DE2061655B2 - Electrophotographic recording material - Google Patents
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- DE2061655B2 DE2061655B2 DE19702061655 DE2061655A DE2061655B2 DE 2061655 B2 DE2061655 B2 DE 2061655B2 DE 19702061655 DE19702061655 DE 19702061655 DE 2061655 A DE2061655 A DE 2061655A DE 2061655 B2 DE2061655 B2 DE 2061655B2
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 18
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 36
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 35
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 33
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 6
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 23
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 claims 1
- DWGQLIHNAWNSTB-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Se] Chemical compound [AlH3].[Se] DWGQLIHNAWNSTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZQRRBZZVXPVWRB-UHFFFAOYSA-N [S].[Se] Chemical compound [S].[Se] ZQRRBZZVXPVWRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 claims 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 claims 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N [As].[Se] Chemical compound [As].[Se] QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000052616 bacterial pathogen Species 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 description 1
- 150000003343 selenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012622 synthetic inhibitor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
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Description
somit die bekannte vorteilhafte Erweiterung des des Aufzeichnungsmateiials vorgesehen ist, durch spektralen Empfindlichkeitsbereiches über das ganze zusätzliche Maßnahmen zu fördern und zu erleichtern, sichtbare Spektrum aufweist, bei dem gleichzeitig Man erreicht dadurch, daß die Bedingungen für das aber mit Sicherheit eine Weiterkristallisation der spätere Aufbringen, z.B. für das Aufdampfen, der kristallinen Schicht in die amorphe Schicht hinein 5 amorphen Schicht nicht mehr im Hinblick auf eine vermieden wird. Ausbildung der Kristallisation der kristallinen Schicht,thus the known advantageous expansion of the recording file is provided by to promote and facilitate the spectral sensitivity range over the whole of additional measures, Visible spectrum has, in which at the same time one achieves that the conditions for the but with certainty a further crystallization of the later application, e.g. for vapor deposition, the crystalline layer into the amorphous layer into 5 amorphous layer no longer with regard to a is avoided. Formation of crystallization of the crystalline layer,
Diese Aufgabe wird bei einem elektrophotographi- sondern unabhängig davon getroffen werden können, sehen Aufzeichnungsmaterial mit einem Schichtträger und zwar dann so gewählt werden, daß die Keim- und zwei photoleitfähigen, Selen enthaltenden Schich- bildung innerhalb der amorphen Gchicht soweit wie ten, von denen eine kristallin und die zweite amorph io möglich vermieden wird.This task will be done in the case of an electrophotographic but independently see recording material with a layer support and then be chosen so that the germs and two photoconductive, selenium-containing layers within the amorphous layer as far as th, of which one crystalline and the second amorphous io is avoided if possible.
ist. erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß es zwischen Wenn beispielsweise die kristallisierte Teilschichtis. solved according to the invention in that there is between If, for example, the crystallized partial layer
der kristallinen und der amorphen Schicht eine kri- an die Trägerplatte angrenzt, ist es vorteilhaft, die stallisationshemmer enthaltende, amorphe Selen- Aufdampfbedingungen bei der Herstellung der Schicht Zwischenschicht enxhält. so zu wählen, daß die Schicht von der Unterlage herthe crystalline and the amorphous layer adjoins the carrier plate, it is advantageous to use the Amorphous selenium vapor deposition conditions containing anti-aging agents in the production of the layer Contains intermediate layer. to be chosen so that the layer from the base
Man erreicht mit dem erfindungsgemäßen Auf- 15 kristallisiert. Im allgemeinen wird die Unterlage an Zeichnungsmaterial, daß von der kristallisierten ihrer Oberfläche bereits schon viele keimbildungsför-Schicht her kein Fortschreiten der Kristallisation in dernde Zentren enthalten. Durch eine zusätzliche die amorphe Schicht hinein mehr stattfindet und auf leichte Aufrauhung der Oberfläche läßt sich deren diese Weise die ursprünglichen Eigenschaften der Zahl noch weiter vermehren und dementsprechend amorphen und der kristallisierten Schicht erhalten 30 die Kristallisation von der Unterlage her erleichtern, bleiben, d. h. insbesondere die elektrophotographische Für diese Aufrauhung erscheint eine Rauhtiefe von Empfindlichkeit im Ausmaß des ursprünglichen spek- 0,1 bis 25 μΐη, vorzugsweise 1 bis 5 μΐη, als zwecktralen Bereiches auch während einer längeren Be- mäßig. Durch eine zweckmäßig gewählte Unterlagennutzungsdauer keine Einschränkung erfährt, temperatur und eine zweckmäßig gewählte Auf-Der Hauptteil der amorphen Schicht bleibt dennoch 25 dampf rate wird die Kristallisation von der Unterlage von Kristallisationshemmern frei, weil die Zugabe her ebenfalls noch weiter gefördert. Schließlich ist es von Kristallisationshemmern auf eine dünne Zwi- auch vorteilhaft, die Kristallisation durch Zusätze, selenschicht zwischen der kristallinen und der beispielsweise durch Thallium oder durch Halogene, amorphen Schicht beschränkt bleibt und sich da- zu erleichtern.With the inventive 15 crystallization is achieved. In general, the base of drawing material is such that, from the crystallized surface, many nucleation-promoting layers do not contain any progression of crystallization in changing centers. An additional the amorphous layer takes place in more and to slight roughening of the surface, which in this way can increase the original characteristics of the number even further and the amorphous accordingly and the crystallized film obtained 30, the crystallization of the base forth facilitate remain, ie in particular the Electrophotographic For this roughening, a roughness depth of sensitivity to the extent of the original spec- 0.1 to 25 μm, preferably 1 to 5 μm, appears as the purposeful range even during a relatively long period of time. The main part of the amorphous layer still remains vapor rate, the crystallization from the base is free of crystallization inhibitors because the addition is also further promoted. Finally, when using crystallization inhibitors, it is also advantageous to use additives, a selenium layer between the crystalline layer and the amorphous layer, for example by thallium or halogens, to make the crystallization easier.
durch vorteilhaft von der bisher bekannten Anwen- 30 Die Figur zeigt in zum Teil schematischer Dardung von Kristallisationshemmern unterscheidet. stellung ein Ausführungsbeispiel für das erfindungs-Für die erfindungsgemäße Zwischenschicht hat sich gemäße elektrophotographische Aufzeichnungsmateeine Schichtdicke von etwa 0,1 bis 10 μΐη vorteilhaft rial. Auf einer Trägerplatte 1, die beispielsweise aus erwiesen. Aluminium oder Glas mit einer transparenten elek-Die Änderung der Konzentration der Kristallisa- 35 trisch leitfähigen Zinndioxid-Schicht besteht und tionshemmer beim Übergang von der Zwischenschicht deren Oberfläche 2 gegebenenfalls leicht aufgerauht zu der amorphen Schicht erfolgt entweder abrupt, ist, befindet sich eine Schicht aus kristallisiertem wobei die hohe Konzentration der Kristallisations- Selen 3, das gegebenenfalls mit Kristallisationsfordehemmer, die eine Weiterkristallisation mit Sicherheit rern, etwa mit Thallium, versehen ist. ausschließt, sprunghaft absinkt, oder es findet eine 4° Die Schicht aus kristallisiertem Selen 3 tragt ihrerallmähliche Konzentrationsabnahme am Übergang seits eine weitere dünne Zwischenschicht aus von der Zwischenschicht zu der von Kristallisation*- amorphem Selen 4, das erfindungsgemäß mit Knstalhemmern freien amorphen Schicht statt, indem die lisationshemmern, beispielsweise mit Arsen, versehen Konzentration der Kristallisationshemmer kontinuier- ist. Auf der dünnen Zwischenschicht 4 befindet sich lieh und/oder stufenweise auf niedere Werte bis Null 45 eine weitere amorphe, von Kristallisationshemmern fällt. freie Schicht 5.by advantageous from the previously known application. The figure shows a partially schematic diagram differs from crystallization inhibitors. position an embodiment of the invention-for the intermediate layer according to the invention has become suitable electrophotographic recording materials Layer thickness of about 0.1 to 10 μm advantageously rial. On a carrier plate 1, for example from proven. Aluminum or glass with a transparent elec- The change in the concentration of the crystalline-conductive tin dioxide layer consists and tion inhibitor at the transition from the intermediate layer, the surface 2 of which may be slightly roughened to the amorphous layer occurs either abruptly, there is a layer of crystallized where the high concentration of crystallization selenium 3, which is optionally with crystallization inhibitor, which rern a further crystallization with certainty, for example with thallium, is provided. excludes, drops suddenly, or it finds a 4 ° The layer of crystallized selenium 3 gradually wears it Concentration decrease at the transition, on the other hand, a further thin intermediate layer from the intermediate layer to that of crystallization * - amorphous selenium 4, which according to the invention with synthetic inhibitors free amorphous layer instead by adding the lization inhibitors, for example with arsenic The concentration of the anti-crystallization agent is continuous. On the thin intermediate layer 4 is located borrowed and / or gradually to low values up to zero 45 a further amorphous, of crystallization inhibitors falls. free layer 5.
Als geeigneter Stoff für das erfindungsgemäße Auf- Abschließend seien noch einmal mögUche Herzeichnungsmaterial hat sich beispielsweise Selen er- :tellungsverfahren für das erfindungsgemäße elektrowiesen, das entweder in elementarer Form oder als photographische Aufzeichnungsmaterial beschrieben. Selenverbindung oder als Legierung mit Selen ver- 50 Zur Herstellung einer kristallisierten Selenschicr-t wendet wird und das sowohl die amorphe als auch wird beispielsweise zunächst bei einer Temperatur die kristalline Schicht bilden kann. unterhalb von etwa 70° C eine amorphe SelenschichtAs a suitable substance for the inventive drawing up material are again possible has, for example, selenium creation process for the electric meadows according to the invention, written either in elemental form or as photographic recording material. Selenium compound or as an alloy with selenium 50 For the production of a crystallized selenium-t is applied and that both the amorphous and is, for example, initially at one temperature can form the crystalline layer. below about 70 ° C an amorphous selenium layer
Als Kristallisationshemmer haben sich beispiels- in entsprechender Schichtdicke aufgedampft, die weise Arsen, Antimon oder Phosphor oder ein Ge- darauf durch einen Zwischentemperschntt^ in einem misch aus diesen Stoffen bewährt. Ihr Anteil an der 55 Temperaturbereich von etwa 100 bis 120 C in die photoleitenden Schicht ist von der jeweiligen Art des kristallisierte Modifikation übergeführt wird. Aul Dotierstoffes abhängig. Beispielsweise hat sich bei diese kristallisierte Schicht werden dann, nachdem Arsen ein Zusatz etwa bis zu 48 «/0 als vorteilhaft er- die Temperatur wieder bis unter 70 C abgesenkt wiesen. Daneben können natürlich sowohl im wurde, die amorphen Schichten — zweckmauigeramorphen als auch im kristallisierten Selen noch 60 weise ebenfalls durch Aufdampfen — autgebraem, andere übliche Dotierstoffe vorhanden sein, etwa wobei die üblicherweise verwendeten Gesamtscmcmsolche, die die Leitfähigkeit, die spektrale Empfind- dicken etwa von 10 bis 300 μΐη erreicht werden lichkeit, das Restpotential, die Ermüdung, den Ab- Bei einer weiteren Ausgestaltung des HersteHungJ-As a crystallization inhibitor, for example, the wise arsenic, antimony or phosphorus, or a layer on it through an intermediate temperature, all in one a mixture of these materials has proven its worth. Their share of the 55 temperature range from about 100 to 120 C in the photoconductive layer is converted from the particular type of crystallized modification. Aul Dopant dependent. For example, this crystallized layer has to be then after Adding arsenic up to about 48% is advantageous and the temperature is lowered again to below 70 ° C grasslands. In addition, of course, the amorphous layers - purposefully amorphous as well as in crystallized selenium, also by vapor deposition - autgebraem, other common dopants may be present, such as the commonly used total cmcms such, which the conductivity, the spectral sensitivity can be achieved from about 10 to 300 μΐη the residual potential, the fatigue, the loss of
rieb, die Haftfestigkeit oder andere Eigenschaften Verfahrens für das erfindungsgemäße ^ίΓ0^° beeinflussen. 65 graphische Aufzeichnungsmaterial wird auf den rubbed, affecting the adhesive strength or other properties of the method for the ^ ίΓ0 ^ ° according to the invention. 65 graphic recording material is applied to the
Eine weitere Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Träger der photoleitenden Schicht <»«**"" Aufzeichnungsmaterials besteht darin, die Kristalli- vornherein bei einer Temperatur ober halbvorι eι sation in einer Schicht, für die die kristallisierte Form 70° C aufgebracht, beispielsweise wieder aulgedampAnother embodiment of the support according to the invention for the photoconductive layer <»« ** "" The recording material consists in the crystallization from the outset at a temperature above half-past sation in a layer for which the crystallized form is applied at 70 ° C, for example re-evaporation
Bei einer so hohen Substrattemperatur scheidet turintervall zur Umwandlung der ersten Schicht inWith such a high substrate temperature, the first layer is converted into a turintervall
sich das aufgedampfte Selen gleich in der kristallisier- die kristallisierte Modifikation vollzogen wird,the evaporated selenium is carried out immediately in the crystallized the crystallized modification,
ten Form ab. Wie oben beschrieben, wird dann die Zur Erzeugung der mit Kristallisationshemmernth shape. As described above, the production of the with crystallization inhibitors
Temperatur unter 70° C abgesenkt, und danach wer- versehenen Zwischenschicht — etwai einer mit ArsenThe temperature is lowered below 70 ° C, and then an intermediate layer is provided - something with arsenic
den die amorphen Schichten auf die kristallisierte 5 versehenen amorphen Selenschicht — hat sich diewhich the amorphous layers on the crystallized 5 provided amorphous selenium layer - the
Schicht aufgebracht. sogenannte Flash-Verdampfung als zweckmäßig er-Layer applied. so-called flash evaporation as expedient
Zur Erzeugung der kristallisierten Schicht hat sich wiesen, die insbesondere dann mit Vorteil angewen-It has been shown to produce the crystallized layer, which is then used with advantage in particular.
als besonders vorteilhaft erwiesen, zugleich mit dem det wird, wenn eine Legierung oder ein Gemisch vonProven to be particularly advantageous at the same time as the det is when an alloy or mixture of
Selendampf auch Kristallisationsförderer, z. B. Thal- Komponenten mit stark unterschiedlichem Dampf-Selenium vapor also promotes crystallization, e.g. B. Thal components with very different steam
lium oder Halogene, aufzudampfen, was sowohl aus iq druck aus einer gemeinsamen Verdampfungsquellelium or halogens, evaporation of both iq pressure from a common evaporation source
einer gemeinsamen Quelle als auch aus getrennten verdampft werden soll. Es ist aber auch möglich, denfrom a common source as well as from separate sources. But it is also possible to use the
Quellen für das Selen und die Kristallisationsförderer Photoleiter und den die Kristallisation hemmendenSources for the selenium and the crystallization promoters photoconductors and the crystallization inhibitor
geschehen kann. Bei gleichzeitigem Aufbringen von Stoff gleichzeitig aus verschiedenen Verdampfungs-can happen. With simultaneous application of substance from different evaporation
Kristallisationsförderem zusammen mit dem Selen- quellen zu entwickeln, wobei in den oben angeführtenCrystallization promoters develop together with the selenium sources, with those mentioned above
dampf ist nämlich die Möglichkeit gegeben, entweder 15 Beispiel Selen-Arsen entweder von den reinen Kom-15 Example selenium arsenic either from the pure com-
be; niedrigerer Temperatur oder in kürzerer Temper- ponenten Seien und Arsen oder von Selen und einerbe; lower temperature or shorter tempering components Be and arsenic or selenium and one
zeit die kristallisierte Modifikation zu erzeugen. Dies Selen-Arsen-Verbindung ausgegangen wird,time to produce the crystallized modification. This selenium-arsenic compound is assumed
ist besonders dann erwünscht, wenn in einem Auf- Sobald die mit Kristallisationsheinmern verseheneis particularly desirable if the one provided with crystallization inhibitors
dampfprozeß zunächst alle Selenschichten, nämlich Zwischenschicht eine ausreichende Schichtdicke er-first all selenium layers, namely intermediate layer a sufficient layer thickness
die für eine Kristallisation vorgesehene erste Schicht »0 halten hat, d. h. etwa 0,1 bis 10 μχη stark ist, wirdthe first layer intended for crystallization has held »0, d. H. is about 0.1 to 10 μχη strong, will
sowie die amorphe, mit Kristallisationshemmern die dritte photoleitende Schicht aus amorphem Selenas well as the amorphous, with crystallization inhibitors the third photoconductive layer made of amorphous selenium
versehene Zwischenschicht und gegebenenfalls aufgebracht. Diese Schicht besteht entweder ausprovided intermediate layer and optionally applied. This layer consists of either
schließlich auch die amorphe, von Kristallisations- Selen, das frei von Kristallisationshemmern ist, oderfinally also the amorphous, crystallization selenium, which is free from crystallization inhibitors, or
hemmem freie dritte Schicht nacheinander auf ge- aus Selen, dessen Anteil an Kristallisationshemmerninhibit free third layer one after the other on gel from selenium, its content of crystallization inhibitors
bracht werden uqd dann erst der Temperschritt bei »5 kontinuierlich und/oder stufenweise auf niedereand then only the tempering step at 5 is brought continuously and / or gradually to lower
gleicher Temperatur oder einem geringen Tempera- Werte bis Null abfällt.same temperature or a low temperature value drops to zero.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
Claims (7)
tungen hierzu werden in zahlreichen Gebieten der 45 Die Herstellung solcher teilkristallbierter Schich-Vervielfältigungstechnik, z. B. für Bürokopien, rönt- ten kann sowohl durch die Temperaturführung bei genographische Abbildungsverfahren oder elektro- der Herstellung als auch durch nachträgliche Temstatische Druckverfahren, angewendet. Sie beruhen peraturbehaudlung gesteuert werden. Dabei kann man auf der Eigenschaft des photoleitenden Materials, bei z. B. die Herstellungsbedingungen so wählen, daß in Belichtung mit einer aktivierenden Strahlung den 5° die amorphe Selenschicht viele kleine Kristalle eingeelektrischen Widerstand zu ändern und elektrische lagert sind oder daß auf einem Schichtträger eine Ladungen an den belichteten Stellen abzuleiten. Mehrschichtanordnung erzeugt wird, bei der tninde-Electrophotographic processes and devices - especially high integral photosensitivity,
The production of such partially crystallized layer reproduction technology, e.g. B. for office copies, x-raying can be used both through temperature control in genographic imaging processes or electrical production and through subsequent temstatic printing processes. They are based on temperature treatment. You can rely on the property of the photoconductive material, for. B. choose the manufacturing conditions so that in exposure to an activating radiation the 5 ° the amorphous selenium layer to change many small crystals eineelectric resistance and are stored electrical or that on a substrate to derive a charge at the exposed areas. Multi-layer arrangement is generated, in the case of the tn
kann. 65 Aufgabe der Erfindung ist es, ein elektrophoto-The photoconductive layer is applied to a reinforced trically conductive support on an electrolyte presence of crystallization nuclei, which is usually given the possibility of crystallization and this form of a flat plate or a cylindrical drum is therefore formed through the entire photosensitive layer and is made of metal, how about wandering through. The amorphous selenium aluminum, or an insulator with a conductive layer, is finally converted into crystallized selenium to the extent that the surface, such as glass with a transparent layer, can be used for electrophotographic purposes or made of paper ,
can. 65 The object of the invention is to provide an electrophoto-
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702061655 DE2061655C3 (en) | 1970-12-15 | 1970-12-15 | Electrophotographic recording material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702061655 DE2061655C3 (en) | 1970-12-15 | 1970-12-15 | Electrophotographic recording material |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2061655A1 DE2061655A1 (en) | 1972-06-29 |
| DE2061655B2 true DE2061655B2 (en) | 1974-04-04 |
| DE2061655C3 DE2061655C3 (en) | 1974-10-31 |
Family
ID=5791018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19702061655 Expired DE2061655C3 (en) | 1970-12-15 | 1970-12-15 | Electrophotographic recording material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2061655C3 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1494637A (en) * | 1973-12-21 | 1977-12-07 | Licentia Gmbh | Electrophotographic recording material and method of producing it |
| US4286033A (en) * | 1980-03-05 | 1981-08-25 | Xerox Corporation | Trapping layer overcoated inorganic photoresponsive device |
| US4318973A (en) * | 1980-03-05 | 1982-03-09 | Xerox Corporation | Overcoated inorganic layered photoresponsive device and process of use |
| US4287279A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-01 | Xerox Corporation | Overcoated inorganic layered photoresponsive device and process of preparation |
-
1970
- 1970-12-15 DE DE19702061655 patent/DE2061655C3/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2061655C3 (en) | 1974-10-31 |
| DE2061655A1 (en) | 1972-06-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| EF | Willingness to grant licences | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |