") miteinander zusammenhängen und verbunden sind.
DE2233786A 1972-01-24 1972-07-10 Thyristor mit erhöhter Ein- und Durchschaltgeschwindigkeit Expired DE2233786C3 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2233786A DE2233786C3 (de) 1972-01-24 1972-07-10 Thyristor mit erhöhter Ein- und Durchschaltgeschwindigkeit
US326275A US3906545A (en) 1972-01-24 1973-01-24 Thyristor structure
GB363373A GB1410726A (en) 1972-01-24 1973-01-24 Thyristor with increased switching on an switching through speed

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2203156A DE2203156B2 (de) 1972-01-24 1972-01-24 Thyristor mit erhöhter Ein- und Durchschalt geschwindigkeit
DE2233786A DE2233786C3 (de) 1972-01-24 1972-07-10 Thyristor mit erhöhter Ein- und Durchschaltgeschwindigkeit

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2233786A1 DE2233786A1 (de) 1974-01-31
DE2233786B2 DE2233786B2 (de) 1981-07-16
DE2233786C3 true DE2233786C3 (de) 1982-03-11

Family

ID=32043832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2233786A Expired DE2233786C3 (de) 1972-01-24 1972-07-10 Thyristor mit erhöhter Ein- und Durchschaltgeschwindigkeit

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2233786C3 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2299727A1 (fr) * 1975-01-28 1976-08-27 Alsthom Cgee Thyristor a caracteristiques de commutation ameliorees
US4060821A (en) * 1976-06-21 1977-11-29 General Electric Co. Field controlled thyristor with buried grid
JPS607394B2 (ja) * 1978-08-18 1985-02-23 株式会社明電舎 半導体制御素子

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3619738A (en) * 1969-10-13 1971-11-09 Tokyo Shibaura Electric Co Semiconductor device with improved connection to control electrode region

Also Published As

Publication number Publication date
DE2233786B2 (de) 1981-07-16
DE2233786A1 (de) 1974-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3018468C2 (de)
DE2233786C3 (de) Thyristor mit erhöhter Ein- und Durchschaltgeschwindigkeit
DE2149039C2 (de) Halbleiterbauelement
DE3722425C2 (de)
DE1539630B1 (de) Steuerbare Halbleiteranordnung
EP0064715A2 (de) Thyristor mit in den Emitter eingefügten steuerbaren Emitter-Kurzschlusspfaden
DE2830625C2 (de) Mehrschichthalbleiterbauelement
DE2241217C3 (de) Thyristor mit erhöhter Ein- und Durchschaltgeschwindigkeit
DE2222844A1 (de) Vorrichtung zum behandeln von partien im inneren eines menschlichen oder tierischen koerpers mit elektrischem gleichstrom
DE2406866B2 (de) Steuerbarer halbleitergleichrichter
EP0285923A1 (de) Gate-Ausschaltthyristor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2164644C3 (de) Steuerbarer Halbleitergleichrichter
DE2216494C3 (de) Thyristor mit erhöhter Ein- und Durchschaltgeschwindigkeit
DE2520134A1 (de) Thyristor
EP0190585A1 (de) Abschaltbares Halbleiterbauelement
DE1297239B (de)
DE2542901A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE2108111C3 (de) Thyristor mit Kurzschlußring
DE1816128C3 (de) Mechanisch-elektrischer Wandler mit einem Halbleiterkörper
DE1524945C3 (de) Integrierter Festwertspeicher
DE2216494B2 (de) Thyristor mit erhoehter ein- und durchschaltgeschwindigkeit
DE1464984C (de) Thyristor
DE1514755A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE2203156A1 (de) Thyristor mit erhoehter ein- und durchschaltgeschwindigkeit
DE3238468A1 (de) Optisch zuendbares halbleiterschaltelement

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
AF Is addition to no.

Ref country code: DE

Ref document number: 2203156

Format of ref document f/p: P

C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8340 Patent of addition ceased/non-payment of fee of main patent