DE2159612A1 - Verfahren zum stromlosen Metall plattieren nichtleitender Korper - Google Patents
Verfahren zum stromlosen Metall plattieren nichtleitender KorperInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 36
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 16
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 claims description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 5
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 claims description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 4
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000001994 activation Methods 0.000 claims 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000003197 gene knockdown Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]ethanol Chemical compound OCCC1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910003266 NiCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- -1 copper and gold Chemical class 0.000 description 1
- JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Cu+2].[O-]S([O-])(=O)=O JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- LAIZPRYFQUWUBN-UHFFFAOYSA-L nickel chloride hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Cl-].[Cl-].[Ni+2] LAIZPRYFQUWUBN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 description 1
- 229940074439 potassium sodium tartrate Drugs 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- YJBKVPRVZAQTPY-UHFFFAOYSA-J tetrachlorostannane;dihydrate Chemical compound O.O.Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl YJBKVPRVZAQTPY-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
- YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K titanium(iii) chloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)Cl YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1862—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by radiant energy
- C23C18/1865—Heat
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
- C23C18/1886—Multistep pretreatment
- C23C18/1889—Multistep pretreatment with use of metal first
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
- C23C18/1886—Multistep pretreatment
- C23C18/1893—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
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- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
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Description
Böblingen, 30. November 19 71 ru-bue/fr
Anmelderini International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Amtl. Aktenzeichen: Neuanmeldung
Aktenzeichen der Anmelderin. Docket EN 9 70,030
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum stromlosen Metallplattieren
nichtleitender Körper, insbesondere von Schaltkarten für elektronische Geräte, unter Anwendung von Sensibilisierungs- und
Aktivierungsverfahren.
Prinzipiell sind drei Verfahren bekannt, um Metall auf nichtmetallische
poröse oder nichtporöse Unterlagen bzw. Glas aufzubringen. Einmal ist es möglich, die Metalle mechanisch durch
Plattierung bzw. durch Aufsprühen oder Aufdampfen aufzubringen.
Diese Verfahren haben jedoch den Nachteil, daß die aufgebrachten Schichten sehr große Dickenunterschiede aufweisen und daß die
Haftfähigkeit auf der Unterlage sehr klein ist, so daß sogar
Unterbrechungen der Leiterzüge auf Schaltkarten möglich sind, wobei zu beachten ist, daß die Leiterzüge von Schaltungsplättchen
für rnikrominiaturisierte Schaltkreise nur eine Breite von 100 u und kleiner haben. Eine homogene Dicke über das ganze Plättchen
ist deshalb von so großer Bedeutung, weil der Widerstand der einzelnen Leiterzüge des Plättchens konstant und sehr klein
sein soll, um möglichst wenig elektrische Verluste zu haben.
Außerdem ist es bekannt, Metalle, wie z.B. Kupfer und Gold, mit Hilfe der Galvanotechnik auf nichtmetallische Unterlagen
aufzubringen. Auch sind die hierzu erforderlichen Vorriciitungen
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bekannt. Diese Verfahren und Vorrichtungen haben jedoch den Nachteil,
daß die nichtmetallischen Unterlagen mit viel Aufwand an Zeit und Material für den galvanischen Prozeß vorbereitet werden
müssen. Damit eine einwandfreie Haftung des Goldes bzw. des Metalles
auf der nichtmetallischen Unterlage erreicht wird, müssen vor dem eigentlichen Metallisierungsprozeß in mehreren Prozessen
verschiedene metallische Zwiscnenschichten auf chemischem oder galvanischem Wege auf das Grundmaterial aufgebracht werden. Dadurch
wird dieses gesamte Verfahren sehr teuer und zeitaufwendig. Außerdem haben diese bekannten Verfahren den Nachteil, daß sie
zur Herstellung von mehrschichtigen Leiterzügen auf nichtmetallischen Unterlagen ungeeignet sind, da die Leiterzüge durch Ätzen
mittels Königswasser hergestellt werden müssen.
Außerdem ist es bekannt, Kupfer oder Silber mit Hilfe chemischer Verfahren auf nichtleitende poröse Körper oder Unterlagen aufzubringen.
Dabei wird der zu versilbernde bzw. verkupfernde Körper vor dem eigentlichen Metallisierungsprozeß sensibilisiert und
aktiviert sowie gegebenenfalls noch mit einer anderen metallhaltigen Zwischenschicht versehen. Dieses Verfahren ist jedoch
sehr umständlich und hat auch zur Folge, daß die Haftungsfähigkeit
auf der nichtelektrischen Unterlage äußerst gering ist.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein stromloses
Metallplattierungsverfahren anzugeben, das einmal eine sehr große Haftfähigkeit der aufgebrachten Schicht auf der Unterlage ermöglicht
und zum anderen eine homogene und gleichmäßig starke Schicht ermöglicht.
Die erfindungsgemäße Lösung der Aufgabe besteht in einem Verfahren,
das dadurch gekennzeichnet ist, daß der Keramikträger nach dem Reinigen in eine konzentrierte alkalische Metallhydroxydlösung
eingetaucht und erwärmt wird, um das Wasser aus dieser Lösung zu entfernen und das feste alkalische Metallhydroxyd auf der
Überfläche des Keramikträgers niederzuschlagen, wonach der Keramikträger
auf eine Temperatur oberhalb des Schmelzpunktes des niedergeschlagenen alkalischen Metallhydroxyds so lange erwärmt
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Docket EN 970 030
Docket EN 970 030
wird, bis das geschmolzene alkalische Metallhydroxyd die Oberfläche
des Keramikträgers und gegebenenfalls eines Binders verändert, daß danach der Keramikträger gekühlt und gespült und das
alkalische Metallhydroxyd neutralisiert wird, wonach er in ein Metallisierungsbad zum stromlosen Plattieren gebracht wird.
Wie sich gezeigt hat, hat ein auf diese Art und Weise aufgebrachtes
Metall auf einer nichtelektrischen Unterlage eine äußerst große Haftfähigkeit, die mit den bisherigen Verfahren nicht erreicht
wurde.
Die Erfindung wird nun anhand eines Ausführungsbeispiels näher beschrieben.
Nach konventionellen Verfahren zur stromlosen Kupferplattierung wird ein Substrat in geeigneter Weise in einer wässrigen Alkalilösung
gereinigt. Das gereinigte Substrat kann in einer Vielzahl von Lösungen sensitiviert werden. Eine Sensitxvierungslösung besteht
aus einer wässrigen Zusammensetzung mit einem Gehalt von 160 bis 165 g Zinnchlorid Dihydrat, 170 bis 175 cm Salzsäure
als Reagenz und 3,78 Liter destilliertes Wasser. Die Sensitivierungslösung
soll auf einer Temperatur von 20 bis 30 0C gehalten
werden. Das Substrat wird 5 bis 7 Minuten lang in diese Lösung eingetaucht. Substrate können auch durch Eintauchen in eine
der folgenden Lösungen sensitiviert werden: eine wässrige Salzsäurelösung von Titaniumtrichlorid; eine wässrige Ammonium-Hydroxydlösung
von Silbernitrat; eine wässrige Lösung von Hydrochinon und Äthanol; eine wässrige Lösung von Zinnfluoroborat
und freier Fluoro-Borsäure.
Nach der Sensibilisierung wird das Substrat in Wasser gespült und in eine Aktivierungslösung getaucht, um einen Film eines sich
ablagernden Metalles auf dem Substrat niederzuschlagen. Die vorgesogenen
Aktivierungslösungen schlagen entweder Gold, Silber
oder Pallstii-im nieder. Eine Aktivierungs lösung wird hergestellt,
indem man 0:2 bis 2 g PdCl9.2HO, gelöst in destilliertem Wasser,
Lr, Λ0 bis ."?;C cm" honzentrierte Salzsäure als Reagenz gibt. Die-
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se Lösung wird auf einer Temperatur von 20 bis 30 C gehalten und das Substrat wird 2 bis 4 Minuten lang in diese Lösung getaucht.
Danach wird das Substrat in ein Plattierungsbad getaucht, welches
z. B. eine wässrige Lösung eines Kupfersalzes und eine alkalischen Metallhydroxydes unter Anwesenheit von Salzen wie Kaliumnatriumtartrat
und/oder Natriumcarbonat enthält. Das Substrat wird so lange eingetaucht, bis sich ein leitender Überzug bildet.
Die vorliegende Erfindung kann unter Verwendung eines konventionellen
wässrigen Bades zur stromlosen Plattierung durchgeführt werden, z. B. in einem Nickel- oder Kupferbad. Anschließend wird
ein Beispiel für ein geeignetes Kupferplattierungsbad gegeben.
Bestandteil
Untergrenze
Obergrenze
Kupfersulfatpentahydrat
Formaldehyd (37%)
Nickelchloridhexahydrat
Natriumhydroxyd
Kaliumnatriumtratrate
Natriumcarbonat
165 g/3,78 Liter 175 g/3,78 Liter
ml/3,78 Liter 1900 ml/3,78 Liter
63 g/3,78 Liter 72 g/3,78 Liter
152 g/3,78 Liter 162 g/3,78 Liter
695 g/3,78 Liter 710 g/3,78 Liter
68 g/3,78 Liter
77 g/3,78 Liter
Ein typisches Nickelbad zur stromlosen Plattierung hat folgende Zusammensetzung:
2 NiCo3.3 Ni(OH)2 4H2O
HF (als 50 % HF) Zitronensäure
10 g/l
6 ml/1
5,5 g/l
6 ml/1
5,5 g/l
Docket EN 97C
3 3/0.9 81
NH4HF2 IO g/l
NaH2PO3.H2O 20 g/l
NH.OH 30 ml/1 4
ph 4,5 - 6,8
Temperatur 75-85 0C
Die Al3O3 Keramiksubstrate, die in dieser Erfindung verwendet
werden, werden durch Standardtechniken vorbereitet. Ein Binder aus Glas und Al2O3-Pulver wird zum Beispiel mit einem organisehen
Binder gemischt und zu Tafeln ausgewalzt. Die Tafeln werden soweit erwärmt, daß der organische Binder verbrennt und
dann weitererhitzt, um die Glaskomponente zu schmelzen und dann wird das resultierende gesinterte Substrat abgekühlt. Andere
reine Al2O3-Substrate werden durch Sinterung von Al3O3
selbst hergestellt. Das Verfahren der Erfindung kann wie folgt ausgeführt werden:
Ein rechteckiges Substrat aus gesintertem Al O3 wird durch Eintauchen
in eine alkalische Lösung gereinigt. Die Lösung wird auf etwa 60 0C erwärmt und das Substrat darin etwa zwei Minuten
gelassen. Das Substrat wird in Wasser abgespült und dann eine Minute lang in eine konzentrierte Lösung von Natriumhydroxyd
getaucht, welches etwa 50 g NaOH pro 100 ml Wasser enthält. Nach Entfernen des Substrates aus dieser Lösung wird es etwa
fünf Minuten lang auf rund 170 0C erwärmt, um das Wasser zu
entfernen und dadurch einen überzug von NaOH auf der Oberfläche des Substrates niederzuschlagen. Das mit NaOH überzogene Substrat
wird dann etwa 10 -15 Minuten lang ausreichend, d. h. auf eine Temperatur von 318 bis 1000 0C erwärmt, um das NaOH auf
der Substratoberfläche zu schmelzen. Die optimale Erwärmungstemperatur liegt bei etwa 450 bis 500 0C. Nach der Abkühlung
auf Raumtemperatur wird das Substrat mit seinem überzug aus festem NaOH in Wasser gespült, um das meiste NaOH zu entfernen
und hinterher wird das Substrat etwa zwei Minuten lang in einer
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verdünnnten Säure wie z. B. einer 20 %igen Lösung von HCl, H 2 SO4
oder HNO- gespült. Schließlich wird das Subst Wasser unter Ultraschallbehandlung abgespült.
oder HNO- gespült. Schließlich wird das Substrat sorgfältig in *
Das so behandelte Substrat aus Aluminiumoxyd wird sensitiviert,
aktiviert und etwa 20 Minuten lang in ein konventionelles Bad zur stromlosen Kupferplattierung gesetzt, wie es oben beschrieben
wurde. Es wurde festgestellt, daß ein gut haftender Kupferüberzug von ungefähr 0,0001 mm Dicke auf dem Aluminiumoxyd
niedergeschlagen wurde. Dann wird das so behandelte Substrat in ein elektrolytisches Plattierungsbad getaucht und wodurch
elektrolytisch eine Kupferschicht niedergeschlagen wird.
Das gereinigte Substrat wird abwechselnd direkt in das geschmolzene
alkalische Metallsalz eingetaucht. Das alkalische Metallsalz wird in einem Behälter zwischen 318 und 1000 0C, vorzugsweise
zwischen 450 und 500 0C erhitzt und das Substrat für etwa
10 bis 15 Minuten darin eingetaucht. Bei diesem direkten Eintauchen werden die oben beschriebenen Schritte der Erwärmung
zum Niederschlag des alkalischen Metallhydroxydüberzuges auf dem Substrat und das anschließende Schmelzen dieses Überzuges
vermieden.
Abweichend von obiger Beschreibung können natürlich auch andere alkalische Metallhydroxyde verwendet werden wie z. B. LiOH oder
KaOH. Weiterhin abweichend von obigem Beispiel können für das Keramiksubstrat auch andere keramische Materialien wie Zircon,
Beryllium und Steatite bzw. Silicate, Glaskeramikmaterialien verwendet und genauso behandelt werden. Anstatt die Substrate fünf
Minuten lang auf 170 0C zu erwärmen, um das Wasser zu entfernen
und dadurch das alkalische Metallhydroxyd auf der Oberfläche
niederzuschlagen, kann man auch andere Temperaturen und Erwärmungszeiten wählen.
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Docket EN 970 030
Docket EN 970 030
Claims (5)
- I C=»> t/i ps fi A> S Vs? ΐ=*' VJ1 ί ί.PATENTANSPRÜCHEVerfahren zum stromlosen Metallplattieren nichtleitender Körper, insbesondere von keramischen Trägermaterialien für monolithische Schaltkreise, unter Anwendung von bekannten Sensibilisierungs- und Aktivierungsverfahren, dadurch gekennzeichnet, daß der Keramikträger nach dem Reinigen in eine konzentrierte alkalische Metallhydroxydlösung eingetaucht und erwärmt wird, um das Wasser aus dieser Lösung zu entfernen und das feste alkalische Metallhydroxyd auf der Oberfläche des Keramikträgers niederzuschlagen, wonach der Keramikträger auf eine ■l'emperatur oberhalb des Schmelzpunktes des niedergeschlagenen alkalischen Metallhydroxyds so lange erwärmt wird, bis das geschmolzene alkalische Metallhydroxyd die Oberfläche des Keramikträgers und gegebenenfalls eines Binders verändert, daß danach der Keramikträger gekühlt und gespült und das alkalische Metallhydroxyd neutralisiert wird, wonach er in ein Metallisierungsbad zum stromlosen Plattieren gebracht wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die alkalische Metallhydroxydlösung aus in 100 ml Wasser gelösten 50 g NaOH besteht.
- 3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das mit NaOH überzogene Substrat bzw. der überzogene Keramikträger ca. 15 Minuten auf eine Temperatur zwischen 318 und 1000 0C erwärmt wird, um das NaOH auf der Keramikträgeroberfläche zu schmelzen.
- 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der ο
liegtder optimale Temperaturbereich zwischen 450 bis 500 °C - 5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch Docket en 970 O30 209833/Π981zeichnet, daß das mit einem Überzug aus festem NaOH versehene Substrat bzw. der Keramikträger nach dem Spülen in Wasser noch zusätzlich etwa 2 Minuten in einer verdünnten Säure/ insbesondere einer 20%igen Salzsäure oder Schwefelsäure, gespült wird.Docket EN 970 030 2 0 9 8 3 3/0981
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US9594070A | 1970-12-07 | 1970-12-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2159612A1 true DE2159612A1 (de) | 1972-08-10 |
Family
ID=22254283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19712159612 Pending DE2159612A1 (de) | 1970-12-07 | 1971-12-01 | Verfahren zum stromlosen Metall plattieren nichtleitender Korper |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3690921A (de) |
| DE (1) | DE2159612A1 (de) |
| FR (1) | FR2116376B1 (de) |
| GB (1) | GB1302674A (de) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS507792A (de) * | 1973-05-24 | 1975-01-27 | ||
| JPS5330056Y2 (de) * | 1975-05-23 | 1978-07-27 | ||
| US4135012A (en) * | 1977-04-25 | 1979-01-16 | Corning Glass Works | Surface treatment of zirconia ceramic |
| US4196058A (en) * | 1977-11-23 | 1980-04-01 | Stettner & Co. | Electrical galvanic bath contact element |
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-
1970
- 1970-12-07 US US3690921D patent/US3690921A/en not_active Expired - Lifetime
-
1971
- 1971-09-02 GB GB4095271A patent/GB1302674A/en not_active Expired
- 1971-10-12 FR FR7137577A patent/FR2116376B1/fr not_active Expired
- 1971-12-01 DE DE19712159612 patent/DE2159612A1/de active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2116376B1 (de) | 1974-09-27 |
| GB1302674A (de) | 1973-01-10 |
| US3690921A (en) | 1972-09-12 |
| FR2116376A1 (de) | 1972-07-13 |
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