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DE2059540C3 - Electrophotographic recording material with a photoconductive layer - Google Patents

Electrophotographic recording material with a photoconductive layer

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Publication number
DE2059540C3
DE2059540C3 DE2059540A DE2059540A DE2059540C3 DE 2059540 C3 DE2059540 C3 DE 2059540C3 DE 2059540 A DE2059540 A DE 2059540A DE 2059540 A DE2059540 A DE 2059540A DE 2059540 C3 DE2059540 C3 DE 2059540C3
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charge
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recording material
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Günter 6200 Wiesbaden Schön
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Hoechst AG
Original Assignee
Hoechst AG
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Publication date
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Description

Die Erfindung betrifft elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einer photoieitfähigen Schicht, die mindestens einen polymeren, aromatischen Photoleiter als Elektronendonator, einen Elektronenakzeptor und gegebenenfalls Zusätze von Bindemitteln, und/oder die Haftung und/oder die Oberflächenstruktur veröessernde Stoffe enthält.The invention relates to electrophotographic recording material with a photo-conductive layer, the at least one polymeric, aromatic photoconductor as an electron donor, an electron acceptor and optionally additives of binders, and / or the adhesion and / or the surface structure Contains substances.

Ais polymere Photoleiter kommen Poly-N-vinylcarbazol, Poly-C-vinylcarbazol, Copolymerisate des N-Vinylcarbazols oder polykondensierte Aromaien in Betracht, die beispielsweise in den belgischen Patenten 88 050 und 5 92 557 oder der deutschen Auslegeschrift 09 032 beschrieben werden.The polymeric photoconductors are poly-N-vinylcarbazole, Poly-C-vinylcarbazole, copolymers of N-vinylcarbazole or polycondensed aromas, for example in the Belgian patents 88 050 and 5 92 557 or the German Auslegeschrift 09 032.

Es ist bekannt, die Empfindlichkeit organischer Photoleiter durch Zugabe von Elektronenakzeptoren im Bereich des sichtbaren Lichts zu verbessern. Dies wird in den DE-AS 1111 935. 11 27 218 und 12 33 265 beschrieben. Jedoch werden bei diesen Verfahren nur solche Konzentrationen an Elektronenakzeptor eingesetzt, die denjenigen von herkömmlichen optischen Sensibilisatoren entsprechen (DE-AS 10 68 115). in der DE-AS 12 19 795 wird jedoch die Zugabe von erheblich größeren Mengen an Elektronenakzeptor vorgeschlagen. Hier wird ein System, bestehend aus einem Elektronenakzeptor als eigentlichem Photoleiter und Elektronendonator als Sensibilisator, angegeben. Auch bei diesem Verfahren werden zusätzlich optische Sensibilisatoren verwendet.It is known to increase the sensitivity of organic photoconductors by adding electron acceptors to improve in the area of visible light. This is described in DE-AS 1111 935. 11 27 218 and 12 33 265 described. However, only those concentrations of electron acceptor are used in these processes, which correspond to those of conventional optical sensitizers (DE-AS 10 68 115). in the DE-AS 12 19 795, however, proposes the addition of considerably larger amounts of electron acceptor. Here is a system consisting of an electron acceptor as the actual photoconductor and Electron donor as a sensitizer. In this process, too, optical Sensitizers used.

Es ist aus DE-AS 15 22 718 bekannt, eine PhötöIeiteF-mischung aus gleichen Gewichtsteilen Polyvinylcarbazol und 2,4,7-Trinitrofluorenon, entsprechend einem Molverhältnis von 1 :0,63, in Verbindung mit einem dünnen Oberzug eines nichtleitenden polymeren Stoffs zu verwenden. Es sind auch aus BE-PS 6 99 851 Photoleiterschichten bekannt, die einen Charge-Transfer-Komplex aus einer polymerisierten heterocyclischen Vinylvexbindung und Trinitrofiuoreaon als Elektronenakzeptor in Molverhältnissen von 1 : (0,49 bis 1,23) enthalten. Es ist schließlich aus DE-AS 18 10 757 bekannt, bei einem Verfahren zur Übertragung von e'ektrostatischen Ladungsbildern von einer Photoleiterschicht aufIt is known from DE-AS 15 22 718, a PhötöIeiteF mixture from equal parts by weight of polyvinyl carbazole and 2,4,7-trinitrofluorenone, corresponding to one Molar ratio of 1: 0.63, combined with a thin coating of a non-conductive polymeric material to use. There are also from BE-PS 6 99 851 photoconductor layers known to have a charge transfer complex of a polymerized heterocyclic vinyl vex bond and trinitrofluoreaon as electron acceptor in molar ratios of 1: (0.49 to 1.23). It is finally known from DE-AS 18 10 757, in a method for the transmission of electrostatic Charge images from a photoconductor layer

to eine dielektrische Schicht Photoleiterschichten auf Basis von Charge-Transfer-Komplexen einzusetzen, bei denen als Photoleiter Polymere von einer oder mehreren vinylheterocyclischei» Verbindungen und als Aktivatoren Verbindungen, die stark polare Gruppen wie HaIogene. Cyan-, Nitro- usw. -Gruppen aufweisen, in weiten Mengenverhältnissen einzusetzen. Hierbei sei es in manchen Fällen zweckmäßig, Molverhältnisse von 1 :1 der beiden Komponenten zu verwenden, wobei der Anteil des Aktivators häufig etwa 0,7 bis 13 Mole, bezogen auf 1 Mol des Photoleiters, betragen kann. Diese Kenntnisse führen trotz der Vielzahl der Möglichkeiten nur zu einer gut brauchbaren Kombination von Polyvinylcarbazol und Trinitrofluorenon im Gemisch von 1 MoI Akzeptor zu 1 Mol Photoleiter, bezogen auf dessen Monomereinheit. Eine größere Auswahlmöglichkeit geeigneter Verbindungen ist hierdurch nicht gegeben.to use a dielectric layer, photoconductor layers based on charge transfer complexes, in which as photoconductors, polymers of one or more vinyl heterocyclic compounds and as activators Compounds that have strongly polar groups such as halogens. Have cyano, nitro, etc. groups, to be used in wide proportions. Here it is in In some cases it is advisable to use molar ratios of 1: 1 of the two components, the proportion of the activator can often be about 0.7 to 13 moles based on 1 mole of the photoconductor. This knowledge In spite of the multitude of possibilities, only lead to a useful combination of polyvinyl carbazole and trinitrofluorenone in a mixture of 1 mol of acceptor to 1 mol of photoconductor, based on its monomer unit. This means that there is no greater choice of suitable compounds.

Es sind auch Berechnungen und Messungen von Elektronenaffinitäten von Akzeptoren verschiedenster Konstitution und in verschiedensten Mischungsverhältnisse sen mit Polyvinylcarbazol und anderen Donatoren bekannt (W. Wagner et aL, Photographic Science and Engineering, 14, (1970), Seiten 205 und 207, R. Foster Organic Charge Transfer Complexes, 1969, Academic Press London, New York), aus denen hervorgeht, daß keine Beziehung besteht, die al!e Akzeptoren einschließt, daß jedoch die Größe von Donator und Akzeptor von Bedeutung sein kann und daß eine lineare Beziehung zwischen Photo'.eitfähigkeit und Elevtronenaffinität solcher Akzeptoren besteht, welche ähnliche Elektronenstruktür besitzen. Brauchbare Don?tor/Akzeptor-Kombinationen sind hieraus nicht bekannt geworden.There are also calculations and measurements of electron affinities of acceptors of various constitution and in various mixing ratios sen known with polyvinyl carbazole and other donors (W. Wagner et al, Photographic Science and Engineering, 14, (1970), pp. 205 and 207, R. Foster Organic Charge Transfer Complexes, 1969, Academic Press London, New York) from which it appears that none Relationship exists that includes all acceptors that however the size of the donor and acceptor can be important and that there is a linear relationship between Photo conductivity and elevtron affinity of such There are acceptors, which have a similar electronic structure own. Useful donor / acceptor combinations are not known from this.

Nachteilig bei den aus dem Stand der Technik bekannten photoleitfähigen Schichten ist es. daß sie ein vergleichsweise zu wenig hochempfindliches Photoleitersystem enthalten and/oder die in ihnen vorhandenen Elektronenakzeptoren in zu großer Menge zugesetzt werden müssen oder nur schwer zugänglich sind.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, für Photoleiterschichten elektrophoiographischer Aufzeichnungsmaterialien ein Auswahlprinzip für geeignete Elektronenakzeptoren anzugeben, die in relativ hoher Konzentration zusammen mit polymeren, aromatischen Photoleitern hochempfindliche Schichten ergeben.
It is a disadvantage of the photoconductive layers known from the prior art. that they contain a photoconductor system that is comparatively insufficiently highly sensitive and / or that the electron acceptors present in them have to be added in too large a quantity or are only accessible with difficulty.
It is the object of the present invention to provide a selection principle for suitable electron acceptors for photoconductor layers of electrophoresis recording materials which, in a relatively high concentration, together with polymeric, aromatic photoconductors, result in highly sensitive layers.

Die Erfindung geht aus von einem elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial mit einer photoleitfähigen Schicht, die mindestens einen polymeren aromatischen Photoleiter als Elektronendonator einen Elektronenak::eptor mit mindestens einem gekreuzt konjugier· ten, vorzugsweise symmetrischen π-Elektronensystem als Aktivator und gegebenenfalls weitere Zusätze ent- V1 hält. Das erfindungsgemäße Material ist dadurch ge- ■ kennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht den Photoleiter mit einem Ionisationspolential zwischen 5 und 8 eV im Gemisch mit 03—13 Mol eines Elektronenakzeptors aus der Gruppe der 3,6-Dinitronaphthalsäureimide bzw. -anhydride, des 3,6-Dinitroacenaphthenchinons, des S.e-Dinitro^-dihydrophenalendions-^, desThe invention relates to an electrophotographic recording material comprising a photoconductive layer which :: eptor with at least one crossed konjugier · ten, preferably symmetrical π-electron system as a activator, and optionally further additives corresponds V 1 holds at least one polymeric aromatic photoconductor as an electron donor a Elektronenak . The material according to the invention is characterized in that the photoconductive layer has the photoconductor with an ionization potential between 5 and 8 eV in a mixture with 03-13 mol of an electron acceptor from the group of 3,6-dinitronaphthalic acid imides or anhydrides, the 3, 6-Dinitroacenaphthenchinons, des Se-Dinitro ^ -dihydrophenalendions- ^, des

3,6,8-TriniirochinoIons, des 3,6,8-Trinitrocurnarins 0CJer des 5,8-Dinitro-9b-borano-phenalens mit einer Elektronenaffinitäc zwischen 0,5 und 1,5 eV, vorzugsweise zwischen 0,7 und 1,3 eV je Mol monomerer Einheit des Photoleiters enthält3,6,8-TriniirochinoIons, des 3,6,8-Trinitrocurnarins 0C Jer of 5,8-Dinitro-9b-borano-phenalene with an electron affinity between 0.5 and 1.5 eV, preferably between 0.7 and 1 , 3 eV per mole of monomeric unit of the photoconductor

Es wurde gefunden, daß dann tiefgefärbte Schichten entstehen, die dank der breiten Charge-Transfer-Absorptionsbande im gesamten Bereich des sichtbaren Spektrums sensibilisiert sind, wenn der Photoleiter ein Ionisationspotential — d. h. die Energie, die notwendig ist, um ein Elektron aus dem Molekül unter Bildung eines Radikalkations zu entfernen — unter 8 eV besitzt und das nicht wesentlich niedriger als 5 eV ist.It has been found that deeply colored layers are then formed, thanks to the broad charge transfer absorption band are sensitized in the entire region of the visible spectrum when the photoconductor is on Ionization potential - d. H. the energy that is necessary to form an electron from the molecule to remove a radical cation - below 8 eV and that is not significantly lower than 5 eV.

Bei zu kleinem lonisationspotential des Photoleiters wurde weiterhin gefunden, daß nicht nur, wie beabsichtigt unter Einwirkung des absorbierten Lichts ein Elektron und ein Defektelektron gebildet werden, sondern dies schon in störender Weise im Dunkeln unter der Einwirkung der auf die Photoleiterschicht mit Hufe einer Corona aufgebrachten Ladung und der daraus resultierenden Feldstärke erfolgen kmn. Bei größerem lonisationspotential des Photoleiters als von 8 eV resultiert eine Empfindlichkeit im UV-Bereich oder im kurzwelligen Bereich des sichtbaren Spektrums.If the ionization potential of the photoconductor is too low it was further found that not only, as intended, under the action of the absorbed light Electron and a defect electron are formed, but this already in a disturbing way in the dark under the action of the charge applied to the photoconductor layer with the hooves of a corona and the The resulting field strength takes place kmn. If the ionization potential of the photoconductor is greater than that of 8 eV results in a sensitivity in the UV range or in the short-wave range of the visible spectrum.

In allen Anwendungsgebieten des erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterials wird die Photoleiterschicht im Dunkeln auf hohe Spannungen aufgeladen. Diese Behandlung ist bei den zum Stand der Technik genannten Verfahren ohne Einschränkung des Photoleiter-EIektronendonators und Elektronenakzeptormaterials möglich, da die Konzentrationen an zugesetztem Elektronenakzeptor oder Elektronendonator zu gering sind, um den Aufladungsvorgang wesentlich beeinflussen zu können. Zur Erzielung der weit größeren Empfindlichkeiten, wie sie für elektrophotographische Kopiermaschinen notwendig sind, müssen jedoch höhere Konzentrationen an Akzeptor zugegeben werden. In diesen Fällen ist es vorteilhaft, dann die genannte Beschränkung auf bestimmte monomere Einheiten des Photoleiters vorzunehmen. Weiche Monomereinheiten sich als Partner für die EJektronenakzeptoren verwenden lassen, ergibt sich unter Berücksichtigung der Ergebnisse von Pysh and Yang (J. Amer. Soc. 85 2124 [1963]) aus den Tabellenwerken der Oxidationspotentiale organischer Vei windungen (Chem. Rev. 68 452 [1968]). Danach kommen nur Donator-Monomereinheiten in Frage, deren Oxidationspotential E'/2 unter Einhaltung der dort angegebenen Versuchsbedingungen im Bereich von 1,5 bis 0,2 V liegt. In all areas of application of the recording material according to the invention, the photoconductor layer is charged to high voltages in the dark. This treatment is possible with the methods mentioned in the prior art without restricting the photoconductor electron donor and electron acceptor material, since the concentrations of added electron acceptor or electron donor are too low to be able to significantly influence the charging process. In order to achieve the far greater sensitivities that are necessary for electrophotographic copying machines, however, higher concentrations of acceptor have to be added. In these cases it is advantageous then to make the abovementioned restriction to certain monomeric units of the photoconductor. Soft monomer units can be used as partners for the electron acceptors, taking into account the results of Pysh and Yang (J. Amer. Soc. 85 2124 [1963]) from the tables of the oxidation potentials of organic windings (Chem. Rev. 68 452 [ 1968]). According to this, only donor monomer units are possible whose oxidation potential E '/ 2 is in the range from 1.5 to 0.2 V when the test conditions specified there are observed.

Der Vorgang der Photoleitung in einem sensibilisierten oder aktivierten polymeren Photoleiter kann wie folgt charakterisiert werden.The process of photoconductivity in a sensitized or activated polymeric photoconductor can be such as can be characterized as follows.

Der polymere PhotoleiterThe polymer photoconductor

-D-D-D-D-D--D-D-D-D-D-

wird nach den bekannten Verfahren mit einem beliebigen Elektronenakzeptor A sensibilisiert oder aktiviert.is sensitized by the known methods with any electron acceptor A or activated.

— D—D—D—D—D— A- D — D — D — D — D— A.

Durch Lichtabsorption, insbesondere von derjenigen Wellenlänge, die der sogenannten Charge-Transfer-Absorptionsbande entspricht, oder durch eine {hermische Reaktion findet ein Elektronenübergang vom Donator zum Akzeptor stattBy light absorption, especially of the wavelength known as the charge transfer absorption band or by a hermetic reaction there is an electron transfer from the donor to the acceptor instead

—D—D s—D—D—D——D — D s — D — D — D—

Damit ist der entscheidende Schritt des Photoleitungsprozesses vollzogen: die positive Ladung des Radikalkations D9 ist unter dem Einfluß des genügend in starken elektrischen Feldes delokalisiert d. h. quasi frei beweglich.This completes the decisive step of the photoconductive process: the positive charge of the radical cation D 9 is delocalized under the influence of the sufficiently strong electric field, that is to say it can move freely.

—D—D—D—D—D-- ——D — D — D — D — D-- -

Die bekannten Verfahren der Sensibilisierung oder Aktivierung sorgen also für eine Verbesserung der Leitfähigkeit durch Defektelektronen: die Zahl und Beweglichkeit von Defektelektronen wird erhöht.The known processes of sensitization or activation thus ensure an improvement in the Conductivity through holes: the number and mobility of holes is increased.

Wird jedoch der Elektronenakzeptor in weit höherer Konzentration zugegeben, so ergibv ?<ich ein Charge-Transfer-Komplex der folgenden Art:However, if the electron acceptor is added in a much higher concentration, the result is a charge transfer complex of the following kind:

—D—D—D—D—D—
AAAAA
—D — D — D — D — D—
AAAAA

Hier befindet sich das beim Absorptionsprozeß oderThis is where it is in the absorption process or

auf thermischem Wege übertragene Elektron nicht isoliert in einem Akzeptormolekül, sondern das entstandene Radikalanion ist ebenso von gleichartigen Molekülen umgeben wie das Donatorradikalkationthermally transferred electron is not isolated in an acceptor molecule, but that The resulting radical anion is surrounded by molecules of the same type as is the donor radical cation

— D— D—D-- D — D —- D - D - D-- D - D -

AAAAAAAAAA

Unter Einfluß des elektrischen Feldes kann nun auch das Überschußelektron des Radikalanions quasi frei beweglich sein und nach dem gleichen Mechanismus wie die positive Ladung des Radikalkations wandernUnder the influence of the electric field, the excess electron of the radical anion can now be more or less free be mobile and migrate by the same mechanism as the positive charge of the radical cation

AAAAAAAAAA

Diese Wanderung der elektrischen Ladung innerhalb einer Kette von Donator- und Akzeptormolekülen ist darauf zurückzuführen, daß durch das Entstehen von Radikalanionen innerhalb dieser Kette homöopolare Charge-Transfer-Komplexe entstehen:This migration of electrical charge within a chain of donor and acceptor molecules is due to the fact that, due to the formation of radical anions within this chain, homeopolar Charge transfer complexes arise:

ΑΘ-*Α mit dem Radikalanion als Donator und demΑ Θ - * Α with the radical anion as donor and the

ursprünglichen Molekül als Akzeptor
D®«-D mit dem Radikaikation aIs_Akzeptor und dem ursprünglichen Molekül als Donator.
original molecule as an acceptor
D® «-D with the radical cation as acceptor and the original molecule as donor.

Der Vorteil der vorliegenden Erfindung hegt darin begründet, daß durch geeignete Wahl des Akzeptormoleküls erreicht wird, daß die homöopolare Charge-Transfer- Wechselwirkung besonders intensiv ist. Dies bedingt eine Erhöhung der Beweglichkeit nicht nur der Defektelektronen sondern auch der Elektronen. Damit wird erreicht, daß durch die Absorption deS Photons zwei bewegliche Ladungsträger entstehen, während nach den bekannten Verfahren pro Photon nur ein beweglicher Ladungsträger entstehen konnte.The advantage of the present invention is based on the fact that through a suitable choice of the acceptor molecule what is achieved is that the homeopolar charge-transfer interaction is particularly intense. this causes an increase in the mobility not only of the defect electrons but also of the electrons. In order to it is achieved that the absorption of the photon creates two mobile charge carriers while according to the known processes, only one mobile charge carrier could arise per photon.

Die erfindungsgemäß geeigneten Verbindungen besitzen eine relativ hohe Elektronenaffinität und eine besonders große Dclokalisierung der negativen Ladung des bei der Belichtung des Charge-Transfer-KomplexesThe compounds suitable according to the invention have a relatively high electron affinity and a particularly large dislocation of the negative charge des during the exposure of the charge transfer complex

entstehenden Radikalanions. Jedoch darf die Elektronenaffinität auch nicht zu groß sein, da sonst unerwünschter Elektronentransfer im Grundzustand oder zu geringe Donatorwirkung des bei Belichtung entstandenen Radikalanions eintritt.resulting radical anion. However, the electron affinity is allowed also not be too large, otherwise undesirable electron transfer in the ground state or too little donor effect of the radical anion formed on exposure occurs.

Die im erfindungsgemäßen Material eingesetzten, die Lichtempfindlichkeit erhöhenden, wie folgt symbolisierten ElektronenakzeptorenThe photosensitivity increasing used in the material according to the invention are symbolized as follows Electron acceptors

i A2 i A 2

ermöglichen folgende Reaktionenenable the following reactions

+ Ie- + Ie-

d. h. die Übernahme eines Elektrons vom Donator-Photoleiter durch den Elektronenakzeptor und die Mesomerie des dadurch entstandenen Radikalanions. Je größer die Anzahl der energiearmen, mesomeren Strukturen ir. einem Molekül ist, desto größer ist die Wahrscheinlichkeit einer weiteren Delokalisierung über mehrere Moleküle. Es wurde erkannt, daß der Elektronenakzeptor, um diesen Ansprüchen zu genügen, folgende Merkmale besitzt: mindestens zwei elektronenanziehende Substituenten, ein sogenanntes gekreuzt konjugiertes ;r-Elektronensystem. das sowohl im angeregten Zustand als auch nach der Aufnahme eines Elektrons eine durchgehende Konjugation erlaubt, die Radikalanion-Bildung muß einen besonders hohen Delokalisierungsgrad der negativen Ladung bzw. der Radikalstelle gewährleisten und es sollten zwecks besserer Verarbeitung spezielle Reste an diesem System vorhanden sein, die für verbesserte Löslichkeitseigenschaften sorgen.d. H. the takeover of an electron from the donor photoconductor by the electron acceptor and mesomerism of the resulting radical anion. The greater the number of low-energy, mesomeric Structures ir. A molecule, the greater the likelihood of further delocalization across several molecules. It was recognized that the electron acceptor, in order to meet these requirements, has the following characteristics: at least two electron-withdrawing substituents, a so-called cross-conjugated; r-electron system. that both allows continuous conjugation in the excited state as well as after the uptake of an electron, the formation of radical anions must have a particularly high degree of delocalization of the negative charge or the radical site and there should be special residues on this system for better processing be present, which provide improved solubility properties.

Der Vorteil dieser Elektronenakzeptoren gegenüber dem bekannten 2.4,7-Trinitrofluorenon besteht einmal in der größeren Auswahlmöglichkeit geeigneter Verbindungen und der erheblich gefahrloseren und leichteren Darstellung. Die Extinktion der mit diesen Verbindungen herstellbaren Schichten ist zudem geringer als die der Trinitrofluorenon-Schichten, so daß sich leichter hochempfindliches Material für ein Reflexkopiersystem herstellen läßt.The advantage of these electron acceptors over the well-known 2,4,7-trinitrofluorenone exists on the one hand in the greater choice of suitable connections and the considerably safer and easier ones Depiction. The extinction of the layers that can be produced with these compounds is also lower than that the trinitrofluorenone layers, making it easier to use highly sensitive material for a reflex copier system can be produced.

Die in der Tabelle angeführten Verbindungen sind als erfindungsgei;iäße Elektronenakzeptoren beispielsweise geeignet, diese sindThe compounds listed in the table are, for example, electron acceptors according to the invention suitable these are

3,6-Dinitronaphthalsäureanhydrid
5,8-Dinitro-Z3-dihydro-phenaIendion-l,3
3,5-Dinitroacenaphthenchinon
3,6,8-Trinitrochinolin
3,6,8-Trinitrocumarin
3,6-Dinitronaphthalimid
N-MethyI-3,6-dinitronaphthaIimid
N-(3-Methoxypropyl)-3,6-dinitronaphthalimid
N-Phenyl-3,6-dinitronaphthaIimid
N-(n-Octadecyl)-3,6-dinitro-naphthaIimid
N-(n-Hexadecyl)-3,6-dinitro-naphthalimid
N-{p-NitrophenyI)-3,6-dinitro-naphthalimid
N-(n-Butyl)-3,6-dinitro-naphthalimid
N-{tert-ButyI)-3,6-dinitro-naphthalimid
N-{2,2-Dimethoxy-äthyI)-3,6-dinitronaphthalimid
3,6-dinitronaphthalic anhydride
5,8-Dinitro-Z3-dihydro-phenaIendione-1,3
3,5-dinitroacenaphthenquinone
3,6,8-trinitroquinoline
3,6,8-trinitrocoumarin
3,6-dinitronaphthalimide
N-methyl-3,6-dinitronaphthalimide
N- (3-methoxypropyl) -3,6-dinitronaphthalimide
N-phenyl-3,6-dinitronaphthalimide
N- (n-Octadecyl) -3,6-dinitro-naphthaIimide
N- (n-hexadecyl) -3,6-dinitro-naphthalimide
N- {p-nitrophenyl) -3,6-dinitro-naphthalimide
N- (n-butyl) -3,6-dinitro-naphthalimide
N- {tert -butyl) -3,6-dinitro-naphthalimide
N- {2,2-dimethoxy-ethyl) -3,6-dinitronaphthalimide

N-(n-Buiyloxy-propyl)-3,6-dinitro-N- (n-Buiyloxy-propyl) -3,6-dinitro-

naphthalimid
5,8-Dinitro-9b-borano-phenalen
naphthalimide
5,8-dinitro-9b-borano-phenals

Die Substanzen aus der Gruppe der 3,6-Dinitronaphthalsäureimide bzw. -anhydride, insbesondereThe substances from the group of the 3,6-dinitronaphthalic acid imides or anhydrides, in particular

N-Isobutyl-3,6'dinitronaphthalsäureimid,N-isobutyl-3,6'dinitronaphthalic acid imide,

N-(tert.-Butyl)-3,6-dinitronaphthalsäureimid,N- (tert-butyl) -3,6-dinitronaphthalic acid imide,

N-(3-Methoxypropyl)-3,6-dinitronaphthal-N- (3-methoxypropyl) -3,6-dinitronaphthal-

säureimidoder
N-(2,2-Dimethoxyäthyl)-3.6-dinitronaphthal-
acidimide or
N- (2,2-dimethoxyethyl) -3.6-dinitronaphthal-

säureimid,acid imide,

erweisen sich als besonders geeignet.prove to be particularly suitable.

Das erfindungsgemäße elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial mit einer photoleitfähigen Schicht finds1. Verwendung in eiek'ropho'^grnnhUrhen Kopiermaschinen oder als elektrophotographisch arbeitende Druckplatte. Es kann auch als Material für gedruckte Schaltungen verwendet werden.The electrophotographic recording material according to the invention with a photoconductive layer finds 1 . Use in eiek'ropho '^ grnnhUrhen copier machines or as an electrophotographic printing plate. It can also be used as a material for printed circuit boards.

Mit den erfindungsgemäß eingesetzten Elektronenakzeptoren lassen sich die eingangs angeführten polymeren Photoleiter zu besonders hochempfindlichen elektrophotographischen Schichten verarbeiten. Besonders gut geeignet sind diese Eiektronenakzeptoren zur Solubilisierung von Poly-N-vinylcarbazoI. Hierzu wird der Elektronenakzeptor in molarer Konzentration von mehr als 0,3 Mol. bezogen auf 1 Mol monomerer Einheit des Photoleiters, in geeigneten Lösungsmitteln aufgelöst oder suspendiert.With the electron acceptors used according to the invention, those mentioned at the outset can be used process polymeric photoconductors into particularly highly sensitive electrophotographic layers. Particularly These electron acceptors are well suited for solubilizing poly-N-vinylcarbazoI. To do this, the electron acceptor in a molar concentration of more than 0.3 mol. based on 1 mol of monomeric unit of the photoconductor, dissolved or suspended in suitable solvents.

Als Lösungsmittel eignen sich zum Beispiel Methylenchlorid, Tetrahydrofuran, Dioxan, Cyclohexanon, Chlorbenzol oder Toluol. Man setzt gegebenenfalls noch weitere polymere Stoffe zu, die zu einer Verbesserung der Haftfestigkeit und der Schichtglätte führen. Als solche sind geeignet perchlorierte, aromatische oder aliphatische Weichmacher oder Netzmittel, Polyesterharze oder Polyvinyläther sowie ein oder mehrere der im Handel erhältlichen Verlauf- und Weichmachungsmittel. Die Lösung oder Suspension wird nach bekannter Methode auf ein Trägermaterial aufgebracht Als Trägermaterialien kommen insbesondere extrem glatte Folien aus Polyestern, Polyolefinen, Cellulosederivaten oder dergleichen in Frage, die durch Beschichten mit leitfähigen Polymeren, Ruß oder Metallen eine leitfähige Schicht erhalten haben; vorzugsweise werden metallbedampfte, insbesondere aluminiumbedampfte Folien verwendet. Mit einem solchen Aufzeichnungsmaterial wird beispielsweise eine Trommel bespannt, um die herum in bekannter Weise Aufladungscorona, Belichtungseinrichtung zum bildmäßigen Belichten, Entwicklungsstation zum Entwickeln des latenten elektrostatischen Bildes mH Hufe von Tonerpuder, Übertragungseinrichtung zur Überführung des Tonerbildes von der photoleitfähigen Schicht auf Papier und Anordnung zum Reinigen der Photoleiterschicht angeordnet sind.
Die elektrophotographischen Aufzeichnungsmateria-Hen lassen sich auch in Kopiermaschinen verwenden, in denen nicht Tonerpartikeln sondern die latenten elektrostatischen Bilder übertragen werden auf eine dielektrische Schicht und dort sowohl trocken als auch flüssig entwickelt werden.
Suitable solvents are, for example, methylene chloride, tetrahydrofuran, dioxane, cyclohexanone, chlorobenzene or toluene. If necessary, further polymeric substances are added which lead to an improvement in the adhesive strength and the smoothness of the layer. Suitable as such are perchlorinated, aromatic or aliphatic plasticizers or wetting agents, polyester resins or polyvinyl ethers and one or more of the commercially available leveling and plasticizing agents. The solution or suspension is applied to a carrier material by a known method. Suitable carrier materials are in particular extremely smooth films made of polyesters, polyolefins, cellulose derivatives or the like, which have been given a conductive layer by coating with conductive polymers, carbon black or metals; metal-vapor-deposited films, in particular aluminum-vapor-deposited films, are preferably used. With such a recording material, for example, a drum is covered, around which in a known manner a charging corona, exposure device for imagewise exposure, development station for developing the latent electrostatic image with toner powder, transfer device for transferring the toner image from the photoconductive layer to paper and arrangement for cleaning the photoconductor layer are arranged.
The electrophotographic recording materials can also be used in copier machines in which not toner particles but rather the latent electrostatic images are transferred to a dielectric layer and developed there both dry and liquid.

Die hergestellten Kopien sind gestochen scharf und grundfrei. Die Kopiergeschwindigkeit entspricht etwa derjenigen einer Maschine mit einer Selenschicht.
Bei Anwesenheit von mit Alkali reagierenden
The copies produced are razor-sharp and free of ground. The copying speed corresponds roughly to that of a machine with a selenium layer.
In the presence of alkali-reactive

Anhydrid- und/oder phenolischen Hydroxylgruppen im Elektronenakzeptor des erfindungsgemäßen Materials ergibt sich der besondere Vorteil Druckplatten herstellen zu können, deren Schichten sich mit einer Mischung aus wäßrigen Alkalien und einem Lösungsmittel wie Tetrahydrofuran oder Dioxan hydrophilieren lassei;,. 5s läßt sich dadurch auf einfache Weise eine bildmäßige Hydrophilierung durchführen, nachdem auf herkömmliche Weise ein elektrophotographisches Tonerbild auf der Schicht erzeugt wurde. D:(> Hydrophi' lierung erfolgt nur an den Nichtbildsteilen.Anhydride and / or phenolic hydroxyl groups in the electron acceptor of the material according to the invention have the particular advantage of being able to produce printing plates whose layers can be hydrophilized with a mixture of aqueous alkalis and a solvent such as tetrahydrofuran or dioxane; In this way, an image-wise hydrophilization can be carried out in a simple manner after an electrophotographic toner image has been produced on the layer in a conventional manner. D : (> hydrophilization takes place only on the non-image parts.

Die Erfindung wird anhand der folgenden Beispiele näher beschrieben. Die hierzu verwendeten photoleitfähigen Schichten wurden an einer herkömmlichen Beschichtungsmaschine im sogenannten »kiss-coat-Verfahren« oder durch Aufgießen der Lösung auf eine rotierende Platte mit einer zu beschichtenden aluminiman mit Hilfe einer Feldmühle oder einem anderen Feldstärkenmeßinstrument folgende Spannungsabfallwerte bzw. Restspannungen ermitteln:The invention is described in more detail by means of the following examples. The photoconductive used for this purpose Layers were applied on a conventional coating machine using the so-called »kiss-coat process« or by pouring the solution onto a rotating plate with an aluminiman to be coated Using a field mill or other field strength measuring instrument, the following voltage drop values or determine residual stresses:

SpannungsabfallVoltage drop

2020th

Beispiel 1example 1

5,27 g Poly-N-vinylcarbazol5.27 grams of poly-N-vinyl carbazole

3,42 g 3,6-DinitronaphthaIsäureanhydrid3.42 g of 3,6-dinitronaphthalic anhydride

(Formel I) (0,41 Mol pro Mol Poly-N-vinylcarbazol)(Formula I) (0.41 moles per mole of poly-N-vinylcarbazole)

0,41 g Polyesterkleber
90,9 g Tetrahydrofuran
0.41 g polyester glue
90.9 grams of tetrahydrofuran

Di« Festkörper werden unter Rühren in Tetrahydrofuran gelöst. An einer Beschichtungsmaschine erhält man bei einer Beschichtungsgeschwindigkeit von ca. 3 m/min eine Schichtdicke von etwa 10,5 g/m2.The solids are dissolved in tetrahydrofuran with stirring. On a coating machine, at a coating speed of approx. 3 m / min, a layer thickness of approx. 10.5 g / m 2 is obtained .

Eine derartige Schicht kann mit Hilfe einer herkömmlichen Corona auf ca. —700 V aufgeladen werden. Mit einem Stufenkeil (21 Stufen, Faktor 0,15) der Firma Kodak konnten bei einer Beleuchtungsstärke von 1150 Lux (Wolfram-Drahtlampe) 5 (1 see) Stufen ausbelichtet werden. Bedeutsam ist hierbei noch, daß die Gradation, d. h. die Aufladung in Abhängigkeit von der Belichtung, ziemlich steil verläuft. Dies bedeutet, daß eine gegebene Aufladung in extrem kurzen Zeiten durch eine gegebene Lichtmenge beachtlich vermindert werden kann.Such a layer can be charged to approx. -700 V with the aid of a conventional corona will. With a step wedge (21 steps, factor 0.15) from Kodak it was possible to use an illuminance of 1150 Lux (tungsten wire lamp) 5 (1 see) levels be exposed. It is also important here that the gradation, i.e. H. the charge depending on the Exposure is pretty steep. This means that a given charge can be carried out in extremely short times a given amount of light can be reduced considerably.

Beispiel 2Example 2

538 g Poly-N-vinylcarbazol538 grams of poly-N-vinyl carbazole

4,40 g 3,6-Dinitronaphthalsäureanhydrid4.40 g of 3,6-dinitronaphthalic anhydride

(Formel I)(Formula I)

(0,56 Mol Pro Mol Poly-N-vinylcarbazol)
0,41 g Polyesterkleber
89,8 g Tetrahydrofuran
(0.56 moles per mole of poly-N-vinylcarbazole)
0.41 g polyester glue
89.8 grams of tetrahydrofuran

Die Lösung und anschließend die Schicht wird, wie im Beispiel 1 beschrieben, hergestellt.The solution and then the layer is produced as described in Example 1.

Bei einer Beschichtungsgeschwindigkeit von ca. 3 m/min erhält man eine Schichtdicke von 133 g/m2. Die Aufladung beträgt dann —1000 V. Bei einer Beleuchtung mit 1150 Lux beobachtet man 5 (1 see) ausbelichtete Stufen. Dies bedeutet unter Berücksichtigung der höheren Aufladung eine Empfindlichkeitssteigerung gegenüber Beispiel 1. _At a coating speed of approx. 3 m / min, a layer thickness of 133 g / m 2 is obtained . The charge is then -1000 V. With an illumination with 1150 Lux one observes 5 (1 see) exposed steps. Taking into account the higher charge, this means an increase in sensitivity compared to example 1. _

Verwendet man die in den Beispielen 1 und 2 beschriebenen Schichten in einer wie oben angedeuteten Kopiermaschine, indem man die beschichteten Folien auf eine Trommel spannt und sie mit Hilfe einer auf —6,5 KV geschalteten Corona auflädt, dann kann (Differenz zwischen
Dunkel- und Hellspannung)
If the layers described in Examples 1 and 2 are used in a copier as indicated above, by stretching the coated foils on a drum and charging them with the aid of a corona switched to -6.5 KV, then (difference between
Dark and light voltage)

RestspannungResidual stress

10 Beispiel 1
Beispiel 2
10 Example 1
Example 2

410 V
380 V
410 V
380 V

310 V
200 V
310 V
200 V

15 Diese Messungen wurden durchgeführt bei einer Umdrehungsgeschwindigkeit der Trommel von 6 U/min bei einer Blendenöffnung von 5.6; hierbei wurde eine Lichtmenge von 11,9 Lux/sec gemessen. 15 These measurements were carried out at a speed of rotation of the drum of 6 rpm with an aperture of 5.6; an amount of light of 11.9 lux / sec was measured.

Der gemessene Spannungsabfall und die Restspannung sind ausreichend für eine Bildentwicklung mit Hilfe eines käuflichen Toners, der von einer Kaskadeneinrichtung zusammen mit einem Trägermaterial — wie z. B. Glaskugeln — auf die Trommelfläche mit dem elektrostatischen Bild aufgeworfen wird. Auf diese Weise können mit Hilfe der Schichten der Beispiele 1 und 2 Kopien von beliebigen Vorlagen gemacht werden. Auf Grund der weit ins sichtbare reichenden Empfindlichkeit (s. Fig. 1) ist eine vollkommene Farbwiedergabe möglich, was im Vergleich zu Selenschichten besondere Vorteile mit sich bringt. Die Kopien sind kontrastreich und ohne Grund.The measured voltage drop and the residual voltage are sufficient for an image development with With the help of a commercially available toner, which is produced by a cascade device together with a carrier material - such as z. B. Glass balls - is thrown onto the drum surface with the electrostatic image. To this Copies of any template can be made using the layers of Examples 1 and 2. Due to the sensitivity reaching far into the visible (see Fig. 1), the color reproduction is perfect possible, which has particular advantages compared to selenium layers. The copies are rich in contrast and without reason.

Für Schichten nach den Beispielen 1 und 2 kommen die Verbindungen in Frage, deren Formeln unten angegeben worden sind. Um an einer Reihe von Beispielen zeigen zu können, daß die durch diese Stoffklassen bewirkte elektrophotographische Empfindlichkeit z. B. des polymeren Photoleiters Poly-N-vinylcarbazol so groß ist, daß mit ihrer Hilfe eine Kopiermaschine der oben beschriebenen Arten betrieben werden kann, wird die folgende Methode gewählt: Steigende Mengen der in der Tabelle 1 angeführten Elektronenakzeptoren wurden Lösungen mit konstanten Mengen PoIy-N-vinylcarbazol als Photoleiter zugegeben. Zusätzlich wurde noch ein Bindemittel zugefügt. Die so erhaltenen Lösungen wurden auf rotierenden Aluminiumpiatten zu Schichten vergossen, die eine mittlere Dicke von 4 — 7 g/m2 aufwiesen.For layers according to Examples 1 and 2, the compounds whose formulas have been given below are suitable. In order to be able to show a number of examples that the electrophotographic sensitivity caused by these classes of substances z. B. of the polymeric photoconductor poly-N-vinylcarbazole is so large that a copier of the types described above can be operated with its help, the following method is chosen: Increasing amounts of the electron acceptors listed in Table 1 were solutions with constant amounts of poly N-vinylcarbazole added as a photoconductor. A binding agent was also added. The solutions obtained in this way were cast onto rotating aluminum plates to form layers which had an average thickness of 4-7 g / m 2 .

Die elektrophotographische Empfindlichkeit dieser Schichten wurde mit einem Stufenkeil ermittelt, indem die aufgeladenen Schichten durch einen Stufenkeil (Dichtefaktor 0,15,21 Stufen) mit einer Wolfram-Drahtlampe belichtet wurden. Die Wolfram-Drahtlampe erzeugte hierbei 1150 Lux in der Probenebene. Eine weitere Methode zur Beschreibung der Lichtempfindlichkeit wurde angewendet: Nach Arneth und Lorenz (Reprographie 3, 199 [1963]) ist ein exaktes physikalisches Maß für die Lichtempfindlichkeit die Halbwertszeit des Ladungsabfalls bei Lichteinstrahlung auf die aufgeladene Photoleiterschicht Sie gibt an, in welcher Zeit nach Beginn der Einstrahlung die halbe ursprüngliche Aufladung erreicht wird. Bei den folgenden Beispielen wird diese Halbwertszeit ebenfalls angegeben. Als Lichtquelle diente eine Xenonhochdrucklampe, die in der Probenebene 300 Lux erzeugte. Meist wurden die photoleitfähigen Schichten negativ aufgeladen; doch zeigten einige Beispiele bei positiver Aufladung eine hinreichend hohe Empfindlichkeit.The electrophotographic sensitivity of these layers was determined with a step wedge by the charged layers through a step wedge (density factor 0.15.21 steps) with a tungsten wire lamp were exposed. The tungsten wire lamp generated 1150 lux in the sample plane. One Another method to describe the photosensitivity was used: According to Arneth and Lorenz (Reprographie 3, 199 [1963]) is an exact physical measure for the light sensitivity, the half-life the decrease in charge when light is irradiated on the charged photoconductor layer It indicates in which Half of the original charge is reached after the start of irradiation. In the following This half-life is also given in examples. A xenon high pressure lamp served as the light source, which generated 300 lux in the sample plane. Most of the time the photoconductive layers were negatively charged; but some examples showed a sufficiently high sensitivity with positive charging.

Die Abhängigkeit der Lichtempfindlichkeit von der Konzentration wurde in der F i g. 2 dargestellt.The dependence of the photosensitivity on the concentration was shown in FIG. 2 shown.

In den folgenden Beispielen hatte die Photoleiterschicht folgende Zusammensetzung:In the following examples the photoconductor layer had the following composition:

30 g Poly-N-vinylcarbazol und 24 g eines Hartharzes auf Chlorkautschuk-Basis wurden in 750 g Dioxan und 570 g Buf.non-2 gelöst. Zu 100 ml dieser Lösung wurden die angegebenen Elektronenakzeptoren gefügt, so daß die aufgeführten Konzentrationen an Molen Elektronenakzeptor pro Mol N-Vinylcarbazol (NVCa) resultierten.30 g of poly-N-vinyl carbazole and 24 g of a hard resin based on chlorinated rubber were dissolved in 750 g of dioxane and 570 g of Buf.non-2. To 100 ml of this solution the specified electron acceptors were added, so that the specified concentrations of moles Electron acceptor per mole of N-vinylcarbazole (NVCa) resulted.

Zur Demonstation des technischen Fortschritts der vorliegenden Erfindung gegenüber dem bekannten Verfahren zum Sensibilisieren von Photoleitern sind ab Beispiel 15 Vergleichsbeispiele angegeben mit den Resultaten der Empfindlichkeit.To demonstrate the technical progress of the present invention over the known Processes for sensitizing photoconductors are given from example 15, comparative examples with the Results of sensitivity.

Halbwertszeit:Half-life:

32,5 msec bei -430 V Aufladung.32.5 msec at -430 V charge.

Beispiel 7Example 7

N-Methyl-3,6-dinitronaphthalimid (Formel VlI) maximale Empfindlichkeit bei: " 0,39 Mol pro Mol NVCa (begrenzt durch die Schwerlöslichkeit) mit 3 ausbelichteten StufenN-methyl-3,6-dinitronaphthalimide (formula VlI) maximum sensitivity for: " 0.39 mol per mol NVCa (limited by the poor solubility) with 3 exposed levels

bei 1 see Belichtungszeit iO ausbelichteten Stufen bei 10 sec Belichtungszeit (Aufladung:-310V) Halbwertszeit: 40 msec bei — 395 V Aufladung.with 1 second exposure time OK exposed steps with 10 sec exposure time (Charge: -310V) Half-life: 40 msec at - 395 V charge.

Beispielexample

3,6-Dinitronaphthalsäureanhydrid (Formel I) maximale Empfindlichkeit bei:3,6-Dinitronaphthalic anhydride (Formula I) maximum sensitivity for:

0,68-1,02 Molen pro Mol NVCa mit 6 ausbelichteten Stufen0.68-1.02 moles per mole of NVCa with 6 levels exposed

bei 1 see Belichtungszeit 12 ausbelichteten Stufen bei 10 see Belichtungszeit (Aufladung:-340V) Halbwertszeit: 50 msec bei - 420 V Aufladung.at 1 sec exposure time 12 exposed steps at 10 sec exposure time (Charge: -340V) Half-life: 50 msec at - 420 V charge.

Beispiel 4Example 4

3,6-DinitronaphthaHmid (Formel VI) maximale Empfindlichkeit bei: 0,6 Mol pro Mol NVCa mit 4 ausbeiichteten Stufen3,6-DinitronaphthaHmid (Formula VI) maximum sensitivity at: 0.6 moles per mole of NVCa with 4 stages completed

bei 1 see Belichtungszeit 10 ausbelichteten Stufen bei 10 see Belichtungszeit (Aufladung: -300V) Halbwertszeit: 50 msec bei —325 V Aufladung.at 1 sec exposure time 10 exposed steps at 10 sec exposure time (Charge: -300V) Half-life: 50 msec at a -325 V charge.

Beispiel 5Example 5

N-Phenyl-3,6-dinitronaphthalimid (Formel IX) maximale Empfindlichkeit bei: "' 03 Mol pro Mol NVCa (begrenzt durch Schwerlöslichkeit des Imids) 2 ausbelichtete StufenN-phenyl-3,6-dinitronaphthalimide (Formula IX) maximum sensitivity for: "' 03 moles per mole of NVCa (limited by the poor solubility of the imide) 2 exposed levels

bei 1 see Belichtungszeit 8 ausbelichtete Stufen bei 10 see Belichtungszeit (Aufladung hier bei-300V) Halbwertszeit: 45 msec bei - 360 V Aufladung.at 1 second exposure time 8 exposed steps at 10 seconds exposure time (Charging here at -300V) Half-life: 45 msec at -360V charging.

Beispiel 6Example 6

N-Methoxypropyl-3,6-dinitronaphthalimid (Formel VIII)N-methoxypropyl-3,6-dinitronaphthalimide (formula VIII)

maximale Empfindlichkeit bei:maximum sensitivity at:

0,77 -1,10 Molen pro Mol NVCa mit 2 ausbeiichteten Stufen bei ϊ see Belichtungszeit 8 ausbeiichteten Stufen bei 10 see Belichtungszeit (Aufladung:-350V)0.77-1.10 moles per mole of NVCa with 2 finished steps at ϊ see exposure time 8 finished steps at 10 see exposure time (charge: -350V)

Beispiel 8Example 8

N-(n-octadecyl)-3,6-dinitro-naphthalimidN- (n-octadecyl) -3,6-dinitro-naphthalimide

(Formel X)(Formula X)

maximale Empfindlichkeit bei:maximum sensitivity at:

0,15 Mol pro Mol NVCa (begrenzt durch die Löslichkeit)0.15 moles per mole of NVCa (limited by solubility)

Halbwertszeit: 72 msec bei —410 V Aufladung.Half-life: 72 msec with a -410 V charge.

Beispiel 9Example 9

N-(n-Hexadecyl)-3,6-dinitronaphthalimid (Formel XI)N- (n-Hexadecyl) -3,6-dinitronaphthalimide (Formula XI)

maximale Empfindlichkeit bei:maximum sensitivity at:

0,25 Mol pro Mo! NVCa (begrenzt durch die Löslichkeit)0.25 moles per month! NVCa (limited by solubility)

Halbwertszeit: 74 msec bei - 380 V Aufladung.Half-life: 74 msec with - 380 V charge.

Beispiel 10Example 10

N-(p-Nitrophenyl)-3,6-dinitronaphthaliii.id (Formel XII)N- (p-nitrophenyl) -3,6-dinitronaphthaliii.id (Formula XII)

maximale Empfindlichkeit bei:maximum sensitivity at:

03 MoI pro Mol NVCa (begrenzt durch die Löslichkeit)03 MoI per mole of NVCa (limited by solubility)

Halbwertszeit: 57 msec bei -480 V Aufladung.Half-life: 57 msec at -480 V charge.

diethe

Beispiel 11Example 11

N-(n-Butyl)-3,6-dinitronaphthalinud (Formel XIII) maximale Empfindlichkeit bei:N- (n-butyl) -3,6-dinitronaphthalinud (formula XIII) maximum sensitivity at:

0,45 Mol pro Mol NVCa Halbwertszeit: 80 msec bei +285 V Aufladung.0.45 moles per mole of NVCa half-life: 80 msec at +285 V charge.

Beispiel 12Example 12

N-(tert.-Butyl)-3.6-dinitronaphthalimid (Formel XIV)N- (tert-butyl) -3,6-dinitronaphthalimide (Formula XIV)

maximale Empfindlichkeit bei: 0,45 Mol pro Mol NVCa Halbwertszeit:34 msec bei -590 V Aufladung.maximum sensitivity at: 0.45 mol per mol NVCa half-life: 34 msec at -590 V charge.

Beispiel 13Example 13

N-{2£-Dimethoxy-äthyl)-3,6-dinitronaphthalimid (Formel XV)N- {2 £ -dimethoxy-ethyl) -3,6-dinitronaphthalimide (Formula XV)

ItIt

maximale Empfindlichkeit bei:
0,85MdPrOMoINVCa
Halbwertszeit: 37 msec bei -590 V Aufladung.
maximum sensitivity at:
0.85MdPrOMoINVCa
Half-life: 37 msec at -590 V charge.

Beispiel 20Example 20

Beispiel 14Example 14

N-(n-Butyloxy-prop,yl)-3,6-dinitro-naphthalimidN- (n-Butyloxy-prop, yl) -3,6-dinitro-naphthalimide

(Formel XVl)(Formula XVl)

maximale Empfindlichkeit bei:maximum sensitivity at:

0,7 Mol pro Mol NVCa0.7 moles per mole of NVCa

Halbwertszeit:48 msec bei -400 V Aufladung.Half-life: 48 msec at -400 V charge.

Die folgenden Beispiele sind Vergleichsbeispiele zur Demonstration der besonderen Wirkung der oben beschriebenen Verbindungen im Vergleich zu den in der Literatur (Tabelle 2) angegebenen.The following examples are comparative examples to demonstrate the particular effect of the above Compounds described in comparison with those given in the literature (Table 2).

Beispiel 15Example 15

Aus der oben genannten Poly-N-vinylcarbazollösung wurde unter Zusatz von 50 mg Rhodamin B extra pro 50 ml (1 :20 Gewichtsverhältnis) zum PoIy-N-vinylcarb- »zol analog wie oben eine Schicht hergestellt.From the above poly-N-vinylcarbazole solution was added with the addition of 50 mg Rhodamine B extra per 50 ml (1:20 weight ratio) to the poly-N-vinylcarb- “Zol produced a layer in the same way as above.

Halbwertszeit: 400 msec (-335 V).Half-life: 400 msec (-335 V).

Beispiel 16Example 16

Ebenso wie in Beispiel 15 wurde eine Schicht hergestellt, jedoch mit einem weiteren Zusatz' von Tetrachlorphthalsäureanhydrid (Formel I, Tabelle 2) (100 mg pro 50 ml Lösung bzw. 0,13 Mol pro Mol NVCa).A layer was produced in the same way as in Example 15, but with a further addition of Tetrachlorophthalic anhydride (Formula I, Table 2) (100 mg per 50 ml of solution or 0.13 mol per mol NVCa).

Halbwertszeit: 170 msec (-320 V).Half-life: 170 msec (-320 V).

Es wurden, wie in Beispiel 1 beschrieben, Photoleiterschichten folgender Zusammensetzung hergestellt:As described in Example 1, photoconductor layers were used made of the following composition:

36 g eines Pyrenformaldehydkondensats, hergestellt36 g of a pyrene formaldehyde condensate prepared

nach DE-AS 12 18 286 und
18 g eines Copolymerisates aus Vinylchlorid und Vinylacetat
according to DE-AS 12 18 286 and
18 g of a copolymer of vinyl chloride and vinyl acetate

und wurden in 300 g Tetrahydrofuran gelöst und zu je 58 g dieser Lösung die unten angegebenen Elektronenakzeptoren zugefügt, wobei sich die angegebenen Molverhältnisse Akzeptor zu Monomerbaustein Pyren ergeben:and were dissolved in 300 g of tetrahydrofuran and, for each 58 g of this solution, the electron acceptors indicated below added, the specified molar ratios acceptor to monomer component pyrene result:

A. 3,6-Dinitronaphthalsäureanhydrid (Tabelle I1 Formel I) 0,5 Mol pro Mol Pyren.A. 3,6-Dinitronaphthalic anhydride (Table I 1 Formula I) 0.5 moles per mole of pyrene.

Die hergestellte Schicht ergab bei einer Aufladung auf -830 V eine Halbwertszeit von 76 ms.When charged to -830 V, the layer produced had a half-life of 76 ms.

B. 3,6-Dinitronaphthalimid (Tabelle 1, Formel VI) O^ MoI pro Mol Pyren.B. 3,6-Dinitronaphthalimide (Table 1, Formula VI) O ^ MoI per mole of pyrene.

Hier resultiert bei einer Aufladung von -1300 Volt eine Halbwertszeit von 62 ms.A charge of -1300 volts results in a half-life of 62 ms.

C Tetrachlorphthalsäureanhydrid (Tabelle 2, Formel 1)03 Mol pro Mol Pyren.C Tetrachlorophthalic anhydride (Table 2, Formula 1) 03 moles per mole of pyrene.

Bei einer Aufladung von —990 Volt ergab sich lediglich eine Halbwertszeit von 150 ms.A charge of -990 volts resulted in a half-life of only 150 ms.

3535

Beispiel 1/Example 1/

13,6,8-Tetranitrocarbazol (Formel II,Tab.2)
maximale Empfindlichkeit bei:
13,6,8-tetranitrocarbazole (formula II, table 2)
maximum sensitivity at:

1,0 Mo! pro Mol NVCa1.0 Mo! per mole of NVCa

Halbwertszeit: 290 msec (-140 V).Half-life: 290 msec (-140 V).

Im Tetranitrocarbazol wirkt das Stickstoffatom wie ein Elektronendonator, was mit der obigen Formulierung der beanspruchten Verbindungen nicht im Einklang stehtIn tetranitrocarbazole, the nitrogen atom acts like an electron donor, which is what the above formulation means of the claimed compounds is inconsistent

Beispie! 18Example! 18th

23-Dichlornaphthochinon-l,4(Formel III,
Tab. 2) maximale Empfindlichkeit bei:
23-dichloronaphthoquinone-1,4 (formula III,
Tab. 2) maximum sensitivity at:

0,62 Mol pro Mol NVCa0.62 moles per mole of NVCa

4 ausbelichtete Stufen bei 10 see Belichtungszeit (Wolfram-Lampe wie oben beschrieben)4 exposed levels at 10 see exposure time (tungsten lamp as described above)

Halbwertszeit: 135 msec(-350 V).Half-life: 135 msec (-350 V).

Beispiel 19Example 19

23-Dicyanonaphthochinon-1,4 (Formel IV,
Tab. 2) maximale Empfindlichkeit bei:
23-Dicyanonaphthoquinone-1,4 (Formula IV,
Tab. 2) maximum sensitivity at:

0,4 Mol pro Mol NVCa0.4 moles per mole of NVCa

Halbwertszeit: 400 msec (-30 V).Half-life: 400 msec (-30 V).

In diesem Fall ist die Elektronenaffinität zu groß (s. Seite 3 ff.): man kann eine derartige Photoleiterschicht nicht mehr genügend aufladen.In this case the electron affinity is too great (see Sect. Page 3 ff.): You can no longer charge such a photoconductor layer sufficiently.

Tabelle !Tabel !

O O OO O O

CCCC

5050

60 O1N 60 O 1 N

NO2 NO 2

O2NO 2 N

NO2 NO 2

O OO O

Il Il c—cIl Il c-c

O2NO 2 N

O2NO 2 N

NO2 jNO 2 j

C115H,C 115 H,

3030th

O=C C=OO = C C = O

4040

O2NO 2 N

NO2 NO 2

(XIi) {(XIi) {

CH2-CH2-CH2-OCH3 CH 2 -CH 2 -CH 2 -OCH 3

(VIII)(VIII)

4545 5050 5555 6060 6565

U-C1H9 UC 1 H 9

/ \ O=C C=O/ \ O = C C = O

O2NO 2 N

NO1 NO 1

o=c ):=oo = c): = o

I O2N NO2JIO 2 N NO 2 Y.

(XIII) I(XIII) I.

(XIV)(XIV)

FortsetzurmContinuation tower

Cl 0Cl 0

(XV)(XV)

ίοίο

1515th

2020th

(XVI)(XVI)

2525th

3030th

(XVIl)(XVIl)

3535

(D(D

Cl 0Cl 0

4545

(H)(H)

(1111(1111

5050

5555

6060

(IV)(IV)

6565

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (3)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einer photoleitfähigen Schicht, die mindestens einen polymeren aromatischen Photoleiter als Elektronendonator, einen Elektronenakzeptor mit mindestens einem gekreuzt konjugierten, vorzugsweise symmetrischen jr-Elektronensystem als Aktivator und gegebenenfalls weitere Zusätze enthält, gekennzeichnet durch die Kombination, daß die photoleitfähige Schicht den Photoleiter mit einem Ionisationspotential zwischen 5 und 8 eV im Gemisch mit 03—13 MoI eines Elektronenakzeptors aus der Gruppe der 3,6-Dinitronaphthalsäureimide bzw. -anhydride, des 3,6-Dinitroacenaphthenchinons, des S.e-Dinitro^-dihydrophenaJendions-13, des 3,6,8-Trinitrochinolins, des 3,6,8-Tri.nitrocumarins .rxter des 5,8-Dinitro-9b-borano-phenalens mit eiiv^f Elektronenaffinität zwischen 05 und 1,5 eV, vorzugsweise zwischen 0,7 und 13 eV, je Mol monomerer Einheit des Photoleiters enthält.1. Electrophotographic recording material with a photoconductive layer which contains at least one polymeric aromatic photoconductor as electron donor, an electron acceptor with at least one cross-conjugated, preferably symmetrical jr electron system as activator and optionally other additives, characterized by the combination that the photoconductive layer is the photoconductor with an ionization potential between 5 and 8 eV in a mixture with 03-13 mol of an electron acceptor from the group of 3,6-dinitronaphthalic acid imides or anhydrides, 3,6-dinitroacenaphthenquinone, Se-dinitro ^ -dihydrophenaJendions-13, the 3 , 6,8-trinitroquinoline, of 3,6,8-tri.nitrocoumarins .rxter of 5,8-dinitro-9b-borano-phenalene with an electron affinity between 05 and 1.5 eV, preferably between 0.7 and 13 eV, per mole of monomeric unit of the photoconductor. 2. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht als Elektronenakzeptor'ein 3,6-Dinitronaphthalsäureimid enthält2. Recording material according to claim 1, characterized in that the photoconductive Layer contains a 3,6-dinitronaphthalic acid imide as electron acceptor 3. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht einen Elektronenakzeptor mit einer Anhydrid- od?r einer phenolischen Hydroxylgruppe enthält.3. Recording material according to claim 1 or 2, characterized in that the photoconductive Layer an electron acceptor with an anhydride or phenolic hydroxyl group contains.
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