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DE1917119C - Diode gate circuit for large signal bandwidth - Google Patents

Diode gate circuit for large signal bandwidth

Info

Publication number
DE1917119C
DE1917119C DE1917119C DE 1917119 C DE1917119 C DE 1917119C DE 1917119 C DE1917119 C DE 1917119C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
signal
diode
diodes
output
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
Other languages
German (de)
Inventor
Kozo Tokio Uchida
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Iwatsu Electric Co Ltd
Original Assignee
Iwatsu Electric Co Ltd
Publication date

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Description

ten Dioden aufweist, Einrichtungen zur Erzeu- th diodes, facilities for generating

gung einer die Dioden sperrenden Vorspannunggeneration of a bias voltage blocking the diodes

und einem an den Verbindungspunkt der beiden .and one at the junction of the two.

Längszweigdioden angeschlossenen Querzweig«» Die Erfindung betrifft eine steuerbare Dioden-lor-Series branch diodes connected cross branch «» The invention relates to a controllable diode lor-

mit einer dritten Diode,'über die ein Steuersignal schaltung für große Signalbandbreite, mit einem vonwith a third diode, 'via which a control signal circuit for large signal bandwidth, with one of

zuführbar ist, das unter Überwindung der sper- einem Signaleingang ausgehenden Längszweig, dercan be supplied, which, overcoming the blocking signal input, outgoing series branch, the

renden Vorspannung die Dioden des Längs- eine Reihenschaltung aus zwei entgegengesetzt ge-The diodes of the series are connected in series with two oppositely

zweiges in den leitenden Zustand versetzt, da- polten Dioden aufweist, Einrichtungen zur Erzeugungbranch put into the conductive state, has dipped diodes, devices for generating

durch gekennzeichnet, daß die weitere »5 einer die Dioden sperrenden Vorspannung und einemcharacterized in that the other »5 a bias voltage blocking the diodes and a

Diode (D 3; mit entgegengesetzter Elektrode wie an den Verbindungspunkt der beiden LängsdiodenDiode (D 3; with opposite electrode as at the connection point of the two series diodes

die Längszweigdioden (D 1, D 2) an den Verbin- angeschlossenen Querzweig mit einer dritten Diode,the series branch diodes (D 1, D 2) connected to the connecting branch with a third diode,

dungspunkt angeschlossen ist, in Sperrichtung über die ein Steuersignal zuführbar ist, das unterconnection point is connected, in the blocking direction via which a control signal can be supplied, which is below

vorgespannt ist und von einem Tastimpulsgene- Überwindung der sperrenden Vorspannung dieis biased and by a Tastimpulsgene- overcoming the blocking bias

rator (G) mit Impuls-Steuersignalen gespeist wird, ao Dioden des Längszweiges in den leitenden Zustandrator (G) is fed with pulse control signals, ao diodes of the series branch in the conductive state

daß an den Verbindungspunkt eine Abschluß- versetzt.that at the connection point a termination is added.

impedanz (R2, C2) angeschlossen ist, deren Fuß- Bei einer derartigen Torschaltung ist die Streckeimpedance (R 2, C2) is connected, whose foot- In such a gate circuit is the distance

punkt durch einen zur Masse führenden Ableit- zwischen dem Eingang und dem Ausgang normaler-point by a leakage leading to ground between the input and the output normal-

kondensator (C 2) verhältnismäßig großer Kapa- weise gesperrt. Diese Strecke, die in bekannter WeiseCapacitor (C 2) blocked with a relatively large capacity. This route done in a familiar way

zität gebildet wird, daß am Ausgang (3) der im as durch eine Reihenschaltung aus zwei entgegengesetztzität is formed that at the output (3) that in as is opposed by a series connection of two

Längszweig orgesehenen Reihenschaltung der gepolten Dioden besteht, die durch eine Vorspan-Series connection of polarized diodes, which are connected by a bias

beiden Dioden (Dl, D 2) eine an Masse liegende nung im Sperrzustand gehalten sind, wird durch eintwo diodes (Dl, D 2) a voltage lying to ground are kept in the blocking state, is by a

Speicherkapazität (C j) angeschlossen ist, und normalerweise impulsförmiges Steuersignal leitendStorage capacity (C j) is connected, and normally pulse-shaped control signal conductive

daß der Ausgang (3) an eine Signal-Rückgewin- gemacht, so daß ein am Eingang anstehendes Nutz-that the output (3) is made to a signal recovery, so that a useful

nungsschaltung angeschlossen ist, deren Aus- 30 signal zum Ausgang durchgeschaltet wird,circuit is connected, the off signal of which is switched through to the output,

gangssignal wenigstens zum Teil auf die Dioden Da zwischen dem Ausgang und Erde, insbesondereoutput signal at least in part on the diodes Da between the output and earth, in particular

(Dl, D2, D3) gegengekoppelt ist. bei höheren Frequenzen, eine merkliche Streukapa-(Dl, D2, D3) is fed back. at higher frequencies, a noticeable stray capacitance

2. Dioden-Torschaltung nach Anspruch 1, da- zität besteht und da ferner auch bei geöffneter Tordurch gekennzeichnet, daß der Ableitkonden- schaltung eine Impedanz zvischen Eingang und sator eine Kapazität (C 2) von mehr als 300 pF 35 Ausgang liegt, hat die Torschaltung eine Zeitaufweist und daß die Gegenkopplung eine Band- konstante, die durch das Produkt der Streukapazität breite von mehr als 0,5 GHz aufweist. und des Isolationswiderstandes der gesperrten2. Diode gate circuit according to claim 1, there is da- zität and there is also when the gate is open characterized in that the discharge capacitor circuit has an impedance between the input and Sator has a capacitance (C 2) of more than 300 pF 35 output, the gate circuit has a time and that the negative feedback has a band constant which is determined by the product of the stray capacitance width of more than 0.5 GHz. and the insulation resistance of the blocked

3. Dioden-Torschaltung nach Anspruch 1 Strecke bestimmt ist. Durch die Impedanz der Signaloder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die an der quelle, die das Nutzsignal auf den Eingang der Torweiteren Diode (D 3) liegende Vorspannung ver- 40 schaltung schaltet, wird diese Zeitkonstante veränderbar ist. größert. Während des Zeitintervalls, in dem der3. Diode gate circuit is determined according to claim 1 route. By the impedance of the signal or 2, characterized in that the bias voltage connected to the source which connects the useful signal to the input of the gate further diode (D 3), this time constant can be changed is. increases. During the time interval in which the

4. Dioden-Torschaltung nach einem der An- Tastimpuls auftritt, wird die Streukapazität durch Sprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die das Eingangssignal aufgeladen. Da jedoch die Zeit-Signal-Rückgewinnungsschaltung einen Differenz- dauer des Tastimpulses bei hohen Signalfrequenzen verstärker (TR 1, TR 2) aufweist, der zwischen 45 klein ist, ist die Aufladung und somit das erzeugte dem Ausgang (3) und einem weiteren Verstärker Ausgangssignal kleiner als das Eingangssignal. Fer- (A) der Signal-Rückgewinnungsschaltung geschal- ner tritt bei Verwendung von Dioden für eine dertet ist, wobei ein Eingang des Differenzverstärkers artige Torschaltung eine Verzerrung des Ausgangsan den Ausgang (3) und der andere Eingang an signals infolge der nichtlinearen Kennlinie der Diode die Gegenkopplung angeschlossen ist. 50 auf.4. Diode gate circuit occurs after one of the touch pulse, the stray capacitance is charged by Proverbs 1 to 3, characterized in that the input signal is charged. However, since the time-signal recovery circuit has a difference in duration of the sampling pulse at high signal frequencies amplifier (TR 1, TR 2) that is between 45 and 45, the charge and thus the output signal generated at output (3) and another amplifier is the output signal smaller than the input signal. Fer- (A) the signal recovery circuit occurs when using diodes for a dertet, with one input of the differential amplifier-like gate circuit distorting the output to output (3) and the other input to signals due to the non-linear characteristic of the diode the negative feedback is connected. 50 on.

5. Dioden-Torschaltung nach Anspruch 4, da- Je kürzer die Periode des Tastimpulses ist, desto durch gekennzeichnet, daß der Differenzverstär- höher kann die Frequenz des Signals sein, das am ker zwei Feldeffekt-Transistoren (TR 1, TR 2) Ausgang abgenommen wird. Daher kann eine deraufweist. artige Torschaltung zwar über eine große Bandbreite5. Diode gate circuit according to claim 4, that the shorter the period of the key pulse, the more characterized that the differential amplifier can be the higher the frequency of the signal that the ker two field effect transistors (TR 1, TR 2) output is removed. Therefore, one of the has. like gate switching over a large bandwidth

6. Dioden-Torschaltung nach einem der An- 55 betrieben werden, aber das AusgangssignaJ wird Sprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der wegen der Zeitkonstanten immer kleiner. Für die BeReihenschaltung aus zwei entgegengesetzt ge- ziehung zwischen der Bandbreite /0 bzw. der höchpolten Dioden (Dl, D 2) eine weitere Reihen- sten übertragbaren Frequenz und dem Impulsinterschaltung aus entgegengesetzt gepolten, durch vall τ gilt:6. Diode gate circuit can be operated according to one of the An 55, but the output signal is Proverbs 1 to 5, characterized in that the smaller and smaller because of the time constants. For the series connection of two oppositely polarized connections between the bandwidth / 0 or the most highly polarized diodes (Dl, D 2), a further series of transmittable frequencies and the pulse interconnection of oppositely polarized, by val τ, the following applies:

eine Vorspannung gesperrten Dioden (D 3, D 4) 60 r . ; = ο 44a bias blocked diodes (D 3, D 4) 60 r . ; = ο 44

zur Bildung einer Diodenbrücke parallel geschal- °connected in parallel to form a diode bridge

tet sind und daß eine sechste Diode (D 6) vorge- Wenn τ gleich 60 psec ist, dann ist /0 gleich 7 GHz.tet and that a sixth diode (D 6) is present. If τ is equal to 60 psec, then / 0 is equal to 7 GHz.

sehen ist, die mit entgegengesetzter Elektrode wie Eine Torschaltung für eine solche Bandbreite ver-can be seen, which are equipped with an opposite electrode such as a gate circuit for such a bandwidth

die Längszweigdioden der weiteren Reihenschal- wendet Dioden. Während des Sperrzustandes hat einethe series branch diodes of the other series switching diodes. During the lock state, a

tung an den Verbindungspunkt angeschlossen, in 65 Diode eine Kapazität von ungefähr 0,5 pF und einenconnected to the connection point, in 65 diode a capacitance of about 0.5 pF and one

Sperrichtung vorgespannt und ebenfalls vom Widerstand von einigen Megohm, so daß das Ein-Reverse biased and also by the resistance of a few megohms, so that the input

Tastimpulsgenerator (G) mit Impulssteuersignalen gangssignal als Lecksignal über die Impedanzen zumKey pulse generator (G) with pulse control signals output signal as a leak signal via the impedances to the

cesDeist ist. Ausgang gelangt. Infolge der Zeitkonstanten dercesDeist is. Exit. Due to the time constants of the

I 917 119I 917 119

Torschaltung wird nun dieses Lecksignal dem Aus- wird eine Steuerspannung auf den elektronischenGate circuit is now this leakage signal off, a control voltage is applied to the electronic

gangssignal überlagert Ein an den Ausgang geschah- Schalter gegeben, wobei je nach Vorzeichen deroutput signal superimposed A happened at the output switch, depending on the sign of the

teter Niederfrequenzverstärker verstärkt somit die Steuerspannung das T-förmige Dämpfungsglied eineteter low frequency amplifier thus amplifies the control voltage of the T-shaped attenuator

Summe beider Signale, so daß sich eine Verzerrung hohe bzw. niedrige Dämpfung aufweist, so daß ent-Sum of both signals, so that a distortion has high or low attenuation, so that

der Wellenform ergibt Wie weiter oben bereits aus- 5 sprechende Leistung auf die Last übertragen wirdAs mentioned above, the waveform yields significant power to the load

geführt, ist das Ausgangssignal um so kleiner, je oder nicht Bei dieser Schaltungsanordnung ist die imout, the output signal is the smaller, depending or not. In this circuit arrangement, the im

höher die Frequenz ist, so daß das Ausgangssignal Querzweig liegende Diode nicht geeignet, von derhigher the frequency, so that the output signal is not suitable for the diode lying across the branch

stark von dem Lecksignal beeinflußt wird, und zwar Steuerspannungsquelle reflektierte Wellen abzufan-is strongly influenced by the leak signal, namely control voltage source to intercept reflected waves

um so stärker, je höher die Frequenz ir?. Diese Er- gen, da die Diode die gleiche Durchlaßrichtung wiethe stronger the higher the frequency ir ?. This result because the diode has the same forward direction as

scheinung trifft auch dann zu, wenn am Ausgang der io die anderen Dioden aufweist (deutsche PatentschriftThe appearance also applies if the io has the other diodes at the output (German patent

Torschaltung eine Speicherkapazität geschaltet ist, 830352).Gate circuit a storage capacity is connected, 830352).

um die Schaltung von zufälligen Streuungen der Aus- Bei einer anderen bekannten SchaltungsanordnungIn another known circuit arrangement

gangs-Streukapazität unabhängig zu machen. sind zwei in Reihe liegende, entgegengesetzt gepolteto make gangs-stray capacitance independent. are two in series, oppositely polarized

Das Steuersignal für eine derartige Dioden-Tor- Dioden vorgesehen, an deren gemeinsamen Verbin-The control signal for such a diode gate diodes is provided, at their common connection

schaltung, zumeist in Form eines Testimpulses, wird 15 dungspunkt Tastimpulse gelegt werden, die eine ancircuit, mostly in the form of a test pulse, 15 connection point tactile pulses are applied, the one at

dem Verbindungspunkt der beiden Längszweig- die Reihenschaltung geleg'r Gleichspannung tasten.the connection point of the two series branches - touch the series connection occasionally DC voltage.

dioden zugeführt. Die Impedanz des den Tastimpuls Am Ausgang der Diodensi.haltung ist eine Triodediodes fed. The impedance of the key pulse at the output of the Diodensi.haltung is a triode

erzeugenden Tastimpulsgenerators, gesehen vom geschaltet, deren Gitter von den Tastimpulsen ange-generating key pulse generator, seen from the switched, whose grid is controlled by the key pulses

a Verbindungspunkt aus (AusgangsimpeJanz des Tast- steuert wird und deren Anodenspannung entspre-a connection point off (output impedance of the push button is controlled and its anode voltage corresponds

Ϊ impulsgenerator«), ist klein und stark von der Fre- ao chend den Tastimpulsen einen Impulsverlauf aufweist.Ϊ pulse generator «), is small and strong, depending on the frequency with which the probe pulses have a pulse course.

quenz abhängig. Selbst wenn die erste Längszweig- Die Amplituden der Impulse stellen dabei ein Maßfrequency dependent. Even if the first series branch- The amplitudes of the pulses represent a measure

if diode gesperrt ist, wirkt diese Ausgangsimpedanz a's für die Höhe der Gleichspannung dar. Eine derartigeif diode is blocked, this output impedance a's acts for the level of the direct voltage

Last für den Signaleingang über die Kapazität der Schaltungsanordnung dient im wesentlichen zumLoad for the signal input via the capacitance of the circuit arrangement is essentially used for

f Dioden, wodurch die Wellenform des zu messenden Tasicn von Gleichspannungen und ist zum Tastenf diodes, creating the waveform of the Tasicn to be measured by direct voltages and is used for keying

Eingangssignals verzerrt wird, so daß Unregelmäßig- as für besonders hochfrequente Signale nicht geeignetInput signal is distorted, so that irregular as is not suitable for particularly high-frequency signals

f keiten entstehen in der Frequenzcharakteristik im (USA.-Patentschrift 2 950690).Factors arise in the frequency characteristic in (USA.-Patent 2 950690).

Bereich hoher Frequenzen. Es ist andererseits scl.wie- Es ist ferner ein Diodenschalter bekannt mit zweiHigh frequency range. On the other hand it is scl.wie- There is also a known diode switch with two

rig. die Ausgangsimpedanz des Tastimpulsgenerators in Reihe geschalteten, entgegengesetzt gepoltenrig. the output impedance of the pulse generator connected in series, with opposite polarity

j über eine größere Bandbreite anzupassen. Mit ande- Dioden, an deren Verbindungspunkt im Querzweigj adapt over a wider range. With other diodes, at their connection point in the cross branch

! ren Worten, der Welligkeitsfaktor ist groß. Um die 30 eine dritte Diode geschaltet ist. Eine Steuerspannung! In other words, the ripple factor is great. Around 30 a third diode is connected. A control voltage

j Impulsbreite des Tastimpulses kleiner zu machen, wird auf den gemeinsamen Verbindungspunkt derj To make the pulse width of the key pulse smaller, is on the common connection point of the

wird im Tastimpulsgenerator normalerweise eine Dioden gegeben und sperrt bzw. öffnet somit dena diode is normally provided in the pulse generator and thus blocks or opens the

Verkürzungsschaltung verwendet, um die Impuls- Diodenschalter. Insbesondere bei sehr hohen Fre-Shortening circuit used to switch the pulse diode. Especially with very high fre-

breite auf ein Zeitintervall zu vermindern, das von quenzen tritt eine Reflexion einer Welle des Ein-width to be reduced to a time interval, which occurs from sequences a reflection of a wave of the entrance

dem Signal benötigt wird, um die Verkürzungsschal- 35 gangssignals am Steuerspannungsgeber auf, die durchthe signal is required to send the shortening switching signal to the control voltage generator, which is carried out by

tung vorwärts und rückwärts zu durchlaufen. Der den bekannten Diodenschalter nicht gedämpft odermovement forward and backward. The well-known diode switch is not attenuated or

Welligkeitsfaktor dieser Verkürzung: schaltung ist je- unterdrückt werden kann (asutsche AuslegeschriftRipple factor of this abbreviation: circuit is each can be suppressed (asutsche Auslegeschrift

doch unendlich, so daß Totalreflexion auftritt. Da 1 084 309).but infinite, so that total reflection occurs. Da 1 084 309).

diese Reflexion über die Kapazität der Diode im Es ist ein Diodenschalter in Brückenschaltung be-Sperrzustand eine Belastung des Eingangs bewirkt, 40 kannt, bei dem zur Ableitung eines Leckstromes wird ein Teil des Eingangssignals, das am Eingang über einen Transistor eine niedrige Impedanz an die ansteht, von dem Tastimpulsgenerator mit der Ver- Verbindungspunkte der entgegengesetzt gepolten kürzungsschaltung auf den Eingang zurückreflektiert. Dioden gelegt ist und auf die auch eine Steuerspanso daß die reflektierte Welle dem Eingangssignal nung geschaltet wird. Bei dieser bekannten Schalüberlagert wird und sich eine Verzerrung der Wellen- 45 tungsanordrung wird zwar verhindert, daß ein form ergibt, wenn die Torschaltung öffnet. Auf diese großer Teil des Leckstroms auf den Ausgang des Weise wird die Hochfrequenzcharakteristik der Tor- Schalters gelangt Für ein Abtastverfahren, insbesonschaltung unregelmäßig und weiter verschlechtert. cere bei sehr hohen Frequenzen, ist sie jedoch nicht Ein Versuch zur Lösung dieses Problems könnte geeignet (deutsche Auslegeschrift 1 182120). darin bestehen, ein Breitband-Dämpfungsgiied mit so Schließlich ist bei einem Diodenschalter in einem kleinen Welligkeitsfaktor zwischen dem Tast- Brückensrhaltung ebenfalls bekannt, die Steuerspanimpulsgenerator und der Torschaltung zu schalten. nung über eine Diode an die Brückenschaltung zu Wenn ein Dämpfungsglied mit einer Dämpfung von legen. Da aiese Diode jedoch mit dem gleichen Pol 6 db verwendet würde, könnte die reflektierte Welle wie die anderen am gemeinsamen Verbindungspunkt auf ein Viertel reduziert werden. Aber der Tast- 55 liegt, kann sie Reflexionen von der Steuerspannungsimpuls, der der Torschaltung zugeführt wird, würde quelle auf den Signaleingang zurück nicht verebenfalls auf die Hälfte abgeschwächt. Um daher die hindern.this reflection on the capacitance of the diode in the there is a diode switch in a bridge circuit be-blocking state causes a load on the input, 40 knows, in which to divert a leakage current becomes part of the input signal that is sent to the input via a transistor with a low impedance pending, from the pulse generator with the connection points of the opposite polarity Shortening circuit reflected back to the input. Diodes is placed and to which also a Steuerspanso that the reflected wave is connected to the input signal voltage. In this known scarf is superimposed and a distortion of the shaft arrangement is prevented that a form results when the gate circuit opens. On this large part of the leakage current to the output of the In this way, the high-frequency characteristic of the gate switch is used for a scanning process, in particular irregular and further deteriorated. cere at very high frequencies, it is not An attempt to solve this problem could be suitable (German Auslegeschrift 1 182120). consist of a broadband damping device with so. Finally, a diode switch is in a small ripple factor between the key bridge retention also known to switch the control panel pulse generator and the gate circuit. voltage to the bridge circuit via a diode When put an attenuator with an attenuation of. However, this diode has the same pole If 6 db were used, the reflected wave could be like the others at the common connection point can be reduced to a quarter. But if the probe is located, there can be reflections from the control voltage pulse that is fed to the gate circuit, if the source back to the signal input would not also be attenuated by half. Therefore to prevent them.

Amplitude des Tastimpulses auf dem Wert zu Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine Diodenhalten, den sie ohne Dämpfungsglied haben würde, Torschaltung für möglichst getreue Abtastung von muß der Tastimpulsgenerator Impulse mit der zwei- Go Signalen großer Bandbreite (oder hoher oberer fachen Amplitude erzeugen. Dies ist jedoch prak- Grenzfrequenz) zu schaffen, tisch sehr schwer durchführbar. Bei einer Dioden-Torschaltung der eingangs ge-Es ist ein zwischen einem Generator und einer nannten Art wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß Last geschalteter elektronischer Schalter bekannt, der die weitere Diode mit entgegengesetzter Elektrode als T-förmiges Dämpfungsglied ausgebildet ist In 65 wie die Längszweigdioden an den Verbindungspunkt jedem Zweig ist eine Diode geschaltet. Die Dioden angeschlossen ist, in Sperrichtung vorgespannt ist liegen mit gleichen Elektroden am gemeinsamen und voa einem Tastimpuisgenerator mit Impuls-Verbindungspunkt. Über die Diode im Querzweig Steuersignalen gespeist wird, daß an den Verbin-It is therefore the object of the invention to hold a diode that it would have without an attenuator, gate circuit for the most accurate possible sampling of the pulse generator must have pulses with the two-Go signals of large bandwidth (or high upper generate times the amplitude. However, this is practically- limit frequency) to create, table very difficult to carry out. In a diode gate circuit of the type mentioned at the outset, this object is achieved in that Load switched electronic switch known, which has the further diode with opposite electrode is designed as a T-shaped attenuator in 65 like the series branch diodes at the connection point a diode is connected to each branch. The diode connected is reverse biased are with the same electrodes on the common and voa a Tastimpuisgenerator with pulse connection point. Control signals are fed via the diode in the shunt arm that

dungspunkt eine Abschlußimpedanz angeschlossen ist, deren Fußpunkt durch einen zur Masse führenden Ableitekondensator verhältnismäßig großer Kapazität gebildet wird, daß am Ausgang der im Längszweig vorgesehenen Reihenschaltung der beiden Dioden eine an Masse liegende Speicherkapazität angeschlossen ist und daß der Ausgang an eine Signal-Rückgewinnungsschaltung angeschlossen ist, deren Ausgangssignal wenigstens zum Teil auf die Dioden gegengekoppclt ist.connection point a terminating impedance is connected, the base of which is formed by a discharge capacitor leading to ground of relatively large capacitance that at the output of the series connection of the two provided in the series branch Diodes is connected to a grounded storage capacitance and that the output is connected to a signal recovery circuit whose Output signal is at least partially fed back to the diodes.

Mit der erfindungsgemäßen Dioden-Torschaltung ist eine gegengckoppelte Breitband-Torschaltung geschaffen, die zur Abtastung und Wiedergewinnung von Hoch- und Höchstfrequenzsignalen geeignet ist und beispielsweise für Sampling-Oszillographen verwendet werden kann. Es gibt jedoch auch zahlreiche andere Anwendungsmöglichkeiten, beispielsweise als Analog-Digital-Umsetzer, wobei die bei der Abtastung gewonnenen Impulssignale direkt verwendet werden, d. h. vor ihrer Wiederzusammensetzung. In diesem Fall ist die Wiederzusammensetzung zu einem kontinuierlichen (Analog-)Signal nur fUr die Gegenkopplung von Bedeutung, d. h. für die Korrektur der von den Dioden hervorgerufenen, nichtlinearen Verzerrungen.With the diode gate circuit according to the invention, a negative feedback broadband gate circuit is created, which is used for sampling and recovery of high and ultra-high frequency signals and can be used, for example, for sampling oscilloscopes. However, there are also numerous other possible applications, for example as an analog-to-digital converter, using the pulse signals obtained during sampling directly be, d. H. before their reassembly. In this case, the reassembly becomes one Continuous (analog) signal is only important for negative feedback, i.e. H. for correcting the non-linear distortion caused by the diodes.

Bei der erfindungsgemäßen Torschaltung werden die Schwierigkeiten vermieden, die sonst bei sehr hohen Frequenzen, durch Einfluß von Eigen- und Streukapazitäten. Laufzeiten und Signalreflexionen auftreten. Dieser Vorteil wird durch drei wesentliche Merkmale erreicht. Zum einen wird der Leckstrom infolge der Streukapazität der Dioden über einen niederohmigcn Querzweig abgeleitet, so daß insbesondere bei hohen Frequenzen ein verhältnismäßig günstiges Dämpfungsverhältnis eines getasteten Signals erzielt wird. Zum zweiten verhindert die im Querzweig mit entgegengesetzter Elektrode wie die Längszweigdioden geschaltete Diode einen Signalrücklauf vom Abtastimpulsgenerator zum Signaleingang, was eine Verzerrung der Wellenform des Nutzsignals zur Folge hätte. Zum dritten wird schließlich ein aus den Ausgangsimpulsen der Torschaltung zurückgewonnenes Signal gegengekoppelt. Dadurch wird insbesondere der durch die Nichtlinearität der Dioden hervorgerufene Nachteil behoben.In the gate circuit according to the invention, the difficulties that would otherwise be avoided with very high frequencies, due to the influence of intrinsic and stray capacitances. Transit times and signal reflections appear. This benefit is achieved through three main features. For one, there is the leakage current due to the stray capacitance of the diodes via a low-resistance shunt branch, so that a relatively favorable attenuation ratio of a sampled signal is achieved. Second, the im Transverse branch with an opposite electrode as the series branch diodes connected diode causes a signal return from the sampling pulse generator to the signal input, which would result in a distortion of the waveform of the useful signal. The third will eventually a signal recovered from the output pulses of the gate circuit is fed back. Through this in particular, the disadvantage caused by the non-linearity of the diodes is eliminated.

Ausführungsbcispielc der Erfindung werden nun an Hand der Zeichnungen beschrieben Es zeigtEmbodiments of the invention will now be discussed described with reference to the drawings It shows

Fig. 1 ein elektrisches Schaltbild einer Ausführungsform der Erfindung.Fig. 1 is an electrical circuit diagram of an embodiment of the invention.

Fig. 2 ein Ersatzschallbild der in Fig. 1 gezeigten Schaltung.FIG. 2 shows an equivalent sound image of the circuit shown in FIG.

F i g. 3 ein Ersatzschaltbild der in F i g. 1 gezeigten Schaltung ohne den Widerstand R1 und die Diode D 3.F i g. 3 shows an equivalent circuit diagram of the circuit diagram shown in FIG. 1 without the resistor R 1 and the diode D 3.

F i g. 4 eine graphische Darstellung der Kennlinie und der Wcllenformen an der Diode D 3 undF i g. 4 shows a graph of the characteristic and the waveforms on diode D 3 and

Fig. 5 die Schaltung eines abgewandelten Ausführungsbeispiels der Erfindung.5 shows the circuit of a modified embodiment of the invention.

In der in F i g. 1 gezeigten Schaltung ist ein Eingang 1 für ein Signal, das gemessen werden soll, ein Masseanschluß 2 und ein Ausgang 3 gezeigt, an dem die Amplitude des zu messenden Signals während der Zeitdauer des Tastimpulses abgenommen wird. Der Ausgang 3 ist mit der Steuerelektrode eines Feldeffekt-Transistors TRl verbunden. Die Schaltung weist ferner drei DiodenDI, Dl und D3 auf, von denen die Dioden 1 und 2 in Reihe geschaltet und entgegengesetzt gepolt sind, während die dritteIn the in F i g. 1 shows an input 1 for a signal that is to be measured, a ground connection 2 and an output 3 at which the amplitude of the signal to be measured is picked up during the duration of the probe pulse. The output 3 is connected to the control electrode of a field effect transistor TRl. The circuit also has three diodes DI, Dl and D3, of which the diodes 1 and 2 are connected in series and have opposite polarity, while the third Diode 3 mit entgegengesetzter Elektrode wie die Längszweigdioden Dl und D2 an deren Verbindungspunkt angeschlossen ist. Die Dioden 1, 2 und 3 liegen über Schaltungspunkte 7, 8 und 9 an einerDiode 3 with the opposite electrode as the series branch diodes Dl and D2 is connected to their connection point. The diodes 1, 2 and 3 are connected via nodes 7, 8 and 9 to one Vorspannung, die die Dioden normalerweise gesperrt hält.Bias voltage that normally blocks the diodes holds.

Die Vorspannung an den Dioden wird über Widerstände R 2, R 3, R S und R1 und über Vorspannungsquellen £1, £2 und £3 angelegt. Ein Tastimpuls-The bias on the diodes is applied via resistors R 2, R 3, RS and R 1 and via bias sources £ 1, £ 2 and £ 3. A key pulse

generator G speist über eine Klemme 4 die Diode D 3 mit einem negativen Tastimpuls, der die von den Vorspannungsquellen El, £2 und £3 erzeugte Vorspannung übersteigt und somit die Dioden leitend macht. Ein Speicherkondensator C 3 zwischen demgenerator G feeds the diode D 3 via a terminal 4 with a negative key pulse which exceeds the bias voltage generated by the bias sources El, £ 2 and £ 3 and thus makes the diodes conductive. A storage capacitor C 3 between the

is Ausgang 3 und Masse speichert das hindurchgelassene zu messende Signal. Ein Kondensator C1 am Ausgang des Tastimpulsgenerators verhindert, daß . an dem Tastimpulsgenerator G eine Vorspannung anliegt. Ferner ist an den Verbindungspunkt der bei-is output 3 and ground stores the signal to be measured that has passed through. A capacitor C1 at the output of the pulse generator prevents. a bias voltage is applied to the pulse generator G. Furthermore, at the connection point of the two

ao den Längszweigdioden Dl und Dl über einen Widerstand Rl ein AbleitkondensatorC2 geschaltet, dessen Fußpunkt an Masse liegt.ao connected to the series branch diodes Dl and Dl via a resistor Rl a discharge capacitor C2, the base of which is connected to ground.

Die Kapazitäten zwischen den Anschlüssen der Dioden Dl, Dl und D3, während sie gesperrt sind,The capacitance between the terminals of the diodes Dl, Dl and D3, while they are blocked,

»5 sind durch C 4, C 5 bzw. C 6 angedeutet, während die Isolationswiderstände der Dioden Dl und D 2 durch R 4 bzw. R 6 darge<s»e11t sind5 are indicated by C 4, C 5 and C 6, while the insulation resistances of the diodes D 1 and D 2 are indicated by R 4 and R 6, respectively

Die Feldeffekt-Transistoren TR1 und TR1 bilden einen Differenzverstärker. Die Steuerelektrode desThe field effect transistors TR 1 and TR1 form a differential amplifier. The control electrode of the Transistors TR 2 ist über einen Widerstand R 7 mit einem Schaltungspunkt 8 verbunden. Die Quellenelektroden sind miteinander verbunden und über einen Widerstand R 9 an eine Stromquelle P peschaltet. Die Abflußelektroden der Transistoren TR 1The transistor TR 2 is connected to a circuit point 8 via a resistor R 7. The source electrodes are connected to one another and connected to a current source P p via a resistor R 9. The drainage electrodes of the transistors TR 1 und TA 2 sind über Widerstände R 8 bzw. R iO mit einer Stromquelle +B verbunden. Die Abflußelektrode des Transistors TRl ist an einen Wcchselstromverstärker A angeschlossen, dessen Aus^inc^- signal einem Signalformer zugeführt wird. Der S tnal-and TA 2 are connected to a current source + B via resistors R 8 and R iO, respectively. The drain electrode of the transistor TR1 is connected to an AC amplifier A , the output of which is fed to a signal shaper. The S tnal

4u former S dient dazu, den Spitzenwert des von dem Wechselstromverstärker kommenden AusgangssignaK zu speichern und zu halten, d.h. eine Glättung der Ausgangsimpulsfolge zwecks Signalrückgewinniine Das Ausgangssignal des Signalformers liegt einersen-;4u former S is used to store and hold the peak value of the output signal coming from the AC amplifier, ie a smoothing of the output pulse sequence for the purpose of signal recovery.

an dem Anschluß 5 und wird andererseits (. s Gegenkopplung über einen Widerstand /711 und der Vorspannungsquelle £3 zurückgeführt, die mit einem Pol an dem Verbindungspunkt 6 zwischen dem Widerstand Λ11 und einem Widerstand Λ12 liegt.at the connection 5 and on the other hand (. s negative feedback via a resistor / 711 and the bias source £ 3, which is fed back with a Pole is at the connection point 6 between the resistor Λ11 and a resistor Λ12.

so die ein Dämpfungsglied bilden. Der andere Pol der Vorspannungsquelle liegt am Anschluß 7 zwischen den beiden anderen Vorspannungsquellen E1 und £2so that form an attenuator. The other pole of the bias voltage source is at connection 7 between the two other bias voltage sources E 1 and E 2

Die KapazitätenC4, CS und C 6 der Dioden Dl.The capacitances C4, CS and C 6 of the diodes Dl. D 2 und D 3 haben einen Wert von etwa 0,5 pF.D 2 and D 3 have a value of about 0.5 pF.

Der Widerstand R 2 ist an die Ausgangsimpedanz des Tastimpulsgenerators G angepaßt und hat einen Wert von etwa 50 Ohm. Der Eingang 1 ist durch eine der Signalquelle angepaßte Impedanz in der Größen-The resistor R 2 is matched to the output impedance of the pulse generator G and has a value of about 50 ohms. The input 1 is due to an impedance adapted to the signal source in the size

Ordnung von 50 Ohm abgeschlossen. Die Kapazität des Ableitkondensators kann einen Wert von mehreren 10 pF haben, es ist jedoch vorteilhaft, diesen Wert wesentlich höher, beispielsweise etwa 1000 pF zu wählen. Die Kapazität C4 und der Widerstand R 4Order of 50 ohms completed. The capacitance of the bypass capacitor can have a value of several tens of pF, but it is advantageous to choose this value much higher, for example about 1000 pF. The capacitance C4 and the resistance R 4

liegen im Längszweig als Reihenelement eines L-Dämpfungsgliedes, während der Widerstand K 2 und der Kondensator C 2 deo Querzweig bilden, so daß infolge der vorhandenen Impedanzwerte dieseslie in the series branch as a series element of an L-attenuator, while the resistor K 2 and the capacitor C 2 deo form shunt branch, so that due to the existing impedance values this

(ο(ο

Dämpfuiigsglieds das Diimpfungsverhältnis äußerst Wcllenformen vermieden wird. Die Dämpfung desAttenuator the attenuation ratio is avoided extremely Wcllenformen. The attenuation of the

groß ist, so daß der zu dem Ausgang fließende Leck- Tastimpulses, wenn die Dioden leiten, ist sehr klein,is large, so that the leakage pulse flowing to the output when the diodes are conducting is very small,

strom durch die gesperrten Dioden Dl und Dl stark Die Stromspannungskcnnlinien der Diode D3 wiecurrent through the blocked diodes Dl and Dl strong The Stromspannungskcnnlinien of the diode D3 as

gtüämpft dem Wcchselstmmvcrstärker zugeführt auch der anderen Dioden Dl und D2 ist nicht linear The other diodes D1 and D2 are also fed to the alternating amplifier and are not linear

wird. Wenn der Leckstrom in seiner Frequenz unter 5 (Fig. 4). Wenn daher der Tastimpuls an diese Diodewill. If the leakage current is below 5 in frequency (Fig. 4). Therefore, if the key pulse to this diode

der unteren oder über der oberen Frequenzgrenzc D 3 angelegt wird, erhält man einen viel steilerenthe lower or above the upper frequency limit c D 3 is applied, one obtains a much steeper one

des Wechsclstromverstärkers liegl, dann wird er Impuls als die angelegte Wellenform. Die Amplitudeof the AC amplifier, then it becomes pulse as the applied waveform. The amplitude

nicht durch den Wec'isclstromvcrstärker verstärkt, so des von der Diode D3 durchgelassenen Impulsesnot amplified by the inverter, such as the pulse transmitted by diode D 3

daß er allein das Nutzsignal verarbeitet. Auf diese kann ferner durch Veränderung der angelegten Vor-that he alone processes the useful signal. This can also be accessed by changing the created template

Weise erhält der niederfrequent betriebene Verstär- io spannung verändert werden.Way, the low-frequency operated amplifier receives voltage to be changed.

kcr kaum ein oder nur ein sehr kleines Störsignal. Wie in F i g. 1 gezeigt ist, wird die Vorspannung Fig. 2 zeigt ein Ersatzschaltbild der in Fig. 1 gc- über den Widerstand R 3 an den Verbindungspunkt zeigten Schaltung, und F i g. 3 zeigt ein Ersalzschalt- zwischen dem Widerstand R 2 und dem Ableitkonbild für die in Fig. 1 gezeigte Schaltung, wobei der densalor('2 angelegt. Diese Vorspannung kann je-Widcrstand R 1. die Diode D3 und die Vorspannungs- 15 doch auch direkt an den Verbindungspunkt zwischen quelle/: 1 weggelassen sind und der Kondensator C1 den Dioden D 1 und D 2 über eine entsprechende mit dem Verbindungspunkt zwischen den Dioden D1 Ankopplung angelegt werden. Es ist ferner möglich, und /)2 verbunden ist. In den Fiß. 2 und 3 stellt Zl die Polarität der Dioden Dl, D2 und D3 und des die Impedanz einer Eingangsstufe. Signalqucllc Z2 Tastimpulses umzukehren und die dazu entsprechendie Impedanz der durch den Widerstand Λ 2 uno die ao den Vorspannungen anzulegen. Kapazität Cl gebildeten Stufe. Z 3 die Ausgangs- Das Gegenkopplungssignal Vf, das von dem Verimpcdanz des Tastimpulsgcncrators. Z 4 eine Impe- bindungspunkl 6 zwischen den Widerständen All dan/ der Kapazität C 4 (da der Widerstand R4 gc- und R 12 (Fig. 1) zurückgeführt wird, hat dasselbe nügcnd größer als die Impedanz der Kapazität C" 4 Vorzeichen wie das Eingangssignal 1-7. Das Signal Vf ν·. ist diese Impedanz bei hohen Frequenzen ver- as hat eine Wellenform, die einer Vergrößerung des nachlässigbar) und ZS die Impedanz der Kapazität Intervalls des Eingangssignals Vi entspricht, und C" 5 dar. Die Impedanz Zl ist im wesentlichen über wenn der Zeitpunkt einer Austastung betrachtet wird, das gesamte Frequenzband konstant, während die gilt Vf Vi. Von den Signalen V] und Vi wird ein Impedanzen Z4 und ZS bei steigender Frequenz Differcnzsignal durch die Dioden Dl und D2 abgekleiner werden. Andererseits ändert sich auch die 30 leitet, das durch den Wechselstromverstärker verImpedanz Z 3 stark mit der Frequenz. Dies erzeugt stärkt wird und durch den Signalformer gespeichert eine Unregelmäßigkeit in dem Frequenzgang am und gehalten wird. Auf diese Weise wird eine Wellen-Eingang 1. so daß die reflektierte Welle der Eingangs- form, die einer Vergrößerung des Intervalls des Einvelli.· überlagert wird. gangssignals Vi entspricht, oder eine Wellenform, die In Fig. 3 ist bei unterhalb von 0.5 GHz liegenden 35 dem Signal Vi gleicht, an dem Ausgang 5 erzeugt. Frequenzen die Impedanz Z4 genügend groß, so daß Das Signal Vf ist somit ein Gegenkopplungssignal, das Nutzsignal, das gemessen werden soll und an Würde das Signal Vf über den Verstärker und den dem Eingang 1 liegt, bei gesperrten Dioden kaum an Signalformer zurückgeführt, ohne daß sein Spitzendem Punkt 2 erscheint. Das verhältnismäßig kleine wert gespeichert würde, hätte das Signal Vf dasselbe Signal wird an der Impedanz Z3 reflektiert und wei- 40 Vorzeichen wie das Signal Vi, so daß eine Rückter gedämpft, wenn es die Impedanz Z4 durchläuft. kopplung erhalten würde. Dies hätte zur Folge, daß Aus diesem Grund erfolgt im wesentlichen keine Schwingungen auftreten. Um daher dies zu verhin-Auswirkung der reflektierten Welle auf den Ein- dem. ist, wie in F i g. 1 gezeigt, ein Differenzverstäreang 1. Wenn die Frequenz jedoch über etwa 1 GHz ker vorgesehen, der von den Feldeffekt-Transistoren erhöht wird, wird die fmpcdanzZ4 kleiner, so daß 45 TR 1 und TRl gebildet wird. Eine andere Möglichein erheblicher Teil des anstehenden Signals von der keit besteht darin, den Wechselstromverstärker mit Impedanz Z4 durchgelassen und von der Impedanz einer Differenz zwischen einer Signalkomponente, die 23 am Punkt PI durch die Impedanz Z4 reflektiert von dem Eingangssignal Vi abgeleitet wird, und einer wird. Das Signal wird, wenn es in Vorwärtsrichtung Frequenzkomponente des Signals Vf mit stark reduvon Punkt Pl zu Punkt P 2 läuft, gedämpft, und es 50 zierter Frequenz zu beaufschlagen, oder darin einen wird weiter gedämpft, wenn es vom Punkt P 2 zu Differenzverstärker zusammen mit dem Wechsel-Punkt Pl zurückläuft. Diese Dämpfungen sind je- stromverstärker zu verwenden. Hierbei kann nur das doch nicht groß. Sie entsprechen denen von 2 π kcr hardly any or only a very small interfering signal. As in Fig. Is 1, the bias Fig. 2 shows an equivalent circuit diagram of the show in FIG. 1 GC via the resistor R3 to the connection point circuit, and F i g. 3 shows a salt switch between the resistor R 2 and the Ableitkonbild for the circuit shown in Fig. 1, the densalor ('2 applied. This bias can depending on the resistor R 1. the diode D3 and the bias 15 but also directly at the connection point between source /: 1 are omitted and the capacitor C1 is connected to the diodes D 1 and D 2 via a corresponding coupling to the connection point between the diodes D 1. It is also possible and /) 2 is connected. In the river. 2 and 3, Zl represents the polarity of the diodes Dl, D2 and D3 and the impedance of an input stage. Signalqucllc Z2 key pulse and to apply the corresponding impedance through the resistor Λ 2 uno the ao the bias voltages. Capacity Cl formed stage. Z 3 the output The negative feedback signal Vf, which is from the Verimpcdanz des Tastimpulsgcncrators. Z 4 is an impedance point 6 between the resistances All dan / the capacitance C 4 (since the resistance R4 and R 12 (Fig. 1) is fed back, it has a sign that is just greater than the impedance of the capacitance C "4 Input signal 1-7. The signal Vf ν ·. Is this impedance at high frequencies veras has a waveform which is an increase in the negligible) and ZS corresponds to the impedance of the capacitance interval of the input signal Vi , and C "5. The impedance Zl is essentially constant over the entire frequency band, if the point in time of a blanking is considered, while Vf Vi applies. An impedance Z4 and ZS of the signals V] and Vi will be reduced by the diodes D1 and D2 as the frequency rises. On the other hand, the conductors 30 also changes, the impedance Z 3 caused by the AC amplifier changes strongly with the frequency. This is generated strengthens and stored by the signal shaper an irregularity in the frequency response on and is kept. In this way, a wave input becomes 1. so that the reflected wave of the input shape is superimposed on an enlargement of the interval of the level. output signal Vi , or a waveform which in FIG. 3 is equal to signal Vi at below 0.5 GHz is generated at the output 5. Frequencies the impedance Z4 sufficiently large so that the signal Vf is thus a negative feedback signal, the useful signal that is to be measured and if the signal Vf is via the amplifier and input 1, with the diodes blocked, it is hardly fed back to the signal shaper without its spigot point 2 appears. The relatively small value would have been stored if the signal Vf had the same signal is reflected at the impedance Z3 and has a sign like the signal Vi, so that a back signal is attenuated when it passes through the impedance Z4. coupling would be obtained. The consequence of this would be that, for this reason, there would be essentially no vibrations. In order to prevent this from happening, the reflected wave has an effect on each other. is, as in Fig. 1 shows a differential amplification 1. However, if the frequency is provided above about 1 GHz, which is increased by the field effect transistors, the f mpcdanzZ4 becomes smaller, so that 45 TR 1 and TR1 are formed. Another possibility of a significant part of the pending signal from the ability is to pass the AC amplifier with impedance Z4 and derived from the impedance of a difference between a signal component reflected by the impedance Z 4 from the input signal Vi 23 at point PI, and a will. The signal is attenuated when it runs in the forward direction frequency component of the signal Vf with a strong reduction from point Pl to point P 2, and it is applied at a higher frequency, or it is further attenuated when it goes from point P 2 to differential amplifier together with the change point Pl runs back. These attenuations are to be used with every current amplifier. Only that cannot be great here. They correspond to those of 2 π Differenzsignal zwischen den Signalen Vi und Vf ver-Dämpfungsstufen. wendet werden, um die gewünschte Gegenkopplung Wenn jedoch die Impedanz Z 5 hinzugefügt wird, SS zu erreichen, um die nichtlinearen Kennlinien der wie in Fig. 2 gezeigt ist, wird das Signal,selbst w.nn Dioden DI und D2 wirksam auszugleichen. Wenn die Frequenz erhöht wird, immer mehr gedämpft. die an der Diode D3 liegende Spannung (Fig. 1) wenn es von Punkt Pl zu Punkt P 2, von Punkt P 2 nicht auf einem konstanten Wert gehalten würde, zu Punkt P 3. von Punkt P 3 m Punkt P 2 und von würde die Amplitude des Tastimpulses an dem VerPunkt P 2 zu Punkt Pl läuft. Das hat zur Folge, daß 60 bindungspunkt zwischen den Dioden Dl und D 2 so die Größe der reflektierten Welle, die zum Eingang verändert, daß wiederum das Ausgangssignal nichtzuriickkehrt, auf einen sehr kleinen Wert herabge- linear verzerrt würde. Dadurch, daß das Signal Vf setzt wird. Diese Wirkung entspricht der, die zwei in über den Widerstand RI an die Kathode der Diode Reihe geschaltete λ Dämpfungsstufen haben wurden. D 3 gelegt wird, kann die Spannung an der Diode D 3 Daher wird die Frequenzcharakteristik der Torschal- «5 auf einen konstanten Wert gehalten werden, so daß tung besonders bei sehr hohen Frequenzen verbes- die nichtlineare Verzerrung eliminiert wird, seil, so daß auch die Impulsübertragungseigenschaf- Die in F i g. S gezeigte weitere Ausführungsform ten stark verbessert werden und eine Verzerrung der einer Schaltung weist eine Brückenschaltung aus denDifference signal between the signals Vi and Vf ver attenuation stages. However, if the impedance Z 5 is added, SS to achieve the non-linear characteristics of the as shown in Fig. 2, the signal, even with diodes DI and D2, will effectively balance. When the frequency is increased, more and more attenuated. the voltage across diode D3 (Fig. 1) if it were not kept at a constant value from point P1 to point P 2, from point P 2, to point P 3. from point P 3 to point P 2 and from the amplitude of the key pulse at VerPunkt P 2 runs to point Pl. This has the consequence that the connection point between the diodes D1 and D2 would be linearly distorted down to a very small value so that the size of the reflected wave, which changes to the input, so that the output signal does not return. By setting the signal Vf. This effect corresponds to that which two λ attenuation stages connected to the cathode of the diode series via the resistor RI would have. D 3 is applied, the voltage at the diode D 3. Therefore, the frequency characteristic of the gate switch is kept at a constant value, so that the non-linear distortion is eliminated, especially at very high frequencies, so that also the momentum transmission property The in FIG. S further embodiment shown th are greatly improved and a distortion of a circuit has a bridge circuit from the

vier Dioden Dl, D 2, D 3 und D4 auf. Der Verbindungspunkt zwischen den Dioden Dl und D 3 ist mit dem Eingang 1 verbunden. Der Ausgang 2 der Brücke ist mit der Steuerelektrode des Feldeffekt-Transistors TR1 verbunden. Die Verbindungspunkte zwischen den Dioden Dl und Dl bzw. D3 und D4 sind mit den Vorspannungsanschlüssen 3 und 4 über die Widerstände R 2 und R 3 bzw. R 4 und R 5 verbunden (ähnlich wie in Fig. 1). Diese Verbindungspunkte sind ferner mit den Vorspannungsanschlüssen 5 bzw. 6 über den Widerstand R1 und die Diode D6 (die der Diode D3 in Fig. 1 entspricht) und über den Widerstand R 6 und die Diode D 6 (die der Diode D3 in Fig. 1 entspricht) und mit den Anschlüssen 7 bzw. 8 verbunden, über die der Tastimpuls über die entkoppelten Kondensatoren Cl bzw. C 5 eingespeist wird. Die Kapazitäten C 2 und CA entsprechen der KapazitätC2 in Fig. 1, und der Kondensator C 3 entspricht dem Ableitkondensator C3 von Fig. 1.four diodes Dl, D 2, D 3 and D4. The connection point between the diodes D 1 and D 3 is connected to the input 1. The output 2 of the bridge is connected to the control electrode of the field effect transistor TR1 . The connection points between the diodes Dl and Dl or D3 and D4 are connected to the bias terminals 3 and 4 via the resistors R 2 and R 3 or R 4 and R 5 (similar to FIG. 1). These connection points are also connected to the bias terminals 5 and 6 via the resistor R 1 and the diode D6 (which corresponds to the diode D3 in Fig. 1) and via the resistor R 6 and the diode D 6 (which the diode D3 in Fig. 1) and connected to the connections 7 and 8, via which the key pulse is fed in via the decoupled capacitors C1 and C5. The capacitances C 2 and CA correspond to the capacitance C2 in FIG. 1, and the capacitor C 3 corresponds to the bypass capacitor C3 of FIG.

1010

Die Vorspannungsquelle E1 Hegt zwischen den Anschlüssen 3 und 5, die Vorspannungsquelle £3 zwischen den Anschlüssen 4 und 6 (die Quellen El und £3 entsprechen der Quelle El von Fig. 1) und.The bias voltage source E 1 Hegt between the terminals 3 and 5, the bias £ 3 between the terminals 4 and 6 (the sources of El and £ 3 correspond to the source El of Fig. 1) and.

die Vorspannungsquellen El und EA liegen zwischen den Anschlüssen 3 und 4. Das Gegenkopplungssignal wird von dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen R11 und Λ12 an den Verbindungspunkt zwischen den Vorspannungsquellenthe bias voltage El and EA are situated between the terminals 3 and 4. The negative feedback signal is supplied from the connection point between the resistors R 11 and Λ12 to the connection point between the bias sources

ίο El und El· geführt. Andere Komponenten der Schaltung und ihre Arbeitsweise sind identisch mit den im Zusammenhang mit Fig. 1 beschriebenen.ίο El and El · led. Other components of the circuit and their operation are identical to those described in connection with FIG.

Bei der in Fig. 1 gezeigten Schaltung kann dieIn the circuit shown in Fig. 1, the

Eingangsleitung über den Verbindungspunkt zwisehen der Diode D 3 und dem Widerstand/? 2 und den Verbindungspunkt zwischen den Dioden D1 und D 2 angeschaltet werden. Die Eingangsleitung kann ferner zwischen der Diode D3 und dem Widerstand Rl angeschaltet sein. Ahnliche Verbindungen sindInput line via the connection point between the diode D 3 and the resistor /? 2 and the connection point between diodes D 1 and D 2 are switched on. The input line can also be connected between the diode D3 and the resistor R1 . Similar connections are

ao auch bei der Schaltung nach Fig. 5 möglich.ao also possible with the circuit according to FIG. 5.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (1)

ι 2 Patentansorüche· ■ 7' Dioden-Torschaltung nach Ansprach 6, da- vatentansprucne. duj.chseiixmag.i<j!imt, daß die an der sechstenι 2 patent claims · ■ 7 'diode gate circuit according to spoke 6, da- vatentansprucne. duj.chseiixmag.i <j! imt that those on the sixth 1. Steuerbare Dioden-Torschaltung für große Diode (D6) Hegende Vorspannung veränder-Signalbandbreite, mit einem von einem Signal- bar ist.1. Controllable diode gate circuit for large diode (D6) Hegende bias voltage changes signal bandwidth, with one of a signal bar. eingang ausgehenden Längszweig, der eine 5
Reihenschaltung aus zwei entgegengesetzt gepol- '
input outgoing longitudinal branch, which is a 5
Series connection of two oppositely polarized

Family

ID=

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