DE2243682A1

DE2243682A1 - Verfahren zur metallisierung von bauteilen

Info

Publication number: DE2243682A1
Application number: DE2243682A
Authority: DE
Inventors: Kenneth Russ Newby; Dennis Robert Turner
Original assignee: Western Electric Co Inc
Current assignee: AT&T Corp
Priority date: 1971-09-10
Filing date: 1972-09-06
Publication date: 1973-03-15
Also published as: GB1404033A; DE2243682C2; JPS5826168B2; SE372657B; BE788468A; IT962298B; FR2152795B1; CH571580A5; FR2152795A1; CA954471A; JPS4857577A; NL7212030A; US3700569A

Description

Western Electric Company, Xncorpore-i ec Newby 2 — 9 Mew York, V= St. A. ■

Verfahren zur Metallisierung von Bauteilen

Die Erfindung betrifft die Metallisierung von Bauteilen, einschließlich integrierter Schaltungen, wobei eine Maskierung zur Begrenzung von Kontaktzonen und von Verbindungsleitungen verwendet wirdo Insbesondere ist das Niederschlagen von Gold auf begrenzte Gebiete einer Platinoberfläche beschriebene

Bei der Herstellung von Bauteilen kann die Metallisierung der Elektrodenflächen durch galvanisches Niederschlagen einer Schicht aus Gold auf eine zuvor niedergeschlagene Schicht aus Platin erfolgen» Die Platinschicht kann ihrerseits auf einem Substrat, beispielsweise aus Titan, niedergeschlagen sein. Eine direkt auf der Platinschicht niedergeschlagene Maske aus einem organischen Photolackfilm wird zur Begrenzung der zur Bildung von Elektrodenanschlüssen und Leitungsbahnmustern mit Gold zu plattierenden Gebiete verwendet. Ein beim galvanischen Niederschlagen oft auftretendes Problem ist jedoch die ungenaue Begrenzung der Goldelektrodenflächen als Ergebnis eines Unterplattiervorgangs; d.h. das Gold ist nicht auf die vom Photolackmuster begrenzten Flächen beschränkt, sondern erstreckt sich auch unter den Photolack. Dieses Unterplattieren tritt wegen der schlechten Haftung der Photolackschicht .auf der Platinschicht auf. .

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BAO OBfGiNAL

Zum Metallisieren von integrierten Silizium-Schaltungsb'auteilen wird nach dem Stand der Technik (DT-PS 1 282 196) vorgeschrieben, daß zur Herstellung von Anschlüssen an Silizium die gesamte Oberfläche oxidiert wird und daß dann Öffnungen durch die Siliziumoxidschicht in die darunterliegende Siliziumschicht geätzt werden. Als nächstes wird auf der gesamten Oberfläche Titan niedergeschlagen, weil die zum Anschluß des Bauteils an äußere Schaltungen schließlich erforderlichen Metalle Gold oder Silber nicht so gut auf Siliziumdioxid haften, wie Titan. Im Anschluß an das Niederschlagen von Titan wird eine Platinschicht direkt auf dem Titan niedergeschlagen. Dies erfolgt deshalb oft, weil Gold, welches üblicherweise das zur Herstellung von Anschlüssen des Bauteils an äußere Schaltungen verwendete Metall ist, dazu neigt, spröde Legierungen mit Titan zu bilden. Bei dieser Stufe des Verfahrens kann die gesamte Platinoberfläche unter Anwendung bekannter Photolacktechniken mit einem organischen Photolack maskiert werden, um Anschluß und Leitungsbahnen auf der Platinoberfläche zu begrenzen. Gold wird dann lediglich auf die freiliegenden Platinzonen galvanisch niedergeschlagen. Die verbleibenden Abschnitte des Photolacks und des Platins und Titans warden schließlich entweder durch chemische Auflösung oder - im Fall von Platin - durch Rückzerstäubung entfernt. (Da die Goldschicht fast zehnmal so dick wie die Platin-

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schicht ist,- entfernt die Rückzerstäubung keinen wesent- ■. liehen Teil des.Goldes.) ·

Ein dabei jedoch oft auftretendes Problem liegt in der ungenügenden Begrenzung der Goldelektrodenflächen, weil der Photolackfilm nicht gut auf dem Platin hafteti Dieses, _r; Problem wurde erst in den.letzten Jahren wichtig, als.die . Verringerung der· Schaltungsabmessungen zur Anpassung an Hochfrequenzanwendungsfälle eine dichtere Anordnung der Kontaktflächen und eine höhere Packungsdichte von"Bauteilen auf Schaltungsplättchen nötig machte.. Als Folge des schlechten Haftens des Photolacks auf Platin kann das sogenannte Unterplattieren auftreten,. Die enge geometrische Anordnung von leitenden Flächen kann dazu führen, daß benachbarte Leiter durch Erstreckung der Goldplattierschicht von einer leitenden Fläche zur nächsten kurzgeschlossen werden.

Es wurden Vorschläge zur Lösung des Problems gemacht» In der deutschen Patentanmeldung P 17 64 148„2 wird die Niederschlagung einer Titanschicht auf der Platinoberfläche vorgeschlagen«, Diese Schicht oxidiert bei Umgebung r.tomperaturen in Luft leicht, so daß eine Dünnschicht aun Titanoxid (TiOg) entsteht. Der Photolack haftet auf dinner Titanoxidschicht relativ gut, so daß bei dor qni van i.sehen Niederschlagung von Gold -weniger

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Unterplattierung des Photolacks auftritt, wie bei direkter • Auftcagung des Photolacks auf die Platinoberfläche. Jedoch muß sowohl die Titan- also auch die Titandioxidschicht geätzt werden, bevor Gold niedergeschlagen werden kann.

Alternativ ist aus der GB-PS 1 211 657 das Niederschlagen einer Siliziumschicht auf der Platinoberfläche bekannt. Anschließend wird diese Siliziumschicht oxidiert, Photolack wird auf die Siliziumdioxidoberfläche aufgetragen und auch hier haftet der Photolack gut. Jedoch auch in diesem Fall müssen sowohl die Silizium- als auch die Siliziumdioxidschicht geätzt werden, bevor die Goldschicht niedergeschlagen werden kann.

Erfindungsgemäß wird eine verbesserte Haftung der Maske auf Platin und deshalb eine genauere Begrenzung der galvanisch niedergeschlagenen Goldschicht erreicht, indem die Platinoberfläche oxidiert und der Photolack auf die so gebildete Platinoxidschicht niedergeschlagen wird. Der Photolack haftet gut und während der galvanischen Niederschlagung von Gold tritt keine wesentliche Unterplattierung auf. Das freiliegende Platinoxid braucht an den Stellen, an denen Gold niedergeschlagen werden soll, nicht in einem separaten Schritt vor der Niederschlagung des Goldes entfernt werden, da bei der Anwendung jedes galvanischen Verfahrens der Niederschlagung von Gold das freiliegende Plntinoxid Zwangs-

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weise ^metallischem Platin !reduziert wird,, bevor.die,. ..-. ·. _; galvanische Niederschlagung -.des, Goldes beginnt*. Die Entfernung des P.hötölatkSi der Plätinöxid-, der Platin- und der Titanschicht außerhalb der Gebiete, auf denen Gold niedergeschlagen ist, kann dann leicht mit auf dem Gebiet der Metallisierung von-Bauteilen bekannten \f_er fahr en erfolgen^ - . " . ·."■"■-.■'

Die Platinöxidschicht wird entweder durch anodische öder chemische Oxidation in. einem starken Oxidationsmittel gebiIdet» Aus Gründen'der 1eichteren Her ste!lbarkeit wird anodische Oxidation bevorzugtο .

Es ist dem Fachmann ersichtlich, daß das erfindungsgemäße Konzept bei der Metallisierung einer größen Vielzahl .Verschiedener Bauteile, einschließlich integrierter Schaltungen, Kondensatoren und Widerständen anwendbar' ist. '

Die Erfindung ist in der folgenden Beschreibung anhand der Zeichnung näher erläutert, und zwar zeigen:

Pig. 1 - 6 im Schnitt einen Abschnitt eines hier

als einen Transistor aufweisenden HaIbleiterplättchens ausgebildeten Bauteils, der zur Bildung von Kontakten und Leitbahnen in der erfindungsgemäßen Weise behandelt wird*

Fig, 1 zeigt öin Beispiel¹ eines Halbleiter-Bauelements, bei dem der Körper 10 ein Abschnitt einer Halbleiterscheibe ist,

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aus welcher eine Reihe von Halbleiterbauteilen hergestellt

wird. Durch vorhergehende Verfahrensschritte unter Anwendung bekannter Maskier- und Diffusionsmethoden sind die Basis und den Emitter darstellende Leitungstyp-Zonen 12 , und 13 hergestellt worden. Diese Zonen sind von Grenzbzw. Übergangsschichten 14 und 15 begrenzt. Eine Maskierschicht 16 aus Siliziumdioxid (SiO₂) wird auf der Oberfläche des Körpers gebildet, um die Kontaktzonen zur Herstellung von Elektroden an der p-leitenden Basiszone 12 und der η-leitenden Emitterzone 13 zu begrenzen.

Die folgende Beschreibung des Metallisierungsvorgangs stimmt im wesentlichen mit dem oben erwähnten deutschen Patent 1 282 196, jedoch mit der erfindungsgemäßen Abwandlung überein. Die Reinheit sämtlicher beschriebener verwendeter Metalle entspricht der normalen kommerziellen Praxis.

Wie in Fig. 2 gezeigt ist, wird auf der gesamten Oberfläche des Körpers Io eine Schicht 17 aus Titan (etwa o,15 bis o, 3 jum) niedergeschlagen, die eine haftende Verbindung mit der Oxidschicht 16 bildet. Im Anschluß an die Miederschlagung der Titanschicht 17 wird eine zweite metallische Schicht 18 aus Platin (etwa o,15 bis o,3 um) auf der gesamten Oberfläche niedergeschlagen. Sowohl die Niederschlagung des Titan als auch des Platins wird in geeigneter Weise mittels bekannter Vakuuraniederschlagsverfahren, z.B. durch katho-

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dische Zerstäubung oder Verdampfen mittels Elektronenstrahl durchgeführt.

Erfindungsgemäß wird die Platinschicht 18 nunmehr abweichend vom Stande der Technik oxidiert, so daß. die in Fig, 3 gezeigte Schicht 19 aus Platinoxid gebildet wird. Die Oxi- . dation kann in einer Vielzahl von bekannten·, Platin oxidierenden Lösungen anodisch er folgen., Wässrige Schwefelsäure ist beispielsweise eine solche verwendbare Lösung. Die Oxidschicht wird, wie im folgenden noch im einzelnen beschrieben wird, auf der gesamten Platinoberfläche gebildet, indem entweder eine Spannung von o,8 bis 1,6 V für wenigstens 10 Sekunden oder eine Stromdichte von 0,1 bis 10 mA pro qcm angelegt wird, bis wenigstens o, 8 V erreicht ist. Alternativ kann die Oxidation in einer Reihe von· starken chemischen Oxidationsmitteln chemisch durchgeführt werden. Konzentrierte (70 VoIο%) heiße (wenigstens 70 C) Salpetersäure (HIJOo) ist ein solches verwendbares Oxidationsmittel.

Der Körper 10 wird dann, um auf die bekannten Verfahrensweisen zurückzukommen, vorbereitet für die Aufbringung einer Photolackmaske. In Fig. 4 ist die Photolackmaske 20 auf der Oberfläche der Platinoxidschicht 19 gebildet. Die Maske 20 begrenzt das.Muster der endgültigen metallischen Kontakte.

Aus Fig. 5 geht hervor, daß Goldkontakte und Verbindungen ?1 (ca. 1 - 2 iirn) durch galvanische Niodorschlagungen gebildet, sind. Die galvanische IJiodorr.chl aqunq von Gold au I

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der Platinschicht 18 findet in den unmaskierten Abschnitten statt, in denen die Platinoxidschiht 19 freiliegt. Ein gesonderter Arbeitsgang zur Entfernung der freiliegenden
Platinoxidschxcht 19 vor der galvanischen Niederschlagung
des Goldes ist nicht erforderlich, weil das freiliegende
Platinoxid in der Gold-Platierlösung elektrochemisch zu
metallischem Platin reduziert wird, bevor die Niederschlagung von Gold beginnt. Die noch durch den Photolackfilm 20 maskierte vorhandene Platinoxidschicht 19 bildet während
dieser galvanischen Niederschlagung eine Oberfläche, auf
der der Photolackfilm gut haftet. Das Eindringen des niedergeschlagenen Goldes unter den Photolackfilm 20 wird daher im wesentlichen verhindert, wodurch beispielsweise die Möglichkeit von Kurzschlüssen vermieden wird.

Für die galvanische Niederschlagung von Gold auf den freiliegenden Platinoxidgebieten können sämtliche bekannten
Abscheidungsbäder verwendet werden. Beispielsweise wurden
Citrat-, Phosphat- und modifizierte Cyanidbäder mit Erfolg verwendet. Bei der Goldniederschlagung wird ein zweistufiger Mechanismus beobachtet: (a) das freiliegende Platinoxid wird zunächst zu metallischem Platin reduziert und (b) das Gold wird dann auf dem so gebildeten Platin galvanisch niedergeschlagen. Wie in I''ig. 6 gezeigt, werden hierauf absehl ießend die Photolackschicht 20 und die Schichten aus Platinoxid und Platin 1B, sowie die Titanschicht 17 außerhalb der

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goldplattierten Gebiete entfernt· Die Photolackschicht 20 wird mittels üblicher, käuflich erhältlicher Lösungsmittel entfernt» Pa Platinoxid, durch Methanol entfernt, wird, kann das Bauelement in Methanol gespült werden» · Als nächstem wird die Platinschicht zusammen mit dem . gesamten noch verbleibenden Platinoxid in geeigneter Weise durch Rückzerstäuben entfernt..Die Goldschicht wird dabei wegen ihrer größeren Dicke nicht wesentlich angegriffen. Die Titanschicht wird dann.durch Verwendung eines chemischen Ätzmittels, beispielsweise, einer wässrigen Lösung aus Schwefelsäure und Wasserstoff-Fluorsäure ' entfernt.

Es ist festzuhalten, daß die Erfindung auf die weite Klasse der beschriebenen Bauelemente, einschließlich von Halbleiterbauelementen, Kondensatoren, Widerständen und dergleichen gerichtet, ist, bei denen mangelhafte Haftung der Photolackschicht auf Platin das mögliche Problem der mangelhaften Begrenzung von Kontaktflächen als Folge des Unterplattierens von Gold hervorruft. Das; gegenwärtige Interesse ist zwar auf die Metallisierung von Halbleiteroberflächen (z.B. Silizium, Germanium, IL- EL·.!-Verbindungshalbleiter) gerichtet, jedoch können auch andere Oberflächen mit Vorteil in erfindungsgemäßer Weise metallisiert werden, nämlich Isolatoren,(z.B. Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, Tantaloxid, Tantalnitrid, Aluminiumoxid).

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Oxidation von Platin

Platin kann mittels zweier Verfahren oxidiert werden: anodisch und chemisch. Bei der anodischen Oxidation ist die Spannung der kritische Parameter, der gesteuert werden muß, während bei der chemischen Oxidation der kritische Parameter das Oxidationspotential ist.

a. Anodische Oxidation

Bei der anodischen Oxidation von Platin wird eine Schicht von adsorbiertem Sauerstoff auf der Oberfläche des Platihs gebildet. Es ist nicht ganz sicher, ob die adsorbierte Sauerstoffschicht chemikalisch reagiert und eine Platinoxidschicht bildet oder ob sie nur physikalisch auf der Platinoberfläche adsorbiert ist, jedoch wurde festgestellt, daß Sauerstoff bei anodischer Polarisation bei etwa 0,8 V zu adsorbieren beginnt (siehe James P. Hoare, The Electrochemistry of Oxygen, Interscience P-ublishers, New York (1968), Seiten 39-41.) In jedem Fall bildet die entstehende stabile Schicht von adsorbiertem Sauerstoff eine Oberfläche, auf welcher ein organischer Photolack genügend haftet, um das Unterplattieren während der galvanischen Niederschlagung von Gold zu verhindern. Diese Schicht wird im folgenden als Platinoxidschicht bezeichnet.

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Platin wird erfindungsgemäß mit wenigstens 0,8 V anodisierto Die Anodisierung kann entweder durch Anlegen einer solchen Spannung für eine bestimmte Zeitdauer oder durch Anlegen einer Stromdichte derart,; daß diese Spannung erreicht wird, durchgeführt- werden. Die Bedingungen des Spannungstotentials, der Zeitdauer und der Stromdichte werden so gewählt, daß die Bildung einer vollständigen Oxidschicht innerhalb einer vernünftigen Zeitdauer sichergestellt ist«, Unterhalb eines Potentials von etwa 0,8 Volt bildet sich überhaupt keine Oxidschicht, während bei einem Potential von mehr als 1,6 Volt höhere Oxide, z.B_o PtO,, gebildet werden, die unerwünscht sind, weil sie vor der Goldplattierung schwieriger zu entfernen .sind.

Es kann erforderl-ich sein, während der Anodisation die Stromdichte anstatt der Spannung zu steuern. In diesen Fällen treten dieselben oben beschriebenen Spannungsgrenzen auf. Wenn die Anodisierungs-Stromdichte zu niedrig ist, wird die Platinoxidschicht nicht innerhalb einer vernünftigen Zeitdauer gebildet; während wiederum höhere Oxide gebildet werden, wenn die Stromdichte zu hoch ist» Für die Praxis der Erfindung ist ein geeigneter Bereich der Stromdichte bei o,l bis Io mA/cm gegeben. Dieser Bereich stellt sicher, daß die Mindestspannung von 0,8 V innerhalb einiger Sekunden erreicht wird.

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Es dauert wenigstens 10 Sekunden bei etwa 0,8 V um eine ausreichende Schicht aus Oxid zu bilden, welche den Anforderungen der Erfindung genügt. Es wird vorausgesetzt, daß jede darüberhinausgehende Behandlungszeit zur Eindiffusion von Sauerstoff in das Platin dient, um eine feste Lösung von Platin-Sauerstoff zu bilden. Solche zusätzliche Behandlungszeit ist. vorteilhaft, da sie eine verbesserte Haftung der Photolackschicht sicherstellt. Eine zu lange Behandlungsdauer führt jedoch zu unnötigem Zeitverbrauch beim übermäßigen Eindiffundieren von Sauerstoff in die Platinschicht. Eine für die Praxis der Erfindung annehmbare Zeitdauer liegt daher in der Größenordnung von einigen Minuten und das praktische Maximum der Behandlungsdauer liegt bei 10 Minuten.

Wässrige ElektrolytlÖsungen, die an der Anode Sauerstoff erzeugen und vor der Bildung der Oxidschicht nicht selbst oxidieren, müssen bei der Anodisierung von Platin verwendet werden. Beispiele für solche Lösungen schließen Schwefelsäure (H-SO.), Kaliumhydroxid (KOH) und Perchloratsalze (ClO₄") ein.

Für eine vollständigere Diskussion der Anodisierung von Platin werden die Fachleute verwiesen auf die oben zitierte Druckschrifteriptel Ie von Hoare, (insbesondere die Seiten 13-46) .

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bo Chemische Oxidation

Die üblichen bekannten starken Oxidationsmittel können
ebenfalls zur Bildung der erfindungsgemäßen Platinoxidschicht verwendet werden* Solche Oxidationsmittel müssen ein Oxidationspotential von wenigstens -o,8o V relativ
zur Standard-Wasserstoff-Halbzellenreaktiön haben:

H₂ = 2H⁺ + 2ö~ (0,00 V).

Beispiele von in der Praxis für die Erfindung verwendbaren Oxidationsmitteln sind

(1)'Salpetersäure (HNO₃):

W₂O₄+ 2H₂O = 2NO₃" + 4H⁺ + 2e"^ (-0,80V)

Oder

HNO₂ + H₂O = NO₃"* + 3H⁺ 2e" (-0,94 V)

(2) Par chlorsäure. (HClO₄):

C1O₃~+ H₃O = ClO₄" + 2H⁺ + 2e~ (-1,19 V)

(3) Chromsäure (HpCrÖ.) und saure Lösungen von Kaliumdichromat (K₂Cr₂O₇):

2Cr³⁺+'7H^O = Cr.0„²"+ 14H⁺ + 6e~ ^¹'^{33 V)}

(4) saure Lösungen von Cersulfat (Ce(SO₄) ):

Ce³⁺ = Ce⁴⁺ ₊ β"" ^¹'^{61 V)}

Diese Werte sind dem Werk von Wendell M, Latimer, "Oxidation Potentials, 2» Ausgabe, Prentice-Hall, Inc., Mew York (1952)< entnommen.

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Diese Oxidationsmittel wirken am besten, wenn sie bei erhöhten Temperaturen eingesetzt werden. Platin sollte für wenigstens 10 Sekunden eingetaucht werden. Längere Zeiten, z.B. 5 Minuten, werden zur Bildung einer relativ dicken reproduzierbaren Platinoxidschicht empfohlen.

Chemische Oxidiermittel, die schwächer als die oben zusammengestellten sind, beispielsweise 30 %iges Wasserstoffperoxid (H O-) führen nicht zu einer brauchbaren Platinoxidschicht, auf welcher der Photolack für die Zwecke der Erfindung genügend haftet.

Beispiele

a. Eine Anzahl von Siliziumsch#ibchen mit integrierten Schaltungen wurden in erfindungsgemäßer Weise metallisiert. Vor der galvanischen Niederschlagung von Gold auf den von einem Photolackmuster begrenzten Platingebieten wurde die gesamte Platinoberfläche auf jedem Scheibchen auf eine Endspannung von 1,6 V für eine Zeitdauer von 5 Minuten bei einer Stromdichte von o,2 mA/cm in einnormaler Schwefelsäure (IN HpSO ) anodisiert .

Im Anschluß an die Anodisierung der Platinschicht wurden die Muster in destilliertem Wasser gespült und mit Photolack beschichtet. Die Muster wurden dann mit anderen Mustern

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verglichen, die nach dem" bekannten Verfahren gemäß dem deutschen Patent 1 282 196 hergestellt wurden. Mikroskopische Prüfung zeigte,.daß die Haftung bei den Mustern mit anodisiertem Platin erheblich verbessert war. Dies wurde durch die Beobachtung festgestellt, daß für die gleiche Goldabscheidungszeit bei beiden Mustersätzen die Unterplattierung von Gold unter den Photolack bei den Mustern mit anodisiertem Platin um mehr als 50 % niedriger lag.

b. Der Vergleich von Scheibchen, die in erwärmter (70 C) üblich konzentrierter (70 Vol.%) Salpetersäure für einen Zeitraum von 5 Minuten oxidiert worden waren, mit gemäß dem Verfahren nach dem deutschen Patent 1 28 2 196 hergestellten Scheibchen führte zu ähnlichen Ergebnissen wie oben.

Diese Ergebnisse sagen nicht zwangsläufig aus, daß der Abstand zwischen Elektrodenflächen., der bisher bei etwa ο,οΐδ cm liegt, nunmehr um 50 % vermindert werden kann, jedoch zeigen die Resultate, daß eine erheblich geringere Gefahr besteht, daß die Elektrodenflächen durch Unterplattierung kurzgeschlossen werden.

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Claims

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Paten tansprü c h e

J Verfahren zur Herstellung eines leitenden Elektrodenmusters, bei dem eine Photolack-Maskierschicht auf einer Platinoberfläche niedergeschlagen wird, Teile der Photolack-Maskierschicht zur Begrenzung des leitenden Elektrodenmusters entfernt werden und eine Goldschicht auf der Platinoberfläche niedergeschlagen wird, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Niederschlagung der Photolackmaskierungsschicht die Platinoberfläche zur Bildung einer Sauerstoff enthaltenden Schicht oxidiert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Oxidation durch eine wenigstens 10 Sekunden dauernde Anodisation bei einer Spannung von o,8 bis 1,6 V durchgeführt wird, wobei die maximal erreichte Spannung 1,6 V ist.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß von einer Spannung ausgegangen wird, die weniger als die Minimalspannung von o,8 V ist.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß

die Anodisierung bei einer im wesentlichen konstanten Strom-

2 dichte im Bereich von o,l bis Io mA/cm durchgeführt wird.

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5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Platinschicht in einem wässrigen Elektrolyten anodisiert wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Platinschicht in einer chemischen Lösung mit einem Oxidationspotential von wenigstens -o,8o V relativ zur Standard-Wasserstoff-Halbzellenreaktion chemisch oxidiert wird.

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