DE2247006A1 - SEMICONDUCTOR COMPONENT - Google Patents
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- H10D62/17—Semiconductor regions connected to electrodes not carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. channel regions
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Description
117/72 Lü/er117/72 Lü / er
Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie. , Baden (Schweiz)Public company Brown, Boveri & Cie. , Baden (Switzerland)
HalbleiterbauelementSemiconductor component
Die Erfindung betrifft ein bistabiles Halbleiterbauelement mit mindestens drei Zonenübergängen, bei welchem die niedrigst dotierte Zone n-Leitfähigkeit besitzt und die p-Basiszone einen mit einer Steuerelektrode kontaktierten hoch p-dotierten Bereich aufweist.The invention relates to a bistable semiconductor component with at least three zone transitions, in which the lowest doped zone has n-conductivity and the p-base zone has a highly p-doped region contacted with a control electrode.
Bei derartigen Halbleiterbauelementen (Thyristoren, DIN 11786) wird die Sperrspannung von der niedrigst n-dotierten Zone, der η-Basiszone, aufgenommen, während die Zündung über die p-Basiszone erfolgt. Die meisten heute üblichen Thyristoren weisen die oben angegebene Bauform auf. Ihre EinsatzmöglichkeitIn such semiconductor components (thyristors, DIN 11786), the reverse voltage is from the lowest n-doped Zone, the η base zone, recorded while the ignition was over the p-base zone takes place. Most of the thyristors commonly used today have the design specified above. Your possible application
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BAD ORIGINALBATH ORIGINAL
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wird in der Praxis jedoch unter anderem erheblich durch den sogenannten di/dt-Wert beschränkt, d.i. die Geschwindigkeit, mit welcher der Laststrom i beim Einschalten des Elementes ansteigen darf, ohne dass das Element durch lokale Ueberhitzung zerstört würde. Der di/dt-Wert heisst auch "kritische Stromsteilheit".However, in practice it is significantly affected by, among other things limits the so-called di / dt value, i.e. the speed at which the load current i when switching on the Element may rise without the element being destroyed by local overheating. The di / dt value is also called "critical current steepness".
Zur Verbesserung des di/dt-Wertes sind diverse unkonventionelle Zündanordnungen bekannt geworden, insbesondere das "Amplifying gate", der "Querfeldemitter", das "Regenerative gate" und das "Junction gate". Bei den bekannten Zündanordnungen wird ein grosser di/dt-Wert durch hohe innere Steuerstromwerte erzeugt. Diese werden ihrerseits mittels externer Steuerströme kleineren Wertes dadurch erzielt, dass der innere Steuerstrom mittels eines integrierten Hilfsthyristors erzeugt wird, welcher mit dem externen Zündstrom gezündet wird. Bei dem geschilderten, bekannten Prinzip spricht man von "innerer Zündverstärkung".Various unconventional ones are used to improve the di / dt value Ignition arrangements have become known, in particular the "amplifying gate", the "transverse field emitter", the "regenerative" gate "and the" junction gate ". In the known ignition arrangements, a large di / dt value is replaced by a high internal control current values generated. These in turn are reduced by means of external control currents achieved that the internal control current is generated by means of an integrated auxiliary thyristor, which with the external ignition current is ignited. In the well-known principle described, one speaks of "internal ignition amplification".
Die bekannten Zündanordnungen haben alle den Nachteil, dass ihre Herstellung einen beachtlichen technologischen Aufwand erfordert. Ausserdem haben die bekannten Anordnungen den Nachteil, dass sie andere Eigenschaften des Thyristors, z.B. dessen Stromführungskapazxtät, ungünstig beeinflussen, und auch eine über den ganzen Kathodenrand homogene Zündung nicht gewährleistet ist.The known ignition arrangements all have the disadvantage that their production requires considerable technological effort requires. In addition, the known arrangements have the disadvantage that they require other properties of the thyristor, e.g. its Stromführungkapazxtät, affect unfavorably, and even ignition that is homogeneous over the entire edge of the cathode is not guaranteed.
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Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement mit grossem di/dt-Wert zu schaffen, welches die genannten Nachteile vermeidet.The invention is therefore based on the object of a semiconductor component with a high di / dt value, which avoids the disadvantages mentioned.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass bei dem eingangs geschilderten Thyristor erfindungsgemäss in der p-Basiszone eine mit der η-Emitterzone einen pn-Uebergang bildende hoch p-dötierte Zone, und/oder eine mit dem mit der Steuerelektrode kontaktierten Bereich einen pn-Uebergang bildende hoch η-dotierte Zone vorgesehen sind.This object is achieved in that in the case of the initially described thyristor, according to the invention, in the p-base zone a highly p-doped zone forming a pn junction with the η emitter zone, and / or one with the one with the Control electrode contacted area a pn junction forming a highly η-doped zone are provided.
Die vorstehend angegebene Lehre beruht auf der Erkenntnis, dass - im Gegensatz zur bisherigen allgemeinen Meinung beim Zünden eines Thyristors ein Stromdurchbruch zuerst unterhalb der Steuerelektrode erfolgt, weil dort der Gradient der Elektronendichte in Richtung zum vorwärtssperrenden pn-Uebergang sehr viel grosser ist als unterhalb der Kathode, Durch die Erfindung wird nun aber dafür gesorgt, dass sich bei der Zündung in der p-Basiszone im Bereich der Kathode eine Erhöhung der Elektronenkonzentration ergibt, wodurch auch hier der Gradient der Elektronendichte zum vorwärtssperrenden pn-Uebergang hin ausreichend gross wird, so dass ein Uebertritt von Elektronen in die n-Basiszone unterhalb der Kathode erfolgen kann und die p-Emitter-The teaching given above is based on the knowledge that - in contrast to the previous general opinion at If a thyristor is triggered, a current breakdown occurs first below the control electrode, because there the The gradient of the electron density in the direction of the forward blocking pn junction is much greater than below the cathode, the invention now ensures that during ignition in the p-base zone im The area of the cathode results in an increase in the electron concentration, which also increases the gradient of the electron density here becomes sufficiently large towards the forward-blocking pn junction so that electrons can pass into the n-base zone can take place below the cathode and the p-emitter
4 0 98 19/ OA4 0 98 19 / OA
-H--H-
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zone in diesem Bereich zur Injektion von Defektelektronen angeregt wird.zone is excited in this area for the injection of defect electrons.
Durch die erfindungsgemäss vorzusehende(n) hochdotierte(n) Zone(n) in der p-Basiszone kann eine Erhöhung der Elektronenkonzentration sowohl vor dem Durchbruch des sperrenden pn-Ueberganges, als auch kurz nach einem lokalen Durchbruch desselben bewirkt werden. Im ersten Fall kann man von einer "statischen Zündverstärkung" sprechen, bei welcher nur der Strom zwischen der Steuerelektrode und der Kathode (Zündstrom) zur Erhöhung der Elektronenkonzentration benötigt wird. Der zweite Fall kann als "dynamische Zündverstärkung" bezeichnet werden, da hier der - zu diesem Zeitpunkt noch lokalisierte - Strom über den vorher sperrenden pn-Uebergang benutzt wird.By the (n) to be provided according to the invention (n) highly doped (n) Zone (s) in the p-base zone can increase the electron concentration both before the breakdown of the blocking pn junction, as well as shortly after a local breakthrough the same can be effected. In the first case one can speak of a "static ignition gain" at which only the current between the control electrode and the cathode (ignition current) to increase the electron concentration is needed. The second case can be referred to as "dynamic ignition gain" because here the - to This point in time still localized - current is used via the previously blocking pn junction.
Nähere Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus den nachfolgend anhand von Figuren erläuterten Ausführungsbeispielen. Hierbei zeigt:Further details of the invention emerge from the exemplary embodiments explained below with reference to figures. Here shows:
Fig. 1 einen Querschnitt durch einen zylindersymmetrischen Thyristor mit einer mit der η-Emitterzone einen pn-Uebergang bildenden hoch p-dotierten Zone zur Erhöhung der Elektronenkonzentration,1 shows a cross section through a cylindrically symmetrical thyristor with a pn junction with the η emitter zone forming highly p-doped zone to increase the electron concentration,
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Fig. 2 einen Ausschnitt aus einem Thyristor wie in Fig. 1 mit einer mit dem mit der Steuerelektrode kontaktierten Bereich einen pn-Uebergang bildenden hoch η-dotierten Zone,FIG. 2 shows a section from a thyristor as in FIG. 1 with an area that is in contact with the control electrode and forms a pn junction η-doped zone,
Fig. 3 einen Ausschnitt wie in Tig. 2, jedoch mit einer anderen Anordnung der hoch η-dotierten Zone, undFig. 3 shows a detail as in Tig. 2, but with a different arrangement of the highly η-doped zone, and
Fig. 4 einen Ausschnitt wie in Fig. 3, jedoch mit einer zusätzlichen hoch p-dotierten Zone im Anschluss an die hoch η-dotierte Zone.FIG. 4 shows a detail as in FIG. 3, but with one additional highly p-doped zone following the highly η-doped zone.
In Fig. 1 ist ein Thyristor dargestellt, der eine p-Basiszone 1, eine n-Emitterzone 3, eine Kathode 2 und eine Steuerelektrode 5 aufweist, welche.1 mit der p^-Basiszone 1 über den hoch p-dotierten Bereich 6 elektrisch verbunden ist. Der Thyristor weist weiter eine n-Basiszone 11, eine p-Emitterzone 12, und eine diese mit der Anode 11 verbindende hoch p-dotierte Schicht 13 auf. Insoweit entspricht das Halbleiterbauelement vollumfänglich den bekannten, in der Praxis üblichen Bauformen, wenn man einmal davon absieht, dass diese noch in der Regel an der Mantelfläche Abschrägungen zwecks Verbesserung der Sperrfähigkeit aufweisen. Solche Abschrägungen sind jedoch im Zusammenhang mit der Erfindung ohne Bedeutung, und deshalb in den Ausführungsbexs.pielen nicht gezeichnet.In Fig. 1, a thyristor is shown which has a p-base zone 1, an n-emitter zone 3, a cathode 2 and a control electrode 5, which. 1 is electrically connected to the p ^ base zone 1 via the highly p-doped region 6. The thyristor also has an n-base zone 11, a p-emitter zone 12, and a highly p-doped layer 13 connecting these to the anode 11. In this respect, the semiconductor component fully corresponds to the known designs customary in practice, if one disregards the fact that these usually still have bevels on the lateral surface for the purpose of improving the blocking capability. However, such bevels are of no importance in connection with the invention and are therefore not shown in the exemplary embodiments.
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Als besondere Ausführungsart der Erfindung ist nun aber in dem in Fig. 1 dargestellten Element in der p-Basiszone 1 in Kontakt mit der n-Emitterzone 3 und unter Bildung eines pn-Ueberganges mit derselben eine hoch p-dotierte Zone 4 vorgesehen. Bei dem in Fig. 1 dargestellten, zylindersymmetrischen Element ist die hoch p-dotierte Zone 4 zweckmässig ringförmig im Innern der gleichfalls ringförmigen Kathode 2 bzw. der ringförmigen n-Emitterzone 3 angeordnet, und die Steuerelektrode 5 mit dem Bereich 6 zentral auf der Stirnseite des Elementes. Die Dotierungskonzentration der Zone U beträgt z.B. etwaAs a special embodiment of the invention, however, the element shown in FIG. 1 is now in the p-base zone 1 in contact with the n-emitter zone 3 and forming a pn junction with the same a highly p-doped Zone 4 provided. In the case of the cylindrically symmetrical element shown in FIG. 1, the element is highly p-doped Zone 4 expediently ring-shaped in the interior of the likewise ring-shaped cathode 2 or the ring-shaped n-emitter zone 3 arranged, and the control electrode 5 with the area 6 centrally on the end face of the element. the The doping concentration of zone U is, for example, about
17 20 317 20 3
10 - 10 Störatome/cm , wenn die Konzentrationen der10 - 10 impurity atoms / cm if the concentrations of the
14 17 -3 3714 17 -3 37
p-Basiszone 1 10 - 10 cn , des Bereiches 6 10p base zone 1 10 - 10 cn, area 6 10
20 - 3 17 20 —320-3 17 20-3
10 cm , und der n-Emitterzone 3 10 - 10 cm betragen. 10 cm, and the n-emitter zone 3 10-10 cm.
Die durch die Zone U zu bewirkende Erhöhung der Elektronenkonzentration geschieht nun derart, dass bei einem Strom zwischen der (positiven) Steuerelektrode 5 und der (negativen) Kathode 2 die Konzentration der Defektelektronen in der Zone 1 beim Uebertritt in die Zone 4 erhöht wird, wodurch dann wegen der für die Zone 1 geltende Neutralitätsbedingung auch eine Erhöhung der Elektronenkonzentration bewirkt wird. Dadurch wird der Gradient der ElektronendichteThe increase in the electron concentration to be brought about by zone U now happens in such a way that with a current between the (positive) control electrode 5 and the (negative) Cathode 2, the concentration of the defect electrons in zone 1 when they pass into zone 4 is increased, as a result of which then, because of the neutrality condition applicable to zone 1, there is also an increase in the electron concentration is effected. This becomes the gradient of the electron density
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vom Bereich 4 zum sperrenden pn-Uebergang 1/11 hin vergrössert, und nach Zündung des Elementes unterhalb der Steuerelektrode 6 sehr schnell auch unterhalb der Kathode eine Injektion von Defektelektronen aus der p-Emitterzone erreicht.enlarged from area 4 to the blocking pn junction 1/11, and after ignition of the element below the control electrode 6 very quickly also below the cathode an injection of holes from the p-emitter zone is achieved.
Der geschilderte Vorgang kann, wie schon oben erwähnt, als "statische Zündverstärkung" bezeichnet werden, da die Erhöhung der Elektronenkonzentration schon vor einem Durchbruch des pn-Ueberganges 1/11 erfolgt.As already mentioned above, the process described can be referred to as "static ignition amplification" because the increase the electron concentration takes place before a breakdown of the pn junction 1/11.
In Fig. 2 ist eine weitere vorteilhafte Ausführungsart der Erfindung dargestellt. Es ist dort eine hoch n-dotierte Zone 7 im Zentrum des mit der Steuerelektrode 5 kontaktierten Bereiches 6 vorgesehen. Diese Zone 7 bewirkt eine Injektion von Elektronen, wenn der vorher sperrende pn-Uebergang 1/11 unterhalb der Steuerelektrode 5 durchgebrochen ist und das gegenüber der Steuerelektrode 5 hoch positive Potential der Anode IU auf die Zone 7 einzuwirken imstande ist. Der über die Steuerelektrode 5 fliessende Strom bewirkt eine Potentialerhöhung der p-Basiszone.1 im Gebiet des Bereiches 6 gegenüber den der Kathode 2 benachbarten Gebieten der p-Basiszone 1, wodurch ein Strom von Defektelektronen in den Bereich der Kathode 2 gesteuertIn Fig. 2 is a further advantageous embodiment of the invention shown. There is a highly n-doped zone 7 in the center of the zone contacted with the control electrode 5 Area 6 provided. This zone 7 causes an injection of electrons when the previously blocking pn transition 1/11 has broken below the control electrode 5 and that compared to the control electrode 5 high positive potential of the anode IU to act on zone 7 is able to. The current flowing through the control electrode 5 causes a potential increase in the p-base zone. 1 in the area of the area 6 opposite the areas of the p-base zone 1 adjacent to the cathode 2, whereby a current controlled by holes in the region of the cathode 2
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117/7?117/7?
wird und dort, wie oben geschildert, eine Erhöhung der Elektronenkonzentration und damit ein rasches Zündenand there, as described above, an increase in the electron concentration and thus rapid ignition
(lh...(lh ...
bewirkt.causes.
Die Potentialerhöhung tritt insbesondere dadurch ein, dass der pn-Uebergang 6/7 rückwärts gepolt, jedoch über seine Durchbruchspannung hinaus belastet ist, wodurch der von der Steuerelektrode 5 über den Uebergang 6/7 in die p-Basiszone 1 fliessende Strom einen Spannungsabfall verursacht.The increase in potential occurs in particular because the pn junction 6/7 is polarized backwards, but via its Breakdown voltage is also loaded, whereby the from the control electrode 5 via the junction 6/7 in the p-base zone 1 current flowing causes a voltage drop.
Eine andere Möglichkeit zur Erhöhung des Potentials in der p-Basiszone 1 im Gebiet des Bereiches 6 besteht darin, dass der pn-Uebergang zwischen der hoch η-dotierten Zone und dem mit der Steuerelektrode 5 kontaktierten Bereich 6 durch eine Oberflächenmetallisierung 16 kurzgeschlossen und in der Zuleitung zur Steuerelektrode 5 eine Strombegrenzung 15, z.B. in Form eines Ohmschen Widerstandes mit 1 bis 100 Ohm, vorgesehen ist. Diese Möglichkeit ist in Fig. 2 gestrichelt angedeutet.Another possibility for increasing the potential in the p-base zone 1 in the area of the area 6 is to that the pn junction between the highly η-doped zone and the area 6 contacted with the control electrode 5 short-circuited by a surface metallization 16 and a current limitation in the supply line to the control electrode 5 15, e.g. in the form of an ohmic resistance with 1 to 100 ohms. This possibility is indicated by dashed lines in FIG. 2.
Eine weitere Verbesserung der vorstehend geschilderten Lösung besteht in der Anordnung einer hoch n-dotierten Zone 8 unterhalb des Bereiches 6, die beispielsweise alsA further improvement of the solution described above consists in the arrangement of a highly n-doped one Zone 8 below the area 6, for example as
409819/0 Λ409819/0 Λ
. 9 _ . 117/72. 9 _. 117/72
"buried'layer" hergestellt werden kann. Eine derartige Zone 8 bewirkt eine bessere Injektion der Elektronen am äusseren Rand des ρ -Bereiches 6, wo nach neuer Erkenntnis der erste (lokale) Durchbruch des sperrenden Ueberganges 1/11 gemäss dem Pfeil Z stattfindet."buried'layer" can be produced. Such a one Zone 8 causes a better injection of the electrons at the outer edge of the ρ -region 6, where according to new knowledge the first (local) breakthrough of the blocking transition 1/11 according to the arrow Z takes place.
Die Ausführung nach Fig. 1 kann mit der nach Fig. 2 kombiniert werden, was in Fig. 2 durch die gestrichelte, hoch p-dotierte Zone 4 angedeutet ist.The embodiment of Fig. 1 can be combined with that of Fig. 2, which is shown in Fig. 2 by the dashed, highly p-doped zone 4 is indicated.
Eine weitere vorteilhafte Ausführungsart der Erfindung ist in Fig. 3 angedeutet. Dort ist die hoch n-dotierte Zone 7 an der Oberfläche der p-Basiszone 1 zwischen dem Bereich 6 und der n-Emitterzone 3 angeordnet. Der pn-Uebergang 6/7 ist nach dem Durchbruch des Uebergangs 1/11 wegen des hohen positiven Potentials der Anode 14 gegenüber der Steuerelektrode 5 wiederum rückwärts gepolt und bewirkt die schon zu Fig. 2 erläuterte, erwünschte Potentialerhöhung in der p-Basiszone 1 im Gebiet des Bereiches 6. Der pn-Uebergang 6/7 kann jedoch auch wieder durch eine (gestrichelt gezeichnete) Oberflächenmetallisierung 16. kurzgeschlossen werden, wobei dann die Potentialerhöhung wieder durch die Strombegrenzung 15 bewirkt wird. Die gestrichelt gezeichnete, -hoch p-dotierte Zone 4 weist wiederAnother advantageous embodiment of the invention is indicated in FIG. 3. There is the highly n-doped zone 7 on the surface of the p-base zone 1 between the Area 6 and the n-emitter zone 3 arranged. The pn junction 6/7 is due to the breakthrough of the junction 1/11 the high positive potential of the anode 14 opposite the control electrode 5 is again polarized backwards and causes the desired increase in potential already explained in relation to FIG in the p base zone 1 in the area of the area 6. The pn junction 6/7 can, however, again by a (dashed lines) surface metallization 16. are short-circuited, in which case the potential increase is brought about again by the current limiter 15. The dashed line, highly p-doped zone 4 shows again
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auf die Möglichkeit einer Kombination der Ausführungsärten nach Fig. 1 und 3 hin.on the possibility of a combination of the execution hardnesses after Fig. 1 and 3 out.
Die kurze Distanz der als Elektronenquelle dienenden Zone 7 zur Kathode 2 in Fig. 3 im Vergleich zu der entsprechenden Distanz in Fig. 2 bewirkt eine noch schnellere Zündung des Bereiches unter der Kathode. Jedoch verschlechtert die Zone 7 die Injektion von Defektelektronen, aus dem Bereich 6 in das Gebiet der p-Basiszone 1 zwischen dem Bereich 6 und der n-Emitterzone 3 beim Fliessen des Zündstromes.The short distance of the one serving as the electron source Zone 7 to cathode 2 in FIG. 3 compared to the corresponding distance in FIG. 2 produces an even faster one Ignition of the area under the cathode. However, zone 7 worsens the injection of holes, from the area 6 into the area of the p-base zone 1 between the area 6 and the n-emitter zone 3 during the flow of the Ignition current.
In Fig. H ist schliesslich eine hoch p-dotierte Zone 9 vorgesehen, die in Kontakt steht mit der hoch n-dotierten Zone 7 und mit derselben einen pn-Uebergang bildet, welcher mittels einer Oberflächenmetallisierung 10 kurzgeschlossen ist. Die Zone 9 verursacht vor dem Durchbruch des Uebergangs 1/11 eine Injektion von Defektelektronen in das Gebiet der p-Basiszone 1 zwischen der Zone 9 und der n-Emitterzone 3. Die Zone 7 verursacht eine Injektion von Elektronen nach dem Durchbruch des pn-Ueberganges 1/11. Der Kurzschluss des pn-Ueberganges 7/9 durch die Oberflächenmetallisierung 10 ist notwendig, da dieser Uebergang für eine positive Spannung zwischen der SteuerelektrodeFinally, in FIG. H there is a highly p-doped zone 9 provided, which is in contact with the highly n-doped zone 7 and forms a pn junction with the same, which is short-circuited by means of a surface metallization 10. Zone 9 caused prior to breakthrough of the transition 1/11 an injection of defect electrons into the area of the p-base zone 1 between the zone 9 and the n-emitter zone 3. The zone 7 causes an injection of electrons after the breakdown of the pn junction 1/11. The short circuit of the pn junction 7/9 through the surface metallization 10 is necessary because this junction for a positive voltage between the control electrode
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und der Kathode 2 rückwärts gepolt ist. Ein Kurzschluss des pn-Ueberganges 6/7 unterbleibt hier zweckmässigerweise, da nach dem Durchbruch des Ueberganges 1/11 unterhalb der Steuerelektrode 5 der durch die Zone 7 fliessende Strom wegen der Rückwärtspolung des genannten Ueberganges bevorzugt zur Kathode 2 geführt wird.and the cathode 2 is polarized backwards. A short circuit of the pn junction 6/7 is expediently omitted here, since after the breakthrough of the transition 1/11 below the control electrode 5, the one flowing through the zone 7 Current is preferably led to the cathode 2 because of the reverse polarity of the transition mentioned.
Die hoch η-dotierten Zonen 7 bzw. 8 weisen beispielsweiseThe highly η-doped zones 7 and 8 have, for example
17 20 -3 eine Dotierungskonzentration von 10 - 10 cm auf, die hoch p-dotierte Zone 9 beispielsweise eine Dotierungs-17 20 -3 has a doping concentration of 10-10 cm, the highly p-doped zone 9, for example, a doping
17 20-3
konzentration von 10 - 10 cm .17 20-3
concentration of 10-10 cm.
Die gestrichelt gezeichnete * hoch p-dotierte Zone 4 weist wieder auf die Möglichkeit der Kombination der Ausführungen nach Fig. 1 und 4 hin.The dashed line * highly p-doped zone 4 has again to the possibility of combining the embodiments according to FIGS. 1 and 4 out.
Die anhand der Fig. 2 bis 4 erläuterten Zündvorgänge ("dynamische Zündverstärkung") können auch dadurch verstanden v/erden, dass man beachtet, dass die Zonenfolge 7-1-11-12-13 einen integrierten Hilfsthyristor zwischen den Elektroden 16 bzw. und 14 bildet, bzw. 5 und 14, wenn der pn-Uebergang 6/7 rückwärts leitend ist. Im Gegensatz zu den bekannten, oben erwähnten Zündanordnungen wirkt in den genannten Fällen jedoch die Steuerelektrode 5 als'Kathode des Hilfsthyristors.The ignition processes ("dynamic ignition amplification") explained with reference to FIGS. 2 to 4 can also be understood as meaning that it should be noted that the zone sequence 7-1-11-12-13 has an integrated auxiliary thyristor between the electrodes 16 resp. and forms 14, or 5 and 14 if the pn junction is 6/7 backwards is conductive. In contrast to the known ignition arrangements mentioned above, however, it works in the cases mentioned the control electrode 5 als'Kathode of the auxiliary thyristor.
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Selbstverständlich können die anhand von zylindersymmetrischen Strukturen erläuterten erfindungsgemässen Massnahmen auch bei anderen Geometrien angewandt werden.It goes without saying that the measures according to the invention explained on the basis of cylindrically symmetrical structures can be used can also be used for other geometries.
Die Herstellung von Halbleiterbauelementen der geschilderten Art kann in bekannter Weise durch Diffusions- und Maskentechnik (Fotoresistverfahren) geschehen.The production of semiconductor components of the type described can in a known manner by diffusion and Mask technology (photoresist process) happen.
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-
1972
- 1972-09-06 CH CH1302972A patent/CH549286A/en not_active IP Right Cessation
- 1972-09-25 DE DE19727235267U patent/DE7235267U/en not_active Expired
- 1972-09-25 DE DE19722247006 patent/DE2247006A1/en not_active Withdrawn
-
1973
- 1973-08-01 FR FR7328191A patent/FR2198265B3/fr not_active Expired
- 1973-08-13 JP JP48090802A patent/JPS4966080A/ja active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2198265A1 (en) | 1974-03-29 |
| FR2198265B3 (en) | 1976-07-16 |
| DE7235267U (en) | 1974-08-14 |
| CH549286A (en) | 1974-05-15 |
| JPS4966080A (en) | 1974-06-26 |
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