DE2140509C3 - Leseverstärker - Google Patents

Description

ebenen oder einander angepaßten Komponenten er verschwendet keine Leistung in einer ScEadres sen- oder aymmetnerleitqng und bu ihm sind Ss Tast- oder Klemmimpuls für die Erholung oder Se Grundpegelhaltung erforderlich. Der Leseverstärker paßt steh schnell an eine hohe Differential-GIdch spannung an seinem Eingang an, ohne daß Probleme nut der Sattigungserholung auftreten, und er nimmt das schwache Lesesignal aus einem MagnetspeicT zu seiner Dtfferentialverstärkung auf. Das dabei ent- » stehende Ausgangss.gnal ist ein Verstärkerlesesigna welches auf einem niedrigen GleichspannungsS von beispielsweise OVoIt reitet, der von Sch JLkK-gen des Gleichstromemgangspegels oder von Versorgungsschwankungen unabhängig ist. Dies wird erfindungsgemaß durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale erreicht

Wenn der Speicher angewählt wird, ändert sich die E.ngangsspannung des Verstärkers von etwa der Versorgungsspannung auf einen niedrigen Wert nahe ,o dem Massepotential. Dieses hat einen Stromstoß aus dem Kondensator durch die Emitte-Kollektor-Strecke des Transistors zur Ausgangsschaltung zur Folge. Die Klemmdiode hält den Spannungsstoß am Ausgang auf einem niedrigen Wert nahe dem a₅ Massepotential. Nach der Entladung des Kondensators kehrt der Strom im Transistor auf seinen normalen Wert zurück, und der Verstärker befindet sich in einem Zustand, wo er ein Lesesignal aus dem Speicher voll verstärkt. Eine bevorzugte Ausführung*- form des Verstärkers enthält zwei Transistoren entgegengesetzten Leitungstyps in symmetrischer Schaltung.

«^DL^e _J ^Eltlⁿ^¹l^{ng Wird nachs}tehend ausführlich an Hand der Zeichnungen erläutert.

Fig. 1 ist ein Schaltbild eines erfindungsgemäßen Leseverstärkers und zeigt den Teil eines Magnetkernspeicher, an welchem der Eingang des Verstärkers hegt;

Fig. 2 zeigt eine andere Ausführungsform eines Teils der Schaltung nach F i g. 1;

Fig 3 ist ein vereinfachtes Schaltbild, welches die Grundelemente des Leseverstärkers zeigt;

Fig.4 zeigt den Verlauf verschiedener Spannungen und Ströme, auf die bei der Erläuterung der Funktionsweise der Erfindung Bezug genommen wird.

An Hand der Fig. 1 wird nun die Erfindung ausfuhrlicher beschrieben. Die Leitung 10 ist ein Draht in einem Magnetkernspeicher, der mit mehreren Magnetkernen 11 verkettet ist. Die dazu senkrechten Drahte, die ebenfalls mit den Kernen 11 verkettet sind, sind in der Zeichnung fortgelassen. Während des Leseteils des Speicherzyklus wird ein Strom durch den Speicherdraht 10 geschickt, der vom Anschluß +V über einen Widerstand 12, einen Lcseschalter 13, eine Diode 14, den Speicherdraht 10, die Diode 15, den Leseschalter 16 und einen Widerstand zum Anschluß - V fließt. Während des Schreibteils des Speicherzyklus fließt ein Strom in umgekehrter Richtung aus dem Anschluß + V über den Widerstand 18, den Schreibschalter 19, die Diode 20, den Speicherdraht 10, die Diode 21, den Schreib schalter 22 und einen Widerstand 23 zum Anschluß -V. Alle symbolisch eingezeichneten Schalter sind durch Transistorschaltungen realisiert, die einen Teil siner Speicherdraht-WAhleinrichtung bilden. Die Eingangsklemmen 24 und 25 eines Leseverstärkers sind mit den entgegengesetzten Enden des Speicher drahts 10 über gesonderte Leseschalter 13 und K verbunden. Da die Leseschalter 13 und 16 normalerweise geöffnet sind, sind die normalerweise an der Verstärkereingangsklemmen 24 uid 25 liegenden Spannungen etwa gleich den Versorgungsspannungen + V bzw. - V,

Der Leseverstärker enthält einen ersten pnp-Transistor Q 1 und einen zweiten Transistor Q 2 vom entgegengesetzten Leitungstyp, also vom npn-Typ. Durch die beiden Transistoren kann ein Serienstrom fließen, und zwar vom Anschluß +V durch den Widerstand Al, die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors Ql, eine Ausgangsschaltung mit dem Widerstand R und der Diode D, die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors Ql und den Widerstand R 5 zu einem Anschluß — V der Versorgungsspannung. Die Ausgangsschaltung enthält außerdem einen Widerstand R 6, der zwischen dem Kollektor des Transistors Q 1 und einen* Anschluß - V liegt, sowie einen Widerstand Rl, eier den Kollektor des Transistors Ql mit einem Anschluß +V verbindet. Die Kollektoren der Transistoren Q1 und Q 2 liegen an den Eingängen eines Vergleichers 30, der eine einzige Ausgangsklemme 32 aufweist.

Mit dem Transistor Q1 ist über die Widerstände R 7 und R 9 ein Transistor Q 3 zusammengeschaltet, wodurch der Widerstand R1 wie eine Konstantstromquelle für den Transistor Q 1 wirken soll. Die Transistoren Q1 und Q 3 seien auf irgendeine bekannte Weise zusammengeschaltet, um einen im wesentlichen konstanten Strom an die obere Seite oder den Ausgangsanschluß 40 der Ausgangsschaltung zu liefern. Auf ähnliche Weise ist mit dem Transistor Ql über die Widerstände R8 und Λ 10 ein Konstantstromtransistor «24 zusammengeschaltet, womit ein im wesentlichen konstanter Strom zur unteren Seite oder zum Ausgangsanschluß 42 der Ausgangsschaltung geliefert wird.

Zwischen dem Emitter des Transistors Q1 und dem Emitter des Transistors Q1 liegt ein Kondensator C. Die Basis des Transistors Ql ist über eine Diode D 3 an die Eingangskiemine 24 des Verstärkers angeschlossen, während die Basis des Transistors Ql über eine Diode D 4 mit der Eingangsklemme 25 verbunden ist. Die Basiselektroden der Transistoren Q1 und Q1 sind normalerweise auf eine Spannung nahe der Versorgungsspannung +V bzw. - V mittels eines Netzwerks aus den Widerständen R 11, RM und R 13 vorgespannt. Die Dioden D 3 und D 4 sind vorgesehen, um die Transistoren von den Eingangsklemmen während einer Phase des Betriebszyklus abzutrennen, die ansonsten einen Emitter-Basis-Durchbruch in den Transistoren Q 1 und Q 2 zur Folge hätte. Diese Phase des Speicherzyklus He~t zwischen dem Schreib- und dem Leseteil des Zyklus.

Man erkennt, daß die Schaltung nach F ί g. 1 symmetrisch aufgebaut ist, wobei der Spannungspol + V am oberen Ende des Schaltbildes über den pnp-Transistor Q1, eine symmetrische Ausgangsschaltung und über den npn-Transistor Q 2 mit dem Pol — V der Versorgungsspannung verbunden ist. An den Punkten in der Mitte der Schaltung zwischen den Polen + V und - V liegt Nullspannung oder Massepotential. Die Schaltung nach Fig. ] ist eine bevorzugte Ausführungsform, es kann jedoch auch, wie in F i g. 2 gezeigt ist, ein Masseanschluß vorgesehen

sein An die Stelle der Bauelemente RU, C, R größte Teil des Stromstoßes durch die Diode D' nach und D gemäß Fi g. 1 treten bei der Ausführungsform Masse fließt. Die Spannung am Ausgang 40 wird sonach Fig 2 die Teilwiderstände /T12, die Teil- mit von der DiodeD auf dem bei 56 in der Kurve 4e kapazitätenC, die Teilwiderstände/?' und die Teil- gezeigten Wert gehalten. Der erwähnte Stromstoß dioden D' deren gemeinsame Anschlüsse jeweils mit 5 läßt einen Maximalstrom von 50 bis 100 Milliampere Masse verbunden sind. durch den Transistor fließen.

Die Schaltung nach Fig. 1 wird deshalb bevor- Nachdem der Stromstoß aus dem KondensatorC

zugt weil sie eine zusätzliche Unterdrückung von durch den Transistor Qi und die Diode D' nach

Gleichtakt-Eingangsstörungen bringt, mehr als wenn Masse geflossen ist, kehrt der Strom durch den Tran-

die mittlere Masseverbindung gemäß F i g. 2 vorhan- io sistor Q 1 auf seinen nominellen Konstantwert von

den ist Die Funktionsweise der Schaltung nach etwa 2 bis 3 Milliampere zurück. Die Spannung am

F i g 2 ist jedoch etwas leichter zu erklären, weil die Ausgang 40 fällt dann bei 58 auf ihren normalen

obere und die untere Hälfte der Schaltung deutlich Wert nahe dem Massepotential zurück. Der tatsäch-

äquivalent sind und in der gleichen Weise, jedoch liehe normale Gleichspannungswert am Ausgang 40

mit entgegengesetzten Polaritätsänderungen arbeiten. 15 wird hauptsächlich von den Werten der Widerstän-

Die obere Hälfte der Schaltung nach Fig. 2 ist in deR' und R 6bestimmt.

vereinfachter Form in Fig.3 noch einmal darge- Zum Zeitpunkt t₂ erscheint die Vorderflanke des stellt um den Betrieb der Schaltungen nach F i g. 1 dem orthogonalen Speicherdraht zugeführten Trei- und 2 besonders deutlich erläutern zu können. berstromimpulses,w ie es bei 60 in F i g. 4 a gezeigt Die Arbeitsweise der Erfindung wird nun an Hand ao ist. Die Wirkung des Treiberstroms nach F i g. 4 a adder F i g. 1 und 3 und an Hand der Kurven nach diert sich dann mit der Wirkung des Treiberstroms F i g 4 beschrieben. F i g. 4 a zeigt einen Stromver- nach F i g. 4 b in dem mit beiden Drähten verketteten lauf mit welchem der (in Fig. 1 nicht gezeigte) or- Magnetkern, so daß dieser Kern umklappt, wenn er thogonale Speicherdraht während des Leseteils und im Speicherzustand »1« war. Das Umklappen des des Schreibteils eines vollständigen Speicherzyklus 25 Kerns induzwrt ein Lesesignal im Speicherdraht 10. beaufschlagt wird. Fig.4b zeigt den Verlauf des welches zum Basiseingang des Transistors Ql gedurch den Speicherdraht 10 nach F i g. 1 geschickten langt. Das dort empfangene Lesesignal hat eine PoIa-Stroms F i g 4 c zeigt die Spannung am Basiseingang rität, welche die Leitfähigkeit des Transistors ρ 1 zu des Transistors Q 1 nach F i g. 3 während der vermindern trachtet, und erzeugt ein ins Negative ge-Schreib- und Leseabschnitte eines Speicherzyklus. 30 hendes Signal am Ausgang 40. wie es bei 62 in In F i g 4 c ist zu erkennen, daß die Basiseingangs- F i g. 4 e gezeigt ist. Das verstärkte Lesesignal am spannung am Transistor Q 1 normalerweise und an- Ausgang 40 ist ein auf das Massepotential bezogenes fänglich zum Zeitpunkt t_e annähernd gleich ist der Signal, obwohl die Eingangsspannung an der Basis Versorgungsspannung 4 V. Der Transistor Q 1 ist im des Transistor Q 1 nun von der anfänglichen Span-Normal- oder Nennbetrieb leitend und führt einen 35 ⁿ«ⁿg ^{f v} auf einen verhältnismäßig niedrigen Wert Strom von 2 oder 3 Milliampere, der hauptsächlich über Masse geändert wird. Das Lesesignal am Auv von der Stromquelle / bestimmt wird. Der Strom ist gang 40 wird zum Zeitpunkt /„ zu einem (nicht geschwach, weil Emitter und Basis des Transistors Q 1 zeigten) Flipflop durchgelassen, welches die aus dem nahezu auf gleichem Potential liegen. Der Kondensa- Speicher herausgelesene Informationseinheit festhält, tori"' ist auf eine Spannung über Massepotential auf- 40 Zum Zeitpunkt r₄ hört der dem Speicherdraht 10 geladen, die etwa gleich der Versorgungsspannung zugeführte Treiberstrom auf, wie es bei 64 in ist. Der Konstantstrom aus dem Transistor Q 1 in Fig.4a gezeigt ist, wodurch die Eingangsspannunp F i ε. 3 fließt in die Ausgangsschaltung, die den mit an der Basis des Transistors Q 1 schnell bis auf den dem Spannungspol V verbundenen Widerstand Wert t V ansteigt, wie es bei 66 in F i g. 4 c ge/eiel R 6 enthält. Der Widerstand R 6 ist so bemessen, daß 45 ist. Die Eingangsspannung bleibt dann für die Dau-r er als Stromsenkc bzw -quelle wirkt, die den glei- des Schreibteils des Speicherzyklus auf dem Wcü chen[Strombetrag zieht, wie er von der Stromquelle / ι V, wie bei 68 in F ig. 4 c gezeigt. Die Spannung geliefert wird. Die Widerstände R 6 undÄ' sind so am Kondensator C steigt jedoch langsam an, da aus proportioniert, daß die Gleichspannung an der Aus- der Quelle / Strom m den Kondensator fließt. Dit gangsklemme 40 nahezu gleich Massepotential ist. 50 allmählich ansteigende Spannung am Kondensator Γ Zusammengefaßt sei gesagt, daß zur Anfangszeit /„ ist durch die gestrichelte Linie 70 in Fi g. 4 c gezeigt der Basiseingang des Transistors Q1 auf annähernd DeT Kondensator C hält die Emitterspannung nied + V liegt und an der Ausgangsklemme 40 im wesent- riger als die Basiseingangsspannung, so daß de liehen 0 Volt liegen. Transistor Q1 gesperrt wird und während des gan Zum Zeitpunkt i, erscheint die Vorderflanke 50 55 zen Schreibteil» des Speicherzyklus in seinem nich des Wähl- oder Treiberstromimpulses (Kurve 4 b) leitenden Zustand gehalten wird, am Speicherdraht 10. Dies hat ein sehr steiles Abfal- Während des Schreibteils des Speicherzyklus len der Spannung zur Folge, die vom Speicherdraht wenn der Transistor QI gesperrt ist, fällt die Span an den Basiseingang des Transistors Q1 gelegt wird, nung am Ausgang 40 auf einen niedrigen Wert T. wie es bei 52 in der Kurve Ac gezeigt ist. Die Span- 60 unterhalb Masse, der durch die Spannungsteilerwir nung am Emitter des Transistors Q1 folgt dem Ab- kung der zwischen Masse und dem Anschluß - I sinken der Spannung an der Basis dieses Transistors. geschalteten Widerstände R' und R 6 bestimmt wird Die Folge ist ein Stromstoß aus dem aufgeladenen Der Verstärker ist dann am Ende des Schreibteils de Kondensator C" durch den Transistor zur Ausgangs- Speicherzyklus in einem Zustand, wo er mit dem Le schaltung. Der vom Kondensator kommende Strom- 65 seteil des nächstfolgenden Speicherzyklus beginne stoß, der bei 54 in der Kurve 4 d gezeigt ist, bewirkt kann. Die tatsächlichen Spannungen an verschiede ein Ansteigen der Spannung am Widerstand R' über nen Punkten der Schaltung am Ende eines Speichel die Schwcllenspannung der Diode D', so daß der zyklus hängen von der Vorgeschichte der Speichel

Zugriffe ab. Beispielsweise hängt der Wert, bis auf den der Kondensator am Ende eines Speicherzyklus aufgeladen wird, von der Strommenge aus der Quelle/ in Fig.3, dem Kapazitätswert des KondensatorsC, der Eingangsspannung zum Zeitpunktf₄ nach Fig.4 und vor» der Zeitdauer des Schreibteils des Speicherzyklus ab.

Die vorangegangene Beschreibung des Betriebs der vereinfachten Schaltung nach F i g. 3 gilt auch für den Betrieb der oberen Hälfte der Schaltungen nach F i g. 1 und 2. In den symmetrischen Schaltungen nach F i g. 1 und 2 sind die Basiselektroden der Transistoren Q 1 und Q 2 mit entgegengesetzten Enden des Speicherdrahts 10 verbunden. Das Umklappen eines eine »1« speichernden Kerns induziert ein Lesesignal im Speicherdraht 10, welches in entgegengesetzten Richtungen mit entgegengesetzten Polaritäten zu den Basiseingängen der Transistoren Q 1 und Q 2 läuft.

Die den Basiselektroden der Transistoren Q 1 und Q 2 zugeführten Lesesignale entgegengesetzter Polarität vermindern die Leitfähigkeit der beiden Transistoren Q 1 und Q 2 und erzeugen ein ins Negative gehendes Signal am Ausgang 40 und ein ins Positive gehendes Signal am Ausgang 42. Das verstärkte Lesesignal am Ausgang 32 des Vergleichers hat eine Amplitude, die der Differenz zwischen dem in der oberen Hälfte der Schaltung und dem in der unteren Hälfte der Schaltung erzeugten Signal gleich ist. Jede Hälfte der Schaltung trägt zu dem Ausgangssignal bei. Gleichtaktstörungen werden jedoch infolge der symmetrischen Differentialanordnung wirksam unterdrückt.

Der in F i g. 1 gezeigte Vergleicher 30 ist eine übliche Schaltung zur Erzeugung einer »1« am Ausgang, wenn das vom Anschluß 40 kommende Ein-

gangssignal negativer ist als das vom Anschluß 42 kommende Signal, und zur Erzeugung einer »0« am Ausgang, wenn der Anschluß 40 positiv gegenüber dem Anschluß 42 ist. Wenn der Verstärker genau abgeglichen ist, sind die Spannungen an den An-

Schlüssen 40 und 42 beide 0, wenn am Eingang des Verstärkers eine »0« liegt. Zur Erzeugung einer Schwelle, oie das eingangsseitige Lesesignal überschreiten muß, bevor der Vergleicherausgang eine »1« liefert, ist es zweckmäßig, die Widerstände R 6

ao und R 2 bezüglich der Stromquellen so zu bemessen, daß normalerweise ein kleiner Strom durch den Widerstand/? fließt und an ihm eine Spannung erzeugt, die den Anschluß 40 normalerweise etwa 100 bis 200 Millivolt positiver als den Anschluß 42

»5 spannt. Diese Schwelle muß überschritten werden, bevor der Vergleicherausgang von »0« auf »1« übergeht.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

1 2 auf den Normalwert und Rückkehr der Aus-Patentansprüche: gangsdifferenzspannung auf naht Null das Erscheinen eines Lesesignals an den Basiselektro-

1. Leseverstärker mit einem Transistor, dessen den der Transistoren ein Verstärkersignal an den Basis ein Eingangssignal zugeführt ist und dessen 5 Differenzspannungsausgängen (40, 42) erzeugt. Kollektor mit einer Ausgangsschaltung und einer

Klemmdiode verbunden ist und der so vorgespannt ist, daß in seiner Emitter-Kollektor-

Strecke Strom fließen kann, und mit einem Kondensator, dadurch gekennzeichnet, io

daß ein Anschluß des Kondensators (C) mit dem Die Erfindung bezieht sich auf Leseverstärker mit Emitter des Transistors (Q 1) verbunden ist und einem Transistor, dessen Basis ein Eingangssignal daß ferner eine mit dem Ecaitter des Transistors zugeführt ist und dessen Kollektor mit einer Ausgekoppelte Konstantstromqtielle (R 1, R 9, R 7, gangsschaltung und einer Klemmdiode verbunden ist Q 3) vorgesehen ist, die den Transistor normaler- 15 und der so vorgespannt ist, daß in seiner Emitterweise stromleitend macht, den Kondensator auf- Kollektor-Strecke Strom fließen kann, und mit einem lädt und die Ausgangsschaltung mit im wesentli- Kondensator.

chen konstantem Strom versorgt, wobei der Zum Verständnis der mit der vorliegender· Erfin-Strom aus der Konstantstromquelle normaler- dung zu lösenden Aufgabe sei ein Magnetkernspeiweise die Ausgangsschaltung auf Nullspannung 20 eher vom Zweidraht-2-1/2-D-Typ betrachtet, der zur hält. Zeit in vielen Elektronenrechnern verwendet wird.

2. Leseverstärker nach Anspruch 1, dadurch Es sei daran erinnert, daß diese Speicher aus einer gekennzeichnet, daß der Verstärkereingang der- Matrix von zwei Gruppen senkrecht zueinander verart an einen Speicherdraht (10) eines Speichers laufender Drähte aufgebaut sind, wobei an jedem angekoppelt ist, daß die Zuführung eines Wähl- 25 Kreuzungspunkt von zwei Drähten ein Magnetkern Stroms zum Speicherdraht eine starke Spannungs- angeordnet ist. Das Einschreiben einer information änderung von einem Versorgungsspannungspegel in die Kerne geschieht durch Anlegen von Stromim- ( + V) auf einen nieorigen Spannungspegel er- pulsen an beide mit dem betreffenden Kern verkettezeugt, auf die ein schwaches Lesesignal folgt. te Drähte. Zum Auslesen der in einem Kern gespei-

3. Leseverstärker mit einer symmetrischen 30 cherten Information wird folgendermaßen vorgegan-Ausgangsschaltung, die Verstärkerausgänge für gen: Zunächst wird ein verhältnismäßig langer Stromeine Differenzspannung und eine derart gepolte impuls durch einen der mit dem Kern verketteten Klemmdiode enthält, daß die an !en Verstärker- Drähte geschickt, worauf abgewartet wird, bis die ausgängen auftretende Differenzspannung be- von der Vorderflanke des Impulses erzeugte Störung grenzt wird, sowie mit zwei Transistoren, deren 35 abgeklungen ist, hierauf wird ein zweiter Stromim-Basiselektroden jeweils mit einem zugeordneten puls durch den anderen, orthogonalen, mit dem Kern Verstärkereingang verbunden sind und deren verketteten Draht geschickt, und die Spannung am Kollektoren jeweils mit einer zugeordneten Seite ersten Draht wird abgefühlt, um festzustellen, ob dei der symmetrischen Ausgangsschaltung verbunden Kern als Folge einer darin gespeicherten logischer sind, und mit einem Kondensator, dadurch ge- 40 »Eins« ummagnetisiert wurde oder ob er als Folge kennzeichnet, daß der Kondensator (C) zwischen einer darin gespeicherten »Null« nicht ummagneti die Emitter der beiden Transistoren (Qi, Q 2) ge- siert wurde.

schaltet ist und daß die beiden Transistoren vom Ein bei einem solchen Speicher verwendeter Le-

entgegengesetzten Leitungstyp (pnp, npn) sind severstärker liegt mit seinem Eingang an den

und daß ferner eine Spannungs- und Stromver- 45 Speicherdraht, dem ein Treiberimpuls zur Adressen

sorgung vorgesehen ist, die die Transistoren nor- wahl zugeführt wird. Der Verstärker erfährt dahei

malerweise stromleitend macht, den Kondensator eine sehr starke Eingangsstörung, von der er sich ers

auflädt, an die Ausgangsschaltung Konstant- erholen muß, bevor er die nachfolgenden sehr schwa

ströme liefert und an den Differenzspannungsaus- chen Lesesignale fühlen kann. Diese schwachen Le

gangen (40, 42) im wesentlichen Nullspannung 50 sesignale sind einem hohen Spannungs-Grundpege

erzeugt. überlagert, der durch den Wählimpuls erzeugt wird.

4. Leseverstärker nach Anspruch 3, gekenn- Die bisher bekannten Leseverstärker für Speiche zeichnet durch eine solche Ankopplung an einen der erwähnten Art enthalten verschiedene Abgleich Speicher, daß die Zuführung eines Wählstroms zu und Tast- oder Klemmeinrichtungen, um die Erho einem Speicherdraht (10) des Speichers starke 55 lung des Verstärkers von den Auswirkungen de Spannungsänderungen von den positiven und ne- Wählimpulse zu erleichtern. Eine beliebte Maß gativen Versorgungsspannungspegeln (+K, -V) nähme besteht in dem Ansteuern oder Treibei auf niedrige Spannungspegel erzeugt, worauf ein zweier gleicher Wege im Speicher, unter denen de schwaches Lesesignal folgt, wobei die Basiselek- eine gewünschte Weg ist, wobei man dann die beide: troden der beiden Transistoren (ß 1, Q 2) mit 60 Wege auf differentielle Weise abfühlt, so daß di verschiedenen Enden des Speicherdrahts (10) Treiberstörungen im wesentlichen ausgelöscht wer verbunden sind und die Zuführung eines Wähl- den. Diese Lösung bedeutet jedoch eine Verschwen Stroms zu dem Speicherdraht die Basisspannun- dung an Treiberleistung und erfordert ein sehr sorg gen so stark vermindert, daß die Transistoren fältiges Abgleichen der Schaltungselemente in de einen zusätzlichen Stromstoß aus dem Kondensa- 65 beiden Wegen, um die gewünschte Auslöschung ζ tor (C) zur symmetrischen Ausgangsschaltung Iei- erreichen.

ten, worauf nach Entladung des Kondensators Der noch zu beschreibende erfindungsgemäße Le

und Rückkehr der Leitfähigkeit der Transistoren severstärker ist jedoch nicht abhängig von abgegli