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DE2011193C3 - Vorrichtung für die Elektronen-Rastermikroskopie und die Elektronenstrahl-Mikroanalyse - Google Patents

Vorrichtung für die Elektronen-Rastermikroskopie und die Elektronenstrahl-Mikroanalyse

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DE2011193C3
DE2011193C3 DE2011193A DE2011193A DE2011193C3 DE 2011193 C3 DE2011193 C3 DE 2011193C3 DE 2011193 A DE2011193 A DE 2011193A DE 2011193 A DE2011193 A DE 2011193A DE 2011193 C3 DE2011193 C3 DE 2011193C3
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electrons
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Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung für die Elektronen-Rastermikroskopie und die Elektronenstrahl-Mikroanalyse mit Abrasterung einer Probenoberfläche durch einen primären Elektronenstrahl und Nachweis der ausgelösten Elektronen niedriger
Energie mittels eines Sekundärelektronen-Detektors. Mit Hilfe eines Elektronen-Rastermikroskops läßt
sich eine Analyse der äußeren Gestalt (Topographie),
ao mit Hilfe einer Elektronenstrahl-Mikrosonde eine Elementaranalyse der Oberfläche einer Probe durchführen. Die Ergebnisse derartiger Analysen können mittels eines Auswertegeräts aufgezeichnet oder in einem Bild dargestellt werden. An beide Analysenge-
»5 rate wird die Forderung gestellt, noch geringfügige Strukturunterschiede auf einer Probenoberfläche empfindlich nachzuweisen und kontrastreiche Bilder bei optimaler Auflösung zu liefern.
In beiden Gerätetypen ist im elektronen-optischen
System der Strahlerzeuger ein magnetisches Ablenksystem eingebaut. Dieses ermöglicht neben der Punktanalyse durch zellenförmige Ablenkung des primären Elektronenstrahls über die Probenoberfläche und synchron dazu gesteuerte Auswertegeräte [Registriergeräte (Schreiber), Ausgabegeräte (Zeichner), Bildaufzeichnungsgeräte (Bildröhren)] die Messung und Darstellung des Intensitätsverlaufs von Meßsignalen entlang von Linien oder über einen Bereich der Probenoberfläche.
Bei der Wechselwirkung zwischen einem hochenergetischen primären Elektronenstrahl (S bis 40 keV) und einer Probe entstehen vorwiegend Röntgenstrahlen, Rückstreuelektronen, Sekundär- und Auger-Elektronen. Bei der Elektronen-Rastermikroskopie werden in erster Linie die niederenergetischen Sekundärelektronen (maximal etwa SU eV) als Meßsignale verwendet; bei der Elektronenstrahl-Mikroanalyse werden dagegen fast alle physikalischen Vorgänge als Informationsmöglichkeiten für die Analyse in Betracht gezogen.
Wenn mit Hilfe eines der beiden Analysengeräte die Oberflächenstruktur einer Probe untersucht werden soll, ist man bestrebt, nur die bei der Wechselwirkung der Probe mit dem primären Elektronenstrahl auftretenden niederenergetischen Sekundärelektronen, nicht jedoch die Rückstreuelektronen zur Bilddarstellung heranzuziehen. Die Begründung dafür ist darin zu sehen, daß die Punktauflösung bei der Analyse der Oberfläche einer massiven Probe mit Hilfe von Sekundärelektronen um eine Größenordnung besser ist als mit Rückstreuelektronen.
Es ist bekannt, daß Elektronen-Rastermikroskope, die mit dem 2UeI einer elektronen-optischen Darstellung von Mikrostrukturen einer Probenoberfläche bei extremer Vergrößerung und Auflösung diese mit einem äußerst feinen primären Elektronenstrahl zellenförmig abrastern, zur Erzeugung des Bildsignals unter anderem einen sogenannten Sekundärelektronen-
2OU
Detektor verwenden. Dieser weist die an der Probenoberfläche ausgelösten Sekundärelektronen nach Maßgabe ihrer Anzahl durch Abgabe eines verstärkten Stromsignals nach.
Ein derartiger Sekundärelektronen-Detektor besteht aus einem elektronen-optischen System und einem Nachweissystem. Das elektronen-optische System hat die Aufgabe, möglichst viele der den Auftreffort des primären Elekironeiistrahls an der Probenoberfläche in allen Richtungen verlassenden Sekundärelektronen dem Detektor zuzuführen. Im Nachweissystem werden die relativ langsamen Sekundärelektronen zunächst einem Nachbeschleunigungssystem zugeführt, welches sie zur Erhöhung der Nachweisempfindlichkeit auf genügend hohe Energie 1S beschleunigt (etwa 1 bis 15 keV). Die beschleunigten Elektronen treffen auf einen Elektronenmultiplier oder einen Szintillationskristall, denen ein empfindlicher Fotomultiplier oder ein Halbleiterdetektor nachgeschaltet iSt.
Ein Sekundärelektronen-Detektor spricht zwangläufig auch auf die schnellen Rückstreuelektronen an, die aus einer größeren Umgebung des Auf tref forts des primären Elektronenstrahls an der Probenoberfläche zurückgestreut werden. Das Signal der Rückstreu- a5 elektronen begrenzt die Auflösung und verschlechtert zusätzlich den Bildkontrast. Wird die Nachweisempfindlichkeit eines Sekundärelektronen-Detektors für Rückstreuelektroncn verringert, so muß damit such ein Empfindlichkeitsverlust für die Sekundärelektronen in Kauf genommen werden.
Eine weitere Verschlechterung der Auflösung und des Kontrastes im Rasterbild wird durch tertiäre Elektronen bewirkt, die ebenfalls vom Sekundärelektronen-Detektor erfaßt werden. Tertiäre Elektronen sind Sekundärelektronen, die von den Rückstreuelektronen im elektronen-optischen System des Sckundärelektronen-Detektors oder in der Umgebung der Probe ausgelöst werden, also beispielsweise aus der Oberfläche des Linsenpolschuhs der die feine Bündelung des primären Elektronenstrahls erzeugenden Elektronenlinse oder aus den Probenkammerwänden. Bei ungünstigen Untersuchungsbedingungen kann das durch die parasitären Elektronen, d.h. durch die Rückstreu- und die tertiären Elektronen, erzeugte Bildsignal das Signal der Sekundärelektronen überwiegen.
Aus der deutschen Offenlegungsschrift 1 943 140 ist ein Elektronenstrahlgerät bekannt, bei dem weder topographische Eigenheiten der Probenoberfläche 5<J noch die Verteilung der chemischen Elemente auf der Oberfläche, sondern eine Potentialverteilung auf der Probenoberflache sichtbar gemacht werden soll. Diejenigen Signale, die von topographischen Eigenschaften oder der Elementenverteilung hervorgerufen werden, sollen dagegen unterdrückt werden. Entsprechend dieser gegenüber der Erfindung anderen Aufgabenstellung wird bei der bekannten Einrichtung zwar mit einer An-Aus-Modulation des an die Probe gelegten Potentials gearbeitet. Zur Demodulation des Signals nach dem Detektor werden jedoch weder Bandfilter noch phasenabhängige Gleichrichter benutzt. Statt dessen schaltet ein von der Modulationsfrequenz gesteuerter Umschalter das Detektorsignal im Takt der Modulationsfrequenz abwechselnd auf 6S zwei Kanäle. Die Kanäle liegen an den beiden Eingängen eines Differenzverstärkers, an dessen Ausgang dann ein nur noch von der Potentialverteilung auf der Probenoberfläche abhängiges Signal erscheint. Signale, die von topographischen Eigenheiten und der elementaren Materialverteilung auf der Oberfläche stammen, heben sich im Differenzverstärker gegenseitig auf. Im Gegensatz dazu wird mit der Erfindung ein völlig anderer Effekt angestrebt.
In dem Aufsatz »Scanning Electron Diffraction With Electron Energy Analysis«, der in einem Bericht über den 5. internationalen Korgreß für Elektronenmikroskopie, 1962, New York, Vol. I, JJ-7 erschien, ist eine Einrichtung zur Analyse der Energie von an einer Probe nach Abtastung dieser Probe mit einem Elektronenstrahl abgebeugten Elektronen beschrieben.
An einer Probe abgebeugte Elektronen sind keine Sekundärelektronen. Deshalb ist auch eine diese abgebeugten Elektronen modulierende Wechselspannung zwischen Kathode und Analysator angelegt. Diese Anordnung wäre nicht geeignet, Sekundärelektronen zu modulieren.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, für die Elektronen-Rastermikroskopie und die Elektronenstrahl-Mikroanalyse eine Vorrichtung zu schaffen, weiche es einerseits verhindert, daß die vom Sekundärelektronen-Detektor erfaßten parasitären Elektronen am Aufbau des Bildsignals beteiligt werden, welche es andererseits nur den vom Sekundärelektronen-Detektor erfaßten niederenergetischen Elektronen (bis maximal einige 100 eV) oder speziell nur den Sekundärelektronen gestattet, ungeschwächt zum Bildsignal beizutragen.
Bei einer Vorrichtung für die Elektronen-Rastermikroskopie und die Elektronenstrahl-Mikroanalyse mit Abrasterung einer Probenoberfläche durch einen primären Elektronenstrahl und Nachweis der ausgelösten Elektronen niedriger Energie mittels eines Sekundärelektronen-Detektors und mit einer Modulationseinrichtung zur periodischen Schwächung oder Unterbrechung eines niederenergetischen Anteils des an der Probenoberfläche ausgelösten und in den Sekundärelektronen-Detektor eintretenden Stromes freier Elektronen wird diese Aufgabe gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß zur Erzeugung kontrastreicher, hochaufgelöster Bilder der materiellen Oberflächenstruktur einer Probe dem Sekundärelektronen-Detektor ein mit HiUe eines Bandfilters oder eines phasenempfindlichen Gleichrichters auf die Frequenz der Modulationseinrichtung abgestimmter Bildsignalgeber nachgeschaltet ist.
Eine zweckmäßige Ausbildung der Erfindung sieht vor, daß durch die Modulationseinrichtung an der Probenoberfläche ein elektrisches Wechselfeld erzeugt wird. Dieses sollte in Richtung und Stärke so gewählt sein, daß der primäre Elektronenstrahl gar nicht oder nur vernachlässigbar beeinflußt wird.
Durch ein genügend hohes elektrisches Wechselfeld an der Probenoberfläche werden Elektronen niedriger Energie, also Sekundärelektronen und eventuell auftretende Auger-Elektronen, abwechselnd am Austreten aus der Probe gehindert und beim Austreten aus der Probe beschleunigt. Die hochenergetischen Rückstreuelektronen werden dagegen durch das elektrische Wechselfeld nicht beeinflußt. Die tertiären Elektronen, deren Energie in demselben Bereich liegt wie die Energie der Sekundärelektronen, bleiben wegen ihrer Entstehung aus den Rückstreuelektronen von der Modulation im wesentlichen gleichfalls unbeeinflußt.
Nach einer weiteren Ausbildung der Erfindung wird das elektrische Wechselfeld an der Probenoberfläche mit Hilfe eines eine elektrische Spannung liefernden Oszillators erzeugt. Dabei ist eine erste Ausgangsklemme des Oszillators mit der Probe und eine zweite Ausgangsklemme mit der Eingangsöffnung des Sekundärelektronen-Detektors elektrisch leitend verbunden. Die zweite Ausgangsklemme kann aber auch mit der Elektronenlinse oder mit einer Probenkaiamerwand verbunden sein; sie kann schließlich auch an eine im Raum vor der Probenoberfläche angeordnete Hilfselektrode angeschlossen sein. Die Hilfselektrode ist als ringförmige Scheibe ausgebildet. Unter Umständen ist es jedoch auch vorteilhaft, eine Hilfselektrode in Form einer Spitze, Schneide oder eines Siebs zu verwenden.
Eine weitere Ausbildung der Erfindung sieht vor, daß durch die Modulationseinrichtung an der Probenoberfläche ein magnetisches Wechselfeld erzeugt wird. Bei gekippter Probe sollten die magnetischen Feldlinien vorzugsweise parallel zur Richtung des primären Elektronenstrahls verlaufen. Das magnetische Wechselfeld kann dadurch erzeugt werden, daß die Ausgangsklemmen des Oszillators an eine sich im Raum zwischen Elektronenlinse und Probe befindlichen Spule angeschlossen ist. - Zweckmäßigerweise wird als Oszillator ein Sinus- oder Rechteckgenerator benutzt.
Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, daß der Bildsignalgeber ein Verstärker mit einem vorgeschalteten schmalbandigen, auf die Frequenz der Modulationseinrichtung abgestimmten Bandpaßfüter ist. Der Bildsignalgeber kann aber auch ein phasenempfindlicher Gleichrichter sein, dessen weitere Eingangsklemmen zur Aufnahme eines Referenzsignals mit den Ausgangsklemmen des Oszillators verbunden sind. Der phasenempfindliche Gleichrichter sollte ein Phasenstellglied besitzen.
Um die in den Sekundärelektronen-Detektor gelangenden Elektronen energetisch zu diskriminieren oder um am Ausgang des Sekundärelektronen-Detektors ein möglichst hohes Ausgangssignal zu erhalten, ist eine weitere Ausbildung der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich zwischen Probenoberfläche und Eingangsöffnung des Sekundärelektronen-Detektors ein einstellbares, konstantes elektrisches Feld erzeugt wird. Dazu liegt je nach Anwendungsfall die Eingangsöffnung auf einem gegenüber der Probe positiven oder negativen Potential.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Figur dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben.
Die Figur zeigt einen primären Elektronenstrahl E, der nach Durchtritt durch eine Elektronenlinse L rasterförmig über eine Probe P gelenkt wird. Elektronische Ablenkeinrichtung und zugehörige Ansteuergeräte sind in der Figur nicht dargestellt. Probe P und Elektronenlinse L sind von einer Probenkammerwand W umgeben. Die Nonnale zur Probenoberfläche ist aus der Richtung parallel zum primären Elektronenstrahl E um einen einstellbaren Winkel α in Richtung auf einen an sich bekannten Sekundärelektronen-Detektor D geneigt.
Die erste Ausgangsklemme Xl eines Oszillators O ist mit der Probe P, die zweite AusgangsWemme Kl mit der Probenkammerwand W elektrisch leitend verbunden. Probenkammerwand W und Elektronenlinse L sind an Masse (Nullpoietitial) gelegt. Der Oszillator O liefert eine Wechselspannung der Frequenz / und erzeugt ein elektrisches Wechselfeld in einem Kondensator, dessen eine Elektrode durch die Probe P und dessen andere Elektrode durch die Um-
S gebung der Probe P, also durch die Probenkammerwand W und die Elektronenlinse L, gebildet wird. Der Sekundärelektronen-Detektor D, dessen Hochspannungsversorgung in der Figur nicht gezeichnet ist, gibt an die Eingangsklemmen £1 und El eines
ι« phasenempfindlichen Gleichrichters (Lock-in Amplifier) PG eine Spannung ab, die proportional der in seine Eingangsöffnung F einfallenden Anzahl von Elektronen ist. Die Eingangsklemme El liegt auf Masse. Zur Einspeisungeines Referenzsignals sind die weiteren Eingangsklemmen Ll und Ll des phasenempfindlichen Gleichrichters PG über ein Potentiometer Rl mit den Ausgangsklemmen Kl und Kl des Oszillators O verbunden. Das vom phasenempfindlichen Gleichrichter PG gelieferte Bildsignal S wird einem bekannten Auswertegerät A, z. B. einem mit der Rasterbewegung des primären Elektronenstrahls E synchron angesteuerten Bildwiedergabegerät, zugeführt.
Zusätzlich zum Wechselfeld wird an der Proben-
»5 oberfläche ein elektrisches Glcichfeld erzeugt. Dazu ist eine Spannungsquelle BX (Spannung z.B. 200 V) zwischen Eingangsöffnung F des Sekundärelektronen-Detektors D und Probenumgebung geschaltet. Ihr Pluspol liegt an der Eingangsöffnung F, ihr Minuspol an Messe. (Für manche Zwecke kann eine Umpolung sinnvoll sein.)
Weiterhin kann aus Gründen des Durchgriffs der elektrischen Feldlinien auf die Probe P ein weiteres, nach Richtung und Größe einstellbares elektrisches Gleichfeld an der Probenoberfläche erzeugt werden. Dazu ist der Mittelabgriff eines weiteren Potentiometers Rl, das mit einer weiteren Spannungsquelle Bl verbunden ist, leitend an die Probe P geführt. Ein Umschalter U gestattet eine Poiartiätsumkehr des an der Probe P liegenden Potentials Ein Pol der Spannungsquelle Bl bleibt dabei stets an Masse gelegt. In der Figur liegt die Probe P gegenüber ihrer Umgebung (W, L) auf negativem Potential (z. B. - 5 V)-Die Richtung dieses elektrischen Feldes wird durch Veränderung des Winkels α und/oder durch Betätigung des Umschalters U, die Größe des Gleichfeldes am Potentiometer Rl eingestellt.
Der hochenergetische Strahl E primärer Elektronen (Energie z. B. 20 keV) erzeugt am Auftreffort auf der Oberfläche der Probe P hochenergetische Rückstreuelektronen er (kinetische Energie ca. 20 keV), niederenergetische Sekundärelektronen ex (kinetische Energie bis 50 e V) und in geringer Zahl auch (nicht dargestellte) niedeienergetische Auger-EJcktronen. In der Figur sind die Verhältnisse zu dem Zeitpunkt dargestellt, zu dem die negative Amplitude (z.B. -10 V) der vom Oszillator O gelieferten Wechselspannung an der Probe P (ihr Potential gegenüber Masse beträgt dann insgesamt — 15 V) Hegt:
Die an der Probenoberfläche erzeugten Rückstreuelektronen e, verlassen wegen ihrer hohen kinetischen Energie unbeeinflußt von dem zu diesem Zeitpunkt positiven Potential (im Beispiel insgesamt + 215 V) der Detektoröffming F die Probe P auf geradlinigen Bahnen. Ein kleiner Teil von ihnen tritt in den Detektor D ein. Die niederenergetischen Sekundärelektronen es dagegen werden auf gekrümmten Bahnen in Richtung auf die Detektoröffnung F gelenkt. Auch
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j J
einige der von den Rückstreuelektronen er in der Umgebung der Probe F, z. B. an der Elektronenlinse L oder an der Probenkammerwand W, erzeugten niederenergetischen tertiären Elektronen e, gelangen in die Detektoröffnung F. S
Nach einer Halbperiode liegt an der Probe F die positive Amplitude (z.B. + 10 V) der vom Oszillator O gelieferten Wechselspannung. (Das Potential der Probe F gegenüber Masse beträgt jetzt 4- 5 V.) Die schnellen Rückstreuelektronen er werden durch das Potential der Detektoröffnung F(im Beispiel jetzt + 195 V) nach wie vor nicht beeinflußt. Auch in diesem Fall tritt ein kleiner Teil ve ihnen in den Detektor D ein. Die tertiären Elektronen e, werden wegen ihrer Erzeugung durch die Rückstreuelektronen e, 1S von der Potentialänderung der Probe F wenig beeinflußt. Von den Sekundärelektronen e, dagegen geht ein großer Anteil für den Nachweis im Detektor D verloren, da das unmittelbar an der Probenoberfläche wirksame elektrische Feld verringert wurde. Der größte Teil von ihnen kann den Entstehungsort erst gar nicht verlassen, da sich vor der Probenoberfläche eine Raumladung ausbildet.
Es ist also ersichtlich, daß von der periodischen Variation des elektrischen Feldes zwischen Probe F und a5 Umgebung in erster Linie die Sekundärelektronen e, betroffen werden. Im phasenempfindlichen Gleichrichter PG wird nur diejenige Komponente der Ausgangsspannung des Sekundärelektronen-Detektors D veiTtärkt und gleichgerichtet, die periodisch mit der Frequenz / des Oszillators O und außerdem phasenrichtig variiert. Das Bildsignal S enthält also in erster Linie die von den Sekundärelektronen e, gelieferte Information über die Struktur der Probenoberfläche.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß bei der Bilddarstellung der Oberfläche einer Probe optimale Auflösung und extrem differenzierter Bildkontrast erreicht werden, da am Bildaufbau ausschließlich Elektronen niedriger Energie, vorwiegend Sekundärelektronen, beteiligt sind. Weiterhin ist im Gegensatz zu bisher üblichen Sekundärelektronen-Detektoren die Anwendung eines Energieanalysators nicht erforderlich, um die Rückstreuelektronen vom Detektor fernzuhalten, was bisher stets zu einem Empfindlichkeitsverlust führte. Ferner braucht die Detektoröffnung nicht mehr in eine geometrische Lage gebracht zu werden, welche den Eintritt der Rückstreuelektronen unmöglich macht. Statt dessen kann der Sekundärelektronen-Detektor in unmittelbarer Nähe auf die Probe gerichtet werden, selbst wenn die Probenoberfläche senkrecht zum einfallenden primären Elektronenstrahl liegt (α = 0°). In diesem Fall läßt sich schon bei einer niedrigen Wechselspannung ein elektrisches Wechselfeld hoher Amplitude an der Probenoberfläche erzielen. In der Halbperiode, in der die negative Amplitude an der Probe liegt, führt das zu einer Steigerung der Anzahl der Sekundärelektronen, welche den Detektor erreichen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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Claims (12)

Patentansprüche:
1. Vorrichtung für die ElekSronen-Rastermikroskopie und die Elektronenstrahl-Mikroanalyse mit Abrasterung einer Probenoberfläche durch einen primären Elektronenstrahl und Nachweis der ausgelösten Elektronen niedriger Energie mittels eines Sekundärelektronen-Detektors und mit einer Modulationseinrichtung zur periodischen Schwächung oder Unterbrechung eines niederenergetischen Anteils des an der Probenoberfläche ausgelösten und in den Sekundärelektronen-Detektor eintretenden Stromes freier Elektronen, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung kontrastreicher, hochaufgelöster Bilder der materiellen Oberflächenstruktur einer Probe (F) dem Sekundärelektronen-Detektor (D) ein mit Hilfe eines Bandfilters oder eines phasenempfindlichen Gleichrichters auf die Frequenz (J) der Modulationseinrichtung abgestimmter Bildsignalgeber nachgeschaltet ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Modulationseinrichtung an der Probenoberfläche ein elektrisches Wechselfeld erzeugbar ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste Ausgangsklemme (JfI) eines Oszillators (O) mit der Probe (P) und ein« zweite Ausgangsklemme (Kl) mit einer Eingangsöffnung (F) des Sekundärelektronen-Detektors (D) elektrisch leitend verbunden ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Ausgangsklemme (Kl) des Oszillators (O) mit der Probe (F) und die zweite Ausgangsklemme (K2) mit einer Elektronenlinse (L) verbunden ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Ausgangsklemme (Kl) des Oszillators (O) mit der Probe (F) und die zweite Ausgangsklemme (Kl) mit einer Probenkammerwand (W) verbunden ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Ausgangsklemme (Kl) des Oszillators (O) mit der Probe (P) und die zweite Ausgangsklemme (Kl) mit einer im Raum vor der Probenoberfläche angeordneten Hilfselektrode verbunden ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfselektrode eine ringförmige Scheibe ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Modulationseinrichtung an der Probenoberfläche ein magnetisches Wechseifeid erzeugbar ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsklemmen ( Kl und Kl) des Oszillators (O) an eine sich im Raum zwischen Eloktronenlinse (L) und Probe (F) befindliche Spule angeschlossen sind.
10. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder einem der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Oszillator (O) ein Sinus- oder Rechteckgenerator ist.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der phasenempfindliche Gleichrichter (PG) ein Phasenstellglied besitzt.
12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich zwischen Probenoberfläche und Eingangsöffnung (F) des Sekundärelektronen-Dettktors (D) ein einstellbares, konstantes elektrisches Feld erzeugt ist.
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