DE2154292A1 - Detektor für den durch die Photozelle im Verhältnis zur Intensität des in sie einfallenden Lichts erzeugten Strom - Google Patents

Description

ΐ-.'iriolt'! Canera Kribushiki Kaisha
Toyota Building, Ί -10 Shior.iachidori ΓίηΓ::.'ί-!π'., Osaka, Ja/oan

Detektor J'iir de.i durch die Photozelle im. Verhältnis zur Intensität rl er, in nie einfallenden Lichts erzeugten Strom

Die TirfiiKkmg betrifft einen Detektor für den der Intensität ('en von der Photozelle empfangenen Lichts entsprechenden von der Photozelle erzeugten Strom, insbesondere einen solchen Detektor, der den von der Photozelle erzeugten Strom erfaßt utjd {".;DT:il die Intensität des in die Photozelle einfallenden Lichts anzeigt.

"Es ist lereits bekannt, da3 der erzeugte Strom i einer Photoselle folgende Gleichung erfüllt:

i = i / - i (1-e )

Λ> Ο

In dieser Formel ist i im ersten Ausdruck auf der rechten Seite der von der Photozelle erzeugte Strom im Falle, daß dre beiden Anschlüsse der Photozelle kurzgeschlossen sind. Dieser Strom i£ steht zur Intensität des in die Photozelle einfallenden Lichts in einem bestimmten Verhältnis. Dagegen hat der St.όπ; i des zv/eiten Ausdrucks einen von der Intensität

des einfallenden Lichts unabhängigen l/ert. Daher v.'ird der zv/eito Ausdruck in Verhältnis zu ek^T in diesen zveiten Ausdruck geändert, wobei k eine Konstante, T die absolute Τϋί.Ίοοττι tnr, c Πιο Jtolzr.iann'soho Konstante und V die an der Plioto:',olLü Γ.Π jo_t:-onde Spannung ist.

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Wenn die absolute Temperatur unveränderlich gemacht wird, sind T, K, q alle unveränderlich und Sw- ändert sich

e nur entsprechend der an der Photozelle anliegenden Spannung. Also wird der zweite Ausdruck in der obigen Formel veränderlich entsprechend der an der Photozelle anliegenden Spannung.

Um den erzeugten Strom der Photozelle zur Intensität des empfangenen Lichts in ein direktes Verhältnis zu bringen, ist es nötig, den zweiten Ausdruck in der obigen Formel stets auf 0 zu halten, so dass nur die Stromkomponente i^ zu erfassen ist. Dafür muss die an der Photozelle anliegende Spannung V auf 0 Volt gehalten werden.

Auch wenn die an der Photozelle anliegende Spannung V einmal auf 0 Volt eingestellt wird, wird diese an der Photozelle anliegende Spannung gegenüber von 0 Volt geändert, wenn sich der erzeugte Strom i^ durch die Änderung der Intensität des einfallenden Lichts ändert. Es ist also lästig, die an der Photozelle anliegende Spannung stets auf 0 Volt zu halten.

Es wiirdfi deshalb bereits versucht, die an der Photozelle anliegende Spannung durch Hinzuschalten eines automatischen Kompensationsstromkreises auf 0 Volt zu stabilisieren, wenn der von der Photozelle erzeugte Strom sich ändert. Der Aufbau des automatischen Kompensationsstromkreises ist aber kompliziert und ferner war es damit unmöglich, bei einem weiten Änderungsbereich der Intensität des in die Photozelle einfallenden Lichts die an der Photozelle anliegende Spannung genau auf 0 Volt zu halten.

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Aufgabe der Erfindung ist es, einen Detektor zu schaffen, der unabhängig von der dem in die Photozelle einfallenden Licht entsprechenden Leistungsspannung die an der Photozelle anliegende Spannung stets auf 0 Volt halt und den zur Intensität des einfallenden Lichts im Verhältnis stehenden Strom erfasst.

Es soll ferner ein Detektor geschaffen werden, der die an der Photozelle entstehende Spannung unabhängig von der Intensität des einfallenden Lichts stets auf 0 Volt hält und eine verstärkte Leistung des zur Intensität des empfangenen Lichts im Verhältnis stehenden verstärkten Stroms erzeugt und erfasst.

Der Detektor soll die an der Photozelle anliegende Spannung unabhängig von der Intensität des einfallenden Lichts stets auf 0 Volt halten und den zur Intensität des einfallenden Lichts im Verhältnis stehenden Strom erfassen, wobei kein

eine Fehler durch TemperatürSchwankungen oder durch/Änderung des Verstärkungsfaktors eines Transistors auftreten darf.

Erfir.dungsgemäss wird dies erreicht durch einen ersten Transistor, einen zweiten pn-Üb ergang, der zwischen Basis und Emitter des ersten Transistors angeschlossen ist und eine mit der Exponentialfunktion des ersten Transistors gleiche Exponentialfunktion besitzt, eine Photozelle, die zwischen dem ersten Transistor und dem zweiten pn-übergang eingeschaltet ist, einen RückkopplungsStromkreis, der aus einem an den Kollektor des ersten Transistors angeschlossenen pn-übergang für die Erzeugung einer dem Kollektorstrom

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entsprechenden Spannung und einem eine mit diesem pn-tfbergang gleiche Exponentialfunktion besitzende, durch die Abfallspannung dieses pn-Übergangs vorgespannten Transistor besteht zur Erzeugung eines zum Kollektors "brom des ersten Transistors im Verhältnis stehenden Stroms in dem an den zweiten pn-übergang angeschlossenen Kollektor dieses Transistors und damit zur Stabilisierung der Spannung an den beiden Anschlüssen der Photozelle auf 0 Volt unabhängig vom erzeugten Strom der Photozelle und durch ein Amperemeter zur Erfassung des in der Photozelle erzeugten Stroms.

Ein Anschluss der Photozelle ist an die Basis des ersten Transistors angeschlossen, der diesen ersten Transistor vorspannende zweite pn-übergang ist einerseits an den anderen Anschluss der Photozelle und andererseits an den Emitter des ersten Transistors angeschlossen; das Amperemeter ist an den Kollektor des ersten Transistors angeschlossen.

Der zweite pn-Fbergang besteht vorzugsweise aus einem eine mit dem ersten Transistor gleiche Exponentialfunktion besitzenden Transistor, dessen Basis und Kollektor kurzgeschlossen sind und an einen Anschluss der Photozelle, deren anderer Anschluss an der Basis des ersten Transistors liegt, sowie an den RückkopplungsStromkreis angeschlossen sind; ferner ist der Emitter dieses Transistors an den Emitter des ersten Transistors angeschlossen.

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Der zweite Pn-Übergang kann auch aus einer eine mit dem ersten Transistor gleiche Exponentialfunktion besitzenden Diode bestehen; ein Anschluss dieser Diode ist dann an den Rückkopplungskreis sowie an die an die Basis des ersten Transistors angeschlossene Photozelle angeschlossen, während der andere Anschluss dieser Diode an den Emitter des ersten Transistors angeschlossen ist. Das Verhältnis zwischen Verstärkungsfaktor des pn-tibergangs und dem des Transistors im Rückkopplungskreis stimmt mit dem Verhältnis zwischen Stromspannungscharakteristik des ersten Transistors und der des zweiten pn-Übergangs überein.

Ein Anschluss der Photozelle kann an den Emitter des ersten Transistors angeschlossen sein; der diesen ersten Transistor vorspannende zweite pn-übergang liegt zwischen dem anderen Anschluss der Photozelle und der Basis des ersten Transistors, Das Amperemeter ist in den Stromkreis, der den Kollektor und den Emitter des ersten Transistors speist, eingeschaltet.

Der zweite pn-übergang besteht aus einem eine mit dem ersten Transistor gleiche Exponentialfunktion besitzenden zweiten Transistor, dessen Basis und Kollektor kurzgeschlossen sind; die Basis und der Kollektor dieses zweiten Transistors sind an die Basis des ersten Transistors und an den Rückkopplungskreis angeschlossen; der Emitter des zweiten Transistors ist an einen Anschluss der Photozelle,

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deren anderer Anschluss mit dem Emitter des ersten Transistors verbunden ist, und über das Amperemeter an die Spannungsquelle angeschlossen.

Der zweite pn-Übergang kann auch aus einer eine mit dem ersten Transistor gleiche Exponentialfunktion besitzenden Diode bestehen; ein Anschluss dieser Diode ist an die Basis des ersten Transistors sowie an den Rückkopplungskreis angeschlossen, während ihr anderer Anschluss an den Emitter des ersten Transistors und über das Amperemeter an die Spannungsquelle angeschlossen ist.

Dadurch, dass die Photozelle an die Basis des ersten Transistors angeschlossen wird, kann der zur Intensität des in-die Photozelle einfallenden Lichts im Verhältnis stehende erzeugte Strom durch den ersten Transistor verstärkt und dann erfasst werden.

Dadurch, dass die Photozelle an den Emitter des ersten Transistors angeschlossen wird, wird der wegen Temperaturänderungen hervorgerufene Fehler ausreichend korrigiert und der infolge der durch die Grosse des Eingangsstroms des Transistors verursachten Änderung der Proportionskonstante hervorgerufene Fehler korrigiert, so dass der Wert des zur Intensität des in die Photozeile einfallenden

Lichts/richtig erfasst werden kann, proportional erzeugten Stroms

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Dig Erfindung wird in folgenden anhnnd der Zeichnung /iflher beschrieben.

Vif. 1 zeigt in einem Schaltbild den nrinzipiellen Aufbau des Strompreises gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Fig. ? zeigt das Schaltbild des Stromkreises des ersten Ausf ührimgsbei sr>iels.

Fig. 3 seigt ans Schaltbild des Stromkreises eines zx^eiten Ausführungsbeispiels der Erfindung.

In Tip;. 1 ist ("ie Photozelle P an dio Basis des Transistors T, rngesehlossen. Der erzeugte Strom i, der Photozelle P v.'ird durch diesen Transistor T-, verstärkt. Der erzeugte Strom i-, wird zum Basisstrom des Transistors T-., so daß, wenn der Stromverstärkungsfaktor des Transistors T., mit β bezeichnet, wird, der Kollektorstron i die folgende Gleichung erfüllt:

¹C =P Η

Die Spannung V-, zwischen der Basis und dom Emitter des Tran sistors Τ,, erfüllt die folgende Gleichung:

Also wird der r/io Kollektorstrom i in Verhältnis stehende

Sirorr. i^! dem nn-Ubergrng L_n r.it der mit dem Transistor T₁

8AD

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gleichen Exponentialfunktionseigenschaft zugeführt, damit die Spannung am pn-übergang Lp bis auf den mit der Spannung V-. gleichen Wert herabgesetzt wird, und die beiden Anschlüsse des pn-Übergangs Lp werden jeder für sich an die Anode der Photozelle P und an den Emitter des ersten Transistors T-. angeschlossen; damit werden die folgenden Gleichungen erfüllt:

i' =	C2erVb	/	C1
und
if	/i C2
• —
b

Also ergibt sich aus i·. = i Iß

Wird dabei das Verhältnis i^f zu i geändert, so kann

die an der Photozelle P anliegende Spannung auf 0 Volt gehalten v/erden.

Als Rückkopplungsstromkreis, um den im pn-übergang Lp fliessenden Strom i¹ zum Kollektorstrom i des Transistors T-,

^G '

ins richtige Verhältnis zu bringen, wird, der pn-übergang Lv , der mit dem Transistor T-, sowie dem zweiten pn-Übergang die gleiche Exponentialfunktionseigenschaft besitzt, über das Amperemeter A an den Kollektor des Transistors T. in Reihe angeschlossen und ein weiterer Transistor T, vorgesehen, dessen Basis und Emitter über diesen Pn-übergang

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angeschlossen sind; der Kollektor dieses Transistors T, wird an die ifothode eier Photozelle P sowie den zweiten rai-Übergatu; L₀ angeschlossen.

Durch Anwendung des uückkopplungskreises wird der Kollektorstron. i , des Transistors T^ den pn-Übergang L, zugeführt, unO durch die von diesem Stron i air. pn-Übergang erzeugte Spannung wird der Basisstroni des Transistors T, gesteuert, !is gilt:

•c ■ ^C3 ^Λ'

Wenn der Kollektorstrom des Transistors T, mit i¹¹ bezeichnet wird, gilt:

rV
i" = C₄ O¹V

Ist i¹ = i^!t, so gelten die folgenden Verhältnisse:

4 i¹

__c 3_ und ι = -w4- i

ι U^ ά

i ·' ₌ i ———— = , i _____ α ι 3 3 2

Also brauchen nur der Transistor T^ und der Transistor T, sowie der pn-tlbergang L₉ und der pn-Übergang L, so

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ausgewählt zu werden, dass das folgende Verhältnis erfüllt wird:

^C4 . ^C1

Gemäss Fig. 2 werden als pn-übergang L₂ und pn-übergang L^ in Fig. 1 der Transistor T₂ und der Transistor T₇ verwendet

Es wird der Kollektor des Transistors T₇, dessen Basis und Kollektor kurzgeschlossen sind, über das Amperemeter A an den Kollektorstromkreis des ersten Transistors T-,, an dessen Basis die Anode der Photozelle angeschlossen wird, angeschlossen und die Emitter der beiden Transistoren T^ und T₇ werden jeweils an den negativen Pol der Spannungsquelle E bzw. deren positiven Pol angeschlossen. Die Basis und der Kollektor des Transistors T₇ werden ebenso an die Basis des Transistors T, desselben Typs'der Transistor T₇, dessen Emitter am positiven Pol der Spannungsquelle E angeschlossen, und der Kollektor des Transistors T, wird angeschlossen an den Kollektor und die mit ihm kurzgeschlossene Basis des zweiten Transistors T₂ desselben Typs wie der Transistor T*; seine Basis wird an die Kathode der Photozelle angelegt. Der Emitter des zweiten Transistors T₂ wird ebenfalls an den negativen Pol der Spannungsquelle E angeschlossen.

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Wird jetzt der Strom i, in der Photozelle P erzeugt, so entsteht eine Spannung V-, zwischen der Basis und dem Knitter des Transistors T-, und ein Kollektorstrom

rV
i (= C-,Θ b) fließt. Dieser Strom i fließt in den Transistor T^ sowie das Amperemeter A. Mit diesem Strom i wird die Spannung V·, , zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors T, erzeugt. Diese Spannung V-, , spannt den Transistor T, desselben Typs wie der Transistor ¹Y-, mit

' rV

derselben Spannung vor, so daß ein Strom i'(= C.e b¹) in ("en Kollektor des Transistors T, fließt. Dieser Strom i' fließt in den Transistor Tp, so daß eine Vorspannung V-, t , zwischen der Bosis und dem Emitter des Transistors T₀ erzeugt, wird.

Also besteht das Verhältnis i' = C_oe b'' .

Daher:

i' = C₄(,^rVb' = G₂e^rVb"

Also: C₁ . C, - e^rVb = G_x- G₀ · e^rYb"

G C ".,'ird die Bedinruiig der Erfindung 'J\ _Ί ₁

3 ?. eingesetr:!, so ergibt sich die folgende Gleichung:

3/0978 ^ßAD

Also wird die an der Photozelle anstehende Spannung stets auf 0 Volt gehalten. Der erzeugte Strom der Photozelle P steht also zur Intensität des in die Photozelle einfallenden Lichts im direkten Verhältnis, und der aus diesem erzeugten Strom durch den Transistor T-, verstärkte Strom i steht ebenfalls zur Intensität des in die Photozelle einfallenden Lichts im direkten Verhältnis, so dass dieser Strom durch das Amperemeter A erfasst werden kann.

In Fig. 2 können anstelle des zweiten Transistors T^ und des Transistors T* Dioden verwendet werden.

Oben wurde das Ausführungsbeispiel beschrieben, bei dem die Photozelle P zwischen der Basis des ersten Transistors und der Basis des zweiten Transistors eingeschaltet ist. Dabei wird der erzeugte Strom der Photozelle, der zur Intensität des in die Photozelle einfallenden Lichts im Verhältnis steht, vom ersten Transistor T. verstärkt und dieser verstärkte Strom wird durch das Amperemeter A erfasst. Die Erfassung ist daher leicht. Aber, da der Strom durch den ersten Transistor T* verstärkt wird, wird der Stromverstärkungsfaktor von der Temperaturänderung beeinflusst, und ferner hat der Stromverstärkungsfaktor des Transistors die Neigung,kleiner zu werden, wenn der Eingangsstrom klein ist, und grosser zu werden, wenn der Eingangsstrom gross ist.

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Es wird also nachteiligerweise dadurch schwer, den zur Intensität des in die Photozelle einfallenden Lichts im Verhältnis stehenden Strom der Photozelle mit hoher G-enauigkeit zu erfassen.

Beim in Fig. 3 gezeigten zweiten Ausführungsbeispiel wird der zur Intensität des in die Photozelle einfallenden Lichts im Verhältnis stehende erzeugte Strom der Photozelle mit hoher Genauigkeit erfasst, wobei der oben erwähnte Nachteil beseitigt ist. Dabei ist die Photozelle P an den Emitter des ersten Transistors T^ angeschlossen.

Auch in diesem Fall gleich mit dem oben erwähnten Ausführungsbeispiel i«4, dass der Transistor T₇ und der andere Transistor T. im Eückkopplungsstromkreis angeordnet werden, um den Kollektorstrom i des ersten Transistors T. und den in den zweiten Transistor Tp* ^ei ^^em ^ ie und der Kollektor kurzgeschlossen sind, fliessenden Strom i¹ in das Proportionalverhältnis zu bringen.

C Wird das oben erwähnte Verhältnis 4

ebenso in diesem Fall erfüllt, kann die an der Photozelle P anliegende Spannung auf 0 Volt gesetzt werden.

Bei diesem Ausführungsbeispiel wird nämlich die Photozelle P an den Emitter des ersten Transistors T^ und über das Amperemeter A an den negativen Pol der Spannungsquelle E angeschlossen.

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Der erste Transistor T., ist durch den Transistor T₀, der den pn-Übergang bildet und dessen Kollektor und Basis kurzgeschlossen sind, mit der Spannung ν_φ vorgespannt. Der Kollektor des ersten Transistors T-. ist an den Kollektor des Transistors T,, dessen Kollektor und Basis ebenfalls kurzgeschlossen sind, im Rückkopplungskreis angeschlossen. Der Emitter dieses Transistors Tv ist an den positiven Pol der Spannungsquelle E angeschlossen. Die Spannung zwischen der Basis und. dem Emitter des Transistors T₇ wird auch an die Basis und den Emitter

des Transistors T, angelegt, der Kollektor des Transistors T, ist an den Kollektor mit kurzgeschlossener Basis des Transistors Tp angeschlossen, und der Emitter des Transistors Tp wird über den einen Anschluß des Amperemeters A an die Spannungsquelle E angeschlossen.

Wird die Spannung an beiden Enden der Photozelle P mit (-V ) bezeichnet, so gilt:

v_T = v_BE + (-v_p)

wobei V-RT? clie Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors T-, ist.

Der erzeugte Strom i erfüllt im Fall, daß die Photozelle P mit der G-egenspannung V geladen wird, die folgende Gleichung:

i r\ (

. -, kT
ι = _H - i_o <Ί - e

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und der erzeugte Strom i fliesst zwischen Kollektor und Emitter des Transistors T-. Also ist: i = i

Ebenso wie bei der Erklärung des Aus'führungsbeispiels in Fig. 2 gilt:

^VT

1 = O- . θ ΰΛ = 0-z . θ

Cl ο

i¹ = C₄ . e^rv = C₂ . e

_A1nft, ρ _n ^rVr_n-, _p ρ rV_m

JlXoO. W- · Wx · θ Oll — L/Q. O β Iq

Daher ergibt sich aus der Bedingung der Erfindung:

Vt, = V

T3T? Φ

Wenn die Spannung V zwischen den beiden Enden der Photozelle P 0 Volt ist

i wird also gleich dem zur Intensität des in die Photozelle einfallenden Lichts im Verhältnis stehenden Stron I^ . Also erfüllt der in das Amperemeter fliessende Strom i, die folgende Formel:

¹A = ¹C ^{+ i!}

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Da i¹ oo i , steht i- zur Intensität des in die

C Ix

Photozelle einfallenden Lichts im Verhältnis.

In diesem Fall wird die oben erwähnte Formel dadurch erfüllt, dass der Strom i¹, der mit dem Verstärkungsfaktor/^ ' des Transistors T? und dem Verstärkungsfaktorfi> ^!l des Transistors

gfi

T₄ im Verhältnis ß^xx V ^C

T im Verhältnis ß^xx V ^C2

steht, zum Strom i ins Verhältnis gesetzt wird.

Die an der Photozelle P anliegende Spannung kann also auf O Volt gehalten werden und der zur Intensität des in die Photozelle einfallenden Lichts im Verhältnis stehende erzeugte Strom der Photozelle kann erfasst werden.

Der Kondensator C in Fig. 3 ist zur Verhindtfng von Oszialrtionen angeordnet, wenn, da die "beiden Stromkreise als Rückkopplungskreise geschaltet sind, die Phase umgetehrt wird und der Stromkreis in den Oszillationszustand kommt. Die Uirkung des Kondensators G glättet die Os zilla t ionswellenform.

2 ·} -5 8 2 'λ / Π 9 7 8

Claims (1)

1. Patentansprüche

   Detektor für den durch die Photozelle im Verhältnis zur Intensität des in die Photozelle einfallenden Lichts erzeugten Strom
   gekennzeichnet

   durch einen ersten Transistor (T-,), einen zweiten pn-übergang (Lo), der zwischen Basis und Emitter des ersten T_ransistors (T.,) angeschlossen ist und eine mit der Exponentialfunktion des ersten Transistors (T-) gleiche Exponentialfunktion besitzt, eine Photozelle (P), die zwischen dem ersten Transistor (T.,) und dem zweiten pn-übergang eingeschaltet ist, einen .Rückkopplungskreis, der aus einem an den Kollektor des ersten Transistors (T₁) angeschlossenen pn-übergang (Lv) für die Erzeugung einer dem Kollektorstrom entsprechenden Spannung und einem eine mit diesem pn-tibergang (L*) gleiche Exponentialfunktion besitzende, durch die /ibfallspannung dieses pn-Übergangs (L₇) vorgespannten Transistor (T.) besteht, zur Erzeugung eines zum Kollektorstrom des ersten Transistors (T₁) im Verhältnis stehenden Stroms in dem an den zweiten pn-übergang (L₂) angeschlossenen Kollektor des Transistors (T,) und damit zur Stabilisierung der Spannung an den beiden Anschlüssen der Photozelle (P) auf O Volt unabhängig Tora erzeugten Strom der Photozelle (P) und durch ein Amperemeter (A) zur Erfassung des in der Photozelle erzeugten Strom.

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   ?-. Detektor nach Anspruch 1,

   dadurch gekennzeichnet, dass ein Anschluss der Photozelle (P) an die Basis des ersten Transistors (T₁) angeschlossen ist, der diesen ersten Transistor (T.,) vorspannende zweite pn-Übergang (Lp) einerseits an den anderen Anschluss der Photozelle (P) und andererseits an den Kmitter des ersten Transistors (T-,) angeschlossen ist, und das Amperemeter (A) an den Kollektor des ersten Transistors (Τ-,) angeschlossen ist.

   3. Detektor nach Anspruch 2,

   dadurch gekennzeichnet, dass der zweite pn-übergang (Lp) aus einem eine mit dem ersten Transistor (T.) gleiche Exponentialfunktion besitzenden Transistor (Tp) besteht, dessen Basis und Kollektor kurzgeschlossen sind, und an einen Anschluss der Photozelle (P), deren anderer Anschluss an der Basis des ersten Transistors (Th) liegt, sowie an den Rückkopplungsstromkreis angeschlossen sind und dass ferner der Emitter dieses Transistors (Tp) an den Emitter des ersten Transistors (T-,) angeschlossen ist.

   4. Detektor nach Anspruch 2,

   dadurch gekennzeichnet, dass der zweite pn-Übergang (L₉) aus einer eine mit dem

   C.

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   ersten Transistor (T-) gleiche Exponentialfunktion besitzendenDiode besteht und ein Anschluss dieser Diode an den Rückkopplungskreis sowie an die an die Basis des ersten Transistors (T-) angeschlossene Photozelle (P) angeschlossen ist, während der andere-Anschluss dieser Diode an den Emitter des ersten Transistors (T-) angeschlossen ist.

   ^Γ·. Detektor nach Anspruch 2,

   dadurch gekennzeichnet, dass das Verhältnis zwischen dem Verstärkungsfaktor des pn-übergangs (L*) und dem Verstärkungsfaktor des Transistors (T.) im Rückkopplungskreis mit dem Verhältnis zwischen der Stromspannungscharakteristik des ersten Transistors (T-) und der Stromspanmmgscharakteristik des zweiten pn-tibergangs (L·,) übereinstimmt.

   ö. Detektor nach Anspruch 1,

   dadurch gekennzeichnet, dass ein Anschluss der Photozelle (P) an den Emitter des ersten Transistors (T^) angeschlossen ist, der dieser, ersten Transistor (T-) vorspannende zweite pn-übergang (LO zwischen dem anderen Anschluss der Photozelle (P) und der Basis des ersten Transistors (T-) angeschlossen ist, und das Amperemeter (A) in den Stromkreis, der den Kollektor und Emitter des ersten Transistors (T^) speist, eingeschaltet ist.

   7. Detektor nach Anspruch 6,

   dadurch gekennzeichnet, dass der zweite pn-übergang (Lp) aus dem eine mit dem ersten Transistor (T-.) gleiche Exponentialfunktion besitzenden zweiten Transistor (T^), dessen Basis und Kollektor kurzgeschlossen sind, besteht, die Basis und der Kollektor dieses zweiten Transistors (Tr,) an die Basis des ersten Transistors (T-j) und an den Rückkopplungskreis angeschlossen sind, und der Emitter des zweiten Transistors (T2) an einen Anschluss der Photozelle (P), deren anderer Anschluss mit dem Emitter des ersten Transistors (T-,) verbunden ist, und über das Amperemeter (A) an die Spannungsquelle E angeschlossen ist.

   8. Detektor nach Anspruch 6,

   dadurch gekennzeichnet, dass der zweite pn-Übergang (L₂) aus einer eine mit dem ersten Transistor (TO gleiche Exponentialfunktion besitzenden Diode besteht und ein Anschluss dieser Diode an die Basis des ersten Transistors (T-,) sowie an den Rückkopplungskreis angeschlossen ist, während ihr anderer Anschluss an den Emitter des ersten Transistors (Τ.,) und über das Amperemeter (A) an die Spannungsquelle (E) angeschlossen ist.

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