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DE2216269A1 - Verfahren zum aetzen von kupfer und kupferlegierungen - Google Patents

Verfahren zum aetzen von kupfer und kupferlegierungen

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Publication number
DE2216269A1
DE2216269A1 DE19722216269 DE2216269A DE2216269A1 DE 2216269 A1 DE2216269 A1 DE 2216269A1 DE 19722216269 DE19722216269 DE 19722216269 DE 2216269 A DE2216269 A DE 2216269A DE 2216269 A1 DE2216269 A1 DE 2216269A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
ammonium
copper
etchant
etching
complexing agent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19722216269
Other languages
English (en)
Inventor
Rainer Haas
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HOELLMUELLER MASCHBAU H
Original Assignee
HOELLMUELLER MASCHBAU H
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HOELLMUELLER MASCHBAU H filed Critical HOELLMUELLER MASCHBAU H
Priority to DE19722216269 priority Critical patent/DE2216269A1/de
Priority to NL7303601A priority patent/NL7303601A/xx
Priority to FR7312965A priority patent/FR2179267A1/fr
Priority to IT6797573A priority patent/IT980767B/it
Publication of DE2216269A1 publication Critical patent/DE2216269A1/de
Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/46Regeneration of etching compositions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • C23F1/32Alkaline compositions
    • C23F1/34Alkaline compositions for etching copper or alloys thereof

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Description

PATENTANWALT
DIPL.-ING. GERD COMMENTZ
7 STUTTGART I
KLIPPENECKSTRASSE 4 · TELEFON (07 11) 4ÖSÖ44
4° April 1972 C/ϊ1 H 916 P
Firma Hans Höllmüller
7031 Gültstein bei Herrenberg, Mönehberger Str. 39
Verfahren zum Ätzen von Kupfer und Kupferlegierungen
Die vorliegende Erfindung betrifft ein zum Ätzen von Kupfer und Kupferlegierungen, insbesondere kupferkaschierten Leiterplatten, geeignetes Verfahren, bei dem als Ätzmittel eine sowohl einen Kupferlöser als auch einen Komplexbildner enthaltende alkalische Lösung verwendet wird und als Komplexbildner eine ammoniakhaltige Verbindung dient.
Da sauere Ätzmittel nicht für alle Ätzresists anwendbar sind, insbesondere nicht für sogenannte metallische Ätzreserven, wie z.B. Bleizinn, Zinn, G-lanzzinn, Nickel und auch Gold, sind verschiedene alkalische Ätzmedien ent» wickelt worden, die jedoch nur bis zur Erreichung eines gewissen Kupfergehaltes ausgenützt werden können, na,ch dem Erreichen dieses Kupfergehaltes aber abgelassen und neu angesetzt werden müssen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es nunmehr , ein Ätzverfahren zu schaffen, bei dem auch emfindlichere Ätzresists, wie insbesondere Bleizinn, aber auch Zinns Glanzzinn, Gold und Silber von dem Ätzmittel nicht angegriffen
3G9842/1146
- 2 - 4. 4. 1972
werden und das Ätzmittel darüberhinaus auch leicht regenerierbar ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß als Kupferlöser organische und/oder anorganische Ammoniumsalze vorgesehen sind und zur Regeneration des Ätzmittels diesem ein gleichartiges Ammoniumsalz sowie ein gleichartiger Komplexbildner beigegeben wird. Hierbei enthält das Ätzmittel eine Anzahl Cupri-Ionen, die im Verlauf des Ätzvorganges in Gupro-Ionen und durch das Einwirken eines Oxydationsmittels, insbesondere das Einwirken von Luftsauerstoff, wieder in Cupri-Ionen übergehen.
Als organische Ammoniumsalze können beispielsweise
Ammoniumacetat, Ammoniumtartrat, Ammoniumbenzoat, Ammoniumeitrat, Ammoniumeisencitrat, Ammoniumoxalat, Ammoniumrhodanid oder auch !De t rame thy lammoniumhy droxy d
vorgesehen sein. Als anorganische Ammoniumsalze dagegen lassen sich beispielsweise
Ammoniumalaun,
Ammonium-Eisenalaun,
Ammoniumamidosulfat,
Ammoniumamidosulfit, Ammoniumaurocyanid,
Ammoniumauricyanid,
Ammoniumbichromat,
Ammoniumborfluorid,
Ammoniumbromid,
Ammoniumcarbonat norm.
Ammoniumcarbonat prim.
Ammoniumcarbonatcarbamat,
Ammoniumchlorat,
Ammoniumchlorid,
Ammoniumchromalaun,
Ammoniumchromat,
Ammoniumcyanat, -3-
30S342/1146
verwenden.
2216263
- 3 - 4. 4. 1972
Ammoniumeyanid, Ammoniumfluorid, Ammoniumfluorid saures, Ammoniumheptamolybdat, Ammoniumhy droxylamindisulf onat, Amm. -Hypophosphit, Ammoniumimidosulfonat, Ammoniumimidosulfona^basisch, AnmioMumimidosulf it, Ammoniumisonitraminsulfonat, Jünmonium j odat, Ammonium^odid, Jtamoniummagnesiumarsenat, Ammoniummagnesiumphosphat, Jtoffiioniummolybdat, Ammoniumnitrat, Ammoniumnitrit, Ammoniumpalladiumchlorid, Ammoniumperchlorat, Ammoniumpersulfat, Ammonium-o-phosphat, Ammonium-p-phosphat see. Ammonium-o-phosphat tert. Ammoniumphosphit, AmmoniumphosphomolylDdat, Alum, -platintromid, Ammoniumplatinchlorid, Ammoniumselenat, Ammoniumselenit, Ammoniumsesquicarbonat, Ammoniumsulfat, Ammoniumsulf hydrat, Ammoniumsulfoeyanat, Ammoniumthiοsulfat, Ammoniumuranat,
Ammoniumzinnchlorid (Pinksalz) Ammoniumbicarbonat, Ammoniumbifluorid, Ammoniumbiphosphat, Ammoniumdichromat, Ammoniumnat riumpho sphat
Eine sehr elegante Regeneration -ies elurea Kupfer angeseicliexten Itzmittels ist gemäß der TorXiegendes Erfindung insbesondere dadurch gekeiingsicliaetp daß das von clem Its·= mittel aufgenommene Zupfer slekt^ol^tisoh ausgeschiedsn lad
das dadurch regenerierte Itsaittel der srneuten
3 0 ■■ / 1 ί 4 €
- 4 - 4. 4. 1972
zugeführt wird. Bei diesem Vorgang wird das zur Regeneration des Ätzmittels vorgesehene Ammoniumsalz durch eine elektrolytische Abscheidung des in dem zu regenerierenden Ätzmittel befindlichen Kupfers gewonnen. Der zur Regeneration des Ätzmittels erforderliche Komplexbildner kann dann bei der -elektrolytischen Ausscheidung des in dem zu regenerierenden Ätzmittels befindlichen Kupfers zurückgewonnen werden.
Zur Durchführung dieser elektrolytischen Regeneration kann die der Behandlung des Ätzgutes dienende Ätzmaschine beispielsweise einerseits über eine der Zuführung des zu regnerierenden Ätzmittels dienenden Leitung und andererseits über eine Rückflußleitung mit einer mit einer Anode und einer Kathode ausgestatteten elektrolytischen Regenerationsvorrichtung verbunden sein.
Schließlich aber ist es auch noch von Vorteil, wenn der im Verlauf des ÄtzVorganges sowie der Regeneration des Ätzmittels durch Verdunstung entstehende Verlust des Komplexbildners durch die Zugabe einer entsprechenden Menge des gleichen Komplexbildners in Abhängigkeit des pH-Wertes des Ätzmittels erfolgt.
Ist beispielsweise als Ätzmittel Tetraminkupfer (Il)-sulfat vorgesehen und wird dieses Ätzmittel im Verlauf des Ätzvorganges mit dem Kupfer von kupferkaschierten Leiterplatten in Verbindung gebracht, so spielt sich hierbei chemisch etwa der folgende Vorgang ab:
\ SO, + Gu
Gu (NH,),
2 S04
Bas Herauslesen des Kupfers aus den Leiterplatten wird dabei
3 C P :: ■■■ ? / 1 ! US
- 5 - 4. 4. 1972
durch das als Kupferlöser dienende überschüssige Ämmoniumsulfat im Zusammenhang mit dem Komplex bewirkt. Durch die Aufnahme des herausgelösten Kupfers gehen dabei die in dem Ätzmittel befindlichen Cupri-Ionen in Cupro-Ionen über.
Zur Regeneration des Ätzmittels wird diesem ein gleichartiges Ammoniumsalz, also beispielsweise wiederum Ammoniumsulfat sowie ein gleichartiger Komplexbildner, beispielsweise Ammoniakgas, beigegeben. Die Regeneration des Xtzmittels erfolgt dabei gemäß der nachstehenden Formels
Gu(HHx),
+ (HH4)2 SO4 + 2 m3 + 0
Gu (NH3 )4 SO4 + H2O
Bei diesem Vorgang werden wieder die in dem Ätzmittel befindlicher Cupro-Ionen in Gupri-Ionen umgebildet.
Die außerdem noch bestehende Möglichkeit, das Ätzmittel auf elektrolytischem Wege zu regenerieren, wird nachstehend anhand einer auf der Zeichnung schematisch dargestellten beispielsweisen Vorrichtung näher erläutert.
Die auf der Zeichnung dargestellte, mit 1 bezeichnete Ätzmaschine ist über eine Leitung 2, sowie eine Rückflußleitung 3 mit einer elektrolytischen Regenerationsvorrichtung verbunden, deren Elektroden mit 5 und 6 bezeichnet sind. Wird nun durch die Ätzmaschine 1 eine zu ätzende, kupferkaschierte Leiterplatte 7 hindurchgeführt und trifft auf diese das aus den Düsenstöcken 8 austretende Ätzmittel 9 auf, so wird das von der Platte 7 gelöste Kupfer von dem Ätzmittel 9 aufgenommen. Das durch Kupfer angereicherte Ätzmittel 9 wird nunmehr durch die in der Leitung 2 augeordnetan Pumpe 10 aus der in der Itzmaschine 1 befindlichen Wanne 11 abgezogen und der Slektrolyieeinrichtung 4 zugeführt. In dieser Einrichtung 4 wandert
3 0.9 842/1 U δ
- 6 - 4. 4. 1972
das in dem Ätzmittel 9 "befindliche Kupfer an die Kathode 6, von der es entweder in gewissen Zeitabständen oder aber laufend abgelöst werden kann. Das in dieser Weise regenerierte Ätzmittel 9 wird anschließend durch die Leitung 3 wieder zur Itzmaschine 1 zurückgeführt, in der es erneut den Düsenstöcken 8 zugeleitet wird und aus diesen austritt, um nach dem Auftreffen auf die kupferkaschierte Leiterplatte 7 erneut Kupfer aufzunehmen.
Um weiterhin den im Verlauf des Ätzvorganges sowie der Regeneration des Ätzmittel-s 9 durch Verdunstung entstehenden Verlust des Komplexbildners ausgleichen zu können, ist ferner an der Ätzmaschine 1 eine Leitung 12 angeschlossen, über die erneut Ammoniakgas zugegeben werden kann. Die Zugabe dieses Ammoniakgases wird dabei durch ein mit 13 bezeichnetes Ventil gesteuert, das wieder in Abhängigkeit des jeweiligen pH-Wertes des Ätzmittels 9 zu betätigen ist.
30S842/1U6

Claims (9)

- 7 - 4. 4. 1972 Ansprüche
1., Verfahren zum Ätzen von Kupfer und Kupferlegierungen, insbesondere von kupferkaschierten Leiterplatten, bei dem als Ätzmittel eine sowohl einen Kupferlöser als auch einen Komplexbildner enthaltende alkalische Lösung verwendet wird und als Komplexbildner eine ammoniakhaltige Verbindung dient, dadurch gekennzeichnet, daß der Kupferlöser als Komplex im Zusammenhang mit einem Überschuß von organischen und/oder anorganischen .Ammoniumsalzen vorgesehen ist und zur Regeneration des Ätzmittels diesem ein gleichartiges .Ammoniumsalz sowie ein gleichartiger Komplexbildner beigegeben wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Ätzmittel eine Anzahl Cupri-Ionen enthält, die im Verlauf des Ätzvorganges in Cupro-Ionen und durch die Einwirkung eines Oxydationsmittels, insbesondere die Einwirkung von Luftsauerstoff, wieder in Cupri-Ionen übergehen.
3. Verfahren nach Anspruch 1und 2, dadurch gekennzeichnetp daß als organische Ammoniumsalze
Ammoniumacetat,
Ammoniumtartrat,
Ammoniumbenzoat,
Ammoniumeitrat,
Aramoniumeiseneitrat,
Ammoniumoxalat,
Ammoniumrhodanid oder auch noch !Ee t rame thy lammoniumhy droxy d
vorgesehen sind.
"4." Verfahren nacli Anspruch 1 und 23 dadurch daß als anorganische Ammoniumsalse
.: ? / ι ■; f. .fi
- 8 - 4. 4. 1972
Ammonium alaun, Ammonium-Eisenalaun, Ammoniumamidosulfat,
Ainmoniumamidosulf it, Ammoniumaurocyanid, Ammoniumauricyanid, Ammoniumbichromat, Ammoniumborfluorid, Ammoniumbromid, Ammoniumcarbonat norm.
Ammoniumcarbonat prim.
Ammoniumcarbonatcarbamat, Ammoniumchlorat, Ammoniumchlorid, Ammoniumchromalaun, Ammoniumchromat, Ammoniumcyanat, Ammoniuia^ani d, Ammoniumfluorid, Ammoniumfluorid saures, Ammoniumheptamolybdat, Ammoniumhydroxylamindisulfonat, Amm.-Hypophosphit, Ammoniumimidosulfonat, Ammoniumimidosulfonatybasisch, Ammoniumimidosulfit, Ammoniumisonitraminsulfonat, Ammoniumj odat, Ammoniumjodid, Immoniummagnesiumarsenat, Ammoniummagnesiumphosphat, Ammoniummolybdat, Ammoniumnitrat, Ammoniumnitrit, Ammoniumpalladiumchlorid, Ammoniumperchlorat, Ammoniumpersulfat, Ammonium-o-phosphat, Ammonium-o-phosphat see.
Ammonium-o-phosphat tert.
Ammoniumphosjihi t, Ammoniumphosphomolybdat, Amm.-platinbromid, Ammoniumplatinchlorid, Ammoniumselenat, Ammoniumselenit, Ammoniumsesquicarbonat, Ammoniumsulfat, Ammoniumsulfhydrat, Ammoniumsulfocyanat, Ammoniumthiosulfat, Ammoniumuranat,
Ammoniumzinnchlorid (Pinksalz) Ammoniumbicarbonat,
3 0 P.Ci ^ .? / 1 U
- 9 - 4.
4. 1972
Ammoniumbifluorid,
Ammoniumbiphosphat,
Ammoniumdichromat,
Ammoniumnatriumphosphat
vorgesehen sind.
5. Verfahren insbesondere nach Ansprach 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das von dem Ätzmittel aufgenommene Kupfer elektrolytisch ausgeschieden und das dadurch regenerierte Ätzmittel der erneuten Verwendung zugeführt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4» dadurch gekennzeichnet,
daß das zur Regeneration des Ätzmittels vorgesehene Ammoniumsalz durch elektrolytische Abscheidung des in dem zu regenerierenden Ätzmittel befindlichen Kupfers gewonnen wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der zur Regeneration des Ätzmittels erforderliche Komplexbildner bei der elektrolytischen Ausscheidung des in dem zu regenerierenden Ätzmittel befindlichen Kupfers zurückgewonnen wird.
8. Verfahren nach Anspruch 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der im Verlauf des Ätzvorganges sowie der Regeneration des Ätzmittels durch Verdunstung entstehende Verlust des Komplexbildners durch die Zugabe einer entsprechenden Menge des gleichen Komplexbildners in Abhängigkeit des pH-Wertes des Ätzmittels erfolgt.
9. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 5 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß die der Behandlung des Itzgutes dienende Ätzmaschine (1) einerseits über eine Zuführleitung (2) und andererseits über eine RückfluSleitung (3) mit einer elektrolytischen Regenerationsvorrichtung (4) verbunden iet.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3305319A1 (de) * 1983-02-16 1984-08-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Elektrolytisches vollregenerierverfahren einer ammoniakalischen aetzloesung
DE3348401C2 (en) * 1983-02-16 1993-08-26 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De Electrolyte regeneration of ammoniacal etching soln.
DE4339320A1 (de) * 1993-11-18 1995-05-24 Elochem Aetztechnik Gmbh Verfahren zum beschleunigten Ätzen und Abscheiden von Metallen in ammoniakalischen Ätzanlagen

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2133806B (en) * 1983-01-20 1986-06-04 Electricity Council Regenerating solutions for etching copper
ATE34781T1 (de) * 1983-04-13 1988-06-15 Kernforschungsanlage Juelich Anlage zum regenerieren einer ammoniakalischen aetzloesung.
DE3324450A1 (de) * 1983-07-07 1985-01-17 ELO-CHEM Ätztechnik GmbH, 7758 Meersburg Ammoniumsulfathaltige aetzloesung sowie verfahren zur regeneration der aetzloesung
DE3340342A1 (de) * 1983-11-08 1985-05-15 ELO-CHEM Ätztechnik GmbH, 7758 Meersburg Verfahren und anlage zum regenerieren einer ammoniakalischen aetzloesung
US4490224A (en) * 1984-04-16 1984-12-25 Lancy International, Inc. Process for reconditioning a used ammoniacal copper etching solution containing copper solute
US4784785A (en) * 1987-12-29 1988-11-15 Macdermid, Incorporated Copper etchant compositions
US5431776A (en) * 1993-09-08 1995-07-11 Phibro-Tech, Inc. Copper etchant solution additives
FR2854905B1 (fr) * 2003-05-16 2006-07-14 Airbus France Procede de recuperation du cuivre d'une solution de gravure ammoniacale usee et de regeneration d'un sel d'ammonium
RU2622072C1 (ru) * 2016-01-11 2017-06-09 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "Пензенский государственный университет") Способ утилизации отработанного медно-аммиачного раствора
CN118186394B (zh) * 2024-05-16 2024-08-16 苏州高芯众科半导体有限公司 Tf液晶面板刻蚀腔铝板清洁再生的方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3305319A1 (de) * 1983-02-16 1984-08-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Elektrolytisches vollregenerierverfahren einer ammoniakalischen aetzloesung
DE3348401C2 (en) * 1983-02-16 1993-08-26 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De Electrolyte regeneration of ammoniacal etching soln.
DE4339320A1 (de) * 1993-11-18 1995-05-24 Elochem Aetztechnik Gmbh Verfahren zum beschleunigten Ätzen und Abscheiden von Metallen in ammoniakalischen Ätzanlagen

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FR2179267A1 (en) 1973-11-16
FR2179267B3 (de) 1976-03-26

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