DE2223809A1 - Verfahren zum Herstellen von Abbildungen oder Kopien - Google Patents

Description

DR. R. POSCHENRIEDBIi

DR. E. BOETTNER Dr.Be/Eät.

PIPL-ING. H.-J. MÜLLER (j^q, „\φ Χ)ζ

Patentanwälte

8 M ü NCHEN 80 D,. Dipl.-Chei«. Thomas BERENM

Lucile-Grahn-Straße 38

Energy Conversion Devices, Ine, 1675 West Maple Road, Troy, Mich. (V.St.A.)

Verfahren zum Herstellen von Abbildungen oder

Kopien

Die Erfindung "betrifft ein neues Verfahren zum Herstellen von Abbildungen oder Kopien aus einem Speichermaterial auf einem Substrat durch die abbildenden Einwirkungen von Energie.

Reliefbilder können von vielen verschiedenen Stoffen nach verschiedenen Verfahren hergestellt werden. Ein Reliefbild aus Gelatine wird z.B. nach dem sogenannten thermographischen Verfahren, wie es in der USA-Patentschrift 3 121 162 beschrieben ist, erhalten. Die thermographische Entwicklung und anschließende Befeuchtung von Gelatine ergibt eine Gelatineschicht, von welcher Abdrücke hergestellt werden können. In jedem Fall wird nur ein Bruchteil der entwickelten gequollenen und klebrigeren Gelatine auf die SchMit übertragen, die zur Herstellung des Abdrucks verwendet wird. Der Originalfilm wird daher zu einem Relief bild, das durch die geringfügig höheren Teile der weniger gequollenen Gelatine und die etwas niedrigeren Teile von der mehr gequollenen Gelatine gebildet wird. Die thermographische Entwicklung ergibt einen kleinen Unterschied in der Quellbarkeit der Gelatine und

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einen Unterschied bei der Kohäsion der gequollenen Gelatine an sich selbst in aufeinanderfolgenden Schichten, jedoch keinen ausreichenden Unterschied bei der Adhäsion der Gelatine an den Schichtträger, um eine saubere Abteilung der Gelatine auf den behandelten Flächen von der Gelatine in den unbehandelten Flächen zu ermöglichen. Außerdem ist diese Art der thermographischen Verarbeitung nur auf Gelatine anwendbar.

Eine weitere Art von Eeliefabbildungen kann nach den photographischen Verfahren zur Herstellung einer hektographischen Originalplatte oder Druckplatte hergestellt werden. Beispiele für diese Verfahren sind z.B. in den USA-Patentschriften 2 898 852, 3 181 462 und 3 295 969 beschrieben. Die in diesen Patentschriften beschriebenen Verfahren hängen bezüglich ihrer Durchführbarkeit von der Verwendung eines regulären photographischen Films ab, der tedder Gerbentwicklungsbehandlung zur Bildung diskreter Flächen unterschiedlicher Klebrigkeit auf dem phot ο graphisch en Film / . !Dieser Unterschied in der Klebrigkeit des photographischen Silberhalogenidf ilms wird seinerseits dafür verwendet, von einer hektographischen Farbplatte Teilchen einer brechbaren Deckschicht oder einen Teil der hektographischen Farbstoffschicht selbst herauszuziehen. Nach dem Verfahren der USA-Patentschrift 3 295 spalten sich die ungegerbten Flächen des photographischen Films innerhalb der Gelatineschicht auf, ähnlich wie es bei der genannten USA-Patentschrift 3 121 162 der Fall ist, um in diesen Flächen einen Schutzüberzug von Gelatine über der

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hektographischen Farbstoffschicht zu bilden. Nach keinem dieser Verfahren wird ein Unterschied in der Adhäsion eines Stoffes auf einem Schichtträger zur Herstellung von Abbildungen verwendet und alle diese Verfahren hängen bezüglich ihrer Durchführbarkeit davon ab, daß eine sehr leicht brechbare Schicht vorgesehen wird, die mit Hilfe der selektiven Klebrigkeit einer Deckschicht die selektive Entfernung von Teilen dieser brechbaren Schicht verursacht.

In der französischen Patentschrift 1 567 526 ist ein Verfahren zur Herstellung von Reliefabbildungen beschrieben, nach welchem eine sehr dünne Metallschicht durch die photochemische Reaktion mit einer lichtempfindlichen Deckschicht unter der Einwirkung einer abbildenden elektromagnetischen Strahlung fortgeätzt wird. Das Reaktionsprodukt und gegebenenfalls die nicht umgesetzte lichtempfindliche Deckschicht werden anschließend entfernt, um ein Reliefbild zu bilden, das aus der dünnen nicht umgesetzten Metallschicht auf dem Schichtträger besteht. Dieses Verfahren hängt von einer durch Licht initiierten chemischen Reaktion einer Metall-Zwi» schenschicht mit einer lichtempfindlichen Deckschicht ab. Dementsprechend bezieht sich dieses Verfahren nur auf solche Metalle, die in der Lage sind, eine licht^induzierte chemische Reaktion mit der Deckschicht einzugehen.

Ein weiteres Verfahren zur Herstellung von Reliefabbildungen ist in der USA-Patentschrift 3 512 beschrieben. Nach diesem Verfahren wird eine Schicht eines lichtempfindlichen Materials, das sehr wenig

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haftet, zwischen Elektroden gebracht, so daß eine Verbundplatte entsteht. Zur Durchführbarkeit des Verfahrens muß die Adhäsion dieses auf Licht ansprechenden Abbildungsmaterial an die schicht artigen Träger bzw. Elektroden äußerst gering sein. Unter der Einwirkung eines sehr starken elektrischen Feldes werden Teile der lichtempfindlichen Schicht elektrostatisch an die obere oder untere Schicht angeklebt, die sich durch die Einwirkung von Licht, das auf die lichtempfindliche Schicht fällt, während die elektrostatische Aufladung des lichtempfindlichen Materials stattfindet, steuern läßt. Die Verwendung eines starken elektrischen Hochspanmmgsfeldes aur Herstsll'^ng der Abbildungen ist sehr unangenehm und beschränkt ernsthaft die Anwendbarkeit dieses Verfahrens.

Pie vorliegende Erfindung bezielit sich auf ein neues Verfahren, des folgende Verlahrensschritte

an .wandet i. (ajöar Verfahr ens schritt, bei lern auf eineai geeigneten Schichtträger ein Film aus einem Speichermaterial aufgewacht wird, das in der Lage ist, seine Adhäsion an den Schichtträger, auf dem es sich "befindet, erheblich zu ändern, wenn en der Einwirkung von Energie ausgesetzt wird, (b) der Verfahrensschritt, bei dem ausgewählte Flächen dieses Filme selektiv der ab~ Mldenclen Wirkung von Energie derart ausgesetzt werden, daß ein erheblicher Unterschied der Haftfähigkeit des Speichermateidals an den Schichtträger in denjenigen Flächen hervorgebracht wird,

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die der Einwirkung der Energie ausgesetzt worden waren, verglichen mit den Flächen, die nicht den Einwirkungen dieser Energie ausgesetzt waren· Das neue Verfahren umfaßt weiterhin den Verfahrensschritt, bei dem das Speichermaterial . mit der geringeren Haftfähigkeit vom Schichtträger abgetrennt und das Speichermaterial entfernt wird, das die geringere Haftfähigkeit an das Substrat hat, von dem Schichtträger, um eine Abbildung auf dem Schichtträger zu erzeugen, die durch das Speichermaterial mit der höheren Haftfähigkeit gebildet wird.

Vorzugsweise ist das Speichermaterial ein Material, das zu wesentlichen morphologischen Änderungen fähig ist, die die genannte Haftfähigkeitsänderung begleitet, wenn das Material den Einwirkungen von Energie ausgesetzt wird, obwohl die Erfindung nicht hierauf beschränkt ist, wie später erläutert wird.

Das Speichermaterial ist vorzugsweise ein Material, bei dem ausgewählte Teile einer physikalischen Strukturänderung zwischen wenigstens zwei Zuständen unterliegen können, wobei die Schicht gewöhnlich sich in einer dieser Zustände befindet, und das Speichermaterial in der Lage ist, bei der Anwendung von Energie oberhalb einer bestimmten S ohwelle in den anderen dieser Zustände umgeschaltet/werden ·

Bei diesen Materialien umfaßt das erfindungsgemäße Verfahren den Verfahrensschritt der selektiven Anwendung von Energie auf die Schicht bei irgendwelchen gewünschten ausgewählten Teilen dieser Schicht und bei einem Energieniveau, das

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höher als die Schwelle zur Änderung dieser Schicht an den gewünschten ausgewählten Teilen vom einen stabilen Zustand in den anderen Zustand ist, um in dieser Schicht Jedes gewünschte Muster aufzuzeichnen, sowie den Ver-

* i_ i- jj-i. j ,ri (Aufteileusl.. , . . fahrensschritt des Abtrennens/des Geftachtnismaterials in diesen Flächen, die sich in einem der beiden Zustände befinden und die geringere Haftfähigkeit haben, von dem Schichtträger und die Entfernung des Speichermaterials mit der geringeren Haftfähigkeit von dieser Speichermaterialschicht, um eine Abbildung zu erzeugen, die dem Muster entspricht.

Das Verfahren gemäß der Erfindung umfaßt auch eine Ausführungsform, die keinen Schichtträger benötigt. Nach diesem Verfahren wird die Energie in einer Menge angewendet, daß sie nicht die gesamte Schicht aus Speichermaterial durchdringt. Daher wird nur der obere !Teil des Speichermaterials morphologisch geändert, während der untere Teil des Speichermaterials unverändert bleibt. An der Grenzfläche zwischen dem morphologisch geänderten Material und dem unveränderten Material wird, die, Selbstr-

(Aufteilung) haftung vermindert, was die Abtrennung/der beiden unterschiedliehen Formen des Speichermaterials gestattet. Weiterhin wird nach dem Verfahren, bei welchem kein Schichtträger verwendet wird und die Energiemenge ausreicht, eine morphologische Änderung durch die Gesamtschicht des Speichermaterials hervorzubringen, die Selbsthaftung längs der querverlaufenden Grenzfläche gesenkt, so daß die gesamte Dicke der Schicht aus Speichermaterial an

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den ausgewählten Stellen entfernt werden kann, auf die die Energie angewendet wird.

Durch, die Auswahl von Speichermaterial und deren morphologischer IPorm, durch die Auswahl eines passiven oder aktiven Schichtträgers, durch die Auswahl geeigneter Intensitätsniveaus der zur AbbiMing benützten Energie und durch Steuerung der Zeitdauer der Energieeinwirkung auf das Spei= chermaterial kann entweder ein Anstieg oder eine Verminderung der Haftfähigkeit des Speichermaterial^ auf dem Schichtträger erreicht werden, so daß ein positives oder Bin negatives Abbild auf dem ursprünglichen Schichtträger erzielt werden kann» Nach Entfernung der Teile des Speichenaateriale, die die geringere Haftfähigkeit an den Schicht« träger haben, wird allgemein eins positive Abbildung erhalten, wenn die Haftfähigkeit des Speichermaterials in solchen !lachen vermindert worden ist, die den Einwirkungen von Energie ■unterworfen worden waren. Entsprechend wird eine n©~ gative Abbildung erhalten, wenn die Haftfähigkeit des Speichermaterials in den Beassdaen erhöht worden ist, die den Einwirkungen von Energie ausgesetzt worden waren. Gegebenenfalls' kann eine Zwischenschicht aus einem Material vorgesehen sein, das im wesentlichen mit der Schicht aus Speichermaterial unter den Bedingungen, bei denen es der Energie ausgesetzt wird, nicht reagiert. In diesem Fall kann das nach dem Entfernen des Speichermaterials mit der geringeren Haftfähigkeit surüekbleibende Speichermaterial nit der höheren Haftfähigkeit als Widerstand zum Ätsen eier !Wischen=

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schicht und/oder des Schichtträgers durch Behandeln mit einem geeigneten üblichen Ätafluidum zur Bildung eines tieferen Reliefbildes dienen»

Bas erliiidiingsgemäße Verfahren hängt von der Eraeugung eines wesentlichen Unterschieds in der Haftfähigkeit des Speich^rmaterials an den Schichtträger tuid/oder cbr Sel"b,«thaft'üng an der Grenzflache dur,ili Aufbringen von Energie auf ausgewählt ο Flaehe:o des PiXßia mis SpeicJiermaterials ab.

Ss ist iie;i. ö.-i- AuL.Jühinuig.sfoi'iii d^s Verfahrene, die irup 'l'ivxphxub^iU'^ tot, einem Haftfähigkeits~ ■uitt-x'ßchioc "?*.'^; _;,j bpeici^riuateirial^ r>n einen Schichtvrar^i¹ äb^.iia-;t, "^;;.-ft-vorsng-;;,, daß der Film aus dem B;peiv.;-\"rrr:'-t ;-.-.ί.&Λ ej.ne :·-.τ;.τ '^Bi.^e Dicke aufweist, Xn J:-/*n,..x. "SY.y 1 sclltt: ^.wiäer >i,L.i nicht dickei? sein, als -"r av--^rh ;ti.e lnergic ^'.■•rthdr-iiii^-yn werden kami, lie :-.;■.'* ü..ij', a.a^gr:-;_va.}iH'«.>ii Bereiolis &."-ixge"tirRDhi; wird. D.iöSi'x- 1&%^Λ,-3Λ,ί:'Γί Yei^ieidet, Uaii die Schi el·;, i; unuviecJfBifJii^ la "ige üor atcxldc-uaer-. ViiÄiiiig der Ener- Yli.<* au.£^^.'>.^"^;.:si^: wii'd und ^tü"!^; ,*::1;:ϊ gleichuc.H.ßif;e «jidei-u..ig w.Si Äl^Miiguleztlgl:...-.it iü allen der Energie ausge2i-tiii.fe.j"i.i>2rKiiiiiSr sl^it?.r* Idese Bcgren trifft uf.fiirlict"·. nich-t' sa_; r*h.j.·- dor Scfci.clitträger ein Äiv^fvielc'.tür Ist 'r.jic die Sit.-gie von der Seite aeti Bc.:S<u)fct^s'sers Ltc ar-^swenlet ■■-■J.rd. Sie triiit curia, ^icfc"· Ija:, ds.¹^ A'ü\'>j1 ^3_t/s.^f ;:.'^ dos erfindung.-sgem^i;er. 1 erfahrene KVi₅ \.onacü Tar die

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(Differential)

schied/in der Selbsthaftung des Speichermaterials an der Grenzfläche zwischen den

(Bereiche)
Flächen^ die den abbildenden Wirkungen von Energie ausgesetzt worden waren, und den Flächen, die nicht der Energie ausgesetzt waren, Gebrauch macht.

Das Phänomen der Änderung der Selbsthaftfähigkeit an der Grenzfläche zwischen den Flächen, die der Energie ausgesetzt worden waren, und denjenigen, die der Energie nicht ausgesetzt waren, begünstigt die Bildung von scharfen Abbildungen mit sauberen Kanten auch in solchen Fällen, bei denen das Verfahren bezüglich der Durchführbarkeit von einem Unterschied der Haftfähigkeiyder Energie ausgesetzten und der Energie nicht ausgesetzten Speichermaterials an den Schichtträger abhängt. Es wurde gefunden, daß die morphologische Änderung oder- die In&erung der Bindekraft an den Schichtträger an den der Energie ausgesetzten Stellen des Speichermaterials auch durch einen Bruch bei der Seibsthaftfähigkeii? an der Grenzfläche zwischen des. Stellen unterschiedlicher Haftfähigkeit.begleitet wircU Sie Selbsthaftung zwischen den verschiedenen Flächen und Schichten des Speichermaterials, das die höhere Haftfähigkeit besitzt, ist größer als die haftung an der Grenzfläche zwiseiles des beiden Hat erialf lachen, die unterschiedliche Haft fähig· keit besitzen. Dieses Phänomen arbeitet in glei cher Richtung wie der wesentliche Unterschied der Haftfähigkeit des Speiehermaterials an dem

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Scliiclitträger und trägt dazu bei, sehr scharfe Abbildungen mit sauberen Kanten hervorzubringen.

Das erfindungsgemäß verwendete Speichermaterial ist ein Material, bei dem ausgewählte Teile einer physikalischen Strukturänderung zwischen wenigstens swei stabilen Zuständen unterliegen können. Dieses Material liegt gewöhnlich in einem dieser Zustände vor und kann vom einen Zustand in einen anderen stabilen Sustand auf die Anwendung von Energie hin, wie z.B» von Licht,, Wärme, einem

(Spannung) elektrischen leid, einer Belastung/od.dgl. oder

einer Kombination ύοώ. einer oder mehreren dieser Energieformen lunge schaltet werden. Diese physikalischen Strulcturänderungen können z.B. Konformati ob «änderungen _:. Eoniigur-ationsänderungen oder 'sändei'tmgeii ±n uer Organisation oder Anvoit Itc^e:.! c:r::. Molekülen im Speieheriyr-i-jc^e limforimtionsänderungen, 6..:ί2τ.νηζβιι \ui& Ftellungsänderungen

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r allgemein amorphen Zuirsxi oder kristallinartigen /Lriaernniren von einer krilerö Ii:iⁱ:Lsta].line Form, :L'iväts»ii"'ad, iijaderungert bei / tob Molekülen oder MoIe-':<ei ":t-:rⁱ awischenmolekularen ",'!";:?!^; Auf wicklung, Zusamü.:^ _lv. ,/,ige Änderungen v.'.-i Kd .-L:^fJltn, öffnen

von', ^l'^/ü^ei

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länge von Molekülketten, die z.B. durch Aufwickeln oder Abwickeln hervorgebracht werden, Bewegung von Atomen oder Molekülen von einem Ort zum andern einschließlich der !zugeordneten oder nicht zugeordneten Bewegung von aneinandergrenzenden Atomen oder Molekülen, Schaffung oder Eliminierung von Fehlstellen im Speichermaterial, Kontraktion oder Expansion des Speichermaterials, Aufbrechen oder Vernetzen von Bindungen Atomen oder Molekülen und Kombinationen oder mehreren dieser genannten Zustände»" Als Zu= satz zu diesen physikalischen Strukturäaderrages. können ein oder mehrere Komponenten aines gegebenen Speichermaterials aus dem Material beispielsweise in kristalliner oder amprpaer lora ausge~ fällt werden.

Wenn Energie auf bestimmte Typen Speicliersateslsl _s die langkettige Polymere enthaltea, ilasbesondere SpeichermaterJalien mit geringer ckemiselier ¥ernetzung angewendet wird,können die Atome oder Moleküle fließen oder diffundieren, wobei sie elastomere Eigenschaften zeigen« Di© Terminderung oder Beendigung des Aufbringen^ won laergie leitet einen Abbau dieses Stroms oder der Diffusion ©in_o Die Geschwindigkeit dieses Zerfalls oder öl© fungsgeachwindigkeit iet wesentlich, da ©s mäßig ist, daß die Atome oder Moleküle ia ihrea neuen Lagen eingefroren vorliegen, wodurch das Stattfinden einer stabilen pkygl&aliecliea Strukturänderung vor der wesefetliefeeB. Eatspaainamg sol cher ßpeicheiJiaterialieß in ihren urepr-ilngliehsa.

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Zustand vor der Anwendimg von Energie verursacht wird. Die angewendete Energie kann z.B. Bindungen zwischen Atomen oder Molekülen zerbrechen oder van-der-Waals-Kräfte oder andere Kräfte zwischen Atomen oder Molekülen vermindern oder kann den gegenteiligen Effekt des Vernetzens von Bindungen oder der Erhöhung solcher Kräfte hervorbringen. Das Fließen oder die Diffusion von Atomen oder Molekülen kann auch durch thermolytische Prozesse hervorgebracht werden, die durch Absorption der angewendeten Energie induziert werden. Wenn z.B. die aufgebrochenen Bindungen am Ende von Ketten auftreten, können sie eine Wirkung auf die Selbsthaftung oder die Haftfähigkeit des Speichermaterials an einen Schichträger, auf dem sich das Speichermaterial befindet, ausüben.

Das Speichermaterial kann auch Katalysatoren enthalten, die in einer Matrix von anderen Stoffen dispergiert sind. Die Katalysatoren können als keimbildende Stellen dienen_s so daß beim Aufbringen von Energie die gerannten physikalischen Änderungen bezüglich der Struktur an diesen Stellen eingeleitet werden. Wenn die physikalische Strukturänderung eine Form der Kristallisation einschließt, können katalytische Kerne als Schablonen dienen, die epitaxial die geometrische Form der Kristallstrukturen beeinflussen. Es können viele unterschiedliche Formen von katalytischen Prozessen durch die angewendete Energie einge-

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leitet werden, einschließlich chemischer Änderungen durch die durch Katalysatoren induzierte Photo-Dissozj&ion der darin enthaltenden Komponenten· Derartige chemische Wirkungen brauchen nicht durch das ganze Speichermaterial hindurch fortgesetzt zu werden, sondern wirken nur als Kern zur Hervorbringung physikalischer Strukturänderungen in der Matrix anderer Stoffe, in denen die Katalysatoren dispergiert sind.

Bevorzugte Speichermaterialien sind solche, in denen eine große Menge freier Träger durch Anwendung von Energie geschaffen werden kann. Wenn z.B. Photonenenergie Elektronenloohpaare schafft, ist es zweckmäßig, daß diese Träger lebensfähig bleiben und sich über eine ausreichende Zeitspanne, innerhalb derer eine Ätombewegung stattfinden kann, nicht erneut kombinieren. Dieser wichtige Parameter von Speichermaterialien steht in Bezug zur Relaxationszeit von Trägern und Atomen. Es gibt gewöhnlich eine bestimmte Sperrdichte und eine Energielücke in jedem gegebenen Speichermaterial, die durch die genannten physikalischen Strukturänderungen geändert werden können. Diese Änderung der Sperrdichte und der Energielücke kann die Zeit ausdehnen, während welcher solche Träger am Leben bleiben und die Atome in einer neuen Lage verweilen, wodurch dazu beigetragen wird, daß diese in einer nicht im Gleichgewicht befindlichen Verteilung der Träger eingefroren werden.

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Gemäß einer Form der Erfindung, wodurch bei der Anwendung von Energie Keime im Speichermaterial geschaffen werden, ist es lediglich erforderlich, Keime einer bestimmten kritischen Größe zu schaffen, die fähig sind, jede Entspannung oder Rekombination von Trägern oder Atomen zu überleben, nachdem die angewandte Energie nicht mehr angewendet wird. Diese derart geschaffenen Keime können als latente Abbildung wirken, die verstärkt und durch anschließende Anwendung von Energie entwickelt werden kann, entweder in der gleichen Form, wie sie ursprünglich angewendet wurde, oder in einer oder mehreren anderen Formen, wie sie oben genannt wurden, wodurch das Kristallwachstum um derartige Keime herum verursacht wird.

Bevorzugte Speichermaterialien, bei denen die physikalischen Strukturänderungen durch einen Übergang zwischen einem amorphen und einem kristallinen Zustand verbunden sind, sind in der Lage, in jeder dieser beiden Zustände bei Umgebungstemperaturen im Bereich der Raumtemperatur zu existieren. Bei diesen Temperaturen besteht eine Energiebarriere zwischen diesen beiden Zuständen, die in der Form einer mechanischen Verflechtung von Molekülketten vorliegen kann. Um diese Barriere zu überwinde^kann es z.B. erforderlich sein, Molekülringstrukturen in Molekülketten zu überführen oder Vernetzungen chemischer, mechanischer oder anderer struktureller Art aufzubrechen. Ein Unterschied zwischen Speichermaterxalien und

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typischen Siliciumoxydgläsern besteht darin, daß letztere hohe Energiebarrieren besitzen, die sich aus stark vernetzten Netζstrukturen ergeben, die die Wirkung haben, einer Entglasung oder Kristallisation zu widerstehen. Die zur Überwindung dieser Barriere erforderliche Energie würde zerstörerische Wirkungen auf andere Eigenschaften solcher Siliciumoxydgläser, z.B. einen irreversiblen dielektrischen Durchbruoh haben. Andererseits sind Speichermaterialien weniger stark gebunden und erlauben Abweichungen der Konfigurationen der Molekülketten und unterschiedliche atomare oder molekulare Bindekräfte. Diese Änderungen werden bei niedrigeren Temperaturen als die oben genannten stark vernetzten in Gläser erreicht und sprechen viel leichter auf eine Aktivierung durch Anwendung von Energie an. Eine derartige Energie kann Licht sein, das in der Lage ist, als aufspaltende Kraft selbst bei den genannten Temperaturbereichen zu wirken, um die Energie.„barriere zwischen dem amorphen und dem kristallinen Zustand wirksam zu senken. Die Beweglichkeit von Atomen oder Molekülen in diesen Temperaturbereichen ist bei Speichermaterialien viel höher als in solchen stark vernetzten Gläsern, wodurch in den Speichermaterialien ein Kristallwachstum in viel schnellerer und steuerbarer Weise gestattet wird, wenn viele unterschiedliche Verfahren einschließlich thermischer, chemisch-katalytischer und lichtinduzierter Prozesse u.dgl. angewendet werden. Zu-

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sätzlich zu der Energiebarriere, die zwischen den kristallinen und amorphen Zuständendes Speichermaterials besteht, bestehen ähnliche Energiebarrieren zwischen den anderen Zuständen, die durch die genannten Konfigurationsänderungen, Konfcrmationsänderungen und Stellungsänderungen hervorgebracht werden.

Ein weiteres vorteilhaftes Kennzeichen, das durch viele der glasigen Speichermaterialien hervorgebracht wird, die gemäß der Erfindung verwendet werden, ist eine leicht erzielbare Exotherme oberhalb der Übergangstemperatur in den Glaszustand und unterhalb der Temperatur, bei der das Schmelzen stattfindet. Wenn diese Eigenschaft in einem Speichermaterial vorliegt, wird sie gewöhnlich von der Fähigkeit des Materials begleitet, diese Energiebarriere zwischen den beiden gewünschten Zuständen des Speichermaterials schnell und kontrollierbar zu vermindern.

Bisher wurde dargestellt, daß das Speichermaterial, das beim erfindungsgemäßen Verfahren brauchbar ist, fähig ist, einer physikalische Strukturänderung von einem Zustand in wenigstens einen anderen Zustand zu unterliegen. Das Speichermaterial liegt gewöhnlich in einem dieser Zustände vor und ist in der Lage, zwischen diesen Zuständen durch Ansprechen auf die Energieanwendung oberhalb einer bestimmten Schwelle, welche eine spezifische Eigenschaft des Speichermaterials ist, umgeschaltet zu werden. Die Anwendung von Energie unterhalb einer solchen Schwel-

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le führt nicht zum Umschalten des Materials. Demgemäß wird bei einem Speichermaterial gemäß der Erfindung kein Schutz vor vorzeitiger Aussetzung der Energie benötigt, und es wird keine Fixierungsstufe anschließend an das Aussetzen der Energie erfordert, wie dies bei den Materialien zur Herstellung von Abbildern des Standes der Technik der Pail ist, bei denenchemische Reaktionen stattfinden. Da weiterhin leine Fixierungsstufe erfindungsgemäß benötigt wird, bleibt das Speichermaterial empfänglich für ein zweites Aussetzen gegenüber der Energie, wodurch ein weiteres Abbild wiedergegeben werden kann.

Außer den oben definierten bevorzugten Speichermaterialien ist das erfindungsgemäße Verfahren auch mit solchen anderen Speichermaterialien durchführbar, bei denen durch selektives Einwirken von Energie ein erheblicher auf das Abbild'bezogener Unter-

(Jiffe.ren.tialJ . .. . schied bezüglich der Adhäsion, Kohäsion und/oder Autohäsion wie oben erwähnt erzeugt wird, wenn der Unterschied in der Adhäsion, Kohäsion oder Autohäsion nicht von einer chemischen Reaktion .des lichtempfindlichen Materials mit einem von außen her angewendeten Reagenz abhängt.

Bei dem als Ausgangsmaterial für das erfindungsgemäße Verfahren brauchbaren Speichermaterials gemäß obiger Definition finden die Kristallisation und andere physikalische Änderungen, die für Abbildungszweeke brauchbar sind, nur in solchen Plächengebieten statt, in denen das Speichermaterial tat-

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sächlich der Energieanwendung unterworfen wird. Jede Fläche unmittelbar in der Nachbarschaft, die nicht der Energieanwendung unterworfen ist, unterliegt nicht einer physikalischen Änderung. Dies und die extrem kleine Größe von Kristallen oder Kristalliten bei einer physikalischen Kristallisationsänderung schafft eine unübertroffene Auflösung und getreuere Produktion selbst eines detailliertesten Abbildes, wie dies bei Wiedergaben mikroskopischer Bilder der Fall ist.

Wie erwähnt betrifft die Erfindung auch eine weitere Ausführungsform des Verfahrens, bei welchem die Abbildung als Ergebnis eines Unterschieds der Autohäsion einer Grenzfläche zwischen dem Material, das einer Energieeinwirkung unterworfen worden war, und dem Material, das nicht den Einwirkungen von Energie unterworfen worden war. Diese Ausführungsform umfaßt folgende Verfahrensschritte: (a) Es wird gegebenenfalls auf einem Schichtträger eine Schicht aus Speichermaterial aufgebracht, die in der Lage ist, bezüglich ihrer Selbsthaftfähigkeit (Autohäsion) erheblichen Änderungen zu unterliegen, wenn sie der Einwirkung von Energie unterworfen wird, (b) es werden ausgewählte Flächen dieser Schicht selektiv den einer Abbildung schaffenden Einwirkungen von Energie derart ausgesetzt, daß ein erheblicher Unterschied bezüglich der Selbsthaftfähigkeit an der Grenzfläche des Speichermaterials an den Flächen, die den Einwirkungen dieser Energie unterworfen worden waren, gegenüber den Flächen, die nicht den Einwirkungen dieser Energie unterworfen waren, hervorgebracht wird.

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Das neue Verfahren umfaßt weiterhin den Yerf ahrens schritt des Abtrennens des physikalisch geänderten Speichermaterials von dem physikalisch unveränderten Speichermaterial. an der Grenzfläche zwischen diesen beiden Formen Speichermaterial sowie den Verfahrensschritt des Entfernens dieses abgetrennten Speichermaterials von der Schicht zwecks Bildung einer Abbildung des Speichermaterials.

Gemäß einer bevorzugten Arbeitsweise dieser Ausführungsform des Verfahrens wird Energie in einer Menge angewendet, die nicht ausreicht, die Schicht zu durchdringen und nicht genügt, die physikalischen Änderungen, die für den Unterschied inäer Selbsthaftung verantwortlich sitxl, durch die ganze Schicht hindurch mit sich zu bringen. In dieser Weise wird die Schicht aus Speichermaterial nur partiell durch diese hindurch geändert^und die Abtrennung findet an der Grenzfläche zwischen dem Speichermaterial, das durch die Energie physikalisch geändert worden ist, und dem Speichermaterial, das nicht den Einwirkungen der Energie unterworfen worden ist und somit in dem ursprünglichen physikalisch unveränderten Zustand vorliegt, statt. Dieser Effekt der Selbsthaftfähigkeit wird am deutlichsten an der Grenzfläche zwischen Stoffen, von denen der eine einer sehr erheblichen physikalischen Strukturänderung unterworfen worden war, wie in dem Fall, daß das Material in Form einer Abbildung ■von einer amorphen Form in eine kristalline Form und umgekehrt überführt worden ist. In diesem Fall

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ist die Selbsthaftung an aer Grenzfläche zwischen dem amorphen Material und dein kristallinen Material erheblich kleiner als die Selbsthaftung zwischen benachbarten Flächen des gesamten amorphen oder des gesamten kristallinen Speichermaterials. Die oben erwähnte Abtrennung des Speichermaterials tritt somit an der Grenze zwischen dem amorphen und dem kristallinen Material auf und ergibt ein getreues₍scharfes Abbild von hoher Auflösungskraft nach Entfernung des abgetrennten Materials.

Andere Ziele, Vorteile und Kennzeichen der Erfindung ergeben sich dem Fachmann aus der folgenden Beschreibung in Verbindung mit den Ansprüchen und aus den beigefügten Zeichnungen»

Es zeigen:

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer Schichtträgerplatte, auf der ein Film aus Speichermaterial, gemäß der Erfindung anhaftet, wobei eine Fläche, die den Buchstaben E darstellt, morphologisch durch Energieanwendung geändert worden ist,

Fig. 2 eine perspektivische Ansicht der Platte von Fig. 1, wobei das morphologisch geänderte, weniger haftende Material vom Schichtträger getrennt und durch einen Luftstrom entfernt worden ist,

Fig. 3 einen schematischen Querschnitt eines Films

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aus Speichermaterial auf einem Schichtträger mit ausgewählten Flächen des Speichermaterials, die morphologisch durch Aussetzen gegenüber der abbildenden Wirkung von Energie geändert worden ist,

Fig. 4 einen schematischen Querschnitt der Schicht gemäß Fig. 3, wobei jedoch die morphologisch geänderten Flächen des Speichermaterials mit geringerer Haftungsfähigkeit vom Träger abgetrennt und durch einen Klebstreifen entfernt worden sind, um ein positives Abbild auf dem ursprünglichen Schichtträger und ein negatives Abbild auf dem Klebstreifen hervorzubringen,

Fig. B eine schematische vertikale Schnittdarstellung einer schweren Schicht aus amorphem Speichermaterial, in der eine ausgewählte Fläche einer die Abbildung schaffenden Energie ausgesetzt ist,

Fig. 6 die Schicht von Fig. 5» wobei das kristalline Speichermaterial, das durch Energieeinwirkung gebildet ist, getrennt und von der Schicht aus amorphem Speichermaterial entfernt worden ist, wobei ein Eindruck im Speichermaterial gebildet wird,

Fig. 7 eine schematische Darstellung eines neuen druckfarbenlosen Druckverfahrens unter Verwendung von vorgefertigtem Druckmaterial und einfachen zylindrischen Druckelementen, die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt worden sind.

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In Fig. 1 stellt die Sfcfaidrb 10 einen Träger dar, an welchem ein Film 12 aus amorphem Speichermaterial anhaftet. Eine ausgewählte Fläche 14, die den Buchstaben E darstellt, wurde nach dem erfindungsgemäßen Verfahren einer Energieeinwirkung ausgesetzt, um die morphologische Struktur "vom amorphen Zustand in einen kristallinen Zustand zu ändern, wie durch die Punktierungen der den Buchstaben E bildenden Fläche in der oben liegenden Filmschicht als Speichermaterial angedeutet ist. Dadurch, daß das Speichermaterial kristallin ist, ist es im Bereich des Buchstabens E leichter brechbar und schwächer an den Schichtträger 10 gebunden als die amorphe Fläche 16 des Films 12 aus dem Speichermaterial. Durch Darüberleiten eines Luftstroms 18 aus einer mit Öffnungen versehenen Luftzufuhr 20 über der Schicht wird das schwach gebundene kristalline Material in der Fläche des Buchstabens E bei 14 von dem Träger durch den Luftstrom fortgeblasen, während der amorphe, stark gebundene Teil 16 der Schicht 12 aus Speichermaterial dicht an den Schichtträger gebunden bleibt und ein scharfes, mit sauberen Kanten versehenes Reliefbild bildet, das in Fig. 2 dargestellt ist, wobei die Oberfläche 22 des Schichtträgers 10 in Form des Buchstabens E freigelegt ist, der den niedrigen Teil des Reliefbildes bildet. Der hohe Teil des Relief bildes wird durch die restlichen Teile 16 des Films 12 von Speichermaterial gebildet, die stark an den Schichtträger 10 anhaften.

entfernt
Wie bereits erwähnt, / durch richtige Auswahl

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des Speichermaterials, z.B. durch Verwendung einer Ausgangsplatte, "bei welcher der Film 12 aus Speichermaterial kristallin ist, während das durch den Buchstaben E dargestellte Abbild durch selektive Energieanwendung in einen amorphen, stark anhaftenden Zustand überführt worden ist, der Luftstrahl 18 das umgebende kristalline Speichermaterial und läßt das an den Schichtträger anhaftende amorphe Material in Form des Buchstabens E haften. · In diesem Fall wird das Relief bild durch den Buchstaben E* als hohen Teil dargestellt und die niedrigen Umgebungsflächen des Eelieffeildes stellen die Oberfläche des Schichtträgers dar.

In fig. 3 ist eine Schicht 24- von amorphem Speichermaterial auf einem Schichtträger 26 dargestellt. Teile 28 des Films aus Speichermaterial wurden selektiv einer Energie ausgesetst, z.B. einer elektromagnetischen Strahlung einer Blitzlichtlampe unter Yerxirendung eines abbildenden Filters derart, daß die Flächen 30 des Films 24 aus Speichermaterial nicht die Strahlung aufgenommen haben. Das Speichermaterial in den Flächen28 ist kristallin und zeigt infolge der Bestrahlung eine schwächere Adhäsion an den SchichHräger 26 als die Flächen 30 des Speichermaterials, die nicht der elektromagnetischen Strahlung ausgesetzt worden waren. Das amorphe Speichermaterial in den Flächen 30 haftet stark an dem Schichtträger 26. Als Ergebnis der Bestrahlung und der dadurch bewirkten morphologischen Änderung ist

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die Selbsthaftfähigkeit des Speichermaterials an der Grenzfläche 32 zwischen dem amorphen Speichermaterial und dem kristallinen Speichermaterial viel kleiner als die Selbsthaftfähigkeit zwischen dem einen Teil des amorphen Speichermaterials und einem angrenzenden Teil von amorphem Speichermaterial. Wenn eine Schicht 34- (Fig. 4) > die eine Klebschicht 36 trägt, auf den belichteten Verbundkörper gebracht wird, wobei die Klebstoffschicht 36 nach unten auf die Oberfläche der Schicht 24 aus Speichermaterial weist, und zeitweilig gegen das Speichermaterial gedrückt wird, haftet das Speichermaterial daran. Wenn die Klebeschicht 34 abgezogen wird, wie dies in Fig. 4 dargestellt ist, haftet das kristalline Speichermaterial an dem Klebstreifen 3^- und bildet freigelegte Flächen 28, während das amorphe Speichermaterial in den nicht bestrahlten Flächen 30 an dem Schichtträger 26 anhaften bleibt. Wenn der Klebstreifen 34 vollständig entfernt ist, bildet das Speichermaterial in den belichteten Stellen ein negatives Reliefbild auf dem Schichtträger 34 in dem Muster, das durch Bestrahlung auf den Film aUs Speichermaterial gebildet wurde. Die Flächen aus amorphem Speichermaterial, die am Schichtträger 26 anhaften, bilden ein positives Abbild des durch die Bestrahlung gebildeten Musters.

Natürlich kann gegebenenfalls diese Situation umgekehrt werden, indem man z.B. von einer Struktur ausgeht, bei welcher der Film 24 aus Speichermaterial kristälin ist, und wobei die bestrahlten

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Flächen amorph x^erden und dann stärker an dem Schichtträger anhaften, wie dies often in Verbindung mit Fig. 1 und 2 dargestellt ist. Die Art der Abbildung auf dem Schichtträger kann auch durch Verwendung eines Negatives bei der Belichtung umgekehrt werden. Es kann auch gegebenenfalls ein Speichermaterial ausgewählt werden, das, nachdem es der Energie ausgesetzt war, stärker an dem Schichtträger anhaftet als die nicht der Energieeinwirkung unterworfenen Flächen des Speichermaterials. Dies kann z.B. durch Verwendung von einem wenigstens teilweise thermoplastischen Schichtträger erreicht werden.

Bei den Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens, die in Verbindung mit den Fig. 1 bis dargestellt sind, wird die Bildung einer Abbildung möglich gemacht durch den Unterschied bezüglich der Haftfähigkeit des Speichermaterials an einen Schichtträger und seinem kleineren Ausmaß durch einen UnterschxeaAn ae'r'Tiohäsion oder Selbsthaftung des Speichermaterials an sich selbst. Die Fig. 5 und 6 erläutern die Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, bei der die Bildung einer Abbildung allein auf einem Unterschied in der Kohäsion oder Autohäsion basiert.

Eine Schicht $B aus amorphem Speichermaterial erheblicher Dicke wird der ausgewählten Fläche 40 der Strahlung 4-2 unterworfen, die durch eine Blitzlichtlampe 44 durch eine Öffnung 46 der Maske 48 emittiert wird. Die Dauer und Intensität

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des Blitzes werden derart ausgewählt, daß der obere Teil 50 des amorphen Speichermaterials in den kristallinen Zustand überführt wird, wie durch die Punktierung angedeutet ist. Der Teil 5^ der Schicht 38 empfängt nicht genug Energie, um in den kristallinen Zustand zu wechseln und bleibt amorph.

Als Ergebnis der physikalischen Strukturänderung des Speichermaterials im Teil 50 der Schicht 38 wird eine Grenzfläche 5^ zwischen dem kristallinen und dem amorphen Material gebildet, die sich auf den Seiten und dem Boden des Teils 50 aus dem kristallinen Speichermaterial erstreckt. Ein Streifen von druckempfindlichem Klebeband 56 wird auf die Schicht 38 aufgebracht und angepreßt mit der Klebseite 57 auf der oberen Oberfläche der Schicht. Wenn der Klebstreifen 56 abgezogen wird, wie in Fig. 6 dargestellt, trennt sich der kristalline Teil 50 des Speichermaterials an der Grenzfläche oder Grenze 5^ und haftet in Form eines Stöpsels an dem Klebband 56 und wird mit diesem zusammen von der Schicht 38 entfernt. Ein positives Abbild, das durch den Eindruck 58 dargestellt wird, wird in der Schicht 38 gebildet, während ein negatives Abbild am Klebstreifen 56 gebildet wird, das durch den kristallinen Teil 50 dargestellt wird. Diese Ausführungsform des Verfahrens ist mit oder ohne Schichtträger anwendbar.

Wie sich aus der Darstellung der Fig. 5 und 6 und aus der vorstehenden Beschreibung ergibt, bricht der kristalline Teil 50 des Speichermaterials

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sauber an der Grenzfläche 54 ab. Dies geschieht deshalb, weil die Selbsthaftfähigkeit den. kleinsten Wert an der Grenzfläche 54 hat. Die Selbsthaftfähigkeit von polymeren .Stoffen ist beschrieben in S. S. Voyutskii, "Autohesion and Adhesion of High Polymers", Band 4 von Polymer Beviews, Interscience Publishers (1963)· Die Terminologie und die Definitionen in diesem Aufsatz bezüglich der organischen Polymeren können unmittelbar auf das Speichermaterial angewendet werden, das nach dem erfindungsgemäßen Verfahren angewendet wird, und dienen als Erklärung der Abbildungsphänomene, die gemäß dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens nutzbar gemacht werden.

Aus dem Vorstehenden ergibt sich, daß die Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, bei der die Bildung der Abbildung allein auf Unterschieden der Selbsthaftfähigkeit beruht, von besonderem Nutzen bei solchen Speichermaterialien ist, die in der Lage sind, unter der Einwirkung von Energie von einem amorphen Zustand in einen kristallinen Zustand oder umgekehrt von einem kristallinen Zustand in einen amorphen Zustand überführt zu werden. Geeignete Speichermaterialien, die diese Fähigkeit zeigen, können unter den im folgenden aufgezählten Speichermaterialien gefunden werden. Bei solchen Speichermaterialien, die unter dem Einfluß von Energie keiner Transformation vom amorphen in den kristallinen Zustand unterliegen (oder umgekehrt) ist der Unterschied in der Selbsthaftfähigkeit

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gewöhnlich nicht groß genug, um scharfe Abbilder zu ergeben, obwohl diese Stoffe hervorragende Abbildungen hervorbringen, wenn der Unterschied der Adhäsion nutzbar gemacht wird, insbesondere mit einem aktiven Schichtträger, wie im folgenden näher erläutert wird.

Bei bestimmten Tellur enthaltenden Speichermaterialien gemäß der Erfindung, die im kristallinen Zustand auftreten und beim Aufbringen von Energie kristallin bleiben, wird die Abbildung durch einen etwas unterschiedlichen Mechanismus gebildet. Als Ergebnis von Beanspruchung oder Lösung der Beanspruchung an der Grenze der Flächen der Schicht aus diesen Stoffen, die der Energie unterworfen worden sind, und den Flächen, die nicht der Energie unterworfen worden sind, entvriekelt sich ein Bruch oder eine Linie mit geringerer Eohäsion, welche wiederum zur Bildung einer Abbildung durch einen Unterschied beim Abstreifen und dergleichen nach dem erfindungsgemäßen Verfahren nutzbar gemacht wird.

Dieses Reissen oder "Aufbrechen der Grenzen wird für die Bildung einer Abbildung nutzbar gemacht in der nachfolgend in Zusammenhang mit der Selbsthaftfähigkeit beschriebenen Weise.

Wenn diese kristallinen Stoffe auf einen aktiven Schichtträger gebracht werden, wie im folgenden erläutert, wursacht die Erzeugung einer Beanspruchung oder die Lösung einer Beanspruchung, die dadurch verursacht wird, daß ausgewählte Flächen einer

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Schicht aus diesen Stoffen der abbildenden Wirkung von Energie unterworfen worden sind, ebenfalls einen Unterschied der Haftfähigkeit, welche in der beschriebenen Weise zur Herstellung von Abbildungen nutzbar gemacht wird. Aus dem Vorstehenden ergibt sich, daß selbst wenn die physikalischen Strukturänderungen des Speichermaterials, die durch die Aufbringung von Energie getragen werden, sehr subtil sind, drastische Unterschiede der„Selbsthaftfähigkeit oder Klebrigkeit erzeugt werden können, was erlaubt, hervorragende Abbildungen gemäß der Erfindung zu erzielen.

Die Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens gem. den Fig. 5 und 6 mit einer Schicht von Speichermaterial ohne Schichtträger kann auch modifiziert werden dahingehend, daß die zur Abbildung dienende Energie in einer Menge und über eine Zeitdauer angewendet wird, daß die physikalische Strukturänderung in der Fläche 40 sich durch die Schicht hindurch bis auf den Boden der Schicht 38 erstreckt. Wenn, wie in Verbindung mit Fig. 6 beschrieben ist, vorgegangen wird, wird in diesem Fall eine mit Öffnungen versehene Struktur erhalten, die als Schablone oder Maske verwendet werden kann.

Da kein Schichtträger in diesem Fall zur Bildung eines Unterschieds in der Haftungsfähigkeit vorhanden ist, arbeitet diese Ausführungsform der Erfindung allein auf der Basis einer Änderung der Autohäsion oder Selbsthaftung an der Grenz-

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fläche.

In der Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, die in den Fig. 1 und 2 erläutert ist, wurde ein Luftstrom als Mittel zur Entfernung des Speichermaterials dargestellt, das die geringere Haftung und/oder Selbsthaftung aufweist. Es kann Jedes andere gewünschte Mittel zur Entfernung des Speichermaterials an den Flächen, an denen es die geringere Haftung und/oder Selbsthaftung aufweist, verwendet werden, wie Bürsten, Wischen, Biegen oder Durchbiegen des Schichtträgers, Abziehen des Schichtträgers über einen großen Radius oder Durchlaufenlassen über eine Walze mit großem Radius oder dergleichen. Anstelle der 'Verwendung dieser mechanischen Arten des Abtrennens und Entfernens von Speichermaterial mit geringerer Haftungsfähigkeit, Kohäsionskraft oder Selbsthaftung kann das Material auch durch Mittel, wie Ultraschallvibrationen u.dgl. entfernt werden. Bei allen diesen mechanischen oder Vibrationsmethoden kann die Entfernung gefördert werden, wenn gleichzeitig ein Luftstrom oder ähnliche Mittel verwendet werden. Ein scharfer Luftstrom, wie ein Luftmesser, kann auch in vielen Fällen als einziges Mittel zur Entfernung des Speichermaterials an den Flächen geringerer Adhäsion bzw. Selbsthaftung angewendet werden.

Bei der Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, die in Fig. 4 erläutert ist, wurde ein Klebstreifen zum Abziehen der brechbaren kristallinen Flächen von der Struktur verwendet. Der Bogen oder die Platte 3^ ist vorzugsweise biegsam, obwohl auch für besondere Wirkungen eine starre

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Platte verwendet werden kann. Der Bogen 34- gemäß Fig. 4- enthält das bereits darauf geschichtete Klebmaterial. Typische Beispiele solcher Stoffe sind die verschiedenen handelsüblichen druckempfindlichen Klebefolien und -streifen, wie die unter dem Namen "Scotch Tape" vertriebenen Produkte.

Anstelle der Verwendung eines Bogens oder Bandes, auf dem der Klebstoff bereits aufgeschichtet ist, kann die Schicht 24- gemäß Pig. 3 mit einem geeigneten Klebstoff beschichtet sein, z.B. durch Aufspritzen, Aufpinseln, Aufwischen oder Aufwalzen oder durch Aufbringen einer Lösung eines Klebstoffs in jeder gewünschten Weise und anschließendem Verdampfen des Losungs- oder Verdünnungsmittels. Ein geeigneter Bogen bzw. Platte aus z.B. Kunststoff, Metall oder irgendeinem anderen zweckmäßigen Material wird anschließend an die Klebstoffschicht auf der Oberfläche der Schicht aus Speichermaterial ankleben gelassen und nach zeitweiligem Andnicken der Deckschicht auf den Klebstoff, z.B. unter Verwendung einer Walze oder ähnlicher Mittel, wird der Klebstoff wirksam. Wenn die Decksohifiifc abgezogen wird, werden das positive und das negative Abbild wie oben beschrieben erzeugt. Das mit Klebstoff beschichtete Speichermaterial geringerer Klebfähigkeit oder Selbstklebfähigkeit kann auch getrennt und entfernt werden, indem die Oberfläche mit einer Walze oder mit ähnlichen mechanischen Mitteln bearbeitet wird»

Die Wahl des verwendeten Klebstoffs hängt von der 209850/1071

Natur des Speichermaterials und des Schichtträgers ab. Der Klebstoff muß derart ausgewählt sein, daß die Klebkräfte, die durch ihn ausgeübt werden, unter den Arbeitsbedingungen einer Größenordnung zwischen den Adhäsionskräften, die durch das Speichermaterial gegenüber dem Schichtträger in den Bereichen der geringeren Adhäsion bzw. Autohäsion ausgeübt werden und den Kräften, die vom Speichermaterial in den Bereichen höherer Adhäsion bzw. Autohäsion ausgeübt werden, sind»

Geeignete Klebstoffe können unter allen Gruppen von Klebstoffen gefunden werden. Bevorzugt sind im allgemeinen die sogenannten druckempfindlichen Klebstoffe und die wärmeempfindlichen Klebstoffe, die wenigstens teilweise eine Steuerung des Grades der Klebfestigkeit erlauben, um die gewünschte Abtrennung und Entfernung der weniger haftfähigen

zu

oder kohäsiven Flächen des Speichermaterials/ermöglichen. Beispiele geeigneter Klebstoffe sind z.B. die verschiedenen Polyisobutylenkautschuke sowie viele andere kautschukartige klebrige Stoffe und bestimmte thermoplastische polymere Stoffe, die wegen ihres geringen Molekulargewichts oder ihrer besonderen chemischen Struktur beim Erhitzen die gewünschte Klebrigkeit besitzen oder entwickeln. Andere geeignete Klebestoffe können unter den verschiedenen wasserlöslichen Leimen gifunden werden, wie Gummiarabikum in Wasser. Im letzteren Fall besteht der oben liegende Bogen zum Abziehen des Speichermaterials an den Flächen geringerer Haftung vorzugsweise aus Papier oder

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einem Träger aus Cellulosematerial.

Es sind verschiedene Arten für,die Anwendung

des

des Klebstoffs auf das Selektiv/der Energieeinstrahlung unterworf ensi Speichermaterial "beschrieben. Gemäß einer Durchführungsweise wird der Klebstoff auf ein kontinuierliches Gewebe

wird die Bahn dzw.
gebracht und/das Gewebe und die Struktur, welche das der Energie ausgesetzte Speichermaterial enthalt zwischen Walzen laufen gelassen. Nach der Abtrennung bildet das entfernte Speichermaterial auf dem Gewebe ein Gegenbild des Abbildes, das auf der Originalstruktur zurückbleibt. Gemäß einer anderen Ausführungsform des Verfahrens wird der Klebstoff kontinuierlich auf das laufende Gewebe oder Band' eines mit einem Schichtträger versehenen Speichermaterials aufgebracht, bevor oder nachdem dieses selektiv einer Energie ausgesetzt wurde, und ein weiteres Gewebe oder Band aus Material, wie Papier od.dgl., wird auf die mit dem Klebstoff beschichtete Oberfläche des Speichermaterials laufend aufgebracht^ und anschließend werden beide Gewebe oder Bänder getrennt. Beide Gewebe oder Bänder können verwendet werden oder das eine kann gegebenenfalls verworfen werden.

Es istiHtürlich auch möglich, den Klebstoff auf den Film aus Speichermaterial aufzubringen, bevor das Speichermaterial selektiv den abbildenden Wirkungen der Energie ausgesetzt wird. Wenn die Energie durch die Deckschicht aus Klebstoff

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aufgebracht wird, sollte der Klebstoff natürlich für die in jedem besonderen Fall für das Abbilden auf der Schicht aus Speichermaterial verwendete Energie durchlässig sein.

Das erfindungsgemäße Verfahren verwendet als wirk-.same Komponente Speichermaterialien, die in der Lage sind, einer Änderung in ihrer Klebfähigkeit oder Bindefestigkeit an einem gegebenen Schichtträger zu unterliegen, wenn sie einer Energieeinwirkung unterworfen werden. Wie festgestellt unterliegen viele der erfindungsgemäß brauchbaren Speichermaterialien unter den Einwirkungen der Energie auch einer morphologxschen Änderung, wie einer Änderung von einem amorphen in einen kristallinen Zustand oder umgekehrt, aus einem kristallinen in einen amorphen Zustand. In manchen Fällen kann die morphologische .Änderung des Speichermaterials auch in der Überführung von einer Kristallform in eine andere Kristallform bestehen. In anderen Fällen können keine Gesamtübergänge von einem morphologischen Zustand in einen anderen beobachtet werden, obwohl innere physikalische Strukturänderungen¹des Speichermaterials vorhanden sind, die einen erheblichen Unterschied des Haftungsvermögens des Speichermaterials an den Schichtträger ergeben. Solche Änderungen werden augenscheinlich in einer Form, von der man annimmt, daß sie auf Änderungen in der Belastungsfähigkeit und Bindefestigkeit des Speichermaterials beruhig Hinsichtlich des oben Genannten ist ersichtlich, daß das Arbeiten eines Speichermaterials nicht notwendigerweise auf dem

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Auftreten einer morphologischen Änderung im Speichermaterial "beruht. Um als Ausgangsmaterial für die Zwecke des erfindungsgemäßen Verfahrens geeignet zu sein, muß das Speichermaterial die Kapazität "besitzen, eine erhebliche Änderung des Haftungsvermögens an ein vorgegebenes Substrat oder des Selbsthaftungsvermögens hervorzubringen, wenn es den Einwirkungen von Energie ausgesetzt ist. Wenn das Speichermaterial in verschiedenen morphologischen Formen auftritt, muß es wenigstens bei einer dieser Formen ein starkes Haftungsvermögen an den Schichtträger, auf dem es enthalten ist, zeigen.

Zusammenfassend ist festzustellen, daß das erfindungsgemäße Verfahren als wirksame Komponente bestimmte Speichermaterialien verwendet, die gekennzeichnet sind durch ihre Eigenschaft, daß sie zu physikalischen Strukturänderungen von einem Zustand in den anderen befähigt sind mit dem Ergebnis, daß eine Änderung des Haftungsvermögens an einen Schichtträger und/Gier eine Änderung des Selbsthaftungsvermögens auftritt, wenn die Speichermaterialien einer Energie oberhalb einer bestimmten Schwelle ausgesetzt werden. Beispiele von Stoffen, die diese Bedingungen erfüllen, können unter den Speicherstoffen gefunden werden, die z.B. in den USA-Patentschriften 3 271 591 und 3 53O 441 beschrieben sind. Es wurde im allgemeinen gefunden, daß dann, wenn eine merkliche Änderung der Morphologie des Speichermaterials beim Unterwerfen von Energiewirkungen auftritt, auch ein erheblicher Unterschied im Haftungsvermögen und/oder Selbsthaftungsvermögen zwischen dem Material, das der Energieeinwirkung unterworfen

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wurde, und dem Material, das nicht der Energieeinwirkung unterworfen wurde, auftritt. Wie jedoch im folgenden näher erläutert wird, kann auch ein unterschiedliches Haftungsvermögen in vielen Fällen beobachtet werden, wenn keine merkliche gesamte physikalische Änderung der Struktur stattfindet.

Die Speichermaterialien, die beim erfindungsgemäßen Verfahren brauchbar sind, sind in ihrem amorphen Zustand gewöhnlich glasige Stoffe, die beim Aufbringen auf einen Schichtträger ungewöhnliche Haftun^-oder Bindeeigenschaften zeigen. Das amorphe Material kann, wenn es den Energieeinwirkungen unterworfen wird, einen kristallinen Zustand annehmen. Diese Transformation vom amorphen in den kristallinen Zustand kann die einzige Änderung sein. Alle anderen physikalischen Änderungen, die oben genannt worden sind, können beim Speichermaterial als einzige Wirkung der Energie oder zusätzlich der genannten morphologischen Änderung auftreten, wenn das Material der Energieeinwirkung unterworfen wird. Diese physikalischen Änderungen können begleitet sein von einer Abtrennung oder Rekombination von einem oder von mehreren Elementen, wenn diese im Gemisch ra.it dem Speichermaterial vorliegen oder darin gehalten werden. Andere Änderungen der inneren Struktur des Materials können stattfinden. Wesentlich ist nur, daß die inneren Änderungen, die unter der Einwirkung von Energie stattfinden, eine erhebliche Änderung des Haftungsvermögens der Schicht des Speiehermaterials an den Schichtträger, auf dem sie sich befindet, und/oder eine ausrei-

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chende Änderung des Selbsthaftungsvermögens an der Grenzfläche ergeben.

Das an dem Schichtträger bei der als Ausgangsmaterial verwendeten Struktur anhaftende Speichermaterial kann amorph sein und in einen kristallinen Zustand überführt werden, wenn es ausreichender Energieeinwirkung unterworfen wird. Das Speichermaterial kafin aber auch kristallin sein und durch die Einwirkungen der Energie in einen amorphen Zustand überführt werden. Es ist auch möglich, daß das Speichermaterial auf dem Schichtträger in einer ersten kristallinen Form vorliegt, die unter den Einwirkungen der Energie in eine zweite kristalline Form überführt wird. All diese Ausführungsformen fallen in den Erfindungsbereich unter der Voraussetzung, daß,

CDifXerential) die Transformation einen Unterschied/der Bindefestigkeit oder des Haftungsvermögens des Speichermaterials am Träger hervorbringt. Die gleichen Möglichkeiten der Überführung bestehen auch in der Ausführungsform des Verfahrens, bei welcher die Abtrennung der einen Form des Speichermaterials von der anderen Form des Speichermaterials durch einen Abfall des Selbsthaftungsvermögens an der Grenzfläche zwischen den beiden unterschiedlichen Formen des Speichermaterials möglich gemacht wird. Im Fall des Übergangs von einer kristallinen Form in eine andere kristalline Form braucht die Änderung nicht eine Änderung der Kristallstruktur selbst sein. Sie kann einfach eine Änderung in der Anordnung der winzigen Kristalle in den durch

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diese 'gebildeten Kristalliten sein, so daß unterschiedliche Kristalitformen im Material vorliegen, die der Energieaufnahme ausgesetzt worden sind und die nicht der Energie ausgesetzt worden sind. Ein typisches Beispiel unterschiedlicher Kristallitformen ist die sogenannte planare kristalline Form, bei welcher die Kristallite eine glatte Fläche bilden und die ausgekerbte Form der Kristallite, die eine ausgekerbte unregelmäßige Oberfläche zeigt. Diese Unterschiede der Oberflächenstruktur ergibt Unterschiede des Haftungsvermogens und des Selbsthaftungsvermögens.

Geeignete Speichermaterialien können unter allen Gruppen von Verbindungen gefunden werden. Am meisten bevorzugt sind Zusammensetzungen, die in ihrem amorphen Zustand ein hohes Haftungsvermögen an die meisten Schichtträger zeigen und in der Lage sind, in einen kristallinen Zustand überführt zu werden oder physikalischenStrukturänderungen zu unterliegen, wenn das Material der · Einwirkung von Energie derart ausgesetzt wird, daß gleichzeitig eine Änderung des Haftungsvermögens des Speichermaterials an das Substrat stattfindet, auf dem es enthalten ist, und/oder des Selbsthaftungsvermogens stattfindet. Geeignete Speichermaterialien, die als Ausgangsstoffe bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendet werden können, sind verschiedene organische Stoffe, die die Eigenschaft haben, im amorphen Zustand aufzutreten und sich unter den Wirkungen von Energie in einen geordneteren oder einen kristallinen Zustand oder

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umgekehrt umzuformen, der unter den Einwirkungen von Energie von einem geordneteren Zustand in einen Zustand geringerer Ordnung, wie von einem kristallinen Zustand in einen amorphen Zustand überführt werden oder welche in der Lage sind, anderΦ physikalische Strukturänderungen, wie eingangs erwähnt, zu unterliegen.

Die am meisten "bevorzugten Glieder der Gruppe von Speichermaterialien, die als Ausgangsmaterial beim erfindungsgemäßen Verfahren brauchbar sind, werden

die unter den anorganischen Stoffen gefunden, die/oben genannten Bedingungen in hervorragender Weise erfüllen. Die anorganischen Stoffe zeigen durch ihre stoffliche Eigenart Eigenschaften, die sie besonders brauchbar für die Zwecke der Herstellung von Abbildungen machen und einen weiten Bereich von . Anwendungszweckenoeröffnen, wie im folgenden näher ausgeführt. Unter der bevorzugten Gruppe von anorganischen Speichermaterialien sind solche Speichermaterialien aufzuführen, die als ein wesentliches Element ein Ghalkogen außer Sauerstoff enthalten oder daraus bestehen. Dies sind die Elemente der Gruppe VI des Periodensystems, die Elemente wie Selen, Tellur und Polonium und in manchen lallen Schwefel umfassen. Diese Ohalkogeniä-ElßTnaite können im Speichermaterial in elementarer Form oder im Gemisch und/oder in Kombination mit vielen verschiedenen Elementen vorliegen. Wesentlich ist nur, daß das Speichermaterial die Eigenschaft hat, daß es bezüglich des Ansprechens auf Energie eine Schwelle aufweist, wie oben erwähnt, und dass

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es in der Lage ist, einer physikalische Strukturänderung von einem Zustand in einen anderen Zustand als Antwort auf Energieeinwirkung zu unterliegen. Wie erwähnt, sind viele von den Speicherstoffen wenigstens in ihrem amorphen Zustand glasige Stoffe.

Geeignete Zubereitungen dieser Art können auch unter den Stoffen gefunden werden, die in den genannten USA-Patentschriften 3 271 591 und 3 530 und der genannte /Patentanmeldung Serial No. 63,404 gefunden werden. Zu den am meisten bevorzugten Zubereitungen gehören bestimmte glasige Zubereitungen von Germanium und Tellur, die gegebenenfalls auch kleine Mengen anderer Elemente enthalten, wie Antimon oder Schwefel. Um nur einige typische Speicherstoffe zu nennen, die beim erfindungsgemäßen Verfahren verwendbar sind, sind dies Zubereitungen der folgenden Art (Teile als Gewichtsteile angegeben): 15 Atomteile Germanium, 81 Atomteile Tellur, 2 Atomteile Antimon und 2 Atomteile Schwefel oder eine Zusammensetzung aus 83 Atomteilen Tellur und 17 Atomteilen Germanium, eine Zubereitung aus 32,5 Atomteilen Tellur, 2,5 Atomteilen Germanium, 2,5 Atomteilen Silicium und 2,5 Atomteilen Arsen, eine Zubereitung aus 95 Atomteilen Tellur und 5 Atomteilen Silicium, eine Zubereitung aus 90 Atomteilen Tellur, 5 Atomteilen Germanium, 3 Atomteilen Silicium und 2 Ätomteilen Antimon, eine Zubereitung aus 85 Atomteilen Tellur, 10 Atomteilen Germanium und 5 Atomteilen Vismut, eine Zubereitung aus 85 Atomteilen Tellur, 10 Atomteilen Germanium, 2,5 Atomteilen Indium, 2,5

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Atomteilen Gallium, eine Zubereitung aus 85 Atomtoilen Tellur, 10 Atomteilen Silicium,

4 Atomteilen Wismut und 1 Atomteil Thallium, eine Zubereitung aus 80 Atomteilen Tellur, 14 Atomteilen Germanium, 2 Atomteilen Wismut, 2 Atomteilen Indium und 2 Atomteilen Schwefel, eine Zubereitung aus 70 Teilen Tellur, 10 Atomteilen Arsen, 10 Atomteilen Germanium und 10 Atomteilen Antimon, eine Zubereitung aus 60 Atomteilen Tellur, 20 Atomteilen Germanium, 10 Atomteilen Selen und 10 Atomteilen Schwefel, eine Zubereitung aus 60 Atomteilen Tellur, 20 Atomteilen Germanium und 20 Atomteilen Selen, eine Zubereitung aus 60 Atomteilen Tellur, 20 Atomteilen Arsen, 10 Atomteilen Germanium und 10 Atomteilen Gallium, eine Zubereitung aus 81 Atomteilen Tellur, 15 Atomteilen Germanium, 2 Atomteilen Schwefel, 2 Atomteilen Indium, eine Zubereitung aus 90 Atomteilen Selen, 8 Atomteilen Germanium und 2 Atomteilen Thallium, eine Zubereitung aus 85 Atomteilen Selen, 10 Atomteilen Germanium und 5 Atomteilen Antimon, eine Zubereitung aus 85 Atomteilen Selen, 10 Atomteilen Tellur und 5 Atomteilen Arsen, eine Zubereitung aus 70 Atomteilen Selen, 20 Atomteilen Germanium,

5 Atomteilen Thallium und 5 Atomteilen Antimon, eine Zubereitung aus 70 Atomteilen Selen, 20 Atomteilen Germanium, 10 Atomteilen Wismut, eine Zubereitung aus 95 Atomteilen Selen und 5 Atomteilen Schwefel.

Vorstehende Aufzählung von Beispielen von Speicherinaterialif-n yteilt nur eine kleine Auswahl der

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SAD ORIQlNAl.

sehr großen Zahl von Speichermaterialien, dar, die brauchbar sind und bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens verwendet werden können.

Die Speichermaterialien können auch Katalysatoren "in einer Weise und vaneiner Art enthalten, wie sie in der schwebenden US-Anmeldung Serial Uo. 63,404 beschrieben sind. Diese Anmeldung lehrt auch bestimmte chemische Elemente und Verbindungen und verschiedene Arten ihrer Anwendung, die mit Vorteil bei den Speichermaterialien gemäß der Erfindung verwendet werden können.

Für die erfindungsgemäßen Zwecke muß bemerkt werden, daß der Übergang von einem physikalischen Strukturzustand in einen anderen keine wesentliche chemische Reaktion mit einem außerhalb befindlichen Stoff verschiedener Zusammensetzung umfaßt. Der Übergang ist mehr oder weniger ein physikalisches Phänomen, das im Inneren des Materials unter der Einwirkung von Energie stattfindet. Dies schließt nicht die Möglichkeit aus, daß im Verlauf des Übergangs eine Komponente des Speichermaterials abgetrennt wird und als bestimmte Phase, die mit dem Speichermaterial vermischt ist, erscheint, obwohl auch in diesem Fall das Speichermaterial einen unterschiedlichen physikalischen Strukturzustand angenommen hat, wie dies oben erläutert wurde. Es kann auch ein Material, das im Gemisch mit dem Speichermaterial vorliegt, im Verlauf des erneuten Übergangs kombinieren oder rekombinieren, um ein Speichermaterial der ursprüng-

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lichen chemischen Zusammensetzung oder ein Speichermaterial anderer chemischer Zusammensetzung zu bilden. Dies trifft insbesondere auch auf Stoffe zu, die in katalytischen Mengen zugesetzt worden sind, um als Katalysator oder Promoter für den Übergang zu dienen. Diese katalytischen Mengen von Promoterstoffen können oder können nicht in die chemische Kombination mit dem Grundspeichermaterial beim Übergang unter der Einwirkung von Energie eintreten. Man nimmt an, daß wenigstens einige dieser Katalysatoren oder Promoter als Keimbildungszentren für den Übergang des Speichermaterials in eine besser kristallisierte Form dienen. In dieser Beziehung wird auf die

US-Patentanmeldung Serial No. 63,4-04 verwiesen.

Diese katalytischen Mengen eines Übergangspromoters können auch in-Form einer dünnen Schicht zwischen dem nicht reaktiven Schichtträger und der Schicht von Speichermaterial oder oben auf der Schicht als Speichermaterial vorliegen, woher der Promoter auf oder in das Speichermaterial eindiffundieren kann, um als Keimbildungszentrum für die physikalischen Strukturänderungen in der oben genannten Weise durch Ausübung einer katalytischen oder Promoterwirkung zu dienen. Diese dünnen Schichten von. Katalysator werden jedoch nicht für den Zweck verwendet, das Haftnngsvermögen und/oder das Selbsthaftungsvermögen des Speichermaterials mittels einer stattfindenden chemischen Reaktion zu ändern. Eine Reaktion des Speichermaterials mit der dünnen Schicht aus katalytischem Material in der beschriebenen Weise

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unter wird daher so verstanden, daß es /die Bedeutung des Begriffs "im wesentlichen nicht reaktiven" wie oben fällt.

Ein wesentliches Kennzeichen besteht darin» daß das Speichermaterial, das als Ausgangsmaterial beim erfindungsgemaßen Verfahren verwendet wird, die Fähigkeit hat, einen schnellen Übergang von einem physikalischen Strukturzustand in einen anderen physikalischen Strukturzustand durchzuführen. Bevorzugt sind solche Speichermaterialien, bei denen der Übergang in nicht mehr als etwa 1 Minute vollständig ist, nachdem es den Wirkungen ausreichend hoher Energieniveauerzeugung des Übergangs unterworfen wurde. Am meisten bevorzugt sind solche Speichermaterialien, bei denen der übergang in einer Sekunde oder darunter vervollständigt ist, wobei die Übergangsdauer von einer oder einigen Millisekunden oder darunter am günstigstens für die meisten praktischen Anwendungen des erfindungsgemaßen Verfahrens ist. Das Abschrecken des Speichermaterials nach der Energieanwendung oder das schnelle Abkühlen nach der Anwendung von Wärmeenergie ist gewöhnlich günstig«,

Die bevorzugten Speichermaterialien gemäß der Erfindung haben die Eigenschaft« daß der Übergang von einem physikalischen Strukturzustand in einen anderen physikalischen Strukturzustand eine Schwellenreaktion ist, d.h. es tritt kein merklicher übergang auf, bis die Energie ein bestimmtes

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Niveau erreicht hat, das für das bestimmte Speichermaterial eigentümlich ist. Wenn der Schwellwert erreicht ist, findet der Übergang gewöhnlich sofort in den oben genannten sehr kurzen Zeiten statt. Diese schnelle physikalische Strukturänderung oder der Übergang des Speichermaterials ist natürlich von besonderem Wert für wirtschaftliche Anwendungen des erfindungsgemäßen Verfahrens, wobei diese große Leistungen je Zeiteinheit und eine große Produktivität gestatten. Andererseits hat die Gegenwart eines Schwellwerts den Vorteil, daß das Material bei geringeren Energieniveaus sicher gehandhabt werden kann, wie bei Tageslicht, ohne daß irgendeine Änderung stattfindet, während bei der gleichen Energieart, die den Schwellwert übersteigt, die gewünschte Änderung stattfindet.

Die bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendeten Speichermaterialien erfordern nicht, wie oben erwähnt, eine Fixierstufe. Sie behalten daher ihre Fähigkeit zur Bildung einer neuen Abbildung, wenn ausgewählte Flächen selektiv ein zweites Mal der Energieeinwirkung unterworfen werden, z.B. zur Durchführung von Änderungen oder Korrekturen der Abbildung zur Hervorbringung besonderer Effekte.

Es wurde oben erläutert, daß der Übergang des Speichermaterials von einem physikalischen Strukturzustand in einen anderen physikalischen Strukturzustand sehr schnell vor sich gehen sollte. Dies schließt nicht eine Arbeitsweise aus, bei der das Speichermaterial z^B. Licht ausgesetzt

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wird, um sofort das,was man ein latentes Bild nennen kann, ohne erhebliche physikalische Änderung der Struktur des Speichermaterials, die gleichzeitig stattfinden könnte, zu bilden. Dieses einleitende Aussetzen der Energie wird daher von einem Schritt zu einer späteren geeigneten Zeit gefolgt, wobei der tatsächliche Übergang des Speichermaterials z.B. vom amorphen in den kristallinen oder vom kristallinen in den amorphen Zustand stattfindet, indem das Material durch

auf

z.B. Wärme^ine Temperatur oberhalb der Übergangstemperatur (±n den Glaszustand) oder durch Anwendung von Energie in Form eines geeigneten elektrischen Stroms zu dem Übergang gebracht wird. Das latente Bild kann z.B.

Kerne darstellen, die durch eine ausreichende Ansammlung von Trägern gebildet werden, so daß eine anschließende Behandlung durch Aufbringung von Energie die Kerne bis auf eine kristalline Größe und Dichte vergrößern kann, die ausreichen, um den gewünschten Unterschied des Haftungsvermögens zur Anwendung in dem erfindungsgemäßen Verfahren hervorzubringen«

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens kann eine Kombination unterschiedlicherEnergieformen verwendet werden, um die gewünschte sofortige überführung oder physikalische Änderung der Struktur des Speichermaterials hervorzubringen. Ein Beispiel dieser Arbeitsweise umfaßt dem Schritt·, daß die Schicht

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aus Speichermaterial einem elektrischen !feld einer Stärke, die nicht groß genug ist, um eine erhebliche physikalische Strukturänderung des Speichermaterials als solches mit sich zu "bringen, ausgesetzt wird. Ausgewählte Flächen des Speichermaterials werden gleichzeitig z.B. einer Strahlung sichtbaren Lichtes,

UV-Strahlung oder Infrarotstrahlung oder durch Schallenergie ausgesetzt, welche, wenn sie sich mit der Energie, die bereits vom elektrischen Feld zugeführt worden das, addiert, die gewünschte sofortige Änderung des physikalischen Strukturzustandes in den ausgewählten Flächen des Speichermaterials hervorbringt.

Zusätzlich zu den verschiedenen zweckmäßigen Kennzeichen, die bisher genannt wurden, ist es auch erwünscht j daß das Speichermaterial, damit es als Ausgangsmaterial beim erfindungsgemäßen Verfahren brauchbar ist, in der Lage ist, leicht in einen amorphen Zustand für eine geeignete Anwendung auf einem Schichtträger gebracht werden kann, fallsjlies erwünscht ist. Das Speichermaterial kann auf den Schichtträger in jeder geeigneten Weise aufgebracht werden, z.B. durch Aufbringen in Form einer Lösung mit anschließendem Verdampfen des Lösungsmittels, durch Aufstäuben oder durch Verfahren der Vakuumabseheidung u.dgl..

Wie erwähnt wird bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens amorphes Speicher-

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material durch Energie in einen kristallinen Zustand überführt,, Da das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von Abbildungen oder Kopien dient, ist das Auflösungsvermögen von äußerster Bedeutung. Die "bevorzugten Speichermaterialien gemäß der Erfindung sind solche, die Kristalle oder Kristallite sehr kleiner Grösse. z, B. lsi Be.r-öicii von 5-0 bis 100 A bis nicht mehr als etws. 10C0 X od, dgl» bildet. Diese Voraussetzung stellt; sielieT*, d&3 immer scharfe Abbildungen 3ii⁺- hcjih^ter Aurlösung erhalten worden.

Geeignete Ausgangsstoffe kommen auch z.B. unter den -SpeicheririM^a^ialien gefunden werden, die kleire Mg^λ ■'■■ivrrirt.si;^? -lines durch Licht di^scaiier-Iviren cdei? chirel ijiciit r^cuiaj.&Ti.a''?)! Salzes im ^uiseh od-c--:- lii l^riilirimg aranil; enthalten, imxer de'·:* 'VOroueiät -?-un;Ä,-, daii d:ie -Steife auch die anaeren ι; he.v. j er. Ό"!'·** ν-TaL Λτΐο^ίβηιΙΖΒύ βτ, vllen» Diese S^:,of- ^e PPG-Ug^- ,:-.;.-~ *:'-i.airl- ^t:.-:.b:"./.« E.&ZZ.C.. Λίβ als Kri-"c.;.1.i3a:;^J >ϊ-.31',&χ\'·:^?·.ώ, ϊ'ΐν ■!&.& ζν£-&ζν·_£0^%:Λ~ε amorphe £p£2üicri-:&1" =i!'-:* "J. beiiät sofortiger, oder azi-j ---iliefienae^ ^rlii': -v-'i ν-,I'...'!.- 'bei?i /^fhi-ingsr- τοη ifc.erg".? in er* lerer it ,XK^i^c^r fora dienejit Bui'ch Licht x-edu¹.. '.a-:Da·;: ocö:.' cl-irch LiOiit dia&oziiernare Salze, u:j <■■■ in euxvi? 1±>:'■:&■ ?-'jij>jÜ:;,ii.al:U;iieii Pliase verwendet ii, iw^aaiSftii ifej.ie wie z*B. Shallium-

Lalog«:,;icie, Än;f'".-ijo:niere in Ec-^ciiuatioii mit katalytißchön He^gv ί -eil;araJ keiffbildenden oder Kristal·

sp:rG::oT--fi-ⁱj-_n Sie .ieradfc 5C2i.vimten Salze sind "COSOUu.^... ϊ^ίίϊΐαΐΐίτ t.acii in EcnsbIna tion mit

0 3 8 i ύ / 1 0 7 1

denooben genannten glasigen Speichermaterialien gemäß der Erfindung.

Es können von verschiedenen

Energieformen verwendet werden, um die physikalische Strukturänderungen des Speichermaterials von einem Zustand in den anderen zu bringen und einen erheblichen Unterschied des Haftungsvermögens des Speichermaterials an aednaa Schichtträger oder zur Hervorbringung der Änderungen des Selbsthaftungsvermögens zu schaffen. Eine besonders günstige Energiequelle ist elektromagnetische Strahlung verschiedener Art, wie sichtbares Licht, UV-Strahlung und/oder Infrarotstrahlung. Ein geeigneter Energieerzeuger dieser Art kann, in handelsüblichen Blitzlichteinrichtungen mit Birnen oder bei Elektronen« blitzanlagen gefunden werden, der hervorragende Ergebnisse mit äußerst kurzen Belichtungszeiten in der Größenordnung von einer oder wenigen Hillisekunden oder darunter oder mehr in Kombination mit vielen Speichermaterialien der Erfindung liefert«, Die Abbildungen können mit dieser Bestrahlungsart dadurch erzeugt werden, daß eine Bildmaske zwischen der Strahlungsquelle und den Speichermaterialien, die mit dem Bild versehen werden sollen, vorgesehen wird. Die Maske kann positiv oder negativ sein, je nach dem gewünschten Effekt und in Abhängigkeit von der Art und dem Typ des verwendeten Speichermaterials, wie vorher erläutert wurde.

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Wie oben erwähnt kann die elektromagnetische Strahlung auch zur Erzeugung eines latenten Bildes verwendet werden, welches gleichzeitig oder zu einer geeigneten späteren Zeit in das tatsächliche Bild überführt werden kann mit ausgewählten Flächen unterschiedlichen Klebvermögens an das Substrat, durch Anwendung von Wärme und/oder elektrischer Energie oder jeder geeigneten anderen Energieform, um das Speichermaterial in einen Energiezustand oberhalb der Übergangstemperatur zu bringen, bei welcher der schnelle Übergang des Materials vor sich geht.

Es ist ebenfalls möglich, als Energiequelle elektrischen Strom zu verwenden, z.B. durch Verwendung einer Sonde auf einem Gitter mit einem Oszil lator, der das Abbilden erzeugt, oder durch Verwendung einer Kombination mehrerer Kontakte und St romrege Ivo rr ichtungen.

Andere Energieformen, die nach dem erfindungsgemäBen Verfahren zur Anwendung geeignet sind, umfassen Wärme in Form von Strahlungswärme oder durch Berührimg übertragene Wärme, z.B. durch Heißpressen mit einem Werkzeug in Form des gewünscliten Bilds. Häufig .kann mechanische Arbeit, wie Aa;? Beschriften ds? Fp ei the materials mit einer Scli^eibnaseh.U^ -'^i?r die verschiedenen Verfahren ~ur Ih'z^ii^.mg tob Eindrücken durch Stempeln lucigl, die für len Pb or gang des SpeicheriTfiterials in den gövimroh'uexi ausgewählten

2 Ö 9 8 !; 0 / 1 0 V 1

Bereichen in einen Zustand unterschiedlichen Haftungsvermögens benötigte Energie bereitstellen.

Andere Formen geeigneter Energie werden durch

um? Laserstrahlen mit oder ohne Modulation mit/oder ohne Abtasten, durch starke weißglühende lampes, Infrarotlampen, Teilchenstrahlen und viele andere bereitgestellt werden. Das erfindungsgemäße Yer·= fahren beruht auf der selektiven Anwendung iron Energie auf ausgewählte Fläcfeen des Speichermaterials, um eine physikalische Änderung im Ha= terial, das der Energieeinwirkung unterworfen worden war, hervorzubringen. Da die physikalischen Änderungen allgemein eine SchweliwertresJc= tion sind, muß die angewendete Energie oberhalb des Schwellwerts liegen. Es folgt hieraus, daß die Flächen des Speichermater-ials, bei denes keine physikalische -Strukturanderaag erwünscht ist, otene daß eine Änderung stattfindet eiaer Energie ■unterhalb der anwendbaren Schwelle unterworfen uerck-a. können. Dementsprechend wird, wenn hier auf die Anwendung keine Energie auf "bestimmte Flächen Bezug genommen wird, darunter verstanden, daß in diesen Flächen die Eaergie aufgebracht werden kann, vorausgesetzt, daß die Energie von einer Intensität ist oder einer Menge entspricht, die nicht die physikalischen Strukturänderungea des Speichermafcerials mit sich" bringt. Diese Beschreibung und Ansprüche sind unter dieser TfaEauaseteURg zu verstehen«. Bies trifft insbesondere auch für den !Fall der Yer=- wendung einer Maske in Koiabiiiatlon ζ»Ε_ο mit einer Blitzlichteinrichtung zu»

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Bei den durchscheinenden oder durchlässigen Teilen der Maske, geht die Energie durch die Maske im wesentlichen in voller Stärke hindurch, so daß die physikalischen Strukturänderungen in den entsprechenden Flächen des Speichermaterials stattfinden. Bei den opaken. Flächen der Maske wird die Energie gewöhnlich nicht vollständig ausgeschaltet, sondern eine bestimmte Energiemenge geht ebenfalls durch die opaken Flächen auf die entsprechenden

Flächen des Speichermaterials hindurch. In den opaken bzw, undurchsichtigen Flächen der Maske ist jedoch die Intensität und/oder Menge der Energie, die hindurchgeht, erheblich unterhalb des entsprechenden Werts der ungehinderten Energie vermindert. Daher reicht die reduzierte Intensität und/oder Menge von Energie, die durch die undurchsichtigen Flächen hindurchgeht, nicht aus, um die physikalischen Strukturänderungen der entsprechenden Flächen des Speichermaterials hervorzubringen. In dieser Weise wird die Selektivität der Energieanwendung aufrechterhalten, obwohl Energie auch auf die Flächen angewendet wird, die nicht mit einem Bild versehen werden sollen und wobei keine physikalische Strukturänderung erwünscht oder erreicht wird.

Im Zusammenhang mit der Beschreibung der Zeichnungen wurde erwähnt, daß das energieempfindliche Speichermaterial vorzugsweise auf einem Schichtträger angeordnet ist. Im allgemeinen ist es zweckmäßig zur Erzeugung von Abbildungen ge-

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maß der Erfindung, das Speichermaterial in die Form einer dünnen Schicht zu bringen, die eben sein kann, z.B. in der Form einer Platte vorliegen kann, oder die zylindrisch sein kann oder jede andere erwünschte Form haben kann. Die Schicht oder der Film von Speichermaterial können in einem großen dicken Bereich vorgesehen werden. Für die meisten Anwendungszwecke des erfindungsgemäßen Verfahrens mit einem Schichtträger hat die Schicht aus Speichermaterial vorzugsweise eine Dicke von etwa 100 bis einige Hundert A bis einige z.B. 25/van. . Die besten Ergebnisse werden im allgemeinen mit Schichten aus Speichermaterial erzielt, die etwa 1/10/u.mbis einige Aim dick sind, vorzugsweise bis zu 5/W oäer darüber. Bei einigen der Stoffe können die Schichten dünner oder dicker sein, wie erwähnt wurde, um besondere Effekte und besondere Ergebnisse zu erzielen, insbesondere wenn das Speichermaterial ohne Schichtträger verwendet wird.

Je nach dem gewünschten Verwendungszweck kann die Schicht aus Speichermaterial auf viele verschiedene Schichtträger aufgebracht sein, wie Metall, Kunststoff, Papier, Karton, Keramik oder Glas' oder in Kombination mit zwei oder mehr dieser Stoffe« Im allgemeinen beeinflußt die Art des Schichtträgers nicht erheblich die Arbeitsfähigkeit des Verfahrens, so daß viele verschiedene Produkte für viele verschiedene Gebrauchszwecke erzeugt werden können® In dem Fall der Verwendung von Infrarotstrahlung oder Wärme als Mittel zur Überführung des Spei-

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chermaterials hat die Art des Trägermaterials einigen Einfluß insofern als die höhere Wärmeleitfähigkeit des Schichtträgerinaterials eine größere Einstrahlung von Wärmeenergie erfordert um den gleichen Effekt zu erzielen. Auch eine bestimmte Wärmeempfindlichkeit des Schichtträgers kann den Unterschied des Haftungsvermögens des Speichermaterials auf dem Substrat beeinträchtigen, wie im folgenden näher erläutert wird. Es ist auch möglich, das Haftungsvermögen der fesia^iaft enden Flächen durch eine kurze Wärmebehandlung zu erhöhen, wenn thermoplastische Stoffe als Schichtträger verwendet werden. Diese Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens umfaßt das zeitweilige Klebrigmachen des thermoplastischen Schichtträgers. Wie oben erwähnt hat im allgemeinen die amorphe Form des Speichermaterials das höhere Haftvermögen an den Schichtträger als die kristalline Form des Materials in allen solchen Fällen, bei denen der Schichtträger inert oder passiv ist, wie bei gewöhnlichen Silikatgläsern, Keramik, unreaktiven Metallen u.dgl.. In allen diesen Fällen ist es möglich, mit einem Film aus im wesentlichen amorphen Speichermaterial zu beginnen, und ausgewählte Flächen durch die gewählte Energieanwendung kristallin zu machen. Bei diesen passiven Schichtträgern kann man auch mit einem Film aus im wesentlichen kristallinem Material beginnen und durch die selektive Anwendung von Energie ausgewählte Flächen im wessntlichen

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amorph, zu machen. In all diesen Fällen und "bei den genannten inerten oder passiven Schichtträgern zeigen die amorphen Teile des Speichermaterials das höhere Haftungsvermögen an das Substrat bzw. den Schichtträger.

Im Fall der kristallinen Formen des Speichermaterials zeigt die planare Form der Kristallite gewöhnlich ein höheres Haftungsvermögen an den inerten oder passiven Schichtträgemals die gekerbten Kristallitformen.

Die Lage kann umgekehrt in den Fällen bestimmter thermoplastischer Schichtträger sein, wenn selektiv eine Energieart angewendet wird, die zeitweilig den Kunststoff klebrig macht. In diesem Fall kann die glatte amorphe Form des Speichermaterials eine schwächere Bindekraft an den Schichtträger aufweisen als die kristalline Form des Speichermaterials, die beim Übergang durch Energie gebildet wird. Dies kann durch die größere spezifische Oberfläche des kristallinen Materials und durch die Tatsache erklärt werden, daß bestimmte· Bindekräfte zwischen dem kristallinen Speichermaterial und dem Schichtträger wirksam werden können. In diesem Fall ergibt natürlich das anschließende Abstreifen, wie oben beschrieben, eine Entfernung des amorphen Materials, während das kristalline Material an dem Schichtträger haften bleibt und das Abbild gemäß der Erfindung bildet. Ein typisches Beispiel eines Speichermaterials für diese Ausführungsform der Erfindung ist Selen, das je nach der Art und dem Typ des Schichtträgers in

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der einen oder anderen Weise arbeitet. Die gerade erläuterte Umkehr des Klebevermögens wird allgemein bei den sogenannten aktiven Schichtträgern beobachtet, die im allgemeinen polymere Stoffe mit wenigstens einem bestimmten Grad der Thermoplastizität sind, wie Polyäthylen, Polypropylen, Polyester, Polyamide, Polystyrol, Zelluloseacetat, Zellulosebutyrate, Polyvinylchloride, Polyvinylidenchlorid vom Typ des Sarans, bestimmte Polyoretane und andere warmhärtende Harze mit wenigstens teilweiser Restkapazität für die Varmliärtung. Die beschriebenen Unterschiede im Haftungsvermögen treffen zu ohne Rücksicht, von welcher Form Speichermaterial ausgegangen wird.

Das geschilderte Phänomen wird nicht bei den sogenannten passiven Schichtträgern beobachtet, wie Glas, Keramik, nicht reaktive Metalle, Papier und Karton. Zellophan kann in die eine oder andere Klasse von Stoffen fallen, je nach dem Grad der thermoplastischen Eigenschaften, die bei dem Material vorliegen.

Bei einigen Speichermaterialien, die unter den Erfindungsbereich fallen, kann keine Gesamtänderung der Morphologie des Speichermaterials im Film beobachtet werden. Trotzdem bringt das selektive Aussetzen ausgewählter Bereiche des Films, der aus diesen Stoffen besteht, eine Änderung des Haftungsvermögens hervor, insbesondere bei solchen Schichtträgern, die aus thermoplastischen

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Stoffen hergestellt sind. Ein Unterschied des Haftungsvermögens an den Schichtträger ausreichender Größe wird hervorgebracht, wenn diese Stoffe selektiv der Energie ausgesetzt werden, wie Strahlungswärme. Ein Beispiel dieser Stoffe ist Tellur, das unter diesen Bedingungen kristallin ist und "bleibt und keine Änderung beim Selbsthaftungsvermögen unter dem Einfluß der Energie wie oben erwähnt unterliegt« Der Mechanismus dieser Reaktion ist nicht genau bekannt und es ist möglich, daß Änderungen in der Feinstruktur der Stoffe stattfinden, daß eine Umlagerung der Kristallstruktur an der Grenzfläche von Speichermaterial und Schichtträger stattfindet oder daß eine Umlagerung der Bindekräfte diesen Unterschied des Klebevermögens zwischen den Filmen aus Speichermaterial und Schichtträger verursacht. Es ist auch möglich, daß subtile' physikalische Strukturänderungen stattfinden« Ie all diesen Fällen wird ein erheblicher Unterschied in der Bindefestigkeit oder im Haftungsvermögen verursacht durch das selektive Aussetzen ausgewählter Flächen dieser Speichermaterialien gegenüber Energie. Das erfindungsgemäße Verfahren kann mit dieser Art von Stoffen durchgeführt werden, die keine Gesamtänderung der Morphologie zeigen, wobei die gleiche Art von qualitativ hochwertigen Abbildungsstrukturen erzeugt wird. Daher fallen alle diese Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens in den Erfindungsbereich, sofern ein aktiver Schichtträger verwendet wird.

Bei der Anwendung der aktiven Schichtträger, die

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beispielsweise genannt wurden, können auch die Speichermaterialien als solche Stoffe definiert werden, die auf einen Schichtträger derart aufgebracht werden können, daß ein merklicher Spannungszustand im Film des Speichermaterials besteht. In diesem Fall reduziert die selektive Anwendung von Energie auf ausgewählte Flächen in selektiver Weise die Spannung unter Bildung einer unterschiedlichen Adhäsion an den Schichtträger in den Bereichen, die der Energie ausgesetzt waren, gegenüber den Flächen, die nicht der Energie ausgesetzt waren. Gemäß dem Vorstehenden kann das Speichermaterial auch auf diesen aktiven Schichtträger aufgebracht oder darauf anwesend sein in einem im wesentlichen angelassenen Zustand, wodurch das selektive Aussetzen der Energieeinwirkung eine Belastung in den ausgewählten Flächen hervorruft und somit auch ein unterschiedliches Haftungsvermögen. Wesentlich ist lediglich, daß in all diesen Fällen der Schichtträger aktiv ist und in der Lage ist, dem Belastungsunterschied in unterschiedlichen Flächen des Materials in einen wesentlichen Unterschied des Haftungsvermögens des Speichermaterials an den Schichtträger einer Grösse zu überführen, die ausreicht, die Bildiing von Reliefbildern gemäß der Erfindung zu erlauben. Beispiele dieser Art von Speichermaterialien sind z.B· bestimmte Blei-Zinn-Legierungen auf einem Schichtträger aus Mylar bzw. Polyterephtalat.

Wie sich hieraus ergibt, bietet das neue Verfahren gemäß der Erfindung unter Verwendung der genannten

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Speichermaterialien für Abbildungszwecke viele Vorteile und Vorzüge, die nicht nach Verfahren des Standes derJTechnik erzielt werden können. Das neue Verfahren gemäß der Erfindung erfordert keinen Silberhalogenidfilm und benötigt dementsprechend keine zeitlich aufwendigen und unpraktischen Naßbehandlungsstufen in Verbindung mit der Verwendung eines Silberhalogenidfilms. Das erfindungsgemäße Verfahren ist ein Trockenverfahren, das keine Naßbehandlungsstufen erfordert und sofort die gewünschte Abbildung hervorbringt. Das neue Verfahren ist schnell und einfach und erfordert keine aufwendigen komplizierten Verarbeitungsvorrichtungen. Es werden keine starken elektrischen Felder benötigt, und die nach dem neuen Verfahren erhaltene Abbildung ist von höchster" Qualität und Dauerhaftigkeit und ergibt eine ungewöhnlich hohe Auflösung und Schärfe.

Die Reliefbilder, die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hervorgebracht werden, haben breite technische Anwendbarkeit. Die Strukturen gemäß der Erfindung können Anwendung finden als Glasbilder (Diapositive) und Druckplatten für Kopierzwecke, insbesondere für Mikroreproduktionen, wenn Glas oder ein lichtdurchlässiger Kunststoff als Schichtträger verwendet wird und ein Speichermaterial mit ausreichend großer Lichtundurchlässigkeit ausgewählt wird. Wenn ein durchsichtiger oder durchscheinender Klebbogen 34 bei der Struktur gemäß Fig. 4 verwendet wird, kann der KLebbogen 34

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dem an den Stellen 28 anhaftendem Speichermaterial als Übertragungsfolie verwendet werden, indem einfach daran eine geeignete Grundlage angeklebt wird, um Namensschilder, Nummernschilder usw. herzustellen.

Durch Verwendung in dem Verfahren, das im Zusammenhang mit den Fig. 1 und 2 oder 3 und 4- beschrieben worden ist, können an Ort und Stelle ein Speichermaterial, das geeignete elektrische Eigenschaften hat und vorzugsweise ein halbleitendes Speichermaterial ist, z.B. ein solches, das als wirksame Komponente wenigstens ein Element aus der Gruppe der Chalkogene aufweist, und durch Verwendung eines Substrats, das ein Isolator, Halbleiter oder Leiter ist, Anordnungen von elektrischen Einrichtungen, wie Kondensatoren, Widerstände, Schalter und transistorartige Einrichtungen hergestellt werden. Geeignete halbleitende Speichermaterialien mit geeigneten elektrischen Eigenschaften sind in den genannten USA-Patentschriften 3 271 591 und 3 beschrieben. Diese Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Erzeugung der elektrischen Einrichtungen an Ort und Stelle ist von erheblicher Bedeutung, wenn die einzelnen Einrichtungen bestimmte elektrische Werte haben sollen, wie eine vorbestimmte Kapazität oder einen vorbestimmten Widerstand und wo erwünscht ist, große Zahlen geeigneter elektrischer Einrichtungen sehr kleiner Größe auf sehr beschränktem Raum unterzubringen, wie bei Mikroschaltungen. Die Anordnungen von elektrischen Einrichtungen, die in dieser Weise hergestellt sind, können gegebenenfalls nach Zufügung

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geeigneter Leitungen und Leiter zu vielen Zwecken Anwendung finden, wie bei Rechnern u.dgl..

Eine weitere wichtige Anwendungsart für die erfindungsgemäß erzeugten Bilder oder Abdrücke liegt auf dem Gebiet des lithographischen Offsetdrucks. Durch die geeignete Wahl von z.B. einem hydrophilen Substrat und einem oleophilen Speichermaterial können Offset-Druckplatten unmittelbar nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt werden. Wenn die Technik des Abziehens mit einem Klebstreifen angewendet wird, können sowohl das positive wie das negative erhaltene Abbild unmittelbar als positive oder negative Offset-Platten verwendet werden. Es ist auch möglich, ein oleophiles Substrat und ein oleophiles Speichermaterial zur Herstellung von Offset-Druckplatten nach dem erfindungsgemäßen Verfahren herzustellen. Durch eine kurze Behandlung in geeigneten Salzlösungen, z.B. in einer wäßrigen Lösung von Silbernitrat, Zinn-II-chiorid oder von verschiedenen löslichen Nickelsalzen können die Teile des vom Speichermaterial gebildeten Reliefbildes vor den Drucken hydrophil gemacht werden.

Die erhöhten Reliefteile des Speichermaterials mit größerem Haftungsvermögen, die an dem Schichtträger verbleiben, können auch als Widerstand zur Herstellung von tiefgeätzten lithographischen Platten dienen oder zur Herstellung von Gegenständen aus geätztem Glas, geätztem Metall u.dgl. dienen. Der Widerstand aus Speichermaterial kann an Ort und

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Stelle verbleiben oder kann nach vollständigem
Ätzen entfernt werden.

Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erzielten Abbildungsstrukturen können auch mit Vorteil in
einem neuartigen druckfarbenlosen Druckverfahren
verwendet werden. Unter Bezugnahme auf Fig.7 der
Zeichnungen wird ein Gewebe oder Band aus einem
beschichteten Material 65 durch den Spalt von angetriebenen Walzen 68 und 70 geführt. Das Band aus dem beschichteten Material besteht aus einem
Schichtträger 66, wie Papier, auf welchem eine
Schicht 67 aus einem schwarzen oder in anderer
Weise gefärbten zerbrechlichen PiIm aus einem Material, das leicht verdampft werden kann, angeheftet ist. Beispiele von geeigneten Stoffen für die
Schicht 67 sind brechbares gefärbtes wachsartiges Material u.dgl..

Die Walze 70 trägt ein Abbild, das erfiadungsgemäß hergestellt wurde und aus dem Abbild entsprechenden Mengen eines Speichermaterials in ausgewählten Flächen 69, das die erhöhten Teile der Abbildung bildet, und einer Schicht aus anhaftendem Material in ausgewählten Bereichen 76, das die niedrigen Teile der Bildung bildet, besteht. Wenn das Band 65
durch den Spalt der Walzen 68 und 70 geführt wird, nehmen die klebfähigen Teile 76 der Walze 70 abbildungsmäßig Teile 75 des flüchtigen schwarzen oder gefärbten Films 67 vom Schichtträger 66 auf
und hinterlassen auf dem Band die gewünschte Abbildung 78, die gedruckt werden soll und identisch

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mit der Abbildung aus dem Speichermaterial 69 auf der Walze 70 ist. Das Band 65 wird dann weiter bei 7^ behandelt, z.B. durch Aufbringen von Chemikalien mit einer Fixierwirkung oder Härtungswirkung, um darauf eine permanente Abbildung zu erzeugen. Die Teile 75 der Schicht 67, die von den klebfähigen Teilen 76 in der Walze 70 aufgenommen sind, werden hiernach durch die Drehung der Walze 70 unter einen Erhitzer 72 geführt, der durch Aussenden z.B. von Strahlungswärme- 73 das flüchtige Material, das von den klebfähigen Teilen der Walze 70 aufgenommen worden ist, verdampft. Die Walze 70 ist anschließend bereit, einen neuen Abdruck auf dem Band 65 bei dessen Durchgang durch den Walzenspalt herzustellen.

Anstelle der Verwendung eines Strahlungserhitzers kann eine erwärmte Walze verwendet werden, die durch Berührung mit der Walze 70 das flüchtige Druckmaterial verdampft, das durch den Klebstoff vom 65 aufgenommen wurde.

Das geschilderte Druckverfahren erfordert keine Druckfarbe od.dgl.. Das Band 65 ^kann technisch in großen Mengen hergestellt werden, wobei die Dicke des zerbrechlichen Films 67 in engen Toleranzen gehalten wird, so daß eine absolute Steuerung der Druckdichte geschaffen wird. ^a

Das neue erfindungsgemäße Verfahren kann noch in zahlreichen weiteren praktischen Anwendungsgebieten

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verwendet werden, die man sich zur Herstellung vieler verschiedener brauchbarer Gegenstände vorstellen kann.

Die Erfindung wird durch die folgenden Beispiele näher erläutert, wobei Teile auf das Gewicht bezogen sind, falls nichts anderes erwähnt int.

Beispiel 1

Es wurde ein 5 /um dicker Film aus einem Speichermaterial, bestehend aus einer Zubereitung aus 85 Atomteilen Tellur und 15 Atomteilen Germanium, durch Aufsprühen auf eine 6,3 mm dicke Glasplatte aufgebracht.

Es wurden ausgewählte diskrete Flächen des Films aus dem Speichermaterial der Energie eines Argon-Lasers von 100 mW (Typ Tru Model 83A) unterworfen. Der Laser wurde auf die Bildebene fokusiert und es wurden verschiedene Flecken mit einer Intensität von 10 W/qcm b
Sekunden bestrahlt.

tat von 10 W/qcm bei einer Pulsbreite von 10 Mikro-

Auf den Film aus Speichermaterial wurde ein druckempfindlicher Klebstreifen vom Typ "Scotch Tape" leicht angedrückt. Danach wurde das Band abgezogen. Es wurde auf der Glasplatte ein positives Bild erhalten, das als transparente Vorlage zur Herstellung von Kopien verwendet wurde.

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Die bestrahlten Teile des Films aus Speichermaterial, die am Klebestreifen anhafteten ergaben, wenn sie auf ein Stück leicht gefärbtes Metall angeheftet wurden, ein negatives Abbild, das das Muster des ursprünglichen Bildes zeigte.

Beispiel 2

Es wurde ein 0,5 ytfndicker Film aus einem Speichermaterial, das aus einer Zubereitung aus 20 Atomteilen Tellur, 30 Atomteilen Arsen und 50 Atomteilen Schwefel bestand, durch thermische Verdampfung im Vakuum auf einem 25,4 Jimöicken Film aus Mylar abgeschieden.

Der Film aus dem Speichermaterial wurde dem Blitzlicht aus einer klaren Blitzlicht-Kolbenlampe General Electric No. 5 bei einer Entfernung von 7,6 cm von der Bildebene bestrahlt. Das Bestrahlen geschah durch eine Maske aus Silberhalogenid, die die Buchstaben EGD in schwarz auf einem klaren Untergrund zeigte.

Es wurde auf den Film aus belichtetem Speichermaterial ein druckempfindlicher Klebstreifen vom Typ "Scoiih Tape" leicht aufgedrückt· Danach wurde der Streifen abgezogen. Auf dem Klebstreifen wurde ein positives Bild erhalten, das die Buchstaben ECD in schwarz auf einem transparenten Hintergrund des Streifens zeigte. Durch Anheften des Klebstreifens auf eine Aluminiumplatte wurde ein Namensschild mit den schwarzen Buchstaben ECD erhalten.

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Die "belichteten Flächen des Speichermaterials, die dem transparenten Untergrund der Bildmaske entsprachen, verblieben auf dem MyIar-FiIm und ergaben ein Diapositiv für Projektionszwecke, das die durchsichtigen Buchstaben ECD mit großer Schärfe auf einem schwarzen Untergrund zeigte.

Beispiel 3

Es wurde ein Film aus £J»ichermaterial auf einem Mylar-Schichtträger gemäß Beispiel 2 hergestellt.

Der belichtete Mylar-Film wurde mit der Filmseite aus Speichermaterial nach oben über die scharfe Kante eines Tisches unter wiederholtem Biegen des Mylar-Films gezogen. Das Speichermaterial im unbelichteten Bereich, das die Buchstaben ECD darstellte, fiel heraus und hinterließ eine negative Darstellung der ursprünglichen Bildmaske auf dem Mylar-Film, die als Diapositiv für Projektionszwecke in einem Lesegerät verwendet wurde.

Beispiel 4-

Es wurde ein 1 undicker Film aus einem Speichermaterial, bestehend aus 85 Atomteilen Selen und 15 Atomteilen Tellur, auf einem 125yiimdicken Film aus Zelluloseacetat nach einem Sprühverfahren abgeschieden.

Der Film aus dem Speichermaterial wurde der Strahlung aus einem Elektronenblitzgerät Typ Honeywell 700

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durch eine transparente negative photographische Halbtonvorlage als Linienschirm ausgesetzt. Die Blitzlichtvorrichtung wurde 5*1 cm von der Bildebene entfernt angebracht und der Blitz hatte eine Dauer von einer halben Millisekunde.

Das belichtete Bild wurde anschließend kurz in ein Wasserbad mit Ultraschallvorrichtung eingetaucht. Die nicht belichteten Flächen wurden durch die Ultraschallschwingungen entfernt und .es hinterblieb ein positives durchsichtiges Duplikat des ursprünglichen Bildes. Bei der Betrachtung als Diapositiv in einem Projektionsgerät wurde ein scharfes vergrößertes Projektionsbild beobachtet.

Beispiel 5

Es wurde ein etwa 1 λζφ-icker Film aus einem Speichermaterial, das aus einer Zubereitung von 99 · Atomteilen Selen und 1 Atomteil Silber bestand, auf einem 51 P&dicken Film aus Mylar aufgebracht.

Der Film aus dem Speichermaterial wurde der Strahlung einer 650 W Sylvania-Quarzlampe (Sun Gun SG VIII) mit einer transparenten Bildvorlage zwischen der Lampe und dem Film aus Speichermaterial unterworfen. Die Lampe wurde 15 j 2 cm von der Bildebene entfernt angebracht. Die Belichtung dauerte 1 Sekunde.

Es wurde auf den Film aus belichtetem Speicher-

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material ein druckempfindlicher Klebstreifen vom Typ "Scotch Tape" leicht aufgedrückt. Anschließend wurde der Streifen abgezogen. Die belichteten Bereiche des Films aus Speichermaterial blieben an dem Mylar-Film anhaften. Die nicht belichteten Bereiche des Films aus Speichermaterial hafteten an dem Klebestreifen an und wurden zusammen mit dem Streifen entfernt. Sowohl das Bild auf dem Mylar-Film als auch das Bild auf dem Klebstreifen waren scharf und hatten eine hervorragende Randschärfe und Auflösung.

Beispiel 6

Ein Film aus Speichermaterial wurde auf eine Glasplatte gemäß Beispiel 1 aufgebracht.

Der Film aus Speichermaterial wurde durch eine Maske bestrahlt, die eine Darstellung eines gedruckten Textes enthielt. Die Energiequelle war eine Xenon-Blitzlichteinheit vom Typ Honeywell 700? die 5i1 ^cm von der Ebene des Films aus Speichermaterial entfernt angebracht war. Der Blitz dauerte eine Millisekunde.

Der belichtete Film aus Speichermaterial wurde mit einem Gemisch aus 20 Vol.-% Isopropanol und 80 Vol.-% Wasser befeuchtet und danach mit einer üblichen Offset-Druckfarbe eingefärbt. Es wurden hervorragende scharfe Drucke auf Papier erhalten, das gegen die eingefärbte Platte gepreßt wurde.

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Beispiel 7

Es wurde ein 5/x&dicker EiIm aus einem Speichermaterial, bestehend aus einer Zubereitung aus 85 Atomteilen Tellur und 15 Atomteilen Germanium, durch Aufsprühen auf einem 25,4yum dicken Film aus Zelluloseacetat aufgebracht.

Der Film aus Speichermaterial wurde der Strahlung eines Elektronenblitzes vom Typ Honeywell 700 in der im Beispiel 6 beschriebenen Weise ausgesetzt. Die Belichtung geschah durch eine positive Bildmaske, die die Buchstaben ECD trug.

Die abgebildeten Flächen, die die Buchstaben EGD darstellten, wurden anschließend unter Verwendung eines Klebstreifens in der im Beispiel 1 beschriebenen Weise abgestreift. Dadurch wurde der Untergrund aus Zelluloseacetat in den abgebildeten Flächen freigelegt.

Der Zelluloseacetat-Film, der in dieser Veise mit einem Bild versehen worden war, wurde anschließend eine kurze Zeitspanne in Aceton eingetaucht, lang genug, damit das Lösungsmittel das Zelluloseacetat von der freien Bildfläche lösen konnte und der Rest des Zelluloseacet-Films, der vom Speichermaterial bedeckt war, unverletzt blieb. Nach dem Trocknen wurde eine Struktur erhalten, in welcher die Buchstaben ECD scharfe öffnungen bildeten«, Die Struktur wurde als Schablone zur Herstellung von

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Wiedergaben des Bildes durch Spritzen und Pinseln mit einer geeigneten Farbe verwendet.

Beispiel 8

Es wurde ein 1 im dicker Film aus einem Speichermaterial aus 30 Atomteilen Arsen, 20 Atomteilen Tellur und 50 Atomteilen Schwefel durch thermische Valojumverdampfung auf einem 127/um dicken Film aus Zelluloseacetat aufgebracht.

Der Film aus dem Speichermaterial wurde der Strahlung einer blauen Kolbenblitzlichtlampe General Electric No.5, die in einem Abstand von 7>1 c^m von dem Film aus Speichermaterial angebracht war, bestrahlt. Eine Maske mit einer mit Schreibmaschine aufgebrachten Darstellung wurde zwischen die Blitzlichtlampe und dem Speichermaterial angebracht.

Es wurde anschließend eine dünne Beschichtung aus einem Sprühklebstoff (Marke 3 M) auf den belichteten Film aus Speichermaterial aufgesprüht. Die Platte wurde anschließend mit einer Gummiwalze bearbeitet, wodurch die nicht belichteten Flächen des mit der Abbildung versehenen Films aus Speichermaterial entfernt wurden.

Das erhaltene Abbild wurde als lithographische Off set-Druckplatte in einer üblichen Offsetdruckmaschine verwendet», Die Platte wurde mit einer üblichen Netzlösur-e; befeuchtet und mit Druckfarbe versehen, wodurch die Druckfarbe von den Flächen

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aus dem Speichermaterial aufgenommen wurde. Es wurden hervorragende Drucke auf üblichem Druckpapier erzielt.

Beispiel 9

Es wurde ein positives Bild aus Speichermaterial auf einem Klebstreifen nach dem Verfahren gemäß Beispiel 2 hergestellt.

Der Klebstreifen wurde mit der Klebseite nach unten auf einen Bogen rußgeschwärztes Papier gedruckt. Anschließend wurde der Klebstreifen vom Papierbogen abgezogen und ergab ein schwarz-weißes Bild auf dem Papier. Der Kohlenstoff haftete an den belichteten haftfähigen Stellen des Klebstreifens und hinterließ auf dem Papier ein schwarzes Bild in den Flächen, die dem Speichermaterial auf dem Klebstreifen entsprachen.

Zahlreiche andere Abänderungen können hinsichtlich verschiedener Formen der Erfindung durchgeführt werden, ohne vom Erfindungsgedanken abzuweichen. ■

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Ausgewählte Gebiete aus einem Speichermaterial, das zu einer wesentlichen Änderung seines HaftungsvermögöJs an einen Schichtträger fähig ist, wenn es einer

also

Energieeinwirkung unterworfen wird, wird /in Form eines Films auf einem Schichtträger aufgebracht, auf dem es durch Adhäsionskräfte festgehalten wird. Ausgewählte Bereiche des Films werden selektiv den abbildenden Wirkungen von Energie ausgesetzt, um eine Änderung des Haftungsvermögens des Films an den Stellen, die der Energieeinwirkung unterworfen waren, hervorbringgen. Das Speichermaterial in den Gebieten, die das geringSBHaftungsvermögen an den Schichtträgern haben, wird anschließend entfernt, um eine Abbildung zu erzeugen, die aus dem Rest des Films aus Speichermaterial auf dem Schichtträger besteht. Abbildungen können auch als Ergebnis der Erniedrigung des Selbsthaftungsvermögens an der Grenzfläche zwischen kristallinem und amorphem Speichermaterial hergestellt werden.

- Patentansprüche -

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Claims (1)

1. Pat ent anspräche

   1. Verfahren zum Herstellen einer Abbildung oder Kopie, dadurch gekennzeichnet, daß man (a) eine Schicht aus einem Speichermaterial auf einen Schichtträger aufbringt, das an dem Schichtträger haftet und fähig ist, eine physikalische Strukturänderung zwischen wenigstens zwei stabilen Zuständen innerhalb ausgewählter Teile zu durchlaufen, wobei sich die Speichermaterialschicht gewöhnlich in einem dieser stabilen Zustände befindet und das Speichermaterial bei Anwendung von Energie oberhalb einer bestimmten Energfeschwelle in den anderen stabilen Zustand umschalten kann, (b) selektiv auf die gevriinschten ausgewählten Teile der Speichermaterialschicht Energie einwirken läßt, die größer als die Energieschwelle für die Überführung der gewünschten ausgewählten Teile der Schicht von einem stabilen Zustand in den andern Zustand ist, um in der Schicht ein gewünschtes Muster zu erzeugen und (c) das Speichermaterial in denjenigen Flächen, die sich in dem einen der Zustände befindet und eine geringere Haftfähigkeit hat, vom Schichtträger abtrennt und dieses weniger haftende Material von der Speichermaterialschicht derart entfernt, daß eine dem gewünschten Muster entsprechende Abbildung gebildet wird.

   2. Verfahren zum Herstellen einer Abbildung oder Kopie, dadurch gekennzeichnet, daß man (a) eine Schicht aus einem Speichermaterial auf einen Schichtträger aufbringt, das an dem Schichtträger haftet und fähig ist, sein Haftvermögen an

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   den Schichtträger erheblich zu ändern, wenn es der Einwirkung von Energie unterworfen ist, (b) selektiv ausgewählte Flächen der Schicht aus Speichermaterial der abbildenden Einwirkung von Energie aussetzt und damit einen erheblichen Unterschied/äes Haftvermögens des Speichermaterials an den Schichtträger an solchen Stellen hervor-. ruft, die der Energieeinwirkung unterworfen worden sind gegenüber denjenigen Flächen, die nicht der· Energieeinwirkung unterworfen worden waren, und (c) das Speichermaterial in diesen Flächen, an denen es ein geringeres Haftvermögen aufweist, vom Schichtträger zu lösen und das Speichermaterial mit der geringeren Haftfähigkeit von der Schicht von Speichermaterial unter Bildung einer Abbildung entfernt, in welcher die erhöhten Teile durch das Speichermaterial mit dem größeren Haftungsvermögen an den Schichtträger und die niedrigen Teile vom Schichtträger gebildet werden.

   3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtträger ein aktiver Schichtträger ist.

   4·. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtträger ein passiver Schichtträger ist.

   5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtträger ein Material ist, das wenigstens etwas thermoplastische Eigenschaften hat.

   6» Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial in dem Teil, in welchem es ein geringeres Haftvermögen besitzt, abgetrennt und auf mechanische Weise entfernt wird.

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   7· Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial in den Teilen, in denen es ein geringeres Haftvermögen besitzt, abgetrennt und durch einen Luftstrom entfernt wird.

   8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial an den Teilen, an denen es ein geringeres Haftvermögen hat ι abgetrennt und

   Dzw. Adhaaivmit Hilfe eines klebenden/Materials entfernt wird.

   9- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial eine glasige Zusammensetzung aus Chalkogenen darstellt, die als wirksamen Bestandteil wenigstens ein Element aus der Reihe der Chalkogene mit Ausnahme von Schwefel und Sauerstoff enthält.

   10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial eine glasige Zubereitung aus Ghalkogenen ist, die als wirksamen Bestandteil wenigstens ein Element der Chalkogene ausgenommen Sauerstoff enthält.

   11. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichent, daß das Speichermaterial ein glasartiges Material ist, das in der Lage ist, an ausgewählten Teilen eine physikalische Strukturänderung zwischen einem stabilen Zustand und wenigstens einem anderen stabilen Zustand zu unterliegen, wobei diese Schicht gewöhnlich in einem dieser Zustände vorliegt und in der Lage ist, in den anderen Zustand durch Anwendung von Energie überführt zu werden, wodurch ein erheblicher Unterschied im Haftungsvermögen dos Speichermaterials an den Schichtträger hervor-

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   gerufen wird.

   12. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial fähig ist, einer
   wesentlichen morphologischen Änderung von einem stabilen morphologischen Zustand in wenigstens
   einen anderen stabilen morphologischen Zustand
   durch Anwendung von Energie auf das Speichermaterial überzugehen, wodurch das Material in
   dem einen der morphologischen Zustände ein höheres Haftungsvermögen an den Schichtträger als
   das Material in dem anderen morphologischen Zustand besitzt.

   13· Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial amorph ist und in der Lage ist, bei Anwendung von Energie in einen kristallinen Zustand überzugehen.

   14. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial amorph ist und in der Lage ist, bei Anwendung von Energie in einen kristallinen Zustand überzugehen und wobei das
   Speichermaterial in dem amorphen Zustand ein wesentlich höheres Haftungsvermögen an den Schichtträger hat als das im kristallinen Zustand vorliegende Material.

   15· Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial in kristalliner Form vorliegt und in der Lage ist, durch Energie in
   einen amorphen Zustand überzugehen und wobei das amorphe Speichermaterial ein wesentlich höheres Haftungsvermögen an den Schichtträger als die

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   kristalline Form des Speichermaterials hat.

   16. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial stark an dem Schichtträger anhaftet und die Einwirkung von Energie auf ausgewählte Bereiche des Speichermaterials einen erheblichen Unterschied im Haftungsvermögen des Speichermaterials an den Schichtträger hervorbringt, ohne daß dies durch eine merkliche morphologische Änderung in dem Speichermaterial begleitet ist.

   17· Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtträger ein thermoplastisches Material ist und das Speichermaterial im wesentlichen amorph ist und in der Lage ist, durch Energieeinwirkung in einen unterschiedlichen morphologischen Zustand höherer kristalliner Ordnung überführt zu werden, wobei das Material der höheren kristallinen Ordnung fester an dem Schichtträger haftet als das Material im amorphen Zustand.

   18. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtträger unter der Einwirkung der Energie mit dem Speichermaterial chemisch im wesentlichen nicht reaktionsfähig ist.

   19· Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die physikalische Simkturänderung im wesentlichen eine physikalische Reaktion ist, durch die keine wesentliche chemische Reaktion stattfindet.

   20. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,

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   daß das Speichermaterial fähig ist, reversibel zwischen den "beiden verschiedenen Strukturzuständen durch Anwendung unterschiedlicher Energieniveaus umgeschaltet zu werden.

   21. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial im wesentlichen die gleiche chemische Zusammensetzung in den unterschiedlichen Strukturzuständen besitzt.

   22. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial ein anorganisches Material ist.

   23. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial ein anorganisches Material ist, das in der Lage ist, bei der Anwendung von Energie oberhalb eines Energieschwellwerts einer physikalischen Strukturänderung zu unterliegen.

   24. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial ein glasartiges kein Silikat enthaltendes Material ist.

   25. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial unter den Einwirkungen der Energie im wesentlichen nicht mit dem Schichtträger reaktionsfähig ist.

   26. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man nächst der Schicht aus Speichermaterial eine dünne Schicht aus einem katalytischen Material vorsieht, das in der Lage ist, durch Diffusion in die

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   Schicht aus Speichermaterial die physikalische Änderung von einem Struktur zustand in den anderen Strukturzustand zu fördern.

   27· Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Film aus Speichermaterial auf einer Zwischenschicht aus einem Material angebracht ist, das im wesentlichen mit dem Speichermaterial nicht reaktionsfähig ist.

   28. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Haftungsvermögen des Speichermaterials am Schichtträger durch Anwendung von Energie erhöht wird.

   29. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Haftungsvermögens des Speichermaterials am Schichtträger durch Anwendung von Energie gesenkt wird.

   30. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet., daß der Unterschied im Haftungsvermögen durch Überführung des Speichermaterials von einem kristallinen Zustand in einen anderen kristallinen Zustand verursacht wird.

   31. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial an den Stellen, an denen es ein geringeres Haftungsvermögen an den Schichtträger hat, von dem Schichtträger durch Anwendung eines Trägermaterials und eines klebenden Materials an der oberen Oberfläche des Films aus Speichermaterial entfernt wird und wobei das Trägerma-

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   terial und das klebende Material anschließend entfernt werden, um ein Abbild des Speichermaterials auf dem ursprünglichen Schichtträger und ein Gegenbild des Speichermaterials auf dem Trägermaterial zu bilden.

   32. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtträger ein hydrophiles Material ist und das Speichermaterial ein oleophiles Material ist, mit dessen Hilfe eine lithographische Offset-Druckplatte gebildet wird.

   3ü>. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtträger ein oleophiles Material ist und das Speichermaterial ein oleophiles Material ist und wobei das Speichermaterial mit einer Verbindung behandelt wird, die das Speichermaterial hydrophil macht um eine lithographische Offset-Druckplatte zu erzeugen.

   34. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtträger ein Material ist, das durch eine Itzflüssigkeit geätzt werden kann und der Schichtträger auf.einer Unterlage aus einem Material aufgebracht ist, die nicht durch die Itzflüssigkeit geätzt wird und das Muster aus dem Speichermaterial, das an dem Schichtträger haftet, als Widerstand bei einer zusätzlichen Ätzstufe des Schichtträgers verwendet wird, zur Erzeugung einer tief geätzten Abbildung.

   35· Verfahren nach Anspruch 34, dadurch gekennzeichnet, daß weiterhin das Speichermaterial in den erhöhten Flächen der Abbildung entfernt wird.

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   36. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtträger ein Material ist, das in einem Lösungsmittel löslich ist, daß ein Lösungsmittel für den Schichtträger angewendet wird, nach dem das Speichermaterial an den Stellen des geringeren Haftungsvermögens entfernt ist, wodurch die anhaftenden Teile des Speichermaterials als Widerstand dienen, so daß Öffnungen in dem Schichtträger durch das Lösungsmittel gebildet werden.

   37· Verfahren nach Anspruch 35» dadurch gekennzeichnet, daß in einem weiteren Schritt das Speichermaterial in den erhöhten Flächen durch Behandlung mit einem Lösungsmittel für das Speichermaterial entfernt wird.

   38. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial im allgemeinen amorph ist und dadurch, daß es der Energie unterworfen wird, in einen kristallinen Zustand überführt ist, wobei die kristallinen Teilchen eine Größe von nicht mehr als 1000 & besitzen.

   39· Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Übergang des Speichermaterials von einem physikalischen Strukturzustand in den anderen physikalischen Strukturzustand unter den Einwirkungen der Energie in weniger als einer Minute vollständig abgelaufen ist.

   40. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Übergang des Speichermaterials von einem physikalischen Strukturzustand in den anderen physikalischen Strukturzustand unter den Einwirkungen der Energie in weniger als einer Sekunde vollständig

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   abgelaufen ist.

   41. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Übergang des Speichermaterials von einem physikalischen Strukturzustand in den anderen physikalischen Strukturzustand in zwei Schritten bewirkt wird, wobei der erste Schritt das Erzeugen einer Abbildung als latentes Bild ist und der zwei-'te Schritt tatsächliche physikalische Änderung von dem einen physikalischen Strukturzustand in den anderen physikalischen Strukturzustand mit sich bringt.

   42. Verfahren nach Anspruch41, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Schritt zur Bildung des latenten Bildes in der Schicht aus Speichermaterial durch Energie bewirkt wird, die eine elektromagnetische aktinisehe Strahlung umfaßt und der zweite Schnitt zur tatsächlichen Überführung durch Energie, die Wärmeenergie darstellt, bewirkt wird.

   43. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Energie eine elektromagnetische Strahlung ist.

   44. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Energie Wärmeenergie darstellt, wodurch das Speichermaterial eine Übergangstemperatur erhält, und das Speichermaterial auf eine Temperatur überhalb der Übergangstemperatur erhitzt wird.

   45. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Energie Lichtenergie enthält.

   46. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,

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   daß die Energie eine Kombination von Lichtenergie und Infrarotstrahlungen ist.

   47. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Teil der Energie mechanische Energie ist.

   48. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtträger ein thermoplastisches Substrat mit einer Übergangstemperatur ist und wobei das thermoplastische Substrat an der Grenzfläche mit dem Speichermaterial während der Anwendung von Energie auf eine Temperatur oberhalb seiner übergangstemperatur erhitzt wird.

   4-9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Film aus Speichermaterial eine Dicke von etwa 100 A bis etwa 0,125 mm besitzt.

   50. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Film aus Speichermaterial eine Dicke von etwa Ι/Ιο nmbis etwa J?/*¹¹¹ besitzt.

   51· Verfahren zum Herstellen einer Abbildung oder Kopie, dadurch gekennzeichnet, daß man (a) ein Speichermaterial, das in der Lage ist, eine morphologische Änderung von einem morphologischen Zustand in einen anderen morphologischen Zustand durch Einwirkung von Energie oberhalb einer bestimmten Energieschwelle überzugehen und in welchem Flächen dieser Schicht, die diese morphologische Änderung vollzogen haben, ein unterschiedliches Selbsthaftungsvermögen als andere ungeänderte Flächen dieser Schicht zeigen, vorsieht, (b) ausgewählte Flächen dieser Schicht

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   aus Speichermaterial den eine Abbildung erzeugenden Einwirkungen von Energie selektiv bei einem Niveau oberhalb der Schwellenergie derart unterwirft, daß ein Teil der Dicke dieser Schicht die morphologische Änderung vollzieht und eine erhebliche Senkung des Selbsthaftungsvermögens an der Grenzfläche zwischen Teilen dieser Schicht, die diese Änderung vollzogen haben und Teilen dieser Schicht, die diese Änderungen nicht vollzogen haben, hervorbringt und (c) das Speichermaterial an dieser Grenzfläche abtrennt und das Speichermaterial derart entfernt, daß ein Bild durch die Abweichungen in der Oberfläche dieser Schicht gebildet wird.

   52. Verfahren nach Anspruch 51? dadurch gekennzeichnet, daß die morphologische Änderung, die in dem Speichermaterial vollzogen wird, ein Übergang von einem allgemein amorphen Zustand in einen geordneteren kristallinartigen Zustand darstellt.

   53· Verfahren nach Anspruch 51 ■> dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial ein anorganisches Material ist.

   54·. Verfahren nach Anspruch 51 ■> dadurch gekennzeichnet, daß die Energie auf einem Niveau über der Schwellenergie angewendet ist, aber während einer Zeitdauer und mit einer Intensität derart, daß sie nur ein Teil der Dicke dieser Schicht

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   durchdringt und den restlichen Teil der Dicke der Schicht unverändert läßt.

   55· Verfahren nach Anspruch 51> dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial in der Lage ist, reversibel zwischen diesen Zuständen durch Aufbringen unterschiedlicher Energieniveaus umgeschaltet zu werden.

   56. Verfahren nach Anspruch 51> dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial ein glasartiges Material ist.

   57· Verfahren nach Anspruch 51? dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus Speichermaterial auf einem Schichtträger angeordnet ist.

   58. Verfahren nach Anspruch 51> dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial kristallin ist und daß das Selbsthaftungsvermögen an der Zwischenphase durch aufbringende E^nergie erheblich gesenkt wird, ohne daß eine merkliche offenkundige Änderung der kristallinen Natur des Speichermaterials beobachtbar ist.

   59· Verfahren nach Anspruch 52, dadurch gekennzeichnet, daß das kristalline Speichermaterial, das durch die selektive Anwendung von Energie gebildet ist, abgetrennt und von dem amorphen Speichermaterial durch Aufbringen eines Trägermaterials und eines Klebematerials auf die obere Oberfläche dieser Schicht aus Speichermaterial entfernt wird und wobei das Trägermaterial und das ELeb-

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   material anschließend entfernt werden unter Bildung einer Abbildung des Speichermaterials auf dem Schichtträger und eines Gegenbildes aus dem entfernten Speichermaterial, das an dem Trägermaterial anhaftet.

   60. Verfahren nach Anspruch 52, dadurch gekennzeichnet, daß das kristalline Speichermaterial durch mechanische Mittel entfernt wird.

   61. Verfahren nach Anspruch 51> dadurch gekennzeichnet, daß der Übergang des Speichermaterials von dem einen der morphologischen Zustände in den anderen morphologischen Zustand unter der Einwirkung von Energie in weniger als einer Minute vollständig abgeschlossen ist.

   62. Verfahren nach Anspruch 51? dadurch gekennzeichnet, daß der Übergang des Speichermaterials von dem einen der morphologxschen Zustände in den anderen morphologischen Zustand unter der Einwirkung der Energie in weniger als einer Sekunde vollständig abgeschlossen ist.

   63· Verfahren nach Anspruch 51* dadurch gekennzeichnet, daß der Übergang des Speichermaterials von dem einen morphologischen Zustand in den anderen morphologxschen Zustand in zwei Schritten bewirkt wird, wobei der erste Schritt darin besteht, ein latentes Bild zu erzeugen und mit dem zweiten Schritt der tatsächliche Übergang von dem einen der morphologischen Zustände in den anderen morphologxschen Zustand erfolgt.

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   64. Verfahren nach Anspruch 63, dadurch gekennzeichnet, daß die Energie in dem ersten Schritt, durch die das latente Bild in der Schicht aus Speichermaterial erzeugt wird, aus elektromagne-

   aktinischer bzw.
   tischer/Lochtstrahlung besteht und die Energie, die in dem zweiten Schritt angewendet wird und den,tatsächlichen Übergang hervorbringt, Wärmeenergie ist.

   65. Verfahren nach Anspruch 51? dadurch gekennzeichnet, daß die Energie elektromagnetische Strahlung ist.

   66. Verfahren nach Anspruch 51> dadurch gekennzeichnet, daß die Energie Wärme umfaßt, wodurch das Speichermaterial eine Üb ergangst emp er atur aufweist und das Speichermaterial auf eine Temperatur ob erhalb seöna· Übergangstemperatur erhitzt wird.

   67. Verfahren nach Anspruch 51> dadurch gekennzeichnet, daß die Energie Lichtenergie umfaßt.

   68. Verfahren nach Anspruch 51i dadurch gekennzeichnet, daß die Energie eine Kombination von Lichtstrahlung und Infrarotstrahlung umfaßt.

   69. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial ein halbleitendes Material ist mit geeigneten elektrischen Eigenschaften zur Verwendung inelektro-.nischen Vorrichtungen, so daß wenigstens eine elektronische Vorrichtung nach Entfernung des

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   Speichermaterials mit dem geringeren Haftungsvermögen hervorgebracht wird.

   70. Verfahren nach Anspruch 69, dadurch gekennzeichnet, daß die Energie in einem Muster derart angewendet wird, daß eine Mehrzahl elektronischer Vorrichtungen auf einem einzelnen Schichtträger erzeugt wird.

   71. Verfahren nach Anspruch 70, dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen elektronischen Vorrichtungen elektrisch durch geeignete elektrische Leitungen und Leiter unter Bildung einer Anordnung von elektronischen Einrichtungen verbunden werden.

   72. Verfahren zur Bildung einer aktiven elektrischen Komponente, dadurch gekennzeichnet, daß man

   (a) eine Schicht aus einem Speichermaterial, das zwischen wenigstens zwei unterschiedlichen elektrischen Leitzuständen umgeschaltet werden kann und weiterhin in der Lage ist, daß ausgewählte Teile einer physikalischen Änderung zwischen einem stabilen Zustand und einem anderen stabilen Zustand bei der Anwendung von Energie zu unterliegen, auf einem Schichtträger vorgesehen wird, wobei das Speichermaterial gewöhnlich in einem dieser Zustände vorliegt,

   (b) selektiv Energie auf die Schicht auf gewünschte ausgewählte Teile dieser Schicht zur Änderung dieser Schicht in den ausgewählten Teilen von dem einen stabilen Zustand in den anderen stabilen Zustand gemäß einem gewünschten Muster aufbringt und

   (c) das Speichermaterial, das sich in dem einen

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   dieser Zustände befindet und das geringere Haftvermögen an den Schichtträger aufweist, von dem Schichtträger abtrennt und das Speichermaterial mit dem geringeren Haftungsvermögen entfernt, so daß wenigstens ein Teil des Speichermaterials unter Bildung der elektrischen Komponente zurückbleibt.

   73· Verfahren nach Anspruch 72, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial auf einem Schichtträger angeordnet ist, der im wesentlichen elektrisch nichtleitend ist.

   7²J-. Verfahren nach Anspruch 72, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial auf einem Schichtträger angeordnet ist, der ein elektrischer Halbleiter ist.

   75· Verfahren nach Anspruch 72, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial auf einem Schichtträger angeordnet ist, der ein elektrischer Leiter ist.

   76. Verfahren nach Anspruch Λ , dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtträger lichtdurchlässig ist und der Film aus Speichermaterial ein dünner Film aus stark getrübtem/Bpeichermaterial ist.

   77· Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial stark undurchsichtig bzw.

   . , opak

   ist.

   78. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial mit einem durch Licht dissoziierbaren Salz vermischt ist.

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   79· Verfahren, nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial mit einem durch Licht reduzierbaren Salz vermischt ist.

   80. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermaterial katalytische Mengen eines Stoffes enthält, der in der Lage ist, die Überführung des Speichermaterials von dem einen physikalischen Zustand in den anderen physikalischen Zustand zu fördern.

   81. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Abbildung dadurch gebildet wird, daß diejenigen Teile des Speichermaterials, die das geringere Haftungsvermögen an den Schichtträger haben, an eine klebrige, haftende Oberfläche einer Trägerstruktur angeheftet werden.

   82. Verfahren nach Anspruch 81, dadurch gekennzeichnet, daß die klebrige, haftende Oberfläche, an der das Speichermaterial in ausgewählten Teilen anhaftet, die Zylinderfläche einer Walze bildet.

   83· Verfahren nach Anspruch 82, dadurch gekennzeichnet, daß die Walze mit der klebrigen haftfähigen Oberfläche, die ausgewählte Teile des Speichermaterials aufweist, mit einer zweiten Walze zusammenarbeitet, wobei ein Walzenspalt gebildet wird, durch welchen ein Gewebe oder Band aus Druckmaterial aus einem StützgeweBe^unäeinem darauf befindlichen Film aus einem leicht zerbrechlichen gefärbten Material geführt wird, welches dann, wenn es in Berührung mit den

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   klebenden Teilen der Walze kommt, von dem Gewebe entfernt wird und an der Walze unter Bildung einer Abbildung aus den restlichen gefärbten Flächen auf dem Gewebe bildet, die dem Bild entsprechen, das durch das Speichermaterial auf der klebrigen, haftenden Oberfläche dieser Walze gebildet wurde.

   84. Verfahren nach Anspruch 83, dadurch· gekennzeichnet, daß das brechbare gefärbte Material ein flüchtiges Material ist, wodurch die Teile des flüchtigen Materials, die an den klebrigen, haftenden Oberflächenstellen der Walze anhaften, durch Anwendung von Wärme verdampft werden.

   85. Verfahren nach Anspruch 83, dadurch gekennzeichnet, daß der Teil des zerbrechlichen gefärbten Materials, der auf dem Gewebe zurückbleibt, unter Bildung eines permanenten Bildes fixiert wird.

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