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DE202022000086U1 - Multifunctional RFID radar tag system - Google Patents

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DE202022000086U1
DE202022000086U1 DE202022000086.3U DE202022000086U DE202022000086U1 DE 202022000086 U1 DE202022000086 U1 DE 202022000086U1 DE 202022000086 U DE202022000086 U DE 202022000086U DE 202022000086 U1 DE202022000086 U1 DE 202022000086U1
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Abstract

Multifunktionales RFID-Radaretiketten-System, mit einer Vielzahl von auf einem Trägermaterial aufgebrachter Resonatoren,dadurch gekennzeichnet, dassauf einer planaren multifunktionalen Etikettenstruktur (4) gleichzeitig eine Kombination aus sowohl Schlitzleitungsresonatoren (10) als auch Streifenleitungsresonatoren,welche einerseits als multifrequenter Halbwellendipol (5) und andererseits als multifrequenter Viertelwellenresonator (7) ausgebildet sind, verwendet werden, wobei die Schlitzleitungsresonatoren unterschiedliche Resonanzfrequenzen aufweisen die durch ein entfernt positioniertes Lesegerät drahtlos ermittelt werden können und deren Frequenzmuster eine digitale Information beinhaltet,wobei die Streifenleitungsresonatoren,die als Halbwellendipol (5) ausgebildet sind,bei der niedrigen bestimmungsgemäßen Betriebsfrequenz ein beidseitig leerlaufender Dipol mit einer elektrisch wirksamen Länge von einer halben Wellenlänge bei der niedrigen bestimmungsgemäßen Betriebsfrequenz repräsentiert undbei der hohen bestimmungsgemäßen Betriebsfrequenz ein beidseitig leerlaufender Dipol mit einer elektrisch wirksamen Länge von mehr als zwanzigmal der halben Wellenlänge bei der oberen bestimmungsgemäßen Betriebsfrequenz repräsentiert und wobei die Streifenleitungsresonatoren,die als Viertelwellendipol (7) ausgebildet sind,bei der niedrigen bestimmungsgemäßen Betriebsfrequenz ein beidseitig leerlaufender Dipol mit einer elektrisch wirksamen Länge von einer viertel Wellenlänge bei der niedrigen bestimmungsgemäßen Betriebsfrequenz repräsentiert undbei der hohen bestimmungsgemäßen Betriebsfrequenz ein beidseitig leerlaufender Dipol mit einer elektrisch wirksamen Länge von mehr als zehnmal der viertel Wellenlänge bei der oberen bestimmungsgemäßen Betriebsfrequenz repräsentiert.Multifunctional RFID radar label system, with a large number of resonators applied to a carrier material, characterized in that a combination of both slot line resonators (10) and stripline resonators, which on the one hand are used as a multi-frequency half-wave dipole (5) and on the other hand, are designed as a multi-frequency quarter-wave resonator (7), with the slotted line resonators having different resonant frequencies which can be determined wirelessly by a remotely positioned reading device and whose frequency pattern contains digital information, with the stripline resonators, which are designed as a half-wave dipole (5), at the low specified operating frequency, it represents a dipole which is open on both sides and has an electrically effective length of half a wavelength at the low specified operating frequency nted and at the high specified operating frequency represents a dipole which is open on both sides and has an electrically effective length of more than twenty times half the wavelength at the upper specified operating frequency and where the strip line resonators, which are designed as a quarter-wave dipole (7), at the low specified operating frequency, a two-sided open circuit represents a dipole with an electrically effective length of a quarter wavelength at the low specified operating frequency and at the high specified operating frequency represents a double-ended dipole with an electrically effective length of more than ten times the quarter wavelength at the upper specified operating frequency.

Description

Die Erfindung betrifft ein System modular funktionell erweiterbarer RFID-Radaretiketten für die Wechselwirkung mit hochfrequenten elektromagnetischen Feldern für unterschiedliche Distanzen. Die Funktion dieser Etiketten ist je nach beabsichtigter Aufgabe durch das Austauschen oder Modifizieren vorhandener Komponenten oder durch das Ergänzen mit weiteren Strukturen und weiteren elektronischen Komponenten bei der Herstellung dieser Etiketten oder auch zu einem späteren Zeitpunkt modular erweiterbar. Zusätzlich sind Kombinationen oder Zusammenstellungen einer Anzahl verschiedener der zueinander kompatiblen Ausführungsformen je nach zu erfüllender Aufgabenstellung preisgünstig möglich. Die Etiketten werden, je nach Erfordernissen und soweit dies technisch möglich ist, vorzugsweise drucktechnisch erzeugt, um die Herstellungskosten zu minimieren. Erst in höheren Ausbaustufen des modular erweiterbaren Systems werden zusätzliche Komponenten in Hybridtechnik erforderlich, die zum gegenwärtigen Stand der Technik noch nicht druckbar sind. Die Etiketten werden entweder direkt auf die zu markierenden Objekte aufgeklebt oder sonst wie befestigt oder aber sie bilden den zentralen Baustein für funktionell erweiterte Systemkomponenten und werden dann in diese zweckmäßig integriert.The invention relates to a system of modular, functionally expandable RFID radar labels for interaction with high-frequency electromagnetic fields for different distances. Depending on the intended task, the function of these labels can be modularly expanded by replacing or modifying existing components or by adding additional structures and other electronic components during the production of these labels or at a later point in time. In addition, combinations or compilations of a number of different mutually compatible embodiments are possible at low cost, depending on the task to be performed. Depending on the requirements and as far as this is technically possible, the labels are preferably produced by printing in order to minimize the production costs. Additional components in hybrid technology are only required in higher expansion stages of the modularly expandable system, which cannot yet be printed with the current state of the art. The labels are either stuck directly onto the objects to be marked or attached in some other way, or they form the central building block for functionally extended system components and are then appropriately integrated into them.

Technische GebieteTechnical Fields

Es werden je nach Ausbaustufe mehrere technische Gebiete involviert. In der einfachsten modularen Ausbaustufe dienen die Etiketten der Verbesserung der Verkehrssicherheit.Depending on the expansion stage, several technical areas are involved. In the simplest modular expansion stage, the labels serve to improve road safety.

Eine elementare Funktionen dieser Etiketten besteht darin, dass sie als rein passive Radarretroreflektoren wirken und dadurch einer Radaranlage, wie sie beispielsweise für die Automobilindustrie zur Erhöhung der Fahrsicherheit eingesetzt werden, auch noch im Randbereich der Abstrahlcharakteristik der jeweiligen Radaranlage, eine hinreichend signifikantes Rückstreuung des von der Radaranlage erzeugten Radarstrahls zur Indikation der Präsenz liefern. Diese Funktion wird auch für größere Distanzen bis zu 100 m erfüllt.An elementary function of these labels is that they act as purely passive radar retroreflectors and thus a radar system, such as those used in the automotive industry to increase driving safety, even in the edge area of the radiation characteristics of the respective radar system, sufficiently significant backscattering of the Provide radar system generated radar beam to indicate the presence. This function is also fulfilled for larger distances of up to 100 m.

In einer höheren modularen Ausbaustufe ist neben der Indikation der Präsenz auch noch eine Identifikation möglich. Durch zusätzliche, rein strukturelle Maßnahmen, lassen sich ohne zusätzliche elektronische Bausteine Informationen in der Etikette abspeichern, welche von speziell dafür geeigneten Lesegeräten auch noch über Distanzen von einigen Metern ausgelesen werden können.In a higher modular expansion stage, identification is also possible in addition to the indication of presence. Through additional, purely structural measures, information can be stored in the label without additional electronic components, which can be read by specially suitable readers even over distances of a few meters.

Diese so abgespeicherten Daten sind hinsichtlich ihres Datenvolumens mit dem seit 1952 bekannten optoelektronisch lesbaren Strichcode oder Barcode vergleichbar. Im Gegensatz zum Strichcode ist hierbei jedoch keine Sichtverbindung notwendig. Daher lassen sich diese Etiketten auch dann noch auslesen, wenn sie auf Gegenständen angebracht worden sind, die durch andere Objekte verdeckt sind. So können beispielsweise auch verpackte Objekte durch die Verpackung hindurch identifiziert werden oder ein spezielles Paket in einer Vielzahl von hintereinander gestapelten Paketen ermittelt werden oder es kann beispielsweise ein Fahrrad mit einer fernauslesbaren individuellen Kennzeichnung versehen werden.The data stored in this way is comparable in terms of data volume to the optoelectronically readable bar code or barcode that has been known since 1952. In contrast to the bar code, however, no line of sight is necessary. Therefore, these labels can still be read even if they have been attached to objects that are covered by other objects. For example, packaged objects can also be identified through the packaging, or a special package can be determined in a large number of packages stacked one behind the other, or a bicycle can be provided with a remotely readable individual identifier, for example.

In der aufwendigsten modularen Ausbaustufe wird ein zusätzliches Chipmodul durch einfaches Einpressen in eine spezielle Etikette integriert, wodurch diese Etikette danach sehr große Datenmengen verarbeiten kann, die mit geeigneten Lese- und Schreibgeräten auf kurze Distanzen, typischerweise im Bereich bis zu einem Meter, eingetragen bzw. ausgelesen werden können. Diese Funktion ist hinsichtlich ihres Datenvolumens mit den weit verbreiteten Nahfeldkommunikations- oder NFC-Etiketten vergleichbar. Im Gegensatz zu diesen funktionieren die hier vorgestellten multifunktionalen RFID-Radaretiketten jedoch auch dann noch zuverlässig, wenn sie direkt auf einem metallisch leitenden Gegenstand befestigt werden.In the most complex modular expansion stage, an additional chip module is simply pressed into a special label, which means that this label can then process very large amounts of data, which can be entered or written with suitable reading and writing devices over short distances, typically in the range of up to one meter. can be read out. In terms of data volume, this function is comparable to the widely used Near Field Communication or NFC tags. In contrast to these, however, the multifunctional RFID radar labels presented here still work reliably when they are attached directly to a metallic, conductive object.

Stand der TechnikState of the art

Radarretroreflektoren zur Erzeugung einer starken Rückstreuung für Radaranlagen sind bereits seit 1943 bekannt und wurden seinerzeit erstmalig als sogenannte Düppel zur Radartäuschung eingesetzt.Radar retroreflectors for generating strong backscatter for radar systems have been known since 1943 and were used for the first time as so-called chaff for radar deception.

Moderne Radarretroreflektoren werden in verschiedenen Ausführungsformen, insbesondere in der Nautik, für kleinere Boote oder Bojen verwendet, um deren Sichtbarkeit auf den Radargeräten, trotz kleiner Abmessungen, signifikant zu verbessern.Modern radar retroreflectors are used in various embodiments, particularly in nautical applications, for smaller boats or buoys in order to significantly improve their visibility on radar devices, despite their small dimensions.

Die Auslegeschrift DE 1129192 A [01] mit der Bezeichnung „Radarreflektor“ und der Priorität vom 3. Juni 1958 beschreibt die bereits seinerzeit bekannten Radarretroreflektorform, bestehend aus einer Einheit von acht Tripelspiegeln. Die Auslegeschrift beansprucht einen „Radarreflektor, bestehend aus einer Einheit von acht Tripelspiegeln mit zusammenfallenden Scheiteln, die aus biegsamem Werkstoff gebildet und von einer aufblasbaren Hülle aus für die Wellen durchlässigem Werkstoff umschlossen und gespannt gehalten ist“. Dieser ist dadurch gekennzeichnet, „dass der Reflektor genau in die Hülle eingepasst ist, derart, dass seine Außenkanten an der Innenfläche der Hülle anliegen und an ihr befestigt sind.“The exposition DE 1129192 A [01] with the designation "radar reflector" and the priority of June 3, 1958 describes the radar retroreflector shape already known at the time, consisting of a unit of eight triple mirrors. The specification claims a "radar reflector consisting of a unit of eight corner cubes with coincident apexes, formed of flexible material and enclosed and held taut by an inflatable envelope of wave-permeable material". This is characterized in that "the reflector is a precise fit within the envelope such that its outer edges abut and are secured to the inner surface of the envelope."

Das physikalische Prinzip dieser Form eines Radarretroreflektors dient bis zum gegenwärtigen Zeitpunkt als Basis zahlreicher Anwendungsfälle.The physical principle of this form of radar retroreflector has served as the basis for numerous applications to date.

In der Druckschrift WO2017055516A1 [02] mit der Bezeichnung „Retroreflektierendes Schild, Retroreflektierendes Bandmaterial und Verfahren zur Herstellung“ wird dieses altbekannte Prinzip erfindungsgemäß nun für Lichtstrahlen zur Verbesserung der Rückstrahlung von Schildern verwendet. Der Anmelder beansprucht darin ein „Retroreflektierendes Schild aufweisend eine Tripelspiegelstruktur, wobei die Tripelspiegel mit wenigstens drei rechtwinklig zueinander angeordneten Spiegelflächen zur Retroreflexion umfasst“. Dieses Schild ist dadurch gekennzeichnet, dass „der Tripelspiegel als eine Vertiefung in einer Oberfläche des Schildes ausgebildet ist und Spiegelflächen ausbildet, die von der Luftseite aus spiegelnd ausgebildet sind.“In the pamphlet WO2017055516A1 [02] entitled "Retroreflective Sign, Retroreflective Sheeting, and Method of Manufacture", this well-known principle is now applied to light beams to enhance retroreflectivity of signs, according to the present invention. Applicant claims therein a "retroreflective sign comprising a corner cube structure, the corner cubes having at least three mirror surfaces arranged at right angles to one another for retroreflection". This sign is characterized in that "the corner cube is formed as a depression in a surface of the sign and forms mirror surfaces which are formed reflective from the air side."

Es existieren zahlreiche Verfahren, um in Radaretiketten zusätzliche fernauslesbare Daten abzuspeichern. Durch eine spezielle Strukturgebung während des Herstellungsprozesse oder auch danach, können in leitenden Materialien Resonanzen erzeugt werden, die sich zum Austausch von Daten mit Hilfe von speziellen Lese- und Schreibgeräten eignen. Für diese Form der Datenetiketten sind für die Etiketten keine zusätzlichen elektronischen Bauteile erforderlich. Es hat sich für die Bezeichnung dieser Etiketten der Begriff „Chipless RFID Tag“ etabliert. Eine aktuelle Übersicht über die verschiedenen Möglichkeiten, durch Strukturierungen Daten zu speichern und zu lesen, wird in dem Artikel mit dem Titel „A Review on Chipless RFID Tag Design“ [03] gegeben.There are numerous methods for storing additional, remotely readable data in radar tags. Through a special structuring during the manufacturing process or afterwards, resonances can be generated in conductive materials that are suitable for the exchange of data with the help of special reading and writing devices. No additional electronic components are required for the labels for this form of data labels. The term "chipless RFID tag" has become established to describe these labels. An up-to-date overview of the various ways of storing and reading data through structuring is given in the article entitled "A Review on Chipless RFID Tag Design" [03].

Besonders kostengünstig ist die Möglichkeit, die elektrisch leitende Strukturierung ähnlich wie es bei dem Bar-Code der Fall ist, drucktechnisch auf die entsprechenden Objekte zu platzieren. Detaillierte Untersuchungsergebnisse dazu liefert die Veröffentlichung mit dem Titel „Design of Chipless RFID Tags Printed on Paper by Flexography“ [04].The possibility of placing the electrically conductive structuring on the corresponding objects by printing, similar to the case with the bar code, is particularly cost-effective. The publication entitled “Design of Chipless RFID Tags Printed on Paper by Flexography” [04] provides detailed study results.

Der aktuelle Stand der Technik im Bereich Chipless RFID mit einem futuristischen Ausblick auf mögliche zukünftige Entwicklungen wird von Smail Tedjini [05] in dem Artikel mit der Bezeichnung „Chipless RFID, State of the art and Current Developments“ sehr umfassend beschrieben.The current state of the art in the field of chipless RFID with a futuristic outlook on possible future developments is described very comprehensively by Smail Tedjini [05] in the article entitled "Chipless RFID, State of the art and Current Developments".

Kontaktloser Datenaustausch hat sich auch in Form der Nahfeldkommunikation mit der Abkürzung NFC seit dem Jahr 2002 etabliert. Seitdem können ausreichend große Datenmengen einfach ausgetauscht werden und durch die massenhafte Produktion der dazu erforderlichen elektronischen Bauteilen, den NFC-Chips, sind Etiketten dieser Art mittlerweile äußerst preiswert.Contactless data exchange has also been established in the form of near-field communication with the abbreviation NFC since 2002. Since then, sufficiently large amounts of data can be easily exchanged and due to the mass production of the electronic components required for this, the NFC chips, labels of this type are now extremely inexpensive.

Als beispielhaft für den diesbezüglichen Stand der Technik kann die Druckschrift WO2017140628A1 [06] mit der Bezeichnung „Lighting Unit with Near Field Communication, Integrated Circuit and Methods Therefore“ angesehen werden. Dort werden Blockschaltbilder, Signalverläufe und Flussdiagramme im Zusammenhang mit NFC diskutiert.As an example of the relevant prior art, the publication WO2017140628A1 [06] entitled "Lighting Unit with Near Field Communication, Integrated Circuit and Methods Therefore". Block diagrams, signal curves and flow charts in connection with NFC are discussed there.

Eine typische moderne Anwendung, die mit modifizierten Antennen die Möglichkeiten des NFC-Verfahrens erweitert, ist in der Druckschrift EP3210587A1 [07] mit der Bezeichnung „Medical Container with NFC Antenna“ gezeigt. Dort werden die ursprünglich planaren NFC-Antennen so modifiziert, dass der dazu erforderliche Chip auf der Etikette unabhängig von der jeweiligen Lage eines zylinderförmigen Behälters jederzeit mit dem Lesegerät kommunizieren kann.A typical modern application that expands the possibilities of the NFC method with modified antennas is in the publication EP3210587A1 [07] labeled “Medical Container with NFC Antenna”. There, the originally planar NFC antennas are modified in such a way that the required chip on the label can communicate with the reader at any time, regardless of the position of a cylindrical container.

Darstellung der Mängel der bisher bekannten AusführungenPresentation of the shortcomings of the previously known versions

Retroradarreflektoren gemäß [01] sind je nach dem Frequenzbereich, in dem die Radaranlage betrieben wird, relativ voluminös, um eine möglichst starke Rückstreuung des Radarstrahls zu erzeugen, welcher aus einer beliebigen Richtung auf den Retroradarreflektor treffen kann.Depending on the frequency range in which the radar system is operated, retroradar reflectors according to [01] are relatively bulky in order to generate the strongest possible backscattering of the radar beam, which can hit the retroradar reflector from any direction.

In Metall geprägte Tripelreflektoren für eine überwiegend horizontale und weitgehend frontale Bestrahlung gemäß [02] sind hingegen planar und somit in der Bauform deutlich flacher. Sie sind derzeit jedoch nur für den optischen Bereich verfügbar.In contrast, triple reflectors embossed in metal for predominantly horizontal and largely frontal irradiation according to [02] are planar and therefore significantly flatter in design. However, they are currently only available for the optical range.

Beide Bauformen sind weder dafür ausgelegt, noch dafür geeignet, zusätzliche Daten zu speichern.Both designs are neither designed nor suitable for storing additional data.

Funketiketten, welche ohne zusätzliche elektronische Bauteile gemäß [03], oder in der kostengünstigen Produktion gemäß [04], als Datenspeicher verwendet werden können, sind in der Anzahl ihrer Datenmenge, wegen der im Vergleich zur moderner Halbleitertechnologie relativ großen flächenhaften Strukturen der erforderlichen Resonatoren gemäß [05], stark eingeschränkt. Zusätzlich ist eine nachträgliche Änderung der Daten nur mit großem technischen Aufwand möglich. Eine solche Funketikette hat eine Reichweite im Bereich lediglich weniger Meter und ist nicht zur Ermittlung der Präsenz über eine größere Distanz hinweg geeignet. NFC-Etiketten gemäß [06] können wegen spezieller integrierter elektronischer Chips sehr große Datenmengen elektronisch abspeichern und wieder lesen. Dabei sind jedoch nur sehr kurze Distanzen von wenigen Zentimetern überbrückbar und das Lese- und Schreibgerät muss planar zur NFC-Etikette positioniert werden. Sollen hingegen dreidimensionale Objekte erfasst werden, so sind voluminöse Modifikationen der Antennen der NFC-Etikette gemäß [07] erforderlich, wodurch die modifizierte NFC-Etikette nur noch für spezielle Anwendungsfälle geeignet ist. Eine signifikante Wechselwirkung mit einer Radaranlage über größere Distanzen ist nicht möglich. Zusätzlich haben NFC-Etiketten das Problem, dass sie durch ein äußeres Speisefeld betrieben werden, welches induktiv an die Etikette angekoppelt wird. Dieses Speisefeld bricht in der Nähe eines metallischen Leiters vollständig zusammen, wodurch die Kommunikation mit dem Lese- und Schreibgerät dann nicht möglich ist.Radio tags, which can be used as data storage without additional electronic components according to [03], or in the cost-effective production according to [04], are in the number of their data volume, because of the relatively large areal structures compared to modern semiconductor technology according to the required resonators [05], severely restricted. In addition, a subsequent change of the data is only possible with great technical effort. Such a radio tag has a range of only a few meters and is not suitable for determining presence over a greater distance. NFC labels according to [06] can electronically store and read very large amounts of data due to special integrated electronic chips. However, only very short distances of a few centimeters can be bridged and the reading and writing device must be positioned planar to the NFC label. Should, however, three-dimensional Objects are detected, so voluminous modifications of the antennas of the NFC tag according to [07] are required, which means that the modified NFC tag is only suitable for special applications. A significant interaction with a radar system over longer distances is not possible. In addition, NFC tags have the problem that they are operated by an external feed field, which is inductively coupled to the tag. This supply field breaks down completely in the vicinity of a metallic conductor, which means that communication with the reading and writing device is then not possible.

Das technische ProblemThe technical problem

Es ist die Aufgabe der Erfindung, ein System modular funktionell erweiterbarer Etiketten für die Wechselwirkung mit hochfrequenten elektromagnetischen Feldern bereit zu stellen, die ohne eigene Energiequelle betrieben werden. Dabei sollen sowohl die Eigenschaften eines Radarretroreflektors der noch aus großer Entfernung von einer Radaranlage zu erkennen ist, als auch die Eigenschaften von Funketiketten, deren im Umfang beschränkten Daten für mittlere Distanzen im Bereich einiger Meter lesbar sind, als auch mit NFC-Etiketten vergleichbare umfangreiche Datenmengen bei einer Distanz unterhalb eines Meters noch sicher geschrieben bzw. gelesen werden können.It is the object of the invention to provide a system of modular, functionally expandable labels for the interaction with high-frequency electromagnetic fields, which are operated without their own energy source. Both the properties of a radar retroreflector, which can still be recognized from a large distance by a radar system, and the properties of radio tags, whose limited data can be read for medium distances in the range of a few meters, as well as extensive data volumes comparable to NFC tags can still be safely written or read at a distance of less than one meter.

Mittel zur Lösung des Problemsmeans of solving the problem

Durch das Austauschen oder Modifizieren vorhandener Komponenten oder durch das Ergänzen mit weiteren Strukturen und weiteren Komponenten dieser Etiketten ist die Funktion dieser Etiketten während der Herstellung oder auch zu einem späteren Zeitpunkt modular erweiterbar. Zusätzlich sind alle Ausführungsformen kompatibel zu einander, wodurch eine Kombinationen oder Zusammenstellungen einer Anzahl verschiedener Ausführungsformen je nach zu erfüllender Aufgabe zu geringen Kosten möglich wird.By exchanging or modifying existing components or by adding additional structures and additional components to these labels, the function of these labels can be expanded in a modular manner during manufacture or at a later point in time. In addition, all of the embodiments are compatible with each other, allowing a combination or assembly of a number of different embodiments depending on the task to be accomplished at low cost.

Die Etiketten werden, je nach Erfordernissen und soweit dies technisch möglich ist, vorzugsweise drucktechnisch erzeugt, um die Herstellungskosten zu minimieren. Erst in höheren Ausbaustufen des modular erweiterbaren Systems werden zusätzliche Komponenten in Hybridtechnik erforderlich, die zum gegenwärtigen Stand der Technik noch nicht druckbar sind. Die Etiketten werden entweder direkt auf die zu markierenden Objekte, die aus einem beliebigen Material bestehen können, aufgeklebt oder sonst wie befestigt oder aber sie bilden den zentralen Baustein für funktionell erweiterte Systemkomponenten und werden dann in diese zweckmäßig integriert.Depending on the requirements and as far as this is technically possible, the labels are preferably produced by printing in order to minimize the production costs. Additional components in hybrid technology are only required in higher expansion stages of the modularly expandable system, which cannot yet be printed with the current state of the art. The labels are either glued or attached in some other way directly to the objects to be marked, which can be made of any material, or they form the central building block for functionally expanded system components and are then appropriately integrated into them.

Weitere Details finden sich in den Patentansprüchen oder werden im Zusammenhang mit der Beschreibung der Ausführungsbeispiele erläutert.Further details can be found in the patent claims or are explained in connection with the description of the exemplary embodiments.

Ausführungsbeispieleexemplary embodiments

Die sichere Erkennung von Objekten bereits aus großer Entfernung, also typischerweise aus Entfernungen bis zu 100 Metern, ist eine primäre Intension der hier erläuterten Erfindung.The primary intention of the invention explained here is the reliable detection of objects from a great distance, that is to say typically from distances of up to 100 meters.

Die sekundäre Intension der hier erläuterten Erfindung ist die beschränkt informative Erkennung des Gegenstandes, mit einem Informationsvolumen, ähnlich beschränkt wie bei den derzeit verwendeten linearen Barcode-Systemen, aus mittleren Entfernungen, etwa bis zu 5 Metern.The secondary intention of the invention explained here is the limited informative recognition of the object, with an information volume, similarly limited to the currently used linear barcode systems, from medium distances, up to about 5 meters.

Die tertiäre Intension der hier erläuterten Erfindung ist die vollständig informative Erkennung des Gegenstandes aus kurzen Entfernungen, d. h. typischerweise unterhalb eines Meters, mit einem lediglich durch Kosten und Zweckmäßigkeit beschränktem Datenvolumen, wie es hinsichtlich der speicherbaren Datenmenge in ähnlicher Weise bei den bereits heute verwendeten Systemen für die NFC-Nahfeldkommunikation gegeben ist.The tertiary intention of the invention explained here is the fully informative recognition of the object from short distances, i. H. typically below one meter, with a data volume limited only by cost and expediency, as is the case with regard to the amount of data that can be stored in a similar manner in the systems for NFC near-field communication already in use today.

Zunächst sollen die physikalischen Grundlagen für die Retroreflektor-Funktionalität der Radar-Etiketten erläutert werden und einige beispielhafte Realisierungen und Zahlenbeispiele bzw. geometrische Abmessungen für eine Frequenz von 77,5 GHz der von der Radaranlage ausgesendeten elektromagnetischen Strahlung gegeben werden. Dem Fachmann ist es dann problemlos möglich, die erläuterten Gegebenheiten für Radaranlagen mit anderen Betriebsfrequenzen durch einfache Skalierung anzupassen.First, the physical basis for the retroreflector functionality of the radar labels will be explained and some exemplary implementations and numerical examples or geometric dimensions for a frequency of 77.5 GHz of the electromagnetic radiation emitted by the radar system will be given. It is then easily possible for a person skilled in the art to adapt the conditions explained for radar systems with other operating frequencies by simple scaling.

Es ist bekannt, dass der Radarquerschnitt oder auch die effektive Rückstrahlfläche σ eines Objektes insbesondere von dem Frequenzbereich, dem Material des Objektes und besonders der Form, wodurch sich unterschiedliche Einfallswinkel und Ausfallswinkel der Radarstrahlung ergeben, abhängt.It is known that the radar cross-section or the effective reflection area σ of an object depends in particular on the frequency range, the material of the object and especially the shape, which results in different angles of incidence and reflection of the radar radiation.

Zunächst wird die planare Form eines Retroreflektors betrachtet. Dieser soll, zur Erläuterung der physikalischen Gegebenheiten, zunächst senkrecht zur Radaranlage ausgerichtet sein, also wie ein Spiegel die einlaufende Welle der Radaranlage genau zur Quelle zurück reflektieren. First, the planar shape of a retroreflector is considered. To explain the physical conditions, this should initially be aligned perpendicularly to the radar system, i.e. reflect the incoming wave of the radar system exactly back to the source like a mirror.

Zur Beleuchtung der physikalischen Zusammenhänge dient die 1. Eine metallisch leitende, flächenhafte Struktur als Oberseitenmetallisierung (1), hier als rechteckförmige Metallisierung mit einer Weite W und einer Länge L beispielhaft dargestellt, befindet sich auf der Oberseite eines nicht leitenden dielektrischen Substrates (2) mit der Höhe H und ist der Radaranlage zugewandt. Auf der Unterseite des Substrates (2) befindet sich ebenfalls eine metallisch leitende flächenhafte Struktur als Unterseitenmetallisierung (3). Diese muss nicht strukturiert sein, sollte jedoch hinsichtlich der Fläche größer als die Oberseitenmetallisierung (1) sein oder kann die gesamte Unterseite des Substrates bedecken.The serves to illuminate the physical relationships 1 . A metallically conductive, planar structure as a topside metallization (1), shown here as a rectangular metallization with a width W and a length L as an example, is located on top of a non-conductive dielectric substrate (2) with the height H and faces the radar installation. On the underside of the substrate (2) there is also a metallically conductive planar structure as underside metallization (3). This does not have to be structured, but its area should be larger than the top side metallization (1) or it can cover the entire underside of the substrate.

Eine solche Struktur hat auf den ersten Blick eine sehr große Ähnlichkeit zu einer sogenannten Microstrip-Patchantenne. Es gibt jedoch bedeutende Unterschiede. Es werden hier nämlich beispielsweise keine Transceiver mit einer Impedanz von 50 Ohm angeschlossen. Es ist in diesem speziellen Fall gar nichts angeschlossen. Die Struktur wirkt autark und ist trotz verblüffender Ähnlichkeit kein Baustein irgend einer Microstrip-Schaltung. Vielmehr werden durch diese Anordnung ausschließlich die elektrischen Eigenschaften von im freien Raum befindlichen Düppel, wie sie zur Radartäuschung verwendet werden, nachgebildet. Dazu sind einige technische Parameter möglichst genau einzuhalten, wie nachfolgend erläutert wird. Moderne Düppel bestehen beispielsweise aus haardünnen leitenden Kunstfasern, die in großer Zahl freigesetzt werden, um die Impulse von Radaranlagen vollständig zu reflektieren.At first glance, such a structure is very similar to a so-called microstrip patch antenna. However, there are significant differences. For example, no transceivers with an impedance of 50 ohms are connected here. Nothing is connected in this particular case. The structure appears self-sufficient and, despite the amazing similarity, is not a component of any microstrip circuit. Rather, only the electrical properties of chaff located in free space, such as those used for radar deception, are simulated by this arrangement. For this purpose, some technical parameters must be observed as precisely as possible, as explained below. Modern chaff, for example, are made of hair-thin conductive synthetic fibers that are released in large numbers to fully reflect radar pulses.

Zur elektrischen Nachbildung des freien Raumes dient hier die Unterseitenmetallisierung (3) und das Substrat (2). Die Unterseitenmetallisierung (3) bildet das notwendige hochfrequente Referenzpotential und definiert dieses. Dadurch werden die elektrischen Verhältnisse unabhängig von dem Material, auf dem es an der Rückseite befestigt ist. So kann die von der Radaranlage abgewandte Seite der Untermetallisierung (3) beispielsweise sowohl auf einer leitenden Metallfläche als auch auf einem nichtleitenden Karton geklebt werden, ohne dass das elektrische Feld im Substrat (2) durch die Beschaffenheit des Materials, auf dem die Etikette befestigt ist, beeinflusst würde.The metallization on the underside (3) and the substrate (2) are used here to simulate the free space electrically. The underside metallization (3) forms the necessary high-frequency reference potential and defines it. This makes the electrical conditions independent of the material to which it is attached on the back. For example, the side of the sub-metallization (3) facing away from the radar system can be glued both to a conductive metal surface and to non-conductive cardboard without the electric field in the substrate (2) being affected by the nature of the material on which the label is attached , would be affected.

Im Vorgriff auf die weiter unten erläuterten Möglichkeiten des Auslesens nahezu unbegrenzter Datenmengen durch die hier vorgestellten Etiketten im Nahfeldbereich sei bemerkt, dass sich nahezu sämtliche derzeit verfügbare NFC-Etiketten nicht mehr auslesen lassen, sobald sie auf eine metallisch leitende Oberfläche geklebt werden, weil die im Metall erzeugten Wirbelströme das Speisefeld typischer Lesegeräte zu sehr bedämpfen und dadurch zusammenbrechen lassen.In anticipation of the possibilities explained below of reading almost unlimited amounts of data through the labels presented here in the near field, it should be noted that almost all currently available NFC labels can no longer be read as soon as they are stuck on a metallic conductive surface, because the im Eddy currents generated by metal dampen the feed field of typical reading devices too much and thus collapse.

Der geometrische Abstand zwischen der Oberseitenmetallisierung (1) und der Unterseitenmetallisierung (3) wird durch-die Höhe H des Substrates (2) festgelegt. Um die elektrischen Verhältnisse wie in einem freien Raum hinsichtlich der für die Oberseitenmetallisierung (1) wirksam werdenden und durch die Radaranlage erzeugten Feldstruktur nachzubilden, ist es lediglich erforderlich, den geometrischen Abstand mit dem elektrisch wirksamen Abstand so abzugleichen, dass die geometrische Höhe H möglichst exakt einer viertel Wellenlänge λ der von der Radaranlage angeregten Welle im Substrat entspricht.The geometric spacing between the upper side metallization (1) and the lower side metallization (3) is determined by the height H of the substrate (2). In order to simulate the electrical conditions as in a free space with regard to the field structure that becomes effective for the upper side metallization (1) and generated by the radar system, it is only necessary to adjust the geometric distance to the electrically effective distance in such a way that the geometric height H is as exact as possible corresponds to a quarter wavelength λ of the wave excited by the radar system in the substrate.

In elektrischer Hinsicht sind auch ungeradzahlige Mehrfache der viertel Wellenlänge λ möglich, jedoch würde dadurch das Volumen deutlich vergrößert, wodurch die Zahl der Anwendungsmöglichkeiten in der Praxis eingeschränkt würden.Odd multiples of the quarter wavelength λ are also possible from an electrical point of view, but this would significantly increase the volume, which would limit the number of possible applications in practice.

Die elektrische Wellenlänge λ wird durch das Medium verändert. Wird beispielsweise als Substrat (2) ein mikrowellentaugliches Hydrokarbon-Keramik-Laminat mit einer Dielektrizitätskonstanten εr von 3,624 verwendet, so gilt für die Höhe H des Substrates (2) für eine angenommene Betriebsfrequenz der Radaranlage von 77,5 GHz der folgende Zusammenhang:The electrical wavelength λ is changed by the medium. If, for example, a microwaveable hydrocarbon-ceramic laminate with a dielectric constant ε r of 3.624 is used as the substrate (2), the following relationship applies to the height H of the substrate (2) for an assumed operating frequency of the radar system of 77.5 GHz:

Die Wellenlänge im Vakuum λ0 berechnet sich zu: λ 0 = 299792,458 77500 mm .

Figure DE202022000086U1_0001
The wavelength in vacuum λ 0 is calculated as: λ 0 = 299792.458 77500 mm .
Figure DE202022000086U1_0001

Die Wellenlänge im freien Raum beträgt somit bei dieser Betriebsfrequenz 3868 Mikrometer. Durch das Medium mit der Dielektrizitätskonstanten εr verkürzt sich die Wellenlänge dann auf den im Substrat (2) wirksam werdenden Wert: λ = λ 0 ε r .

Figure DE202022000086U1_0002
The free space wavelength is thus 3868 micrometers at this operating frequency. Due to the medium with the dielectric constant ε r , the wavelength is then shortened to the value that becomes effective in the substrate (2): λ = λ 0 e right .
Figure DE202022000086U1_0002

Die Wellenlänge im Substrat (2) beträgt somit 2032 Mikrometer. Ein Viertel der Wellenlänge im Substrat muss dann für die Höhe H verwendet werden, also muss gelten: H = 508 μ m .

Figure DE202022000086U1_0003
The wavelength in the substrate (2) is therefore 2032 micrometers. A quarter of the wavelength in the substrate must then be used for the height H, so it must apply: H = 508 µ m .
Figure DE202022000086U1_0003

Dies ist die minimale notwendige Höhe H für das Substrat (2). Für Realisierungen der Etiketten als selbstklebende Einzeletiketten, Bänder oder großflächige Folien ist das ein praxistauglicher Wert.This is the minimum necessary height H for the substrate (2). This is a practical value for realizing the labels as self-adhesive individual labels, tapes or large-area foils.

Für Sonderanfertigungen und speziellere Einsatzzwecke wie beispielsweise noch weiter vergrößerte Reichweite kann auch das ungeradzahlige Mehrfache der Viertel-Wellenlänge verwendet werden, also die Höhe H = 1524 µm für dreimal eine Viertel-Wellenlänge oder sogar H = 2540 µm für fünfmal eine Viertel-Wellenlänge, usw.For custom-made products and more special purposes, such as an even greater range, an odd multiple of the quarter-wavelength can also be used, i.e. the height H = 1524 µm for three times a quarter-wavelength or even H = 2540 µm for five times a quarter-wavelength, etc .

Je größer die Substratdicke und somit die Höhe H ist, um so weniger flexibel ist jedoch die Etikette. Mit zunehmender geometrischer Höhe H des Substrates nimmt zwar die erzielbare Reichweite für die Wechselwirkung der Etikette mit der Radaranlage zu, weil das Streufeld zwischen der Oberseitenmetallisierung (1) und der Unterseitenmetallisierung (3) sich strukturell vergrößert und dadurch die Wechselwirkung mit dem Fernfeld intensiver wird, was einer Vergrößerung der effektiv wirksamen Rückstrahlfläche σ entspricht, jedoch wird aus der biegsamen Folie dann eine starre Platte mit eingeschränkten Möglichkeiten der Montage auf das zu markierende Objekt.However, the greater the substrate thickness and thus the height H, the less flexible the label. With increasing geometric height H of the substrate, the achievable range for the interaction of the label with the radar system increases because the stray field between the upper side metallization (1) and the lower side metallization (3) increases structurally and the interaction with the far field becomes more intensive as a result. which corresponds to an increase in the effectively effective reflecting surface σ, but the flexible foil then becomes a rigid plate with limited possibilities for mounting on the object to be marked.

Zur Formgebung der Oberseitenmetallisierung (1) sind zur Optimierung der Wechselwirkung zwischen der Radaranlage und der Etikette Computerberechnungen notwendig, wenn kompliziert berandete Flächen verwendet werden. Für die bei der in 1 beispielhaft verwendeten einfachen rechteckförmigen Struktur, lässt sich der Sachverhalt hingegen anschaulich erläutern.Computer calculations are necessary to optimize the interaction between the radar system and the label in order to shape the upper side metallization (1) if surfaces with complex borders are used. For those at the in 1 However, with the simple rectangular structure used as an example, the situation can be explained clearly.

Wenigstens eine der angegebenen geometrischen Abmessungen, also der Länge L oder der Weite W muss so gewählt werden, dass die Oberseitenmetallisierung durch die von der Radaranlage abgestrahlten Sendeenergie mit der Betriebsfrequenz der Radaranlage in Resonanzschwingungen gerät. Somit wählen wir beispielhaft die Länge L gerade so lang, dass sie einem beidseitig an den Enden offen Dipol mit der halben Wellenlänge der Sendefrequenz der Radaranlage entspricht. Die geometrische Länge L muss dazu mit der elektrisch wirksamen Länge eines Dipols mit entweder der halben Wellenlänge der von der Radaranlage ausgesendeten Hochfrequenzimpulse oder einem Mehrfachen davon übereinstimmen. Andererseits bilden sich an den Enden der beidseitig leerlaufenden Resonanzleitung Streufelder aus, die wie Kapazitäten wirken. Diese sogenannten Endeffekt-Kapazitäten sind abhängig von der Frequenz, vom Material und von den geometrischen Abmessungen [08]. Wegen dieser Endeffekt-Kapazitäten muss die geometrische Länge L um einen, diesen Kapazitäten entsprechenden, äquivalenten Betrag kürzer gewählt werden, das heißt, die geometrische Länge L und die, der Länge des an beiden Enden auftretenden Streufeldes entsprechenden zusätzlichen elektrischen Längen 2 mal ΔL, müssen dann der halben elektrische wirksamen Wellenlänge, bzw. ein Mehrfaches davon, entsprechen.At least one of the specified geometrical dimensions, i.e. the length L or the width W, must be selected in such a way that the upper side metallization gets into resonant oscillations due to the transmission energy radiated by the radar system at the operating frequency of the radar system. Thus, for example, we choose the length L just long enough that it corresponds to a dipole open on both ends at half the wavelength of the transmission frequency of the radar system. For this purpose, the geometric length L must correspond to the electrically effective length of a dipole with either half the wavelength of the high-frequency pulses emitted by the radar system or a multiple thereof. On the other hand, stray fields form at the ends of the resonance line, which is open-ended on both sides, and act like capacitances. These so-called end-effect capacities depend on the frequency, the material and the geometric dimensions [08]. Because of these end-effect capacitances, the geometric length L must be chosen to be an equivalent amount shorter, which corresponds to these capacitances, i.e. the geometric length L and the additional electrical lengths corresponding to the length of the stray field occurring at both ends must be 2 times ΔL then correspond to half the electrically effective wavelength, or a multiple thereof.

Da die Oberseitenmetallisierung jedoch einerseits mit dem Feld im Substrat und andererseits mit dem Feld im freien Raum verknüpft ist, bildet sich ein sogenannter Hybridmode aus, da die Phasengeschwindigkeiten in beiden Medien unterschiedlich sind. Dadurch ist die effektiv wirksame Permittivität insbesondere jeweils von der Weite W der rechteckförmigen Oberseitenmetallisierung abhängig, weshalb an dieser Stelle kein allgemeingültig zutreffender Wert für die elektrisch wirksame Wellenlänge angegeben werden kann. Dieser muss jeweils, je nach Ausbildung der verwendeten Geometrien, mit Hilfe geeigneter Computerprogramme ermittelt werden.However, since the top-side metallization is linked on the one hand to the field in the substrate and on the other hand to the field in free space, a so-called hybrid mode is formed, since the phase velocities in the two media are different. As a result, the effectively effective permittivity is dependent in particular on the width W of the rectangular upper-side metallization, which is why no generally applicable value for the electrically effective wavelength can be specified at this point. Depending on the configuration of the geometries used, this must be determined with the aid of suitable computer programs.

Für einen angenommenen rechteckförmigen Leiterstreifen als Oberseitenmetallisierung mit vernachlässigbarer Schichtdicke und mit einer willkürlich festgelegten Weite W = 1.0 mm würden sich dann für die hier beispielhaft behandelte Struktur folgende Größen ergeben:For an assumed rectangular conductor strip as the upper side metallization with a negligible layer thickness and with an arbitrarily specified width W = 1.0 mm, the following values would then result for the structure treated here as an example:

Die effektiv wirksame Permittivität εeff ist höher als die der Luft und geringer als die des Substrates und lässt sich für einen Leiterbahnstreifen mit einer Weite W von 1mm berechnen zu einem Wert: ε e f f = 2,804.

Figure DE202022000086U1_0004
The effectively effective permittivity ε eff is higher than that of air and lower than that of the substrate and can be calculated for a strip conductor with a width W of 1mm to a value: e e f f = 2,804.
Figure DE202022000086U1_0004

Damit ergibt sich für eine solche streifenförmige Oberseitenmetallisierung mit dem damit verknüpften elektromagnetischen Feld eine effektive Wellenlänge: λ e f f = λ 0 ε e f f ,

Figure DE202022000086U1_0005
nach der Berechnung somit λeff = 2310 µm. Eine halbe Wellenlänge wäre dann also eine Länge von 1155 µm. Der Endeffekt [08] für eine solche Struktur bewirkt aufgrund des Streufeldes an dem leerlaufendem Ende der Leitung eine äquivalente zusätzliche Leitungslänge Δ L = 23 μ m .
Figure DE202022000086U1_0006
This results in an effective wavelength for such a strip-shaped upper side metallization with the associated electromagnetic field: λ e f f = λ 0 e e f f ,
Figure DE202022000086U1_0005
after the calculation therefore λ eff = 2310 µm. Half a wavelength would then be a length of 1155 µm. The net effect [08] for such a structure causes an equivalent additional line length due to the fringing field at the open end of the line Δ L = 23 µ m .
Figure DE202022000086U1_0006

Diese äquivalente Ersatzlänge wirkt an beiden Seiten, somit gilt für die geometrische Länge der als Halbwellendipol betriebenen rechteckförmigen Oberseitenmetallisierung: L = 0.5 λ e f f 2 Δ L ,

Figure DE202022000086U1_0007
L = 1155 μ m 46 μ m ,
Figure DE202022000086U1_0008
L = 1109 μ m .
Figure DE202022000086U1_0009
This equivalent replacement length acts on both sides, so the following applies to the geometric length of the rectangular top-side metallization operated as a half-wave dipole: L = 0.5 λ e f f 2 Δ L ,
Figure DE202022000086U1_0007
L = 1155 µ m 46 µ m ,
Figure DE202022000086U1_0008
L = 1109 µ m .
Figure DE202022000086U1_0009

Zur Vergrößerung der Rückstrahlfläche σ ist es zweckmäßig, die Länge L auf ein Mehrfaches der halben Wellenlänge zu verlängern, sofern die dafür erforderliche geometrische Fläche verfügbar ist. Dazu muss die ermittelte geometrische Länge lediglich mit einer natürlichen Zahl multipliziert werden. Eine Länge L = 22,18 mm würde demnach das Zwanzigfache der effektiven Wellenlänge entsprechen und bei gleichzeitig signifikant vergrößerter Rückstrahlfläche σ trotzdem in Resonanz sein.In order to enlarge the reflecting surface σ, it is expedient to extend the length L to a multiple of half the wavelength, provided that the geometric surface required for this is available. To do this, the determined geometric length simply has to be multiplied by a natural number. A length L = 22.18 mm would therefore correspond to twenty times the effective wavelength chen and at the same time be in resonance with a significantly increased reflecting surface σ.

Die Weite W der Oberseitenmetallisierung kann bei dieser beispielhaft zur Erläuterung gewählten Oberseitenmetallisierung prinzipiell beliebig gewählt werden. Zu beachten sind jedoch die nachfolgend erläuterten Gesichtspunkte. Wählt man diese Weite W sehr gering, also geringer als 1 mm, so erhöht sich die charakteristische Impedanz des Leiterstreifens und mit zunehmender Verringerung der Weite W nähert sich die mit diesem Leiterstreifen verknüpfte Feldstruktur und damit der Wellenwiderstand der Anordnung der Freiraumimpedanz von 377 Ohm, was dann eine optimale Leistungsanpassung zum Freiraum bedeuten würde, wodurch sich die Wechselwirkung mit dem von der Radaranlage erzeugten Feld verstärken würde. Das ist der Grund für Wirksamkeit der zur Radartäuschung verwendeten haarfeinen Düppel. Andererseits verringert sich durch einen zu schmalen Streifen die elektrisch wirksame elektrisch leitende Fläche der Oberseitenmetallisierung (1), wodurch sich die Rückstrahlfläche σ verringert. Bei den Düppeln wird dieser Nachteil durch eine massenhafte in den Raum exportierten Anzahl von einzelnen Dipolen kompensiert. Bei einer beschränkten Anzahl von Etiketten oder bei einer Einzeletikette muss jedoch ein Kompromiss zwischen der Anpassung an die Freiraumimpedanz und der insgesamt zur Verfügung stehenden Metallfläche zur Erzeugung einer möglichst großen Rückstrahlfläche σ gefunden werden.In principle, the width W of the upper side metallization can be chosen arbitrarily in the case of this upper side metallization selected by way of example for the purpose of explanation. However, the aspects explained below must be taken into account. If this width W is chosen to be very small, i.e. less than 1 mm, the characteristic impedance of the conductor strip increases and as the width W decreases, the field structure associated with this conductor strip and thus the characteristic impedance of the arrangement approaches the free space impedance of 377 ohms, what would then mean optimal power matching to free space, which would strengthen the interaction with the field generated by the radar installation. This is the reason for the effectiveness of the hair-thin chaff used for radar decoy. On the other hand, if the strip is too narrow, the electrically effective electrically conductive surface of the upper side metallization (1) is reduced, as a result of which the reflecting surface σ is reduced. In the case of chaff, this disadvantage is compensated for by a large number of individual dipoles exported into space. With a limited number of labels or with a single label, however, a compromise must be found between the adaptation to the free space impedance and the overall metal surface available to produce the largest possible reflective surface σ.

In den nachfolgenden Figuren sind einige zweckmäßige Strukturen für die Oberflächenmetallisierung (1) als Beispiele für geeignete planare Resonanzelemente von Etiketten qualitativ dargestellt.The following figures show qualitatively some suitable structures for the surface metallization (1) as examples of suitable planar resonance elements of labels.

Es zeigt die 2 streifenförmige Leiterstreifen gemäß der in 1 gezeigten und erläuterten rechteckförmigen Oberflächenmetallisierung (1). Die Längen der Leiterstreifen entsprechen einem Mehrfachen der halben Wellenlänge und sind daher in Resonanz mit dem von der Radaranlage erzeugten lokalen elektromagnetischem Feld. Um eine möglichst gute Anpassung der Resonanzelemente zum Freiraum zu erlangen, sind die Leiterstreifen relativ schmal ausgeführt, wodurch deren charakteristische Impedanz sich der Freiraumimpedanz von 377 Ohm nähert. Um andererseits eine ausreichend große Rückstrahlfläche σ zu erlangen, werden mehrere Leiterstreifen parallel zueinander angeordnet, wodurch sich die Wechselwirkungen der einzelnen Leiterstreifen addieren.It shows the 2 strip-shaped conductor strips according to in 1 shown and explained rectangular surface metallization (1). The lengths of the conductor strips correspond to a multiple of half the wavelength and are therefore in resonance with the local electromagnetic field generated by the radar installation. In order to achieve the best possible matching of the resonance elements to the free space, the conductor strips are made relatively narrow, which means that their characteristic impedance approaches the free space impedance of 377 ohms. On the other hand, in order to achieve a sufficiently large reflecting surface σ, several conductor strips are arranged parallel to one another, as a result of which the interactions of the individual conductor strips add up.

Der Nachteil der in 2 gezeigten Anordnung ist, dass die Wechselwirkung mit der Radaranlage sehr stark davon abhängt, wie die Polarisationsrichtungen der Radarantennen jeweils ausgebildet sind. Somit könnten sich signifikant unterschiedliche Rückstrahlflächen σ ergeben, je nachdem, ob die Etikette beispielsweise um 90 Grad verdreht ist oder nicht. Dieser Nachteil wird durch eine Struktur gemäß 3 aufgehoben. Die dort gezeigte Metallisierungen wirken wie Dipole, die entweder horizontal, vertikal oder jeweils um 45 Grad verdreht polarisiert sind. Dadurch wird die Wechselwirkung mit der Radaranlage weitgehend unabhängig von der Polarisation der Antennenanlage des Senders. Bei galvanisch verbundenen unterschiedlichen Resonatoren müssen die Verbindungsstellen das gleiche Potential besitzen. In der 3 befindet sich der Überkreuzungsbereich der beiden diagonal angeordneten Resonatoren in einem sogenannten gemeinsamen Spannungsknoten, d. h. an dieser Stelle verschwindet der Betrag der Spannung bei beiden Resonatoren und es kommt zu keiner gegenseitigen Beeinflussung durch die galvanische Verbindung an dieser Stelle. Dies gilt auch für die nachfolgend gezeigten Strukturen.The downside of the in 2 The arrangement shown is that the interaction with the radar system depends very much on how the polarization directions of the radar antennas are designed. This could result in significantly different reflecting surfaces σ, depending on whether the label is rotated by 90 degrees or not, for example. This disadvantage is provided by a structure 3 raised up. The metallizations shown there act like dipoles, which are polarized either horizontally, vertically or rotated by 45 degrees. This means that the interaction with the radar system is largely independent of the polarization of the transmitter's antenna system. In the case of galvanically connected different resonators, the connection points must have the same potential. In the 3 the crossover area of the two diagonally arranged resonators is in a so-called common voltage node, ie at this point the magnitude of the voltage in both resonators disappears and there is no mutual influence due to the galvanic connection at this point. This also applies to the structures shown below.

Eine besonders einfache Struktur für Dipol-Resonatoren für horizontal und vertikal polarisierte Antennen zeigt die 4. Für eine starke Wechselwirkung mit der Radaranlage ist es sinnvoll, eine Vielzahl solcher Strukturen auf der Etikette anzubringen, um eine ausreichend große Rückstrahlfläche σ zu erzielen.A particularly simple structure for dipole resonators for horizontally and vertically polarized antennas is shown in 4 . For a strong interaction with the radar system, it makes sense to attach a large number of such structures to the label in order to achieve a sufficiently large reflecting surface σ.

Eine weitere Verbesserung bei gleichzeitig weiter vergrößerter Rückstrahlfläche σ zeigt die Struktur in 5. Dort werden auch um 45 Grad verdrehte linear polarisierte Sendeantennen der Radaranlage optimal erfasst.The structure in FIG 5 . There, linearly polarized transmitting antennas of the radar system rotated by 45 degrees are also optimally detected.

Eine weitere Vergrößerung der Rückstrahlfläche σ ergibt sich durch die fächerförmige Erweiterung oder Weitung der Leiterbahnweite W zum offenen Ende der Dipol-Resonatoren hin. Die 6 zeigt diese Erweiterung. In elektrischer Hinsicht entspricht diese Struktur funktionell der in 4 gezeigten Resonator-Struktur. Im Gegensatz dazu ist die Weite W der rechteckförmigen Oberflächenmetallisierung (1) jedoch nicht konstant, sonder nimmt zum offenen Ende der Dipol-Resonatoren hin immer mehr zu. Dadurch vergrößert sich die für die Wechselwirkung mit der Radar-Anlage erforderliche Fläche der Metallisierung. Zu beachten ist jedoch, dass durch die jeweils größere Weite W am offenen Ende der Resonanz-Leitung sich der Betrag der Endeffektkapazität durch das größere Streufeld erhöht. Dadurch sind Resonatoren dieser Bauform bei gleicher Resonanzfrequenz entsprechend der durch den jeweils geänderten Endeffekt bedingten äquivalenten Ersatzlänge ΔL kürzer als die zuvor betrachteten rechteckförmigen Resonanz-Elemente.A further enlargement of the reflecting surface σ results from the fan-shaped widening or widening of the conductor path width W towards the open end of the dipole resonators. the 6 shows this extension. From an electrical point of view, this structure corresponds functionally to that in 4 shown resonator structure. In contrast to this, however, the width W of the rectangular surface metallization (1) is not constant, but rather increases more and more towards the open end of the dipole resonators. This increases the area of the metallization required for interaction with the radar system. However, it should be noted that due to the larger width W at the open end of the resonance line, the magnitude of the end effect capacitance increases due to the larger stray field. As a result, with the same resonance frequency, resonators of this design are shorter than the rectangular resonance elements considered above, corresponding to the equivalent equivalent length ΔL caused by the changed end effect in each case.

Die 7 entspricht in elektrischer Hinsicht weitgehend der in 5 gezeigten Struktur, wobei nun aber die jeweiligen Dipol-Resonatoren fächerförmig gestaltet sind. Auch hier sind die Längen der Dipol-Resonatoren um die vergrößerte äquivalente Ersatzlänge ΔL zu verkürzen, damit die Strukturen bei der Betriebsfrequenz der Radar-Sendeanlage in Resonanz geraten.the 7 From an electrical point of view, largely corresponds to that in 5 shown structure, but now the respective dipole resonators fan-shaped are moderately designed. Here, too, the lengths of the dipole resonators must be reduced by the increased equivalent replacement length ΔL so that the structures resonate at the operating frequency of the radar transmission system.

Einen horizontal und gleichzeitig vertikal polarisierter Dipol-Resonator mit maximal möglicher Rückstrahlfläche σ ist in 8 gezeigt. In elektrischer Hinsicht wirkt diese Struktur ähnlich der in 4 gezeigten Oberflächenmetallisierung, wobei hier jedoch die Weite W gerade gleich der Länge L gewählt worden ist. Auch hier müssen die jeweiligen geometrischen Abmessungen entsprechend der sich durch das Streufeld am offenen Ende der Resonatoren ergebenden äquivalenten Ersatzlängen verkürzt werden.A horizontally and at the same time vertically polarized dipole resonator with the maximum possible reflection area σ is in 8th shown. Electrically, this structure is similar to that in 4 shown surface metallization, but here the width W has been chosen to be just equal to the length L. Here, too, the respective geometric dimensions must be shortened in accordance with the equivalent equivalent lengths resulting from the stray field at the open end of the resonators.

Durch Verbreiterung der fächerförmigen Strukturen gemäß der 7 ergibt sich schließlich die in 9 gezeigte Struktur. Diese ist nun vollständig unabhängig von der Polarisation der Sendeantennen der Radaranlagen und ermöglicht eine völlig richtungsunabhängige Wechselwirkung bei maximal möglicher Rückstrahlfläche σ.By widening the fan-shaped structures according to the 7 finally results in the in 9 structure shown. This is now completely independent of the polarization of the transmitting antennas of the radar systems and enables a completely direction-independent interaction with the maximum possible reflection area σ.

Der Vollständigkeit halber sind nachfolgend weitere planare resonanzfähige Strukturen beispielhaft aufgeführt, die entweder die gleiche Resonanzfrequenz bei unterschiedlichen geometrischen Abmessungen aufweisen oder aber auch jeweils unterschiedliche Resonanzfrequenzen besitzen und somit mit Radaranlagen wechselwirken können, die gleichzeitig auf unterschiedlichen Frequenzen wie beispielsweise 77,25 GHz und 24,125 GHz elektromagnetische Energie abstrahlen oder aber diese Strukturen sind für mehrere Radaranlagen geeignet, die für unterschiedliche Betriebsfrequenzen wie beispielsweise 77,25 GHz oder 24,125 GHz konstruiert worden sind. Dann können die selben Etiketten universell auch für unterschiedliche Systeme eingesetzt werden.For the sake of completeness, further planar resonant structures are listed below as examples, which either have the same resonance frequency with different geometric dimensions or also have different resonance frequencies and can therefore interact with radar systems that operate simultaneously on different frequencies such as 77.25 GHz and 24.125 GHz radiate electromagnetic energy or these structures are suitable for several radar systems that have been designed for different operating frequencies such as 77.25 GHz or 24.125 GHz. Then the same labels can also be used universally for different systems.

Die 10 zeigt schematisch eine Anzahl von am Ende freilaufenden Resonanzleitungen mit unterschiedlichen Längen, die entweder das unterschiedlich Mehrfache der halben Wellenlänge bei einer Betriebsfrequenz entsprechen oder alternativ auch für unterschiedliche Wellenlängen und unterschiedlichen Betriebsfrequenzen geeignet sind. Sobald die Metallisierungen der jeweiligen streifenförmigen Resonatoren sich berühren, also sobald sie galvanisch miteinander verkoppelt sind, müssen die Kontaktstellen konstruktiv an der Stelle angeordnet sein, wo die durch Resonanz erzeugte Spannungsverteilung eine Nullstelle aufweist. Das wäre bei einem streifenförmigen Dipol-Resonator stets genau in der Mitte des jeweiligen Leiters der Fall. Entsprechend ist dies bei den beispielhaft dargestellten Strukturen berücksichtigt. Es sind unterschiedlich lange streifenförmige Resonatoren schematisch dargestellt, die zwar galvanisch verkoppelt sind, jedoch trotzdem weitgehend unabhängig voneinander auch bei unterschiedlichen Resonanzfrequenzen mit dem jeweils vorhandenen elektromagnetischen Feld in Wechselwirkung treten können.the 10 Fig. 12 shows schematically a number of free-running resonant lines at the end of different lengths, which either correspond to different multiples of half a wavelength at an operating frequency or, alternatively, are also suitable for different wavelengths and different operating frequencies. As soon as the metallization of the respective strip-shaped resonators touches, ie as soon as they are galvanically coupled to one another, the contact points must be structurally arranged at the point where the voltage distribution generated by resonance has a zero point. In the case of a strip-shaped dipole resonator, this would always be exactly in the middle of the respective conductor. Accordingly, this is taken into account in the structures shown as examples. Strip-shaped resonators of different lengths are shown schematically, which are galvanically coupled, but can nevertheless interact with the respective existing electromagnetic field largely independently of one another, even at different resonance frequencies.

Weitere funktionell sehr ähnlich wie die in 10 gezeigten, jeweils als Resonatoren wirkenden Oberseitenmetallisierungen (1) sind in der 11 beispielhaft dargestellt. Die Mehrfachresonanzfrequenzen werden hier durch elektrisch unterschiedlich wirkende Längen der Leiter bewirkt, welche dadurch entstehen, dass seitliche Schlitze in die fächerartige Struktur hinein erzeugt werden, die eine Erhöhung des Induktivitätsbelages und damit eine Verlängerung der elektrisch wirksamen Länge der fächerförmigen Strukturen bewirken oder durch in der Leiterstruktur erzeugte Löcher, die eine Verringerung des Kapazitätsbelages und damit eine Verkürzung der elektrisch wirksamen Länge der fächerförmigen Strukturen bewirken. Beide in 11 gezeigten Oberflächenmetallisierungen können jeweils bei drei unterschiedlichen Resonanzfrequenzen gleichzeitig mit dem elektromagnetischen Feld in Wechselwirkung treten und sind somit universell für verschiedene Radarsysteme einsetzbar.More functionally very similar to the in 10 shown, each acting as a resonator top metallization (1) are in 11 shown as an example. The multiple resonance frequencies are caused here by lengths of the conductors that have different electrical effects, which are caused by lateral slots being produced in the fan-shaped structure, which increase the inductance per unit length and thus lengthen the electrically effective length of the fan-shaped structures or through the conductor structure generated holes, which cause a reduction in the capacitance per unit length and thus a shortening of the electrically effective length of the fan-shaped structures. both in 11 The surface metallizations shown can each interact with the electromagnetic field at three different resonance frequencies at the same time and can therefore be used universally for different radar systems.

Sämtliche bisher betrachtete Retroreflektoren sind planare Gebilde und wirken nur dann optimal, wenn die Oberseitenmetallisierung (1) - ähnlich wie bei Licht und einem optischer Spiegel - nahezu senkrecht zur Einfallsrichtung des Radarstrahls ausgerichtet ist. In der Praxis und bei bewegten Objekten ist dies jedoch keineswegs immer der Fall.All of the retroreflectors considered so far are planar structures and only work optimally if the upper side metallization (1) - similar to light and an optical mirror - is aligned almost perpendicularly to the direction of incidence of the radar beam. In practice and with moving objects, however, this is by no means always the case.

Für einen typischen Anwendungsfall, dass mehrere durch Etiketten markierte Container oder andere Objekte auf einer größeren Lagerfläche zwischen nichtmarkierten Fremdcontainern aufgefunden werden sollen, sind nachfolgend technische Lösungen mit Hilfe multifunktionaler RFID-Radaretiketten gegeben. Dabei kann einschränkend davon ausgegangen werden, dass der Radarstrahl überwiegend in der horizontalen Ebene auftreffen wird, denn eine portable Radaranlage zur Erfassung von markierten Objekten wird sich weder in der Luft noch im Boden befinden, wobei der Azimutalwinkel der eintreffenden Strahlung jedoch alle Werte von 0 bis 360 Grad einnehmen kann. Wenn die Position zur Radaranlage unbestimmt ist, der zu reflektierende Radarstrahl also aus unbestimmter Richtung auftreffen kann, dann gibt es verschiedene Möglichkeiten, um trotzdem eine signifikante Reflektion des Radarstrahles zu bewirken.For a typical application, in which several containers marked by labels or other objects are to be found in a larger storage area between unmarked third-party containers, technical solutions using multifunctional RFID radar labels are given below. It can be assumed that the radar beam will mainly hit the horizontal plane, because a portable radar system for detecting marked objects will not be in the air or on the ground, with the azimuthal angle of the incoming radiation having all values from 0 to can cover 360 degrees. If the position in relation to the radar system is undetermined, i.e. the radar beam to be reflected can hit it from an undetermined direction, then there are various options for causing a significant reflection of the radar beam.

Eine praxistaugliche Möglichkeit ist die vollständige, polygonzugähnliche Umschließung des zu markierenden Objektes mit Retroreflektoren. Sind die Retroreflektoren planare Gebilde, dann müssen lediglich eine hinreichend große Anzahl dieser Reflektoren so an dem zu markierenden Gegenstand angebracht werden, dass wenigstens einer dieser Reflektoren weitgehend senkrecht zum einfallenden Radarstrahl ausgerichtet ist.A practical possibility is the complete, polygon-like enclosing of the object to be marked with retroreflectors. If the retroreflectors are planar structures, then only a sufficiently large number of these reflectors are attached to the object to be marked in such a way that at least one of these reflectors is aligned largely perpendicularly to the incident radar beam.

So wäre zur Markierung einer Säule beispielsweise denkbar, dass je nach Durchmesser dieser Säule 200 solcher planaren Retroreflektoren auf einer Folie oder einem Band geklebt oder gedruckt zu einem Polygonzug seitlich aneinandergereiht angeordnet und entlang des Säulenumfangs befestigt werden. Dieses Vorgehen würde eine technische Möglichkeit eröffnen, mit planaren, also zweidimensionalen Etiketten, ein wieder aufzufindendes Objekt vollständig in der Ebene zu markieren, gleichgültig aus welcher Richtung der Radarstrahl bei der Suche auf das durch Etiketten markierte Objekt trifft. Ein solches, aus planaren Retroreflektoren zusammengesetztes, wie ein Polygonzug geformtes Gebilde, ließe sich auch als fortlaufendes selbstklebendes Band herstellen und je nach Bedarf auf die passende Länge beschneiden.For example, it would be conceivable to mark a column that, depending on the diameter of this column, 200 such planar retroreflectors are glued or printed to a film or tape, lined up laterally to form a polygon and attached along the circumference of the column. This procedure would open up a technical possibility of using planar, i.e. two-dimensional labels, to mark an object to be found again completely in the plane, regardless of the direction from which the radar beam strikes the object marked by the labels during the search. Such a structure, composed of planar retroreflectors and shaped like a polygon, could also be produced as a continuous self-adhesive tape and cut to the appropriate length as required.

Es können auch Perforierungen nach jeder planaren Etikette im Band vorhanden sein, damit die erforderliche Länge durch einfaches Abreißen an passender Stelle auch ohne Werkzeug erfolgen kann, wie es beispielsweise bei einer Rolle Briefmarken der Fall ist.There may also be perforations in the tape after each planar label to allow the required length to be obtained by simply tearing it off at the appropriate point without the use of tools, as is the case with a roll of postage stamps.

Mit einem technologisch höherem Aufwand bei der Herstellung können alternativ sehr wirksame nichtplanare, also dreidimensionale Retroreflektoren realisiert werden, die als geeignete hybride Elemente in das System modular erweiterbarer multifunktionale RFID-Radaretiketten problemlos integriert werden können, wenn die Aufgabenstellung die höheren Herstellungskosten rechtfertigt. Es handelt sich dabei um eine dreidimensionale Oberflächenstruktur, die unter der Bezeichnung Perkin-Elmer-Pyramiden bekannt ist. Die 12 zeigt schematisch eine solche dreidimensionale Perkin-Elmer-Pyramiden Oberflächenstruktur. Es handelt sich um eine Vielzahl gleichmäßig angeordneter würfelförmiger Strukturen, wobei die Würfel, aus der Frontalansicht betrachtet, jeweils mit einer Ecke zum Betrachter hin zeigen. Es ergeben sich durch die drei Seitenflächen von jeweils drei benachbarten Würfeln trichterförmige Vertiefungen, die bei totaler Reflektion an den jeweiligen Oberflächen einen einfallenden Lichtstrahl genau in die Richtung zurück werfen, aus der er gekommen ist. Diese so geformte Oberfläche bildet eine Struktur mit zahlreichen kontinuierlich aneinandergereihten Tripelspiegeln. Sie wird in der Praxis für hochwertige optische Rückstrahler verwendet. Diese Rückstrahler verwenden als Material einen geeigneten, gegebenenfalls eingefärbten Kunststoff mit ausreichend hohem Brechungsindex. Durch die dadurch entstehende Totalreflexion kann auf eine Verspiegelung der Oberflächen verzichtet werden, was die Herstellungskosten noch weiter reduziert. Die Kantenlängen der einzelnen Würfelstrukturen bestimmen die Strukturgrößen. Diese liegen typischerweise im Bereich von 2 mm für preiswerte Rückstrahler und bis 4 mm für hochwertige Rückstrahler.As an alternative, very effective non-planar, i.e. three-dimensional retroreflectors can be realized with a higher level of technological effort in production, which can be easily integrated as suitable hybrid elements into the system of modularly expandable, multifunctional RFID radar labels if the task justifies the higher production costs. This is a three-dimensional surface structure known as Perkin-Elmer pyramids. the 12 shows a schematic of such a three-dimensional Perkin-Elmer pyramid surface structure. It is a large number of evenly arranged cube-shaped structures, with the cubes, viewed from the front, showing one corner towards the viewer. The three side surfaces of three adjacent cubes result in funnel-shaped depressions, which, with total reflection on the respective surfaces, throw an incident light beam back exactly in the direction from which it came. The surface formed in this way forms a structure with numerous triple mirrors continuously lined up next to one another. It is used in practice for high-quality optical reflectors. These reflectors use a suitable, optionally colored plastic with a sufficiently high refractive index as the material. The resulting total reflection means that the surfaces do not need to be mirrored, which further reduces the manufacturing costs. The edge lengths of the individual cube structures determine the structure sizes. These are typically in the range of 2 mm for inexpensive reflectors and up to 4 mm for high-quality reflectors.

Es ist technisch jedoch prinzipiell auch möglich, diese optischen Reflektoren so zu gestalten, dass sie gleichzeitig sowohl das Licht als auch die elektromagnetischen Radarstrahlen nach dem gleichen physikalischen Prinzip reflektieren. Dazu müssten bei einer Betriebsfrequenz der Radaranlage von beispielsweise 77,5 GHz zweckmäßigerweise die jeweiligen Kantenlängen der derzeit verwendeten dielektrischen triangularen Winkelreflektoren auf etwa das Dreifache verlängert werden und die Oberflächen müssten metallisiert werden.In principle, however, it is technically also possible to design these optical reflectors in such a way that they reflect both the light and the electromagnetic radar beams according to the same physical principle. For this purpose, with an operating frequency of the radar system of, for example, 77.5 GHz, the respective edge lengths of the dielectric triangular corner reflectors currently used would have to be lengthened to about three times and the surfaces would have to be metallized.

Bei gleicher Anzahl von Reflektoren würde sich dann aber auch die Gesamtgröße verdreifachen. Als Kompromiss zwischen Größe und Wirksamkeit kann jedoch die Anzahl der einzelnen triangularen Reflektorelemente verringert werden, um insgesamt praktikablere Größenverhältnisse zu schaffen.With the same number of reflectors, the total size would then triple. However, as a compromise between size and effectiveness, the number of individual triangular reflector elements can be reduced in order to create overall more practical proportions.

Während für elektromagnetische Strahlung mit einer sehr hohen Frequenz, nämlich dem Licht, verlustarme transparente Materialien mit hinreichend hohem Brechungsindex preiswert zur Verfügung stehen, ist dies für elektromagnetische Strahlung mit signifikant geringerer Frequenz, nämlich die Strahlung der Radaranlage, nicht der Fall. Diese geeigneten Materialien sind derzeit noch deutlich teurer. Somit wird der Effekt der Totalreflexion zum Aufbau solchermaßen strukturierter Reflektoren für eine preiswerte Produktion mangels geeigneter Materialien derzeit nicht genutzt werden, so dass für Radaranlagen dann doch mit metallisierten Oberflächen gearbeitet werden muss. Grundsätzlich ist diese dreidimensionale Oberflächenstruktur, wie sie in 12 gezeigt ist, jedoch für alle elektromagnetischen Strahlen geeignet, wenn die Oberflächen so gestaltet werden, dass für den jeweiligen Frequenzbereich eine Totalreflexion der einfallenden Strahlung bewirkt wird. Je nach beabsichtigter Anwendung müssen dann für den betreffenden Frequenzbereich fachmännische Anpassungen oder auch Skalierungen vorgenommen werden. Gemäß den weiter oben angegebenen Abschätzungen wären zur Realisierung solchermaßen aufgebauter Retroreflektoren für Radaranlagen mit einer Betriebsfrequenz von 77,5 GHz also Strukturgrößen im Bereich von 10 mm bis zu 12 mm und eine metallisch leitend verspiegelte Oberfläche der triangularen Winkelreflektoren zweckmäßig.While low-loss, transparent materials with a sufficiently high refractive index are available inexpensively for electromagnetic radiation with a very high frequency, namely light, this is not the case for electromagnetic radiation with a significantly lower frequency, namely the radiation from the radar system. These suitable materials are currently significantly more expensive. Thus, the effect of total reflection cannot currently be used to construct reflectors structured in this way for inexpensive production due to a lack of suitable materials, so that metalized surfaces then have to be used for radar systems. Basically, this three-dimensional surface structure, as shown in 12 is shown, but suitable for all electromagnetic radiation if the surfaces are designed in such a way that total reflection of the incident radiation is effected for the respective frequency range. Depending on the intended application, professional adjustments or scaling must then be made for the relevant frequency range. According to the estimates given above, structure sizes in the range of 10 mm to 12 mm and a metallically conductive mirrored surface of the triangular corner reflectors would be expedient for the realization of retroreflectors constructed in this way for radar systems with an operating frequency of 77.5 GHz.

Einerseits ist der technische Aufwand und damit die Kosten zur Herstellung solcher für Frequenzbereiche von Radaranlagen geeigneten Retroreflektoren deutlich höher als für herkömmliche optische Rückstrahler. Andererseits erhält man durch die Verwendung von Metall und Strukturgrößen bis zum Zentimeterbereich jedoch einen sehr wirkungsvollen Rückstrahler, der gleichzeitig sowohl Radarstrahlen als auch Lichtstrahlen sehr effektiv zur Quelle zurück reflektiert. Damit erhalten die multifunktionale RFID-Radaretiketten zusätzliche Anwendungsmöglichkeiten im Bereich der Verkehrssicherheit, wenn diese hybriden Elemente miteinander modular kombiniert werden.On the one hand, the technical complexity and thus the costs for producing such retroreflectors that are suitable for frequency ranges of radar systems are significantly higher than for conventional optical retroreflectors. On the other hand, the use of metal and structure sizes up to the centimeter range results in a very effective retro-reflector, which very effectively reflects both radar beams and light beams back to the source at the same time. This gives the multifunctional RFID radar labels additional application options in the field of traffic safety if these hybrid elements are combined with each other in a modular way.

Neben der bisher betrachteten einfachen Reflexion von elektromagnetischer Energie mit planaren oder dreidimensionalen Retroreflektoren, welches von der Radaranlage als Nachweis für die Präsenz eines Objektes detektiert wird, werden die Radaretiketten so gestaltet, dass zusätzlich auch Informationen in Form digital geformter Daten übertragen werden können.In addition to the previously considered simple reflection of electromagnetic energy with planar or three-dimensional retroreflectors, which is detected by the radar system as proof of the presence of an object, the radar labels are designed in such a way that information in the form of digitally formed data can also be transmitted.

Eine in 13 beispielhaft dargestellte planare multifunktionale Etikettenstruktur (4), welche für die oben aufgeführten Anwendungsfälle geeignet und für zusätzliche Funktionen erweiterbar ist, wird nachfolgend beschrieben.one inside 13 The planar multifunctional label structure (4) shown as an example, which is suitable for the applications listed above and can be expanded for additional functions, is described below.

Die beiden fächerförmigen Resonanzleitungen der planaren multifunktionale Etikettenstruktur (4) besitzen - physikalisch gesehen - weitgehend den in 1 gezeigten Aufbau. Sie bestehen also aus einer Oberseitenmetallisierung (1), einem dielektrischen Substrat (2) als Trägermaterial und einer Unterseitenmetallisierung (3).The two fan-shaped resonance lines of the planar multifunctional label structure (4) have - from a physical point of view - largely the 1 structure shown. So they consist of a top metallization (1), a dielectric substrate (2) as a carrier material and a bottom metallization (3).

Die 13 zeigt die Struktur der Oberseitenmetallisierung (1). Diese besitzt neben einem multifrequenten Halbwellendipol (5) und einem multifrequenten Viertelwellenresonator (7) noch eine zusätzliche Schlitzleitungsmetallisierung (9). Innerhalb dieser Schlitzleitungsmetallisierung (9) befinden sich zahlreiche Schlitzleitungsresonatoren (10) mit jeweils unterschiedlichen geometrischen Längen. Diese sind an den Enden jeweils kurzgeschlossen und bilden dadurch Schlitzleitungsresonatoren (10), deren Resonanzfrequenz signifikant von der jeweils elektrisch wirksamen Gesamtlänge des Schlitzleitungsresonators (10) abhängt. Die Details zur Programmierung und Erkennung der programmierten Daten im Zusammenhang mit Schlitzleitungsresonatoren finden sich in [03].the 13 shows the structure of the top metallization (1). In addition to a multi-frequency half-wave dipole (5) and a multi-frequency quarter-wave resonator (7), this also has an additional slot line metallization (9). Within this slot line metallization (9) there are numerous slot line resonators (10), each with different geometric lengths. These are each short-circuited at the ends and thus form slot line resonators (10) whose resonant frequency depends significantly on the electrically effective overall length of the slot line resonator (10). The details of programming and recognition of the programmed data in connection with slotline resonators can be found in [03].

Die 13 zeigt im dargestellten Beispiel aus zeichentechnischen Gründen lediglich acht Schlitzleitungsresonatoren (10) mit jeweils unterschiedlichen geometrischen Längen. Die Anzahl der Schlitzleitungsresonatoren (10) kann jedoch je nach Erfordernissen auf eine größere Anzahl vergrößert werden. Einschränkend ist lediglich die zur Verfügung stehende Fläche der Schlitzleitungsmetallisierung (9), wobei ein ausreichend großer Abstand zwischen den einzelnen Resonatoren zu beachten ist, damit diese nicht durch eine zu starke Verkopplung die jeweiligen Resonanzfrequenzen verfälschen.the 13 shows in the example shown only eight slot line resonators (10), each with different geometric lengths, for technical reasons. However, the number of slot line resonators (10) can be increased to a larger number as required. The only limitation is the available area of the slot line metallization (9), with a sufficiently large distance between the individual resonators being observed so that they do not falsify the respective resonance frequencies due to excessive coupling.

Zusätzlich ist zwischen den beiden multifrequenten fächerförmigen Resonanzleitungen noch eine Montagegrube (6) zur Aufnahme eines hybriden Chipmoduls (14) vorhanden. Nachfolgend wird die grundsätzliche Funktionsweise dieser planaren multifunktionalen Etikettenstruktur (4) erläutert.In addition, there is a mounting pit (6) between the two multi-frequency, fan-shaped resonance lines for accommodating a hybrid chip module (14). The basic functioning of this planar multifunctional label structure (4) is explained below.

Die größere der beiden großflächigen, fächerförmigen Oberseitenmetallisierungen ist als ein multifrequenter Halbwellendipol (5) ausgebildet. Dieser Dipol ist an beiden Enden leerlaufend. Daher sind an den beiden Enden im Resonanzfall bei Erregung durch ein äußeres elektromagnetisches Feld, wie es beispielsweise von einer entfernt stationierten Radaranlage erzeugt wird, dann jeweils Spannungsmaxima zu erwarten.The larger of the two large, fan-shaped metallizations on the upper side is designed as a multi-frequency half-wave dipole (5). This dipole is open-ended at both ends. Therefore, voltage maxima are to be expected at both ends in the case of resonance when excited by an external electromagnetic field, such as that generated by a remotely stationed radar system.

Der multifrequente Halbwellendipol (5) ist in diesem Ausführungsbeispiel als Kreissegment mit konstantem Radius und damit konstanter elektrisch wirksamer Resonatorlänge strukturiert. An dem von der Montagegrube (6) abgewandtem leerlaufenden Ende ist die geometrische Breite maximal. Hier findet sich daher auch ein maximales Streufeld, welches mit dem Freiraum intensiv wechselwirken kann. Damit diese Wechselwirkung möglichst wenig behindert wird, ist ein hinreichend großer dielektrischer Freiraum (8) mit einem maximalen Abstand von weiteren möglicherweise bedämpfend wirkenden Metallisierungen, die einem Viertel der Wellenlänge bei der niedrigsten Resonanzfrequenz entspricht und einem minimalen Abstand, der einem Sechzehntel der Wellenlänge bei der niedrigsten Resonanzfrequenz entspricht. Die niedrigste Resonanzfrequenz ist bei der hier beispielhaft ohne Berücksichtigung der unterschiedlichen frequenzabhängigen Werte für den Endeffekt dimensionierten Anordnung etwa 2,42 GHz und die bestimmungsgemäße Resonanzfrequenz für die Wechselwirkung mit der Radaranlage liegt signifikant höher bei 77,5 GHz. Somit ist selbst der geringste Abstand immer noch ein Vielfaches der Wellenlänge der Betriebsfrequenz der Radaranlage und spielt somit hinsichtlich einer möglichen Bedämpfung der Felder nur eine untergeordnete Rolle.In this exemplary embodiment, the multi-frequency half-wave dipole (5) is structured as a circular segment with a constant radius and thus a constant electrically effective resonator length. The geometric width is at its maximum at the empty end facing away from the assembly pit (6). Therefore, there is also a maximum stray field here, which can interact intensively with the free space. So that this interaction is hindered as little as possible, a sufficiently large dielectric free space (8) with a maximum distance from other metallizations that may have a damping effect, which corresponds to a quarter of the wavelength at the lowest resonant frequency and a minimum distance of one sixteenth of the wavelength at the corresponds to the lowest resonance frequency. The lowest resonant frequency is about 2.42 GHz in the arrangement dimensioned here as an example without taking into account the different frequency-dependent values for the end effect, and the intended resonant frequency for the interaction with the radar system is significantly higher at 77.5 GHz. Thus, even the smallest distance is still a multiple of the wavelength of the operating frequency of the radar system and thus only plays a subordinate role with regard to possible damping of the fields.

Die kleinere der beiden großflächigen, fächerförmigen Oberseitenmetallisierungen ist als ein multifrequenter Viertelwellenresonator (7) ausgebildet. Dieser ist lediglich an der von der Montagegrube (6) abgewandten Seite leerlaufend. Durch eine in der Montagegrube (6) befindliche Durchmetallisierung (11) ist der multifrequente Viertelwellenresonator (7) galvanisch mit der Unterseitenmetallisierung (3) und dadurch gleichzeitig mit dem hochfrequenten Erdungspotential verbunden. Die 14 zeigt als seitliche Schnittbilddarstellung die geometrischen und elektrisch wirksamen Details.The smaller of the two large, fan-shaped metallizations on the upper side is designed as a multi-frequency quarter-wave resonator (7). This is empty only on the side facing away from the assembly pit (6). By in the assembly pit (6) located diameter metallization (11), the multi-frequency quarter-wave resonator (7) is galvanically connected to the underside metallization (3) and thereby at the same time to the high-frequency ground potential. the 14 shows the geometric and electrically effective details as a lateral sectional view.

Die großflächige ununterbrochen durchgängige Unterseitenmetallisierung (3) bildet das hochfrequente Erdungspotential der Anordnung. Das Substrat (2) mit der Höhe H separiert die gesamte Oberseitenmetallisierung (1) in einem Abstand von der Unterseitenmetallisierung (3), die einer viertel Wellenlänge bezüglich der Betriebsfrequenz der Radaranlage entspricht, um Freiraumbedingungen zu simulieren und um eine möglichst intensive Wechselwirkung mit der Radaranlage zu ermöglichen.The large, uninterrupted, continuous underside metallization (3) forms the high-frequency grounding potential of the arrangement. The substrate (2) with the height H separates the entire top metallization (1) at a distance from the bottom metallization (3) that corresponds to a quarter wavelength with respect to the operating frequency of the radar system in order to simulate free space conditions and to have the most intensive interaction with the radar system to allow.

Der an beiden Seiten leerlaufende multifrequente Halbwellendipol (5) hat eine Länge, die der Strecke zwischen den beiden Markierungspunkten B und C in 14 entspricht. Der Punkt B befindet sich unmittelbar an der Montagegrube (6). Der Punkt C befindet sich an dem gegenüber liegenden, fächerförmig verbreitetem Ende der Resonanzleitung.The multi-frequency half-wave dipole (5), which is open-ended on both sides, has a length that corresponds to the distance between the two marking points B and C in 14 is equivalent to. Point B is located directly at the assembly pit (6). Point C is at the opposite, fan-shaped end of the resonant line.

Der multifrequente Viertelwellenresonator (7) hat eine Länge, die der Strecke zwischen den beiden Markierungspunkten A und G in 14 entspricht. Der Punkt G befindet sich unmittelbar an der Montagegrube (6). Der Punkt G ist wegen der Durchmetallisierung (11) galvanisch mit der Unterseitenmetallisierung verbunden. Der Punkt C befindet sich an dem gegenüber liegenden, fächerförmig verbreitetem Ende der Resonanzleitung.The multi-frequency quarter-wave resonator (7) has a length that corresponds to the distance between the two marking points A and G in 14 is equivalent to. Point G is located directly at the assembly pit (6). Point G is galvanically connected to the underside metallization because of the metallization (11). Point C is at the opposite, fan-shaped end of the resonant line.

Die 15 zeigt die elektrischen Verhältnisse und Spannungsverläufe auf beiden Resonanzleitungen bei der Betriebsfrequenz von 77,5 GHz der Radaranlage.the 15 shows the electrical conditions and voltage curves on both resonance lines at the operating frequency of 77.5 GHz of the radar system.

Im Punkt A, also dem leerlaufendem Ende des multifrequenten Viertelwellenresonators (7), ist die Spannung maximal. Nach einer Distanz, die dem 16-fachen der halben Wellenlänge und zusätzlich einer einfachen viertel Wellenlänge entspricht, verschwindet die Spannung am Punkt G, der als Erdungspunkt mit der Unterseitenmetallisierung (3) durch die Durchmetallisierung (11) galvanisch verbunden ist. Es findet also eine intensive Wechselwirkung mit dem von der Radaranlage ausgesendeten Suchstrahl statt, wobei die zur Wechselwirkung zur Verfügung stehende Wirkfläche bereits wegen der geometrischen Distanz zwischen den Punkten A und G mehr als das 16-fache der Fläche eines einfachen Halbwellendipols entspricht.The voltage is at its maximum at point A, that is, at the end of the multi-frequency quarter-wave resonator (7) that is idling. After a distance that corresponds to 16 times half the wavelength and also a simple quarter wavelength, the voltage at point G, which as a grounding point is galvanically connected to the underside metallization (3) through the through-metallization (11), disappears. There is therefore an intensive interaction with the search beam emitted by the radar system, with the effective area available for interaction corresponding to more than 16 times the area of a simple half-wave dipole simply because of the geometric distance between points A and G.

Im Punkt B, also dem leerlaufendem Ende des multifrequenten Halbwellendipols (5), ist die Spannung maximal. Nach einer Distanz, die einer 32-fachen der halben Wellenlänge entspricht, wird die Spannung am ebenfalls freilaufenden Ende im Punkt C ebenfalls maximal. Es findet also eine intensive Wechselwirkung mit dem von der Radaranlage ausgesendeten Suchstrahl statt, wobei die zur Wechselwirkung zur Verfügung stehende Wirkfläche bereits wegen der geometrischen Distanz zwischen den Punkten A und G mehr als das 32-fache der Fläche eines einfachen Halbwellendipols entspricht.The voltage is at its maximum at point B, i.e. the open end of the multi-frequency half-wave dipole (5). After a distance that corresponds to 32 times half the wavelength, the voltage at the end, which is also free-running, also reaches a maximum at point C. There is therefore an intensive interaction with the search beam emitted by the radar system, with the effective area available for interaction corresponding to more than 32 times the area of a simple half-wave dipole simply because of the geometric distance between points A and G.

Die seitlichen Abmessungen der Montagegrube wird so gewählt, dass der Abstand zwischen den Punkten G und B einer dreiviertel Wellenlänge entspricht. In diesem Fall kann die gesamte Oberseitenmetallisierung (1) bestehend aus dem multifrequenten Halbwellendipols (5) und dem multifrequenten Viertelwellenresonator (7) und das Streufeld in der Montagegrube wie ein großer auf die Frequenz der Radaranlage abgestimmter Resonator mit einer Gesamtlänge, die dem 50-fachen eines Halbwellendipols bei dieser Frequenz entspricht, intensiv wechselwirken. Die Frequenz der Radaranlage von 77,5 GHz ist für die Lokalisation entfernter Objekte für die Automobilindustrie freigegeben. Durch die auf diese Frequenz abgestimmten Resonatoren mit optimal großer Wirkfläche der planaren multifunktionalen Etikettenstruktur ist ein signifikant verbessertes Rückstreupegel zu erwarten, als es ohne diese Etikette der Fall wäre.The lateral dimensions of the assembly pit are chosen so that the distance between points G and B corresponds to three quarters of a wavelength. In this case, the entire upper side metallization (1) consisting of the multi-frequency half-wave dipole (5) and the multi-frequency quarter-wave resonator (7) and the stray field in the assembly pit can be like a large resonator tuned to the frequency of the radar system with a total length that is 50 times as long of a half-wave dipole at this frequency, interact intensively. The frequency of the radar system of 77.5 GHz is approved for the localization of distant objects for the automotive industry. Due to the resonators tuned to this frequency with an optimally large effective area of the planar multifunctional label structure, a significantly improved backscatter level can be expected than would be the case without this label.

Für eine Betriebsfrequenz von 2,42 GHz, wie sie zum Betrieb eines Daten-Lesegerätes für fremdgespeiste Transponder für kurze Distanzen im Meterbereich verwendet wird, zeigt die 16 den Verlauf der Spannungen auf den Resonanzleitungen.The 16 the course of the voltages on the resonance lines.

Die Wellenlänge bei der Betriebsfrequenz von 2,42 GHz ist 32 mal größer, als bei 77,5 GHz. Somit ergeben sich für die vorgegebenen geometrischen Abmessungen für diesen Frequenzbereich folgende elektrischen Spannungsverläufe auf den Resonanzleitungen.The wavelength at the operating frequency of 2.42 GHz is 32 times longer than at 77.5 GHz. This results in the following electrical voltage profiles on the resonant lines for the given geometric dimensions for this frequency range.

Im Punkt A, also dem leerlaufendem Ende des multifrequenten Viertelwellenresonators (7), ist die Spannung maximal. Nach einer Distanz, die einer viertel Wellenlänge entspricht, verschwindet die Spannung am Punkt G, der als Erdungspunkt mit der Unterseitenmetallisierung (3) durch die Durchmetallisierung (11) galvanisch verbunden ist.The voltage is at its maximum at point A, that is, at the end of the multi-frequency quarter-wave resonator (7) that is idling. After a distance corresponding to a quarter of a wavelength, the voltage disappears at point G, which as a grounding point is galvanically connected to the underside metallization (3) through the through-metalization (11).

Im Punkt B, also dem leerlaufendem Ende des multifrequenten Halbwellendipols (5), ist die Spannung hingegen maximal. Nach einer Distanz, die einer halben Wellenlänge entspricht, wird die Spannung am ebenfalls freilaufenden Ende im Punkt C ebenfalls maximal. Zwischen den Punkten G und B stellt sich also eine maximal mögliche Spannungsdifferenz ein, wenn die beiden Resonanzleitungen dem Abfragefeld eines Lesegerätes mit einem Speisesender mit einer Frequenz von 2,42 GHz ausgesetzt sind. Würde man einen elektrischen Verbraucher zwischen den Punkten G und B anschließen, so könnte man diesem elektrischen Verbraucher die zum Betrieb notwendige Energie durch Erregung der beiden Resonanzleitungen durch ein äußeres Feld zuführen.In contrast, the voltage is maximum at point B, i.e. the open end of the multi-frequency half-wave dipole (5). After a distance that corresponds to half a wavelength, the voltage at the end, which is also free-running, also reaches a maximum at point C. A maximum possible voltage difference is established between points G and B when the two resonance lines are exposed to the interrogation field of a reader with a feeding transmitter with a frequency of 2.42 GHz. If you were to connect an electrical load between points G and B, you could feed this electrical load with the energy required for operation by exciting the two resonant lines with an external field.

Zur Erläuterung der Details zur Integration eines solchen elektrischen Verbrauchers am Beispiel eines hybriden Chipmoduls (14), dienen die nachfolgend beschriebenen Figuren.The figures described below serve to explain the details of the integration of such an electrical consumer using the example of a hybrid chip module (14).

Die 17 zeigt die Aufsicht auf die planare multifunktionale Etikettenstruktur (4) als Detailansicht im Bereich der Montagegrube (6). Zu erkennen sind die auf dem Substrat (2) positionierten verjüngten Enden einerseits des multifrequenten Halbwellendipols (5) und des multifrequenten Viertelwellenresonators (7). Die laterale Kontur der hier beispielhaft gezeigten Montagegrube (6) ist nicht vollständig kreisförmig, sondern sie ist an einer Seite abgeflacht, um ein einfaches Positionieren eines optional zu montierenden Chipmoduls zu ermöglichen. Da das Substrat (2) typischerweise eine Folie ist, lässt sich diese Kontur mit Hilfe einer Stanze problemlos realisieren.the 17 shows the top view of the planar multifunctional label structure (4) as a detailed view in the area of the assembly pit (6). The tapered ends positioned on the substrate (2) of the multi-frequency half-wave dipole (5) and of the multi-frequency quarter-wave resonator (7) can be seen. The lateral contour of the mounting pit (6) shown here as an example is not completely circular, but is flattened on one side in order to enable easy positioning of a chip module that is optionally to be mounted. Since the substrate (2) is typically a film, this contour can be easily realized with the help of a punch.

Wenn die planare multifunktionale Etikettenstruktur (4) lediglich als Retroreflektor für eine Radaranlage dienen soll, so sind weder die Montagegrube (6) noch das Chipmodul (14) erforderlich. Wenn jedoch größere Datenmengen in der planare multifunktionale Etikettenstruktur (4) abgespeichert werden sollen, dann muss ein geeigneter ASIC (18), wie er beispielsweise auch für NFC-Etiketten verwendet wird, in die multifunktionale Etikettenstruktur (4) integriert werden. Je nachdem, wie der ASIC aufgebaut ist und welche Funktionen angestrebt werden, muss eventuell zusätzlich noch eine Diode integriert werden. In 18 ist gezeigt, wie sich durch einen zusätzlich hergestellten Spalt (12) in der Metallisierung des multifrequenten Halbwellendipols (5) und einer zusätzlich angebrachten Diode (13) alle erforderlichen Betriebsbedingungen erzielt werden können. Die Diode (13) kann gemäß aktueller Forschungsergebnissen auch in gedruckter Form auf das Substrat (2) aufgebracht werden.If the planar multifunctional label structure (4) is only intended to serve as a retroreflector for a radar system, then neither the mounting pit (6) nor the chip module (14) are required. However, if larger amounts of data are to be stored in the planar multifunctional label structure (4), then a suitable ASIC (18), such as is also used for NFC labels, must be integrated into the multifunctional label structure (4). Depending on how the ASIC is structured and which functions are desired, a diode may also have to be integrated. In 18 shows how all the necessary operating conditions can be achieved by an additionally produced gap (12) in the metallization of the multi-frequency half-wave dipole (5) and an additionally attached diode (13). According to current research results, the diode (13) can also be applied to the substrate (2) in printed form.

An dieser Stelle wird darauf ausdrücklich hingewiesen, dass alle bisher beschriebenen flächenhaften, also rein planaren Ausführungsformen vollständig drucktechnisch erzeugbar sind. Dabei wird anstelle von Farbe eine geeignete metallisch leitende Schicht direkt mit den jeweilig erforderlichen Strukturen auf ein dielektrisches Material gedruckt.At this point, it is expressly pointed out that all the two-dimensional, ie purely planar, embodiments described so far can be produced entirely by printing. In this case, instead of ink, a suitable metallically conductive layer is printed directly onto a dielectric material with the structures required in each case.

Im einfachsten Fall könnte man also die Etiketten auf einen zyklisch perforierten selbstklebenden Kunststofffilm mit definierter Höhe und definierter Permittivität drucken und diese Etikette dann an der Perforation wie eine selbstklebende Briefmarke von den anderen Etiketten trennen und direkt auf das zu markierende Gehäuse aus Metall kleben. Dabei lassen sich die Schlitzleitungsresonatoren für jede Etikette einzeln mit unterschiedlichen Längen und damit unterschiedlichen Resonanzfrequenzen während des Druckvorganges produzieren.In the simplest case, one could print the labels on a cyclically perforated self-adhesive plastic film with a defined height and defined permittivity and then separate these labels from the other labels at the perforation like a self-adhesive stamp and stick them directly to the metal housing to be marked. The slotted line resonators for each label can be produced individually with different lengths and thus different resonant frequencies during the printing process.

So, wie jeder gedruckte Geldschein ein grundsätzlich gleiches Aussehen aber eine unterschiedliche Nummerierung besitzt, so wird auch beispielsweise die grundsätzliche Struktur der Oberseitenmetallisierung (1) gemäß 13 zunächst gleichartig für alle Etiketten gedruckt und in beispielsweise einem weiteren Druckprozess werden dann an jeweils unterschiedlichen Stellen metallisch leitende Kurzschlüsse in die Schlitze der jeweiligen Schlitzleitungsresonatoren (10) gedruckt. Durch die Kurzschlüsse an verschiedenen Stellen werden die elektrisch wirksamen Längen dieser Schlitzleitungsresonatoren und damit die unterschiedlichen Resonanzfrequenzen bereits beim Drucken festgelegt. Es ist also drucktechnisch möglich, die physikalisch wirksamen Längen der Schlitzleitungsresonatoren (10) und damit die von den Resonatoren jeweils erzeugten Resonanzfrequenzen für jeden einzelnen Etikettendruck individuell einzustellen. Die durch die Schlitzleitungsresonatoren (10) mit unterschiedlichen Längen durch den Druckvorgang kodierten individuellen Daten der jeweiligen Etiketten, können mit geeigneten Lesegeräten dann ähnlich wie ein Strichcode oder Barcode ausgelesen werden. Weitere Details zum physikalischen Hintergrund des Lesens dieser so programmierten Daten sind in [03] beispielhaft erläutert.Just as every printed bank note has a basically the same appearance but a different numbering, the basic structure of the top side metallization is also, for example, according to (1). 13 initially printed in the same way for all labels and in a further printing process, for example, metallically conductive short circuits are then printed at different points in the slots of the respective slot line resonators (10). Due to the short circuits at different points, the electrically effective lengths of these slot line resonators and thus the different resonant frequencies are already determined during printing. In terms of printing technology, it is therefore possible to individually set the physically effective lengths of the slotted line resonators (10) and thus the resonant frequencies generated by the resonators for each individual label print. The individual data of the respective labels encoded by the slot line resonators (10) with different lengths by the printing process can then be read out with suitable reading devices in a manner similar to a bar code or bar code. Further details on the physical background of reading this programmed data are exemplified in [03].

Bis zu der bisher beschriebenen Ausbaustufe des hier vorgestellten Systems modular funktionell erweiterbarer RFID-Radaretiketten für die Wechselwirkung mit hochfrequenten elektromagnetischen Feldern für größere, mittlere und kurze Distanzen sind sämtliche beispielhaft diskutierten Ausführungsbeispiele äußerst preisgünstig rein drucktechnisch produzierbar und benötigen keine weiteren elektronischen Bauteile. Um es für RFID-Radaretiketten der Ausbaustufe 1, also für größere Distanzen und für RFID-Radaretiketten der Ausbaustufe 2, also für mittlere Distanzen klar zu sagen: Diese Etiketten benötigen keine zusätzlichen elektronischen Bausteine, d. h. sie besitzen keinen Chip!Up to the previously described expansion stage of the system presented here with modular, functionally expandable RFID radar labels for interaction with high-frequency electromagnetic fields for larger, medium and short distances, all exemplary discussed exemplary embodiments can be produced extremely inexpensively using only printing technology and do not require any further electronic components. To put it bluntly for level 1 RFID radar tags, i.e. for greater distances, and for level 2 RFID radar tags, i.e. for medium distances: These tags do not require any additional electronic components, i. H. they don't have a chip!

Erst für die Ausbaustufe 3, also für kurze Distanzen und für das Schreiben und Lesen größerer Datenmengen ist nun doch ein elektronischer Chip in Form eines ASICs (18) erforderlich, der jedoch nur mit einer Gleichspannung als Versorgungsspannung funktioniert.An electronic chip in the form of an ASIC (18) is only required for expansion stage 3, i.e. for short distances and for writing and reading larger amounts of data, but it only works with a DC voltage as the supply voltage.

Eine Diode ist also erforderlich, um aus dem hochfrequenten Speisefeld eine Gleichspannung zu erzeugen, welche dann die elektronischen Bausteine im ASIC (18) versorgt. Entweder handelt es sich dabei um eine zusätzliche beispielsweise drucktechnisch montierte Diode wie oben beispielhaft erläutert wurde oder aber die Diode ist direkt im ASIC (18) integriert.A diode is therefore required in order to generate a DC voltage from the high-frequency supply field, which then supplies the electronic components in the ASIC (18). It is either an additional diode, for example mounted by printing, as explained above by way of example, or the diode is integrated directly in the ASIC (18).

Um Kosten zu sparen, kann dabei auf bekannte Entwicklungen zurückgegriffen werden. Die in NFC-Etiketten integrierten Chips sind beispielsweise sehr gut geeignet und können auch hier direkt als ASIC (18) eingesetzt werden. Allerdings sind die in diesen NFC-Chips integrierten Dioden für einen Frequenzbereich von beispielsweise 13,56 MHz, jedoch nicht für einen Frequenzbereich von 2450 MHz geeignet, wie es für die hier vorgestellten Etiketten erforderlich wäre. Deshalb ist gemäß 18 eine ebenfalls drucktechnisch herstellbare Diode vorgesehen, wenn die im ASIC (18) bereits integrierte Diode für den Frequenzbereich der Etikette nicht geeignet sein sollte. Die Grenzfrequenzen der drucktechnisch erzeugten Dioden liegen nach aktuellen Forschungsergebnissen deutlich oberhalb von 40 GHz. Dies bedeutet, dass beide Konfigurationen, nämlich die gemäß 17 und die gemäß 18 möglich sind und lediglich von den Eigenschaften des verwendeten ASICs (18) abhängen.Known developments can be used to save costs. The chips integrated in NFC labels, for example, are very well suited and can also be used here directly as ASIC (18). However, the diodes integrated in these NFC chips are suitable for a frequency range of 13.56 MHz, for example, but not for a frequency range of 2450 MHz, as would be required for the labels presented here. Therefore according to 18 a diode that can also be produced by printing is provided if the diode already integrated in the ASIC (18) is not suitable for the frequency range of the label. According to current research results, the limit frequencies of the diodes produced by printing technology are well above 40 GHz. This means that both configurations, namely those according to 17 and the according 18 are possible and only depend on the properties of the ASIC (18) used.

In beiden Fällen ergibt sich dadurch, dass die Diode bis zum Überschreiten der Schwellenspannung keinen Stromfluss zulässt, sich dadurch also ähnlich wie ein offener Schalter verhält, der folgende sehr bedeutende Sachverhalt, der den multiplen Einsatz der Oberflächenmetallisierung überhaupt erst ermöglicht:

  • Solange die beiden Resonatoren, nämlich der multifrequente Halbwellendipol (5) und der multifrequenten Viertelwellenresonators (7) über große Entfernung als Radarretroreflektor wirken, bleiben die in der 15 dargestellten Spannungsamplituden unterhalb der Schwellenspannung und es findet kein Stromfluss durch die Diode statt. In diesem Fall wirkt die Diode wie ein Widerstand mit nahezu unendlich großem Wert. Dadurch wird keiner der beiden Resonatoren (5) und (7) bedämpft und sie verhalten sich in elektrischer Hinsicht daher so, als würden sie sich, ähnlich wie die Düppel, isoliert im freien Raum befinden. Die Diode wirkt also wie ein Schalter, der den ASIC (18), der ja Betriebsenergie benötigt wenn er aktiviert ist, vom Resonator galvanisch trennt, wodurch dieser durch keine Last bedämpft wird.
In both cases, the fact that the diode does not allow any current flow until the threshold voltage is exceeded, i.e. it behaves similarly to an open switch, results in the following very important fact, which makes the multiple use of surface metallization possible in the first place:
  • As long as the two resonators, namely the multi-frequency half-wave dipole (5) and the multi-frequency quarter-wave resonator (7) act as a radar retroreflector over long distances, they remain in the 15 voltage amplitudes shown below the threshold voltage and there is no current flow through the diode. In this case, the diode acts like a resistor with an almost infinitely large value. As a result, neither of the two resonators (5) and (7) is damped and, from an electrical point of view, they behave as if they were isolated in free space, similar to the chaff. The diode acts like a switch that galvanically separates the ASIC (18), which requires operating energy when it is activated, from the resonator, so that it is not damped by any load.

Erst dann, wenn das Lesegerät, welches bei einer signifikant niedrigeren Frequenz als das Radargerät arbeitet, in geringer Entfernungen aktiviert wird, ergeben sich durch die erheblich höheren Feldstärken des in der Nähe positionierten Lesegerätes die in 16 gezeigten Spannungsverläufe mit ausreichend großen Spannungsamplituden und erst dann lässt die Diode einen Stromfluss zu, der den Resonanzkreis bedämpft. In diesem Fall ist das aber durchaus erwünscht, denn das Lesegerät liefert kontinuierlich die den Resonanzleitungen entzogene Energie nach, da das Lesegerät durch die geringe Entfernung zur multifunktionalen RFID-Radaretikette ein genügend starkes elektromagnetisches Speisefeld aufbauen kann.It is only when the reader, which operates at a significantly lower frequency than the radar device, is activated at a short distance that the significantly higher field strengths of the reader positioned nearby result in the in 16 shown voltage curves with sufficiently large voltage amplitudes and only then does the diode allow a current to flow, which dampens the resonant circuit. In this case, however, this is desirable, because the reader continuously supplies the energy drawn from the resonance lines, since the reader can build up a sufficiently strong electromagnetic feed field due to the short distance to the multifunctional RFID radar tag.

Ein Ausführungsbeispiel für ein einfach modular bei Bedarf zu montierendes Chipmodul (14) ist in 19 gezeigt. Dieses Chipmodul ist so konstruiert, dass es jederzeit auch nachträglich noch in die RFID-Radaretikette gemäß 13 nachgerüstet werden kann, wenn die Funktionalität der RFID-Radar-Etikette erhöht werden soll.In 19 shown. This chip module is designed in such a way that it can also be retrofitted into the RFID radar label at any time 13 can be retrofitted if the functionality of the RFID radar label is to be increased.

Das Chipmodul (14) kann in diesem schematisch dargestellten Ausführungsbeispiel funktionell in drei Ebenen aufgeteilt werden. Der Boden des Chipmoduls wird durch die Chipmodulbasis (15) gebildet. Diese dient zur Befestigung der benötigten Bauteile. In der 19 ist zu erkennen, dass der ASIC (18) direkt auf ihr, beispielsweise mit Hilfe eines Klebers, montiert ist. Somit befinden sich die notwendigen elektronischen Bauteile oberhalb der Chipmodulbasis (15) im Montagebereich (16). Hier werden auch die notwendigen Anschlussdrähte wie die Erdungsleitung (19) und die Versorgungsleitung (20) mit dem ASIC verbunden. Darüber befindet sich die Zuleitungsfixierung. In diesem Bereich werden die vom Montagebereich heraufsteigenden Leitungen stabil vergossen und nach außen geführt. Da beim Einsetzen des Chipmoduls (14) in die Montagegrube (6) sowohl die Erdungsleitung (19) als auch die Versorgungsleitung (20) gebogen werden, müssen sie, wegen der dabei auftretenden Kräfte, zuvor ausreichend gut fixiert sein.The chip module (14) can be divided functionally into three levels in this exemplary embodiment shown schematically. The bottom of the chip module is formed by the chip module base (15). This is used to attach the required components. In the 19 it can be seen that the ASIC (18) is mounted directly on it, for example with the aid of an adhesive. The necessary electronic components are thus located above the chip module base (15) in the assembly area (16). The necessary connecting wires such as the grounding line (19) and the supply line (20) are also connected to the ASIC here. The supply line fixation is located above it. In this area, the lines rising from the assembly area are cast in a stable manner and routed to the outside. Since both the grounding line (19) and the supply line (20) are bent when the chip module (14) is inserted into the mounting pit (6), they must be fixed sufficiently well beforehand because of the forces that occur in the process.

Die 20 zeigt in seitlicher Ansicht das Chipmodul (14) als schematische Schnittzeichnung und erläutert weitere Details. Das dort gezeigte Ausführungsbeispiel zeigt das Chipmodul (14) als einen in einem Hohlkörper vergossenen elektronischen Baustein. Die Chipmodulbasis (15) ist hier mit Hilfe eines festen Materials realisiert, welches den Hohlkörper mechanisch stabilisiert, damit er sich beim Einpressen in die Montagegrube (6) nicht verformt. Wird für das feste Material beispielsweise eine Kupfer- oder Aluminiumscheibe verwendet, so hat das den Vorteil, dass der darauf befestigte ASIC (18) falls erforderlich, gleichzeitig geerdet und gekühlt werden kann.the 20 shows a side view of the chip module (14) as a schematic sectional drawing and explains further details. The exemplary embodiment shown there shows the chip module (14) as an electronic component cast in a hollow body. The chip module base (15) is realized here using a solid material, which mechanically stabilizes the hollow body so that it does not deform when it is pressed into the assembly pit (6). If, for example, a copper or aluminum disk is used for the solid material, this has the advantage that the ASIC (18) attached to it can, if necessary, be grounded and cooled at the same time.

Ebenso dient eine Vergussmasse in der Zuleitungsfixierung (17) der mechanischen Stabilisierung des Hohlkörpers und der Fixierung sowohl der Erdungsleitung (19) als auch der Versorgungsleitung (20). Des Weiteren ist zu erkennen, dass sowohl die Chipmodulbasis (15) als auch der Montagebereich (16) zum Boden hin im Durchmesser verjüngt sind. Dadurch lässt sich das Chipmodul (14) sehr leicht in die planare multifunktionale Etikettenstruktur integrieren, weil das Gehäuse des Chipmoduls (14) durch diese Maßnahmen sowohl selbstführend als auch selbstjustierend ist, was die Anforderungen an die Toleranzen bei der Montage signifikant vermindert und dadurch die Montagegeschwindigkeit erhöht und die Montagekosten vermindert.A casting compound in the supply line fixation (17) also serves to mechanically stabilize the hollow body and fix it the grounding line (19) and the supply line (20). It can also be seen that both the chip module base (15) and the mounting area (16) are tapered in diameter towards the bottom. As a result, the chip module (14) can be integrated very easily into the planar multifunctional label structure, because the housing of the chip module (14) is both self-guiding and self-adjusting as a result of these measures, which significantly reduces the tolerance requirements during assembly and thus the assembly speed increased and assembly costs reduced.

Die grundsätzlichen Schritte zur Montage des Chipmoduls (14) zeigen die nachfolgenden Figuren. Diese sind zur Verdeutlichung der verschiedenen bei der Montage auftretenden Phänomene jedoch nicht maßstäblich gezeichnet. So ist insbesondere der Querschnitt des Chipmoduls (14) zu gering, die Schichtdicken der Metallisierungen für den multifrequente Halbwellendipol (5) und für den multifrequenten Viertelwellenresonators (7) zu groß und die Drahtstärken sowohl der Erdungsleitung (19) als auch der Versorgungsleitung (20) ebenfalls zu groß im Vergleich zu den geometrischen Abmessungen der Montagegrube dargestellt. Dadurch werden die wesentlichen Vorgänge der gleichzeitigen Kontaktierung und Fixierung jedoch signifikant verdeutlicht und erleichtert dem Fachmann das Verständnis.The following figures show the basic steps for assembling the chip module (14). However, these are not drawn to scale in order to clarify the various phenomena occurring during assembly. In particular, the cross-section of the chip module (14) is too small, the layer thicknesses of the metallization for the multi-frequency half-wave dipole (5) and for the multi-frequency quarter-wave resonator (7) are too large, and the wire thicknesses of both the grounding line (19) and the supply line (20) also shown too large compared to the geometric dimensions of the assembly pit. However, this significantly clarifies the essential processes of simultaneous contacting and fixing and makes understanding easier for the person skilled in the art.

Zu Beachten ist jedoch trotz der unmaßstäblichen Darstellung, dass es sich hierbei aber um eine Presspassung handelt, das heißt, dass die Querschnittsabmessungen der Montagegrube (6) - im Gegensatz zu den Darstellungen in den Figuren (21) bis (23) - geringfügig geringer als die Querschnittsabmessungen des Chipmoduls (14) sind. Beim Einpressvorgang wird daher das Substrat (2) elastisch verformt und bewirkt dadurch nach der Montage Presskräfte, die das Chipmodul (14) in seiner Position fixieren. Zusätzlich werden die Metallisierungen für den multifrequente Halbwellendipol (5) und der multifrequenten Viertelwellenresonators (7) beim Einpressen durch die Drähte sowohl der Erdungsleitung (19) als auch der Versorgungsleitung (20) eingekerbt und verformt, wodurch sich eine widerstandsarme und zeitstabile elektrische Kontaktverbindung ohne weitere Maßnahmen wie beispielsweise Löten ergibt. Die 21 zeigt schematisch die Situation unmittelbar vor der Montage. Das Chipmodul (14) befindet sich in der Nähe oberhalb der Montagegrube (6) und wird zu dieser hin abgesenkt. In dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel befindet sich am Boden der Montagegrube (6) ein zuvor zusätzlich deponierter Klebstoff (21).However, despite the representation not being to scale, it should be noted that this is a press fit, which means that the cross-sectional dimensions of the assembly pit (6) - in contrast to the representations in Figures (21) to (23) - are slightly smaller than are the cross-sectional dimensions of the chip module (14). The substrate (2) is therefore elastically deformed during the pressing-in process and thus causes pressing forces after assembly, which fix the chip module (14) in its position. In addition, the metallization for the multi-frequency half-wave dipole (5) and the multi-frequency quarter-wave resonator (7) are notched and deformed when pressed in by the wires of both the grounding line (19) and the supply line (20), which results in a low-resistance and time-stable electrical contact connection without further ado Measures such as soldering results. the 21 schematically shows the situation immediately before assembly. The chip module (14) is located near above the assembly pit (6) and is lowered towards it. In the exemplary embodiment shown here, there is an adhesive (21) that was additionally deposited at the bottom of the assembly pit (6).

Beim Einpressvorgang findet die Chipmodulbasis (15) sofort die obere Öffnung der Montagegrube (6), weil die Chipmodulbasis durch die Verjüngung lateral eine signifikant geringere Ausdehnung besitzt. Dies ist vergleichbar mit dem Problem, einen Stab durch einen Ring zu stecken. Je größer der Ringdurchmesser und je kleiner der Stabdurchmesser ist, um so einfacher und schneller ist das Problem zu lösen. Beim weiter fortgeschrittenen Einpressvorgang findet nun, wegen der in den 17 und 18 gezeigten nichtkreisförmigen Form des Querschnitts der Montagegrube (6), zusätzlich eine durch Formschlüssigkeit bedingte Drehung um die Mittelachse des Chipmoduls (14) statt, solange bis die in 19 gezeigte gerade Seite des Chipmoduls (14) mit der in den 17 und 18 zu erkennenden geraden Seiten der Montagegrube (6) überein stimmen. Erst dann verschwinden die eine Rotation bewirkenden durch den Einpressvorgang zusätzlich erzeugten und eine Drehung bewirkenden Kräfte.During the pressing-in process, the chip module base (15) immediately finds the upper opening of the assembly pit (6), because the chip module base has a significantly smaller extent laterally due to the narrowing. This is similar to the problem of putting a rod through a ring. The larger the ring diameter and the smaller the rod diameter, the easier and quicker it is to solve the problem. When more advanced press-in process is now, because of in the 17 and 18 non-circular shape of the cross section of the assembly pit (6) shown, additionally a rotation about the center axis of the chip module (14) caused by positive locking takes place until the in 19 shown straight side of the chip module (14) with the in 17 and 18 match the straight sides of the assembly pit (6) that can be seen. Only then do the forces causing a rotation, which are additionally generated by the pressing-in process and cause a rotation, disappear.

Das in allen Richtungen justierte Chipmodul wird dann weiter eingepresst und dabei werden nun die beiden Leitungen, nämlich die Erdungsleitung (19) und die Versorgungsleitung (20) an den Kanten der Oberseitenmetallisierung (1) zunächst abgeknickt. Die 22 zeigt das Abknicken der Erdungsleitung (19) des Chipmoduls (14) an der Kante des multifrequenten Viertelwellenresonators (7) und das Abknicken der Versorgungsleitung (20) des Chipmoduls (14) an der Kante des multifrequenten Halbwellendipols (5).The chip module, which has been adjusted in all directions, is then pressed in further and the two lines, namely the grounding line (19) and the supply line (20) are first kinked at the edges of the upper side metallization (1). the 22 shows the kinking of the ground line (19) of the chip module (14) at the edge of the multi-frequency quarter-wave resonator (7) and the kinking of the supply line (20) of the chip module (14) at the edge of the multi-frequency half-wave dipole (5).

In 23 ist der Zustand nach dem Einpressen de Chipmodul (14) in die Montagegrube (6) gezeigt. Das Chipmodul (14) befindet sich nun vollständig in der Montagegrube (6). Die jeweiligen Leitungen des Chipmoduls sind durch Pressung galvanisch, ähnlich dauerhaft wie durch die plastische Verformung beim Crimpen mit der Crimpzange, mit den Resonanzleitungen auf der Oberfläche des Substrates verbunden. Der Klebstoff (21) ist für die Montage entbehrlich und dient als Sicherheitsmaßnahme primär dazu, dass das Chipmodul nicht unbefugt ausgetauscht werden kann, um womöglich nachträglich die im ASIC (18) des Chipmoduls (14) abgespeicherten Daten zu verfälschen.In 23 shows the state after the chip module (14) has been pressed into the mounting pit (6). The chip module (14) is now completely in the assembly pit (6). The respective lines of the chip module are galvanically connected to the resonant lines on the surface of the substrate by pressing, in a similarly durable manner to plastic deformation when crimping with crimping pliers. The adhesive (21) is not required for the assembly and serves as a security measure primarily to ensure that the chip module cannot be exchanged without authorization in order to possibly subsequently falsify the data stored in the ASIC (18) of the chip module (14).

Nachfolgend werden einige zweckmäßige anwendungsspezifische Konfigurationen der multifunktionale Radaretiketten beispielhaft präsentiert.Some useful application-specific configurations of the multifunctional radar labels are presented below as examples.

Für Anwendungsfälle, in denen in horizontaler Ebene Retroreflektoren wirksam sein sollen, jedoch weitere Informationen nur im Nahbereich ausgelesen werden müssen, genügt die Kombination einer hinreichenden Anzahl von äußerst preiswert zu produzierenden planaren Etiketten z. B. gemäß 7 mit einer einzigen etwas aufwendiger herzustellenden Etikette gemäß 13, wobei in letztere kein Chipmodul (14) eingesetzt werden muss, wenn die durch die programmierten Schlitzleitungsresonatoren (10) gegebene Informationsmenge genügt. Anderenfalls kann durch das Einsetzen eines Chipmoduls (14) die Menge der abgespeicherten Daten je nach Bedarf signifikant erhöht werden.For applications in which retroreflectors are to be effective in the horizontal plane, but further information only has to be read out at close range, the combination of a sufficient number of planar labels, which can be produced extremely inexpensively, e.g. B. according to 7 with a single label, which is somewhat more complex to produce 13 , in which case no chip module (14) has to be inserted into the latter if the amount of information given by the programmed slot line resonators (10) is sufficient. Otherwise, by inserting a chip module (14), the amount of data stored can be significantly increased as required.

Eine solche beispielhafte Realisierung ist in 24 gezeigt. Eine hinreichend große Anzahl von preiswerten planaren Retroreflektor-Etiketten bilden eine bandförmige Struktur. Diese Etiketten sind beispielsweise auf einer Folie befestigt und jeweils seitlich aneinander gereiht. Sie bilden dadurch ein Band, welches sich beispielsweise um eine Säule binden lassen würde mit dem Effekt, dass wenigstens eine der Retroreflektor-Etiketten stets wie ein Spiegel voll in die gewünschte horizontale Richtung reflektiert, obwohl jede einzelne Etikette lediglich in sehr preiswerter planarer Form produziert worden ist. Die Anzahl der preiswerten Etiketten gemäß 8 ist hier in der 24 lediglich aus Gründen der Übersichtlichkeit reduziert und muss in der Praxis je nach den gegebenen Anforderungen entsprechend angepasst werden. Die aufwendiger zu produzierende planare multifunktionale Etikettenstruktur gemäß 13 ist als einzelne Etikette der zentrale Teil des Ensembles.Such an exemplary realization is in 24 shown. A sufficiently large number of inexpensive planar retroreflector labels form a band-like structure. These labels are attached to a film, for example, and lined up side by side. They form a band that could be tied around a column, for example, with the effect that at least one of the retroreflector labels always reflects fully in the desired horizontal direction like a mirror, even though each individual label was only produced in a very inexpensive planar form is. The number of inexpensive labels according to 8th is here in the 24 only reduced for reasons of clarity and must be adapted in practice depending on the given requirements. According to the planar multifunctional label structure, which is more complex to produce 13 is the central part of the ensemble as a single label.

Auf diese Weise lassen sich beispielsweise auch für Fahrräder Identifikationsmerkmale zuordnen. So lassen sich Besitzverhältnisse abspeichern oder auch eine namentliche Zuordnung zwischen dem jeweiligen Fahrrad und seinem Besitzer eindeutig vornehmen. Dadurch würde es möglich sein, jedes Fahrrad mit einem elektronischen drahtlos auslesbaren Kennzeichen zu versehen. Dies würde eine eindeutige Identifizierung des jeweiligen Fahrrades ermöglichen, wie es beispielsweise durch das Nummernschild bei einem Kraftfahrzeug derzeit bereits der Fall ist. Dadurch könnte man nicht nur im Falle eines Fahrraddiebstahls mit Hilfe eines Lesegerätes sehr einfach in einer Ansammlung von Fahrrädern die als gestohlen gemeldeten Fahrräder leicht erkennen, sondern es wurde auch das Auffinden des eigenen Fahrrades auf einem großen Fahrradparkplatz erleichtern.In this way, identification features can also be assigned for bicycles, for example. In this way, ownership can be saved or a clear assignment of names can be made between the respective bicycle and its owner. This would make it possible to provide every bicycle with an electronic license plate that can be read wirelessly. This would enable the respective bicycle to be clearly identified, as is already the case, for example, by the number plate on a motor vehicle. In the event of a bicycle being stolen, this would not only make it very easy to identify the bicycles reported as stolen in a collection of bicycles with the help of a reader, but it would also make it easier to find your own bicycle in a large bicycle parking lot.

Da die Identifikationsmerkmale sich durch ein einfaches elektronisches Lesegerät über eine von der jeweiligen Leistung des Lesegerätes abhängige Distanz drahtlos ermitteln lassen, wäre auch eine Art Black-Box-Aufzeichnung der letzten Minuten vor einem Verkehrsunfall mit allen am Unfallgeschehen Beteiligten möglich. Dazu müssten lediglich die Funktionen der beispielsweise in vielen Automobilen bereits eingebauten Fahrzeugassistenzsystemen entsprechend so erweitert werden, dass die Funketiketten benachbarter Objekte laufend zyklisch ermittelt und temporär aufgezeichnet werden.Since the identification features can be determined wirelessly using a simple electronic reader over a distance that depends on the performance of the reader, a kind of black box recording of the last few minutes before a traffic accident would be possible with all those involved in the accident. To do this, the functions of the vehicle assistance systems already installed in many automobiles, for example, would have to be expanded so that the radio tags of neighboring objects are continuously and cyclically determined and temporarily recorded.

Eine ähnlich gestaltete Anordnung, welche jedoch für sehr große Entfernungen geeignet ist, wird in 25 gezeigt. Die Vielzahl der Retroreflektoren bewirkt eine sehr signifikante Wechselwirkung mit der Radaranlage. Diese Anordnung ist insbesondere für weit entfernte aber mit der Oberfläche zur Radaranlage hin ausgerichteten Objekten geeignet. So können beispielsweise aufeinander gestapelte eigene Container von fremden Containern unterschieden und gezählt oder bestätigt werden.A similarly designed arrangement, which is however suitable for very large distances, is used in 25 shown. The large number of retroreflectors causes a very significant interaction with the radar system. This arrangement is particularly suitable for objects that are far away but whose surface is aligned with the radar system. For example, own containers stacked on top of one another can be distinguished from other containers and counted or confirmed.

Eine sehr effektive Möglichkeit, auch dreidimensionale Retroreflektoren mit planaren Etiketten zu kombinieren ist in der 26 gezeigt. Dort ist eine planare multifunktionale Etikettenstruktur (4) auf einem beispielsweise kreisrunden Montageträger (22) befestigt. Durch die sich dann ergebenden zusätzlichen Montageflächen können retroreflektierende Strukturen, wie sie im Zusammenhang mit den Erläuterungen zur 12 diskutiert worden sind, ebenfalls montiert werden. Diese räumlichen Retroreflektoren (23) werden zunächst passend zu den Freiflächen gruppiert und dann jeweils auf den von der planaren multifunktionalen Etikettenstruktur (4) nicht belegten Flächen auf dem Montageträger (22) beispielsweise durch Aufkleben montiert.A very effective way of combining three-dimensional retroreflectors with planar labels is in 26 shown. There, a planar, multifunctional label structure (4) is attached to a circular assembly support (22), for example. The resulting additional mounting surfaces can be retroreflective structures, as in connection with the explanations for 12 have been discussed can also be mounted. These three-dimensional retroreflectors (23) are first grouped to match the free areas and then mounted on the areas not occupied by the planar multifunctional label structure (4) on the mounting support (22), for example by gluing.

Die im Zusammenhang mit der 12 behandelten würfelförmigen Strukturen haben als dreidimensionale Retroreflektoren im Zusammenhang mit den hier vorgestellten zweidimensionalen, planaren Retroreflektoren den Nachteil, dass sie für den für Radaranlagen verwendeten Frequenzbereich entweder soweit durch Skalierung vergrößert werden müssten, dass die Abmessungen nicht mehr für eine flache Montage geeignet sind oder aber dass sie so klein bleiben, wie es für optische Anwendungen erforderlich ist, und dadurch die wirksam werdende Rückstrahlfläche nicht optimal genutzt werden kann.The related to the 12 The cube-shaped structures discussed above, as three-dimensional retroreflectors in connection with the two-dimensional, planar retroreflectors presented here, have the disadvantage that, for the frequency range used for radar systems, they would either have to be enlarged by scaling to such an extent that the dimensions are no longer suitable for flat installation, or that they remain as small as is required for optical applications, and as a result the reflecting surface that becomes effective cannot be used optimally.

Deutlich besser eignet sich die hier die in 27 vorgestellte neu erfundene Struktur, die aus dünnen Metallplättchen besteht. Diese Form der Retroreflektoren basiert auf im Zusammenhang mit Marineanwendungen konstruierten aus Metallplatten zusammen gesetzten Körpern zur Sichtbarmachung auf der Radaranlage von kleinen nichtmetallischen Booten bei rauer See.The one here in is much better suited 27 presented reinvented structure consisting of thin metal plates. This form of retroreflectors is based on bodies constructed of metal plates assembled in connection with marine applications for visualization on the radar system of small non-metallic boats in rough seas.

Die gestrichelte Kontur in 27 zeigt den im Zusammenhang mit Radaranlagen in der Nautik bekannten Oktaeder-Radarreflektor mit acht triangularen Winkelreflektoren in der sogenannten Viererstellung.The dashed contour in 27 shows the octahedron radar reflector with eight triangular corner reflectors in the so-called quadruple position, which is known in connection with radar systems in the nautical industry.

Für die hier gewünschten Anforderungen wären selbst die gemäß der signifikant kürzeren Wellenlänge im Bereich von 4 mm der für den Straßenverkehr verwendeten Radaranlagen skalierten Dimensionen dieser hochwirksamen Retroreflektoren jedoch immer noch zu groß. Da im Zusammenhang mit der Integration von planaren Retroreflektoren jedoch nur eine einseitige, nämlich frontale Reflektion gefordert ist, kann der gesamte untere Teil des Oktaeders mit der Kantenlänge Q gemäß der 27 entfallen. Dadurch findet zur Rückseite hin keine Retroreflektion mehr statt. Dies ist aber bei den planaren Retroreflektoren ohnehin ebenfalls der Fall. Daher sind nun beide Formen hinsichtlich ihres Reflexionsverhaltens nun kompatibel.However, even the dimensions of these highly effective retroreflectors, scaled according to the significantly shorter wavelength in the range of 4 mm of the radar systems used for road traffic, would still be too large for the requirements desired here. Because related to the integration of planar retroreflecto ren, however, only a one-sided, namely frontal reflection is required, the entire lower part of the octahedron with the edge length Q according to the 27 omitted. As a result, there is no longer any retroreflection towards the rear. However, this is also the case with the planar retroreflectors anyway. Therefore, both forms are now compatible in terms of their reflection behavior.

Somit verbleibt von dem Oktaeder-Radarreflektor nach dem Entfernen des unteren Teile nunmehr die in 27 gezeigte seitliche Silhouette eines spitzen Kegels oder einer Pyramide, die aus zwei sich in der Mitte überkreuzenden Metallplatten besteht, die sich auf einer weiteren quadratischen metallenen Bodenplatte befinden.Thus, after removing the lower part of the octahedron radar reflector, the in 27 shown lateral silhouette of a pointed cone or pyramid consisting of two metal plates crossing in the middle, which are on another square metal base plate.

In einem weiteren Modifikationsschritt wird nun auch diese geometrische Abmessung weiter reduziert, um den Grad der Kompatibilität zu den planaren Retroreflektoren noch weiter zu erhöhen.In a further modification step, this geometric dimension is now also further reduced in order to further increase the degree of compatibility with the planar retroreflectors.

Es hat sich gezeigt, dass als Kompromiss zwischen der Wirksamkeit und den geometrischen Abmessungen auch noch die Höhe T von der Mittelplatte bis zur Spitze um ein Drittel der ursprünglichen Höhe gekürzt werden kann, um die gesamte Anordnung flacher zu gestalten, ohne die Funktion oder Wirksamkeit des Radarretroreflektors mehr als 20% zu beschränken. So gelangt man nach diesen Abänderungen des bekannten Oktaeder-Radarreflektors, wie er in 27 durchgezogen und gestrichelt dargestellt ist, zu einem immer noch hochwirksamen jedoch nun sehr kompakten räumlichen Retroreflektor (24). Die durchgezogenen Linien in 27 zeigen die Kontur dieser kompakteren Konstruktion nach der erfindungsgemäßen Modifikation.It has been found that as a compromise between performance and geometric dimensions, the height T from the center plate to the top can also be reduced by a third of the original height to flatten the entire assembly without compromising the function or effectiveness of the Radar retroreflector more than 20% limit. This is how one arrives at these modifications of the well-known octahedron radar reflector, as it is shown in 27 shown in solid and dashed to a still highly efficient but now very compact spatial retroreflector (24). The solid lines in 27 show the contour of this more compact construction after the modification according to the invention.

Eine Vielzahl eines solchen einzelnen Elementes, wie es in der 27 mit durchgezogenen Linien gezeigt ist, wird nun kontinuierlich mit seinen quadratischen Bodenplatten Kante an Kante zu einer flächenhaften Struktur angeordnet. Auf den freien Montageflächen beispielsweise eines runden Montageträgers (22) wie er in 26 gezeigt ist, kann somit das in 27 mit durchgezogenen Linien gezeigte einzelne reftroreflektierende Element in Vielzahl mit seiner quadratischen Basisfläche mit der Kantenlänge Q, ähnlich wie die in 26 gezeigt, als zusätzlich räumlich realisierte Retroreflektoren, auf einen Montageträger angeordnet und beispielsweise durch Klebung oder sonst wie befestigt werden. Ein direkt frontal einfallender Radarstrahl (R) wird gemäß 27 mit der gesamten metallenen Fläche total reflektiert. Ein seitlich einfallender Radarstrahl (S) wird gemäß 27 ebenfalls mit einem nur geringen seitlich Versatz nahezu in voller Stärke reflektiert. Insgesamt ist die in 27 gezeigte Struktur des kompakten räumlichen Retroreflektors, bei gleichem Volumen wie die im Zusammenhang mit 13 diskutierte Struktur, signifikant wirksamer, insbesondere, wenn sie wie in 26 gezeigt mit weiteren planaren RFID-Radaretiketten kombiniert wird.A multitude of such a single element as in the 27 shown with solid lines, is now arranged continuously with its square base plates edge to edge to form a planar structure. On the free mounting surfaces, for example, of a round mounting bracket (22) as shown in 26 is shown, the in 27 Single retroreflective element shown in solid lines in plurality with its square base surface of edge length Q, similar to that in 26 shown, as additional three-dimensionally realized retroreflectors, arranged on a mounting support and fastened, for example, by gluing or otherwise. A radar beam (R) coming directly from the front is shown in accordance with 27 with the entire metal surface totally reflected. A radar beam (S) incident from the side is shown in accordance with 27 also reflected almost at full strength with only a slight lateral offset. Overall, the in 27 structure of the compact spatial retroreflector shown, with the same volume as that associated with 13 discussed structure, significantly more effective, especially when they are as in 26 shown is combined with other planar RFID radar tags.

Die 28 zeigt beispielhaft eine Schnittzeichnung zur Erläuterung eines kombinierten Retroreflektors. Da Radarstrahlen das Dielektrikum optischer Retroreflektoren mühelos durchdringen, können beide Versionen, nämlich optische Retroreflektoren einerseits und für Radaranlagen geeignete Retroreflektoren andererseits, zusammen in einem gemeinsamen Gehäuse montiert werden. Die 28 zeigt schematisch, wie dies realisiert werden kann. In einem Montageträger (22) sind auf der Bodenplatte sowohl planare multifunktionale Etikettenstrukturen (4) als auch räumliche Retroreflektoren (23) montiert. Wird die durch die planare multifunktionale Etikettenstrukturen (4) ermöglichte erweiterte Funktionalität nicht gewünscht, dann so muss diese nicht montiert werden, um Kosten zu sparen. Stattdessen kann die dadurch frei werdende Fläche für die Montage zusätzlicher räumlicher Retroreflektoren dienen, wenn beispielsweise ausschließlich die Rückstreuung zur Präsenzermittlung gewünscht ist. Die optischen Retroreflektoren (25) werden, wie in 28 gezeigt, als Abdeckkappe ausgebildet und oberhalb der räumlichen Retroreflektoren (23) montiert. Dadurch ist eine sehr flache Bauform möglich und dieser kombinierte Retroreflektor kann beispielsweise wie ein Ansteck-Button als ein der Sicherheit dienendes Accessoire an der Kleidung getragen oder an einem mitgeführten Objekt befestigt werden, um gleichzeitig sowohl im Scheinwerferlicht als auch in der Verkehrsradaranlage eines Fahrzeuges eine deutliche Reflexion zu produzieren. Bereits heutzutage ist die zusätzliche optische Markierung von Fahrrädern durch Rückstrahler, Frontreflektor, Pedal- und Speichenreflektoren vorgeschrieben. Technisch wäre es kein Problem, die jeweiligen optisch wirkenden Rückstrahler gemäß des in 28 gezeigten Prinzips mit Retroreflektoren zu ergänzen, damit die Fahrräder auch von den Radaranlagen der Automobile deutlicher erkannt werden können. Die ohnehin bereits vorhandenen Speichenreflektoren lassen sich sehr einfach durch solche kombinierten Retroreflektoren, die als optische Rückstrahler gestaltet sind, die jedoch zusätzlich noch, wie in 28 gezeigt, Radarretroreflektoren im gemeinsamen Gehäuse besitzen, ersetzen. Auf ähnliche Weise können kombinierte frontale Retroreflektoren oder kombinierte rückwärtige Retroreflektoren entweder mit vorhandenen Rückstrahlern kombiniert oder zusätzlich angebracht werden. Zusätzlich können Fahrräder dadurch mit einer eindeutigen Kennzeichnung versehen werden. Das würde auch die Erkennungsproblematik im Zusammenhang mit autonom gesteuerten Fahrzeugen signifikant entschärfen und einen weiteren Beitrag zur Verkehrssicherheit insbesondere auch für zukünftige Entwicklungen leisten.the 28 shows an example of a sectional drawing to explain a combined retroreflector. Since radar beams easily penetrate the dielectric of optical retroreflectors, both versions, namely optical retroreflectors on the one hand and retroreflectors suitable for radar systems on the other hand, can be mounted together in a common housing. the 28 shows schematically how this can be realized. Both planar multifunctional label structures (4) and three-dimensional retroreflectors (23) are mounted on the base plate in a mounting support (22). If the expanded functionality made possible by the planar multifunctional label structures (4) is not desired, then this does not have to be installed in order to save costs. Instead, the area freed up as a result can be used for the installation of additional three-dimensional retroreflectors if, for example, only backscattering for presence detection is desired. The optical retroreflectors (25) are, as in 28 shown, formed as a cap and mounted above the spatial retroreflectors (23). This allows for a very flat design and this combined retroreflector can be worn on clothing like a button as a safety accessory, for example, or attached to an object you are carrying, in order to provide a clear signal both in the headlights and in the traffic radar system of a vehicle produce reflection. The additional optical marking of bicycles with reflectors, front reflectors, pedal and spoke reflectors is already mandatory today. Technically, it would not be a problem to use the respective optically acting reflectors in accordance with in 28 to supplement the principle shown with retroreflectors so that the bicycles can also be recognized more clearly by the radar systems in the automobiles. The spoke reflectors that are already present can be easily replaced by such combined retroreflectors, which are designed as optical reflectors, which, however, also, as in 28 shown, have radar retroreflectors in common housing, replace. Similarly, combined front retro-reflectors or combined rear retro-reflectors can either be combined with existing retro-reflectors or fitted in addition. In addition, bicycles can be provided with a unique identification. This would also significantly alleviate the detection problem in connection with autonomously controlled vehicles and would make a further contribution to traffic safety security, especially for future developments.

Die 29 zeigt eine ergänzende Modifikation der Funketikette gemäß 13. Die in 13 gezeigten Schlitzleitungsresonatoren (10) besitzen eine hohe elektrische Güte und ein auf den schmalen Luftspalt im Streifen eng begrenztes Streufeld. Dadurch ergibt sich ein sehr geringer Grad der Verkopplung mit räumlich benachbarten weiteren Schlitzleitungsresonatoren. Es kommt somit nicht zu einer Überlagerung der jeweiligen Resonanzfrequenzen, wie es beispielsweise bei Bandfiltern aus gekoppelten Resonanzkreisen der Fall ist. Dadurch ermöglichen sie scharf begrenzte und in einem breitbandigen Empfangsspektrum signifikant erkennbare Resonanzfrequenzen, aus denen sich die geometrisch gespeicherte Information mit Hilfe geeigneter UWB-Lesegeräte sicher rekonstruieren lässt.the 29 shows an additional modification of the radio tag according to 13 . In the 13 The slot line resonators (10) shown have a high electrical quality and a stray field that is narrowly limited to the narrow air gap in the strip. This results in a very low degree of coupling with spatially adjacent further slot line resonators. There is therefore no superimposition of the respective resonant frequencies, as is the case, for example, with band filters from coupled resonant circuits. As a result, they enable sharply delimited resonance frequencies that are significantly recognizable in a broadband reception spectrum, from which the geometrically stored information can be reliably reconstructed with the help of suitable UWB readers.

Wegen des geringen Streufeldes ist jedoch auch die Ankopplung an die Lesegeräte nicht über große Distanzen hinweg möglich.Due to the low stray field, however, coupling to the reading devices is not possible over large distances.

Um die mögliche Lesereichweite signifikant zu erhöhen, ist eine Modifikation der Struktur der Schlitzleitungsmetallisierung (9) gemäß 29 zweckmäßig.In order to significantly increase the possible read range, a modification of the structure of the slot line metallization (9) is required 29 expedient.

Der multifrequente Halbwellendipol (5) befindet sich, wie zu 16 erläutert, u. a. in Resonanz bei einer beispielhaft gewählten Frequenz von 2,42 GHz. Auch bei der doppelten, dreifachen, vierfachen usw. Frequenz ist er ebenfalls in Resonanz, wenn die elektrisch wirksame Länge jeweils ein Vielfaches der halben Wellenlänge bei der niedrigsten Resonanzfrequenz entspricht. Daher wirkt der multifrequente Halbwellendipol auch in Frequenzbändern, die für den Betrieb von UWB-Lesegeräten zugelassen sind, als Antennenvorrichtung.The multi-frequency half-wave dipole (5) is, as to 16 explained, including in resonance at an exemplary selected frequency of 2.42 GHz. It also resonates at double, triple, quadruple, etc. frequency if the electrically effective length corresponds to a multiple of half the wavelength at the lowest resonant frequency. Therefore, the multi-frequency half-wave dipole also acts as an antenna device in frequency bands that are approved for the operation of UWB readers.

Da es sich beim multifrequenten Halbwellendipol (5) um eine offene Streifenleitungsstruktur mit durch Verbreiterung eines Leitungsendes vergrößertem Streufeld handelt, ist die Wechselwirkung dieses multifrequenten Halbwellendipols (5) mit dem elektromagnetischen Feld der UWB-Lesegeräte signifikant größer, als es bei den Schlitzleitungsresonatoren mit ihrem begrenzten Streufeld der Fall ist. Die 29 zeigt deutlich, wie ein Teil des seitliche Streufeld des multifrequenten Halbwellendipols (5) in die jeweiligen Schlitzleitungsresonatoren angekoppelt wird.Since the multi-frequency half-wave dipole (5) is an open strip line structure with an enlarged stray field due to the widening of one end of the line, the interaction of this multi-frequency half-wave dipole (5) with the electromagnetic field of the UWB reading devices is significantly greater than with the slot line resonators with their limited stray field is the case. the 29 shows clearly how part of the lateral stray field of the multi-frequency half-wave dipole (5) is coupled into the respective slot line resonators.

Die Schlitzleitungsmetallisierung (9) wird zusammen mit den Schlitzleitungsresonatoren (10) bis auf einen Spalt in der Metallisierung mit einer Breite von etwa 0,2 mm an die Metallisierung des multifrequenten Halbwellendipols (5) heran geführt. Die Schlitzleitungsresonatoren sind im Gegensatz zur Darstellung in 13 nun jedoch in der unmittelbaren Nähe zum multifrequenten Halbwellendipol (5) nicht durch die Schlitzleitungsmetallisierung (9) kurzgeschlossen, sondern sie sind dort nun offen, also leerlaufend. Dadurch findet eine intensive Verkopplung des Streufeldes des multifrequenten Halbwellendipols (5) einerseits und des Streufeldes der jeweiligen Schlitzleitungsresonatoren andererseits statt.The slot line metallization (9) together with the slot line resonators (10) is brought up to the metallization of the multi-frequency half-wave dipole (5) except for a gap in the metallization with a width of about 0.2 mm. In contrast to the illustration in Fig 13 now, however, in the immediate vicinity of the multi-frequency half-wave dipole (5) not short-circuited by the slot line metallization (9), but they are now open there, ie open-circuited. This results in an intensive coupling of the stray field of the multi-frequency half-wave dipole (5) on the one hand and the stray field of the respective slot line resonators on the other.

Somit wirkt der multifrequente Halbwellendipol (5) für die jeweiligen Schlitzleitungsresonatoren wie eine zusätzliche Empfangs- und Sendeantenne. Dadurch verbessert sich die Wechselwirkung mit den UWB-Lesegeräten und es wird die mögliche Lesereichweite signifikant erhöht. Zur Erläuterung des Prinzips sind in der 29 lediglich 4 Schlitzleitungsresonatoren schematisch dargestellt. Dadurch soll lediglich der Aufwand für die Zeichnungen gering gehalten werden und es sollen die jeweiligen Schlitzleitungsresonatoren in der Zeichnung noch deutlich erkannt werden. In der praktischen Realisierung der RFID-Radaretiketten ist eine höhere Anzahl von Schlitzleitungsresonatoren problemlos möglich, um beispielsweise den Informationsgehalt eines typischen BATR-Codes zu ermöglichen.The multi-frequency half-wave dipole (5) thus acts like an additional receiving and transmitting antenna for the respective slot line resonators. This improves the interaction with the UWB readers and significantly increases the possible reading range. To explain the principle are in the 29 only 4 slot line resonators shown schematically. This should only keep the effort for the drawings low and the respective slot line resonators should still be clearly recognizable in the drawing. In the practical implementation of the RFID radar labels, a higher number of slotted line resonators is possible without any problems, for example to enable the information content of a typical BATR code.

BezugszeichenlisteReference List

(1)
Oberseitenmetallisierung
(2)
Substrat
(3)
Unterseitenmetallisierung
(4)
planare multifunktionale Etikettenstruktur
(5)
multifrequenter Halbwellendipol
(6)
Montagegrube
(7)
multifrequenter Viertelwellenresonator
(8)
dielektrischer Freiraum
(9)
Schlitzleitungsmetallisierung
(10)
Schlitzleitungsresonator
(11)
Durchmetallisierung
(12)
Spalt
(13)
Diode
(14)
Chipmodul
(15)
Chipmodulbasis
(16)
Montagebereich
(17)
Zuleitungsfixierung
(18)
ASIC
(19)
Erdungsleitung
(20)
Versorgungsleitung
(21)
Klebstoff
(22)
Montageträger
(23)
räumliche Retroreflektoren
(24)
kompakter räumlicher Retroreflektor
(25)
optische Retroreflektoren
Verzeichnis der in den Figuren verwendeten Buchstaben
A
Punkt am leerlaufenden Ende des multifrequenten Viertelwellenresonators (7)
B
Punkt am Ende des multifrequenten Halbwellendipols (5), welches an der Montagegrube (6) liegt
C
Punkt am Ende des multifrequenten Halbwellendipols (5), welcher der Montagegrube (6) gegenüber liegt
G
Punkt am kurzgeschlossenen Ende des multifrequenten Viertelwellenresonators (7) an der Montagegrube (6)
H
Höhe des dielektrischen Substrates
L
Länge einer Struktur der Oberseitenmetallisierung (1)
P
Trapezlänge der verkürzten Tetraederstruktur
Q
Kantenlänge eines Oktaeders
R
frontal einfallender und reflektierter Radarstrahl
S
seitlich einfallender und reflektierter Radarstrahl
T
verbleibende Tetraederhöhe nach Verkürzung
W
Weite einer Struktur der Oberseitenmetallisierung (1)
(1)
top metallization
(2)
substrate
(3)
underside metallization
(4)
planar multifunctional label structure
(5)
multi-frequency half-wave dipole
(6)
assembly pit
(7)
multi-frequency quarter-wave resonator
(8th)
dielectric free space
(9)
slotline metallization
(10)
slot line resonator
(11)
plating through
(12)
gap
(13)
diode
(14)
chip module
(15)
chip module base
(16)
assembly area
(17)
cable fixation
(18)
ASIC
(19)
ground wire
(20)
supply line
(21)
adhesive
(22)
mounting bracket
(23)
spatial retroreflectors
(24)
compact spatial retroreflector
(25)
optical retroreflectors
Index of the letters used in the figures
A
Point at the open end of the multi-frequency quarter-wave resonator (7)
B
Point at the end of the multi-frequency half-wave dipole (5), which is located at the mounting pit (6).
C
Point at the end of the multi-frequency half-wave dipole (5), which is opposite the mounting pit (6).
G
Point at the shorted end of the multi-frequency quarter-wave resonator (7) at the mounting pit (6)
H
Height of the dielectric substrate
L
Length of a structure of the top metallization (1)
P
Trapezoidal length of the truncated tetrahedron structure
Q
edge length of an octahedron
R
Frontal incident and reflected radar beam
S
laterally incident and reflected radar beam
T
remaining tetrahedron height after shortening
W
Width of a structure of the top metallization (1)

Literaturverzeichnisbibliography

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  • EP 000003210587 A1 [0139]EP 000003210587 A1 [0139]

Claims (6)

Multifunktionales RFID-Radaretiketten-System, mit einer Vielzahl von auf einem Trägermaterial aufgebrachter Resonatoren, dadurch gekennzeichnet, dass auf einer planaren multifunktionalen Etikettenstruktur (4) gleichzeitig eine Kombination aus sowohl Schlitzleitungsresonatoren (10) als auch Streifenleitungsresonatoren, welche einerseits als multifrequenter Halbwellendipol (5) und andererseits als multifrequenter Viertelwellenresonator (7) ausgebildet sind, verwendet werden, wobei die Schlitzleitungsresonatoren unterschiedliche Resonanzfrequenzen aufweisen die durch ein entfernt positioniertes Lesegerät drahtlos ermittelt werden können und deren Frequenzmuster eine digitale Information beinhaltet, wobei die Streifenleitungsresonatoren, die als Halbwellendipol (5) ausgebildet sind, bei der niedrigen bestimmungsgemäßen Betriebsfrequenz ein beidseitig leerlaufender Dipol mit einer elektrisch wirksamen Länge von einer halben Wellenlänge bei der niedrigen bestimmungsgemäßen Betriebsfrequenz repräsentiert und bei der hohen bestimmungsgemäßen Betriebsfrequenz ein beidseitig leerlaufender Dipol mit einer elektrisch wirksamen Länge von mehr als zwanzigmal der halben Wellenlänge bei der oberen bestimmungsgemäßen Betriebsfrequenz repräsentiert und wobei die Streifenleitungsresonatoren, die als Viertelwellendipol (7) ausgebildet sind, bei der niedrigen bestimmungsgemäßen Betriebsfrequenz ein beidseitig leerlaufender Dipol mit einer elektrisch wirksamen Länge von einer viertel Wellenlänge bei der niedrigen bestimmungsgemäßen Betriebsfrequenz repräsentiert und bei der hohen bestimmungsgemäßen Betriebsfrequenz ein beidseitig leerlaufender Dipol mit einer elektrisch wirksamen Länge von mehr als zehnmal der viertel Wellenlänge bei der oberen bestimmungsgemäßen Betriebsfrequenz repräsentiert.Multifunctional RFID radar label system, with a large number of resonators applied to a carrier material, characterized in that a combination of both slot line resonators (10) and stripline resonators, which on the one hand as a multi-frequency half-wave dipole (5) and on the other hand are designed as a multi-frequency quarter-wave resonator (7), the slotted line resonators having different resonant frequencies which can be determined wirelessly by a remote reading device and whose frequency pattern contains digital information, the stripline resonators being designed as a half-wave dipole (5). , at the low specified operating frequency, a dipole which is open on both sides and has an electrically effective length of half a wavelength at the low specified operating frequency represents and at the high specified operating frequency a dipole which is open on both sides and has an electrically effective length of more than twenty times half the wavelength at the upper specified operating frequency and where the stripline resonators, which are designed as quarter-wave dipoles (7), represent one on both sides at the low specified operating frequency represents an open-circuit dipole with an electrically effective length of one-quarter wavelength at the low specified operating frequency and at the high specified operating frequency represents a double-ended open-circuit dipole with an electrically effective length of more than ten times the quarter-wavelength at the upper specified operating frequency. Multifunktionales RFID-Radaretiketten-System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der multifrequente Halbwellendipol (5) und der multifrequente Viertelwellenresonator (7) zusammen für eine bei der hohen bestimmungsgemäßen Betriebsfrequenz betriebenen FMCW-Radaranlage als resonante Düppel fungieren und dadurch eine erhöhte Wechselwirkung mit der Radaranlage bewirken.Multifunctional RFID radar tag system claim 1 , characterized in that the multi-frequency half-wave dipole (5) and the multi-frequency quarter-wave resonator (7) act together as a resonant chaff for an FMCW radar system operated at the high intended operating frequency and thereby cause increased interaction with the radar system. Multifunktionales RFID-Radaretiketten-System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich auf einer planaren multifunktionalen Etikettenstruktur (4) im Trägersubstrat zusätzlich eine Montagegrube (6) zur Aufnahme eines Chipmoduls (14) befindet und der multifrequente Halbwellendipol (5) und der multifrequente Viertelwellenresonator (7) zusammen die für den Betrieb des Chipmoduls (14) erforderliche Betriebsenergie aus dem Speisefeld eines bei der niedrigen bestimmungsgemäßen Betriebsfrequenz betriebenen Lesegerätes empfangen und dem Chipmodul (14) zuführen, wobei das aktivierte Chipmodul (14) die in ihm gespeicherten Informationen mit Hilfe der Absorptionsmodulation an das Lesegerät überträgt.Multifunctional RFID radar tag system claim 1 , characterized in that there is also a mounting pit (6) for receiving a chip module (14) on a planar multifunctional label structure (4) in the carrier substrate and the multi-frequency half-wave dipole (5) and the multi-frequency quarter-wave resonator (7) together chip module (14) receive the operating energy required from the feed field of a reading device operated at the low intended operating frequency and feed it to the chip module (14), the activated chip module (14) transmitting the information stored in it to the reading device with the aid of absorption modulation. Multifunktionales RFID-Radaretiketten-System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die planare multifunktionale Etikettenstruktur (4) auf einem Montageträger (22) mit hinreichender Größe montiert ist und dass seitlich um die planare multifunktionale Etikettenstruktur (4) herum eine Vielzahl nichtplanarer, also räumlicher Retroreflektoren (23) angeordnet ist, welche je nach den jeweiligen geometrischen Abmessungen zur Reflektion entweder von Radarsignalen, von Lidarsignalen oder von optischen Lichtstrahlen geeignet ist.Multifunctional RFID radar label system according to one of the preceding claims, characterized in that the planar multifunctional label structure (4) is mounted on a mounting support (22) of sufficient size and that a plurality of non-planar, So spatial retroreflectors (23) is arranged, which is suitable depending on the respective geometric dimensions for reflecting either radar signals, lidar signals or optical light beams. Multifunktionales RFID-Radaretiketten-System nach Anspruch 4dadurch gekennzeichnet, dass die räumlichen Retroreflektoren (23) durch Verkürzung der Struktur erzeugte kompakte räumliche Retroreflektoren (24) sind.Multifunctional RFID radar tag system claim 4 " characterized in that the spatial retroreflectors (23) produced by shortening the structure are compact spatial retroreflectors (24). Multifunktionales RFID-Radaretiketten-System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die planare multifunktionale Etikettenstruktur (4) auf einem Montageträger (22) mit hinreichender Größe montiert ist und dass seitlich um die planare multifunktionale Etikettenstruktur (4) herum eine Vielzahl planarer Metallstrukturen angeordnet ist, wobei die jeweiligen planaren Metallstrukturen eine Oberseite (1) und eine Unterseite (3) besitzen, die durch ein Substrat (2) voneinander galvanisch getrennt sind und wobei die planaren Metallstrukturen der Oberseite (1) so geformt sind, dass sie bei der Betriebsfrequenz einer für die Fernerfassung der planaren multifunktionalen Etikettenstruktur (4) bestimmungsgemäß verwendeten FMCW-Radaranlage in Resonanz sind, dadurch als resonante Düppel fungieren und dadurch eine erhöhte Wechselwirkung mit der Radaranlage bewirken.Multifunctional RFID radar label system according to one of the preceding claims, characterized in that the planar multifunctional label structure (4) is mounted on a mounting support (22) of sufficient size and that laterally around the planar multifunctional label structure (4) a plurality of planar metal structures is arranged, wherein the respective planar metal structures have a top (1) and a bottom (3) which are galvanically isolated from one another by a substrate (2) and wherein the planar metal structures of the top (1) are shaped so that they are at the Operating frequency of an FMCW radar system used as intended for remote detection of the planar multifunctional label structure (4) resonates, thereby acting as resonant chaff and thereby causing increased interaction with the radar system.
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