DE1920787A1 - Method for growing a single crystal - Google Patents
Method for growing a single crystalInfo
- Publication number
- DE1920787A1 DE1920787A1 DE19691920787 DE1920787A DE1920787A1 DE 1920787 A1 DE1920787 A1 DE 1920787A1 DE 19691920787 DE19691920787 DE 19691920787 DE 1920787 A DE1920787 A DE 1920787A DE 1920787 A1 DE1920787 A1 DE 1920787A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- solvent
- dissolved
- crystal
- compound
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 45
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 40
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 14
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical group [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 7
- 229940105963 yttrium fluoride Drugs 0.000 claims description 6
- RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K yttrium(iii) fluoride Chemical group F[Y](F)F RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 6
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N gallium antimonide Chemical group [Sb]#[Ga] VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 3
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- -1 rare earth fluoride Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 30
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 5
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 3
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009395 breeding Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001488 breeding effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 2
- 241000931526 Acer campestre Species 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- VKOMSFNWNMMEKG-UHFFFAOYSA-L lithium yttrium(3+) difluoride Chemical compound [F-].[Li+].[F-].[Y+3] VKOMSFNWNMMEKG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/02—Zone-melting with a solvent, e.g. travelling solvent process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Lösung herausgenommen wird. Auf diese Weise werden Einkristalle bei Temperaturen unterhalb des Sohmelzpunictes des Kristallmaterials gezüohtet.Solution is taken out. In this way, single crystals are formed at temperatures below the base point of the crystal material bred.
Stand der Technik»State of the art"
Bisher sind Einkristalle in der Weise aus einer Schmelze gezüchtet worden, daß ein Zuchtkeim mit der oberen, geschmolzenen Zone einer Stange aus Chargenmaterial in einem Tiegel in Berührung gebracht wurde. Der Zuchtkeim wird, zusammen mit dem neu aufgewachsenen Kristall, aus der heissen Zone herausgezogen, und zwar gleichzeitig mit einer Abwärtsbewegung der geschmolzenen heissen Zone, so daß das durch Aufwachsen auf den Kristall aus der flüssigen Phase in der heissen Zone entnommene Material durch zusätzliches Material ersetzt wird, das vom festen Teil der Charge unterhalb der heissen Zone ersohmolzen wurde. Ein solches Verfahren und eine zugehörige Einrichtung ist in der US-Patentschrift 2 998 335 beschrieben.So far, single crystals have been grown from a melt in this way has been that a seed is brought into contact with the upper, molten zone of a rod of batch material in a crucible became. The cultivation germ, together with the newly grown crystal, pulled out of the hot zone, simultaneously with a downward movement of the molten hot zone, so that the material removed from the liquid phase in the hot zone by growth on the crystal is replaced by additional material that is melted from the solid part of the batch below the hot zone became. One such method and apparatus is described in U.S. Patent 2,998,335.
Bei diesem bekannten Verfahren Können relativ grosse Einkristalle relativ leicht gezüchtet werden, es hat jedoch den Nachteil, daß das geschmolzene Material in der heissen Zone des Tiegels sich auf einer Temperatur oberhalb des Schmelzpunktes des Materials "befinden muss, das auf den Einkristall aufgezüchtet werden soll. Zum Züchten von Kristallen aus Materialien mit relativ hohen Schmelzpunkten, beispielsweise Galliumarsenid mit einem Schmelzpunkt von etwa 1238°C, " wird eine erhebliche Menge von Verunreinigungen von der Umgebung, beispielsweise dem Tiegel, in die flüssige Phase des Materials in der heissen Zone übertragen, und damit auch in den gezüchteten Einkristall. Solche Verunreinigungskonzentrationen können die elektrischen Eigenschaften des Einkristalls stark ungünstig beeinflussen, wenn diese für verschiedene Halbleiteranwendungsfälle verwendet werden.In this known method, relatively large single crystals can can be grown relatively easily, but it has the disadvantage that the molten material in the hot zone of the crucible is on a temperature above the melting point of the material " that is to be grown on the single crystal. For breeding of crystals made of materials with relatively high melting points, for example gallium arsenide with a melting point of about 1238 ° C, " gets a significant amount of pollution from the environment, for example the crucible, into the liquid phase of the material in the hot zone, and thus also into the grown single crystal. Such concentrations of impurities can have a strongly unfavorable effect on the electrical properties of the single crystal, when these are used for various semiconductor applications.
Bei einem anderen bekannten Verfahren zum Züchten von Einkristallen wird ein relativ dünner Film aus Lösungsmittel oder Lösungsmaterial zwischen einer Sandwichanordiuing aus einer Zuchtkeim-Kristall-PlatteAnother known method of growing single crystals becomes a relatively thin film of solvent or solvent material between a sandwich arrangement of a seed crystal plate
909846/1112 ** 3 "909846/1112 ** 3 "
und einer Platte aus polykristallinen* Material gebildet. Über dem Lösungsmittelfilm wird ein Temperaturgradient hervorgerufen, so daß die flüssige Zone, die das Lösungsmittel enthält, durch das polykriatalline Chargenmaterial hindurchwandert. Das Chargenmaterial wird auf der Unterseite der heissen flüssigen Zone gelöst, so daß das gelöste Ghargenmaterial sich auf dem Zuchtkeim auf der oberen und kühloren Seile der heissen Zone als integrierender Teil des Einkristalls wieder formt. Ein solches Verfahren ist in der US-Pate nt schrift 5 205 101 und in einem Artikel "Crystal Growth of Ga As from Ga by a Traveling Solvent Method", Journal of Applied Physics, Vol. 34» Mo. 9, September 1963, Seiten 22Θ5 - 2892 beschrieben.and a plate made of polycrystalline * material. A temperature gradient is created across the solvent film so that the liquid zone containing the solvent migrates through the polycrystalline batch material. The batch material is dissolved on the underside of the hot liquid zone, so that the dissolved batch material is re-formed on the seed on the upper and cooler cords of the hot zone as an integral part of the single crystal. Such a method is nt in US Pat e font 5,205,101 and in an article "Crystal Growth of Ga As from Ga by a Traveling Solvent Method," Journal of Applied Physics, 34 »Mon 9 vol., Sept. 1963 Pages 22-5-2892.
Dieses letztere bekannte Verfahren hat zwar den Vorteil, daß ein Einkristall aus einer Lösung bei niedrigerer Temperatur als am Schmelzpunkt des zu lösenden Stoffes gezüchtet werden kann, aus dem der Kristall gezüchtet werden soll, hat jedoch den Nachteil, daß die flüssige Zone relativ dünn ist und ein relativ kleines Volumen hat, so daß im zu lösenden Stoff vorhandene Verunreinigungen in den gezüchteten Einkristall eingebracht werden können. Ein weiteres Problem bei diesem Verfahren besteht darin, daß der Zuchtkeim relativ grosse Abmessiingen haben muss, d.h. seine Abmessungen müBsen mit den Querschnittsabmessunften des zu züchtenden fertigen Kristalls vergleichbar sein. *This latter known method has the advantage that a single crystal can be grown from a solution at a lower temperature than the melting point of the substance to be dissolved from which the Crystal is to be grown, however, has the disadvantage that the liquid zone is relatively thin and has a relatively small volume, so that impurities present in the substance to be dissolved can be introduced into the grown single crystal. Another Problem In this method, the cultivation germ must have relatively large dimensions, i.e. its dimensions must match the Cross-sectional dimensions of the finished crystal to be grown are comparable be. *
Durch die Erfindung soll- ein verbessertes Verfahren zum Züchten von Einkristallen aus einer Lösung verfügbar gemacht werden.The invention aims to provide an improved method of growing of single crystals are made available from a solution.
Erfindungsgemäss wird ein Verfahren zum Züchten von Einkristallen aus einer geschmolzenen Lösung mit Hilfe eines Zuchtkeims verfügbar gemacht, bei dem der Zuchtkeim mit der Oberfläche einer verflüssigten heissen Zone in Berührung gebraoht wird, die von einer geschmolzenen Lösung eines Lösungsmittels und einem zu lösenden Material eingenom«According to the invention, a method for growing single crystals from made available to a molten solution with the help of a seed, in which the germ is brewed in contact with the surface of a liquefied hot zone, that of a molten one Solution of a solvent and a material to be dissolved in "
• «4-• «4-
909846/1112909846/1112
men wird, das auf den Zuchtkeim aufgezüchtet werden soll, und bei dem der Zuohtkeim gemeinsam mit einer Abwärtsbewegung der flüssigen Lösungszone herausgezogen wird, derart, daß das gelöste Material auf der Unterseite der sich bewegenden flüssigen Zone gelöst wird, um das Material zu ersetzen, das duroh Aufwachsen auf den Zuchtkeim aus der Lösung herausgenommen wird, so daß Einkristalle bei Temperaturen unterhalb des Schmelzpunktes des Kristallmaterials gezüchtet werden·men that is to be grown on the cultivation germ, and in which the Zuohtkeim together with a downward movement of the liquid Solution zone is withdrawn such that the dissolved material is dissolved on the underside of the moving liquid zone, to replace the material that duroh outgrowth on the breeding germ is taken out of the solution, so that single crystals at temperatures grown below the melting point of the crystal material
fe Gemäss einer speziellen Ausbildung der Erfindung ist das Lösungsmaterial oder Lösungsmittel Gallium und der gelöste Stoff Galliumarsenid. fe According to a special embodiment of the invention, the solution is material or the solvent gallium and the solute gallium arsenide.
Gemäss einer anderen Ausbildung der Erfindung ist das Lösungsmittel Indiumarsenid und das gelöste Material Galliumarsenid.According to another embodiment of the invention, the solvent is Indium arsenide and the dissolved material gallium arsenide.
Gemäss einer weiteren Ausfuhrungeform der Erfindung ist das Lösungsmittel Galliumantimonid und das gelöste Material Galliumarsenid.According to a further embodiment of the invention, the solvent is Gallium antimonide and the dissolved material gallium arsenide.
Gemäss einer weiteren Ausbildung der Erfindung ist das Lösungsmittel ein Alkalimetallfluorid und das gelöste Material ein Fluorid seltener Erden.According to a further embodiment of the invention, the solvent is an alkali metal fluoride and the dissolved material a fluoride less often Earth.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung in Verbindung mit der Zeichnung; es zeigernFurther features and advantages of the invention emerge from the following description in conjunction with the drawing; show it
Fig. 1 schematisch eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens; undFig. 1 schematically shows a device for carrying out the inventive Procedure; and
Fig. 2 - 4 Phasendiagramme für verschiedene Systeme von Lösungsmittel und gelöstem Stoff.Fig. 2-4 phase diagrams for different systems of solvent and solute.
In Fig. 1 ist eine übliche Kristallzüchteinrichtung zum Züchten von Kristallen nach dem erfindungsgemässen Verfahren dargestellt« Die Einrichtung weist einen Tiegel 1 auf, der aus Kohlenstoff, GraphitIn Fig. 1 is a common crystal growing apparatus for growing Crystals prepared according to the inventive method «The Device has a crucible 1 made of carbon, graphite
909846/1112909846/1112
oder Quarz oder irgendeinem anderen geeigneten Material bestehen kann· Eine Heizspule 2 umgibt den Tiegel 1. Wenn die Heizspule 2 mit elektrischem Strom versorgt wird, erzeugt sie im Tiegel 1 eine . heisse Zone, in der ein Teil der Charge, der sich in der heissen Zone befindet, innerhalb des Tiegels geschmolzen wird. Die Temperatur in der heissen Zone ändert sioh in axialer Richtung, wie duroh die. Darstellung der Temperatur in Abhängigkeit von der Distanz d veransohaulicht ist. Genauer gesagt, die Temperatur erreicht in der axialen Mitte der heissen Zone 3 ein Maximum und fällt zum oberen und unteren Ende der heissen Zone 3 hin ab. Im Tiegel 1 ist eine Charge aus geeignetem Material 4 vorgesehen« Das Chargenmaterial 4 weist wenigstens zwei Bestandteile auft Einen zu lösenden Bestandteil, der in Form eines Einkristalls gezüchtet werden soll, und einen Lösungsmittelbestandteil, der den zu lösenden Stoff bei einer Temperatur unterhalb des Schmelzpunktes des zu lösenden Stoffes zu lösen vermag.or quartz or any other suitable material can · A heating coil 2 surrounds the crucible 1. When the heating coil 2 is supplied with electrical current, it generates a in the crucible 1. hot zone in which part of the batch that is in the hot Zone is located within the crucible is melted. The temperature in the hot zone changes in the axial direction, like duroh the. Representation of the temperature as a function of the distance d is shown. More precisely, the temperature reached in the axial center of the hot zone 3 has a maximum and falls to the upper one and the lower end of the hot zone 3. In crucible 1 there is one Batch made of suitable material 4 provided «The batch material 4 has at least two components One component to be dissolved, which is to be grown in the form of a single crystal, and a solvent component that dissolves the substance to be dissolved at a temperature below the melting point of the substance to be dissolved able.
Der Tiegel 1, der das Chargenmaterial 4 enthält, wird mit der Heizspule 2 in einer Kar,mer beheizt, die mit einem chemisch inertem Gas gefüllt ist oder unter Vakuum steht, um die Heizzone 5 aufzubauen· Die Heizzone 3 wird von einer geschmolzenen Lösung des Lösungsmittels und des gelösten Materials eingenommen. Die heisse Zone ist oberhalb einer kühleren Zone angeordnet) die von verfestigtem Chargenmaterial 4 eingenommen wird. Die Temperatur der heissen Zone wird auf einen Wert unterhalb des Schmelzpunktes des festen Chargenmaterials in der unteren Zone eingestellt.The crucible 1, which contains the batch material 4, is heated with the heating coil 2 in a Kar, mer, which is heated with a chemically inert gas is filled or is under vacuum in order to build up the heating zone 5 The heating zone 3 is occupied by a molten solution of the solvent and the solute. The hot zone is above a cooler zone) which is occupied by solidified batch material 4. The temperature of the hot zone is reduced to one Value set below the melting point of the solid batch material in the lower zone.
Ein Zuchtkeim 5 wird mit der oberen geschmolzenen Oberfläche der heissen Zone 3 in Berührung gebracht· Die Temperatur der heissen Zone 3 wird so eingestellt, daß die geschmolzene Lösung mit dem gelösten Stoff im Berührungsbereioh zwischen dem Zuohtkeia 5 und der geschmolzenen Lösung gesättigt ist. Der Tiegel 1 wird relativ zur festen Lage der Heizspule angehoben, um das Wachstum auf den Zuohtkeim 5 einzuleiten. Gleichzeitig steigt etwas des polykristallinen zu lö-A seed 5 is with the upper molten surface of the hot zone 3 brought into contact · The temperature of the hot zone 3 is adjusted so that the molten solution is saturated with the solute in the contact area between the Zuohtkeia 5 and the molten solution. The crucible 1 is relative to the fixed Position of the heating coil raised to initiate growth on Zuohtkeim 5. At the same time, something of the polycrystalline increases to lo-
909846/1112909846/1112
■- 6 -■ - 6 -
senden Stoffes 4 in. die heisse Zone auf und wird gelöst, so daß das Material, das von der Lösung duroh Kristallisation auf dem Zuchtkeim 5 entfernt wird, ersetzt wird· Wenn das Kristallwachstum stabilisiert ist, wird der Kristall 5 mit einer Geschwindigkeit V nach oben abgezogen. Gleichzeitig wird der Tiegel mit einer Geschwindigkeit V angehoben. Das Verhältnis der Geschwindigkeiten von Tie-0 send substance 4 in. to the hot zone and is released so that the Material that crystallizes from the solution duroh on the seedling 5 is removed, is replaced. When the crystal growth is stabilized, the crystal 5 becomes at a rate V pulled off upwards. At the same time the crucible is moving at a speed V raised. The ratio of the speeds of Tie-0
gelanhebung Y und Kristallabzug V wird so eingestellt, daB der Lösungsspiegel sioh in einer konstanten Position relativ zur heissen Zone 5 befindet, und so, daß der Kristall mit gewissen vorgegebenen fe Querschnittsabmessungen relativ zu den Querschnittsabmessungen des Tiegels wäohst.gel increase Y and crystal deduction V are set so that the The solution level is in a constant position relative to the hot Zone 5 is located, and so that the crystal with certain predetermined fe cross-sectional dimensions relative to the cross-sectional dimensions of the Crucible.
Wenn der Kristall 5 breiter wäohst als der vorgegeben· gewünschte Durchmesser, wird der gelöste Stoff schneller aus der flüssigen Lösung entfernt als gelöster Stoff in Lösung geht, und deshalb fällt die Konzentration. Die Kristallwachstumsrate fällt entsprechend, und die Breite fällt auf den gewünschten, vorgesehenen Durchmesser. Umgekehrt, wenn der Kristall schmaler als mit dem gewünschten vorgesehenen Durchmesser wäohst, ist die Entfernungegeschwindigkeit des gelösten Stoffes kleiner als die Lösungsgeschwindigkeit des zu lösenden Stoffes, und die Konzentration des gelösten Stoffes in der flüssigen Lösung steigt· Dementsprechend steigt die Kristallisation und P der wachsende Kristall verbreitert sich.If the crystal 5 is wider than the predetermined one desired Diameter, the solute is removed from the liquid solution faster than the solute goes into solution, and therefore falls the concentration. The rate of crystal growth falls accordingly and the width falls to the desired intended diameter. Vice versa, if the crystal grows narrower than the desired design diameter, the removal rate is the solute less than the dissolution rate of the solute, and the concentration of the solute in the liquid Solution increases · Correspondingly, the crystallization increases and P the growing crystal widens.
Das System ist also notwendigerweise selbstregulierend, und die Breite des gezüchteten Kristalls relativ zur Breite des Innendurchmessers dee Tiegels 1 wird durch das Verhältnis der Tiegeigeachwindigkeit V zur Kristallziehgeschwindigkeit V beatimmt. Genauer gesagt, die relative Breite des gezüchteten Kristalls ist proportional V V . Der Vorteil der Verwendung der geschmolzenen Lösung aus Lösungsmittel und gelöstem Stoff sum Züohten von Einkristallen, die das gelöste Material enthalten, besteht darin, daß die Kristalle bei Temperaturen gezüchtet werden können, die erheblich unterhalb des Schmelzpunktes des gelösten Stoffes liegen. D.ie Geschwindigkeit, mit der Verunrei-So the system is necessarily self-regulating, and breadth of the grown crystal relative to the width of the inner diameter The crucible 1 is determined by the ratio of the crucible speed V is determined by the crystal pulling rate V. More precisely, the relative width of the grown crystal is proportional to V V. The advantage of using the molten solution of solvent and solute by growing single crystals that represent the solute Containing material consists in keeping the crystals at temperatures Can be grown well below the melting point of the solute. D. the speed at which contamination
. ■■ - 7 -. ■■ - 7 -
909846/1112909846/1112
nigungen aus der Umgebung entfernt werden, beispielsweise aus dem Tiegel 1, ist dann relativ klein, und der fertige Kristall hat eine grössere Reinheit als entsprechende Stoffe, die aus geschmolzenem Material ohne Vorhandensein des Lösungsmittels gezüchtet worden sind. Duroh die Verwendung des Lösungsmittels und einer relativ grossen heissen Zone 3 ist es auch möglich, das gelöste Material in erheblichem Umfang zu reinigen, weil das relativ grosse Volumen der geschmolzenen Losung eine erhebliche Menge von Verunreinigungen aus dem gelösten Stoff aufnehmen kann, ohne daß diese Verunreinigungen in den Einkristall einwandern können. Das Züchten von Kristallen aus der geschmolzenen Lösung nach der Erfindung hat auch den Vorteil, daß gewisse Arten von Verbindungen, die einen peritektisohen invarianten Punkt in ihrem Phasendiagramm haben, bei Temperaturen unterhalb dieses peritektischen Zersetzun/jspunktes gezüchtet werden können· Solche Materialien könnten sonst aus einer Schmelze gezüchtet werden, weil sie in der Nähe ihrer Schmelzpunkte nicht stabil sind.Tensions are removed from the environment, for example from the crucible 1, is then relatively small, and the finished crystal has one greater purity than corresponding substances grown from molten material in the absence of the solvent. Duroh the use of the solvent and a relatively large hot zone 3, it is also possible to use the dissolved material in a considerable amount Scope to clean because the relatively large volume of the molten solution contains a significant amount of impurities the solute can absorb without these impurities can migrate into the single crystal. Growing crystals from the molten solution according to the invention also has the advantage that certain types of connections that are peritectically invariant Point in their phase diagram that can be grown at temperatures below this peritectic decomposition point Otherwise, materials could be grown from a melt because they are not stable near their melting points.
Die Erfindung soll noch an Hand einer Reihe von speziellen Beispielen zum Züchten von Einkristallen aus Lösungen nach der Erfindung beschrieben werden.The invention is intended to be based on a number of specific examples for growing single crystals from solutions according to the invention will.
Ein Galliumarsenid-Einkristall wird dadurch gezüchtet, daß der Tiegel 1 mit polykristallinen! Galliumarsenid beschickt wird, das das zu lösende Material bildet. Auf das Galliumarsenid wird Gallium aufgebraoht, um das Lösungsmittel zu bilden. Die Temperatur des Galliumarsenids wird auf 800 - 1000°C gebracht, so daß etwas Galliumarsenid vom unteren und kühleren Teil des Tiegels 1 gelöst wird. Der Zuchtkeim 5, ein Einkristall aus Galliumarsenid, wird in den oberen Teil der heissen Zone eingeführt, und der Tiegel 1 wird zum Zuohtkeim 5 angehoben und die Temperatur so eingestellt, daß das Kristallwaohstum beginnt. Wenn der wachsende Zuchtkeim abgezogen wird, wird der Tiegel 1 mit entsprechender Geschwindigkeit angehoben, wobei frisches Galliumarsenid gelöst wird und der Lösungsspiegel und das Volumen innerhalbA gallium arsenide single crystal is grown by using the crucible 1 with polycrystalline! Gallium arsenide is charged, which forms the material to be dissolved. Gallium is brewed on the gallium arsenide, to form the solvent. The temperature of the gallium arsenide is brought to 800 - 1000 ° C, so that some gallium arsenide is released from the lower and cooler part of the crucible 1. The cultivation nucleus 5, a single crystal made of gallium arsenide, is in the upper part the hot zone is introduced, and the crucible 1 becomes the Zuohtkeim 5 raised and the temperature adjusted so that the Kristallwohstum begins. When the growing germ is peeled off, the crucible becomes 1 raised at a corresponding speed, with fresh gallium arsenide is dissolved and the solution level and volume within
90 9 8 46/1112 -8-90 9 8 46/1112 -8-
der heissen Zone 3 konstant gehalten werden. Das so erhaltene Öal·· llumarsenid kann direkt für Gunn-Effekt- und LSA-Modue-Oszillatören -Terwendet werden, ohne daß durch den Wachstumsprozess Diekenbegrenzungen erzwungen werden»the hot zone 3 must be kept constant. The oil obtained in this way llumarsenide can be used directly for Gunn effect and LSA module oscillators without the growth process imposing die limitations »
Ein Einkristall aus Yttriumfluorid, YF,, wird aus einer Charge 4 gezüchtet, die Lithiumfluorid ale Lösungsmittel und Yttriumfluorid als ) zu lösender Stoff enthält. Das Lithiumfluorid-Yttriumfluorid-Phaeendiagramm ist in Fig. 2 dargestellt. Die Charge aus Lithiumfluorid und Yttriumfluorid wird rom Heizer 2 aufgeheizt, eo daß die geschmolzene heisse Zone gebildet wird, die Lithiumfluorid ale Lösungsmittel und Yttriumfluorid als gelöster Stoff oberhalb eines kühleren Teils des Tiegels enthält, der polykristallines, festes Yttriunfluorid als zu lösendes Material enthält· Der Yttriurafluorid-Zuchtkeim wird in den oberen Teil der flüssigen Lösung gebracht, die auf einer Tempera» tür zwischen 750 - und 8000C gehalten wird. Das gleiche Verfahren ist auf andere Systeme ron Alkalimetall-Fluorid und Fluorid seltener Erden anwendbar.A single crystal of yttrium fluoride, YF ,, is grown from batch 4 which contains lithium fluoride as the solvent and yttrium fluoride as the solute. The lithium fluoride-yttrium fluoride phase diagram is shown in FIG. The charge of lithium fluoride and yttrium fluoride is heated by heater 2, so that the molten hot zone is formed which contains lithium fluoride as a solvent and yttrium fluoride as a solute above a cooler part of the crucible which contains polycrystalline, solid yttrium fluoride as a material to be dissolved Yttriurafluorid-breeding seed is placed in the upper part of the liquid solution to a temperature »door between 750 - 800 0 C and is kept. The same procedure applies to other alkali metal fluoride and rare earth fluoride systems.
Einkristalle aus Gallium-Arsenid-Antimonid-Legierungen werden aus einer Lösung von Galliumarsenid als gelöstem Stoff in Galliumanti« monid als Lösungsmittel gezüchtet. Das Phasendiagramm dieses Systems ist in Fig. 3 dargestellt. Der Tiegel 1 wird mit etwa gleichen Teilen Galliumantimonid und Galliumarsenid beschickt. Der Tiegel wird dann mit dem Heizer 2 so aufgeheizt, daß eine heisse Zone gebildet wird, die die flüssige Lösung aus Galliumarsenid in dem Lösungsmittel Galliumantimonid enthält. Die heisse Zone wird vorzugsweise bei einer Temperatur ron etwa 95O0C betrieben, was am Punkt 1 im Phasendiagramm angedeutet ist, so daß die Lösung die Zusammensetzung GaAs^ _ Sbft Q Single crystals of gallium-arsenide-antimonide alloys are grown from a solution of gallium arsenide as a dissolved substance in gallium antimonide as a solvent. The phase diagram of this system is shown in FIG. The crucible 1 is charged with approximately equal parts of gallium antimonide and gallium arsenide. The crucible is then heated with the heater 2 in such a way that a hot zone is formed which contains the liquid solution of gallium arsenide in the solvent gallium antimonide. The hot zone is preferably operated at a temperature of about 95O 0 C, which is indicated at point 1 in the phase diagram, so that the solution has the composition GaAs ^ _ Sb ft Q
Uf c. O, öUf c. O, ö
hat. Der Zuohtkein aus GaAsn Q Sbn 1 oder GaAs-Legierung wird in denHas. The component of GaAs n Q Sb n 1 or GaAs alloy is used in the
u»7 υ, ιu »7 υ, ι
909846/1112 "9 "909846/1112 " 9 "
oberen Teil der heissen Zone in Berührung mit der darin befindlichen Flüssigkeit eingeführt. Bas Galliumarsenid mit einer duroh Funkt 2 im Phasendiagramm angedeuteten Zusammensetzung, nämlich GaAen n Sbn 4 wird aus der Lösung auf den Zuohtkeim kristallisiert. Das Schiffchen und der Zuchtkeim werden in der beschriebenen Weise bewegt, um den gezüchteten Einkristall aus der Lösung herauszuziehen» Galliumarsenidkristalle, die auf diese Weise gezüohtet worden sind, werden bei Temperaturen erheblich unterhalb dem Schmelzpunkt von Galliumarsenid, 12380C, gezüohtet und die Legierung hat Eigenschaften, die sehr ahnlioh reinem Galliumarsenid sind.introduced upper part of the hot zone in contact with the liquid therein. Bas gallium arsenide with a composition indicated in the phase diagram, namely GaAe nn Sb n 4 , is crystallized from the solution towards the Zuoht nucleus. The boat and the seedling are moved in the manner described in order to pull the grown single crystal out of the solution. Gallium arsenide crystals that have been grown in this way are grown at temperatures well below the melting point of gallium arsenide, 1238 0 C, and the alloy has Properties that are very similar to pure gallium arsenide.
Galliunarsenidatlndium-Legierungen werden in Einkristall form aus einer geschmolzenen Lösung Ton Galliumarsenid in Indiunarsenid als Lösungsmittel gezüohtet· Das Phasendiagramm für dieses Aueführungsbeispiel ist in Fig. 4 dargestellt. Der Tiegel 1 wird Bit etwa gleichen Teilen Indiumarsenid und Galliumarsenid besehiokt, wobei das Indiumarsenid als Lösungsmittel für das Galliumarsenid als su lösende« Stoff dient. Der Tiegel wird mit dem Heiser 2 aufgeheizt, so daß die hei see Zone bei einer Temperatur τοη I050 C entsteht, so dafl die Lösung ein· Zusammensetzung hat, wie sie duroh Punkt 1 im Phasendiagramm Fig· 4 angedeutet ist, nämlich Inn α Gan „As. Ein Zuohtkeim aus GaAs oder einer Legierung aus Indium und Galliumarsenid mit der ungefähren Zusammensetzung Inn o Gan Q As wird in den oberen Teil der gesohmolzenen heissen Zone eingesetzt. Die Legierung, deren Zusammensetzung duroh Punkt 2 im Phasendiagramm Fig. 4 auf Inn o Gart □ Ae bestimmtGallium arsenide indium alloys are grown in single crystal form from a molten solution of clay gallium arsenide in Indian arsenide as a solvent. The phase diagram for this embodiment is shown in FIG. The crucible 1 is made up of approximately equal parts of indium arsenide and gallium arsenide, the indium arsenide serving as a solvent for the gallium arsenide as a solvent. The crucible is heated with the Heiser 2 so that the hot zone is created at a temperature τοη 1050 C, so that the solution has a composition as indicated by point 1 in the phase diagram in Fig. 4, namely In n α Ga n "As. A Zuohtkeim made of GaAs or an alloy of indium and gallium arsenide with the approximate composition In no Ga n Q As is placed in the upper part of the molten hot zone. The alloy, the composition of which is determined by point 2 in the phase diagram in Fig. 4 on In no Ga rt □ Ae
U, c. U, öU, c. U, ö
ist1 wird auf den Zuchtkeim gezüohtet, wenn der Zuchtkeim in der oben beschriebenen Weise aus der heissen Zone gezogen wird« Die resultierende Galliumarsenid-Indium-Legierung wird bei Temperaturen gezüohtet, die erheblich unterhalb des Schmelzpunktes τοη Galliumarsenid liegen und sind deshalb extrem reim, und haben zusätzlich duroh den relativ kleinen Anteil an Indium Eigenschaften, die sehr ähnliohist1 is grown on the germ, if the germ is in the The manner described above is drawn from the hot zone «The resulting gallium arsenide-indium alloy is at temperatures bred, which are considerably below the melting point τοη gallium arsenide and are therefore extremely rhyme, and additionally have duroh the relatively small proportion of indium properties that are very similar
909846/1112909846/1112
denen von reinem Galliumarsenid sind.those of pure gallium arsenide.
Die oben in Verbindung mit Beispiel III und IV beschriebenen Verfahren können auch dazu verwendet werden, einen Einkristall au· einer Legierung aus zwei Verbindungen in der Weise zu züchten, daß die Zusammensetzung sich längs des Kristalls ändert· Genauer gesagt, der Tiegel 1 wird nit einer zu lösenden Verbindung A in der kalten, unteren Zone 4 beschickt, und die heisse Zone 3 wird mit einen Lösungsmittel für A besohiokt. Das Lösungsmittel enthält ein· ^ Lösung der Verbindung B, die auch nit A eine feste Lösung in beliebigen Anteilen bildet. Wenn dar Kristall 5 aus der heissen Zone gezogen wird, besteht er am Anfang überwiegend aus der Verbindung B, und der Anteil von B. fällt, wenn der Kristall gezogen wird. Wenn der Tiegel 1 angehoben wird, wird die Verbindung A in Lösung gehen und ersetzt die Verbindung B, die durch den wachsenden Kristall entfernt worden ist· Ungekehrt, der Anteil an Verbindung A in wachsenden Kristall wäohst. Beispiele für Verfahren sun Züchten von Einkristallen nit sieh ändernden Anteilen von Verbindungen A und B werden in den folgenden Beispielen V - VII beschrieben.The methods described above in connection with Examples III and IV can also be used to produce a single crystal. to grow an alloy of two compounds in such a way that the composition changes along the crystal. More precisely, the crucible 1 is filled with a compound A to be dissolved in the cold, lower zone 4 is charged, and the hot zone 3 is charged with a solvent for A is dissolved. The solvent contains a ^ Solution of compound B, which also forms a solid solution with A in any proportions. If the crystal 5 is out of the hot zone is pulled, it initially consists predominantly of compound B, and the proportion of B. falls when the crystal is pulled. if The crucible 1 is raised, the compound A will go into solution and replace the compound B, which has been removed by the growing crystal · Conversely, the proportion of compound A in growing Crystal grows. Examples of methods of growing single crystals with changing proportions of compounds A and B are shown in the the following Examples V - VII described.
™ Ein Sinkristall der Legierung In Ga. Sb wird daduroh gezüchtet, dafl der Tiegel 1 mit polykristallinem GaSb in festem Zustand in der unteren kalten Zone 4 besohiokt wird, das den su lösenden Stoff bildet. Eine Lösung von InSb in In wird in die heisse Zone 3 gebracht, um das Lösungsmittel für den zu lösenden Stoff zu bilden. Der linkristall-Zuohtkein 5 aus InSb wird mit der Oberfläche des flüssigen Lösungsmittels in der heiasen Zone 3 in Berührung gebracht. Das Wachstum wird in der beschriebenen Weise stabilisiert und der Kristall wird mit einer Geschwindigkeit V abgezogen, die mit dem Anheben des Tiegels 1 mit einer Geschwindigkeit V verträglich ist. Wenn der Kristall 5 wächst, besteht er zunächst überwiegend aus InSb. Wenn der Tiegel 1 steigt, wird jedoch GaSb gelöst, und der GaSb-Gehalt des wachsenden Kristalls 5 steigt, während der Ga-Gehalt des Lösungsmittels ebenfalls steigt. Wenn das Wachstum fortschreitet,™ A sinking crystal of the alloy In Ga. Sb is grown daduroh, that the crucible 1 with polycrystalline GaSb in the solid state in the lower cold zone 4 is besohiokt, which forms the su solvent. A solution of InSb in In is brought into the hot zone 3 in order to form the solvent for the substance to be dissolved. The link crystal Zuohtkein 5 from InSb is connected to the surface of the liquid solvent in the hot zone 3 brought into contact. The growth is stabilized in the manner described and the crystal is withdrawn at a speed V which corresponds to the Raising the crucible 1 at a speed V is compatible. When the crystal 5 grows, it initially consists predominantly of InSb. However, when the crucible 1 rises, GaSb is dissolved and the GaSb content of the growing crystal 5 increases while the Ga content increases of the solvent also increases. As the growth progresses
909846/11 12 ^ ;ίΟ6909846/11 12 ^; ίΟ6
entfernt der Kristall 5 das In, bis in den letzten Wachstumsstufen, die Lösung hauptsächlich GaSb in Ga ist und der Kristall überwiegend aus GaSb besteht« Der In <**« Sb-Kristall ändert seine Zusammensetzung also allmählioh von nahe χ » 1 bis nahe χ - O, und der eioh dadurch ergebende Energiebandabstand für den Kristall liegt zwischen 0,17 eV und 0,68 eV. Solche Kristalle Bind bekanntlich besondere brauchbar für optische Maser oder Laser.the crystal 5 removes the In, up to the last stages of growth, the solution is mainly GaSb in Ga and the crystal is predominantly "The In <**" Sb crystal changes its composition so gradually from near χ »1 to near χ - O, and the eioh The resulting energy band gap for the crystal is between 0.17 eV and 0.68 eV. Such crystals bind are known to be special usable for optical masers or lasers.
Das Züchten von Einkristallen aus Ga In1 As ist vollständig analog zu dem beschriebenen Beispiel V. Beim Beispiel VI ist jedoch das Lösungsmittel Ga mit GaAs in Lösung, und der gelöste Stoff ist InAs, der in der kalten Zone 4 angeordnet wird.The growing of single crystals from Ga In 1 As is completely analogous to the described example V. In example VI, however, the solvent Ga is in solution with GaAs and the solute is InAs, which is placed in the cold zone 4.
Ein Einkristall aus Pb Sn. Te mit einer sich wandelnden Zusammensetzung wird in der Weise gezüchtet, daß der Tiegel 1 mit einer zu lösenden Legierung aus SnTe beschickt wird· Diesem wird tine Lösung von PbTe in Pb in der heissen Zone 3 hinzugefügt. Wenn der Kristall 5 wächst, hat er die Zusammensetzung Pb Sn1 Te, wobei χ länge des Kristalls von nahezu χ = 1 auf nahezu χ « 0 am Ende fällt.A single crystal made of Pb Sn. Te with a changing composition is grown in such a way that the crucible 1 is charged with an alloy of SnTe to be dissolved. To this, a solution of PbTe in Pb in the hot zone 3 is added. When the crystal 5 grows, it has the composition Pb Sn 1 Te, with the length of the crystal falling from almost χ = 1 to almost χ «0 at the end.
809846/11t2809846 / 11t2
Claims (10)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US72574668A | 1968-05-01 | 1968-05-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1920787A1 true DE1920787A1 (en) | 1969-11-13 |
Family
ID=24915801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19691920787 Pending DE1920787A1 (en) | 1968-05-01 | 1969-04-24 | Method for growing a single crystal |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1920787A1 (en) |
| FR (1) | FR2007579A1 (en) |
| GB (1) | GB1261065A (en) |
| NL (1) | NL6906701A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112941620B (en) * | 2021-03-12 | 2025-09-16 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | Pulling device and method for controlling volatilization of gallium-containing light functional crystal |
| CN114197055B (en) * | 2022-02-18 | 2022-07-22 | 武汉高芯科技有限公司 | InAs/InSb strained superlattice material and preparation method thereof |
-
1969
- 1969-04-21 GB GB2031969A patent/GB1261065A/en not_active Expired
- 1969-04-24 DE DE19691920787 patent/DE1920787A1/en active Pending
- 1969-04-28 FR FR6913390A patent/FR2007579A1/fr not_active Withdrawn
- 1969-05-01 NL NL6906701A patent/NL6906701A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL6906701A (en) | 1969-11-04 |
| FR2007579A1 (en) | 1970-01-09 |
| GB1261065A (en) | 1972-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2243181C3 (en) | Process for producing epitaxial semiconductor layers from the liquid phase | |
| DE1135671B (en) | Method for producing a pn junction and / or a gradient of an electrically active element in a semiconductor crystal | |
| DE2006189B2 (en) | Process for applying successive epitaxial layers of crystalline semiconductor material to a substrate from the liquid phase | |
| DE1063007B (en) | Method for moving a solid-liquid boundary region through a body made of fusible material for the purpose of carrying out a directed diffusion | |
| DE1769481A1 (en) | Process for the production of extended threads from inorganic temperature-resistant substances from the melt | |
| DE1803731B2 (en) | PROCESS FOR CRYSTALLIZING A BINARY SEMI-CONDUCTOR JOINT | |
| DE1034772B (en) | Process for pulling stress-free single crystals of almost constant activator concentration from a semiconductor melt | |
| DE2215355B2 (en) | Process for depositing monocrystalline semiconductor epitaxial layers | |
| DE2305019A1 (en) | METHOD AND DEVICE FOR THE EPITACTIC GROWTH OF SEMICONDUCTOR MATERIAL FROM THE MELT | |
| DE3325242C2 (en) | Method and apparatus for pulling a compound semiconductor single crystal | |
| DE2207056A1 (en) | Process for selective epitaxial growth from the liquid phase | |
| DE1533475B1 (en) | Process for the production of columnar crystals aligned parallel to one another | |
| DE1063815B (en) | Process for the production of single-crystal mixed crystals from germanium-silicon alloys | |
| DE2425747C3 (en) | Process for producing epitaxial layers on a substrate by means of liquid phase epitaxy | |
| DE1920787A1 (en) | Method for growing a single crystal | |
| DE1519837A1 (en) | Crystal fusion | |
| DE2346399A1 (en) | PROCESS FOR GROWING EPITAXIAL LAYERS | |
| DE2161072B2 (en) | Method for producing a single crystal from a compound semiconductor and boats for carrying out this method | |
| DE1251272B (en) | Method and device for producing a rod by drawing it from a melt | |
| DE1260032B (en) | Process for forming a rectifying barrier layer in a semiconductor wafer | |
| DE2632614A1 (en) | DEVICE FOR DRAWING A SINGLE CRYSTALLINE BODY FROM A MELT FILM | |
| DE1544226A1 (en) | Process for the production of single crystal material | |
| DE1719500A1 (en) | Method for growing single crystals | |
| DE2135539C3 (en) | Method and device for separating a substance | |
| DE1946049C3 (en) | Method and device for liquid phase epitaxy |