DE2029053C

DE2029053C - Display device

Info

Publication number: DE2029053C
Authority: DE
Inventors: Koichiro; Ikebata Shigeki; Osaka Kurahashi (Japan)
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Publication date: 1972-11-02

Description

EL-Tafel verbundener transparenter Elektroden 3 so- Wenn die von den Impulsgeneratoren b und 9 erwie eine Gruppe von streifenförmigen mit der Ober- zeugten Auslöseimpulse in geeigneter Weise gesteuert fläche der nichtkristallinen Halbleiterschicht 2 ver- werden, so wird somit an jeder ausgewählten kreubundenen Elektroden 4 auf. Ferner ist eine Schalt- zungsstelle der Matrix, an der beide Impulse vorgruppeS vorgesehen, welche die Verbindung zum 5 liegen, eine Lumineszenz ausgelöst, und zwar kann Aufprägen von elektrischen Impulsen auf die atrei- so ein Punkt nach dem anderen lumineszieren. Auf fenförmige Elektrode 4 herstellt und unterbricht. Mit diese Weise kommt ein Bild zustande. Wenn das Bild den streifenförmigen transparenten Elektroden 3 sind gelöscht oder gewechselt werden soll, wird jeder Dioden 6 verbunden, und mit den Eingangsanschlüs- Schalter der Schaltgmppe 5 ausgeschaltet, so daß die sen der Schaltgmppe S sind Dioden 7 verbunden, xo entlang den mit den Schaltern verbundenen Streifen-Ferner sind ein Impulsgenerator mit negativer PoIa- förmigen Elektroden auftretende Lumineszenz streirität 8, ein Impulsgenerator positiver Polarität 9 und fenweise ausgeschaltet wird.EL panel of connected transparent electrodes 3 so- When those of the pulse generators b and 9 as a group of strip-shaped triggering impulses controlled in a suitable manner surface of the non-crystalline semiconductor layer 2, so is cross-bonded on each selected Electrodes 4 on. There is also a switching point in the matrix at which both impulses are grouped provided, which are the connection to the 5, triggered a luminescence, namely can Applying electrical impulses to the attria- luminesce one point at a time. on fen-shaped electrode 4 produces and interrupts. In this way an image is created. If the picture the strip-shaped transparent electrodes 3 are erased or should be changed, each will Diodes 6 connected, and turned off with the input connection switch of Schaltgmppe 5, so that the Sen the Schaltgmppe S diodes 7 are connected, xo along the strip-farther connected to the switches are a pulse generator with negative polo-shaped electrodes causing luminescence scattering 8, a pulse generator of positive polarity 9 and is switched off at a time.

Kondensatoren 10 und 11 vorgesehen. Eine Gleich- F ί g. 3 zeigt ein Schaltbild für ein Bildelement,Capacitors 10 and 11 are provided. An equation f ί g. 3 shows a circuit diagram for a picture element,

stromquelle ist mit 12 bezeichnet. Die gemäß F i g. 1 welches einen Kreuzungspunkt einer der streifenför-power source is designated by 12. According to FIG. 1 which is a crossing point of one of the strip conveyor

mit der Rückseite der EL-Tafel 1 verbundene nicht- 15 migen transparenten Elektroden 3 und einer derstrei-non-transparent electrodes 3 connected to the back of the EL panel 1 and one of the three

kristalline Halbleiterschicht 2 kann z. B. durch Sin- fcnförmigen transparenten Elektroden 4 darstellt,crystalline semiconductor layer 2 can, for. B. represented by sin-fcn-shaped transparent electrodes 4,

tern einer Mischung geeigneter Mengen von Te, As. sowie femer die damit verbundene Lumineszenz-tern a mixture of suitable amounts of Te, As. as well as the associated luminescence

Si und Ge hergestellt werden, wobei glasartiges nicht- steuereinrichtung.Si and Ge are made with glassy non-control device.

kristallines Material gebildet wird, ν oraüf dieses Die Bezugszeichen in der F i ^. 3 entsprechen den-crystalline material is formed, ν oraüf this The reference numerals in the F i ^. 3 correspond to

zerschnitzelt oder zerkleinert oder gepulvert wird ao jenigen in Fig. 1. Die von den Impulsgeneratoren8chopped up or crushed or powdered is ao those in Fig. 1. The from the pulse generators8

und worauf die EL-Tafel mit dem Pulver und einem und 9 erzeugten Impulse sind mit 13 und 14 bezeich-and whereupon the EL panel with the powder and one and 9 generated pulses are denoted by 13 and 14-

geeigneten Medium beschichtet wird. Ferner kann net.suitable medium is coated. Furthermore, net.

das glasförmige nichtkristalline Material auch durch F i g. 4 zeigt ein Zustandsdiagramm zur Veran-Metallaufdampfung aufgebracht werden. Die nicht- schaulichung der Arbeitswei^re des Schaltbildes gekristalline Halbleiterschicht2 zeigt eine Strom-Span- 35 maß Fig. 3. In .ier Figur ist die mit IS bezeichnete nungscharakteristik gemäß Fig. 2. Die Schaltgmppe 5 lineare Belastungskennlinie di-.rch die Reihenschalist in der Figur mit dem Schaltersymbol dargestellt. tung der EL-Tafel 1 und der nichtkristallinen Es handelt sich um eine Gruppe von Elektronen- Schicht 2 vorgegeben. Falls weder der Auslöseimpuls schaltern welche unabhängig voneinander jede der 13 noch der Auslöseimpuls 14 existiert, so bestimmt Verbindungen herstellen und unterbrechen können. 30 die Spannung E der Gleichspannungsquelle 12 der. in wobei sie durch ein äußeres Steuersignal betätigt wer- Fig. 4 mit 15 bezeichneten Zustand, und alle Schalden. Es können z. B. Transistor- und Thyristorschal- ter sind eingeschaltet. In diesem Zustand hat der ter verwendet werden. Wie in der F i g. 1 gezeigt, sind nichtkristailine Halbleiter 2, dessen Charakteristik in die mit den streifenförmigen transparenten Elektro- F i g. 2 gezeigt ist, einen hohen elektrischen Widerden 3 verbundenen Dioden 6 und die mit den Ein- 35 stand, und der Arbeitspunkt ist in F i g. 4 mit A begangsansfhlüssen der Schaltgmppe 5 verbundenen zeichnet. In diesem Fall tritt an der EL-Tafel keine Dioden 7 jeweils gesammelt mit der Gleichspan- Lumineszenzstrahlung auf, da die an der EL-Tafel I nungsquelle 12 verbunden. anliegende Spannung zu gering ist. Wenn nun diethe vitreous non-crystalline material also by FIG. 4 shows a state diagram for applying metal vapor deposition. The non schaulichung the Arbeitswei ^r e of the circuit diagram gekristalline Halbleiterschicht2 shows a current-chip 35 measured Fig. 3. In .ier figure with IS designated voltage characteristic shown in FIG. 2. The Schaltgmppe 5 linear load characteristic di-.rch the series saddle List shown in the figure with the switch symbol. treatment of the EL panel 1 and the non-crystalline It is a group of electron layer 2 given. If neither the trigger pulse switches which each of the 13 nor the trigger pulse 14 exists independently of each other, then certain connections can be established and interrupted. 30 the voltage E of the DC voltage source 12 of the. in which they are actuated by an external control signal Fig. 4 with 15 designated state, and all trays. It can e.g. B. Transistor and thyristor switches are switched on. In this state the ter has to be used. As in FIG. 1 are non-crystalline semiconductors 2, the characteristics of which are included in the strip-shaped, transparent electrodes. 2 is shown, a high electrical resistor 3 connected to the diodes 6 and to the input 35, and the operating point is shown in FIG. 4 draws connected with A starting connections of the Schaltgmppe 5. In this case, there is no diode 7 on the EL panel in each case collected with the DC luminescence radiation, since the I voltage source 12 is connected to the EL panel. applied voltage is too low. If now the

Der Impulsgenerator 8 erzeugt Auslösungsimpulse Auslöseimpulse 13 und 14 gleichzeitig an den Einnegativer Polarität, und der Generator 9 erzeugt Aus- 40 gangsklemmen der Kondensatoren 10 und 11 anlösungsimpulse positive! Polarität. Diese Auslösungs- liegen, so wandert der Arbeitspunkt von A nach B impulse werden den streifenföriP^;gen transparenten (F i g. 4) und von dort plötzlich nach C und, nachElektroden 3 bzw. den Verbindungen der Eingangs- dem die Auslöseimpulse verschwunden sind, nach />. anschlüge der Schalter 5 und der Dioden 7 aufge- wo er verbleibt.The pulse generator 8 generates triggering pulses triggering pulses 13 and 14 simultaneously at the negative polarity, and the generator 9 generates output terminals of the capacitors 10 and 11 triggering pulses positive! Polarity. This Auslösungs- do so, the operating point moves from A to B the pulses are ^{streifenföriP;} gen transparent (Fig. 4) and from there suddenly to C and, to electrodes 3 or the connections of the input where the trigger pulses have disappeared, to />. the switches 5 and the diodes 7 hit where it remains.

prägt. Die Arbeitsweise dieses Ausführungsbeispiels 45 Falls in der Schaltung gemäß Fig. 3 weder der der vorliegenden Erfindung wird im einzelnen in be- Auslöseimpuls 13 noch der Auslöseimpuls 14 vorzug auf die Fig. 3 und 4 erl'intert. Im folgenden soll liegt, hat das nichtkristalline Material einen hohen die Funktionsweise kurz dargestellt werden. Die Span- elektrischen Widerstand, so daß keine Lumineszenznung der Gleichspannungsquelle 12 ist auf einen ge- itrahlung auftritt. Wenn jedoch die Auslöseimpulse eigneten Wert eingestellt, und jeder Schalter der 50 13 und 14 gleichzeitig anliegen, so daß sich die an Schaltgmppe 5 ist eingeschaltet. In diesem Zustand dem nichtkristallinen Halbleiter 2 anliegende Spantritt in dem Gerät keine Lumineszenz auf, da die auf nung über den spezifischen Wert zur Auslösung der die EL-Tafel aufgeprägte Spannung niedriger ist als Lumineszenz erhöht, so nimmt der nichtkristalline der Spannungswert zur Zündung der Lumin2szenz- Halbleiter .? plötzlich einen niedrigen elektrischen strahlung, vorausgesetzt, daß lediglich die Gleich- 55 Widerstand an, und an der EL-Tafel 1 tritt eine Luspannungsquelle 12 in Betrieb ist. mineszenzstrahlang auf. Wenn nun die Auslöseim-shapes. The operation of this embodiment 45 If in the circuit of FIG. 3 neither the According to the present invention, the trigger pulse 14 is also preferred in detail in the trigger pulse 13 3 and 4 explained. In the following, the non-crystalline material has a high the functionality will be briefly presented. The chip electrical resistance, so that no luminescence the DC voltage source 12 is exposed to radiation. However, when the trigger pulses suitable value is set, and each switch of 50 13 and 14 are applied simultaneously, so that the Switching group 5 is switched on. In this state, the non-crystalline semiconductor 2 adjacent chip step in the device there is no luminescence, since the voltage exceeds the specific value for triggering the The voltage applied to the EL panel is lower as the luminescence increases, so the non-crystalline decreases the voltage value for the ignition of the luminescence semiconductors.? suddenly a low electric Radiation, provided that only the DC resistance is present, and a source of Lus voltage occurs at the EL panel 1 12 is in operation. ray of minescence. If now the release

FaIIs sich jedoch die Spannungen der von den pulse verschwunden sind, so verbleibt der Arbeitsimpulsgeneratoren 8 und 9 erzeugten Auslöseimpulse punkt doch an der Stelle D in F i g. 4. Demgemäß gleichzeitig überlagern, so steigt die Gesamtspar.nung behält der nichtkristailine Halbleiter 2 seinen Zuüber denjenigen Wert, welcher zur Startung der Lu- 60 stand niedrigen elektrischen Widerstandes bei, so daß mineszenzstrahlung erforderlich ist. die Lumineszenzstrahlung der EL-Tafel beibehaltenIf, however, the voltages from the pulses have disappeared, the trigger pulses generated by the working pulse generators 8 and 9 remain at point D in FIG. 4. Accordingly, when superimposed at the same time, the total saving increases, the non-crystalline semiconductor 2 maintains its value above that value which at the start of the Lu- 60 was low electrical resistance, so that minescence radiation is required. maintain the luminescent radiation of the EL panel

Wenn nun Auslöseimpulse verschwinden, so bleibt wird. Zur Löschung der Lumineszenz wird der Schaldank der Wirkungsweise des nichtkristallinen Halb- ter 5 ausgeschaltet.If the triggering impulses disappear, it remains. The Schaldank is used to extinguish the luminescence the mode of operation of the non-crystalline halter 5 is switched off.

leiters 2 die Lumineszenz an den Punkten, an denen Falls andererseits entweder der Auslöseimpuls 13conductor 2 the luminescence at the points where, on the other hand, either the trigger pulse 13

die Spannung durch Auslöseimpulsüberlagerung den 85 oder der Auslöseimpuls 14 alleine und unabhängigthe voltage by triggering pulse superimposition of the 85 or the triggering pulse 14 alone and independently

Wert für die Zündung der Lumineszenzstrahlung anliegt, so erreicht die Spannung an dem nichtkristal-Value for the ignition of the luminescence radiation is present, the voltage at the non-crystalline

überschritten hatte, bei alleiniger Einwirkung der linen Halbleiter 2 nicht den spezifischen, die Sirah-had exceeded, with sole action of the linen semiconductors 2 not the specific, the Sirah

Gleichspannungsquelle erhalten. lur.g auslösenden Wert, und das nichtkristalline Ma-DC voltage source received. lur.g triggering value, and the non-crystalline ma-

terial 2 nimmt keinen niedrigen elektrischen Wider- Gleichspannungsquelle 12 zur kontinuierlichen Anstand an. Demgemäß tritt in diesem Falle an der regung der Lumineszenz vorgesehen, sobald diese EL-Tafel keine Lumineszenzstrahlung auf. . einmal ausgelöst ist. Ein ähnlicher Effekt kann je-Material 2 does not take a low electrical resistance DC voltage source 12 for continuous decency on. Accordingly, in this case, the excitation of the luminescence is provided as soon as this occurs EL panel does not emit luminescent radiation. . is triggered once. A similar effect can

Die Dioden 6 und 7 wirken als Impedanzelementc doch auch erzielt werden, wenn man eine Wechsel-The diodes 6 and 7 act as impedance elements but can also be achieved if an alternating

und verhindern, daß die Auslöseimpulsc in der 5 Spannungsquelle oder eine pulsierende Spannungs-and prevent the triggering impulses in the 5 voltage source or a pulsating voltage

Gleichspannungsquelle 12 absorbiert werden. An quelle verwendet, die eine Spannung unterhalb derDC voltage source 12 are absorbed. Used at a source that has a voltage below the

Stelle der Dioden kann man auch elektrische Wider- für die Strahlungsauslösung spezifischen SpannungIn place of the diodes one can also use electrical resistance for the radiation release specific voltage

stände usw. verwenden. erzeugt.use booths etc. generated.

Wenn die Impulsgeneratoren 8 und 9 gemäß einer An Stelle des nichtkristallinen Halbleiters 2 kann vorbestimmten Frequenz oder mit ungeordneten Si- io auch ein Lawinentransistor, ein PNPN Schaltelement gnalen gesteuert werden — wobei wiederum die Lu- usw. verwendet werden. Es ist jedoch sehr schwierig, mineszenzstrahlung jedes Bildelementes gesteuert derartige monokristalline Elemente mit großen Abwird — so werden die Bildelemente an den Stellen, messungen für die große Fläche der Bildtafel herzuan denen sich die Auslöseimpulse für die Matrix- stellen, und es ist ferner auch ungewöhnlich schwiepunktauswahl überlagern, eines nach dem anderen 15 rig, aus Teilstücken zusammengesetzte Elemente auf oder gleichzeitig zum Strahlen angeregt. der Tafel ordnungsgemäß anzuordnen.If the pulse generators 8 and 9 according to a predetermined frequency or with disordered Si io also an avalanche transistor , a PNPN switching element signals can be controlled instead of the non-crystalline semiconductor 2 - again the Lu- etc. are used. However, it is very difficult to control the minescence radiation of each picture element, such monocrystalline elements with large Abwwill - thus the picture elements are measured at the points for the large area of the picture panel where the trigger pulses for the matrix are, and it is also unusual focus point selection overlay, one after the other 15 rig, elements composed of parts on top or at the same time excited to blast. to be properly arranged on the board.

Durch Ausschalten der Schalter der Schaltgruppe 5 Ein besonderer Vorteil der vorliegenden Erfin-By turning off the switch of switching group 5 A particular advantage of the present invention

wird die Lumineszenz in Einheiten von jeweils einer dung beruht darauf, daß die eigentliche Anzeigetafelthe luminescence in units of one dung is based on the actual display panel

Linie entlang der streifenförmigen Elektrode 4 ge- selbst einen Nachwirkungseffekt zeigt. AndererseitsLine along the strip-shaped electrode 4 itself shows an after-effect. on the other hand

löscht. 30 kann auf einfache Weise und in vorbestimmten Peri-clears. 30 can be used in a simple manner and in predetermined periods

Demgemäß eignet sich die vorliegende Erfindung öden ein Bildwechsel herbeigeführt werden. Ein we-Accordingly, the present invention is useful when changing images. A we-

auch für die Folgeabtastung, wie z. B. beim Fernseh- seitlicher Vorteil beruht darauf, daß die Bildpunktealso for subsequent scanning, such as B. the television side advantage is based on the fact that the pixels

bild. Wenn dabei die Schaltgruppe 5 so gesteuert in der Matrix selektiv durch Auslöseimpulse zurimage. When doing the switching group 5 so controlled in the matrix selectively by trigger pulses for

wird, daß der Folgeschalter jeweils vor dem Aus- Lumineszenz angeregt werden können, wobei nachis that the sequence switch can be excited before the off luminescence, after

gangssignal des Impulsgenerators 9 für einen Mo- as Verschwinden der Impulse die Lumineszenz wegenoutput signal of the pulse generator 9 for a mo- as disappearance of the pulses because of the luminescence

ment ausgeschaltet wird, so tritt ein Lichtbild auf, des Vorhandenseins der Halbletterschicht erhaltenment is turned off, an image of the presence of the half-letter layer occurs

dessen Strahlung jeweils während eines Raster- oder bleibt. Die Bildpunktverteilung wird daher nur imwhose radiation remains during a raster or. The pixel distribution is therefore only in the

Teilbildes bestehenbleibt. Falle eines Bildwechsels gesteuert und im übrigenPartial image remains. Controlled case of a picture change and otherwise Es ist möglich, die Schaitgruppe S mit einem syn- nicht beeinflußt. Ein weiterer Vorteil wird darin ge-It is possible not to influence the switching group S with a syn-. Another advantage is

chronisierten Schalter zu steuern, dessen Ein- und 30 sehen, daß keine teilweise oder halb selektierte oderchronized switch to control whose on and 30 see that no partially or half selected or

Ausschaltung n-.it der Periode der Impulserzeugung semi-selektierte Lumineszenz vorliegt wie z. B. beiSwitching off n-. With the period of the pulse generation semi-selected luminescence is present such as e.g. B. at

synchronisiert ist. den herkömmlichen Matrixbildpunkt-Verteilunp-is synchronized. the conventional matrix pixel distribution

In dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 ist eine systemen.In the embodiment of FIG. 1 is a systems. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

1 "** 1 "** 22

Claims: luminescent televisions or other electroluminescent

Use incidence display devices. At the-

1. Display device with an electroluminescent conventional display devices light up nescent panel, with two groups of too, however, the luminous dots do not follow and arises arranged on both sides of the same and thus only a momentary light beam is lowered. Out The picture is too dark due to the straight stripes running towards each other. In order to help abelectrodes, at least one of which is transparent, you have a method of lengthening and each of which, with a pulse generator each, develops the duration of the radiation, the image point being bound is, as well as with a device for distribution or composition circuit a generation of an afterglow effect, marked after-effect function is granted. This means ever signed by one between the electro- yet that a multitude of aftereffect circuit luminescent Panel (1) and one of the elec- tres is required.

Trodengnippen (3 or 4) arranged non- ■ Dia German Auslegeschrift 1 138 867 describes crystalline semiconductor layer (2) with Schaltcharak- a display device with 'an electroluminescent as well as a panel decorating the electrode groups 15, with two groups of both (3, 4) connecting voltage source (12), one side of which is arranged and perpendicular to one-voltage sub-part of the strip-shaped electrodes, which run on the other, of the characteristic non-crystalline semiconductor layer (2) depend on at least one is transparent and each of them gender, threshold voltage for the ignition which is connected to a pulse generator each, as well as Emits luminescent radiation, the pulse 20 having a device for generating a Kach voltage of the pulse generators (8,9) so chosen a luminous effect. To increase the low image intensity, that only when the voltage is superimposed de sity either the difficult to handle Impulses of the two pulse generators (8 and 9) phosphors proposed, which a phospho- and the voltage of the voltage source (12) have the reszenzeffekt and when irradiated with Threshold voltage for the ignition of the electric lights afterglow, or extremely complex Emits luminescence radiation, the impulse being complicated image intensifiers and image converters.

2. Display device according to claim 1, from the German Auslegeschrift 1 156 506 is characterized in that between each of the semiconductor light sources known which have an electrical strip-shaped ElekfKie ". (3, 4 ^S and the span luminescent layer and intersecting group sources (12) each comprises an impedance (6, 7) ge <w: held by strip-shaped electrodes.

3. Display device after one of the avoidances.

claims i and 2, characterized in that it is therefore the object of the present invention,

to create a display device between each of the strip-shaped electrodes, which

(3, 4) and the associated pulse generator (8, 35 fan out a sufficient and controllable structure

9) one capacitor (10, 11) is connected. Has afterglow or after-effects and

4. Display device according to one of the modes of providing good sanctity and high quality,
Claims 1 to 3, characterized by an alternating This object is achieved by a display device of the voltage source (12) and one (4) of the, which is characterized according to the invention groups of strip-shaped electrodes (3, 4) 40 by an between the electroluminescent panel lying switching group (5) to terminate the and one of the electrode groups arranged non-luminescence after-effect of at least one crystalline semiconductor layer with switching characteristics unit of a row along a strip electrode as well as through an electrode groups connecting electrode (3, 4) by switching off the connection dende voltage source, the one Voltage below the voltage source (12). 45 half of the characteristic of the non-crystalline

5. Display device according to a threshold voltage dependent on the semiconductor layer Claims 1 to 4, characterized by emitting a with for the ignition of the luminescent radiation, the pulse period of the pulse generator (9) syn- whereby the pulse voltage of the pulse generators so chronized rear derailleur in order to effect a is chosen that only when the voltage is superimposed periodic image change the electroluminescence 50 of the pulses of the two pulse generators and the

. on and off. Voltage of the voltage source for the ignition of the

electroluminescent radiation is exceeded. In the following the invention is based on

Drawings explained in more detail. It shows

55 Fig. 1 is a schematic representation of an embodiment the display device according to the invention The invention relates to a display device with direction

an electroluminescent panel with two groups. 2 a current-so jinung characteristic,

pen from F g arranged on both sides of the same. 3 a circuit diagram to describe the

and perpendicular to one another, strip-shaped pointing device according to FIG. 1,
gen electrodes, at least one of which is transparent F i g. 4 is a working diagram;

and each of which is connected to a pulse generator. In the figures, the same components with the same

which is characterized as well as with a device for generating chen reference numerals,
an afterglow effect. The in F i g. 1 schematically shown display device

It is already known that a 65 device display device has an EL panel, a noncrystalline halftone screen, more selective Pixel distribution or image feeder layer 2 with the current-voltage characteristic composition with an electroluminescent according to FIG. B. a glass semiconductor, a Table (hereinafter referred to as EL-TaIeI) for electrical group strip-shaped with the surface of the