DE2260389A1 - SAMPLE AMPLIFIER - Google Patents
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Description
Advanced Memory Systems, Inc.Advanced Memory Systems, Inc.
Sunnyvale, Bezirk Santa Clara, Kalifornien (V.St.A.)Sunnyvale, Santa Clara Ward, California (V.St.A.)
AbtastverstärkerSense amplifier
Die Erfindung bezieht sich.auf einen Abtastverstärker mit Transistoren des gleichen Leitungstyps und einer Ausgangsstufe. Der Abtastverstärker spricht auf ein Differenz-Eingangssignal an und hat einen Eintaktausgang. The invention relates to a sense amplifier with transistors of the same conductivity type and an output stage. The sense amplifier responds Differential input signal and has a single ended output.
Es sind verschiedene Logikschaltungen mit herkömmlichen Logikelementen in jeder dieser Schaltungen bekannt, die in Digitalanlagen Verwendung finden. Solche Logikschaltungen umfassen eiiie Diodenlogik, eine Widerstands-Trans Lstorlogik, eine Dioden-Transistorlogik und eine fransi-stor-Transistorlogik* Es gibt außerdem bereits eine Logikgruppe; die in der Regel als emittergekoppelte Locfik (ECL) bezeichnet wlid·; mitunter wird diese Logik v/t"; μ?η der Arty :n..t ler ale 3üha 1.tEnnktIonen erfoLgen, auch als Strocnmociealoylk. Lt-. zu lehnet.,. Die ECL-liOijik kann allgemein aL^ -Transistor lotj LJc "gekennzeichnet werden.Various logic circuits with conventional logic elements in each of these circuits are known which are used in digital systems. Such logic circuits include a diode logic, a resistor-transistor logic, a diode-transistor logic and a French-stor-transistor logic * There is also already a logic group ; which is usually referred to as the emitter-coupled locfik (ECL) wlid ·; Sometimes this logic v / t "; μ? η of the type y : n..t ler ale 3üha 1. tEnnkt ions obeyed, also as Strocnmociealoylk. Lt-. to reject.,. The ECL-liOijik can generally aL ^ - Transistor lotj LJc "will be marked.
badbath
3 03 0
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deren Transistoren nicht in den Bereich der Sättigung ausgesteuert werden, so daß das in typischer Weise aufgrund der Sättigung in einigen anderen Logikschaltungen auftretende Problem der Sperrträgheit vermieden wird. Außerdem zeichnet sich die emittergekoppelte Logik allgemein als Stromschalt— logik aus, die in typischer Funktionsweise einen im wesentlichen konstanten Strom zwischen zwei Wegen in Abhängigkeit von einer am Eingang anstehenden Spannung oder Differenzspannung schaltet» Dadurch werden große Übergänge an den Versorgungsleitungen vermieden, und außerdem sind sehr schnelle Logikelemente realisierbar, da die Stromschaltung allgemein bei relativ geringen Spannungsdifferenzen erfolgt. Das heißt, die derartigen Schaltungen zugeordneten Impedanz sind in charakteristischer Ausführung sehr klein und führen zu niedrigen RC-Zeitkonstanten bei Vorhandensein von Element- und Zuleitungskapazitäten. whose transistors are not driven into the range of saturation, so that the problem of reverse inertia that typically occurs due to saturation in some other logic circuits is avoided. In addition, the emitter-coupled logic is characterized generally as current scarf t- logic of which are in typical operation "switches a substantially constant current between two paths in response to an applied at input voltage or difference voltage This large transitions are avoided on the supply lines, and also very fast logic elements can be implemented, since the current switching generally takes place with relatively small voltage differences. This means that the impedance associated with such circuits is very small in its characteristic design and leads to low RC time constants in the presence of element and lead capacitances.
Die Erfindung schafft einen Hochgeschwindigkeits-Abtastverstärker, der eine monolithis-che "Integration ermöglicht und demzufolge Teil einer Speicherschaltung bilden kann. Dieser Abtastverstärker ist wegen seiner charakteristisch hohen Schaltgeschwindigkeit besonders zweckmäßig bei ECL-Logikschaltungen, da gerade bei derartigen Schaltungen die Schaltgeschwindigkeit jedes Elements eine beachtliche Bedeutung hat. Daher wird die Erfindung und auch der bekannte Stand der Technik im folgenden Insbesondere in Bezug auf die ECL-Logik beschrieben, wobei dieser Anwendungsfall selbstverständlich nur als Beispiel angegeben ist, da sich die erfindungsgemäße Abtastverstärkerschaltung auch mit ähnlichen Vorteilen bei anderen Logikgattungen verwenden Läßt.The invention provides a high speed sense amplifier, which enables a monolithic "integration and consequently can form part of a memory circuit. This sense amplifier is because of its characteristically high Switching speed is particularly useful for ECL logic circuits, because the switching speed of each element is of considerable importance in such circuits Has. Therefore, the invention and also the known prior art are described below in particular with regard to the ECL logic described, this application is of course only given as an example, since the inventive Sense amplifier circuit can also be used with similar advantages in other types of logic.
Bekannte Abtastverstärker weisen eLnen Differential- bzw. Differenzeingang auf, dessen beiden Eingangsanschlüsr.e dLrekt mit der Basis eines zugehörigen Transistors verbunden sind, so daß eine Elngangs-Differenaverstärkunj hervorgerufen wird. Da die Basisimpedanz eines Transistors in der Regel hoch Ist, sind die Eingangsanschlüsse auch in t/pLscher AusführungKnown sampling amplifiers have a differential or Differential input, whose two input connections e dLrect are connected to the base of an associated transistor, so that an initial differential gain is caused. Since the base impedance of a transistor is usually high, the input connections are also in t / pL design
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PATENTANWÄLTE ZENZ & HELBER . ESSEN 1, ALFREDSTRASSE 383 · TEL..-(02141) 472687 Seite 3PATENT LAWYERS ZENZ & HELBER. ESSEN 1, ALFREDSTRASSE 383 TEL ..- (02141) 472687 Page 3
mit einer Bezugsspannung widerstandsgekoppelt, so daß die RC-Zeitkonstante in erster Linie von dem Wert der zuletzt genannten Widerstände und weniger von der Basisimpedanz der Transistoren abhängig isto Resistance-coupled to a reference voltage, so that the RC time constant is primarily dependent on the value of the last-mentioned resistors and less on the base impedance of the transistors, etc.
Die obige Schaltung kann mit ausreichender Geschwindigkeit betrieben werden, indem die Widerstandswerte der Widerstände für solche Anwendungsfälle relativ niedrig gewählt werden, bei denen der Eingangs-Differenzstrom ausreicht, um'einen befriedigenden Basisspannungstmb an den beiden Eingangstransistoren hervorzurufen. Wenn jedoch der Eingangsstrom abnimmt, muß der Widerstandswert der beiden Widerstände vergrößert werden, um einen Minimalwert der Lese-Differenzspannung (typisch angenähert 200 mV) aufrecht zu erhaltenο Demgemäß muß die Eingangsimpedanz in einem solchen Anwendungsfall beträchtlich vergrößert werden, was zu wesentlich größerer Ansprechzeit führt. Um daher die im Prinzip mögliche hohe Geschwindigkeit eines solchen Verstärkers zu erhalten, müssen die anderen Teile der Speicherschaltung so ausgelegt sein, daß sie einen angemessenen Eingangsstrom entwickeln, damit die an den Basiselektroden der Eingangstransistoren liegenden Widerstände relativ klein gehalten werden können» Es ist jedoch zu beachten, daß es bei integriertenSchaltungen eine obere Grenze für die durch die Schaltung aufnehmbare Leistung gibt. Daher müssen bei einer Speicherschaltung die Werte der in der Schaltung selbst geführten Ströme abnehmen, wenn die Zahl der Komponenten (Bits pro Baugruppe) zunimmt. Demzufolge müssen die Bit-Leitungsströme mit zunehmender Kapazität kleiner werden, wodurch die Ansprechzeit bekannter Abtastverstärker vergrößert wird. Außerdem müssen mehr Transistoren für die Abtast/Schreib-Kopplungselektronik vorgesehen werden, wenn die Speicherkapazität infolge eines Anwachsens der Anzahl von Speicherspalten zunimmt, wodurch die Gesamtkapazität am Eingangsanschluß des Abtastverstärkers anwächstο Daraus ergibt sich, daß bei bekannten Abtastverstärkern die Speicherkapazi= tat und/oder die Geschwindigkeit, einer Speicherschaltung aufgrund der zuvor genannten Beschränkungen begrenzt sind bzw*, ist.The above circuit can be operated at sufficient speed by changing the resistance values of the resistors be chosen relatively low for those applications in which the input differential current is sufficient to'einen satisfactory base voltage at the two input transistors to evoke. However, as the input current decreases, the resistance of the two resistors must increase be to a minimum value of the read differential voltage (typically approx. 200 mV) to be maintained ο Accordingly, in such an application, the input impedance must be increased considerably, resulting in much larger Response time leads. In order to obtain the high speed of such an amplifier that is possible in principle, it is necessary to the other parts of the memory circuit can be designed to develop an adequate input current to enable the the resistances lying on the base electrodes of the input transistors can be kept relatively small note that with integrated circuits there is a upper limit for the power that can be absorbed by the circuit. Therefore, in a memory circuit, the values of the Currents carried in the circuit itself decrease when the number of components (bits per module) increases. As a result the bit line currents must decrease with increasing capacity , whereby the response time of known sense amplifiers is increased. Also need more transistors for that Scan / write coupling electronics can be provided, though the storage capacity increases due to an increase in the number of storage columns, thereby increasing the total capacity at the input port of the sampling amplifier grows ο From this it follows that in known sampling amplifiers the storage capacity = did and / or the speed, due to a memory circuit of the aforementioned restrictions are limited or *, is.
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Seife 4 <f . Soap 4 <f .
Hit der Erfindung werden diese, bekannten Abtastverstärkern anhaftenden Probleme weitgehend ausgeräumt. Ausgehend von einem Abtastverstärker der eingangs angegebenen Art, schlägt die Erfindung zu diesem Zweck vor, daß erste und zweite Transistoren mit zusammengeschalteten Basiselektroden an einem ersten Anschluß liegen und mit ihren Kollektoren über erste bzw. zweite Widerstände in der Ausgangsstufe mit einem zweiten Anschluß verbunden sind, daß der Kollektor des ersten • Transistors außerdem mit dem Kollektor eines dritten Transistors und der Kollektor des zweiten Transistors mit dem Kollektor eines vierten Transistors gekoppelt ist, daß der Emitter des ersten Transistors mit der Basis des vierten Transistors, einem dritten Anschluß und einer ersten Stromquelle verbunden ist, daß ferner der Emitter des zweiten Transistors mit der Basis des dritten Transistors, einem vierten Anschluß und einer zweiten Stromquelle gekoppelt ist, und daß die Emitter des dritten und des vierten Transistors zusammengeschaltet und mit einer dritten Stromquelle verbunden sind, wobei die Ausgangsstufe an die Kollektoren der ersten und zweiten Transistoren angeschaltet ist und an ihrem Ausgangsanschluß in Abhängigkeit von dem Differenzsignal zwischen den ersten und zweiten Widerständen ein kompatibles Logiksignal entwickelt.These known sampling amplifiers are a hit of the invention remaining problems largely resolved. Starting from a sampling amplifier of the type specified at the outset, suggests the invention for this purpose proposes that first and second Transistors with interconnected base electrodes are connected to a first terminal and have their collectors above first and second resistors in the output stage with a second terminal are connected that the collector of the first • transistor also with the collector of a third transistor and the collector of the second transistor with the Collector of a fourth transistor is coupled that the emitter of the first transistor to the base of the fourth Transistor, a third terminal and a first current source is connected, that also the emitter of the second Transistor is coupled to the base of the third transistor, a fourth terminal and a second current source, and that the emitters of the third and fourth transistor are interconnected and connected to a third current source with the output stage connected to the collectors of the first and second transistors and to their output terminal a compatible logic signal as a function of the difference signal between the first and second resistors developed.
Die Erfindung stellt also einen Hochgeschwindigkeitsabtastverstärker zur Verfügung, der zur Verwendung mit ECL-kompatiblen, integrierten Speicherkomponenten besonders geeignet ist. Der Abtastverstärker ist im Prinzip ein zweistufiger Verstärker mit einer Differenzeingangsströme aufnehmenden Eingangsstufe und einer Ausgangsstufe mit ECL-kompatiblem Eintaktausgangο Die Eingangsstufe ist ein Differenzstromverstärker mit niedriger Eingangsimpedanz, und die Ausgangsstufe ist ein differenzgesteuerter Stromschalter, der in typischer Ausführung mit einem herkömmlichen Eintakt-ECL-Emltterfolgerausgang gekoppelt ist. De'r Differenzstromverstärker j der die Eingangsstufe bil- ' det, gewährleistet eine niedrige Eingangsimpedanz auch inner-The invention thus provides a high speed sense amplifier available for use with ECL-compatible, integrated memory components is particularly suitable. The sense amplifier is basically a two-stage amplifier with an input stage absorbing differential input currents and an output stage with ECL-compatible single-ended output ο The input stage is a low input impedance differential current amplifier and the output stage is differential controlled Current switch, which is typically coupled to a conventional single-ended ECL output follower is. The differential current amplifier that forms the input stage det, ensures a low input impedance even within
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PATENTANWÄLTE ZENZ 4 HELlER · ESSEN 1, ALFREDSTRASSE 383 · TEL.: (02U1) 472(587PATENTANWÄLTE ZENZ 4 HELlER ESSEN 1, ALFREDSTRASSE 383 TEL .: (02U1) 472 (587
halb solcher Schaltungen; welche nur einen kleinen Eingangsstrom liefern« Dementsprechend kura ist die Ansprechzeit des Verstärkers auch bei Vorhandensein einer relativ hohen Kapazität an den Eingangsanschlüssen aufgrund einer mit diesen verbundenen Schaltung^half of such circuits; which only supply a small input current «The response time is correspondingly short of the amplifier even in the presence of a relatively high Capacity at the input terminals due to a circuit connected to them ^
Gemäß Weiterbildung der Erfindung ist eine Sperrschaltung vorgesehen, welche das Ausgangssignal des Abtastverstärkers unabhängig von dem Zustand der Eingangssignale sperrt, ohne eine der aktiven Komponenten des Verstärkers in den Sättigungsbereich auszusteuern, wodurch eine rasche Rückstellung aus dem Sperrzustand möglich wird. Die erfindungsgemäß aufgebaute Abtastverstärkerschaltung kann in Verbindung entweder mit aktiven oder passiven Stromquellen verwendet und mit einer herkömmlichen 5 Volt ECL Versorgungsspannung betrieben werden.According to a further development of the invention, there is a blocking circuit provided, which is the output signal of the sense amplifier blocks regardless of the state of the input signals, without driving any of the active components of the amplifier into the saturation range, which results in a quick reset the lock state becomes possible. The sense amplifier circuit constructed according to the invention can be connected to either used with active or passive power sources and operated with a conventional 5 volt ECL supply voltage.
In der Zeichnung zeigt;In the drawing shows;
Fig. 1 ein Blockdiagramm einer typischen Speichermatrix, anhand dessen die Verwendung des Abtastverstärkers beschrieben wirdj undFig. 1 is a block diagram of a typical memory array; on the basis of which the use of the sense amplifier is described j and
Pig, 2 ein Schaltbild einer bevorzugten Ausführungsforra des neuen Abtastverstärkers.Pig, 2 is a circuit diagram of a preferred embodiment of the new sampling amplifier.
In .Fig. 1 ist ein Blockschaltbild eines üblicherweise bei einer Speichermatrix verwendeten Abtastverstärker und eine Kopplungselektronik gezeigt« Bei dem dargestellten Aus führungsbeispiel ist die Speichermatrix 20 eine 128 Bit-Speichermatrix, die aus 16 Zeilen und 8 Spalten besteht. Durch Anwahl einer Zeile und einer Spalte über eine nichtdargestellte Schaltung kann jeder der 128 Bit-Speicherräume bzw. «platze zum Einschreiben oder Auslesen.durch die Abtast/Schreib-Kopplungselektronik 22 angewählt werden. Die Abtast/Schreib-Kopplungselektronik wird von einer pufferschaltung und Logik 24 gesteuert, welche ein entweder eine Lese- oder Schreiboperation steuerndes Signal entwickelt und im Falle einerIn .Fig. 1 is a block diagram of one commonly used at a memory matrix used sense amplifier and coupling electronics «In the illustrated embodiment the memory matrix 20 is a 128 bit memory matrix consisting of 16 rows and 8 columns. By selection a row and a column over a not shown Circuit can each of the 128 bit memory spaces or «bursts for writing in or reading out by the scan / write coupling electronics 22 can be selected. The read / write coupling electronics is made by a buffer circuit and logic 24 controls which one is either a read or write operation controlling signal developed and in the event of a
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Schreiboperation die Daten in die Kopplungselektronik einführt· Wenn ein Lesesignal ansteht, erscheint ein-Differenzstrom-Ausgangssignal (das Wort Ausgangssignal wird im allgemeinen Sinne verstanden, wobei die positiven Strom-"Ausgänge" durch dieίϊeiIe 126 und 128 in den Fig. 1 und 2 definiert sind) auf den Leitungen 26 und 28 entsprechend dem logischen Zustand des über eine Zeilenansteuerleitung und eine Spaltenansteuerleitung angewählten Speicherplatzes. Der Differenzstrom wird von einem Abtastverstärker abgetastet und verstärkt, wobei der Abtastverstärker generell auf der Leitung 32 ein Ausgangssignal entwickelt, das mit der jeweils verwendeten besonderen Logikschaltung kompatibel bzw. vereinbar 1st. Wie zuvor erwähnt, zeigt der neue Abtastverstärker eine ungewöhnlich hohe Betriebsgeschwindigkeit, wodurch er für die ECL-Logik besonders geeignet wird. Daher ist das bei dem beschriebenen AusfUhrungsbeispiel auf der Leitung 32 erscheinende Ausgangssignal ein mit der ECL-Loglk kompatibles Ausgangssignal.Write operation introduces data into the coupling electronics · If a read signal is present, a differential current output signal appears (the word output signal is understood in the general sense, whereby the positive current "outputs" are defined by the elements 126 and 128 in FIGS. 1 and 2) on lines 26 and 28 according to the logic state des via a row control line and a column control line selected memory location. The differential current is sampled and amplified by a sense amplifier, the sense amplifier generally having an output signal on line 32 that is compatible or compatible with the particular logic circuit used. As previously mentioned, the new sense amplifier shows an unusually high operating speed, which makes it particularly useful for the ECL logic becomes suitable. This is therefore the case with the exemplary embodiment described output signal appearing on line 32 is an output signal compatible with the ECL-Loglk.
Ein Abtastverstärker, wie der Verstärker 30, hat einen Sperreingang bzw. eine Sperrleitung 34, der bzw. die das Ausgangssignal des Abtastverstärkers unabhängig von dem an den Leitungen 26 und 28 anstehenden Differenzsignal sperrt. In Fig. 1 ist außerdem gestrichelt ein Kondensator an jeder der Eingangsleitungen 26 und 28 gezeigt. Diese Kondensatoren sind nicht als Bauelemente in die Schaltung eingesetzt, sondern stellen unvermeidbare Kapazitäten zwischen den Leitungswegen in der integrierten Schaltung und in dem Substrat darο Es gibt selbstverständlich auch eine gewisse Kapazität zwischen den beiden Leitungen 26 und 28, die jedoch durch geeignete Anordnung dieser Leitungen zueinander und in Bezug auf das Substrat in sinnvollen Grenzen gehalten werden kann»A sense amplifier, such as amplifier 30, has an inhibit input and a blocking line 34, which is the output signal of the sampling amplifier blocks independently of the difference signal present on lines 26 and 28. In Fig. 1 is also shown in phantom is a capacitor on each of the input lines 26 and 28. These capacitors are not used as components in the circuit, but represent unavoidable capacitances between the conduction paths in the integrated circuit and in the substrate darο There is of course a certain capacitance between the two Lines 26 and 28, which, however, can be achieved by suitably arranging these lines in relation to one another and in relation to the substrate in FIG reasonable limits can be kept »
Es ist zu beachten, daß die Ströme 126 und 128 in den Leitungen 26 bzw. 28 als aus dem Abtastverstärker 30 austretend dargestellt sind. Diese Stromrichtung ist charakteristisch für die It should be noted that currents 126 and 128 in the lines 26 and 28, respectively, are shown as emerging from the sense amplifier 30. This direction of current is characteristic of the
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emittergekoppelte Logik, und die Sperrträgheit oder Ansprechzeit des Abtastverstärkers auf das Anlegen von Differenzströraen auf die Leitungen 126 und 128 wird in erster Linie von der Eingangsimpedanz des Verstärkers und der Größe der kapazitiven Last an der Eingangsleitung, intern oder extern, bestimmt· Bei dem besonderen Anwendungsfall, für den eine Ausführungsform des neuen Verstärkers verwendet wurde, ist die Arbeitsweise der Abtast/Schreib-Kopplungselektronlk 22 so vorgesehen, daß sich das Ausgangssignal während des Lesevorgangs im wahren bzw* richtigen Zustand befindet, wenn ein Strom 126 vorhanden ist (z«B. wenn die Spannung auf der Leitung 26 kleiner als diejenige auf der Leitung 28 ist)| es sollte sich im falschen Zustand befinden, wenn ein Strom 128 vorhanden ist, wobei die Ströme X26 und 128 generell nicht gleichzeitig auftreten. Wenn ein Sperrsignal an die Leitung 34 angelegt wird (charakteristisch während eines Schreibvorgangs des Speichers) wird der Ausgang des Abtastverstärkers unabhängig von kleineren Strömen auf den Leitungen 26 und 28 (z.B. niedriger oder SIgnal~Pegel im Vergleich zur Stromquelle 152) auf den falschen Zustand festgelegt. Selbstverständlich ist die Sperrträgheit bzw«. Erholungszeit des Verstärkers bei Abtrennung des Sperrsignals ebenfalls ein wesentlicher Parameter für einen solchen Abtastverstärker.emitter-coupled logic, and the blocking inertia or response time of the sampling amplifier to the application of differential currents on lines 126 and 128 is determined primarily by the input impedance of the amplifier and the size of the capacitive load on the input line, internal or external, determined · In the particular application, for one Embodiment of the new amplifier was used is the operation of the scan / write coupling electronics 22 so provided that the output signal is during the reading process is in the true or correct state when a current 126 is present (e.g. when the voltage is on of line 26 is smaller than that on line 28) | it should be in the wrong state when a stream 128 is present, with streams X26 and 128 generally do not occur at the same time. When a lock signal is sent to the Line 34 is applied (typically during a write operation of the memory) becomes the output of the sense amplifier regardless of smaller currents on lines 26 and 28 (e.g. lower or signal level compared to Power source 152) set to the wrong state. Of course is the blocking inertia or «. Recovery time of the amplifier when the lock signal is disconnected essential parameter for such a sampling amplifier.
In Pig. 2, auf die im folgenden eingegangen wird, ist ein schematlsches Schaltbild des bevorzugten Ausführungsbeispiels des neuen Abtastverstärkers gezeigt» Ein Anschluß ist mit einer ersten Versorgungsspannung, die hier als VCC bezeichnet wird, verbunden, ein Anschluß 42 liegt an einer zweiten Versorgungs- oder Bezugsspannung Vl, die etwas nie driger als VCC ist, und Stromquellen 44, 46, 48, 50, 52 und 54 sind jeweils mit einer noch niedrigeren Versorgungs·= . spannung verbunden, die nicht bezeichnet Ist» Die Stromquellen 44 bis 54 können entweder passive oder aktive Quellen, d.h. jeweils einfach als hoher Widerstand ausgebildet sein, oder sie können als transistorisierte Stromquelle aufgebautIn Pig. Referring now to Fig. 2, a schematic diagram of the preferred embodiment of the new sense amplifier is shown is connected to a first supply voltage, referred to herein as VCC, and terminal 42 is connected to one second supply or reference voltage Vl, which is something never driger as VCC, and current sources 44, 46, 48, 50, 52 and 54 are each with an even lower supply · =. voltage connected, which is not designated »The current sources 44 to 54 can be either passive or active sources, i.e. each can be designed simply as a high resistance, or they can be constructed as a transistorized current source
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sein, um eine offensichtlich höhere Impedanz für den Strom und Spannungsabfall als mittels eines Widerstandes zu erreichen. Derartige aktive Stromquellen sind bekannt und werden daher im folgenden nicht beschrieben. (In diesem Zusammenhang sollte beachtet werden, daß der Ausdruck "Stromquelle" oder "Stromquellen" im folgenden im allgemeinen Sinn gebraucht wird und sowohl Stromquellen als auch -senken bezeichnet, und zwar je nach dem Leitungstyp der zum Aufbau des Verstärkers benutzten Transistoren . Wenn auch das bevorzugte Ausführungsbeispiel npn-Transistoren und Stromsenken benutzt, können pnp-Transistoren und Stromquellen zum Aufbau eines direkt äquivalenten Verstärkers verwendet werden.)its to be an obviously higher impedance for the current and voltage drop than to be achieved by means of a resistor. Such active power sources are known and are therefore not described below. (In this context it should be noted that the term "current source" or "current sources" in the following in general Sense is used and denotes both current sources and sinks, depending on the type of line used for the construction of the amplifier used transistors. Albeit the preferred embodiment npn transistors and current sinks used, pnp transistors and current sources can be used to build a direct equivalent amplifier.)
Die Eingangsleitungen 26 und 28 sind die in Fig. 1 gezeigten Differenzstrom-Eingangsleitungen. Die Leitung 26 1st mit der Stromquelle 50, dem Emitter eines Transistors Q6 und der Basis eines Transistors Q8 verbunden. In ähnlicher Weise ist die Leitung 28 an die Stromquelle 54, die Basis eines Transistors Q9 und den Emitter eines Transistors Q7 angeschaltet. Die Basiselektroden der Transistoren Q6 undQ7 sind zusammengeschaltet und mit dem Anschluß 42 verbunden. Der Kollektor des Transistors Q6 ist über einen Widerstand Rl mit dem Anschluß 40 verbunden und an den Kollektor des Transistors Q9 angeschaltet. In ähnlicher Weise ist der Kollektor des Transietors Q7 über einen Widerstand R2 mit demAnSchluß 40 gekoppelt und mit dem Kollektor des Transistors Q8 verbunden. Der Kollektor des Transistors Q8 ist außerdem mit dem Kollektor eines Transistors QlO verbunden, wobei die Basiselektroden der Transistoren Q8, Q9 und QlO zusammengeschlossen sind und an der Stromquelle 52 liegen. Die Basis des Transistors QlO ist mit dsm Anschluß 34 verbunden, der das Ausgangssignal des Abtast·» Verstärkers bei Erscheinen eines Sperrsignals sperrt.The input lines 26 and 28 are the differential current input lines shown in FIG. The line 26 is with the Current source 50, the emitter of a transistor Q6 and the base of a transistor Q8. Similarly, the Line 28 to current source 54, the base of a transistor Q9 and the emitter of a transistor Q7 are turned on. The base electrodes of the transistors Q6 and Q7 are connected together and connected to terminal 42. The collector of the transistor Q6 is connected to the terminal via a resistor R1 40 and turned on to the collector of transistor Q9. Similarly, the collector of the transit port Q7 is coupled to terminal 40 through a resistor R2 and connected to the collector of transistor Q8. The collector of transistor Q8 is also connected to the collector of a transistor QlO connected, wherein the base electrodes of the transistors Q8, Q9 and QlO are connected and at the Power source 52 lie. The base of the transistor Q10 is connected to the dsm terminal 34, which is the output signal of the sampling · » The amplifier locks when a lock signal appears.
Ferner sind die Basiselektroden der Transistoren Ql bzw· Q2 mit den Kollektoren der Transistoren Q6 bzw. Q7 verbunden,Furthermore, the base electrodes of the transistors are Q1 and Q2, respectively connected to the collectors of transistors Q6 and Q7,
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und die Kollektoren der Transistoren Ql und Q2 liegen gemeinsam am Anschluß 40. Die Emitter der Transistoren Ql und' Q2 sind mit Stromquellen 44 bzw=, 48 und den Basiselektroden von Transistoren Q3 bzw«. Q4 verbundene Die Emit-, ter der Transistoren Q3 und Q4 sind zusammengeschaltet und liegen an der Stromquelle 46. Der Kollektor des Transistors Q4 ist mit dem Anschluß 40 verbunden, und der Kollektor des Transistors Q3 ist über einen Widerstand R3 mit dem Anschluß 40 gekoppelt und mit der Basis eines Transistors Q5 verbunden. Der Kollektor des Transistors Q5 liegt am Anschluß 40, und sein Emitter ist mit dem Anschluß 32 verbunden, der den Eintaktausgang des Verstärkers darstellt.and the collectors of transistors Ql and Q2 are common at terminal 40. The emitters of transistors Q1 and Q2 are connected to current sources 44 and 48 and the base electrodes of transistors Q3 and ". Q4 connected the issuance, The transistors Q3 and Q4 are connected together and are connected to the current source 46. The collector of the transistor Q4 is connected to terminal 40 and the collector of transistor Q3 is through resistor R3 coupled to terminal 40 and connected to the base of a transistor Q5. The collector of the transistor Q5 is connected to terminal 40 and its emitter is connected to terminal 32 which is the single ended output of the amplifier represents.
Die Emitter-Basis-Übergänge der Transistoren Q6 und Q7 dienen als-nichtlineare Belastungen für den Eingangsstrom auf den Leitungen 26 und 28. Die mittlere Eingangsimpedanz des Verstärkers ist durch den Wert bzw. die Größe der Eingangsstromquellen 50 und 54 und den Mittelwert des an den Eingang angelegten Abtaststroms bestimmt. Genauer gesagt, da die Impedanz, d.h. der dynamische Widerstand der Emitter-Basis-Diode in einer umgekehrten Beziehung zum Emitterstrom steht, kann die effektive Eingangsimpedanz des Verstärkers durch Vergrößerung der Werte der Stromquellen 50 und 54 vermindert werden.The emitter-base junctions of transistors Q6 and Q7 serve as non-linear loads on the input current on lines 26 and 28. The mean input impedance of the amplifier is determined by the value or size of the Input current sources 50 and 54 and the mean value of the sample current applied to the input is determined. More precisely, because the impedance, i.e. the dynamic resistance of the emitter-base diode is inversely related to the emitter current the effective input impedance of the amplifier can be reduced by increasing the values of the current sources 50 and 54 will.
Die Transistoren Q8 und Q9 und die Stromquelle 52 bilden einen Differenz- bzw. Differentialverstärkere Auch bei dem bevorzugten Ausführungsöeispiel ist die Schaltung in Monolithischer Form hergestellt, wobei alle Transistoren gleichzeitig in das Substrat eindiffundiert werden. Daher sind die Transistoren Q6, Q7, QS und Q9 im wesentlichen identisch, so daß auch die nichtlinearen Strom~Spanntmgs-*>Charakteristiken ihrer Emitter-Basis-Übergänge übereinstimmen. Wie zu sehen ist, sind außerdem die Basiselektroden der Transistoren Q6 und Q7 ebenso wie die Emitter der Transistoren Q8 und Q9 zusammengeschlossen. InThe transistors Q8 and Q9 and the current source 52 form a differential amplifier. Also in the preferred embodiment, the circuit is made in monolithic form, with all the transistors being diffused into the substrate at the same time. Therefore, the transistors Q6, Q7, QS and Q9 are essentially identical, so that the non-linear current ~ voltage - *> characteristics of their emitter-base junctions also match. Also, as can be seen, the bases of transistors Q6 and Q7 are connected together as are the emitters of transistors Q8 and Q9. In
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ähnlicher Weise sind die Basiselektroden der Transistoren Q8 bzw. Q9 mit den Emittern der Transistoren Q6 bzw. Q7 gekoppelt. Demgemäß muß die Basis-Emitter-Spannungsdifferenz zwischen den Transistoren Q8 und Q9 gleich der Basis-Emitter-Spannungsdifferenz zwischen den Transistoren Q7 und Q6 sein. Vernachlässigt man die Basisströme, so heben die nichtlinearen Charakteristiken der Emitter-Basis-Dioden einander auf, was zu der einfachen Proportionalbeziehung führt, daß der Strom im Transistor Q6, geteilt durch den Strom im Transistor Q7 gleich dem Strom im Transistor Q9 geteilt durch den Strom im Transistor Q8 ist. Die Stromverstärkung der Eingangsstufe, die als (160 - 162),geteilt durch die Eingangsstromdifferenz auf den Leitungen 26 und 28 ausdrückbar ist, beträgt angenähert 1 + 152/2 150, wobei 152 der Strom in der Stromquelle 52, und 150 der Strom in der Stromquelle 50 ist (der Strom in der Stromquelle 54 wird gleich demjenigen in der Stromquelle 52 angenommen).Similarly, the bases of transistors Q8 and Q9 are coupled to the emitters of transistors Q6 and Q7, respectively. Accordingly, the base-emitter voltage difference between transistors Q8 and Q9 must be equal to the base-emitter voltage difference between transistors Q7 and Q6. If the base currents are neglected, the non-linear characteristics of the emitter-base diodes increase one another resulting in the simple proportional relationship that the current in transistor Q6 divided by the current in transistor Q7 is equal to the current in transistor Q9 divided by the current in transistor Q8. The input stage current gain, expressed as (160-162), divided by the input current difference on lines 26 and 28 is approximately 1 + 152/2 150, where 152 is the current in the power source 52, and 150 is the current in the current source 50 (the current in the current source 54 becomes equal to that in the Current source 52 assumed).
Bei vielen Anwendungsfällen wird der neue Abtastverstärker nicht mit einem echten Differenzeingang verwendet* sondern ein Strom in der Leitung 26 stellt bei einem Strom von etwa Null in der Leitung 28 einen wahren oder richtigen Zustand dar, während ein Strom in der Leitung 28 bei einem Strom von etwa Null in der Leitung 26 den falschen Zustand darstellt. In einen solchen Fall wird die Verstärkung der Eingangsstufe angenähert zu 1 + 152/ (2 150 + Iin)» wobei Iin der Strom in der Eingangsleitung 26 bzw. 28 ist.In many applications, the new sense amplifier is not used with a true differential input * but a current in line 26 represents a true or correct state with a current of approximately zero in line 28, while a current in line 28 with a current of about zero on line 26 represents the wrong condition. In such a case, the gain of the input stage approximates 1 + 152 / (2 150 + I in ) »where I in is the current in input line 26 and 28, respectively.
Die verstärkten Ströme 160 und 162 fließen durch Widerstände Rl bzw. R2 und rufen eine Differenzspannung zwischen den Basen der Transistoren Ql und Q2 hervor. Diese beiden Transistoren sind mit Stromquellen 44 und 48 verbunden und wirken als Emitterfolger zur Ansteuerung der Basiselektroden der Transistoren Q3 bzw. Q4. Die Emitter der Transistoren Q3 und Q4 sind zusammengeschlossen und liegen an der Stromquelle 46, wodurch ein Differenzstrom-Schaltverstärker gebildet wird, der den StromThe amplified currents 160 and 162 flow through resistors R1 or R2 and call a differential voltage between the bases the transistors Ql and Q2 emerge. These two transistors are connected to current sources 44 and 48 and act as emitter followers to control the base electrodes of the transistors Q3 and Q4. The emitters of the transistors Q3 and Q4 are connected together and are at the current source 46, whereby a differential current switching amplifier is formed, which the current
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der Stromquelle 46 entweder nach unten durch den Transistor Q3 oder durch den Transistor Q4 schickt, je nach dem am Abtastverstärker anstehenden Eingangssignal* Wenn daher der Strom für die Stromquelle 146 durch den Transistor Q4 fließt, ist der Widerstand R3 im wesentlichen stromlos9 und die Basisdes Transistors Q5 liegt im wesentlichen auf der am Anschluß 40 anstehenden positiven Speisespannung. Der Transistor Q5 wirkt als Emitterfolger, und wenn seine Basis auf der positiven Speisespannung, z.B. dem wahren bzw. richtigen Zustand liegt, befindet sich das Ausgangssignal am Anschluß 32 auf dem wahren bzw. richtigen Zustand (das Ausgangssignal ist dann VCC - dem Spannungsabfall über die Basis-Emitter-Diode des Transistors Q5). Wenn das Verstärker-Eingangssignal in den falschen Zustand überwechselt, wird der Transistor Q3 durchgesteuert und führt im wesentlichen den gesamten Strom der Stromquelle 146. Daher läßt der Spannungsabfall am Widerstand R3 die Basis von Q5 auf den falschen Zustand absinken. Die Ausgangsspannung am Anschluß 32 ist dann VCC minus dem Spannungsabfall über R3 und minus dem Spannungsabfall an der Basis-Emitter «-Diode von Q5.the current source 46 either downward sends through the transistor Q3 or the transistor Q4, according to the present at the sense amplifier input signal * Therefore, when the current for the current source 146 flows through the transistor Q4, the resistor R3 is substantially de-energized 9 and the base of Transistor Q5 is essentially at the positive supply voltage present at terminal 40. The transistor Q5 acts as an emitter follower, and when its base is at the positive supply voltage, e.g. the true or correct state, the output signal at terminal 32 is in the true or correct state (the output signal is then VCC - the voltage drop across the Base-emitter diode of transistor Q5). When the amplifier input transitions to the false state, transistor Q3 will be turned on and carry substantially all of the current from current source 146. Therefore, the voltage drop across resistor R3 will cause the base of Q5 to drop to the false state. The output voltage at terminal 32 is then VCC minus the voltage drop across R3 and minus the voltage drop across the base-emitter diode of Q5.
Der Transistor Q5 ergibt BZL-Kompatibilität, obwohl andere Ausgangsschaltungen offensichtlich zur Verwendung mit dem neuen Abtastverstärker und zur Herstellung der Kompatibilität mit anderen Logikschaltungen geeignet sind. In ähnlicher Weise kann die allgemein aus den Transistoren Ql, Q2, Q3, Q4 und Q5 aufgebaute gesamte Ausgangsstufe im Rahmen der vorliegenden Erfindung abgewandelt werden.Transistor Q5 gives BZL compatibility, though different Output circuits apparently for use with the new sense amplifier and for making compatibility with other logic circuits are suitable. In a similar way Way can generally consist of the transistors Ql, Q2, Q3, Q4 and Q5 constructed entire output stage can be modified within the scope of the present invention.
Die herkömmliche ECL-Speise- bzw· Versorgungsspannung beträgt angenähert 5 Volt* Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird die Spannung Vl am Anschluß 42 zur Verhinderung der Sättigung der Transistoren Q6 und Q7 auf einen Wert eingestellt, der um angenähert 1/2 Volt niedriger als VCC liegt. Die sich ergebenden Spannungspegel auf den Eingangsleitungen 26 und .28· werden um einen Basis-Emitter-Spannungsabfall unter VlThe conventional ECL feed or supply voltage is approximately 5 volts * In the preferred embodiment the voltage Vl at the terminal 42 is set to a value to prevent the saturation of the transistors Q6 and Q7, which is approximately 1/2 volt lower than VCC. The resulting voltage levels on input lines 26 and .28 are reduced by a base-emitter voltage drop below Vl
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eingestellt, wodurch eine Sättigung der Kopplungselektronik 22 (Fig. 1) verhindert wird. Die am meisten negative Schaltungsspannung tritt an den Emittern der Transistoren Q8 und Q9 auf und liegt um zwei Dioden-Spannungsabfälle unter Vl oder angenähert auf VCC - 2,1 Volt. Der verbleibende 2,9 Volt Spannungsabfall über der Stromquelle ist groß genug,um die Realisierung der Stromquellen 144 bis 154 entweder als hochohmige Widerstände oder transistorisierte Stromquellen zu ermöglichen, wie dies zuvor ausgeführt wurde.set, whereby saturation of the coupling electronics 22 (Fig. 1) is prevented. The most negative circuit voltage occurs at the emitters of transistors Q8 and Q9 and is two diode voltage drops below Vl or approximated to VCC - 2.1 volts. The remaining 2.9 volts voltage drop across the power source is large enough to sustain the Realization of the current sources 144 to 154 either as high resistance To enable resistors or transistorized current sources, as previously stated.
Der hier beschriebene Verstärker ermöglicht eine Hochgeschwindigkeltsstromverstärkung von DifferenzStromsignalen an Eingangsleitungen, welche stark kapazitiv belastet sind. Außerdem besitzt der Verstärker ausgezeichnete Gleichtaktunterdrückungseigenschaften, er ist schnell und einfach zu sperren und in hohem Maße mit emittergekoppelten Schaltungen kompatibel. In diesem Zusammenhang ist zu erkennen, daß der Transistor QlO im wesentlichen parallel zum Transistor Q8 liegt, so daß ein am Anschluß 34 anstehendes Sperrsignal den Transistor QlO durchschaltet. Daher gewährleistet das Anlegen dnes Sperrsignals, daß der Strom der Stromquelle 52 nicht durch den Transistor Q9, sondern durch einen oder beide der Transistoren Q8 und QlO fließt. Dadurch wird sichergestellt, daß der Ausgang des Abtastverstärkers in dem falschen Zustand festgehalten wird, und zwar unabhängig von dem Zustand der Eingangssignale auf den Leitungen 26 und 28 (vorausgesetzt, daß beide Eingangssignale Null oder klein sind). Es sollte außerdem beachtet werden, daß der Maximalstrom durch den Widerstand QlO gleich dem Strom in der Stromquelle 152 ist, so daß eine Aussteuerung des Transistors QlO in den Sättigungsbereich verhindert wird. Daher ist nur eine minimale Rückstellzeit bzw. Sperrträgheit nach Entfernen eines Sperrsignals notwendig, um den Ausgang des Abtastverstärkers genau auf den Zustand des Eingangssignals zurückzuführen. Dabei sind alle Stromquellen 44 bis 54 so gewählt, daß sie eine Sättigung eines der Transistoren in der Schaltung und damit lange Sperrverzugszeiten der im Sättigungsbereich befindlichen TransistorenThe amplifier described here enables high-speed current amplification of differential current signals on input lines that are heavily loaded with capacitance. In addition, the amplifier has excellent common mode rejection properties, it is quick and easy to disable, and highly emitter-coupled circuitry compatible. In this connection it can be seen that the transistor Q10 is essentially parallel to the transistor Q8 is so that a pending blocking signal at the terminal 34 switches the transistor Q10 through. Therefore, the mooring ensures The inhibit signal indicates that the current from current source 52 is not through transistor Q9, but through one or both of them of transistors Q8 and Q10 flows. This ensures that the output of the sense amplifier is in the wrong State is retained, regardless of the state of the input signals on lines 26 and 28 (provided that that both input signals are zero or small). It should also be noted that the maximum current through the resistance Q10 is equal to the current in the current source 152, so that a modulation of the transistor Q10 in the Saturation area is prevented. Therefore, there is only a minimal reset time or blocking inertia after removal of a blocking signal necessary to trace the output of the sense amplifier back exactly to the state of the input signal. Are there all current sources 44 to 54 selected so that they saturate one of the transistors in the circuit and thus long blocking delay times of the transistors in the saturation area
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verhindern. Selbstverständlich können auch andere Sperrschaltungen verwendet werden« So kann der Transistor QlO anstelle der in Fig. 2 gezeigten Schaltung beispielsweise mit seinem Emitter an den Anschluß 26 und mit seinem Kollektor an den Anschluß 40 angeschaltet sein. Bei dieser Schaltungsvariante wird der Verstärker rasch gesperrt, wenn auch der Sperrverzug wesentlich größer als derjenige bei der in Fig. 2 dargestellten Sperrschaltung ist. In ähnlicher Weise können andere Schaltungsvarianten, z.B. ein Ersatz des Transistors QS durch andere Schaltkreise zur BiMung der Ausgangskompatibilität mit anderen Logikschaltungen in dem neuen Abtastverstärker getroffen werden.impede. Of course, other blocking circuits can also be used For example, the transistor Q10 can be used instead of the circuit shown in FIG be connected with its emitter to the connection 26 and with its collector to the connection 40. In this circuit variant, the amplifier is quickly blocked, even if the Locking delay is significantly greater than that in the case of the one in FIG. 2 Locking circuit shown is. Similarly, you can other circuit variants, e.g. a replacement of the transistor QS by other circuits to improve the output compatibility with other logic circuits in the new sense amplifier.
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Claims (7)
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| US22214872A | 1972-01-31 | 1972-01-31 | |
| US22214872 | 1972-01-31 |
Publications (3)
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| DE2260389B2 DE2260389B2 (en) | 1975-07-31 |
| DE2260389C3 DE2260389C3 (en) | 1976-03-11 |
Family
ID=
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2610177A1 (en) * | 1975-03-12 | 1976-09-30 | Nat Semiconductor Corp | SENSOR AMPLIFIER WITH THREE POSSIBLE OPERATING STATES FOR CONNECTION TO DUAL DATA LINES |
| DE3012831A1 (en) * | 1979-04-05 | 1980-10-16 | Gen Instrument Corp | I HIGH 2 L SWITCHING |
| CN110412342A (en) * | 2019-08-29 | 2019-11-05 | 成都矽能科技有限公司 | A fast current detection circuit |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2610177A1 (en) * | 1975-03-12 | 1976-09-30 | Nat Semiconductor Corp | SENSOR AMPLIFIER WITH THREE POSSIBLE OPERATING STATES FOR CONNECTION TO DUAL DATA LINES |
| DE3012831A1 (en) * | 1979-04-05 | 1980-10-16 | Gen Instrument Corp | I HIGH 2 L SWITCHING |
| CN110412342A (en) * | 2019-08-29 | 2019-11-05 | 成都矽能科技有限公司 | A fast current detection circuit |
| CN110412342B (en) * | 2019-08-29 | 2024-01-26 | 成都矽能科技有限公司 | Quick current detection circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2260389B2 (en) | 1975-07-31 |
| US3760194A (en) | 1973-09-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |