DE1920925B2

DE1920925B2 - Semi-fixed value memory

Info

Publication number: DE1920925B2
Application number: DE19691920925
Authority: DE
Inventors: Ortwin 6240 Koenigstein Feustel
Original assignee: Olympia Werke AG
Current assignee: Olympia Werke AG
Priority date: 1969-04-24
Filing date: 1969-04-24
Publication date: 1974-01-10
Also published as: DE1920925A1; DE1920925C3

Description

Die Erfindung betrifft einen Halbfestwertspeicher mit einer Anordnung sich kreuzender elektrischer Leiter,die Abfrage- und Leseleiter darstellen, und resistiven Koppelelementen, die an den Kreuzungspunkten der Abfrage- und Leseleiter eine galvanische bzw, eiekuiäch leitende Kopplung bewirken.The invention relates to a semi-fixed value memory with an arrangement of intersecting electrical ones Conductors that represent interrogation and read conductors, and resistive coupling elements that have a galvanic or cause eiekuiäch conductive coupling.

Halbfestwertspeicher sind in der modernen Datentechnik in vielfachen Ausführungen bekanntgeworden. So zeigt z.B. die deutsche Auslegeschrift 030069 eine Speichertastatur, bei der tastengesteuerte magnetische Jochelemente über den Kreuzungsstellen sich kreuzender Leiter angeordnet sind. Die Jochelemente ruhen in gedrückter Lage der Tasten auf Magnetkernen, die sich unter den Kreuzungsstellen befinden, wodurch ein magnetischer Kreis rings um die sich kreuzenden Leiter geschlossen wird. Eine solche Anordnung arbeitet relativ zuverlässig, ist jedoch durch die Notwendigkeit, jedes einzelne Joch verschiebbar lagern zu müssen, sehr aufwendig im Aufbau. Bei einer Leitermatrix nur geringer Größe muß eine Vielzahl von Parallelführungen für die Tastenstößel geschaffen werden, die darüber hinaus noch genau mit den auf einer Grundplatte angeordneten Magnetkernen fluchten müssen.Semi-fixed value memories have become known in multiple designs in modern data technology. For example, the German interpretation 030069 shows a memory keyboard with the key-controlled magnetic yoke elements are arranged over the crossing points of crossing conductors. the When the buttons are in the pressed position, yoke elements rest on magnetic cores located under the crossing points which closes a magnetic circuit around the crossing conductors. One such an arrangement works relatively reliably, but is due to the need for each individual yoke To have to be slidably stored, very complex to build. With a conductor matrix only small in size a large number of parallel guides for the key tappet must be created, which also still must be precisely aligned with the magnetic cores arranged on a base plate.

In einer anderen Ausführungsform, die in der deut-In another embodiment, which in the German

sehen Auslegeschrift 1093 116 näher beschrieben ist, sind die sich kreuzenden Leiter einer Matrix an ihren Kreuzungsstellen jeweils von Ringkernen umgeben. Hier ist pro Ringkern jeweils ein Permanentmagnet längsverschiebbar gelagert, wodurch er in einer erstensee Auslegeschrift 1093 116 is described in more detail, the crossing conductors of a matrix are surrounded by toroidal cores at their crossing points. Here, one permanent magnet is mounted longitudinally displaceably per toroidal core, whereby it is in a first

ίο Stellung vom Ringkern entfernt, in einer zweiten Stellung jedoch an diesen herangeführt sein kann. Um die gewünschte Information in den Speicher einzuspeisen, wird zwischen Magnete und Ringkerne eine an den erforderlichen Steilen gelochte Karte einge-ίο Position away from the toroid, in a second position but can be brought up to this. To feed the required information into the memory, a card punched at the required position is inserted between the magnets and the toroidal cores.

»5 schoben, die die Magnete durch die Löcher an die Ringkerne herantreten läßt, während sie an nichtgelochten Stellen die Magnete fernhält. Nachteilig ist hier wie bei der erstgenannten Ausführungsform, daß Führungen für jeden Magnet geschaffen werden mus-»5, which allows the magnets to come through the holes on the toroidal cores while they are not perforated Put the magnets away. The disadvantage here, as in the first-mentioned embodiment, is that Guides must be created for each magnet

a° sen. Die einschiebbare gelochte Karte vereinfacht zwar den Wechsel eines Programms, jedoch müssen auch hier die Löcher genau mit den Führungen der Magnete übereinstimmen.a ° sen. The insertable, perforated card makes it easier to change a program, but you have to here, too, the holes exactly match the guides of the magnets.

Bei einer weiteren bekannten Speicheranordnung.In another known memory arrangement.

=>5 deutsche Auslegeschrift 1 133 927, ist unter den sich kreuzenden Leitern hochpermeables Material angeordnet, über den Leitern eine Metallplatte aus elektrisch gut leitendem Material und darüber wiederum hochpermeables Material. In der Metallplatte sind an=> 5 German Auslegeschrift 1 133 927, is under the Arranged crossing conductors highly permeable material, over the conductors a metal plate made of electrical highly conductive material and, in turn, highly permeable material. In the metal plate are on

denjenigen Kreuzungspunkten Schlitze vorgesehen, wo dies für die Verarbeitung der Daten im Speicher erforderlich ist. Ein Programmwechsel erfolgt hier durch Wechsel der Metallplatte. Diese Anordnung ist in ihrem Aufbau recht einfach, jedoch ist die Funktionszuverlässigkeit sehr stark von den Materialeigenschaften der einzelnen Platten abhängig. Bei dicht nebeneinanderliegenden Schlitzen in der Metallplatte besteht die Gefahr, daß ein zu Fehlern führender magnetischer Fluß durch nicht zusammengehörende Öff-those intersection points are provided with slots where this is necessary for the processing of the data in the memory is required. A program change takes place here by changing the metal plate. This arrangement is its structure is quite simple, but the functional reliability is very much dependent on the material properties depends on the individual plates. With slots in the metal plate that are close to one another there is a risk that a magnetic flux leading to errors will be caused by non-related opening

nungen hindurch zustande kommt. Außerdem ist ein solcher Aufbau wegen der dafür erforderlichen Materialien und besonderen Bearbeitungsverfahren ausschließlich für in großen Stückzahlen gefertigte Speicher vertretbar.through the process. In addition, such a structure is because of the materials required for it and special processing methods exclusively for memories manufactured in large numbers justifiable.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen einfachen und billigen Halbfestwertspeicher mit galvanischer bzw. resistiver Kopplung zwischen Abfrage- und Leseleitung zu schaffen, der starke Lesesignale gewährleistet, die ohne Verstärkung weiterverarbeitet werden können, und höchste Zuverlässigkeit bietet. Dabei ist insbeosndere an einen Halbfestwertspeicher mit Gesamtbitänderung gedacht.The invention is based on the object of providing a simple and inexpensive semi-fixed value memory with a galvanic or to create resistive coupling between query and read lines, the strong read signals guaranteed, which can be further processed without reinforcement, and offers the highest level of reliability. In particular, a semi-fixed value memory with total bit change is thought of.

Die Lösung der Aufgabe besteht darin, daß der Kopplungsgrad der resistiven Koppelelemente durch Magnetfeldeinwirkung steuerbar ist.The solution to the problem is that the degree of coupling of the resistive coupling elements through Magnetic field action is controllable.

Der Vorteil des erfindungsgemäßen Halbfestwertspeichers besteht insbesondere darin, daß die Zuordnung der die Magnefelder erzeugenden Magnete zu den magnetisch steuerbaren Koppelelementen nicht mit übermäßiger Präzision erfolgen muß. Die sehr große Widerstandserhöhung im Magnetfeld bei Feldplatten beispielsweise ermöglicht starke, unempfindliche Signale, die unverändert weiter verarbeitet werden können. Zudem gewährleistet ein mit resistiven Koppelelementen aufgebauter Speicher gegenüber Ringkernspeicher eine wesentlich schnellere Abfragezeit. Außerdem ist eine sehr einfache und damit billige Herstellung als gedruckte Schaltung möglich.The advantage of the semi-fixed value memory according to the invention is, in particular, that the assignment of the magnets generating the magnetic fields to the magnetically controllable coupling elements must be done with excessive precision. The very large increase in resistance in the magnetic field in field plates for example, enables strong, insensitive signals that are processed further unchanged can. In addition, a memory constructed with resistive coupling elements ensures opposite Toroidal memory has a much faster query time. It is also very simple and therefore cheap Production as a printed circuit possible.

Darüber hinaus ist aber auch eine herstellung als IC denkbar, wo die Koppelelemente schon gleich mit eingearbeitet sind. Durch eine zusätzliche Anordnung kann auch eine Einzelbitänderung möglich gemachtIn addition, however, production as an IC is also conceivable, where the coupling elements are already included are incorporated. A single bit change can also be made possible by an additional arrangement

werden.will.

In einer vorteilhaften Ausgestaltung ist eine Maskenplatte aus magnetisch leitendem Material zwischen einer die magnetisch steuerbaren Widerstände tragenden Trägerplatte und einer die Magnete tragenden Platte angeoidnet, die an ausgewählten Stellen über den magnetisch steuerbaren Widerständen mit Durchbrüchen versehen ist.In an advantageous embodiment, a mask plate made of magnetically conductive material is between a carrier plate carrying the magnetically controllable resistors and one carrying the magnets Plate anoidnet, which at selected points over the magnetically controllable resistors with Breakthroughs is provided.

Der Vorteil dieser Ausgestaltung liegt darin, daß durch Austausch der Maskenplatte das gespeicherte Programm mit einem Handgriff gewechselt werden kann. Andererseits ist es aber auch möglich, durch Anordnung der Magnete nur an ausgewählten Stellen mit Hilfe von Programmschablonen ein Programm ohne Maskenplatte zu gestalten bzw. zu verändern. Ausführungsbeispiele des erfindungsgemäßen Halbfestwertspeichers sind in den Zeichnungen dargestellt und werden nachfolgend näher erläutert. Es zeigtThe advantage of this embodiment is that by exchanging the mask plate the stored Program can be changed with one movement. On the other hand, it is also possible to go through Arrangement of the magnets only in selected places with the help of program templates a program without designing or changing the mask plate. Embodiments of the invention Semi-fixed value memories are shown in the drawings and are explained in more detail below. It shows

F i g. 1 eine Widerstandsmatrix, F i g. 2 den Schnitt einer Widerstandsmatrix und einer mit Elektromagneten bestückten Plane,F i g. 1 is a resistor matrix, FIG. 2 the section of a resistor matrix and a tarpaulin fitted with electromagnets,

F i g. 3 eine mit einer Maske abgedeckte Widerstandsmatrix,, teilweise aufgebrochen, Fig. 4 den Schnitt einer Kassette, Fi g. 5 eine mit einer permanente Magnete tragenden Platte abgedeckte Widerstandsmatrix, Fig. 6 den Schnitt der Fig. 5, Fig. 7 den Schnitt einer Kassette für eine permanente Magnete tragende Platte.F i g. 3 a resistor matrix covered with a mask, partially broken away, FIG. 4 shows the section of a cassette, Fi g. 5 a resistor matrix covered with a plate carrying permanent magnets, 6 shows the section of FIG. 5, FIG. 7 shows the section of a cassette for a permanent one Magnet-carrying plate.

Auf einer Trägerplatte 1 (Fig. 1) befinden sich Abfrage- und Leseleitungen 2 und 3, die an ihren Kreuzungspunkten durch resistive Koppelelemente galvanisch miteinander gekoppelt sind. Diese Koppelelemente 4 sind magnetisch steuerbare Widerstände, deren Widerstand sich durch Einwirkung eines magnetischen Kraftfeldes ändert.On a carrier plate 1 (Fig. 1) there are query and read lines 2 and 3, which are attached to their Crossing points are galvanically coupled to one another by resistive coupling elements. These coupling elements 4 are magnetically controllable resistors, the resistance of which changes due to the action of a magnetic force field changes.

In dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 wird das für jedes Koppelelement 4 vorgesehene magnetische Kraftfeld durch Elektromagnete 8 erzeugt. Diese Infor-In the embodiment according to FIG. 2, the provided for each coupling element 4 is magnetic Force field generated by electromagnets 8. This information

.,,,wicklung 9. ZwedsW—Stangen 9 mation werden die jntspre _{s nnung} beauf-. ,,, development 9. ZwedsW-rods 9 mation, the jntspre _{s retr} acted upon

z.B. über Tastenkontakte in« _E1£_ktromagnete 8 schlagt, wodurch alle sele tuer _{eines errfigten} _E.g. via key _{contacts in "E1} £ ktroma gnete 8 hits, whereby all sele tuer _{errfigten one}

erregt werden. Das jeweil> ™ °" _lelement 4 veran-Elekuomagneten 8 hegende Koppf_daraus ^₆.get excited. The respective> ™ ° " _lelemen t 4 indu-elecuomagnets 8 harboring head _{from it} ^ ₆ .

dert seinen Widerstandswert JJ _{hen Abfrage}.changes its resistance value JJ _{hen query} .

rende geänderte Ko ppelvgj„^melir auf bekannte und Leseleitung 2 und 3kann η _{rfcht belspi}el_S-rende changed Ko ppelv gj "^ melir on known and reading line 2 and 3 can η _{rfcht belspi} el _S -

Weise abgefragt werden;-?^_netf5des einer binä-Way to be queried; -? ^ _Netf 5des a binary-

ren tins, waiucuu u>~ ■ ---ren tins, waiucuu u> ~ ■ ---

des eine binäre Null JfJu^k₁ der Erfin-Bei einem zweiten Ausführung _E^_ktromagneteof a binary zero JfJu ^ k _{1 of} the inven- In a second execution _E ^ _ktromagne te

dung nach Fig. 3 "^jAJU. Für die Aus^ ständig im erregten Zusujd gen _{e Maskenpla}tt_e 6 wahl der Koppelelemente 4 wim _benutzt. Diese aus magnetisch leitern Matena^dung of FIG. 3 "^ jaju. For From ^ constantly energized Zusujd gen _{e Maskenpla} _e tt 6 choice of the coupling elements 4 wim _used. These ladders of magnetically Matena ^

Maskenplatte 6 ist *n dej bte»e£ _rchbruchen 7Mask plate 6 is _{broken down} 7

ten Koppelelemente 4 1^8^en· ^m _{ein solcher} erfmversehen.WiedieFigezeigt, Ka _{Form einef} th coupling elements 4 1 ^ 8 ^en ^m _{such a designed.} As shown, Ka _{form einf}

dungsgemäßer Halbfestwertspe^ ^Appropriate semi-fixed value storage ^ ^

_a5 Kassette ausgebildet werden^ υ _wändC( d_ie _a5 cassette are formed ^ υ _{wändC (d} _ie

gerplatte 1 und die ™"*Λ™ _verbunden sind. Furcarrier plate 1 and the ™ "* Λ _™-jointed are. For

durch einen Boden ""^",^gnschubFührungen die Maskenplatte 6s.ndobenamtms ^ ^through a floor "" ^ ", ^ gnschubGuides the mask plate 6s.ndobenamtms ^ ^

10 und 12 und unten am Boden fum^s _den 10 and 12 and below the bottom fum ^ s _the

13 vorgesehen, die den ncht^ Elektromagneten 8 und den K13 provided that the night ^ Electromagnet 8 and the K

Kassette aus der Trägerplatte ι unu tu.v. . Cassette from the carrier plate ι unu tu.v. .

40 in welche die mit den Permanentmagneten 17 versehene Platte 16 eingesetzt ist. Eine am Einschub angeordnete Führung 18 und eine Führung 19 am Boden sorgen für den richtigen Sitz der eingeschobenen Platte 16.40 in which the provided with the permanent magnets 17 Plate 16 is inserted. A guide 18 arranged on the drawer and a guide 19 on the floor ensure the correct fit of the inserted plate 16.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen With 1 sheet of drawings

Claims

Patent claims:

1.Semi-fixed value memory with an arrangement of crossing electrical conductors, the interrogation and read conductors, and resistive coupling elements that are located at the crossing points of the interrogation and read conductors cause a galvanic or electrically conductive coupling, thereby characterized in that the degree of coupling of resistive coupling elements (4) can be controlled by the action of magnetic fields.

2. Semi-fixed value memory according to claim!, Characterized in that field plates are used as coupling elements (4) are used.

3. Semi-fixed value memory according to claim 1 or 2, characterized in that the magnetic controllable resistive coupling elements (4) on one with the query and read conductors (2,3) provided Carrier plate (1) and the magnets (8 or 17) on a plate above (S or 16) are arranged.

4. semi-fixed value memory according to claim 3, characterized in that a mask plate (6) made of magnetically conductive material between plate (5 or 16) and carrier plate (1) is provided with openings (7) at selected points above the resistive coupling elements (4) is.

5. Semi-fixed value memory according to claim 4, characterized in that from the carrier plate (1) and the plate arranged above (S or 16) a cassette is formed. into the mask plate (6) is retractable.

6. Semi-fixed value memory according to claims 1 to 5, characterized in that for generation the magnetic fields permanent magnets (17) are provided.

7. Semi-fixed value memory according to claims 1 to 5, characterized in that for generation the magnetic fields electromagnets (8) are provided.