[go: up one dir, main page]

DE226494T1 - System mit elektronenstrahlpruefsonde zum analysieren integrierter schaltungen. - Google Patents

System mit elektronenstrahlpruefsonde zum analysieren integrierter schaltungen.

Info

Publication number
DE226494T1
DE226494T1 DE198686402502T DE86402502T DE226494T1 DE 226494 T1 DE226494 T1 DE 226494T1 DE 198686402502 T DE198686402502 T DE 198686402502T DE 86402502 T DE86402502 T DE 86402502T DE 226494 T1 DE226494 T1 DE 226494T1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electron beam
integrated circuit
point
image
probe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE198686402502T
Other languages
English (en)
Inventor
Neil Mountain View 94043 California Richardson
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fairchild Semiconductor Corp
Original Assignee
Fairchild Semiconductor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fairchild Semiconductor Corp filed Critical Fairchild Semiconductor Corp
Publication of DE226494T1 publication Critical patent/DE226494T1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302Contactless testing
    • G01R31/305Contactless testing using electron beams

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Claims (12)

1. Ein Elektronenstrahl-Prüfsondengerät für die Analyse des Betriebs eines integrierten Schaltkreises, gekennzeichnet durch
Mittel für das Erzeugen eines Prüfsignalverlaufs und das Koppeln dieses Prüfsignalverlaufs auf den integrierten Schaltkreis,
Punktspezifiziermittel für das Spezifizieren eines Punktes auf dem integrierten Schaltkreis, welche Punktspezifiziermittel Mittel umfassen für das Eingeben und ■Speichern eines Layout-Diagramms des integrierten Schaltkreises in einem Layout-Format, das konsistent ist mit jenem, das durch ein Maskenauslegungsprogramm verwendet wird, und Mittel für das Spezifizieren einer Stelle auf dem integrierten Schaltkreis mit Bezug auf das Layout-Diagramm,
Elektronenstrahl-Prüfsondenmittel für das Messen des Potentials auf dem integrierten Schaltkreis an dem spezifizierten Punkt und für das Erzeugen einer Abbildung der Oberfläche des integrierten Schaltkreises in einem den spezifizierten Punkt umgebenden Bereich, und
Darstellungsmittel für die Darstellung des gemessenen Potentials und der Abbildung.
2. Das Elektronenstrahl-Prüfsondengerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektronenstrahl-Prüfsonde umfaßt:
Elektronenstrahl-Kolonnenmittel für das Bombardieren des integrierten Schaltkreises an einem Punkt auf der Oberfläche des integrierten Schaltkreises mit einem Elektronenstrahl mit einer Achse parallel zu einer vorgegebenen Achse und für das Erfassen der im Ansprechen auf das Bombardement erzeugten Sekundärelektronen, welche Elektronenstrahl-Kolonnenmittel Mittel umfassen für das Ablenken des Elektronenstrahls in jeder von zwei zueinander senkrechten Richtungen, die jede im wesentlichen senkrecht zu der Elektronenstrahlachse verlaufen,
Sondenkartenmittel für das Koppeln des Prüfsignalverlaufs auf den integrierten Schaltkreis, welche Sondenkartenmittel einen Durchbruch aufweisen, durch den der Elektronenstrahl verläuft,
Kolonnenpositioniermittel für das Bewegen der Elektronenstrahl-Kolonnenmittel relativ zu den Sondenkartenmitteln, und
Bühnenmittel für das Bewegen des integrierten Schaltkreises relativ zu den Sondenkartenmitteln.
3. Das Elektronenstrahl-PrüfSöndengeräc' nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Bühnenmittel umfassen:
Mittel für das Bewegen des integrierten Schaltkreises in jeder von zwei zueinander senkrechten Richtungen, von denen jede im wesentlichen senkrecht zu der Elektronenstrahlachse verläuft,
Mittel für das Bewegen des integrierten Schaltkreises in einer Richtung parallel zu der Elektronenstrahlachse, und
Mittel für das Verdrehen des integrierten Schaltkreises um eine zu der Elektronenstrahlachse im wesentlichen parallele Achse.
4. Das Elektronenstrahl-Prüfsondengerät nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kolonnenpositioniermittel Mittel umfassen für das Bewegen des integrierten Schaltkreises in jeder von zwei zueinander senkrechten Richtungen, von denen jede im wesentlichen senkrecht- zu der Elektronenstrahlachse verläuft.
5. Das Elektronenstrahl-Prüfsondengerät nach einem der Ansprüche 2-4, gekennzeichnet durch:
Eine Oberfläche mit einem Durchbruch, durch den der Elektronenstrahl verläuft, Sondenkartenmcntagemittel zum Montieren der Sondenkarte über dem Durchbruch in einer festen Position relativ zu der Oberfläche,
Bühnenmontagemittel für das Montieren der Bühnenmittel in einer festen Position relativ zu der Oberfläche,
erste Vakuumbegrenzungsmittel, umfassend eine von der Oberfläche begrenzte Kammer, die die Bühnenmittei umschließt und eine abnehmbare Abdeckung aufweist, um die Bühnenmittel zugänglich zu machen,
Elektronenstrahl-Kolonnenmontagemittel für das Montieren der Kolonnenpositioniermittel in einer festen Position relativ zu der Oberfläche auf der den Bühnenmontagemitteln abgekehrten Seite der Oberfläche, und
zweite Vakuumbegrenzungsmittel für das Halten eines Vakuums in der Elektronenstrahl-Kolonne, welche zweiten Vakuumbegrenzungsmittel mit der Elektronenstrahl-Kolonne und mit der Oberfläche verbundene Balgenmittel umfassen für das Halten eines Vakuums, das den integrierten Schaltkreis und den Elektronenstrahl umgibt, wenn die Elektronenstrahl-Kolonnenmittel unter Benutzung der Kolonnenpositioniermittel relativ zu den Sondenkartenmitteln bewegt werden, wobei
der Elektronenstrahl aus den Elektronenstrahl-Kolonnenmitteln in einer Richtung im wesentlichen senkrecht zu der Oberfläche austritt, durch die Durchbrüche in der Oberfläche und den Sondenkartenmitteln verläuft und dann auf den integrierten Schaltkreis auftrifft.
"J.
6. Die Elektronenstrahl-Prüfsonde nach einem der Ansprüche 2-4, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektronenstrahl-Kolonnenmittel ferner umfassen:
Löschelektrodenmittel zum Ein- und Ausschalten des Elektronenstrahls zu auf den Prüfsignalverlauf bezogenen Zeitpunkten, einschließlich Mittel für Erzeugung eines Triggerimpulses aus dem Prüfsignalverlauf und Verzögerungsmittel für das Einschalten des Elektronenstrahls nach Verstreichen einer vorgegebenen Zeit nach der Erzeugung des Triggerimpulses.
7. Das Elektronenstrahl-Prüfsondengerät nach einem der Ansprüche 1-6, dadurch gekennzeichnet, daß die Punktspezifiziermittel ferner umfassen:
Mittel für das Eingeben und Speichern eines schematischen Diagramms des integrierten Schaltkreises in einem schematischen Format konsistent mit jenem, das durch ein Schaltkreissimulationsprogramm benutzt wird,
Mittel zum Eingeben und Speichern einer Korrelationstabelle, welche die Stelle jedes Schaltungselements in dem integrierten Schaltkreis auf der Oberfläche des integrierten Schaltkreises definiert, und
Mittel für das Spezifizieren eines Punktes in dem schematischen Diagramm.
8. Das Elektrcnenstrahl-Prüfsondengerät nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Darstellungsmittel umfassen:
Mittel für das Darstellen eines schematischen Diagramms,
Mittel für das Darstellen eines Layout-Diagramms,
Mittel für das Darstellen einer Abbildung der Oberfläche des integrierten Schaltkreises, und
Mittel für das Darstellen des Potentials an einem spezifizierten Punkt auf der integrierten Schaltkreisoberfläche als Zeitfunktion für eine Zeitperiode zwischen einem ersten und einem zweiten Zeitpunkt, spezifiziert bezüglich des Prüfsignalverlaufs.
9. Das Elektronenstrahl-Prüfsondengerät nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Abbildungs-Darstellungsmittel Mittel umfassen für das Darstellen einer Abbildung der Oberfläche des integrierten Schaltkreises, in der die Intensität jedes Punktes in der Abbildung eine Funktion des Potentials auf der Oberfläche des integrierten Schaltkreises an einem entsprechenden Punkt ist, und daß das Potential zu einem festen Zeitpunkt relativ zu dem Prüfsignalverlauf gemessen ist.
0226&Agr;94
10. Das Elektronenstrahl-Prüfsondengerät nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Abbildungs-Darstellurrgsmittel Mittel umfassen für die Darstellung einer Abbildung der Oberfläche des integrierten Schaltkreises, in der die Intensität jedes Punktes in der Abbildung eine Funktion des Potentials auf der Oberfläche des integrierten Schaltkreises an einem entsprechenden Punkt ist, und daß das Potential der Mittelwert von Potentialen ist, die zu im wesentlichen zufälligen Zeitpunkten relativ zu dem Prüfsignalverlauf gemessen sind.
11. Das Elektronenstrahl-Prüfsondengerät nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Abbildungs-Darstellungsmittel Mittel umfassen für die Darstellung einer Abbildung der Oberfläche des integrierten Schaltkreises, in der die Intensität jedes Punktes in der Abbildung eine Funktion des Potentials auf der Oberfläche des integrierten Schaltkreises an einem entsprechenden Punkt ist, und daß das Potential das zeitlich gemittelte Potential an dem Punkt auf dem integrierten Schaltkreis ist.
12. Das Elektronenstrahl-Prüfsondengerät nach einem der Ansprüche 9, 10 oder 11, gekennzeichnet durch Mittel für den Vergleich einer Abbildung eines Bereichs auf der Oberfläche des integrierten Schaltkreises mit einer simulierten Abbildung der Oberfläche des integrierten Schaltkreises.
DE198686402502T 1985-11-15 1986-11-12 System mit elektronenstrahlpruefsonde zum analysieren integrierter schaltungen. Pending DE226494T1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/798,592 US4706019A (en) 1985-11-15 1985-11-15 Electron beam test probe system for analyzing integrated circuits

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE226494T1 true DE226494T1 (de) 1990-05-23

Family

ID=25173797

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE86402502T Expired - Fee Related DE3688612T2 (de) 1985-11-15 1986-11-12 System mit Elektronenstrahlprüfsonde zum Analysieren integrierter Schaltungen.
DE198686402502T Pending DE226494T1 (de) 1985-11-15 1986-11-12 System mit elektronenstrahlpruefsonde zum analysieren integrierter schaltungen.

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE86402502T Expired - Fee Related DE3688612T2 (de) 1985-11-15 1986-11-12 System mit Elektronenstrahlprüfsonde zum Analysieren integrierter Schaltungen.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4706019A (de)
EP (1) EP0226494B1 (de)
JP (1) JPH0815172B2 (de)
CA (1) CA1256587A (de)
DE (2) DE3688612T2 (de)

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0266477A (ja) * 1988-08-31 1990-03-06 Nec Corp Icチップ試験装置
JPH0295272A (ja) * 1988-09-30 1990-04-06 Nec Corp 集積回路チップ内信号観測装置
US5054097A (en) * 1988-11-23 1991-10-01 Schlumberger Technologies, Inc. Methods and apparatus for alignment of images
DE68928162T2 (de) * 1988-11-23 1998-01-29 Schlumberger Technologies Inc Verfahren und Gerät zum Verdichten von Bildern hoher Auflösung
US5144225A (en) * 1989-03-31 1992-09-01 Schlumberger Technologies, Inc. Methods and apparatus for acquiring data from intermittently failing circuits
US5030907A (en) * 1989-05-19 1991-07-09 Knights Technology, Inc. CAD driven microprobe integrated circuit tester
US5140164A (en) * 1991-01-14 1992-08-18 Schlumberger Technologies, Inc. Ic modification with focused ion beam system
EP0504944B1 (de) * 1991-03-22 1998-09-23 Nec Corporation Verfahren zur Fehleranalyse unter Verwendung eines Elektronenstrahles
US5210487A (en) * 1991-06-04 1993-05-11 Schlumberger Technologies Inc. Double-gated integrating scheme for electron beam tester
US5392222A (en) * 1991-12-30 1995-02-21 Schlumberger Technologies Inc. Locating a field of view in which selected IC conductors are unobscured
JP2851213B2 (ja) * 1992-09-28 1999-01-27 株式会社東芝 走査電子顕微鏡
US5604819A (en) * 1993-03-15 1997-02-18 Schlumberger Technologies Inc. Determining offset between images of an IC
US5528156A (en) * 1993-07-30 1996-06-18 Advantest Corporation IC analysis system and electron beam probe system and fault isolation method therefor
JPH07226426A (ja) * 1994-02-10 1995-08-22 Toshiba Corp 電子ビ−ムテスタ及び電子ビ−ムテスタを使用したテスト方法
US5530372A (en) * 1994-04-15 1996-06-25 Schlumberger Technologies, Inc. Method of probing a net of an IC at an optimal probe-point
US5731984A (en) * 1995-07-17 1998-03-24 Schlumberger Technologies Inc. Vector-based waveform acquisition and display
US5731708A (en) * 1995-10-31 1998-03-24 Hughes Aircraft Company Unpackaged semiconductor testing using an improved probe and precision X-Y table
JPH1062502A (ja) * 1996-08-21 1998-03-06 Mitsubishi Electric Corp 被測定デバイスの故障解析方法、故障解析装置及び故障解析システム
US5959459A (en) * 1996-12-10 1999-09-28 International Business Machines Corporation Defect monitor and method for automated contactless inline wafer inspection
US5959461A (en) * 1997-07-14 1999-09-28 Wentworth Laboratories, Inc. Probe station adapter for backside emission inspection
US6154714A (en) * 1997-11-17 2000-11-28 Heuristic Physics Laboratories Method for using wafer navigation to reduce testing times of integrated circuit wafers
US6096093A (en) * 1997-12-05 2000-08-01 Heuristic Physics Laboratories Method for using inspection data for improving throughput of stepper operations in manufacturing of integrated circuits
US6198299B1 (en) * 1998-08-27 2001-03-06 The Micromanipulator Company, Inc. High Resolution analytical probe station
US6744268B2 (en) * 1998-08-27 2004-06-01 The Micromanipulator Company, Inc. High resolution analytical probe station
US6740889B1 (en) * 1998-09-28 2004-05-25 Applied Materials, Inc. Charged particle beam microscope with minicolumn
US6462814B1 (en) 2000-03-15 2002-10-08 Schlumberger Technologies, Inc. Beam delivery and imaging for optical probing of a device operating under electrical test
FR2807539B1 (fr) * 2000-04-11 2002-06-07 Centre Nat Etd Spatiales Procede et installation de localisation optimale automatique d'une operation sur un circuit integre
US6597163B2 (en) 2000-07-26 2003-07-22 Seagate Technology Llc Contamination resistant probe attachment device
US6872581B2 (en) * 2001-04-16 2005-03-29 Nptest, Inc. Measuring back-side voltage of an integrated circuit
US6642726B2 (en) * 2001-06-29 2003-11-04 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for reliable and efficient detection of voltage contrast defects
DE10156210A1 (de) * 2001-11-15 2003-06-05 Infineon Technologies Ag Prüfanordnung zur messtechnischen Untersuchung einesPrüfobjektes, insbesondere in Form einer integrierten Schaltung
US6777964B2 (en) * 2002-01-25 2004-08-17 Cascade Microtech, Inc. Probe station
US6661009B1 (en) * 2002-05-31 2003-12-09 Fei Company Apparatus for tilting a beam system
US7036109B1 (en) 2002-10-17 2006-04-25 Credence Systems Corporation Imaging integrated circuits with focused ion beam
US9476911B2 (en) 2004-05-21 2016-10-25 Microprobe, Inc. Probes with high current carrying capability and laser machining methods
US7759949B2 (en) 2004-05-21 2010-07-20 Microprobe, Inc. Probes with self-cleaning blunt skates for contacting conductive pads
US8988091B2 (en) 2004-05-21 2015-03-24 Microprobe, Inc. Multiple contact probes
US7659739B2 (en) 2006-09-14 2010-02-09 Micro Porbe, Inc. Knee probe having reduced thickness section for control of scrub motion
US7733101B2 (en) 2004-05-21 2010-06-08 Microprobe, Inc. Knee probe having increased scrub motion
US9097740B2 (en) 2004-05-21 2015-08-04 Formfactor, Inc. Layered probes with core
USRE43503E1 (en) 2006-06-29 2012-07-10 Microprobe, Inc. Probe skates for electrical testing of convex pad topologies
KR20070045306A (ko) * 2004-09-01 2007-05-02 전자빔기술센터 주식회사 전자 칼럼용 모셔닝 장치
US7649367B2 (en) 2005-12-07 2010-01-19 Microprobe, Inc. Low profile probe having improved mechanical scrub and reduced contact inductance
US7312617B2 (en) 2006-03-20 2007-12-25 Microprobe, Inc. Space transformers employing wire bonds for interconnections with fine pitch contacts
US8907689B2 (en) 2006-10-11 2014-12-09 Microprobe, Inc. Probe retention arrangement
US7786740B2 (en) 2006-10-11 2010-08-31 Astria Semiconductor Holdings, Inc. Probe cards employing probes having retaining portions for potting in a potting region
US7514948B2 (en) 2007-04-10 2009-04-07 Microprobe, Inc. Vertical probe array arranged to provide space transformation
US7671610B2 (en) 2007-10-19 2010-03-02 Microprobe, Inc. Vertical guided probe array providing sideways scrub motion
US8723546B2 (en) 2007-10-19 2014-05-13 Microprobe, Inc. Vertical guided layered probe
US7733111B1 (en) * 2008-03-11 2010-06-08 Kla-Tencor Corporation Segmented optical and electrical testing for photovoltaic devices
US8230593B2 (en) 2008-05-29 2012-07-31 Microprobe, Inc. Probe bonding method having improved control of bonding material
US20130262015A1 (en) * 2012-03-29 2013-10-03 Travis W. L. White Annotating Measurement Results Data Capture Images with Instrumentation Configuration
JP7042071B2 (ja) 2016-12-20 2022-03-25 エフ・イ-・アイ・カンパニー eビーム操作用の局部的に排気された容積を用いる集積回路解析システムおよび方法
KR20190090710A (ko) 2018-01-25 2019-08-02 에프이아이 컴파니 하전 입자 빔을 사용하여 집적 회로 내의 고속 전기적 활성을 측정하는 방법 및 장치
US20190287762A1 (en) 2018-01-25 2019-09-19 Fei Company System and method of preparing integrated circuits for backside probing using charged particle beams

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3628012A (en) * 1969-04-03 1971-12-14 Graham Stuart Plows Scanning stereoscopic electron microscope
JPS5120256A (ja) * 1974-08-13 1976-02-18 Yotsukaichi Gosei Kk Horiechirenokisaidojushi soseibutsu
US4169244A (en) * 1978-02-03 1979-09-25 Plows Graham S Electron probe testing, analysis and fault diagnosis in electronic circuits
DE3110137A1 (de) * 1981-03-16 1982-09-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Aufzeichnung von sich nicht zyklisch wiederholenden logischen zustandsaenderungen an einer messstelle im innern von integrierten schaltungen mit der elektronensonde
JPS5870541A (ja) * 1981-10-23 1983-04-27 Fujitsu Ltd 集積回路の不良解析装置
EP0081295A1 (de) * 1981-11-12 1983-06-15 Hughes Aircraft Company Intelligente Sonde zur Prüfung von internen Knoten in einem schnellen Mikroschaltkreis
JPS58210631A (ja) * 1982-05-31 1983-12-07 Toshiba Corp 電子ビ−ムを用いたicテスタ
JPS58209138A (ja) * 1982-05-31 1983-12-06 Toshiba Corp 電子ビ−ムを用いたicテスタ
DE3234413A1 (de) * 1982-09-16 1984-03-22 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur automatischen fehlersuche im innern von vlsi-schaltungen mit einer elektronensonde und vorrichtung zur durchfuehrung eines solchen verfahrens
JPS5965441A (ja) * 1982-10-05 1984-04-13 Fujitsu Ltd 半導体集積回路の故障解析装置
JPS6059977U (ja) * 1983-09-30 1985-04-25 富士通株式会社 電子部品試験装置
JPS60165733A (ja) * 1984-02-08 1985-08-28 Toshiba Corp ストロボ走査型電子顕微鏡装置
DE3410477A1 (de) * 1984-03-22 1985-09-26 Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart Mobilfunkgeraet
DE3437550A1 (de) * 1984-10-12 1986-04-24 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur fehleranalyse an integrierten schaltungen
US4864228A (en) * 1985-03-15 1989-09-05 Fairchild Camera And Instrument Corporation Electron beam test probe for integrated circuit testing
JPH05187955A (ja) * 1992-07-16 1993-07-27 Sumitomo 3M Ltd 漏水検知帯及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0226494B1 (de) 1993-06-23
DE3688612D1 (de) 1993-07-29
JPS62276848A (ja) 1987-12-01
EP0226494A3 (en) 1988-08-24
US4706019A (en) 1987-11-10
CA1256587A (en) 1989-06-27
DE3688612T2 (de) 1993-10-28
JPH0815172B2 (ja) 1996-02-14
EP0226494A2 (de) 1987-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE226494T1 (de) System mit elektronenstrahlpruefsonde zum analysieren integrierter schaltungen.
EP0104577B1 (de) Verfahren zur kontaktlosen Prüfung eines Objekts, insbesondere von Mikroverdrahtungen, mit einer Korpuskularstrahl-Sonde
DE68914178T2 (de) Elektroumstrahlprüfung von elektronischen Komponenten.
EP0048857B1 (de) Anordnung für stroboskopische Potentialmessungen mit einem Elektronenstrahl-Messgerät und Verfahren zum Betrieb einer solchen Anordnung
EP0428663B1 (de) Verfahren und anordnung zur schnellen spektrumanalyse eines signals an einem oder mehreren messpunkten
EP0472938B1 (de) Anordnung zum Testen und Reparieren einer integrierten Schaltung
EP0196531B1 (de) Verfahren zur indirekten Bestimmung der Intensitätsverteilung der in einem Korpuskularstrahl-Messgerät erzeugten Korpuskularstrahlpulse
DE1598120B2 (de) Vorrichtung zur bestimmung des flaechenanteils verschiedener phasen auf oberflaechen heterogen aufgebauter metallischer oder nichtmetallischer stoffe
DE69212858T2 (de) Rückstreuionenspektrometer
EP0232790A1 (de) Verfahren und Anordnung zur Messung zeitabhängiger Signale mit einer Korpuskularsonde
DE3829770A1 (de) Verfahren und anordnung zur asynchronen messung von signalverlaeufen
DE1946931A1 (de) Verfahren zum Pruefen von Schaltungen und Vorrichtung zur Ausfuehrung des Verfahrens
DE4002531A1 (de) Verfahren und anordnung zur spektralanalyse eines signals
DE889804C (de) Messanordnung zur Ermittlung von AEnderungen des Wellenwiderstandes elektrischer Leitungen durch Aussendung eines Pruefimpulses in die Leitung und Auswertung eines reflektierten Anteils der Energie des Pruefimpulses nach Intensitaet, Phasenlage und Laufzeit
DE923136C (de) Einrichtung zum Messen des Nebensprechens zwischen zwei Kreisen
EP0395679A1 (de) Verfahren und anordnung zur messung des signalverlaufs an einem messpunkt einer probe.
DE2833608A1 (de) Vorrichtung zum bestimmen der laufzeit in elektronischen schaltungen
DE1903040C3 (de) Gerät zur Anzeige mehrerer physiologischer Meßspannungen
SU1095104A1 (ru) Способ измерени апертурной характеристики электронно-лучевых приборов
DE865779C (de) Blutzaehlapparat
DE2705417A1 (de) Anordnung zum ein- und austasten des elektronenstrahls eines elektronenmikroskops
DE102023102206A1 (de) Kontrastmessung zur Laserpulseinstellung
DE1177245B (de) Verfahren zur Messung der Verluste von ferromagnetischen und ferroelektrischen Werkstoffen mittels einer Elektronenstrahlroehre
DE4023387A1 (de) Verfahren zur probenschonenden erzeugung eines logikbildes
DE1537427C (de) Anordnung für die bipolare Triggerung von Ozsillographen