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DE2061655B2 - Electrophotographic recording material - Google Patents

Electrophotographic recording material

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DE2061655B2
DE2061655B2 DE19702061655 DE2061655A DE2061655B2 DE 2061655 B2 DE2061655 B2 DE 2061655B2 DE 19702061655 DE19702061655 DE 19702061655 DE 2061655 A DE2061655 A DE 2061655A DE 2061655 B2 DE2061655 B2 DE 2061655B2
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Germany
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layer
selenium
amorphous
crystallized
recording material
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DE2061655A1 (en
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Karlheinz Dr.Rer.Nat. 4785 Belecke Kassel
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/043Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
    • G03G5/0433Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

somit die bekannte vorteilhafte Erweiterung des des Aufzeichnungsmateiials vorgesehen ist, durch spektralen Empfindlichkeitsbereiches über das ganze zusätzliche Maßnahmen zu fördern und zu erleichtern, sichtbare Spektrum aufweist, bei dem gleichzeitig Man erreicht dadurch, daß die Bedingungen für das aber mit Sicherheit eine Weiterkristallisation der spätere Aufbringen, z.B. für das Aufdampfen, der kristallinen Schicht in die amorphe Schicht hinein 5 amorphen Schicht nicht mehr im Hinblick auf eine vermieden wird. Ausbildung der Kristallisation der kristallinen Schicht,thus the known advantageous expansion of the recording file is provided by to promote and facilitate the spectral sensitivity range over the whole of additional measures, Visible spectrum has, in which at the same time one achieves that the conditions for the but with certainty a further crystallization of the later application, e.g. for vapor deposition, the crystalline layer into the amorphous layer into 5 amorphous layer no longer with regard to a is avoided. Formation of crystallization of the crystalline layer,

Diese Aufgabe wird bei einem elektrophotographi- sondern unabhängig davon getroffen werden können, sehen Aufzeichnungsmaterial mit einem Schichtträger und zwar dann so gewählt werden, daß die Keim- und zwei photoleitfähigen, Selen enthaltenden Schich- bildung innerhalb der amorphen Gchicht soweit wie ten, von denen eine kristallin und die zweite amorph io möglich vermieden wird.This task will be done in the case of an electrophotographic but independently see recording material with a layer support and then be chosen so that the germs and two photoconductive, selenium-containing layers within the amorphous layer as far as th, of which one crystalline and the second amorphous io is avoided if possible.

ist. erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß es zwischen Wenn beispielsweise die kristallisierte Teilschichtis. solved according to the invention in that there is between If, for example, the crystallized partial layer

der kristallinen und der amorphen Schicht eine kri- an die Trägerplatte angrenzt, ist es vorteilhaft, die stallisationshemmer enthaltende, amorphe Selen- Aufdampfbedingungen bei der Herstellung der Schicht Zwischenschicht enxhält. so zu wählen, daß die Schicht von der Unterlage herthe crystalline and the amorphous layer adjoins the carrier plate, it is advantageous to use the Amorphous selenium vapor deposition conditions containing anti-aging agents in the production of the layer Contains intermediate layer. to be chosen so that the layer from the base

Man erreicht mit dem erfindungsgemäßen Auf- 15 kristallisiert. Im allgemeinen wird die Unterlage an Zeichnungsmaterial, daß von der kristallisierten ihrer Oberfläche bereits schon viele keimbildungsför-Schicht her kein Fortschreiten der Kristallisation in dernde Zentren enthalten. Durch eine zusätzliche die amorphe Schicht hinein mehr stattfindet und auf leichte Aufrauhung der Oberfläche läßt sich deren diese Weise die ursprünglichen Eigenschaften der Zahl noch weiter vermehren und dementsprechend amorphen und der kristallisierten Schicht erhalten 30 die Kristallisation von der Unterlage her erleichtern, bleiben, d. h. insbesondere die elektrophotographische Für diese Aufrauhung erscheint eine Rauhtiefe von Empfindlichkeit im Ausmaß des ursprünglichen spek- 0,1 bis 25 μΐη, vorzugsweise 1 bis 5 μΐη, als zwecktralen Bereiches auch während einer längeren Be- mäßig. Durch eine zweckmäßig gewählte Unterlagennutzungsdauer keine Einschränkung erfährt, temperatur und eine zweckmäßig gewählte Auf-Der Hauptteil der amorphen Schicht bleibt dennoch 25 dampf rate wird die Kristallisation von der Unterlage von Kristallisationshemmern frei, weil die Zugabe her ebenfalls noch weiter gefördert. Schließlich ist es von Kristallisationshemmern auf eine dünne Zwi- auch vorteilhaft, die Kristallisation durch Zusätze, selenschicht zwischen der kristallinen und der beispielsweise durch Thallium oder durch Halogene, amorphen Schicht beschränkt bleibt und sich da- zu erleichtern.With the inventive 15 crystallization is achieved. In general, the base of drawing material is such that, from the crystallized surface, many nucleation-promoting layers do not contain any progression of crystallization in changing centers. An additional the amorphous layer takes place in more and to slight roughening of the surface, which in this way can increase the original characteristics of the number even further and the amorphous accordingly and the crystallized film obtained 30, the crystallization of the base forth facilitate remain, ie in particular the Electrophotographic For this roughening, a roughness depth of sensitivity to the extent of the original spec- 0.1 to 25 μm, preferably 1 to 5 μm, appears as the purposeful range even during a relatively long period of time. The main part of the amorphous layer still remains vapor rate, the crystallization from the base is free of crystallization inhibitors because the addition is also further promoted. Finally, when using crystallization inhibitors, it is also advantageous to use additives, a selenium layer between the crystalline layer and the amorphous layer, for example by thallium or halogens, to make the crystallization easier.

durch vorteilhaft von der bisher bekannten Anwen- 30 Die Figur zeigt in zum Teil schematischer Dardung von Kristallisationshemmern unterscheidet. stellung ein Ausführungsbeispiel für das erfindungs-Für die erfindungsgemäße Zwischenschicht hat sich gemäße elektrophotographische Aufzeichnungsmateeine Schichtdicke von etwa 0,1 bis 10 μΐη vorteilhaft rial. Auf einer Trägerplatte 1, die beispielsweise aus erwiesen. Aluminium oder Glas mit einer transparenten elek-Die Änderung der Konzentration der Kristallisa- 35 trisch leitfähigen Zinndioxid-Schicht besteht und tionshemmer beim Übergang von der Zwischenschicht deren Oberfläche 2 gegebenenfalls leicht aufgerauht zu der amorphen Schicht erfolgt entweder abrupt, ist, befindet sich eine Schicht aus kristallisiertem wobei die hohe Konzentration der Kristallisations- Selen 3, das gegebenenfalls mit Kristallisationsfordehemmer, die eine Weiterkristallisation mit Sicherheit rern, etwa mit Thallium, versehen ist. ausschließt, sprunghaft absinkt, oder es findet eine 4° Die Schicht aus kristallisiertem Selen 3 tragt ihrerallmähliche Konzentrationsabnahme am Übergang seits eine weitere dünne Zwischenschicht aus von der Zwischenschicht zu der von Kristallisation*- amorphem Selen 4, das erfindungsgemäß mit Knstalhemmern freien amorphen Schicht statt, indem die lisationshemmern, beispielsweise mit Arsen, versehen Konzentration der Kristallisationshemmer kontinuier- ist. Auf der dünnen Zwischenschicht 4 befindet sich lieh und/oder stufenweise auf niedere Werte bis Null 45 eine weitere amorphe, von Kristallisationshemmern fällt. freie Schicht 5.by advantageous from the previously known application. The figure shows a partially schematic diagram differs from crystallization inhibitors. position an embodiment of the invention-for the intermediate layer according to the invention has become suitable electrophotographic recording materials Layer thickness of about 0.1 to 10 μm advantageously rial. On a carrier plate 1, for example from proven. Aluminum or glass with a transparent elec- The change in the concentration of the crystalline-conductive tin dioxide layer consists and tion inhibitor at the transition from the intermediate layer, the surface 2 of which may be slightly roughened to the amorphous layer occurs either abruptly, there is a layer of crystallized where the high concentration of crystallization selenium 3, which is optionally with crystallization inhibitor, which rern a further crystallization with certainty, for example with thallium, is provided. excludes, drops suddenly, or it finds a 4 ° The layer of crystallized selenium 3 gradually wears it Concentration decrease at the transition, on the other hand, a further thin intermediate layer from the intermediate layer to that of crystallization * - amorphous selenium 4, which according to the invention with synthetic inhibitors free amorphous layer instead by adding the lization inhibitors, for example with arsenic The concentration of the anti-crystallization agent is continuous. On the thin intermediate layer 4 is located borrowed and / or gradually to low values up to zero 45 a further amorphous, of crystallization inhibitors falls. free layer 5.

Als geeigneter Stoff für das erfindungsgemäße Auf- Abschließend seien noch einmal mögUche Herzeichnungsmaterial hat sich beispielsweise Selen er- :tellungsverfahren für das erfindungsgemäße elektrowiesen, das entweder in elementarer Form oder als photographische Aufzeichnungsmaterial beschrieben. Selenverbindung oder als Legierung mit Selen ver- 50 Zur Herstellung einer kristallisierten Selenschicr-t wendet wird und das sowohl die amorphe als auch wird beispielsweise zunächst bei einer Temperatur die kristalline Schicht bilden kann. unterhalb von etwa 70° C eine amorphe SelenschichtAs a suitable substance for the inventive drawing up material are again possible has, for example, selenium creation process for the electric meadows according to the invention, written either in elemental form or as photographic recording material. Selenium compound or as an alloy with selenium 50 For the production of a crystallized selenium-t is applied and that both the amorphous and is, for example, initially at one temperature can form the crystalline layer. below about 70 ° C an amorphous selenium layer

Als Kristallisationshemmer haben sich beispiels- in entsprechender Schichtdicke aufgedampft, die weise Arsen, Antimon oder Phosphor oder ein Ge- darauf durch einen Zwischentemperschntt^ in einem misch aus diesen Stoffen bewährt. Ihr Anteil an der 55 Temperaturbereich von etwa 100 bis 120 C in die photoleitenden Schicht ist von der jeweiligen Art des kristallisierte Modifikation übergeführt wird. Aul Dotierstoffes abhängig. Beispielsweise hat sich bei diese kristallisierte Schicht werden dann, nachdem Arsen ein Zusatz etwa bis zu 48 «/0 als vorteilhaft er- die Temperatur wieder bis unter 70 C abgesenkt wiesen. Daneben können natürlich sowohl im wurde, die amorphen Schichten — zweckmauigeramorphen als auch im kristallisierten Selen noch 60 weise ebenfalls durch Aufdampfen — autgebraem, andere übliche Dotierstoffe vorhanden sein, etwa wobei die üblicherweise verwendeten Gesamtscmcmsolche, die die Leitfähigkeit, die spektrale Empfind- dicken etwa von 10 bis 300 μΐη erreicht werden lichkeit, das Restpotential, die Ermüdung, den Ab- Bei einer weiteren Ausgestaltung des HersteHungJ-As a crystallization inhibitor, for example, the wise arsenic, antimony or phosphorus, or a layer on it through an intermediate temperature, all in one a mixture of these materials has proven its worth. Their share of the 55 temperature range from about 100 to 120 C in the photoconductive layer is converted from the particular type of crystallized modification. Aul Dopant dependent. For example, this crystallized layer has to be then after Adding arsenic up to about 48% is advantageous and the temperature is lowered again to below 70 ° C grasslands. In addition, of course, the amorphous layers - purposefully amorphous as well as in crystallized selenium, also by vapor deposition - autgebraem, other common dopants may be present, such as the commonly used total cmcms such, which the conductivity, the spectral sensitivity can be achieved from about 10 to 300 μΐη the residual potential, the fatigue, the loss of

rieb, die Haftfestigkeit oder andere Eigenschaften Verfahrens für das erfindungsgemäße ^ίΓ0 beeinflussen. 65 graphische Aufzeichnungsmaterial wird auf den rubbed, affecting the adhesive strength or other properties of the method for the ^ ίΓ0 ^ ° according to the invention. 65 graphic recording material is applied to the

Eine weitere Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Träger der photoleitenden Schicht <»«**"" Aufzeichnungsmaterials besteht darin, die Kristalli- vornherein bei einer Temperatur ober halbvorι eι sation in einer Schicht, für die die kristallisierte Form 70° C aufgebracht, beispielsweise wieder aulgedampAnother embodiment of the support according to the invention for the photoconductive layer <»« ** "" The recording material consists in the crystallization from the outset at a temperature above half-past sation in a layer for which the crystallized form is applied at 70 ° C, for example re-evaporation

Bei einer so hohen Substrattemperatur scheidet turintervall zur Umwandlung der ersten Schicht inWith such a high substrate temperature, the first layer is converted into a turintervall

sich das aufgedampfte Selen gleich in der kristallisier- die kristallisierte Modifikation vollzogen wird,the evaporated selenium is carried out immediately in the crystallized the crystallized modification,

ten Form ab. Wie oben beschrieben, wird dann die Zur Erzeugung der mit Kristallisationshemmernth shape. As described above, the production of the with crystallization inhibitors

Temperatur unter 70° C abgesenkt, und danach wer- versehenen Zwischenschicht — etwai einer mit ArsenThe temperature is lowered below 70 ° C, and then an intermediate layer is provided - something with arsenic

den die amorphen Schichten auf die kristallisierte 5 versehenen amorphen Selenschicht — hat sich diewhich the amorphous layers on the crystallized 5 provided amorphous selenium layer - the

Schicht aufgebracht. sogenannte Flash-Verdampfung als zweckmäßig er-Layer applied. so-called flash evaporation as expedient

Zur Erzeugung der kristallisierten Schicht hat sich wiesen, die insbesondere dann mit Vorteil angewen-It has been shown to produce the crystallized layer, which is then used with advantage in particular.

als besonders vorteilhaft erwiesen, zugleich mit dem det wird, wenn eine Legierung oder ein Gemisch vonProven to be particularly advantageous at the same time as the det is when an alloy or mixture of

Selendampf auch Kristallisationsförderer, z. B. Thal- Komponenten mit stark unterschiedlichem Dampf-Selenium vapor also promotes crystallization, e.g. B. Thal components with very different steam

lium oder Halogene, aufzudampfen, was sowohl aus iq druck aus einer gemeinsamen Verdampfungsquellelium or halogens, evaporation of both iq pressure from a common evaporation source

einer gemeinsamen Quelle als auch aus getrennten verdampft werden soll. Es ist aber auch möglich, denfrom a common source as well as from separate sources. But it is also possible to use the

Quellen für das Selen und die Kristallisationsförderer Photoleiter und den die Kristallisation hemmendenSources for the selenium and the crystallization promoters photoconductors and the crystallization inhibitor

geschehen kann. Bei gleichzeitigem Aufbringen von Stoff gleichzeitig aus verschiedenen Verdampfungs-can happen. With simultaneous application of substance from different evaporation

Kristallisationsförderem zusammen mit dem Selen- quellen zu entwickeln, wobei in den oben angeführtenCrystallization promoters develop together with the selenium sources, with those mentioned above

dampf ist nämlich die Möglichkeit gegeben, entweder 15 Beispiel Selen-Arsen entweder von den reinen Kom-15 Example selenium arsenic either from the pure com-

be; niedrigerer Temperatur oder in kürzerer Temper- ponenten Seien und Arsen oder von Selen und einerbe; lower temperature or shorter tempering components Be and arsenic or selenium and one

zeit die kristallisierte Modifikation zu erzeugen. Dies Selen-Arsen-Verbindung ausgegangen wird,time to produce the crystallized modification. This selenium-arsenic compound is assumed

ist besonders dann erwünscht, wenn in einem Auf- Sobald die mit Kristallisationsheinmern verseheneis particularly desirable if the one provided with crystallization inhibitors

dampfprozeß zunächst alle Selenschichten, nämlich Zwischenschicht eine ausreichende Schichtdicke er-first all selenium layers, namely intermediate layer a sufficient layer thickness

die für eine Kristallisation vorgesehene erste Schicht »0 halten hat, d. h. etwa 0,1 bis 10 μχη stark ist, wirdthe first layer intended for crystallization has held »0, d. H. is about 0.1 to 10 μχη strong, will

sowie die amorphe, mit Kristallisationshemmern die dritte photoleitende Schicht aus amorphem Selenas well as the amorphous, with crystallization inhibitors the third photoconductive layer made of amorphous selenium

versehene Zwischenschicht und gegebenenfalls aufgebracht. Diese Schicht besteht entweder ausprovided intermediate layer and optionally applied. This layer consists of either

schließlich auch die amorphe, von Kristallisations- Selen, das frei von Kristallisationshemmern ist, oderfinally also the amorphous, crystallization selenium, which is free from crystallization inhibitors, or

hemmem freie dritte Schicht nacheinander auf ge- aus Selen, dessen Anteil an Kristallisationshemmerninhibit free third layer one after the other on gel from selenium, its content of crystallization inhibitors

bracht werden uqd dann erst der Temperschritt bei »5 kontinuierlich und/oder stufenweise auf niedereand then only the tempering step at 5 is brought continuously and / or gradually to lower

gleicher Temperatur oder einem geringen Tempera- Werte bis Null abfällt.same temperature or a low temperature value drops to zero.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (7)

1 2 elektrisches Ladungsbild, das dem optischen Bild Patentansprüche: entspricht. An den belichteten Stellen findet nämlich eine solche Erhöhung der Leitfähigkeit der photo-1 2 electrical charge image that corresponds to the optical image. This is because such an increase in the conductivity of the photo- 1. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmate- leitenden Schicht statt, daß die elektrische Ladung rial mit einem Schichtträger und zwei photoleit- 5 über den leitenden Träger — Zumindest teilweise, fähigen, Selen enthaltenden Schichten, von denen jedenfalls aber stärker als an den unbelichteten Steleine kristallin und die zweite amorph ist, da- len — abfließen kann, während au den unbelichteten durch gekennzeichnet, daß es zwischen Stellen die elektrische Ladimg im wesentlichen erder kristallinen und der amorphen Schicht eine halten bleibt; sie kann mit einem Bildpulver, einem Kristallisationshemmer enthaltende, amorphe xo sogenannten Toner, sichtbar gemacht und das entSelen-Zwischenschicht enthält standene Tonerbild schließlich auf Papier oder eine1. Electrophotographic recording material- conductive layer that holds the electrical charge rial with a layer support and two photoconductive 5 over the conductive support - at least partially, capable, selenium-containing layers, of which in any case stronger than on the unexposed Steleine crystalline and the second is amorphous because it can flow off, while on the unexposed characterized in that it essentially earths the electrical charge between points crystalline and the amorphous layer remains one; she can with a picture powder, a Crystallization inhibitor containing, amorphous xo so-called toners, made visible and the de-selenium intermediate layer finally contains a standing toner image on paper or a 2. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, da- andere Unterlage übertragen werden.2. Recording material as claimed in claim 1, in which other substrates are transferred. durch gekennzeichnet, daß es eine 0,1 bis 10 μτη Zu den elektrophotographisch wirksamen Stoffencharacterized in that there is a 0.1 to 10 μτη to the electrophotographically active substances dicke Zwischenschicht enthalt. gehören sowohl Substanzen im kristallinen wie imContains thick intermediate layer. belong both to substances in the crystalline as in the 3. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, da- 15 amorphen Zustand. Unter ihnen spielt z. B. das durch gekennzeichnet, daß die. Zwischenschicht amorphe Selen eine besonders wichtige Rolle und zwischen 0,1 und 48 Gewichtsprozent Kristallisa- findet daher eine vielfältige praktische Verwendung, tionshemmer enthält Als metastabiler Stoff hat das amorphe Selen das3. A recording material according to claim 1, DA-15 amorphous state. Among them z. B. characterized by that the. Interlayer amorphous selenium plays a particularly important role and between 0.1 and 48 percent by weight crystallization is therefore used in many practical applications, contains ionic inhibitors. As a metastable substance, amorphous selenium has that 4. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, Bestreben, unter gewissen Bedingungen — etwa bei dadurch gekennzeichnet daß die Zwischenschicht »o höheren Temperaturen — in den kristallinen Zuals Kristallisationshemmer Arsen und/oder Anti- stand überzugehen.4. Recording material according to claim 1, endeavor, under certain conditions - about at characterized in that the intermediate layer »o higher temperatures - in the crystalline Zuals Arsenic and / or anti-crystallization inhibitors to pass over. mon und/oder Phosphor enthält. Kristallisiertes Selen besitzt einen sehr viel kleine-contains mon and / or phosphorus. Crystallized selenium has a very small 5. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, ren elektrischen Widerstand als Selen im amorphen dadurch gekennzeichnet, daß es einen aufgerauh- Zustand und ermöglicht daher nicht eine genügend ten Schichtträger enthält. 35 hohe und im Dunkeln genügend langsam abklingende5. Recording material according to claim 1, ren electrical resistance as selenium in the amorphous characterized in that it is in a roughened state and therefore does not allow sufficient th layer support contains. 35 high and slowly decaying in the dark 6. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 5, Oberflächenladung auf der Schicht aufzubauen. Desdadurch gekennzeichnet, daß der Schichtträger halb wird kristallisiertes Selen im allgemeinen für zwischen 0,1 und 25 μΐη, vorzugsweise zwischen elektrophotographische Zwecke nicht verwendet, und 1 und 5 μπι, tiefe Rauhigkeiten enthält. man ist darüber hinaus bestrebt, die Umwandlung6. Recording material according to claim 5, to build up surface charge on the layer. Because of that characterized in that the support is generally used for semi-crystallized selenium between 0.1 and 25 μΐη, preferably not used between electrophotographic purposes, and 1 and 5 μπι, contains deep roughness. one also strives for the transformation 7. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, 30 von amorphem Selen in kristallisiertes nach Möglichdadurch gekennzeichnet, daß die kristalline keit zu verhindern.7. Recording material according to Claim 1, 30 of amorphous selenium in crystallized form, if possible thereby characterized in that the crystalline ability to prevent. Schicht als Kristallisationsförderer Thallium oder Andererseits gibt es Gesichtspunkte, die die Verein Halogen enthält. wendung von kristallisierten Selenschichten durchausLayer as a crystallization promoter thallium or on the other hand there are points of view that the association Contains halogen. application of crystallized selenium layers als wüischenswert erscheinen lassen. Da kristallisier-35 tes Selen im Gegensatz zu Selen im amorphen Zu-appear to be worth wiping out. Since crystallized selenium, in contrast to selenium, has an amorphous stand auch im langwelligen Teil des sichtbaren Spektrums oberhalb von 600 nm photoelektrisch empfindlich ist kann bei seiner Verwendung auch dieser Teil des Spektrums nutzbar gemacht werden. Beson-was also photoelectrically sensitive in the long-wave part of the visible spectrum above 600 nm is, this part of the spectrum can also be made usable when it is used. Special Die Erfindung betrifft ein elektrophotographisches 40 ders vorteilhaft erscheint dabei eine Kombination Aufzeichnungsmaterial mit einem Schichtträger und von amorphen und kristallisiertem Selen. Da eine zwei photoleitfähigen. Selen enthaltenden Schichten, solche Schicht sowohl im blauen als auch im roten von denen eine kristallin und die zweite amorph ist. Spektralbereich empfindlich ist, erzielt man eine be-The invention relates to an electrophotographic 40 which appears to be advantageous in a combination Recording material with a layer support and of amorphous and crystallized selenium. There one two photoconductive. Layers containing selenium, such layer in both blue and red one of which is crystalline and the second is amorphous. Spectral range is sensitive, one achieves a Elektrophotographische Verfahren und Vorrich- sonders hohe integrale Photoempfindlichkeit,
tungen hierzu werden in zahlreichen Gebieten der 45 Die Herstellung solcher teilkristallbierter Schich-Vervielfältigungstechnik, z. B. für Bürokopien, rönt- ten kann sowohl durch die Temperaturführung bei genographische Abbildungsverfahren oder elektro- der Herstellung als auch durch nachträgliche Temstatische Druckverfahren, angewendet. Sie beruhen peraturbehaudlung gesteuert werden. Dabei kann man auf der Eigenschaft des photoleitenden Materials, bei z. B. die Herstellungsbedingungen so wählen, daß in Belichtung mit einer aktivierenden Strahlung den 5° die amorphe Selenschicht viele kleine Kristalle eingeelektrischen Widerstand zu ändern und elektrische lagert sind oder daß auf einem Schichtträger eine Ladungen an den belichteten Stellen abzuleiten. Mehrschichtanordnung erzeugt wird, bei der tninde-
Electrophotographic processes and devices - especially high integral photosensitivity,
The production of such partially crystallized layer reproduction technology, e.g. B. for office copies, x-raying can be used both through temperature control in genographic imaging processes or electrical production and through subsequent temstatic printing processes. They are based on temperature treatment. You can rely on the property of the photoconductive material, for. B. choose the manufacturing conditions so that in exposure to an activating radiation the 5 ° the amorphous selenium layer to change many small crystals eineelectric resistance and are stored electrical or that on a substrate to derive a charge at the exposed areas. Multi-layer arrangement is generated, in the case of the tn
AIs photoleitende Stoffe sind beispielsweise Selen, stens je eine kristallisierte und eine amorphe Selen-Schwefel, Zinkoxid oder Gemische aus solchen Stoffen schicht vorhanden sind.As photoconductive substances are for example selenium, at least one crystallized and one amorphous selenium-sulfur, Zinc oxide or mixtures of such substances are present. oder auch organische Stoffe, wie etwa Anthracen, 55 Ein Nachteil aller bisher bekannten Kombinations-Polyvinylcarbazole oder Phthalocyanine, bekannt- systeme liegt darin, daß auch bei niedriger Tempegeworden. ratur, wie etwa Zimmertemperatur, durch das Vor-or also organic substances such as anthracene, 55 A disadvantage of all previously known combination polyvinyl carbazoles or phthalocyanines, known systems is that even at low temperatures. temperature, such as room temperature, due to the Die photoleitende Schicht ist dabei auf einem elek- handensein von Kristallisationskeimen eine verstärkte trisch leitenden Träger aufgebracht, der meist in Möglichkeit zur Kristallisation gegeben ist und diese Form einer ebenen Platte oder einer zylindrischen 60 daher durch die ganze photoempfindliche Schicht Trommel ausgebildet ist und aus Metall, wie etwa hindurchwandert. Dabei wird das amorphe Selen Aluminium, oder aus einem Isolator mit einer leiten- schließlich so weit in kristallisiertes Selen übergeführt, den Oberfläche, wie etwa Glas mit einer transparenten daß es für elektrophotographische Zwecke nicht leitenden Schicht, oder auch aus Papier bestehen mehr gebraucht werden kann,
kann. 65 Aufgabe der Erfindung ist es, ein elektrophoto-
The photoconductive layer is applied to a reinforced trically conductive support on an electrolyte presence of crystallization nuclei, which is usually given the possibility of crystallization and this form of a flat plate or a cylindrical drum is therefore formed through the entire photosensitive layer and is made of metal, how about wandering through. The amorphous selenium aluminum, or an insulator with a conductive layer, is finally converted into crystallized selenium to the extent that the surface, such as glass with a transparent layer, can be used for electrophotographic purposes or made of paper ,
can. 65 The object of the invention is to provide an electrophoto-
Durch Erzeugung einer elektrischen Aufladung graphisches Aufzeichnungsmaterial mit zwei photo- und Belichtung mit einer aktivierenden Strahlung er- leitenden Schichten anzugeben, von denen eine krihält man auf der photoleitenden Schicht ein latentes stallin und eine zweite glasig amorph ist, und dasBy generating an electrical charge graphic recording material with two photographic and to indicate exposure to an activating radiation-conducting layers, one of which is critical one is latent stallin and a second glassy amorphous on the photoconductive layer, and that
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