DE2008147C - Bistable multivibrator, especially for integrated circuits - Google Patents
Bistable multivibrator, especially for integrated circuitsInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen bistabilen sistoren beeinflussen, wenn man einmal davon, aus-The invention relates to a bistable sistors affect, once one of them,
Multivibrator, insbesondere für integrierte Schalt- geht, daß die Leitungsführung der Verbindungsieh t ' Kreise, der mit zwei Schaftstufen und je einem SachJt- tungen der Multivibratorschaltung von vornherein so ;l* und einem Steuertransistor gleichen Leistungstyps gewählt ist, daß die durch die Verbindungsleitungen mit zueinander parallelgeschalteten Kollektor-Emitter- 5 verursachten Kapazitäten bereits vernachlässigbar r. Strecken in jeder Schaltstufe versehen ist und bei dem klein sind,Multivibrator, especially for integrated switching, is that the wiring of the connecting lines, the one with two shaft steps and one material in each of the multivibrator switching, is so from the start; l * and a control transistor of the same power type is chosen so that the capacitances caused by the connecting lines with collector-emitter 5 connected in parallel are already negligible. Routes are provided in each switching stage and in which are small,
* die Basis des Steuertransistors jeder der beider! Schalt- Die durch diese Ursachen bedingten oberen Grenz-* the base of the control transistor of each of the two! Switching The upper limit due to these causes
stufen über jeweils ein kapazitives Glied mit einem werte liegen jedoch noch weit über den bei entsprechen-Levels each with a capacitive element with a value, however, are still far above the corresponding
ΐ gemeinsamen Fortschalteingang des Multivibrators den Werten des zugeführten Stromes derzeit erreich-ΐ common incremental input of the multivibrator currently achieves the values of the supplied current
verbunden und die Basis des Schalttransistors jeder io baren oberen Grenzwerten.connected and the base of the switching transistor each io ble upper limit values.
der beiden Schaltstufen direkt mit den Kollektoren Die bestimmenden Ursachen für die Verringerungof the two switching stages directly with the collectors The determining causes for the reduction
f des Schalt- und des Steuertransistors der jeweils an- der derzeit erreichbaren oberen Grenzwerte der Re-f of the switching and the control transistor of the respectively other currently achievable upper limit values of the re-
': deren Schaltsiufe gekoppelt ist und bei dem die KoI- petitionsfrequenz mit Abnahme der zugeführten Lei-': whose switching stage is coupled and in which the coI-
lektoren des Schalt- und des Steuertransistors einer stung bzw. des zugeführten Stromes sind daher ander beiden Schaltstuferi mit einem Signalausgang des 15 derer Natur,Lectors of the switching and the control transistor of a stung or the supplied current are therefore different both switching stages with a signal output of 15 of the nature,
Multivibrators verbunden sind. Eine dieser bestimmenden Ursachen, die bei einemMultivibrators are connected. One of these determining causes that in a
Bistabile MuItivibraUren der obengenannten Art einzelnen Multivibrator der eingangs genannten Art sind bereits bekannt, z. B. aus dem Fachbuch »Micro- gar nicht in Erscheinung tritt, sondern nur bei einer power Electronics« von E. K eon j ia η, Oxford aus einer Mehrzahl von Multivibratoren der eingangs 1964, S. 64. Fig. 5. Bei diesen bekannten bistabilen 20 genannten Art zusammengeschalteten Zählkette wirk-Multivibratoren besteht, wie z. B. aus den Oszillo- sam wird, ist die durch die kapazitive Kopplung der grammen einer aus solchen Multivibratoren zu- einzelnen Zählstufen untereinander bzw. durch die sammengesetzten Zählkette in Fig. 7 auf S. 66 des zu diesem Zweck vorgesehenen kapazitiven Glieder genannten Fachbuches ersichtlich, das Problem, daß verursachte Rückwirkung auf den jeweils als Impulsdie obere Grenze der Repetitionsfrequenz um so nied- 25 geber für die nachgeschaltete Zählstufe wirkenden riger liegt, je geringer die dem Multivibrator züge- Multivibrator. Denn da der Signalausgang des als führte Leistung ist. In den erwähnten Oszillogrammen Impulsgeber wirkenden Multivibrators über der KoI-vvird dies daran ersichtlich, daß die Ecken der Recht- Iektor-Emitter-Strecke eines der beiden Schalttraneckimpulse in den verschiedenen, der jew ils gleichen sistoren und der mittels einer Koppelkapazität bzw. Zählstufe· zugeordneten Oszillogram-nen um so mehr 30 einem der genannten kapazitiven Glieder an diesen verschliffen sind, je geringer die zugeführte Lv istung ist. Signalausgang angekoppelte Steuereingang der nach-Diese Verringerung des oberen Grenzwertes der geschalteten Zählstufe bzw. des dieselbe bildenden Repetitionsfrequenz mit der Abnahme der dem MuI- Multivibrators über der Basis-Emitter-Strecke von tivibrator zugeführten I eistung hat verschiedene Ur- jeweils einem der beiden Steuertransistoren dieses Sachen. 35 nachgeschalteien Multivibrators liegt unJ der diffe-Bistable multivibrators of the type mentioned above, individual multivibrators of the type mentioned above, are already known, e.g. B. from the textbook "Micro- does not appear at all, but only in a power electronics" by E. K eon j ia η, Oxford from a plurality of multivibrators of the beginning of 1964, p. 64. Fig. 5. In these known bistable 20 mentioned type interconnected counting chain active multivibrators, such. B. from the oscilloscope, the capacitive coupling of the grams of such multivibrators individual counting stages with each other or through the composite counting chain in Fig. 7 on p. 66 of the capacitive links provided for this purpose reference book can be seen , the problem that the effect caused by the respective impulse, the upper limit of the repetition frequency, is the lower the lower the multivibrator that pulls the multivibrator. Because since the signal output is the as led power. This is evident from the fact that the corners of the right-Iector-emitter path of one of the two switching transceiver pulses are in the different, identical transistors and which are assigned by means of a coupling capacitance or counting stage Oscillograms are the more smoothed on one of the capacitive elements mentioned, the lower the voltage supplied. This reduction in the upper limit value of the switched counting stage or the repetition frequency forming the same with the decrease in the power supplied to the MuI multivibrator via the base-emitter path of the tivibrator has different origins in each of the two control transistors Things. 35 downstream multivibrators lies at the expense of the
Eine dieser Ursachen ist die Tatsache, daß die rentielle Eingangswiderstand des betreffenden Steuer-Steuer- und Schalttransistoren der Multivibratoren einganges relativ klein ist. ist die Koppelkapazität über ihren Basis-Emitter-Strecken, ihren Kollektor- b/w. das dieselbe bildende kapazitive Glied praktisch Basis-Strecken und ihren Kollektor-Emitter-Strecken parallel zum Signalausgang des den Impulsgeber bil-Kapazitälen aufweisen. Diese Kapazitäten sind teil- 40 denden Multivibrators geschaltet, d. h., diese Koppelweise echte, durch die Anschlußleitungen und die sich kapazität addiert sich praktisch zu der -nternen Kapagegenüberstehenden Elektroden der Transistoren ge- zität am Signalausgang des als Impulsgeber wirkenden bildete Kapazitäten und teilweise Diffusionskapazi- Multivibrators, die sich aus den Kapazitäten der täten, also scheinbare, durch Verzögerungen im Lei- über dem Signalausgang liegenden Kollektor-Emittertungsmcchanismus der Transistoren bedingte Kapa- 45 Strecke des einen Steuertransistors, Kollektor-Emitterzitäten, die sich zu den echten Kapazitäten hinzu- Strecke des einen Schalttransistors und Basis-Emitteraddieren. Strecke des anderen Schalttransistors zusammensetzt.One of these causes is the fact that the profitable input resistance of the tax-tax- and switching transistors of the multivibrators input is relatively small. is the coupling capacity via their base-emitter lines, their collector b / w. the same forming capacitive member practically Base lines and their collector-emitter lines parallel to the signal output of the pulse generator bil capacitors exhibit. These capacitances are connected to a dividing multivibrator, i. That is, this way of coupling is real, due to the connection lines and the capacitance, which is practically added to the internal capacitance Electrodes of the transistors at the signal output of the acting as a pulse generator formed capacities and partly diffusion capaci- multivibrators, which result from the capacities of the would, i.e. apparent collector-emitting mechanism due to delays in the line via the signal output 45 of the transistors-related capacitance of one control transistor, collector emitterities, which add up to the real capacitances of one switching transistor and base-emitter. Composed path of the other switching transistor.
Diese Kapazitäten der Schalt- und Steuertransisto- hinzu, was zur Folge hat. daß von dem zugeführten ren eines Multivibrators der eingangs genannten Art Strom nicht nur die genannte interne Kapazität, müssen hei jedem Kippvorgang des Multivibrators 50 sondern zusätzlich auch noch die genannte Koppelzum Teil von der niedrigen Kollektorspannung der kapazität aufgeladen werden muß. In dem Maße, in durchgeschalteten Schaltstufe auf die höhere Kollek- dem die Koppelkapazität die von dem zugeführten torspannung der gesperrten Schaltstufe aufgeladen Strom aufzuladende, aus der internen und der Koppel- und zum Teil von dieser höheren auf die genannte kapazität zusammengesetzte Gesamtkapazität ver niedrigere Spannung entladen werden. Die Aufladung 55 großen, vergrößert sich daher die Aufladezeit fu· von der niedrigeren auf die höhere Spannung erfolgt diese Gesamtkapazität und verringert sich cntspremit dem der betreffenden Sdhaltstufe aus der Batterie chend der obere Grenzwert der Repetitiönsffequenz. ! zugeführten Strom und dauert daher um so langer, je Bisher wurden nun diese Koppelkapazitäten ver-These capacities of the switching and control transistors add what has the consequence. that of the supplied Ren a multivibrator of the type mentioned above, not only the internal capacity mentioned, must be used for each tilting process of the multivibrator 50 but also the aforementioned coupling Part of the low collector voltage of the capacitance needs to be charged. To the extent that in switched-through switching stage to the higher collector, the coupling capacitance that is supplied by the gate voltage of the locked switching stage, current to be charged, from the internal and the coupling and partly from this higher total capacitance added together to form said capacitance ver lower voltage can be discharged. The charge 55 large, therefore increases the charging time for this total capacitance occurs from the lower to the higher voltage and decreases cntspremit that of the relevant Sdhaltstufe from the battery accordingly the upper limit of the repetition frequency. ! supplied current and therefore lasts the longer, the So far these coupling capacities have now been used
geringer dieser Strom ist. hältnismäßig groß im Vergleich zu der genanntenthis current is lower. proportionately large compared to the said
Diese Ursache für die Verringerung des oberen 60 internen Kapazität gewählt, so daß sich schon allein Grenzwertes der Repetitionsfrequenz mit Abnahme dadurch eine beträchtliche Verringerung des oberen d'jr dem Multivibrator zugeführten Leistung ist — Grenzwertes der Repetitionsfrequenz bei zu Zahlqualitativ gesehen — unabänderlich, und quantitativ ketten zusanimengeschalteten Multivibratoren der einläßt1, sich der bei einer bestimmten zugeführten Lei- gangs genannten Art ergab.This cause was chosen for the reduction of the upper internal capacity, so that the limit value of the repetition frequency alone with a decrease is a considerable reduction in the upper d'jr power supplied to the multivibrator - limit value of the repetition frequency when the number is too qualitative - unalterably and quantitatively chains interconnected multivibrators that let in 1 , resulted from the type mentioned in a certain fed-in transition.
stung bzw. einem bestimmten zugeführten Strom Gj Diese Wahl ist jedoch bei den bekannten Multivi* ΐ durch diese Ursache bedingte obere Grenzwert der· bfatorschaltungen der eingangs genannten Art, min Repiiilions.frequenz im wesentlichen nur durch tech- destens jedenfalls bei der erwähnten, aus dem obennologiscliu Maßnahmen bei der Herstellung der Tran- genannten Fachbuch bekannten Version dieser Mul·stung or a certain supplied current Gj This choice is, however, with the known Multivi * ΐ due to this cause the upper limit value of the fan circuits of the type mentioned at the beginning, min Repiiilions.frequency essentially only through tech- at least in the case of the mentioned, from the obennologiscliu Measures in the preparation of the tran- mentioned technical book known version of this mul
livibrntorschnlrungen, notwencfig,\veil über die Kappeh pititionsfrequenz praktisch nur sehr wenig herob-liver torchlrungen, necessary, because the cap pitition frequency is practically very little
^npazitiiten eine bestimmte Schaltleistung Übertragen setzen,^ npazitiiten set a certain switching capacity Transfer,
■werden muß, um ein sicheres Kippen der nach- Wenn aber bei dieser Version mit Piodpn zwischen■ must be to ensure safe tilting of the after- If but in this version with Piodpn between
geschatteten Zählstufe zu gewährleisten, Piese Schalt- Kollektor und Basis der Stenertransistoren die Pioden-to ensure shaded counting stage, Piese switching collector and base of the star transistors the period
leistung ist erforderlich, um die Spannung am Steuer- 5 kapazitäten sehr klein sein sollten, dann tritt einepower is required around the voltage at the control 5 capacitors should be very small, then occurs
eingang der nachgeschalteten Zählstufe bzw, des nach- andere bestimmende Ursache für die Verringerung derinput of the downstream counting stage or the other determining cause for the reduction in
geschalteten Multivibrators 30 lange hoch zu halten, derzeit erreichbaren oberen Grenzwerte der Repeti-switched multivibrator 30 to keep high for a long time, currently achievable upper limit values of the repetitive
bis die K-oIlektorspapnung des mit seiner Basis-Emitter- tjonsfrequenz mit Abnahme der zugeführten Leistunguntil the K-oIlektorspapnung the with its base emitter tjonsfrequency with decrease of the supplied power
Strecke den Steuereingang bildenden Steuertransistors bzw, des zugeführten Stromes wesentlich ausgeprägterRoute the control transistor forming the control input or the supplied current much more pronounced
sowie des zu diesem parallelgeschalteten Schalttran- ϊρ als bei der Version mit ohmschen Widerständen zwi-as well as the parallel connected switching tran-
sistors von der höheren Kollektorspannung der ge- sehen Kollektor und Basis der Steuertransistoren insistors from the higher collector voltage seen in the collector and base of the control transistors
sperrten Schaltstufe auf die niedrigere Kollektor- Erscheinung, nämlich das Problem der Umladung derlocked switching stage on the lower collector phenomenon, namely the problem of reloading the
spannung der durchgeschalteten Schaltstufe überge- Koppelkapazitäten,voltage of the switched-through switching stage over coupling capacitances,
gangen ist, d.h., bis die interne Kapazität, die über der Dieses Problem tritt zwar auch bei der Version mit Kollektor-Emitter-Strecke des mitseiner Basis-Emitter- 15 ohmschen Widerständen zwischen Kollektor und Basis Strecke den Steuereingang bildenden Steuertran- der Steuertransistoren auf, es ist jedoch dort trotz der sistors Hegt, von der höheren Kollektorspannung der Notwendigkeit wesentlich größerer Koppelkapazigesperrten Schaltstufe auf die niedrigere Kollektor- täten nicht panz so kritisch, weil die Widerstandswerte spannung der durchgeschalteten Schaltstufe entladen der ohmschen Widerstände weser, .ich niedriger als ist. Die für diesen Zweck erforderliche Schaltleistung 20 die Widerstandswerte von an Stelle dieser ohmschen ist bei der aus dem genannten Fachbuch benannten Widerstände eingesetzten Dioden gewählt werden Version von Multivibratorschaltungen der eingangs können, letzteres eben deswegen, weil bei den an genannten Art deswegen verhältnismäßig groß, weil Stelle der ohmschen Widerstände eingesetzten Dioden während des Kippvorganges, währenddessen einer- die Diodenkapazität sehr gering gehalten werden muß seits die Spannung am Steuereingang bzw, an der 25 und demzufolge die Fläche derselben sehr klein sein Basis-Emitter-Strecke des denselben bildenden Steuer- muß, was wiederum zu sehr hohen Widerstandswerten transistors hochgehalten werden muß und anderer- der Dioden bei den anliegenden relativ kleinen Spanseits die Kollektorspannung dieses Steuertransistors nungen führt, während im Gegensatz dazu bei ohmvon der höheren Kollektorspannung der gesperrten sehen Widerständen die parallel zu den ohmschen Schaltstufe auf die niedrigere Kollektorspannung der 30 Widerständen liegenden parasitären Kapazitäten die durchgeschalteten Schaltstufe übergeht, über den zwi- Wahl eines niedrigeren Widerstandswertes nicht besehen Basis und Kollektor dieses Steuertransistors an- hindern, weil bei ohmschen Widerständen, zumindest geordneten ohmschen Widerstand ein verhältnismäßig jedenfalls bei in integrierten Schaltkreisen angegroßer Teil der über die Koppelkapazität zugeführten ordneten ohmschen Widerständen, die parasitären Schaltleistung abfließt, und zwar insbesondere in dem 35 Kapazitäten mit dem Widerstandswert des ohmschen Zeitabschnitt, in dem sich die Kollektorspannung des Widerstandes abnehmen.This problem also occurs with the version with Collector-emitter path of the with its base-emitter 15 ohmic resistances between collector and base Stretch the control input forming the control transistors, but it is there in spite of the sistors, blocked by the higher collector voltage of the necessity of much larger coupling capacitance Switching level to the lower collectors is not so critical because of the resistance values voltage of the switched-through switching stage discharges the ohmic resistors weser, .ich lower than is. The switching capacity 20 required for this purpose is the resistance values of instead of these ohmic ones is to be selected for the resistors named from the mentioned technical book Version of multivibrator circuits that can at the beginning, the latter because of the The type mentioned is relatively large because the diodes used are in place of the ohmic resistors during the tilting process, during which the diode capacitance must be kept very low on the other hand, the voltage at the control input or at the 25 and consequently the area of the same can be very small Base-emitter path of the same forming control must, which in turn leads to very high resistance values transistor must be kept high and other - the diodes with the relatively small voltage side the collector voltage of this control transistor leads to voltages, while in contrast with ohmvon the higher collector voltage of the blocked see resistors which are parallel to the ohmic ones Switching stage to the lower collector voltage of the 30 resistors lying parasitic capacitances switched-through switching stage passes, over the choice of a lower resistance value is not considered Prevent the base and collector of this control transistor, because with ohmic resistances, at least ordered ohmic resistance is a relatively large one, at least in integrated circuits Part of the ohmic resistances supplied via the coupling capacitance, the parasitic ones Switching power flows away, in particular in the 35 capacitances with the resistance value of the ohmic Period of time in which the collector voltage of the resistor decreases.
besagten Steuertransistors schon der Kollektorspan- Das genannte Problem der Umladung der Koppel-Said control transistor already the collector chip- The mentioned problem of reloading the coupling-
nung der durcngeschalteten Schaltstufe nähert, wäh- kapazitäten tritt jeweils während des Zeitraumes zwi-approaching the switched-through switching step, while the capacitance occurs during the period between
rend gleichzeitig seine Basisspannung noch hochge- scheu der Anstiegsflanke eines dem FortschalteingangAt the same time, its base voltage is still very shy of the rising edge of one of the incremental inputs
halten werden muß, so daß zwischen Basis und KoI- 40 eines Multivibrators der eingangs genannten Art zu-must be held, so that between the base and KoI- 40 of a multivibrator of the type mentioned above to-
lektor des besagten Steuertransistors eine verhältnis- zuführenden Fortschaltimpulses und der Abfallsflankelector of said control transistor a ratio-supplying incremental pulse and the falling edge
mäßig große Potentialdifferenz vorhanden ist und des jeweils vorangegangenen Fortscha'timpulsej auf,there is a moderately large potential difference and the previous progress pulse
damit über den besagten zwischen Kollektor und Basis denn zum Zeitpunkt der Abfallsflanke des voran-thus over the said between collector and base than at the time of the falling edge of the preceding
des Steuertransistors angeordneten ohmschen Wider- gegangenen Fortschaltimpulses ist die Spannung anof the control transistor arranged resistive stepping pulse, the voltage is on
stand ein verhältnismäßig großer Verluststrom fließt. 45 dem Koppelkondensator, der den genannten zuzu-there was a relatively large leakage current flowing. 45 the coupling capacitor, which supplies the named
Bei einer anderen bisher noch nicht vorbekannten führenden Fortschaltimpuls überträgt, noch nahezuWith another not previously known leading incremental pulse transmits, still almost
Version von Multivibratoi/*n der eingangs genannten Null oder verhältnismäßig klein, während dieseVersion of Multivibratoi / * n of the aforementioned zero or relatively small while this
Art sind nun die genannten, jeweils zwischen Kollektor Spannung zum Zeilpunkt des Beginnes der Anstiegs-Type are now the ones mentioned, in each case between the collector voltage to the target point of the start of the rise
UnC Basis der Steuertransistoren angeordneten ohm- flanke des genannten zuzuführenden Fortschaltim- UnC base of the control transistors arranged ohmic flank of the said incremental switching to be supplied
schen Widerstände durch Dioden ersetzt. Diese Dioden 50 pulses annähernd gleich der Spannungsdifferenz zwi-electrical resistances are replaced by diodes. These diodes 50 pulses approximately equal to the voltage difference between
befinden sich während des Kippvorganges im Sperr- sehen der höheren Kollektorspannung der gesperrtenare in blocking during the tilting process - see the higher collector voltage of the blocked
zustand und lassen daher nur einen im Vergleich zu Schaltstufe und der niedrigsten Kollek.orspannungstate and therefore only leave one in comparison to the switching stage and the lowest collector voltage
den genannten ohmschen Widerständen sehr geringen der durchgeschalteten Schaltstufe sein muß, wenn mitthe ohmic resistances mentioned must be very low the switched-through switching stage, if with
Verluststrom, nämlich höchstens ihren Sperrstrom, Sicherheit gewährleistet sein soll, daß der genannteLoss current, namely at most its reverse current, security should be guaranteed that said
durch. Infolgedessen wäre bei dieser Version die über 55 zuzuführende Fortschaltimpuls von dem gemeinsamer,through. As a result, in this version the incremental pulse to be supplied over 55 would be from the common,
die Koppelkapa/itäten zu übertragende Sehaltlei- Fortschalteingang des Multivibrators auf die ge-the coupling capacities to be transferred, the switching input of the multivibrator to the
Stung — wenn man die Diodenkapazität unberück- sperrte Schaitstufe des Multivibrators übertragen wird.Stung - when the diode capacitance is transferred to the multivibrator's non-locked switching stage.
sichtigt lassen könnte — wesentlich geringer, und Die Aufladung der Koppelkapazität von. ihremcould be seen - much less, and the charging of the coupling capacity of. her
entsprechend könnten die Koppelkapazitäten bei Spannungswert zum Zeitpunkt der Abfallsflanke desaccordingly, the coupling capacitances at the voltage value at the time of the falling edge of the
dieser Version wesentlich kleiner als bei der Version 60 vorangegangenen Fortschaltimpulses auf die der ge-this version is much smaller than with the version 60 previous incremental pulse to that of the
mit ohmschen Widerständen zwischen Kollektor und nannten Spannungsdifferenz entsprechende Spannungwith ohmic resistances between collector and called voltage difference corresponding voltage
Basis der Steuertransistorcn gemacht werden. erfolgt über den ohmschen Widerstand bzw. die Diode,Basis of the control transistors are made. takes place via the ohmic resistor or the diode,
Bei VernachlässigbarkrH der Diodenkapazitäten die zwischen dem Kollektor und der Basis des Steuerwäre es also bei der Version mit Dioden zwischen transistors liegt, an dessen Basis die Koppelkapazität Kollektor und Basis der Steuertransistoren möglich, 63 angeschlossen ist. Diese Aufladung erfordert nun eine die Koppelkapazitätert so k'cin zu machen, daß sie bestimmte Zeit, die einerseits von der Größe der nur z. B. die Hälfte der genannten internen Kapazität Koppelkapazität und andererseits von dem Wider*· betragen und dahef den oberen Grenzwert der Re- stafidswert des ohmschen Widerstandes bzw. der Diode,If the diode capacities are negligible, those between the collector and the base of the control would be So it is in the version with diodes between the transistor, at the base of which the coupling capacitance Collector and base of the control transistors possible, 63 is connected. This top-up now requires a the coupling capacitance is so k'cin that it can be determined by the size of the time only z. B. half of the mentioned internal capacity coupling capacity and on the other hand from the cons * and therefore the upper limit value is the restafid value of the ohmic resistance or the diode,
über den bzw. die die Köppclkapazität aufgeladen wird, abhängig ist, Da nun die Größe der Köppeikapaziläleti, wie bereits erläutert, durch die über dieselben zu übertragenden Schallieistüngen besfimnrit ist, und zwar — wenn auch mit unterschiedlichen Werten — sowohl bei der Version mit ohmschen Widerständen zwischen Kollektor Und Basis der Steuertransistoren als atich bei der Version mit dioden zwischen Kollektor und Basis der Steuertransistoren, ist für die genannte AuNadiings/eit im wesentlichen nur der Widerstandswert des ohmschen Widerstandes b/w. der Diode, über die die Koppelkapazität aufgeladen wird. b/w. die Höhe des der Koppelkapazität über diesen ohmschen Widerstand b/w. die Diode zugeführten Ladestromes maßgehend. Die Bemessung der Widerstandswerte dieser /wischen Kollektor und Basis der Steuertransistoren angeordneten ohmschen Widerstände h/w. Dioden ist nun unmittelbar von der dem Multivibrator /ugeführten Leistung bzw. dem zugeführten Strom abhängig, und zwar in dem Sinne, daß diese Widerstandswerte um so größer sein müssen, je kleiner der Leistungsverbrauch des Multivibrators scm M>ll. Aus diesem Grunde wird die für die erwähnte Aufladung der Koppelkapazitäten erforderliche Zeit uiio iiamit die mindestens erforderliche Zeitspanne zwischen der Abfallsflanke eines Fortschaltimpulses und der Anstiegsflanke des nächstfolgenden Fortschaltimpulses um so größer und dementsprechend die obere Grenze der Pepetitionsfrequenz des Multivibrators um so geringer, je geringer der Leistungsverhrauch des Multivibrators sein soll.charged via the or the Köppclacity is dependent, Since now the size of the Köppeikapaziläleti, as already explained, by the Schallieistüngen to be transmitted over the same besfimnrit is, and indeed - albeit with different ones Values - both for the version with ohmic resistances between the collector and the base Control transistors as atich in the version with diodes between the collector and the base of the control transistors, is essentially for the aforementioned AuNadiings / eit only the resistance value of the ohmic resistance b / w. the diode through which the coupling capacitance is charged will. b / w. the level of the coupling capacitance over this ohmic resistance b / w. the diode supplied Charging currents. Dimensioning the resistance values of this / between collector and Base of the control transistors arranged ohmic resistors h / w. Diode is now immediately from the the multivibrator / ugled power or the supplied current dependent, namely in the sense, that these resistance values must be greater, the smaller the power consumption of the multivibrator scm M> ll. For this reason, the one mentioned for the Charging of the coupling capacities required time uiio iiamit the minimum required period of time between the falling edge of an incremental pulse and the rising edge of the next incremental pulse the greater and accordingly the upper limit of the pulsation frequency of the multivibrator the lower the lower the power consumption of the multivibrator should be.
Nun bestellt von Seiten der Technik, insbesondere der Subminiaturtechnik. einerseits die Forderung nach Herabsetzung des Leistungsverbrauchs von in Subminiaturtechnik ausgeführten Schaltungen bis auf das äußerste realisierbare Minimum, wobei aber andererseits gleichzeitig die Forderung erhoben wird, daß die Arbeitsfrequenz bzw. die obere Grenzfrequenz dieser Schaltungen möglichst hoch liegen soll und durch die Verminderung des Leistungsverbrauchs möglichst nicht verringert werden soll.Now ordered by technology, in particular the subminiature technique. on the one hand, the demand to reduce the power consumption of in Subminiature technology executed circuits down to the utmost realizable minimum, but on the other hand at the same time the requirement is raised that the working frequency or the upper limit frequency these circuits should be as high as possible and by reducing the power consumption should not be reduced if possible.
Da diese beiden Forderungen sich jedoch, wie oben schon erwähnt, bei den bekannten Multivibraloren der eingangs genannten Art widersprechen, war es bisher nicht möglich, bei einer gegebenen Arbeitsfrequenz eines solchen Multivibrators dessen Leistungsverbrauch unter einen bestimmten, von der Arbeitsfrequenz abhängigen unteren Grenzwert abzusenken. Since these two requirements, however, as already mentioned above, apply to the known multivibralors contradicting the type mentioned at the beginning, it was not previously possible at a given working frequency of such a multivibrator whose power consumption is below a certain, from the Lower limit value depending on the operating frequency.
Der Erfindung lag nun die Aufgabe zugrunde, eine elektronische Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art, insbesondere für integrierte Schaltkreise, zu schaffen, bei der dieser untere Grenzwert des Leistungsverbrauchs beträchtlich unter den für die gleiche Arbeitsfrequenz bisher als nicht unterschreitbar angesehenen Wert des Leistungsverbrauchs abgesenkt werden kann bzw. bei der bei fest vorgegebenem Leistungsverbrauch die obere Grenze der Repititionsfrequenz des bzw. der Multivibratoren beträchtlich erhöht werden kann.The invention was based on the object of providing an electronic circuit arrangement of the type mentioned at the beginning Kind, especially for integrated circuits, to create in which this lower limit value of the power consumption considerably below those previously regarded as not being undercut for the same working frequency The value of the power consumption can be reduced or when the power consumption is fixed the upper limit of the repetition frequency of the multivibrator or multivibrators is considerable can be increased.
Erfindungsgemäß wird das bei einer elektronischen Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art dadurch erreicht, daß die beiden Schaltstufen des Multivibrators je einen mit wenigstens näherungsweise konstantem Basisstrom gespeisten Vortransistor aufweisen, dessen Kollektor-Emitter-Strecke zwischen Basis und Kollektor des Steuertransistors der betreffenden Schaltstufe geschaltet ist und dessen Lei-Uirtgstyp der gleiche wie der LeltUngstyp des Steuer* transistors iri der gleichen' Schältstufe ist.According to the invention, in an electronic circuit arrangement of the type mentioned at the beginning achieved in that the two switching stages of the multivibrator each with at least approximately one have constant base current fed pre-transistor, whose collector-emitter path between The base and collector of the control transistor of the switching stage in question is connected and its Lei-Uirtgtyp the same as the tax type * transistor iri is the same 'switching stage.
Dadurch läßt sich erreichen, daß die erwähnte Aufladung der Kdppelkäpäzitäten bzw, der dieselberi bil·This makes it possible to achieve the aforementioned charging the Kdppelkäpäzitäten or, the dieselberi bil ·
denden kapazitiven Glieder mit einem Im Wesentlichen konstanten, Von den Vdrlransisiöreri gelieferten Lade* stförri aii Stelle eines über Widerstände oder Dioden zugeführfen Und daher exponentiell absinkenden Lädestromes erfolgt, wodurch die für die Aufladung er-the capacitive members with an essentially constant loading delivered by the Vdrlransisiöreri * stförri aii place one through resistors or diodes and therefore exponentially decreasing charging current takes place, whereby the required for charging
forderliche Zeit ganz beträchtlich verkürzt und damit die obere Grenze der Repetitionsfrequenz des bzw. der Multivibratoren entsprechend erhöht bzw. bei fast vorgegebener Arbeitsfrequenz der Leistungsverbrauch der Schaltungsanordnung erheblich vermindert werdenRequired time is shortened considerably and thus the upper limit of the repetition frequency of the Multivibrators increased accordingly or the power consumption at an almost predetermined working frequency the circuit arrangement can be significantly reduced
kann. ü can. ü
Vorzugsweise ist bei der vorliegenden Schaltungsanordnung in jeder Schaltstufe dec bzw. der Multivibratoren der Kollektor des Vortransistors an den Kollektor des Steuerlransistors der betreffenden Schaltstufe und der Emitter des Vortransistors an die Basis des Steuertransistors der betreffenden Schaltstufe angeschlossen, wobei der Leitungstyp der einzelnen Vortransistoren der gleiche wie der Leitungstyp des Steuertransistcrs in der jeweils gleichen Schaltstufe ist. Diese Schaltung°\veise der Vortransistoren ist vorteilhafter als die ebenfalls im Rahmen des Möglichen liegende Schaltungswiise mit dem Vortransistor-Emitter am Kollektor und dem Vortransistor-Kollektor an der Basis des zugeordneten Steuertrarvsistors. |In the present circuit arrangement, in each switching stage de c or the multivibrators, the collector of the pre-transistor is preferably connected to the collector of the control transistor of the relevant switching stage and the emitter of the pre-transistor is connected to the base of the control transistor of the relevant switching stage, the conductivity type of the individual pre-transistors being the same how the line type of the control transistor is in the same switching stage. This circuit of the pre-transistors is more advantageous than the circuitry, which is also within the scope of what is possible, with the pre-transistor emitter on the collector and the pre-transistor collector on the base of the associated control transistor. |
Als kapazitive Glieder /«nr.'-.in dem gemeinsamen Fortschalteingang des Multivibrators und den Basiselektroden der Steuertransistoren der beiden Schaltstufen des Multivibrators können bei der vorliegenden Schaltungsanordnung, ebenso wie bei dem obenerwähnten bekannten Multivibrator. Dioden vorgesehen sein. Das bringt insbesondere für integrierte Schaltkreise den Vorteil mit sich, daß die notwendigen Kapazitäten durch in die integrierten Schaltkreise einbezogene Halbleiterelemente gebildet werden, die im gleichen Herstellungsgang wie die Transistoren herstellbar sind. j Bei einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Schaltungsanordnung ist in jeder Schaltstufe des bzw. der Multivibratoren die Basis des Vortransistors an eine Konstantstromquelle angeschlossen, die als stromkonstanthaltendes Element einen Transistor von dem Leitungstyp des Vortransistors komplementärem Leitungstyp enthält, an dessen Basis-Emitter-Strecke eine den Strom in seinem Kollektor-Emitter-As capacitive links in the common Continuous input of the multivibrator and the base electrodes of the control transistors of the two switching stages of the multivibrator can in the present circuit arrangement, as well as in the above-mentioned well-known multivibrator. Diodes may be provided. This is particularly beneficial for integrated circuits with the advantage that the necessary capacities are included in the integrated circuits Semiconductor elements are formed which can be produced in the same production process as the transistors are. In a preferred embodiment of the present circuit arrangement, is in each switching stage of the multivibrator or the base of the pre-transistor connected to a constant current source, the as a current-constant element, a transistor of the conduction type of the pre-transistor complementary Contains conduction type, at whose base-emitter path a current in its collector-emitter
5'd Stromkreis mindestens annähernd konstanthaltende Referenzspannung liegt und an dessen Kollektor die Basis des Vortransistors angeschlossen ist. Ferner sind zweckmäßig bei dieser bevorzugten Ausführungsform auch in jeder SchaJtstufe des bzw. der Multivibratoren die miteinander verbundenen Kollektoren des Schalt- und des Steuertransistors an eine Konstantstromquelle angeschlossen, die als stromkonstanthaltendes Element ebenfalls einen Transistor von zum Leitungstyp des Schalt- und des Steuertransistors komplementären Lei-So tungstyp enthält, an dessen Basis-Emitter-Strecke eine den Strom in seinem Kollektor-Emitter-Stromkreis mindestens annähernd konstanthaltende Referenzspannung liegt und an dessen Kollektor die miteinander verbundenen Kollektoren des Schalt- und des Steuertransistors angeschlossen sind. Durch eine solche Ausbildung der vorliegenden Schaltungsanordnung mit Konstantstromquellen zur Lieferung der Basis- und Kollektorströme der Schalt-, Steuer- und VoV-5'd circuit at least approximately constant Reference voltage and to whose collector the base of the pre-transistor is connected. Furthermore are expedient in this preferred embodiment also in each switching stage of the multivibrator or multivibrators the interconnected collectors of the switching and the control transistor to a constant current source connected, which also has a transistor of the conductivity type as a constant current element Switching and the control transistor complementary Lei-So device type contains, at the base-emitter path a reference voltage that keeps the current in its collector-emitter circuit at least approximately constant and on its collector the interconnected collectors of the switching and des Control transistor are connected. Such a design of the present circuit arrangement with constant current sources for supplying the base and collector currents of the switching, control and VoV
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transistofen läßt sich erreichen, daß füf die gesamte Schaltungsanordnung mir eiii öder zwei ohm'sche Widerstände erforderlich sind, Dies stellt insbesondere bei der Ausbildung der Vorliegenden Schaltungsanordnung in FSf rrt Vori einem oder mehreren integrierten Schaltkreisen (rinen gioferi Vorteil dars Weil ohmsche ■Widerstände einen relativ großen Platzbedarf in integrierten Schaltungen haben und der FörtTali von ohmschen Widerständen bzw. der Ersatz derselben durch die erwähnten Konstantstromquellen dementsprechend ermöglicht, auf den einzelnen Trägerkristallen der integrierten Schaltkreise bei gleichbleibender Fläche derselben gegenüber bisher einem Multivibrator nunmehr fünf bis zehn Multivibratoren unterzubringen. Der pro Schaltungsanordnung noch erforderliche eine ohmsche Widerstand bzw. die noch erforderlichen zwei ohmschen Widerstände können dabei als diskrete Widerstände zwischen der Stromversorgungsquelle und dem b?w. den integrierten Schaltkreisen angeordnet werden.transistofen can be achieved that five 'the entire circuit arrangement me eiii barren two ohmic resistors are required, This is in particular in the embodiment of the present circuitry in FSf rrt Vori one or more integrated circuits (rinen gioferi advantage is s Because ohmic ■ resistors a have relatively large space requirements in integrated circuits and the FörtTali of ohmic resistors or the replacement of them by the mentioned constant current sources accordingly makes it possible to accommodate five to ten multivibrators on the individual carrier crystals of the integrated circuits with the same surface area compared to previously a multivibrator One ohmic resistor that is still required or the two ohmic resistors that are still required can be arranged as discrete resistors between the power supply source and the base of the integrated circuits.
Die erwähnten Konstantstromquellen können bei der genannten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Schaltungsanordnung zweckmäßig so ausgebildet sein, daß die die Basisströmeder Vortransistoren liefernden Konstantstromquellen jeweils einen geringeren Strom als die Konstantstromquellen liefern, an die die Kollektoren der Schalt- und Steuertransistoren angeschlossen sind.The mentioned constant current sources can in the mentioned preferred embodiment of the present Circuitry expediently be designed so that the base currents of the pre-transistors supplying constant current sources each supply a lower current than the constant current sources, to which the collectors of the switching and control transistors are connected.
Zu diesem Zweck können einerseits die Basis-Emitter-Strecken der Transistoren, an deren Kollektoren die Basiselektroden der Vortransistoren angeschlossen sind, zueinander parallel und andererseits die Basis-Emitter-Strecken der Transistoren, an deren Kollektoren die Kollektoren der Schalt- und Steuertransistoren angeschlossen sind, zueinander parallel geschaltet sein, wobei entweder jede dieser beiden Gruppen von zueinander parallelgeschalteten Basis-Emitter-Strecken an eine gesonderte Referenzspannungsquelle oder aber beide Gruppen an eine gemeinsame Referenzspannungsquelle angeschlossen sein können, letzteres derart, daß die zueinander parallelgeschalteten Basis-Emitter-Strecken derjenigen Transistoren, an deren Kollektoren die Kollektoren der Schalt- und Steuertransistoren angeschlossen sind, direkt an die gemeinsame Referenzspannungsquelle und die zueinander parallelgeschalteten Basis-Emitter-Strecken derjenigen Transistoren, an deren Kollektoren die Basiselektroden der Vortransistoren angeschlossen sind, über einen gemeinsamen Emitterwiderstand an die gemeinsame Referenzspannungsquelle angeschlossen sind.For this purpose, on the one hand, the base-emitter paths of the transistors, on their collectors the base electrodes of the pre-transistors are connected, parallel to each other and on the other hand the base-emitter paths of the transistors, at their collectors the collectors of the switching and control transistors connected in parallel to each other, with either each of these two Groups of base-emitter paths connected in parallel to a separate reference voltage source or both groups can be connected to a common reference voltage source can, the latter in such a way that the parallel-connected base-emitter paths of those transistors to whose collectors the collectors of the switching and control transistors are connected, directly to the common reference voltage source and the parallel-connected base-emitter paths those transistors to whose collectors the base electrodes of the pre-transistors are connected are connected to the common reference voltage source via a common emitter resistor are.
Als Referenzspannungsquelle kann dabei jeweils ein mit einem mindestens annähernd konstanten Referenzstrom beschickter temperaturabhängiger Widerstand vorgesehen sein, vorzugsweise ein Transistor gleichen Leitungstyps wie die die stromkonstanthaltende Elemente bildenden Transistoren, dessen Emitterelektrode den einen Pol und dessen zusammengeschaltete Kollektor- und Basiselektrode den anderen Pol des temperaturabhängigen Widerstandes bilden.A reference current with an at least approximately constant reference current can be used as the reference voltage source loaded temperature-dependent resistor may be provided, preferably resembling a transistor Line type like the one that maintains a constant current Elements forming transistors, the emitter electrode of which is one pole and the interconnected one The collector and base electrodes form the other pole of the temperature-dependent resistor.
An Stelle einer solchen Zusammenfassung der stromkonstanthaltende Elemente bildenden Transistoren in zwei Gruppen, die, wie oben erläutert, entweder zwei gesonderte Referenzspannungsquellen oder aber einen zusätzlichen ohmschen Widerstand (nämlich den genannten Emitterwiderstand) erfordert, können jedoch auch jeweils die Basis-Emitter-Strecke des mit seinem Kollektor an die Basis eines der Vortfärisistöfen ängcschlosseneii Transistors Urid die Basis-Emitter-Strecke des mit seinem Kollektor aii die Kollektoren der zur gleichen Schaltstüfe wie dieser Vdftränsistor gehörenden Schalt- und Steüertränsistöfen angeschlossenen Transistors in Reihe geschaltet seinj wobei dann die den verschiedenen Schaltstufen des bzw* der Multivibratoren zugeordneten Reihenschaltürigen der Basis-Emitter-Strecken an eine gemeinsame Referenzspannungsquelle angeschlossen sind und wobei als gemeinsame Reierenzspannungsquelle ein mit einem mindestens annähernd konstanten Referenzstrom beschickter temperaturabhängiger Widerstand vorgesehen ist, der von zwei Transistoren gleichen Leitungstyps wie die die stromkonstanthaltende Elemente bildenden Tiansistoren gebildet ist, deren Basis-Emitter-Strecken hintereinandergeschaltet sind und deren an dem einen Ende dieser Hintereinanderschaltung liegende Emitterelektrode den einen Pol und deren an dem anderen Ende dieser Hintereinanderschaltung liegende Basiselektrode des mit seinem Emitter das eine Ende der Hintereinanderschaltung bildenden Transistors den anderen Pol des tempeiaturabhängigen Widerstandes bilden, wobei die Kollektorelektrode des mit seiner Basiselektrode das andere Ende der Hintereinanderschaltung bildenden Transistors vorzugsweise ebenfalls an den genannten anderen Pol angeschlossen ist. Die letztgenannte Schaltungsweise der Konstantstromquellen hat den Vorteil, daß erstens die den Vortransistoren zugeordneten Basisströme zwangläufig klein im Verhältnis zu den den Schalt- und Steuertransistoren zugeordneten Kollektor- sowie Basisströmen sind und daß zudem für die gesamte elektronische Schaltungsanordnung nur ein einziger ohmscher Widerstand erforderlich ist.Instead of such a combination of the transistors that keep the current constant in two groups, which, as explained above, either have two separate reference voltage sources or an additional ohmic resistor (namely the mentioned emitter resistor), however, the base-emitter path of the with its collector can also be connected to the base of one of the Vorfärisistöfen connected to the transistor Urid Base-emitter path of the aii with its collector the collectors of the same switching stage as this one Vdftränsistor belonging switching and control drinking furnaces connected transistor connected in series bej where then the different Switching stages of the series switching doors of the base-emitter lines assigned to the multivibrators are connected to a common reference voltage source and as a common reference voltage source a temperature-dependent resistor charged with an at least approximately constant reference current is provided, that of two transistors of the same conductivity type as those forming the elements that maintain a constant current Tiansistors are formed, their base-emitter routes are connected in series and their emitter electrode located at one end of this series connection one pole and its base electrode located at the other end of this series connection of the transistor forming one end of the series connection with its emitter other pole of the temperature-dependent resistance form, the collector electrode of the with its base electrode the other end of the series connection forming transistor is preferably also connected to said other pole. The last-mentioned way of switching the constant current sources has the advantage that, firstly, the pre-transistors assigned base currents inevitably small in relation to the switching and control transistors associated collector and base currents are and that also for the entire electronic Circuit arrangement only a single ohmic resistor is required.
Im Falle, daß die elektronische Scha'fungsanordnung eine Zählkette bildet bzw. eine Mehrzahl von bistabilen Multivibratoren enthält, die zu einem Impulsfrequenzunterfetzer bzw. zu einer Zählkette zusammengeschaltet sind, kann zweckmäßig mindestens ein Teil der den Impulsfrequenzuntersetzer bzw. die Zählkette bildenden bistabilen Multivibratoren mit Vortransistoren in ihren einzelnen Schaltstufen versehen sein, wobei diese mit Vortransistoren versehenen bistabilen Multivibratoren in ununterbrochener Folge vom Eingang des Impulsfrequenzuntersetzers bzw. der Zählkette bis zu einer bestimmten Untersetaer- bzw. Zählstufe anzuordnen sind, weil die Arbeitsfrequenz einer Zählkette in den ersten Stufen am höchsten ist und von Stufe zu Stufe um den Faktor 2 abnimmt.In the event that the electronic creation arrangement forms a counting chain or a plurality of bistable ones Contains multivibrators that lead to a pulse frequency divider or are interconnected to form a counting chain, at least a part of the pulse frequency scaler or the counting chain can expediently forming bistable multivibrators are provided with pre-transistors in their individual switching stages be, with these pre-transistors provided bistable multivibrators in uninterrupted sequence from the input of the pulse frequency scaler or the counting chain to a certain sub-level or counting stage are to be arranged because the working frequency of a counting chain in the first stages on is highest and decreases by a factor of 2 from step to step.
An Hand der nachstehenden Figuren ist die Erfindung im folgenden an einigen Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigtIn the following, the invention is based on a few exemplary embodiments with reference to the following figures explained in more detail. It shows
F i g. 1 die Schaltung des eingangs erwähnten bekannten Multivibrators,F i g. 1 the circuit of the known multivibrator mentioned at the beginning,
F i g. 2 eine einfache Ausführungsform einer Schaltungsanordnung nach der Erfindung, bei der den Schalt-, Steuer- und Vortransistoren die Kollektor- und Basisströme über ohmsche Widerstände zugeführt werden,F i g. 2 shows a simple embodiment of a circuit arrangement according to the invention, in which the Switching, control and pre-transistors feed the collector and base currents via ohmic resistors will,
Fig. 3a bis 3d Diagramme zur Erläuterung der Wirkungsweise von Schaltungsanordnungen nach der Erfindung,3a to 3d diagrams to explain the Mode of operation of circuit arrangements according to the invention,
Fig. 4 eine erste Variante der bevorzugten Ausführungsform von Schaltungsanordnungen nach der Erfindung, bei der den Schalt-, Steuer- und Vortransistoren die Kollektor- und Basisströme aus4 shows a first variant of the preferred embodiment of circuit arrangements according to the invention, in which the switching, control and pre-transistors the collector and base currents
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KonsEantstromquellen zugeführt werden, wobei zwei Gruppen Von Konstaütstromqtiellen und je eine gesonderte Referenzspannungsquelle für jede Gruppe Vorgesehen sind,Consistent current sources are supplied, with two groups of Konstaütstromqtielle and one separate each Reference voltage sources are provided for each group,
F i g. 5 eine zweite Variante der bevorzugten" AiIsführungsförm von SJiaitüngsanordnungen nach der Erfindung, bei der den Schält-, Steuer- Und Vortransistoren die Kollektor- und Basisströme aus Konstanfstromquelien zugeführt werden, wobei zwei Gruppen von Konstantstromquellen und eine ge- ίο meinsame Referenzspannungsquelle für beide Gruppen vorgesehen sind,F i g. 5 a second variant of the preferred "AiIsführungsförm of SJiaitüngsanordnung after the Invention in which the switching, control and pre-transistors the collector and base currents are supplied from Konstanfstromquelien, with two Groups of constant current sources and one ge ίο common reference voltage source is provided for both groups,
F i g. 6 eine dritte Variante der bevorzugten AusführungEform von Schaltungsanordnungen nach der Erfindung, bei der den Schalt-, Steuer- und Vortransistoren die Kollektor- und Basisströme aus Konstantstromquellen zugeführt werden, wobei nur eine Gruppe von Konstantstromquellen und eine Referenzspannungsquelle für diese Gruppe vorgesehen sind,F i g. 6 a third variant of the preferred embodiment Eform of circuit arrangements according to the invention, in which the switching, control and pre-transistors the collector and base currents are supplied from constant current sources, with only a group of constant current sources and a reference voltage source are provided for this group are,
F i g. 7 ein Blockschaltbild einer eine Zählkette bildenden elektronischen Schaltungsanordnung nach der Erfindung mit drei entsprechend der Variante in F i g. 5 oder 6 aufgebauten, je drei Zählstufen umfassenden integrierten Schaltkreisen und einem vierten, die Referenzströme für die drei integrierten Schaltkreise liefernden integrierten Schaltkreis.F i g. 7 shows a block diagram of an electronic circuit arrangement forming a counting chain of the invention with three corresponding to the variant in FIG. 5 or 6 built-up, each comprising three counting levels integrated circuits and a fourth, the reference currents for the three integrated circuits supplying integrated circuit.
Bei der in F i g. 1 gezeigten, eingangs erwähnten bekannten bistabilen Multivibratorschaltung umfaßt jede der beiden Schaltstufen einen Schalttransistor T1 bzw. T2, einen Steuertransistor Tz bzw. T4, einen Kollektorwiderstand Rk, über den die Kollektorströme der Transistoren T1 und T3 sowie die Basisströme der Transistoren T2 und T3 bzw. die Kollektorströme der Transistoren T2 und T4 sowie die Basisströme der Transistoren T1 und T4 zugeleitet werden, einen Basiswiderstand Rb, über den der Basisstrom des Steuertransistors T3 bzw. T4 zugeleitet wird, und eine als Kapazität wirkende Diode C zur Ankopplung der Basis des Steuertransistors T3 bzw. T4 an den Fortschalteingang E. Ferner ist an den Kollektor eines der beiden Schalttransistoren T1 und T2, im vorliegenden Fall an den Kollektor des Schalttransistors T2, der Signalausgang A des bistabilen Multivibrators angeschlossen.In the case of the in FIG. 1 shown, initially mentioned known bistable multivibrator circuit, each of the two switching stages comprises a switching transistor T 1 or T 2 , a control transistor T z or T 4 , a collector resistor Rk, through which the collector currents of the transistors T 1 and T 3 and the base currents of the Transistors T 2 and T 3 or the collector currents of transistors T 2 and T 4 and the base currents of transistors T 1 and T 4 are fed, a base resistor Rb through which the base current of control transistor T 3 and T 4 is fed, and acting as a capacitance diode C for coupling the base of the control transistor T 3 or T 4 to the incremental input E. Furthermore, one of the two switching transistors T 1 and T 2 , in the present case to the collector of the switching transistor T 2 , the Signal output A of the bistable multivibrator connected.
Bei der in F i g. 2 gezeigten einfachen Ausführungsform eines bistabilen Multivibrators nach der Erfindung sind nun, im Vergleich zu dem in F i g. 1 gezeigten bekannten Multivibrator, die Basiswiderstände Rb durch die Kollektor-Emitter-Strecken der der jeweils mit einem konstanten Basisstrom Ibv gespeisten Vortransistoren T5 bzw. TB ersetzt. Die konstanten bzw. näherungsweise konstanten Basisströme v/erden den Vortransistoren T5 bzw. T6 über die ohmscher Widerstände Rv zugeführt.In the case of the in FIG. The simple embodiment of a bistable multivibrator according to the invention shown in FIG. 2 is now, in comparison with the one in FIG. 1, the known multivibrator shown, the base resistances Rb replaced by the collector-emitter paths of the pre -transistors T 5 and T B each fed with a constant base current Ibv. The constant or approximately constant base currents v / ground to the pre-transistors T 5 and T 6 via the ohmic resistors Rv .
Im stabilen Zustand des in F i g. 2 gezeigten bistabilen Multivibrators wirken diese zwischen Kollektor und Basis der Steuertransistoren T3 und T4 liegenden Kollektor-Emitter-Strecken wie ohmsche Widerstände. Dies soll im folgenden an Hand der So F1 g. 3a bis 3d näher erläutert werden.In the stable state of the in F i g. In the bistable multivibrator shown in FIG. 2, these collector-emitter paths between the collector and base of the control transistors T 3 and T 4 act like ohmic resistances. This is to be done in the following on the basis of So F1 g. 3a to 3d are explained in more detail.
In F i g. 3 a ist eine (hier aus zwei Kennlinien bestehende) KennJinienschar eines Siliziumtransistors in der bekannten und allgemein üblichen Form Ic = /(Uce) mit Ib als Parameter dargestellt. Dabei ist jedoch — im Gegensatz zu der meist üblichen unvollständigen Darstellung — auch der exakte Verlauf des Kollektorstromes Ic über der Kollektor-Emitter-Spannung Uce im Bereich von Uce < 100 mV bis zt negativen Werten vort Uce mit dargestellt, In diesen in normalen Arivvendüngsfälleii nicht brauchbarer Bereich arbeiten die Vortransistoren T5 lind T^ Ali: diesem Grunde ist der Verlauf der Funktioriet Ic = /(Uce) im Spannungsbereich von etwa —30 b'i; + 5OmV in Fig, 3b nochmals in vergrößerten Maßstab dargestellt. Fig. 3b zeigt, wie ersichtlich eine lineare Vergrößerung der Kurvenschar im Null punktsbereich des Koordinatensystems in Fig. 3aIn Fig. 3a shows a family of characteristics of a silicon transistor (here consisting of two characteristic curves) in the known and generally customary form Ic = / (Uce) with Ib as the parameter. In this case, however - in contrast to the mostly usual incomplete representation - the exact course of the collector current Ic over the collector-emitter voltage Uce in the range from Uce < 100 mV to partially negative values before U c e is also shown, in these in normal In an unusable range, the pre-transistors T 5 and T ^ Ali work: for this reason the course of the function Ic = / (Uce) is in the voltage range of about -30 b'i; + 50mV in Fig, 3b again shown on an enlarged scale. FIG. 3b shows, as can be seen, a linear enlargement of the family of curves in the zero point area of the coordinate system in FIG. 3a
Aus F i g. 3b ist ersichtlich, daß sämtliche Kurvet Ic - /(Uce) bei Ic ^ 0 durch den gleichen Punk auf der t/r-e-Achse, nämlich durch die Offsetspannunj i/ofispt, die bei Zimmertemperatur z. B. etwa 27 m\ beträgt, verlaufen. Ferner ist aus F i g. 3 b ersichtlich daß jede einzelne der Kurven Ic — /(Ucn) bei Uce ~ ( die /r-Achse nahezu bei dem Wert Ic — In schneidet wenn mit Ir der den Parameter der betreffenden Kurvi bildende konstante Basisstrom bezeichnet wird.From Fig. 3b it can be seen that all curves Ic - / (Uce) at Ic ^ 0 by the same point on the t / re axis, namely by the offset voltage i / ofispt, which z. B. is about 27 m \, run. Furthermore, from FIG. 3 b it can be seen that each of the curves Ic - / (Ucn) intersects at Uce ~ (the / r axis almost at the value Ic - In if Ir denotes the constant base current forming the parameter of the curve in question.
In F i g. 3c ist der allgemeine Verlauf der in F i g.3t gezeigten Kurven Ic = /(Uce) nochmals dargestellt wobei jedoch die /c-Achse zur übersichtlicherer Darstellung gestreckt ist.In Fig. 3c shows the general course of the curves Ic = / (Uce) shown in FIG.
Aus dem Verlauf der Funktion Ic — /(Uce) if F i g. 3c ergibt sich unter Berücksichtigung der füi Transistoren geltenden Beziehung, daß der Emitter strom gleich der Summe des Basisstromes und de: Kollektorstromes bzw. daß Ie = Ic + Ib ist, der ir F i g. 3d dargestellte allgemeine Verlauf der Funktior Ie=- /(Uce). From the course of the function Ic - / (Uce) if F i g. 3c, taking into account the relationship applicable to transistors, the result is that the emitter current is equal to the sum of the base current and de: collector current or that Ie = Ic + Ib , the ir F i g. 3d shown general course of the functor Ie = - / (Uce).
Vergleicht man nun diesen in F i g. 3d dargestellter Verlauf der Funktion IE — /(Uce) mit der in dit gleiche Figur strichpunktiert eingezeichneten, dit Strom-Spannungs-Kennlinie eines konstanten ohmsehen Widerstandes bildenden Nullpunktgeraden, se erkennt man, daß die Funktion IB ----- /(Uce) irr Spannungsbereich zwischen Uce ~ 0 und Ute etwa: größer als f/onset mit relativ guter Genauigkeit mil der genannten strichpunktierten Widerstandsgerader übereinstimmt.If one now compares this in FIG. 3d depicted course of the function I E - / (Uce) with the dot-dash line in the same figure, the current-voltage characteristic curve of a constant ohmic resistance forming zero point straight line, it can be seen that the function I B ----- / ( Uce) irr voltage range between Uce ~ 0 and Ute approximately: greater than f / onset corresponds with relatively good accuracy with the mentioned dash-dotted resistance line.
Die Kollektor-Emitter-Strecken der Vortransistorer T5 und TB wirken also in dem genannten Spannungsbereich von 0 bis Uottset wie ohmsche Widerstände und damit genauso wie die Widerstände Rb in Fig. 1, Der Widerstandswert dieser von den Kollektor-Emitter-Strecken der Vortransistoren T5 und Γ, gebildeten »Widerstände« ist dabei, wie aus Fi g. 3 c ersichtlich, angenähert Uonsetllßy. Man erhält also be: _der Multivibratorschaltung in Fig. 2 im stabiler "Zustand das gleiche Verhalten wie das der Multivibratorschaltung in F i g. 1, wenn man den Basisstrom Ibv der Vortransistoren T5 und Te so wählt, daß UoasetjlBv = Rb ist (vorausgesetzt wird hierbei, daß der Spannungsabfall an dem in der gesperrter Schaltstufe des Multivibrators in F i g. 1 angeordneter Widerstand Rb kleiner oder höchstens gleich Usose ist, d. h. unter 27 mV liegt. Diese Voraussetzung isi in der Regel bei den bekannten entsprechend Fig.] aufgebauten Multivibratorschaltungen gegeben).The collector-emitter paths of the pre-transistors T 5 and T B thus act in the mentioned voltage range from 0 to U o ttset like ohmic resistors and thus just like the resistors Rb in FIG. 1, the resistance value of these from the collector-emitter paths the pre-transistors T 5 and Γ, formed "resistors" is, as shown in Fi g. 3 c can be seen, approximated Uonsetllßy. The behavior of the multivibrator circuit in FIG. 2 in the stable "state is the same as that of the multivibrator circuit in FIG. 1, if the base current Ibv of the pre-transistors T 5 and T e is chosen so that UoasetjlBv = Rb ( It is assumed here that the voltage drop across the resistor Rb arranged in the locked switching stage of the multivibrator in FIG . 1 is less than or at most equal to Usose, ie less than 27 mV. built-up multivibrator circuits).
Befrachtet man noch einmal die schon oben angeführte, für Transistoren geltende Beziehung, da£ die Summe des Kollektorstromes und des Basisstromes gleich dem Emitterstrom sein muß, so ergibl sich aus dieser Beziehung für den Kollektorström dei von den Transistoren T5 und Γβ gebildeten Vortransistoren If one applies again the relationship already given above, which applies to transistors, that the sum of the collector current and the base current must be equal to the emitter current, this relationship for the collector current results in the pre- transistors formed by the transistors T 5 and Γ β
Ic ν = IBy — IBy Ic ν = IBy - IBy
22112211
11 1211 12
Man kann also den Kollektofstrom der Vortransistofcn ist, dessen Strotii-Spannutigs-Verhalten der strich*The collector current can therefore be the pre-transistor whose Strotii-Spannutigs behavior is the
l.i zwei Teilströme mit cntgegengesetzen Pachtungen punktierten Linie iil Fig. 3d entspricht, ist der von1.i corresponds to two partial streams with opposing tenancies dotted line iil Fig. 3d, is that of
aufteilen, von denen der eine Teilstrom Ie Uiid def der Kollektor-Emitter^Strecke der Vortransistoren T6 divide, of which one partial current Ie Uiid def of the collector-emitter ^ path of the pre-transistors T 6
andere Teilstrom Ibv ist« Der Teilstrom Iev des Und Tß gebildete »Widerstand« ein nichtlinearer Wider-other partial current Ib v is «The partial current Iev of the And T ß formed» resistance «is a non-linear resistance
Kollektorstromes des Voftrarisistors ist nun derjenige, S stand, dessen Stfomspännilngsverhalteh nur bei posi-The collector current of the Voftrarisistor is now that, S stood, whose current voltage behavior only with positive
der aus dem Emitter des Vortransistors herausfließt tiven Kollektor^Emitter-SpannUngen Uce nahezu mitwhich flows out of the emitter of the pre-transistor tiven collector ^ emitter voltages Uce almost with
Und der Basis des Steuer transistorsT3 bzw. T± zugeführt dem StromspannUngsverhalteü des linearen Wide.'And the base of the control transistor T 3 or T ± supplied to the StromspannUngsverhalteü the linear Wide. '
wird, und der Teilstrom luv des Kollektorstromes des Standes Rb in F i g. 1 übereinstimmt, bei negativenis, and the partial flow luv of the collector flow of the level Rb in F i g. 1 matches, in the case of negative
Vortransistors ist der konstante Strom, der der Basis KoUektor-Emitter-Spannungen Uce jeJoch das Ver-The pre-transistor is the constant current which the base coUector-emitter voltages Uce per yoke
des Vortransrtors zugeführt wird. io halten einer im Sperrzustand befindlichen Diode zeigt.of the pre-transporter is fed. shows io holding a diode in the blocking state.
Bei der obigen Betrachtungsweise der Kollektor- (Exakt genommen ist dieses Stromspannungsverhalten
Emitter-Strecke der Vortransistoren T6 und 7*e als bei negativen Kollektor-Emitter-Spannungen Uce nicht
»Widerstand« (s. Fig. 3d) fließt nun in diesen ge- das einer gesperrten Diode, sondern das eines Trandachten
»Widerstand« auf der Kollektorseite des Vor- sistors im inversen Betrieb, was aber zumindest
transistors nur der Teilstrom lplV des Kollektorstromes 15 qualitativ dem einer gesperrten Diode ähnlich ist.)
des Vortransistors hinein, weil auf der Emitterseite Nun war eingangs bereits erwähnt und auch bedes
Vortransistors aus diesem gedachten »Widerstand« gründet worden, daß und warum bei einem linearen
auch nur de· Emitterstrom des Vortransistors Ig v ohmschen Widerstand wie dem Widerstand Λ β in
herausfließt. Die obige Betrachtungsweise der Kollek- F i g. 1 die über die Koppelkapazitäten (welche von
tor-Fmitter-Strecke des Vortransistors als »Wider- 20 den Gleichrichtern C gebildet werden) zu übertragende
stand« impliziert also, daß der andere Teiistrom Ibv Schaltleistung wesentlich größer als bei einer an Stelle
des Kollektorstromes als selbständiger Strom betrachtet von RB eingesetzten Diode sein muß. Diese hohe
wird, der dem Anschlußpunkt des Kollektors des Vor- Schaltleistung führte wiederum, wie ebenfalls eingangs
transistors an die Kollektoren des Steuer- und Schalt- schon erläutert, zu der Notwendigkeit relativ großer
transistors zufließt, d. h., bei der genannten obigen 25 Koppelkapazitäten und bildete damit eine der UrBetrachtungsweise
der Kollekto.-Emitter-Strecken der Sachen der Herabsetzung des oberen Grenzwertes der
Vc/transistoren als »Widerstand« fließt der konstante Repititionsfrequenz bei zu Zählketten zusammen-Basisstrom
I By des Vortransistors sozusagen zum geschalteten Multivibratoren der in F i g. 1 gezeigten
Anschlußpunkt des Kollektors des Vortransistors an Art, und zwar deswegen, weil diese Koppelkapazitäten
die Kollektoren des Steuer- und Schalttransistors. 3" praktisch parallel zu den Signalausgängen der einzelnen
Aus Gründen dieser Betrachtungsweise ist der Multivibratoren der Zählkette geschaltet sind und daher
Kcllektorstrom der Vortransistoren T5 und 7"e in die Schaltzeit der Multivibratoren um die zu ihrer
F i g. 2 in Form der beiden entgegengesetzt gerichteten Aufladung notwendige Zeit vergrößern.
Teilströme Ibv und Iev angegeben. Die Tatsache, daß der von den Kollektor-Emitter-In the above approach of the collector (to be precise, this current -voltage behavior is emitter path of the pre-transistors T 6 and 7 * e than in the case of negative collector-emitter voltages Uce, no "resistance" (see Fig. 3d)) now flows into this path. that of a blocked diode, but rather that of a traditional "resistor" on the collector side of the pre-transistor in inverse operation, which at least transistor only the partial current Ip IV of the collector current 15 is qualitatively similar to that of a blocked diode.) of the pre-transistor in, because on the emitter side Now it was already mentioned at the beginning and also the pre-transistor was founded from this imaginary "resistance" that and why with a linear also only the emitter current of the pre-transistor Ig v ohmic resistance like the resistance Λ β in flows out. The above approach to the collective F i g. 1 the stand to be transmitted via the coupling capacitances (which are formed by the tor-Fmitter path of the pre-transistor as "resistors C to rectifiers)" implies that the other component current Ibv switching capacity is significantly greater than when the collector current is independent Current considered by R B must be the diode used. This high level, which in turn led to the connection point of the collector of the upstream switching power, as also explained at the beginning of the transistor to the collectors of the control and switching circuit, leads to the need for a relatively large transistor, ie, with the aforementioned 25 coupling capacitances and formed Thus, one of the primary ways of considering the collector-emitter paths of the matter of lowering the upper limit value of the Vc / transistors as a "resistance" flows the constant repetition frequency with the base current I By of the pre-transistor, so to speak, to the switched multivibrators in FIG. 1 connection point of the collector of the pre-transistor to type, because this coupling capacitance is the collectors of the control and switching transistor. 3 "practically parallel to the signal outputs of the individual For reasons of this approach, the multivibrators of the counting chain are connected and therefore Kcllektorstrom of the pre-transistors T 5 and 7" e in the switching time of the multivibrators by the time to their F i g. 2 increase the necessary time in the form of the two oppositely directed charging.
Partial currents Ib v and Iev indicated. The fact that the collector-emitter
Der dem Anschlußpunkt des Kollektors des Vor- 35 Strecken der Vortransistoren T5 und Te gebildete The stretch of the pre-transistors T 5 and T e formed at the connection point of the collector of the pre-35
transistors an die Kollektoren des Schalt- und des »Widerstand« bei positi/en Spannungen U ce « bzw.transistor to the collectors of the switching and the "resistor" with positive voltages U ce "resp.
Steuertransistors zufließende konstante Teilstrom Ibv UcEn das gleiche Verhalten wie der Widerstand Rb Control transistor inflowing constant partial current Ibv UcEn the same behavior as the resistor Rb
kann bei dieser Betrachtungsweise einfach zu dem dem in Fig. 1, bei negativen Spannungen l/csi-* bzw. Uce η can simply be compared to that in FIG. 1 with negative voltages l / csi- * or Uce η
gleichen Anschlußpunkt über den Widerstand Rk jedoch angenähert das Verhalten einer im Sperrzustandthe same connection point via the resistor Rk, however, approximates the behavior of one in the blocked state
zufließenden Strom Ik hinzuaddiert werden. Im fol- 40 befindlichen Diode zeigt, ermöglicht es Jäher, dieincoming current Ik are added. The diode located in the fol- 40 shows, it enables the
genden soll daher für die Summe dieser beiden Ströme Koppelkapazitäten bei der Multivibratorschaltung inshould therefore for the sum of these two currents coupling capacitances in the multivibrator circuit in
Ik + hy die Bezeichnung /* verwendet werden, F i g. 2 wesentlich geringer als bei der Multivibrator- Ik + hy the designation / * can be used, F i g. 2 significantly lower than with the multivibrator
wobei also I* = Ik + hv ist. schaltung in F i g. 1 zu wählen und damit eine derwhere I * = Ik + hv . circuit in FIG. 1 to choose and thus one of the
Es ist demgemäß zu der oben angeführten Gegen- Ursachen der Verringerung des oberen Grenzwertes
überstellung der Multivibratorschaltungen in den 45 der Repititionsfrequenz zu beseitigen.
F i g. 1 und 2, bei der die Kollektor-Emitter-Strecken Der Unterschied im dynamischen Verhalten del
der Vortransistoren T5 und Γβ in F i g. 2 als gedachte, Multivibratorschaltungen in den F i g. 1 und 2, der
dem Widerstand Rb in F i g. 1 entsprechende »Wider- sich dadurch ergibt, ist folgender:
stände« aufgefaßt wurden, noch ergänzend zu be- Bei der beim Eintreffen eines Fortschaltimpulses
merken, daß das erwähnte, praktisch identische Ver- 50 vom gesperrten in den durchgeschalteten Zustand überhalten
der beiden Multivibratorschaltungen im stabilen gehenden Schaltstufe eines Multivibrators der in den
Zustand genau genommen erst dann vorhanden ist, F i g. 1 und 2 gezeigten Art wird durch den Fortschaltwenn
die Ströme Ik in F i g. 1 gleich den Strömen /* impuls die Spannung an der Basis des Steuertransistors
in F i g. 2 sind, d. h. also, wenn die Ströme Ik in dieser Schaltstufe über die Spannung am Kollektor des
F i g. 2 um Ißy niedriger als die Ströme Ik in F i g. 1 55 Steuertransistors angehoben und damit die bei MultiHegen,
was sich beispielsweise durch eine entsprechend vibratoren wie in F i g. 1 über Rb liegende Spannung
geringere Spannung U- der Stromversorgungsquelle Und bei Multivibratoren wie in F i g. 2 über der
der Multivibratorschaltung in F i g. 2 erreichen Kollektor-Emitter-Strecke des Vortransistors T5 bzw.
läßt. Tt liegende Spannung negativ, und diese negativeAccordingly, the causes of the reduction in the upper limit value of the multivibrator circuits in Fig. 45 of the repetition frequency must be eliminated.
F i g. 1 and 2, in which the collector-emitter paths The difference in the dynamic behavior del of the pre-transistors T 5 and Γ β in F i g. 2 as imaginary multivibrator circuits in FIGS. 1 and 2, which corresponds to the resistor Rb in FIG. 1 corresponding »Against this results is the following:
When an incremental pulse arrives, notice that the aforementioned, practically identical locking of the two multivibrator circuits in the stable going switching stage of a multivibrator which, strictly speaking, only goes from the locked to the switched state then exists, F i g. 1 and 2 is indicated by the increment when the currents Ik in F i g. 1 equals the currents / * pulse the voltage at the base of the control transistor in FIG. 2, ie if the currents Ik in this switching stage are above the voltage at the collector of F i g. 2 lower by Ißy than the currents Ik in FIG. 1 55 control transistor is raised and thus the MultiHegen, which is, for example, caused by a corresponding vibrator as shown in FIG. 1 voltage above Rb lower voltage U- of the power supply source and with multivibrators as in FIG. 2 above that of the multivibrator circuit in FIG. 2 reach the collector-emitter path of the pre-transistor T 5 or leaves. T t lying voltage negative, and this negative
Während also unter den genannten Voraussetzungen So Spannung vergrößert sich während der Dauer des das statische Verhalten der Multivibratorschaltungen Fortschaltimpulses irrimer mehr, weil die Kollektorin den F i g. 1 und 2 praktisch identisch ist, bestehen spannung des Steuertransistors bei dem durch den im dynamischen Verhalten zwischen der Multivibrator- Fortschaltimpuls ausgelösten Üoergang der Schaltschaltung in F i g. 2 und der Multivibratorschaltung stufe vom gesperrten in den durchgeschalteten Zustand in F i g. 1 ganz wesentliche Unterschiede. 65 von der höheren Kollektoi .pannung einer gesperrtenSo while under the stated conditions So tension increases during the duration of the the static behavior of the multivibrator circuits incremental pulse irrimer more because the collector the F i g. 1 and 2 is practically identical, there is voltage of the control transistor in the case of the in the dynamic behavior between the multivibrator incremental pulse triggered transition of the switching circuit in Fig. 2 and the multivibrator circuit from locked to switched through state in Fig. 1 very significant differences. 65 of the higher collector voltage of a blocked
Einer dieser Unterschiede wird sofort ersichtlich, Schaltstufe auf die niedrigere Kollektorspannung einerOne of these differences is immediately apparent, switching to the lower collector voltage of a switching stage
wenn man die F i g. 3d betrachtet: Während nämlich durchgeschalteten Schaltstufe übergeht,if you look at the F i g. 3d considered: While the switched-through switching stage passes over,
der Widerstand Rb in F i g. 1 ein linearer Widerstand Während nun bei dem Multivibrator nach F i g. 1the resistance Rb in FIG. 1 a linear resistance While now with the multivibrator according to FIG. 1
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der von dieser negativen Spannung angetriebene transistors bei Multivibratorschaltwngen wie in F i g, 2
Strom durch den Widerstand RB proportional dieser normalerweise während der Dauer der Anstiegsflänke
Erhöhung der negativen Spannung ansteigt, geht bei des FortscliaUirnpulses ansteigt. Aber auch diese auf
der Multivibratorschaltung nach Fig, 2 der ent- die genannten höchstmöglichen Toleranzwerte der
sprechende über die Kollektor-Emitter-Strecke des 5 Kollektor-Emitter-Ströme der Vortransistoren zu-Vortransistors
T5 bzw. Ti, abfließende Strom praktisch geschnittenen Koppelkapazitäten liegen mit ihren
bi.Tcits unmittelbar nach Beginn des Fortschaltimpulses Kapazitätswerten noch unterhalb der internen Kain
den von dieser negativen Spannung nahezu un- pazität C1 (s. F ig, 2), die sich aus der Basis-Emitterabhängigen
relativ geringen Kollektor-Emitter-Strom Kapazität des Transistors T1 sowie den Kollektorüber,
der sich aus Fi g. 3d ergibt. Infolge des mit der io Emitter-Kapazitäten der Transistoren T2 und ΤΛ und
Erhöhung der genannten negativen Spannung an- ferner der Kapazität der den Strom Ik liefernden
steigenden Stromes durch Rn sinkt bei Multivibrator- Stromquelle bzw. der parasitären Parallelkapazität
schaltungen wie in F i g. 1 die Spannung an der Basis des an die Kollektoren der Transistoren T2 und T4
des Steuertransistors schon während der Dauer der angeschlossenen Widerstandes Rk zusammensetzt und
Amtiegsfianke des Fortschaltimpulses und dann auch 15 die beim Übergang der die Transistoren T, und T1
während der weiteren Dauer des Fortschaltimpulses enthaltenden Schaltstufe vom durchgeschalteten in
ab, und zwar so lange, bis die Kollektorspannung des den gesperrten Zustand bzw. während der von diesem
Steuertransistors bei der niedrigeren Kollektor- Übergang gebildeten Anstiegsflanke des Fortschaltspannung
einer durchgeschalteten Schaltstufe i.n- impulses am Signalausgang A von der niedrigeren
gelangt ist. Durch eine genügend große Koppel- 20 Kollektorspannung einer durchgeschalteten Schaltkapa?itat
und einen entsprechend großen durch diese stufeauf die höhere Kollektorspannung einer gesperrten
Koppelkapazität fließenden, von der Anstiegsflanke Schaltstufe aufgeladen werden muß. Selbst wenn man
des Fortschaltimpulses erzeugten Strom muß nun mit außerordentlich ungünstigen Werten für die
gewnhrl»istpt uerHpn Haß Hie Spannung an der Basis höchstmögliche Toleranz der genannten Kollektordes
Steuertransistors mindestens so lange über der 25 Emitter-Ströme der Vortransistoren T5 und Te rechnet,
höheren Kollektorspannung einer gesperrten Schalt- ergeben sich Koppelkapazitäten, die um einiges unter
stufe gehalten wird, bis die Spannung an der anderen, der Kapazität C1 liegen. Ein Fortschaltimpuls, der
\om diirchgeschalteten in den gesperrten Zustand über- von einer Zählstufe einer Zählkette aus Multivibratoren
gellenden Schaltslufe des Multivibrators bis nahezu wie in F i g. 2 geliefert wird, wird daher durch den an
auf die höhere Kollektorspannung einer gesperrten 30 den Signalausgang A dieser Zählstufe angeschlossenen
Schaltstufe übergegangen ist. Im Gegensatz dazu steigt Fortschalteingang E der nächstfolgenden Zählstufe
bei einer Multivibratorschaltung nach Fig. 2 die bzw. dadurch, daß zu der während seiner Anstiegs-Spannung
an der Basis des Steuertransistors während flanke aufzuladenden Kapazität C1 noch die praktisch
der Anstiegsflanke des Fortschaltimpulses an. wobei über dem Fortschalteingang E der besagten nächstlcdiglich
die Steilheit des Anstiegs der Basisspannung 35 folgenden Zählstufe liegende Koppelkapazität Ck
des Steuertransistors durch den konstanten Strom, parallel geschaltet wird, hinsichtlich seiner Steilheit
der über die Kollektor-Emitter-Strecke des Vor- nur wenig beeinträchtigt. Im Falle, daß z. B. CK^CJ3
transistors abfließt, verringert wird. Man kann daher ist, kann sich die Steilheit der Anstiegsflanke des Fortbei
Multivibratorschallungen wie in F i g. 2 die schaltimpulses höchstens um 25°/0 verringern.
Koppelkapazität im Prinzip so klein wählen, daß der 40 Im Vergleich dazu müssen die Kapazitätswerte der
Anstieg der Basisspannung des Steuertransistors, der Koppelkapazitäten bei Multivibratoren wie in F i g. 1
sich ohne Berücksichtigung des über die Kollektor- aus den obengenannten Gründen wesentlich größer
Emitter-StreckedesVortransistorsabflipßendenStromes als die besagte interne Kapazität C1 sein, beispielsergcben
würde, gerade gleich der durch diesen Strom weise etwa zwei- bis dreimal so groß, und dadurch
verursachten Verminderung des Anstiegs der Basis- 45 wird die Steilheit der Anstiegsflanke des Fortschaltspannung
des Steuertransistors ist (wobei in den Strom impulses um 66 bis 750J0 bzw. auf ein Drittel bis ein
neben dem vom Kollektor zum Emitter des Vor- Viertel der Steilheit bei unbelastetem Signalausgang A
transistors fließenden Wirkstrom auch der zwischen verringert.The transistor driven by this negative voltage in multivibrator switching as shown in Fig. 2, the current through the resistor R B rises proportionally to this normally during the duration of the increase in the rising edge of the negative voltage, goes up when the continuation pulse rises. But also these on the multivibrator circuit according to FIG. 2 of the mentioned highest possible tolerance values of the speaking coupling capacitances practically cut across the collector-emitter path of the collector-emitter currents of the pre-transistors to pre-transistor T 5 or Ti, respectively with their bi.Tcits immediately after the start of the incremental pulse, the capacitance values are still below the internal Kain from this negative voltage, which is almost un- capacitance C 1 (see Fig. 2), which results from the base-emitter-dependent relatively low collector-emitter current Capacity of the transistor T 1 and the collector, which is shown in Fi g. 3d results. As a result of the with the io emitter capacities of the transistors T 2 and Τ Λ and increase of the said negative voltage and also the capacity of the current Ik delivering increasing current through R n decreases with multivibrator current source or the parasitic parallel capacitance circuits as in F i g. 1 the voltage at the base of the to the collectors of the transistors T 2 and T 4 of the control transistor already during the duration of the connected resistor Rk and Amtiegsfianke of the incremental pulse and then also 15 at the transition of the transistors T, and T 1 during the other Duration of the switching step containing the switching pulse from switched to off, until the collector voltage of the blocked state or during the rising edge of the switching voltage of a switched switching step formed by this control transistor at the lower collector transition in impulses at the signal output A of the has reached lower. A sufficiently large coupling collector voltage of a switched-through switching capacitance and a correspondingly large through this stage to the higher collector voltage of a blocked coupling capacitance must be charged by the rising edge of the switching stage. Even if the current generated by the incremental pulse must now be calculated with extraordinarily unfavorable values for the normal voltage at the base, the highest possible tolerance of the mentioned collector of the control transistor at least as long above the 25 emitter currents of the pre-transistors T 5 and T e , higher Collector voltage of a locked switching result in coupling capacitances, which is kept a little below level until the voltage is on the other, the capacitance C 1 . An incremental pulse that moves the multivibrator from a counting stage of a counting chain of multivibrators to almost as shown in FIG. 2 is supplied, is therefore passed over to the signal output A of this counting stage connected to the higher collector voltage of a blocked 30 switching stage. In contrast increment input E rises the next succeeding counter stage at a multivibrator circuit according to Fig. 2, or characterized in that on to that during its rise in voltage at the base of the control transistor during edge-charged capacitor C 1 is still practically the rising edge of index pulse. The coupling capacitance Ck of the control transistor, which is connected to the control transistor through the constant current, is connected in parallel via the incremental input E of the said next counting stage, which only follows the steepness of the rise in the base voltage 35, only slightly affected in terms of its steepness over the collector-emitter path of the pre. In the event that z. B. C K ^ CJ3 transistor drains is reduced. It is therefore possible to determine the steepness of the rising edge of the multivibrator noise as shown in FIG. 2 reduce the switching impulse by a maximum of 25 ° / 0 .
In principle, choose the coupling capacitance so small that the 40 In comparison, the capacitance values must reflect the increase in the base voltage of the control transistor, the coupling capacitances in multivibrators as in FIG. 1 would be, without taking into account the emitter path of the pre-transistor draining current that is much larger than the aforementioned internal capacitance C 1 , for the reasons mentioned above, just the same as that caused by this current, about two to three times as large, and the resulting reduction in the The rise of the base 45 is the steepness of the rising edge of the stepping voltage of the control transistor (whereby in the current pulse by 66 to 75 0 J 0 or to a third to one next to that from the collector to the emitter of the quarter of the steepness with an unloaded signal output A transistor flowing active current also decreased between the.
diesen beiden Punkten fließende Blindstrom mit ein- Der Unterschied im dynamischen Verhalten zwischenThe difference in dynamic behavior between these two points flowing reactive current with one
7urc7ielien ist), se daß die Spannung an der Basis 50 Multivibratoren wie in F i g. 1 und Multivibrntoren7urc7ielien) that the voltage on the base 50 multivibrators as in Fig. 1 and multivibrator doors
des Steuertransistors nach einer anfänglichen kurzen wie in Fig. 2, der sich aus der infolge des Ersatzesof the control transistor after an initial short as in Fig. 2, which results from the result of the replacement
Anhörung auf Spannungswerte über der genannten der linearen Widerstände Rb durch die Vortran-Hearing on voltage values above the said one of the linear resistances Rb by the forward trans-
hc hcrcn Kollektorspannung einer gesperrten Schalt- sistoren T6 und T6 ermöglichten Verringerung derhc hcrcn collector voltage of a blocked switching transistor T 6 and T 6 made it possible to reduce the
stufe während der Dauer der Anstiegsflanke des Fort- Koppelkapazitäten ergibt, ist also zusammengefaßtstage results during the duration of the rising edge of the continuation coupling capacities, is therefore summarized
süialtimpulses annähernd konstant bleibt, In der 55 erstens der unterschiedliche zeitliche Verlauf dersüialtimpulses remains approximately constant, In the 55 first the different time course of the
I-raxis Werden die Koppelkapazitätcn aus Sicherheits- Basisspannung des jeweils mit dem FortschaltimpulsIn practice, the coupling capacitances are based on the safety base voltage of the respective incremental pulse
giünden jedoch nicht ganz so gering gewählt, bzw. beaufschlagten Steuertransistors und zweitens dieHowever, the chosen control transistor is not as low as possible and, secondly, the control transistor
genauer gesagt werden für diese Köllektöf-Ermtter- unterschiedliche Steilheit der Ansüegsflanken def ammore precisely, for this Köllektöf-Ermtter, different steepnesses of the slope flanks are def am
Strome der Vortransistoren die höchstmöglichen Signalausgang an die nächstfolgende Zählstufe ab-Currents of the pre-transistors send the highest possible signal output to the next counting stage.
Toleran2wertecingcsetzl,tir.dfürdiesehöchstmöglichen 60 gegebenen Fortsclialtimpulsö,Toleran2wertecingcsetzl, tir.d for the highest possible 60 given continuation impulses,
Toleranzwerte wird die Bemessung der Koppel· Ein weiterer Wesentlicher Unterschied im dynatni-Tolerance values are determined by the dimensioning of the coupling.Another essential difference in the dynamic
kapazitäten so getroffen, daß die obige Voraussetzung sehen Verhalten zwischen Multivibratoren wie incapacities are met in such a way that the above condition can be seen behavior between multivibrators as in
einer wahrend der Dauer der Ansticgsflünkc des Fort- F i g. 1 und Multivibratoren wie in F i g. 2 bestehtone during the period of the initial flukes of progress. 1 and multivibrators as in FIG. 2 exists
schaltimpulses etwa konstant bleibende Basisspannung darin, daß bei Multivibratoren wie in Fig. 1 dieswitching pulse approximately constant base voltage in the fact that in multivibrators as in Fig. 1 the
des Slcucrtransistors erfüllt ist. Dies führt bei den 65 Umladung der Koppelkapazitälen Schwierigkeitenof the Slcucrtransistor is fulfilled. This leads to difficulties when reloading the coupling capacities
noimaleiwcise unter dieser oberem Tolcranzgrcnze bereitet bzw, eine beträchtliche Zeit in AnspruchNoimaleiwcise under this upper Tolcranz limit prepares or takes a considerable amount of time
liegenden Kollcktor-Emittcr-Strömen der Vor- nimmt, während bei Multivibratoren wie in F i g. 2lying Kollcktor-Emittcr-currents, while with multivibrators as in F i g. 2
transistoren dazu, daß die Basisspannung des Steuer- die Umladung der Koppclkapazitälett außerordentlichtransistors to the fact that the base voltage of the control- the reversal of the Koppclkapazitälett extraordinarily
' 2 0Ü8'147'2 0Ü8'147
15 ,1615, 16
rasch vor sich geht. Dies soll im folgenden näher er- transistors infolge des über Jin abfließenden Stromes läutert werden; bereits bis auf die niedrigere Kollektorspannung einer Wie oben bereits erwähnt, müssen bei Multi- durchgeschajteten Schaltstufe abgesunken ist, dann yibratorschaltungen wie. in F i g, I die Koppelkapazi- wird die Basisspannung des Steuertransistors durch täten wesentlich größer als die internen Kapazitäten C1 5 die Abfallflanke des Fortschaltimpulses nochmals sein. Das hat zur Folge, daß nahezu der gesamte μτπ nahezu den negativen Spannungshub der Abfall-Spannungshub der Fortschaltimpulse von dem Signal- flanke des Fortschaltimpulses abgesenkt, d, h„ die ausgang Λ einer Zählstufe auf die Basis-Emitter- Basisspannung des Steuertransistors liegt dann am Strecken der Steilertransistoren der nächstfolgenden Ende der Abfallflanke des Fortschaftimpulses bei einer ! Zählstufe über tragen wird, Eine.Ausnahme von dieser io Spannung, die um die Spannungsdifferenz zwischen || ,allgemeinen Regel ergibt sich lediglich für die Über- der höheren Kollektorspannung einer gesperrten l\ tragung der Abstiegsflanke des Fortschaltimpulses auf Schaltstufe und der niedrigeren Kollektorspannung f„ die Basis-Emitter-Strecke des Steuertransistors der einer durchgeschalteten Schaltstufe unter der niedrij jeweils während dieser Anstiegsflanke vom gesperrten geren Kollektorspannung einer (i-jrchgeschalteten [j in den durchgeschalteten Zustand übergehenden Schalt- 15 Schaltstufe liegt. Im ersteren Fall, wenn also die Abfallstufe, weil die Basis-Emitter-Strecke dieses Steuer- flanke des Fortschaltimpulses unmittelbar nach dem . transistors die an ihr abfallende Spannung infolge Ende der Anstiegsflanke des Fortschaltimpulses eindes exponentiellen Verlaufes des Basisstromes über der setzt und am Ende der Abfallflanke des Fortschalt-Basis-Emitter-Spannung nach oben zu begrenzt (diese impulses die Basisspannung des Steuertransistors Begrenzung tritt erst dann nicht mehr in Erscheinung, 20 gleich der genannten niedrigeren Kollektorspannung : wenn die Zeitdauer der Anstiegsflanke des Fortschalt- einer durchgeschalteten Schaltstufe ist, bleibt die impulses kleiner als die Laufzeit der dem exponentiellen Basisspannung des Steuertransistors bis zum Beginn ; Eingangswiderstand vorgeschalteten Laufzeitkettewird, der Anstiegsflanke des nächsten Fortschaltimpulses mit der sich das Verhalten des Steuereinganges bzw. auf dieser niedrigeren Kollektorspannung einer durchder Basis-Emitter-Strecke eines Transistors für höhere 25 geschalteten Schaltstufe, weil die Spannungsdifferenz Frequenzen nachbilden läßt, und die für niedrigere über dem Widerstand Rb und damit der Strom durch Frequenzen einfach zu der Eingangskapazität der denselben Null ist. Im letzteren Fall, wenn also die j ' Basis-Emitter-Strecke zusammengefaßt werden kann). Abfallflanke des Fortschaltimpulses erst einsetzt, j Am Ende der Anstiegsflanke eines Fortschaltimpulses wenn die Basisspannung des Steuertransistors durch IiCj5S die Basisspannung des Steuertransistors der 30 Stromabfluß über Rb bereits auf die niedrigere KoI-während dieser Anstiegsflanke vom gesperrten in den lektorspannung einer durchgeschalteten Schaltstufe durchgeschalteten Zustand übergehenden Schaltstufe abgesunken ist, steigt die Basisspannung des Steueretwa bei der genannten höheren Kollektorspannung transistors nach dem Ende der Abfallflanke des ei;ier gesperrten Schaltstufe. Dies war ja oben bereits Fortschaltimpulses bis zum Beginn der Anstiegserwähnt und auch erläutert worden, denn um diese 35 flanke des nächsten Fortschaltimpulses wieder bis auf Bedingung einzuhalten, mußten ja bei Multivibratoren die niedrigere Kollektorspannung einer durchgewie in F i g. 1 die Koppelkapaziläten so groß gewählt schalteten Schaltstufe an, und zwar deswegen, weil die werden. Nach dem Ende der Anstiegsflanke des Fort- Zeitspanne vom Ende der Anstiegsflanke des Fortjchaltimpulses sinkt die Basisspannung des Steuer- schaltimpulses bis zum Beginn der Abfallflanke des transistors der nunmehr (von der Anstiegsflanke des 40 Fortschaltimpulses etwa ebenso groß wie die Zeitspanne Fortschaltimpulses) durchgcschaltetcn Schaltstufe bei vom Ende der Abfallflankc des Fortschaltimpulses Multivibratorschaltungen wie in F i g. 1 infolge des bis zum Beginn der Anstiegsflanke des nächsten Fortüber den Widerstand Rn von der Basis des Steujr- schaltimpulses ist und auch die Spannungsdifferenzen, transistors (welche am Ende der Anslicgsflanke des weiche die Basisspannung des Steuertransistors Fortschaltimpulses auf der genannten höheren Kollek- 45 während dieser Zeitspannen durchläuft, gleich groß torspannung einer gesperrten Schaltstufe liegt) zum sind. Das gleiche gilt auch dann, wenn die Abfall-Kollektor des Steuertransistors (welcher am Ende der flanke des Fortschaltimpulses zu irgendeinem Zeit-Anstiegsflanke des Fortschaltimpulses auf der ge- punkt nach dem Ende der Anstiegsflanke des Fortnanntcn niedrigeren Kollektorspannung einer duich- schaltimpulses einsetzt, zu dem die Basisspannung geschalteten Schaltstufe liegt) abfließenden Stromes 50 des Steuertransistors auf irgendeinem /wischenwert ab, und zwar so lange, bis entweder die Abfallilanke zwischen der höheren Kollektorspannung einer gedes Fortschaltimpulses kommt oder bis die Basis- sperrten Schaltslufe und der niedrigeren Kollektor- »pannung des Steuertransistors die genannte niedrigere spannung einer durchgeschaltelcn Schaltstufe liegt. Kollektorspannung einer durchgeschalteten Schalt- Mithin ergibt sich, daß die Basisspannung des Steuer- »tufe erreicht hat. Setzt die Abfallflankc des Fort- 55 transistors einer bei der Anstiegsflanke eines Fort-.. schaltimpulses unmittelbar nach dem Ende der An- schaltimpulses vom gesperrten in den durchgeschal-5I stiegsfiänke des Fortschaltimpülses ein, dann ist die teten Zustand übergehenden Schaltstufe zum Zeit-Spannungsvcrringerung der Basisspannung des Steuer- punkt des Beginns der Anstiegsflanke des nächsttransistörs, die durch den über Rn abfließenden Strom folgenden Föftschaltimpulses bei Multivibrator* verursacht wird, am Ende der Abfallsflanke daher 60 schaltungen wie in F i g. 1 bei der niedrigeren Kollekpraktisch nur der negative Spannungshub der Abfall- torspannung einer durchgeschaltctcn Schaltstufe liegt, flanke des Fortschaltimpulses auf die Dasis des Steuer- Der besagte nächstfolgende Fortschaltitnpuls schaltet transistors übertragen, so daß die Basis des Steuer- nun die andere Schaltstufe durch und wirkt sich auf transistors am Ende der Abfallflanke des Fortschalt- die betrachtete Schaltstufe bzw, auf die Basisspannung impulses auf der genannten niedrigeren Kollektor- 65 des Steuertransistors dieser Schaltstufe nur in dem Sinn spannung einer durchgeschaiteten Schaltstufe liegt, aus, daß die Dasisspaiwung des Steuertransistors Setzt hingegen die Abfallflanke des Fortschaltimpulses während seiner Anstiegsflanke um nahezu den positiven erst dann ein, Wenn die Basisspannting des Steuer- Spaimungshub dieser Anstiegsnailke angehoben undis going on quickly. This will be clarified in the following in greater detail about the transistor as a result of the current flowing off via Ji n; already down to the lower collector voltage of a As already mentioned above, with multi-through-connected switching stage must have sunk, then yibratorschaltungen like. ig in F, I, will be Koppelkapazi- by activities substantially greater than the internal capacitances C 1 5, the trailing edge of the indexing pulse again, the base voltage of the control transistor. As a result, almost the entire μτπ almost the negative voltage swing of the drop voltage swing of the incremental pulses is lowered by the signal edge of the incremental pulse, i.e. the output Λ of a counting stage on the base-emitter base voltage of the control transistor is then applied Stretching the steeper transistors of the next following end of the falling edge of the continuation pulse in the case of a! Counting stage is transmitted, an exception to this io voltage, which is the voltage difference between || , the general rule is obtained only for the exceeding of the higher collector voltage of a locked l \ transfer of the falling edge of the Fort switching pulse to switching stage and the lower collector voltage f "the base-emitter path of the control transistor of a switched-through switching stage under the niedrij respectively during this rising edge of The blocked collector voltage of a (i-jrchgeschaltet [j switching stage transitioning to the switched-through state is its falling voltage as a result of the end of the rising edge of the incremental pulse an exponential curve of the base current above which sets and at the end of the falling edge of the incremental base-emitter voltage is limited upwards (this impulse, the base voltage of the control transistor limitation does not appear any more ung, 20 equal to the mentioned lower collector voltage: if the duration of the rising edge of the switching stage is a switched-through switching stage, the pulse remains smaller than the running time of the exponential base voltage of the control transistor up to the beginning; Input resistance upstream delay chain, the rising edge of the next incremental pulse with which the behavior of the control input or on this lower collector voltage of a switching stage connected through the base-emitter path of a transistor for higher 25, because the voltage difference can be reproduced frequencies, and for lower frequencies above the Resistance Rb, and therefore the current through frequencies simply to the input capacitance which is the same zero. In the latter case, if the j 'base-emitter path can be combined). Falling edge of the incremental pulse only sets in, j At the end of the rising edge of an incremental pulse when the base voltage of the control transistor through IiCj 5 S the base voltage of the control transistor the 30 current outflow via Rb already on the lower KoI - during this rising edge from the blocked to the lector voltage of a switched-through switching stage is dropped, the base voltage of the control rises, for example at the said higher collector voltage transistor after the end of the falling edge of the ei; ier blocked switching stage. This was already mentioned and also explained above for the incremental pulse up to the beginning of the increase, because in order to maintain this edge of the next incremental pulse again up to condition, the lower collector voltage of the multivibrators had to be through-out in FIG. 1 the coupling capacities selected so large switched on switching stage, because they are. After the end of the rising edge of the continuation pulse from the end of the rising edge of the continuation pulse, the base voltage of the control switching pulse falls until the beginning of the falling edge of the transistor, which now (from the rising edge of the incremental pulse about the same as the period of incremental pulse) switches the switching stage through End of the falling edge of the incremental pulse multivibrator circuits as in FIG. 1 as a result of the resistance Rn from the base of the control switching pulse up to the beginning of the rising edge of the next step and also the voltage differences, transistor (which at the end of the starting edge of the soft the base voltage of the control transistor stepping pulse on the said higher collector 45 during this Runs through time spans, the same size gate voltage of a locked switching stage is) to are. The same also applies if the falling collector of the control transistor (which at the end of the edge of the incremental pulse at any time-rising edge of the incremental pulse on the point after the end of the rising edge of the continued lower collector voltage of a duich-switching pulse begins the base voltage switched switching stage lies) the current 50 of the control transistor flowing off at any / intermediate value, until either the falling edge between the higher collector voltage of an incremental pulse comes or until the base-blocked switching operation and the lower collector voltage of the control transistor said lower voltage of a switched-through switching stage is located. Collector voltage of a switched-through switching. It follows that the base voltage of the control stage has reached. Constitutes Abfallflankc the continuation 55 transistor a .. switching pulse immediately switching pulse at the rising edge of a continuation of the end of arrival from cutoff to durchgeschal- 5 I stiegsfiänke of Fortschaltimpülses, then the ended state is transitioning switching step for time-Spannungsvcrringerung is the base voltage of the control point of the start of the rising edge of nächsttransistörs the following by the flowing current through Rn Föftschaltimpulses at multivibrator causing *, therefore, circuits 60 at the end of the trailing edge as in F i g. 1 at the lower collector there is practically only the negative voltage swing of the drop gate voltage of a switched-through switching stage, the edge of the incremental pulse is transmitted to the control on transistor at the end of the falling edge of the switching stage or on the base voltage pulse on the lower collector mentioned 65 of the control transistor of this switching stage is only in the sense of voltage of a switched switching stage, from that the voltage of the control transistor sets the falling edge of the incremental pulse during its rising edge by almost the positive one only when the base tensioning of the control relaxation stroke is raised and this rising edge
17 ' 1817 '18
Während seiner Abfallflanke wieder um nahezu den Stufe und cjer niedrigeren Kollektorspanrmng
negativen SpanmmgsliWb dieser Abfallflanke abgesenkt cjurchgeschalteten Sohaltstufe unter der KoIJektoi
;j ' wird und somit sm Ende der Abfajlflanke dieses nächst- spannung des Steuertransistors liegen soll, so ist di
j . folgenden Fortschaltimpulses wieder auf der m'edri- erforderliche Ladezeit gleich dem Dreifachen der sie]
geren Kollektorspannung einer durchgeschalteten 5 aus dem Produkt des Widerstandes Rb mit der Summ
■ Schaltstufe liegt, Eine wesentlichen Spannungsänderung der Koppel kapazität und der genannten Eingangs
der Basisspannung des Steuertransistors infolge'Strom- kapazität ergebenden Ladezeitkonstante,
fjusses über Stritt während der Dauer dieses nächsten Würde man nun bei einer Multivibratorschaltunj
Fortschaltimpulses nicht auf, weil gleichzeitig damit, wie in Fig, 1 die Koppelkapazitäten von beispiels
daß die Basisspannung des Steuertransistors von der io weise dem dreifachen Wert der oben erwähnten Ka-Anstiegsflanke
dieses nächsten Fortschaltimpulses pazität C1 (s. F i g, 2) auf ein Drittel dieser Kapaum
nahezu den positiven Spannungshub dieser zität C1 bzw., aa diese Kapazität C1 etwa gleich derr
Anstiegsflanke angehoben wird, auch die Kollektor- Anderthalbfachen der Eingangskapazität der Basisspannung
des Steuertransistors entsprechend ansteigt, Emitter-Strecke eines Steuertransistors (in F i g. 2
weil die betrachtete Schaltstufe während der An- *5 C3 und C4) ist, von dem 4,5fachen der Eingangskapastiegsflanke
dieses nächsten Fortschaltimpulses vom zität der Basis-Emitter-Strecke des Steuertransistors
durchgeschalteten in den gesperrten Zustand über- auf die Hälfte dieser Eingangskapazität absenken
geht. können, so würde sich erstens die genannte Ladeze't-AIs
Fazit der obigen betreffs Multivibratorschal- konstante um den Faktor 3 verkleinern, und zweitens
tungen wie in F i g. 1 angestellten Überlegungen ergibt 20 würde die Spannungsdifferenz, die während der gesich
somit, daß die Basisspannung des Steuertran- nannten Aufladezeit zu durchlaufen wäre, wesentlich
sistors einer im gesperrten Zustand befindlichen geringer werden. Denn in diesem Fall würde von dem
Schaltstufe am Ende der Abfallfianke des Fortschalt- Spannungshub der Anstiegs- und Abfallflanke des
impulses, welcher dem mit seine/ Anstiegsflanke diese Fortschaltimpulsjs wegen der wesentlich kleineren
Schaltstufe durchschaltenden Fortschaltimpuls voran- 25 Koppelkapazität nur ein Bruchteil auf die Basisgeht,
noch gleich der niedrigeien Kollektorspannung Emitter-Strecken der Steuertransistoren übertragen
einer durchgeschalteten Schakstufe ist, während diese werden, und zwar, wenn die Koppelkapazität gleich
Basisspannung des Steuertransistors zum Zeitpunkt der halben Eingangskapazität der Basis-Em-tterdes
Beginns der Anstiegsflanke des diese Schaltstufe Strecken der Steuertransistoren ist, nur ein Drittel
durchschaltenden Fortscvialtimpulses bereits nahezu 30 dieses Spannungshubes. Mithin würde, wie sich aus
gleich der höheren Koliekiorspannung einer ge- einer analogen Anwendung der obigen Überlegungen
sperrten Schaltstufe sein muß, wenn mit Sicherheit ge- ergibt, die Basisspannung des Steuertransistors einer
währleistet werden soll, daß dieser Fortschaltimpuls im gesperrten Zustand befindlichen Schaltstufe am
tatsächlich diese Schaltstufe durchschaltet. Die Basis- Ende der Abfallflanke des Fortschaltimpulses, der
spannung des Steuertransistors muß also während der 35 dem diese Schaltstufe durchschaltenden Fortschalt-Dauer
einer Pause zwischen zwei Fortschaltimpulsen impuls vorangeht, um etwa ein Drittel des negativen
von der niedrigeren Kollektorspannung einer durch- Spannungshubes der Abfallflanke dieses Fortschaltgeschalteten
Schaltstufe auf die höhere Kollektor- impulses unter der genannten höheren Kollektorspannung
einer gesperrten Schaltstufe erhöht werden, spannung einer gesperrten Schaltstufe liegen. Diese
und hierzu muß, wie eingangs schon erwähnt, die an 40 Spannungsdifferenz zwischen der Basisspannung und
die Basis dieses Steuertransistors angeschlossene re- der Kollektorspannung des Steuertransistors müßte
lativ große Koppelkapazität und außerdem noch sich voraussetzungsgemäß wahrend der Ladezeit bis
die Eingangskapazität der Basis-Emitter-Strecke des auf 5°/c der gesamten Spannungsdifferenz zwischen
Steuertransistors über den Widerstand Rb um etwa der höheren Kollektorspannung einer gesperrten
die Spannungsdifferenz zwischen der höheren KoI- 45 Schaltstufe und der niedrigeren Kollektorspannung
lektorspannung einer gesperrten Schaltstufe und der einer durchgeschalteten Schaltstufe, d. h. also bis auf
niedrigeren Kollektorspannung einer durchgeschal- 15°/0 ihres Anfangswertes verringern. Die dazu erteten
Schaltstufe aufgeladen werden. forderliche Ladezeit ist gleich dem l.Qfachen der Lade-Es
ergibt sich also bei Multivibraiorschaliungen zeitkonstante, und da lclztere, wie erwähnt, um den
wie in Fig. 1 auf Grund der erforderlichen relativ 50 Faktor 3 kleiner als die bei großen Koppelkapazitäten
großen Koppelkapazitäten erstens eine relativ große sich ergebende Ladezeitkonstante ist, wäre also die
Spannungsdifferenz (nämlich die gesamte Spannungs- Ladezeit bei Koppelkapazitäten von einem Drittel der
differenz zwischen der höheren Kollektorspannung genannten Kapazität C1 gleich dem 0,63fachen der
einer gesperrten Schaltstufe und der niedrigeren KoI- sich bei Koppelkapazitäten vorn Dreifachen der gelektorspannung
einer durchgeschaltetcn Schaltstufe), 55 nannten Kapazität C, ergebenden Ladezeit nstante.
um die die Koppelkapazität und die Hingangskapazität Durch Verringerung derN Koppelkapazita ;n Vom
der Basis-Emitter-Strecke des Steuertransistors inner- Dreifachen auf ein Drittel der genannten Kapazität C1
halb einer Pause zwischen zwei Fortschaltimpulsen ließe sich also bei Multivibratorschaltungen wie in
aufgeladen Werden müssen, und zweitens, ebenfalls F i g. 1 eine Verringerung der genannten Ladezeit
wegen der relativ großen Koppelkapazitäten, eine re- 60 vom Dreifachen auf das O,63fache der sich bei Koppellativ
große Ladezeitkonstante, da letztere ja gleich kapazitäten von Dreifachen der genannten Kapazität
; dem Produkt aus Rb und der Summe der Koppel- C1 ergebenden Ladezeitkonstante und damit also eine
• kapazität und der genannten Eingangskapazität ist. Verringerung der genannten Ladezeit um den Faktor 5
Setzt man voraus, daß die Basisspannung des Steuer- erzielen. Nun ist es aber aus den oben bereits näher
; transistors zu Beginn der Anstiegsflanke des die be- 63 erörterten Gründen bei Multivibratorschaltungen wie
treffende Schaltstufe durchschallenden Fortschaltim- in F ί g. 1 nicht möglich, die Koppelkapazitäten zu
pulses um 5% der Spannungsdifferenz zwischen der verrringen, und damit entfällt für Multivibratörhöhcrcn
Kollektorspannung einer gesperrten Schall· schaltungen wie in F i g. 1 auch die Möglichkeit-During its falling edge again by almost the same step and lower collector voltage
negative SpanmmgsliWb this falling flank lowered by the switched so-off stage under the KoIJektoi ; j 'and thus sm the end of the falling edge of this next voltage of the control transistor should be, then di j. following incremental pulse again on the m'edri- required charging time equal to three times the higher collector voltage of a connected 5 from the product of the resistance Rb with the summ ■ switching stage, a significant voltage change in the coupling capacitance and the mentioned input of the base voltage of the control transistor as a result 'Charging time constant resulting in current capacity,
fjusses über Stritt during the duration of this next one would now with a Multivibratorschaltunj incremental pulse, because at the same time, as in Fig Next incremental pulse capacity C 1 (see Fig. 2) to a third of this capacity almost the positive voltage swing of this capacity C 1 or, aa this capacity C 1 is raised about the same as the rising edge, also the collector one and a half times the input capacity of the base voltage of the control transistor rises accordingly, emitter path of a control transistor (in Fig. 2 because the switching stage under consideration is during the on * 5 C 3 and C 4 ), of 4.5 times the input cap rising edge of this next incremental pulse from the rate of the base Emitter path of the control transistor switched through to the blocked state over half of this Lower input capacitance is possible. can, then firstly the above-mentioned charging time AIs conclusion of the above regarding multivibrator switching constant would decrease by a factor of 3, and secondly, the results as in FIG. 1 given considerations results in 20 the voltage difference, which would be significantly lower during the entire so that the base voltage of the control circuit called charging time would have to be run through, sistor of a locked state. Because in this case, from the switching stage at the end of the falling edge of the incremental voltage swing of the rising and falling edge of the pulse, which precedes the incremental pulse switching through this incremental pulse due to the significantly smaller switching stage, only a fraction goes to the base, is still equal to the low collector voltage emitter paths of the control transistors transmitted by a switched switching stage, while these are, namely, if the coupling capacitance is equal to the base voltage of the control transistor at the time of half the input capacitance of the base-em-tter des the beginning of the rising edge of this switching stage routes of the control transistors is, only a third through-switching continuous pulse already almost 30 of this voltage swing. Thus, as the higher Koliekiors voltage of a switched-off switching stage must be, if it is certain that the base voltage of the control transistor is to ensure that this switching pulse in the switched-off state is actually in the switched-off state this switching stage switches through. The base end of the falling edge of the incremental pulse, the voltage of the control transistor, must therefore be preceded by a pause between two incremental pulses during the incremental switching duration, by about a third of the negative of the lower collector voltage of a through-voltage swing of the falling edge of this Continuous switching stage to which the higher collector pulse is increased below the above-mentioned higher collector voltage of a blocked switching stage, the voltage of a blocked switching stage. This and for this, as already mentioned at the beginning, the re the collector voltage of the control transistor connected to the voltage difference between the base voltage and the base of this control transistor would have to have a relatively large coupling capacitance and furthermore, according to the prerequisite, during the charging time up to the input capacitance of the base-emitter path the 5 ° / c of the total voltage difference between the control transistor across the resistor Rb by about the higher collector voltage of a blocked the voltage difference between the higher KoI 45 switching stage and the lower collector voltage reading of a blocked switching stage and that of a switched switching stage, i.e. down to a lower level Reduce the collector voltage of a connected 15 ° / 0 of its initial value. The switching stage set for this is charged. The required charging time is equal to the 1.Qfold of the charging time. In the case of multi-vibra-optical formwork, the result is a time constant, and since the latter, as mentioned, is smaller by a factor of 3, as in Fig. 1, than the high coupling capacities in the case of large coupling capacities If the resulting charging time constant is relatively large, the voltage difference (namely the total voltage charging time for coupling capacitances of a third of the difference between the higher collector voltage called capacitance C 1 would be equal to 0.63 times that of a locked switching stage and the lower KoI- itself at Coupling capacitances at three times the voltage of a switched-through switching stage), 55 called capacitance C, resulting charging time n constant. around which the coupling capacitance and the input capacitance By reducing the N coupling capacitance; n From the base-emitter path of the control transistor within threefold to a third of the mentioned capacitance C 1 half a pause between two incremental pulses could be charged with multivibrator circuits as in , and secondly, also F i g. 1 a reduction in the charging time mentioned because of the relatively large coupling capacities, a re 60 by three times to 0.63 times the charging time constant, which is large in the case of coupling, since the latter has three times the capacity mentioned; the product of Rb and the sum of the coupling C 1 resulting charging time constant and thus a • capacity and the input capacity mentioned. Reduction of the mentioned charging time by a factor of 5 Assuming that the base voltage of the control unit is achieved. But it is now closer from the above; transistor at the beginning of the rising flank of the stepping process that echoes the reasons discussed in multivibrator circuits such as the relevant switching stage. 1 it is not possible to reduce the coupling capacitances to pulses by 5% of the voltage difference between the and thus omitted for multivibrator increased collector voltage of a blocked sound circuit as in FIG. 1 also the possibility
19 ^ 2019 ^ 20
Verringerung der Koppelkapazitäten die ge-i folgt, daß die genannte Ladezeit kürzer als die An-Reduction of the coupling capacities, it follows that the charging time mentioned is shorter than the connection
pnnte Ladezeit zu verkürzen, sjiegsflanke des Fortschaltimpnlsos sein muß, undpnnt to shorten the loading time, must be sjiegsflanke of the stepping pulse, and
""; Bej Multivibratoren wie in Fig, 2 hingegen ist cjami't bestimmt nicht mehr die genannte Ladezeit,""; Bej multivibrators as in Fig, 2, however, cjami't definitely no longer the specified charging time,
eine solche Verringerung der Koppelkapazitäten, wie sondern die Zeitdauer der Ansliegsflnnke eines Fort-such a reduction in the coupling capacities as the duration of the adjacent edge of a continuation
öben ebenfalls eingehend erörtert, ohne weiteres 5 schaltimpulses den oberen Gren?wert der erreichbarenAlso discussed in detail above, without further 5 switching impulses the upper limit of the achievable
möglich, so daß sich mit dieser Verringerung der Repetitionsfrequenz,possible, so that with this reduction in the repetition frequency,
Koppelkapazitäten auch c"ie genannte Ladezeit ver- Der zweite wesentliche Unterschied im dynamischenCoupling capacities also called charging time. The second essential difference in dynamic
kürzen läßt, Neben dieser Ursache der verringerten Verhalten zwischen MultivibratorschalHingßn Wl'e inIn addition to this cause of the reduced behavior between multivibrator scarfHingßn Wl'e in
Koppelkapazitäten tritt aber bei Multivibratoren wie F ί g, 1 und Multivibratorschaltungen wie in F i g, 2However, coupling capacitance occurs in multivibrators like F ί g, 1 and multivibrator circuits like in F i g, 2
in Fig, 2 noch eine weitere Ursache für eine zusatz- io besteht also darin, daß bei Multivibraxoren wie inIn Fig. 2 still another cause for an additional io is that in multivibraxors as in
liehe Verringerung der genannten Ladezeit in Er- F ί g. 1 die genannte Ladezeit den oberen Grenzwertlent reduction of the charging time mentioned in F ί g. 1 the specified charging time is the upper limit value
scheinung: Wenn nämlich die Kollektor-Emitter- der Repetitionsfrequenz bestimmt, während bei MuI-appearance: If namely the collector-emitter determines the repetition frequency, while
Spannung eines Vortransistors T5 bzw. TB, die ja gleich tivitratoren wie in F i g. 2 die genannte Ladezeit fürVoltage of a pre-transistor T 5 or T B , which is the same tivitrators as in FIG. 2 the stated charging time for
der Spannung zwischen Kollektor und Basis des zu- den oberen Grenzwert der Repetitionsfrequenz keinethe voltage between the collector and the base of the upper limit value of the repetition frequency none
geordneten Steuertransistors Tn bzw. !T4 ist, wesentlich 15 Rolle mehr spielt, sondern dieser obere Grenzwert vonordered control transistor T n or! T 4 is, significantly 15 role more plays, but this upper limit of
größer als die Offsetspannung (Uctisei «= 27 mV) wird, der Dauer der Anstiegsflanke eines Fortschaltimpulsesgreater than the offset voltage (Uctisei «= 27 mV), the duration of the rising edge of an incremental pulse
dann steigt der Kollektorstrom des Vortransistors (und bestimmt wird.then the collector current of the pre-transistor increases (and is determined.
mit diesem auch der Emitterstrom des Vortransistors), Die in F i g. 2 gezeigte r.'lultivibratorschaltung wie F i g. 3a zeigt, ganz wesentlich an ^nd erreicht kann nun für den Einsatz in integrierten Schaltungen bei Kollektor-Emitter-Spannungen des Vortransistors 20 noch dadurch verbessert werden, daß dia ohmschen von mehr als etwa 70 mV das α-fache des der Basis Widerstände Rk und Ry durch Konstantstromquellen des Vortransistors zugeführten Stromes Ibv- Wenn erse*zt werden. Der Ersatz der ohmschen Widerstände nun dieser der Basis des Vortransistors Ts bzw. T6 durch Konstantstromquellen bringt, wie schon einzugeführte Basisstrom gleich oder größer als ΙκΙά ist, gangs erwähnt, bei integrierten Schaltkreisen den Vordann fließt von dem Moment an, zu dem die Basis- 25 teil einer beträchtlichen Platzersparnis auf den Trägerspannung des Steuertransistors um mehr als etwa kristallen der integrierten Schai'kreise mit sich und 70 mV unter der Kollektorspannung des Steuertran- eröffnet damit die Möglichkeit, auf einem Trägersistors liegt, der gesamte Strom Ik und ferner auch kristall bei gleichbleibender Fläche desselben anstatt noch der Strom Ibv durch den Vortransistor und lädt bisher eines nunmehr fünf bis zehn Multivibratoren die Eingangskapazität der Basis-Emitter-Strecke des 30 unterzubringen.with this also the emitter current of the pre-transistor), which in FIG. 2 shown r.'ultivibrator circuit like FIG. 3a shows, very substantially an ^ nd can now be achieved for use in integrated circuits with collector-emitter voltages of the pre-transistor 20 by the fact that the ohmic value of more than about 70 mV is α times that of the base resistances Rk and Ry by constant current sources of the pre-transistor supplied current Ib v - When replaced. The replacement of the ohmic resistances that the base of the pre-transistor T s or T 6 brings with constant current sources, as already introduced base current is equal to or greater than ΙκΙά , mentioned earlier, with integrated circuits the pre-then flows from the moment at which the base - 25 part of a considerable space saving on the carrier voltage of the control transistor by more than about crystals of the integrated Schai'kreise with itself and 70 mV below the collector voltage of the control transistor - thus opens up the possibility of the entire current Ik and also crystal lies on a carrier transistor with the same area of the same instead of the current Ib v through the pre-transistor and so far charges one now five to ten multivibrators to accommodate the input capacitance of the base-emitter path of the 30.
Steuertransistors C3 bzw. C4 sowie die an die Basis In den F i g. 4 bis 6 sind drei Beispiele gezeigt, wie
des Steuertransistors angeschlossene Kapazität Ck diese Konstantstrornquellcn aufgebaut sein können,
auf. Dadurch wird die genannte Ladezeit nochmals Der eigentliche Multivibratorteil, also der gestrichelt
beträchtlich verkürzt, so daß sich bei Multivibratoren eingerahmte Block mit den Schalt-, Steuer- und Vorwie
in F i g. 2 über die auf Grund der Verringerung 35 transistoren T1 bis T6, entspricht bei allen diesen Beider
Koppeikapazitäten zu erwartende Verkürzung der spielen in Aufbau und Wirkungsweise dem Multivigenannten
Ladezeit (um beispielsweise den oben er- bratorteil in Fig. 2. Eine nochmalige Erläuterung
wähnten Faktor 5) hinaus eine weitere Verkürzung bis der Wirkungskreise' des Multivihratorteils in den
auf etwa ein Zwanzigstel der Ladezeit bei einem MuI- F i g. 4 bis 6 erübrigt sich daher. Es sei lediglich darauf
tivibrator wie in F i g. 1 ergibt, wenn bei dem Ver- 40 hingewiesen, daß tei der obigen Erläuterung der Wirgleich
von der Voraussetzung ausgegangen wird, daß kungsweise des Multivibrators in F i g. 2 schon davon
der von der Kollektor-Emitter-Strecke der Vortran- ausgegangen worden war, daß die dem Multivibratorsistoren
gebildete »Widerstand« in dem der F i g. 2 teil über die Widerstände Rk und Rv zugeführten
entsprechenden Multivibrator und der Widerstand Rb Strcme Ik und Inv annähernd konstant sind (das ist
des zum Vergleich herangezogenen, der F i g. 1 ent- 45 bei der Schaltung in F i g. 2 dann der Fall, wenn die
sprechenden Multivibrators im statischen Zustand der Batteriespannung U und die Widerstände Rk und Rv
Multivibratoren gleich jind und ferner die Summe der so bemessen sind, daß der größte Teil der Batterie-Ströme
(2 Ik+ 2 1Bu), die dem F i g. 2 entsprechen- spannung über Rk bzw. Rv abfällt),
den Multivibrator zugeführt werden, gleich der Summe Im Prinzip sind die Widerstände/?« und Rv in
der Ströme 2 Ϊ& ist, die dem zum Vergleich heran- 50 F i g. 2 bei den Ausführungsbeispielcn in den F i g. 4
gezogenen, F i g. 1 entsprechenden Multivibrator zu- bis 6 durch Transistoren von zum l.eitungstyp der
geführt werden. Transistoren T1 bis 7*0 komplementärem Leitungstyp
Bei einer derartig starken Verkürzung spielt die ge- ersetzt, an deren Basis-Emitter-Strecken eine konstante
nannte Ladezeit hinsichtlich des erreichbaren oberen (Referenz-)S,.annung liegt und deren Basisströme
Grenzwertes der Repetitionsfrequenz keine Rolle mehr, 55 daher konstant sind. Da sich bei den für Schaltungen
was sich auch schon daraus ergibt, daß die Summe der der vorliegenden Art ausschließlich in Betracht kom-Koppelkapazität
Cn und der Eingangskapazität C3 tuenden Flächentransistoren, wie 7.. B. auch aus-dem
bzw. C4 des Steuertransistors kleiner als die Summe der Kennlinienfeld in Fig. 3a ersichtlich, bei kon-Köppelkapazität
und der genannten Kapazität C1 ist stantem Basisstrom Ib ein konstanter, von der KoI-(weil
C1 sich aus der Eingangskapazität der Basis- 60 lektopEmitter-Spannung UCe unabhängiger Kollek-Emitter-Strecke
des Schalttrartsistors T1 und den KoI* torstrom Ic ergibt (sofern die Kollcktor-Emitterlektor-Emitter-Kapafcitätcn
der Transistoren T2 und Spannung Uce über etwa 0,1 V liegt), bilden die in den
Ti sowie der parasitären Parallelkapazität des Wider- F i g, 4 bis 6 an Stelle der Widerslände /?«und Rv
•tandes Ry zusammnisetzt), und die Kapazität C1 4- eingesetzten Transistoren also Konstantstromquellen.
Cn jeweils während der Anstiegsflanke eines Fort- 65 Damit die von diesen an Stelle der Widerstände Rx
icheltinipulses und die Kapazität C3 4· Cn jeweils und Ry eingesetzten Transistoren gelieferten Kollektorwtihrehd
dtr genannten Ladezeit vbn dem gleichen strcme nun auch bei Temperaturäiidcrungen konstant
Strom (ία+Itjf) aufgeladen werden. Denn daraus bleiben, 'wird die an die Basis-Emittcr*Strecken dieserControl transistor C 3 or C 4 as well as the to the base In the F i g. 4 to 6 show three examples of how the control transistor connected capacitance Ck can be constructed on this constant current source. The actual multivibrator part, that is to say the dashed line, is considerably shortened, so that in the case of multivibrators the block with the switching, control and control functions as shown in FIG. 2 via the transistors T 1 to T 6 due to the reduction 35 corresponds to the expected shortening of the games in structure and mode of operation of the multi-named charging time (for example the above generator part in FIG Factor 5) in addition, a further shortening of the scope of action of the multivirator part in the to about one twentieth of the charging time for one muI-F i g. 4 to 6 are therefore unnecessary. Let it just be tivibrator as in FIG. 1 results if it is pointed out at the 40 that part of the above explanation is based on the assumption that the multivibrator in FIG. 2 it was already assumed that the collector-emitter path of the precedent was that the "resistance" formed in the multivibrator in the one shown in FIG. 2 part of the corresponding multivibrator supplied via the resistors Rk and Rv and the resistance Rb currents Ik and In v are approximately constant (this is the one used for comparison, which corresponds to FIG. 1 in the circuit in FIG the case when the speaking multivibrators in the static state of the battery voltage U and the resistors Rk and Rv multivibrators are equal to jind and furthermore the sum of the are so dimensioned that the largest part of the battery currents (2 Ik + 2 1Bu) that the F i g. 2 corresponding voltage drops across Rk or Rv ),
are fed to the multivibrator, equal to the sum. In principle, the resistances /? «and Rv in the currents 2 Ϊ & is, which is used for comparison. 2 in the exemplary embodiments in FIGS. 4 drawn, F i g. 1 corresponding multivibrator to 6 through transistors from the first line type to be led. Transistors T 1 to 7 * 0 of complementary conduction type With such a strong shortening, the replaced one, at whose base-emitter path there is a constant charging time with regard to the achievable upper (reference) voltage and whose base currents limit the repetition frequency no longer matter, 55 are therefore constant. Since in the case of circuits, what also results from the fact that the sum of the present type exclusively com-coupling capacitance Cn and the input capacitance C 3 doing surface transistors, such as 7 .. B. also from the or C 4 des Control transistor smaller than the sum of the characteristic field in Fig. 3a can be seen, with Kon-Köppel capacitance and the capacitance C 1 mentioned , a constant base current Ib is a constant, from the KoI- (because C 1 is derived from the input capacitance of the base emitter voltage U. C e independent collector-emitter path of the switching transistor T 1 and the KoI * torstrom Ic results (if the Kollcktor-Emitterlektor-Emitter-Kapafcitätcn of the transistors T 2 and voltage Uce is above about 0.1 V), form the in the Ti as well as the parasitic parallel capacitance of the resistor 4 to 6 instead of the contradictions /? «and Rv • tandes Ry ), and the capacitance C 1 4- transistors used, ie constant current sources. Cn in each case during the rising edge of a continuation so that the collector value delivered by these transistors instead of the resistors Rx and the capacitance C 3 4 · Cn and Ry delivered the same current constant current (ία + Itjf) to be charged. Because from it remain, 'which will be sent to the base emitter * routes this
Transistoren angelegte Referenzspannung bei den Ausführungsbcispiclcn in den Fig. 4 bis 6 mit der Temperatur verändert. Zur Erzeugung der temperaturabhängigen Referenzspannungen dienen mit konstantem Strom beschickte temperaturabhängige Widerstände, die bei den Ausfülirungsbeispielcn in den P i g. 4 bis fi ebenfalls Von Transistoren gebildet werden, deren I eiümgstyp der gleiche wie der der KoiisUmlsiniinqucllcn bildenden Transistoren ist.Reference voltage applied to transistors in the embodiments in FIGS. 4 to 6 with the Temperature changed. To generate the temperature-dependent reference voltages are used with constant Current fed temperature-dependent resistors, which in the Ausfülirungsbeispielcn in the P i g. 4 to fi are also formed by transistors whose Iiümgtyp the same as that of the KoiisUmlsiniinqucllcn forming transistors.
Im einzelnen bestehen die Ausführungsbeispiele in den I i g. 4 bis 6 jeweils aus einem ersten, gestrichelt eingerahmten, den erwähnten Multivibratorteil bildenden HI(Kk 1 »der aus einer Mehrzahl von solchen zu einer Zählkette 7usarnmcngeschaltcten Blöcken 1, einem zweiten, gestrichelt eingerahmten, die Konslantstromqucllcn für den oder die Blöcke 1 bzw. die diese konslanlstmmqucllen bildenden Transistoren enthaltenden Block 2 und einem oder mehreren dritten gestrichelt eingerahmten, die genannten tempcraUirabhängigen Widerstände bzw. die dieselben bildenden Transistoren enthaltenden Blöcken 3 sowie einem oder mehreren ohmschen Widerständen R bzw. Zf1. l(t zur Beaufschlagung der temperaturabhängigen Widcrsfändc mit einem konstanten Strom aus der für die Schaltung ,vorgesehenen Stromversorgungsquelle.In detail, the exemplary embodiments consist of FIGS. 4 to 6 each consist of a first HI, framed by a dashed line, forming the aforementioned multivibrator part (Kk 1 »of a plurality of such blocks 1 connected to a counting chain, a second, framed by a dashed line, the standard current source for the block or blocks 1 or the this konslanlstmmqucllen transistors forming the block containing 2 and one or more third dashed boxed, the tempcraUirabhängigen said resistors or the same transistors forming blocks containing 3 and one or more non-reactive resistors R and Zf. 1 l (t for acting on the temperature-dependent Widcrsfändc with a constant current from the power supply source provided for the circuit.
Die die Multivibratortcilc bildenden Blöcke 1 in den F i g. 4 bis 6 entsprechen, wie schon erwähnt, in Aufbau und Wirkungsweise vollständig dem Block 1 in F i g. 2, und die Blöcke 2 (in Verbindung mit den Blocken 3 sowie den Widerständen R bzw. .K1 ,R2) in den F i g. 4 bis 6 entsprechen in ihrer Wirkungsweise dem gestrichelt eingerahmten, die Widerstände Rk und Rv enthaltenden Block in Fig. 2. Im einzelnen sind die Widerstände Rk innerhalb der Blöcke 2 durch die Transistoren Tk und die Widerstände Rp innerhalb der Blöcke 2 durch die Transistoren Tv ersetzt.The blocks 1 in FIGS. As already mentioned, 4 to 6 correspond completely in structure and mode of operation to block 1 in FIG. 2, and the blocks 2 (in connection with the blocks 3 and the resistors R or .K 1 , R 2 ) in FIGS. 4 to 6 the dashed boxed, the resistors Rk and Rv correspond in their mode of action containing block in FIG. 2. In particular, the resistors Rk within the blocks 2 through the transistors Tk and the resistors Rp are replaced within the blocks 2 through the transistors Tv .
Untereinander unterscheiden sich die Ausführungsbeispiele in den F i g. 4, 5 und 6 lediglich durch Art und Weise, wie die Referenzspannungen an den Basis-Emilter-Strecken der Transistoren Tk und Tv erzeugt werden.The exemplary embodiments in FIGS. 4, 5 and 6 only by the way in which the reference voltages are generated on the base-Emilter paths of the transistors Tk and Tv.
Bei dem Ausführungsbeispiel in F i g. 4 sind die Basis-Iimitter-Strccken sämtlicher koliektorseitig die Ströme Im liefernder Transistoren Tv (bei mehreren zu einer Zählkette zusammengeschalteten Blöcken 1, also auch der zur Versorgung dieser weiteren Blöcke 1 mit Strömen lnv dienenden zusätzlichen Transistoren 7V) parallel zueinander geschaltet und an die gemeinsame Referenzspannungsquelle 3α angeschlossen. Die Referenzspannungsquelle 3α wird von einem über den ohmschen Widerstand R1 mit einem konstanten Strom beschickten temperaturabhängigen Widerstand gebildet, der aus einem mit den Transistoren Tv identischen Transistor T1 besteht, dessen Emitter den einen Pol und dessen zusammengeschaltete Kollektor- und Basis-Elektroden den anderen Pol des temperaturabhängigen Widerstandes bilden. Da an den Basis-Emitter-Strecken der Transistoren Tv, die ja parallel zu der Basis-Emitter-Strecke des Transistors T7 geschaltet sind, die gleiche Basis-Emitter-Spannung wie am Transistor T7 liegt und entsprechend der obigen Voraussetzung die Transistoren Tv mit den Transistoren T7 identisch sind, müssen auch die Kollektorströme der Transistoren Tv gleich dem Kollektorstrom des Transistors T1 sein, und letzterer ist, wenn man die Basisströme des Transistors T7 und der Transistoren Tv vernachlässigen kann, gleich dem über den Widerstand R1 zugeführten Strom und somit praktisch unabhängig Von der Temperatur konstant Die Basis-Emitter-Spantiufig dies Transistors T7 stellt sich also selbsttätig abhängig von der Temperättlf jeweils so ein, dall der Kollektorstfom des Tfan·» sistors T7 Und damit auch die Kollektorströme der Transistoren Tv etwa gleich dem über deri Widerstand R1 zugeführten kortstanl.cn Strom sind. Genau genommen ist über den Widerstand R1 der gewünschte Kollektorstrom der Transistoren Ty, also Iun und zusätzlich die Summe sämtlicher Basisströme der Transistoren Tv sowie des Transistors T7, bei η Transistoren Tv also das (/ι ( 1 Hache des Basisstromes 1bi des Transistors T7 zuzuführen. Der Widerstand R1 ist dementsprechend so zu bemessen, daßIn the embodiment in FIG. 4, the base Iimitter-Strccken all koliektorseitig the currents connected in-providing transistors Tv (with multiple interconnected to a counting chain blocks 1, including the ln for the supply of these other blocks 1 with currents v serving additional transistors 7V) parallel to each other and to the common reference voltage source 3α connected. The reference voltage source 3α is formed by a temperature-dependent resistor charged with a constant current via the ohmic resistor R 1 , which consists of a transistor T 1 identical to the transistors Tv , the emitter of which is one pole and its interconnected collector and base electrodes the other Form the pole of the temperature-dependent resistor. Since the base-emitter paths of the transistors Tv, which are connected in parallel to the base-emitter path of the transistor T 7 , have the same base-emitter voltage as the transistor T 7 and, according to the above requirement, the transistors Tv are identical to the transistors T 7 , the collector currents of the transistors Tv must also be equal to the collector current of the transistor T 1 , and if the base currents of the transistor T 7 and the transistors Tv can be neglected, the latter is equal to that across the resistor R 1 supplied current and thus practically independent of the temperature constant. The base-emitter-voltage of this transistor T 7 adjusts itself automatically depending on the temperature in such a way that the collector current of the transistor T 7 and thus also the collector currents of the transistors Tv are approximately equal to the kortstanl.cn current supplied via the resistor R 1. Strictly speaking, via the resistor R 1 of the desired collector current of transistors Ty, so Iun and in addition, the sum of all the base currents of the transistors Tv and the transistor T 7, wherein η transistors Tv so the (/ ι (1 Hache the base current 1bi of the transistor T 7. The resistor R 1 is to be dimensioned accordingly so that
Rd+in fl)/ß7) - Ü.-Ube-, Rd + in fl) / ß 7 ) - Ü.-Ube-,
ist, wenn mit U- die Batteriespannung und mit Ube7 die Basis-Emitter-Spannung des Transistors T7 bei Normaltcmperatur bezeichnet wird. Weiter sind bei dem Ausführungsbeispiel in F i g. 4 die Basis-Emitter-Strcckcn sämtlicher koliektorseitig die Ströme Jk liefernder Transistoren Tk parallel zueinander geschaltet und an die gemeinsame Referenzspannungsquelle 3b angeschlossen. Die Referenzspannungsquelle 3b wird ebenso wie die Referenzspannungsquelle 3a von einem über den ohmschen Widerstand R2 mit einem konstanten Strom beschickten tempsraturabhängigen Widerstand gebilnet, der in gleicher Weise wie bei der Referenzspannungsquelle 3a aus einem mit den Transistoren Tk identischen Transistor T3 besteht, dessen Emitter den einen Pol und dessen zusammengeschaltete Kollektor- und Basis-Elektroden den anderen Pol des temperaturabhängigen Widerstandes bilden. Die Wirkungsweise der Refereiu-Spannungsquelle 3b ist die gleiche wie die der Referenzspannungsquelle 3 σ, und analog den dortigen Ergebnissen ist also R2 so zu bemessen, daßis when U- denotes the battery voltage and Ube 7 denotes the base-emitter voltage of the transistor T 7 at normal temperature. Furthermore, in the exemplary embodiment in FIG. 4, the base-emitter lines of all the transistor-side transistors Tk supplying the currents Jk are connected in parallel to one another and connected to the common reference voltage source 3b . The reference voltage source 3b as well as the reference voltage source 3a from a charged via the resistor R 2 at a constant current tempsraturabhängigen resistance gebilnet composed in the same manner as in the reference voltage source 3a from an identical with the transistors Tk transistor T3, the emitter of the one pole and its interconnected collector and base electrodes form the other pole of the temperature-dependent resistor. The mode of operation of the reference voltage source 3b is the same as that of the reference voltage source 3σ, and analogously to the results there, R 2 is to be dimensioned in such a way that
(η +(η +
= U.-UBEa = U.-U BEa
ist, wenn mit U- die Batteriespannung, mit Ubes die Basis-Emitter-Spannung und mit Zb8 der Basisstrom des Transistors T8 bei Normaltemperatur bezeichnet wird.is when U- is the battery voltage, Ubes is the base-emitter voltage and Zb 8 is the base current of transistor T 8 at normal temperature.
Bei dem Ausführungsbeispiel in F i g. 5 sind in gleieher Weise wie bei dem Ausführungsbeispiel in F i g. A die Basis-Emitter-Strecken sämtlicher koliektorseitig die Ströme Ik liefernder Transistoren Tk parallel zueinander geschaltet und direkt an die gemeinsame Referenzspannungsquelle 3 angeschlossen, deren Ausbildung und Wirkungsweise die gleiche wie die dei Referenzspannungsquelle 36 in Fi g. 4 ist. Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel in F i g. 4 isi jedoch bei dem AusführungsDeispiel in F i g. 5 für di< ebenfalls mit ihren Basis-Emitter-Strecken parallel zu einander geschalteten, koliektorseitig die Ströme Ist liefernden Transistoren 2> keine zweite Referenz Spannungsquelle wie die Referenzspannungsquelle 3 < in F i g. 4 vorgesehen, sondern die an den Basis Emitter-Strecken der Transistoren Tv liegende R.e ferenzspannung wird von der gleichen Referenz spanmmgsquelle 3 geliefert, an die auch die Basis Emitter-Strecken der Transistoren Tk angeschlosse: sind. Wären nun die Basis-Emitter-Strecken der Tran sistoren Tr ebenfalls wie die Basis-Emitter-Strecke der Transistoren Tr direkt an die Referenzspannung! quelle 3 angeschlossen, so müßten entsprechend de obigen Erläuterungen — Identität der Transistoren T und Tk vorausgesetzt — die Kollektorströme deIn the embodiment in FIG. 5 are in the same way as in the embodiment in FIG. A the base-emitter paths of all the current Ik supplying transistors Tk are connected in parallel to each other and connected directly to the common reference voltage source 3, the design and mode of operation of which is the same as that of the reference voltage source 36 in FIG. 4 is. In contrast to the exemplary embodiment in FIG. 4 is, however, in the exemplary embodiment in FIG. 5 for di <also with their base-emitter junctions connected in parallel to each other, the currents Is supplied koliektorseitig transistors 2> no second reference voltage source as the reference voltage source 3 'in F i g. 4 is provided, but the reference voltage at the base-emitter paths of the transistors Tv is supplied by the same reference voltage source 3 to which the base-emitter paths of the transistors Tk are also connected. Now, if the base-emitter junctions of Tran sistoren Tr also as the base-emitter junction of the transistors Tr directly to the reference voltage! Source 3 connected, the collector currents de would have to correspond to the above explanations - assuming the identity of the transistors T and Tk
,-u, -u
23 ϊ 2423 ϊ 24
Transistoren Ty gleich den Kollektorströmen der mögliche Änderung innerhalb des vorgesehenen TeIiI-" Transistoren Tk und damit also Ibv gleich Ir sein. In peratuifbereiches noch klein gegen den genannten geder Regel sollte aber lay wesentlich niedriger als Ir wünschten Kollektorstrom ist, Da diese Summe der sein, daiuit die Spannungsdifferenz zwischen Kollektor Basisströme proportional η bzw. proportional dem Und Basi3 des Steuertfansistors der gesperrten Schalt- 5 Zweifachen der Anzahl der Zählstufen ansteigt, ist stufe des Multivibrators im stabilen Zustand dessel- also die Anzahl der Zählstufen bzw. der Blöcke 1, ben groß genug ist, um di5 Stabilität dieses Zustandes deren zugeordnete Transistoren Tu und Tv von geünd damit die Stabilität des Multivibrators im Rahmen meinsa.men Referenzspannungsquellen 3a und 3b der möglichen Fertigungs- und Betriebsparameter- (F i g. 4) bzw. von einer gemeinsamen Referenztoleranzen mit genügender Sicherheit zu gewährleisten. io Spannungsquelle 3 (Fig. 5) versorgt werden können, Um Ibv niedriger als Ir zu halten, muß die Basis- nach oben zu beschränkt.Transistors Ty equal the collector currents of possible change within the intended TeIiI- "transistors Tk and therefore so Ibv equal Ir. In peratuifbereiches still small geder against said rule but should lay much lower than Ir desired collector current, since his this sum of, Since the voltage difference between the collector base currents is proportional to η or proportional to the And Basi3 of the control fan of the locked switching 5 double the number of counting levels, the multivibrator level is in the stable state of the same - i.e. the number of counting levels or blocks 1 is large is enough to di5 stability of this state their associated transistors Tu and Tv of geünd thus the stability of the multivibrator within the framework of common reference voltage sources 3a and 3b of the possible manufacturing and operating parameters (Fig. 4) or of a common reference tolerances to ensure with sufficient security. io voltage source 3 (Fi G. 5) can be supplied. In order to keep Ibv lower than Ir , the base must be limited upwards.
Emitter-Spannung der Transistoren Tv niedriger als Immerhin hat das Ausführungsbeispiel in F i g. 5Emitter voltage of the transistors Tv lower than After all, the embodiment in FIG. 5
die Basis-Emitter-Spannung der Transistoren Tr sein, trotz der gleichen Anzahl von zwei ohmschen Wider-be the base-emitter voltage of the transistors Tr , despite the same number of two ohmic resistors
ünd das wird bei dem Ausführungsbeispiel in F i g. 5 ständen fur eine beschränkte Anzahl von ZählstufenAnd this is shown in the exemplary embodiment in FIG. 5 stands for a limited number of counting levels
dadurch erreicht, daß die mit ihren Basis-Emitter- ig gegenüber dem Ausführungsbeispiel in F i g. 4 denachieved in that the base-emitter ig compared to the embodiment in FIG. 4 den
Strecken parallel zueinander geschalteten Transistoren Vorteil, daß der Widerstand Re, in F i g. 5 — gleich-Routes of transistors connected in parallel to one another have the advantage that the resistor Re, in FIG. 5 - equal
Tv über den gemeinsamen Emitterwiderstand Re, an große Ströme Ib, bei beiden Ausführungsbeispielen Tv across the common emitter resistor Re, to large currents Ib, in both exemplary embodiments
die Referenzspannungsquelle 3 angeschlossen sind. vorausgesetzt — wesentlich kleiner als der Wider-the reference voltage source 3 are connected. assuming - much smaller than the opponent
Um ein bestimmtes gewünschtes Verhältnis von Ib. / stand ^1 in F i g. 4 sein kann, und zwar bis etwa zumIn order to achieve a certain desired ratio of Ib. / stand ^ 1 in F i g. 4 can be, up to about
Ik zu erzielen, ist dieser Widerstand Rev so zu be- ao Faktor 20, und entsprechend dem kleineren Wider- Ik , this resistance Rev is to be ao factor of 20, and corresponding to the smaller resistance
messen, daß standswp,rt ist auch der Platzbedarf des Widerstandesmeasure that standswp, rt is also the space requirement of the resistor
η τ ,,, . „ -ι Re, in integrierten Schaltkreisen wesentlich geringerη τ ,,, . “-Ι Re, much less in integrated circuits
als der des Widerstandes R1. than that of the resistor R 1 .
= «rv · 23,9 mV (In «av - 1» &Τκ - In IbvIIk) Im Zusammenhang mit den Ausführungen zu dem= «Rv · 23.9 mV (In« av - 1 » & Τκ - In IbvIIk) In connection with the remarks on the
ist, wenn mit η die Anzahl der an die Referenz- as Ausführungsbeispiel in F i g. 5 war nun bereits erspanr .IHgSqUeIIe 3 angeschlossenen Transistoren Ty, wähnt worden, daß die Ströme Ibv aus Stabilitätsmit οίτν Stromverstärkung der Transistoren Ty beim gründen wesentlich kleiner als die Ströme Ir sein Kollektorstrom Ibv und mit octk die Stromverstärkung sollten. Das eröffnet hinsichtlich der Schaltungsweise der Transistoren Tr beim Kollektorstrom Tr be- der Transistoren Ty und Tk die bei dem Ausführungszeichnet ist. Aus diesel Bemessungsgleichung ergiot 30 beispiel in F i g. 6 angewandte Möglichkeit, die Basissich, daß der Widerstand Re? unabhängig von dem Emitter-Strecken der Transistoren Tv und Tr in Reihe Absolutwert der von der Referenzapannungsqueile 3 zu schalten. Bei einer solchen Reihenschaltung der gelieferten Referenzspannung ist bzw. dali aas ge- Basis-Emitter-S trecken von jeweils einem Transistor Ty wünschte Verhältnis /s* IIr auch bei Temperatur- und einem Transistor Tr ist der von dem Transistor Tr änderungen und dadurch bedingten Änderungen des 35 kollektorseitig gelieferte Strom Ik um die Stromver-Absolutwertes der Referenzspannung in gleicner Hone Stärkung κτκ des Transistors 2 κ größer als der der aufrechterhalten bleibt. Üoer den Widerstand R in Basis des Transistors Tr zugeführte Emitterstrom des F i g. 5, der zur Beaufsichtigung des von dem Tran- Transistors Ty, d. h., der kollektorseitig von dem sistor T9 gebildeten temperaiurabhängigen Wider- Transistor Ty gelieferte Strom IB, ist näherungsweise Standes mit einem konstanten Strom vorgesehen ist, 40 um den Stromverstärkungsfaktor cctk kleiner als der ist der gewünschte Kollektorstrom der Transistoren Strom Ir. is, if with η the number of the reference as the embodiment in F i g. 5 it was already spanned .IHgSqUeIIe 3 connected transistors Ty, it was mentioned that the currents Ibv for stability with οίτν current gain of the transistors Ty should be much smaller than the currents Ir its collector current Ibv and with octk the current gain. This opens up in terms of the circuit, the transistors Tr the collector current of the transistors Tr loading Ty and Tk which is in the exemplary Records. From this design equation ergiot 30 example in FIG. 6 applied possibility, the base itself that the resistance Re? to connect the absolute value of the reference voltage source 3 in series regardless of the emitter path of the transistors Tv and Tr. With such a series connection of the supplied reference voltage is or dali aas ge base-emitter-S stretch of one transistor Ty each desired ratio / s * IIr even with temperature and one transistor Tr is the changes made by the transistor Tr and the changes caused by it of the 35 current Ik supplied on the collector side by the current value of the reference voltage in the same Hone strengthening κτκ of the transistor 2 κ greater than that which is maintained. Over the resistor R in the base of the transistor Tr supplied emitter current of the F i g. 5, which is responsible for the supervision of the trans-transistor Ty, d. h., current I B of the collector side formed by the sistor T 9 temperaiurabhängigen resistance transistor Ty supplied, is approximately article is provided with a constant current 40 to the current amplification factor of the desired collector current cct k is smaller than that of the transistors current Ir.
Tr, also Ir, und zusätzlich die Summe sämtlicher Ba- Zweckmäßig werden, wie in F i g. 6 gezeigt, jeweils Tr, that is Ir, and additionally the sum of all Ba- are expedient, as in FIG. 6, respectively
sisströme der Transistoren Tr und Ty sowie des Tran- die Basis-Emitter-Strecken der der gleichen ücnaltstufeSis currents of the transistors Tr and Ty as well as the tran- the base-emitter paths of the same level
sistors T9 zuzuführen. Für die Bemessung von R ergtot des Multivioraiorteiles 1 zugeordneten Transistoren Ty sistors T 9 feed. For the dimensioning of R ergtot of the multiviorator part 1 associated transistors Ty
sich bei η Transistoren Tr und η Transistoren T7 45 und Tr in Reihe gescnaltet. Die Keihenscnaltungen derconnected in series with η transistors Tr and η transistors T 7 45 and Tr . The series connections of the
so Ade Identität des Transistors T3 mit den Tran- 3asis-bmitter-ijtrecken von jeweils einem Transistor Ty So Ade identity of the transistor T 3 with the tran- 3asis-bmitter-ijtstrecken of one transistor Ty each
sistoren Tr also und einem Transistor Tr werden dann, wie in F i g. 6,sistors Tr and a transistor Tr are then, as in FIG. 6,
' parallel zueinander an die gemeinsame Referenz-'' parallel to each other to the common reference
R[Ik+\fl +I)IRlOtTK , nIBrl*Ty)= U- — Ube9, spannungsquiile 3 angeschlossen. Die Keferenzspan- R [Ik + \ fl + I) IRlOtTK, nI B rl * Ty) = U- - Ube 9 , voltage source 3 connected. The reference span
wenn mit U- die Batteriespannung und mit UBe9 die 50 hungsquelie 3 wird Dei dem Ausf aiirungsoeispiel inif with U- the battery voltage and with U B e 9 the 50 hungsquelie 3 is Dei the Ausf aiirungsoebeispiel in
Basis-Emitter-Spannung des Transistors T9 bzw. die F i g. 0 eoenfalls von einem über den onmscnen Wider-Base-emitter voltage of the transistor T 9 or the F i g. 0 also from one of the
gewünsente Reierenzspannung bei Normaltemperatur stand R mit einem konstanten Strom Descnicktcn tem- R with a constant current Descnicktcn tem-
bezeicnnet wird. peraturabhängijen Wüersiand geoildet, der in gleicheris designated. temperature dependent Wüersiand geoosed in the same
Bei den Ausflihrungsbeispielen in den F i g. 4 uud 5 Weise wie oei den Ausfunrungsoeispielen in den werden nun, wie ersicntlicii, noch je zwei ohmsene 55 F i g. 4 und 5 aus einer identischen Nachbildung der Widerstände für eine aus lvlultivioratoren entsprechend Basis-Emitter-Strecken der an die Ref erenzspannungS-dem Block; 1 zusammengesetzte Zählkette oenötigt, quelle angeschlossenen Transistoren und demgemäß wobei die Anzanl der Zänistufen dieser Zählkette aus einem mit den Transistoren Ty idenusenen Trannicht zu groß sein darf, weil mit dieser Anzahl von sistor T10 und einem mit den Transistoren Tr iden-Zählstufen auch die notwendige Anzani η von Tran- 60 tiscuen Transistor T11 Desteht, deren ßasis-EmittersistorenTV und Tr entsprechend ansteigt und eine Strecken in gleicner Weise wie die Basis-Enutterrelativ gute TemperaturunaonangigKeit der Ströme Strecken der Transistoren Ty und Tr in Reihe ge- Ir und Ib, nur dann gewährleistet ist, wenn die er- scnaltet sind und an deren m Reme geschaltete Basiswahnte, über die Widerstände R1 und R2 in F i g. 4 Emitter-Strecken die Reinenscnaltungen der Basisbzw, üoer den Widerstand R in F i g. 5 zusätzlich zu 65 Emitter-Strecken der Transistoren Ty und Tr parallel dem jeweils gewunsenten Kollektorstrom der Tran- angeschlossen sind. Da somit wegen der Identität des sistoren Ty bzw. Tr zugeführte Summe der Basis- Transistors T10 mit den Transistoren Ty und des Transtrrime dieser Transistoren oder mindestens deren sistors Tn mit den Transistoren Tr sowie wegen derIn the Ausihrungsbeispielen in F i g. 4 and 5, as in the above examples, are now, as shown in the first, two more ohmic 55 F i g. 4 and 5 from an identical replica of the resistances for one of lvlultivioratoren corresponding to the base-emitter paths of the reference voltage S-the block; 1 composite counting chain is required, source connected transistors and accordingly the number of counting stages of this counting chain from one with the transistors Ty idenusenen Trannot be too large, because with this number of transistor T 10 and one with the transistors Tr iden counting stages also the necessary anzani η of transit 60 tiscuen transistor T 11 Desteht whose ßasis-EmittersistorenTV and Tr increases accordingly, and a span in gleicner manner as the base Enutterrelativ good TemperaturunaonangigKeit the currents paths of the transistors Ty and Tr, in series overall Ir and Ib only it is then ensured if they are switched on and basic warnings connected to their m Reme, via the resistors R 1 and R 2 in FIG. 4 emitter lines the pure connections of the base and / or the resistor R in FIG. 5 in addition to 65 emitter paths of the transistors Ty and Tr are connected in parallel to the respective increased collector current of the Tran-. Since the sum of the base transistor T 10 with the transistors Ty and the transtrrime of these transistors or at least their sistor T n with the transistors Tr as well as because of the added sum of the base transistor T 10 because of the identity of the sistors Ty or Tr
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gleichen Spannungen an den Reihenschaltungen der Und zwar etwa um den Faktor (ατν 4- 2). Da sich bei Basis-Emi «erstrecken der Transistoren Tip Und T11 Gleichheit dieser Verhältnisse gleich gute Temperaturünd der Transistoren Tv Und Ύκ die Basis-Emitter- Unabhängigkeit der Ströme Ik und Ibv ergibt, r*arf .: Spannung des Transistors Ti6 gleich der Basis-Emitter- somit die Anzahl der Zählstufen bzw, die Anzahl der Spannung der T/'änsistoren TV Und die Basis-Emitter^ S Blöcke 1, deren zugeordnete Transistoren Tk Und TV Spannung des Transistors Tn gleich der Basis-Emitter- Von einer gemeinsamen Referenzspannungsquelle 3 Spannung der Transistoren Tk ist, müssen auf Grund bzw, Von gemeinsamen Referenzspannungsqüellen 3d ( der besagten Identität von Ti6 Und Tv auch die Und3i versorgt werden könhetk, bei dem Ausführungsf Kollektorströme der Transistoren Tv gleich dem beispiel in F i g. 6 um den Faktor (<\τν 4 2) größer * Kollektorstrom des Transistors T10 und die Kollek- io als bei den Ausführungsbeispielen in den F i g. 4 und torströme der Transistoren Tu gleich dem Kollek- 5 sein. Neben diesen beachtlichen Vorteilen hat das jM tofstrom des Transistors T11 sein, und die Kollektor- Ausführungsbeispiel in F i g. 6 gegenüber den Ausströme der Transistoren Ti0 und T11 sind, wenn man führungsbeispielen in den F i g. 4 und 5 jedoch auch , die Basisströme des Transistors T10 und der Tran- einen Nachteil, nämlich den, daß das Verhältnis der } sistoren Tv vernachlässigen kann, gleich dem über den 15 Ströme Ibv und Ik zueinander bei dem Ausführungs-, Widerstand R zugeführten Strom und somit praktisch beispiel in F i g. 6 im Gegensatz zu den Ausführungs-' unabhängig von der Temperatur konstant. Genau ge- beispielen in den F i g. 4 und 5 nicht frei wählbar, nommen sind über den Widerstand R in F ί g. 6 die sondern durch die Stromverstärkungen ktk und «ϊ> ι gewünschten Kollektorströme Ibv und Ik der Tran- der Transistoren Tk und Tv fest vorgegeben ist.the same voltages on the series connections of the and about the factor (ατν 4- 2). Since with base Emi «the transistors Tip and T 11 equality of these ratios results in the same good temperature and the transistors Tv and Ύκ the base-emitter independence of the currents Ik and Ibv , r * arf.: Voltage of the transistor Ti 6 equal to Base-emitter thus the number of counting stages or the number of voltage of the T / 'änsistoren TV and the base-emitter ^ S blocks 1, their associated transistors Tk and TV voltage of the transistor T n equal to the base-emitter of a common reference voltage source 3 voltage of the transistors Tk must be able to be supplied by common reference voltage sources 3d ( the said identity of Ti 6 And Tv also the Und3i, in the embodiment collector currents of the transistors Tv same as the example in Fig. 6 by the factor (<\ τ ν 4 2) * the collector current of the transistor T 10 and the collector current than in the exemplary embodiments in FIGS. 4 and the gate currents of the transistors Tu equal to the collector 5 be. In addition to these considerable advantages, the current of the transistor T 11 has to be low, and the collector embodiment in FIG. 6 compared to the outflows of the transistors Ti 0 and T 11 are, if one guides examples in the F i g. 4 and 5 however, the base currents of the transistor T 10 and the transit a disadvantage, namely that the ratio of the} sistoren Tv can be neglected, equal to the air supplied via the 15 streams Ibv and Ik each other at the execution, resistor R Electricity and thus a practical example in FIG. 6 in contrast to the execution 'constant regardless of the temperature. Exactly examples in FIGS. 4 and 5 are not freely selectable, are taken via the resistor R in F ί g. 6 the collector currents Ibv and Ik of the transistors Tk and Tv desired by the current amplifications ktk and «ϊ> ι .
sistoren Tv und Tk und zusätzlich die Summe samt- ao Ergänzend ist zu den F i g. 4 bis 6 noch zu be-sistors Tv and Tk and additionally the sum including ao In addition to the F i g. 4 to 6 still to be edited
licher Basisströme der Transistoren Tv sowie des merken, daß in jeder einzelnen dieser Figuren auchLicher base currents of the transistors Tv and the note that in each of these figures too
Trausistors Ti0, bei« Transistoren Tv also das (« 4- I)- mehrere Multivibratorteile 1 vorgesehen sein können,Trausistors Ti 0 , with «transistors Tv so that (« 4- I) - several multivibrator parts 1 can be provided,
fache des Basisstromes der Transistoren TV bzw. das die z. B. zu einer Zählkette zusammengeschaltet seintimes the base current of the transistors TV or the z. B. be interconnected to form a counting chain
/ „ _ii \ können. Der Block 2 enthält dann für jeden Block 1/ "_Ii \ can. Block 2 then contains 1 for each block
I Wache as einen Satz von zwei Transistoren Tv und zwei Tran-I watch as a set of two transistors Tv and two tran-
\t*Tv 4- 1 / sistoren Tk in der gleichen Schaltung wie in der be- \ t * Tv 4- 1 / sistors Tk in the same circuit as in the loaded
des Emitterstromes der Transistoren Tv bzw. das treffenden Figur angegeben. Bis zu einer gewissenof the emitter current of the transistors Tv or the appropriate figure. Up to a certain point
■ ί η + 1 \ Anzahl von weiteren Blöcken 1 bzw. von Zählstufen■ ί η + 1 \ Number of further blocks 1 or of counting levels
; I - Wache einer Zählkette können die zugeordneten Transistoren; The assigned transistors can watch a counting chain
; \o(TK(ocTv 4-1)/ 30 Tv und Tk aus der bzw. den in der betreffenden Figur; \ o (T K (ocTv 4-1) / 30 Tv and Tk from the figure (s) in the relevant figure
' des Kollektorstromes /κ der Transistoren Tk, zuzu- dargestellten Referenzspannungsquellen versorgt wer-'of the collector current / κ of the transistors Tk, supplied to the reference voltage sources shown
ΐ führen. Da ferner Ibv bei dem Ausführungsbeispiel in den.ΐ lead. Furthermore, since Ibv in the embodiment in FIGS.
F i g. 6 gleich In F i g. 7 ist als Beispiel einer eine Mehrzahl vonF i g. 6 same as in FIG. 7 is one of a plurality of as an example
'·. aTv Multivibratorteilen 1 enthaltenden Schaltungsanord- '·. aTv multivibrator parts 1 containing circuit arrangement
v Jk " 35 ming nach der Erfindung eine Zählkette dargestellt,v Jk "35 ming according to the invention a counting chain is shown,
; «Ttf{«2V 4- 1) die aus insgesamt vier integrierten Schaltkreisen be-; «Ttf {« 2V 4- 1) consisting of a total of four integrated circuits
ist, ist dementsprechend der Widerstand R bei dem steht. Von diesen vier integrierten Schaltkreisen ent-is, accordingly, is the resistance R at which stands. Of these four integrated circuits,
Ausführungsbeispie'i in F ί g. 6 so zu bemessen, daß halten drei je eine Referenzspannungsquelle 3 wie inImplementation example in F ί g. 6 to be dimensioned so that three each hold a reference voltage source 3 as in
F i g. 6, einen Konstantstromquellenblock 2 wie inF i g. 6, a constant current source block 2 as in FIG
R ■ IK (l + -_ -] " 1 40 F i g. 6 und drei Multivibratorteile 1 wie in F i g. 6 R ■ I K (l + -_ -] "1 40 FIG. 6 and three multivibrator parts 1 as in FIG. 6
\ cxtk Λτκ(Λτν+ I)/ bzw. 2. Die in den drei integrierten Schaltkreisen ent-\ cxtk Λτκ ( Λ τν + I) / or 2. The three integrated circuits
_ τ- _(τι λ. η \ haltenen neun biitabilen Multivibratoren sind, wie in_ τ- _ (τι λ. η \ hold nine biitable multivibrators are, as in
— - K. BEi0-T BS11) Fig. 7 ersichtlich, zu einer Zählkette zusammenge- - - K. BEi 0 -T BS11) Fig. 7 can be seen, combined to form a counting chain
- ist, wenn mit U- die Batteriespannung, mit (Ubeu+ schaltet, deren Eingang der Eingang E des ersten bi- Ubeh) die an den Transistoren Ti0 und T11 liegenden 45 stabilen Miltivibratc-r; und deren Ausgang der Aus-Basis-Emitter-Spannungen bzw. die gewünschte Re- gang A des letzten bistabilen Multivibrators der Kette ferenzspannung bei Normaltemperatur, mit ατκ die ist- If the battery voltage is switched with U- , with (Ubeu + , whose input is the input E of the first bi- Ubeh), the 45 stable Miltivibratc-r lying on the transistors Ti 0 and T 11; and the output of the base-emitter voltages or the desired output A of the last bistable multivibrator in the chain reference voltage at normal temperature, where ατκ is the
Stromverstärkung der Transistoren Tr beim Kollek- Die konstanten Ströme, mit denen die Referenz-Current amplification of the transistors Tr at the collector The constant currents with which the reference
ä-törstrom Ik und mit «Tv die Stromverstärkung der Spannungsquellen 3 beschickt werden und die bei den ä -törstrom Ik and with «Tv the current amplification of the voltage sources 3 are charged and the
Transistoren Tv beim Kollektorstrom IBy bezeichnet 5°' Äusführungsbeispielen in den F i g. 4 bis 6 überTransistors Tv at the collector current IBy denotes 5 ° 'exemplary embodiments in FIGS. 4 to 6 across
sind. ohmsche Widerstände direkt aus der Stromversor-are. ohmic resistances directly from the power supply
ä- Das Ausführungsbeispiel in F i g. 6 hat gegenüber gungsquelle entnommen werden, werden bei der Zähl-ä- The embodiment in FIG. 6 has to be taken from the supply source, the counting
den Ausführungsbeispielen in den F i g. 4 und 5 den kette in F i g. 7 von Konstantstromquellen geliefert,the exemplary embodiments in FIGS. 4 and 5 denote the chain in FIG. 7 supplied by constant current sources,
Vorteil, daß erstens nur noch ein ohmscher Wider- die aus jeweils einem Transistor Tr bestehen, dessenThe advantage that, firstly, only one ohmic resistor, each consisting of a transistor Tr, whose
stand für eine aus Multivibratoren entsprechend dem 55 Leitungstyp der gleiche wie der Leitungstyp der in denstood for one of multivibrators corresponding to the 55 conduction type the same as the conduction type in the
Block 1 zusammengesetzte Zählkette benötigt wird Multivibratorteilen 1 enthaltenen Transistoren ist undBlock 1 composite counting chain is required is multivibrator parts 1 contained transistors and
und daß zweitens die Anzahl der Zählstufen dieser der kollektorseitig den betreffenden konstanten Stromand that, secondly, the number of counting stages that the collector side of the relevant constant current
Zählkette bei vorausgesetzt gleich guter Temperatur- liefert. Die Basis-Emitter-Strecken der Transistoren Tr Counting chain with the assumption that the temperature is equally good. The base-emitter paths of the transistors Tr
Γ Unabhängigkeit der Ströme Ik und IBy wesentlich größer sind parallel zueinander geschaltet und an eine gemein-Γ The independence of the currents Ik and IBy, which is much greater, are connected in parallel and connected to a common
als bei den Ausführungsbeispielen in den F i g. 4 «> same Referenzspannungsqueile 5 angeschlossen, diethan in the exemplary embodiments in FIGS. 4 «> same reference voltage source 5 connected to the
r und 5 sein darf, letzteres deswegen, weil bei dem Aus- aus einem über den Widerstand R mit einem kon- r and 5 may be, the latter because on the out of one via the resistor R with a con-
'< iührungsbeispiel in F i g. 6 das Verhältnis der Summe stanten Strom beschickten temperaturabhängigen Wi- The example in FIG. 6 the ratio of the sum of the constant current fed temperature-dependent wi-
f der über den Widerstand R fließenden Basisströme derstand besteht. Der temperaturabhängige Wider-f the base currents flowing through the resistor R exist. The temperature-dependent resistance
fi zum Gesamtstrom des Widerstandes R für eine be- stand wird von einem mit den Transistoren R iden· f i to the total current of the resistor R for a component is iden by one with the transistors R
ί stimmte Anzahl π von Transistoren Tv bzw. Tk we- 65 tischen Transistor Tlt gebildet, dessen Emitter derί correct number π of transistors Tv or Tk formed 65 tical transistor T lt , the emitter of the
ί sentlich kleiner als das entsprechende Verhältnis bei einen Pol und dessen zusammengeschaltete Kollektor ί significantly smaller than the corresponding ratio for a pole and its interconnected collector
" den Äusführungsbeispielen in den F i g. 4 und 5 für und Basis-Elektroden defi anderen Pol des temperatur"the exemplary embodiments in FIGS. 4 and 5 for and base electrodes for the other pole of the temperature
fi die gleiche Anzahl η von Transistoren TV bzw. Tk ist, abhängigen Widerstandes bilden. Die Wirkungsweisi fi is the same number η of transistors TV and Tk , respectively, form the dependent resistance. The mode of action
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dieser im Block 4 zusammengefaßten Konstantstromquellen in Verbindung mit der Referenzspannuingsquelle 5 sowie dem Strömzuführungswiderstähd Ii ist die gleiche wie die oben im Zusammenhang liiit der F i g. 4 erörterte Wirkungsweise der Von den Tiransistofen Tv gebildeten Konstantstromquellen in Verbindung mit der Referehzspännüngsquelle3a sowie dem Stromzuführungswiderstand A1, Eine nochmalige ■ähere Erläuterung der Wirkungsv/eise der Blöcke 4 Und 5 in F i g. 7 erübrigt sich daher.these constant current sources combined in block 4 in connection with the reference voltage source 5 and the flow supply resistor Ii is the same as that above in connection with FIG. 4 discussed mode of action of the constant current sources formed by the Tiransistofen Tv in connection with the reference voltage source 3a and the power supply resistor A 1 , a further explanation of the mode of action of blocks 4 and 5 in FIG. 7 is therefore unnecessary.
Die Zählkette in F i g. 7 zeichnet sich durch eine tußerordentlich große Temperaturstabilität aus, Was ■um großen Teil darauf zurückzuführen ist, daß die einzelnen Referenzspannungsquellen 3 nur sehr gering, •ämlich nur mit den Basisströmen von jeweils sechs Transistoren Tv belastet sind, so daß über weite Temperaturbereiche Konstanz der den Multitibrak Meilen 1 zugeführten Ströme Ικν und Ibv erzielt Wird. Es wird in diesem Zusammenhang auf die Auslührungen zur F i g. 6 verwiesen, wonach für eine ao »och relativ gute Temperaturunabhängigkeit di:eser Ströme eine große Anzahl von Zählstufen von einer Referenzspannungsquelle aus versorgt werden kann. Umgekehrt ist dann bei einer relativ kleinen Anzahl von Zählstufen, die von einer Referenzspannungsquelle versorgt werden, ü'<e Temperaturunabhängigkeit entsprechend besser.The counting chain in FIG. 7 is characterized by an extraordinarily high temperature stability, which is due in large part to the fact that the individual reference voltage sources 3 are only very slightly loaded with only the base currents of six transistors Tv each, so that over wide temperature ranges the constancy of the Multitibrak miles 1 supplied currents Ικν and Ib v is obtained. In this context, reference is made to the remarks on FIG. 6 referred to, according to which a large number of counting stages can be supplied from a reference voltage source for an also relatively good temperature independence of these currents. Conversely, with a relatively small number of counting stages that are supplied by a reference voltage source, temperature independence is correspondingly better.
Des weiteren zeichnet sich die Zählkette in F i g. 7 dadurch aus, daß sie nur einen einzigen ohmschen Widerstand enthält, der im vorliegenden Fall mit den Transistoren Tr und dem Transistor T12 zu einem integrierten Schaltkreis zusammengefaßt ist.The counting chain is also shown in FIG. 7 characterized in that it contains only a single ohmic resistor, which in the present case is combined with the transistors Tr and the transistor T 12 to form an integrated circuit.
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