Claims (1)
Patentanspruch:Claim:
Schaltungsanordnung zur kontinuierlichen Verstärkungsänderung einer mit einem Transistor in
Emitterschaltung und mit einem Basisspannungsteiler betriebenen Verstärkerstufe, bei der die
Basis eines Hilfstransistors von einer Regelspannung gesteuert wird und mit seiner Emitterkollektorstrecke
dem einen Basisspannungsteilerwiderstand parallel geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Hilfstransistor (T2)
in Kollektorschaltung betrieben und mit seiner Emitterkollektorstrecke demjenigen Spannungsteilerwiderstand
(R 1) parallel geschaltet ist, der zwischen dem Pol der BetriebsspannungsqueUe
(+U,,) und der Basis des Transistors (TI) der
Verstärkerstufe angeschlossen ist.Circuit arrangement for continuous gain change of an amplifier stage operated with a transistor in emitter circuit and with a base voltage divider, in which the base of an auxiliary transistor is controlled by a control voltage and with its emitter collector path is connected in parallel with one base voltage divider resistor, characterized in that the auxiliary transistor (T2) in collector circuit operated and with its emitter collector path that voltage divider resistor (R 1) is connected in parallel, which is connected between the pole of the operating voltage source (+ U ,,) and the base of the transistor (TI) of the amplifier stage.
In vielen Verstärkerschaltungen, z. B. bei AM-ZF-Verstärkern, müssen Eingangssignale verarbeitet werden
können, deren Amplitude sich über einen großen Bereich von oft mehreren Zehnerpotenzen ändern
kann. Für die Verarbeitung des verstärkten Signals in nachfolgenden Schaltungen, wie ζ B. einer Demodulationsschaltung,
ist es wünschenswert, daß das Ausgangssignal der Verstärkerschaltung von einer bestimmten Amplitude der Eingangsspannung an
eine konstante Amplitude besitzt. Es ist daher üblich (vgl. die deutsche Auslegeschrift 1 047 844),
eine oder mehrere Verstärkerstufen in ihrem Ver-Stärkungsfaktor veränderlich zu gestalten und den
Verstärkungsfaktor in Abhängigkeit von der Amplitude der Ausgangsspannung zu regeln. Die Erfindung
betrifft somit eine Schaltungsanordnung zur kontinuierlichen Verstärkungsänderung einer mit
einem Transistor in Emitterschaltung und mit einem Basisspannungsteiler betriebenen Verstärkerstufc, bei
der die Basis eines Hilfstransistors von einer Rcgelspannung
gesteuert wird und mit seiner Emitterkollektorstrccke dem einen Basisspannungsteilerwiderstund
parallel geschaltet ist. Solche Schaltungen sind aus der deutschen Auslegeschrift 1 128 470 und
der deutschen Auslegeschrift 1247 405 bekannt.In many amplifier circuits, e.g. B. in AM-IF amplifiers, input signals must be processed
whose amplitude changes over a large range, often several powers of ten
can. For processing the amplified signal in subsequent circuits, such as a demodulation circuit,
it is desirable that the output signal of the amplifier circuit start from a certain amplitude of the input voltage
has a constant amplitude. It is therefore common (cf. the German Auslegeschrift 1 047 844),
to make one or more amplifier stages variable in their gain factor and the
To regulate the gain factor as a function of the amplitude of the output voltage. The invention
thus relates to a circuit arrangement for continuously changing the gain of a
a transistor in the emitter circuit and amplifier stage operated with a base voltage divider
the base of an auxiliary transistor from a regulating voltage
is controlled and with its emitter collector line resistance to the one base voltage divider
is connected in parallel. Such circuits are from German Auslegeschrift 1 128 470 and
the German Auslegeschrift 1247 405 known.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, bei diesem
Verstärker eine möglichst optimale Regelsteilheit des Verstärkungsfaktors zu erreichen. Zur Lösung
dieser Aufgabe wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß der Hilfstransistor in Kollektorschaltung betrieben
und mit seiner Kollektoretnitterstrecke demjenigen Spannungsteilerwiderstand parallel' geschaltet ist,
der zwischen dem Pol der BetriebsspannungsqueUe und der Basis des Transistors der Verstärkerstufe angeschlossen
istThe object of the invention is in this
Amplifier to achieve the best possible control slope of the gain factor. To the solution
To this end, the invention proposes that the auxiliary transistor be operated in a collector circuit
and its collector nitter path is connected in parallel to that voltage divider resistor,
connected between the pole of the operating voltage source and the base of the transistor of the amplifier stage
is
In der Zeichnung ist eine beispielsweise Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung
dargestellt. Der Transistor Tl wird in der bekannten Emitterschaltung betrieben, wobei zur Festlegung
seines Arbeitspunktes ein Gegenkopplungswiderstand R 4 in seiner Emitterleitung angeordnet
ist, der wechselstrommäßig mit einem Kondensator Cl überbrückt ist. Die verstärkte und geregelte Ausgangsspannung
U0 wird am Kollektorwiderstand R 3 abgenommen. Der Basis des Transistors Γ1 ist ein
Spannungsteiler zugeordnet, dessen Teilwiderstand Rl zwischen Basis und BetriebsspannungsqueUe
+ U0 und dessen anderer Teilwiderstand R 2 zwischen
Basis und Bezugspotential angeordnet ist.An example embodiment of the circuit arrangement according to the invention is shown in the drawing. The transistor Tl is operated in the known emitter circuit, wherein a feedback resistor R 4 is arranged in its emitter lead to determine its operating point, which is AC bypassed by a capacitor Cl. The amplified and regulated output voltage U 0 is taken from the collector resistor R 3. A voltage divider is assigned to the base of the transistor Γ1, the partial resistance Rl of which is arranged between the base and the operating voltage source + U 0 and the other partial resistance R 2 of which is arranged between the base and the reference potential.
Die Spannungsquelle für die zu verstärkende Eingangsspannung Ue besitzt den Innenwiderstand R1
und ist über den Koppelkondensator C1 an die Basis von Transistor Tl angeschlossen. In erfindungsgemäßer
Weise ist nun der eine Teilwiderstand R1 durch die Emitterkollektorstrecke des Hilfstransistors
T 2 überbrückt, wobei der Emitter des Hilfstransistors an der Basis des Verstärkertransistors angeschlossen
ist, während der Kollektor mit der BetriebsspannungsqueUe verbunden ist. Der Basis des
Hilfstransistors wird die Regelspannung UR zugeführt.
Steigt die Regelspannunp UR an, so wird der Kollektorstrom
des Transistors Tl über den Hilfstransistor 72 zu höherem Kollektorstrom hin geregelt.
Hierbei verringert sich gleichzeitig der Eingangswiderstand der Schaltung, da der Ausgangswiderstand
des in Kollektorschaltung betriebenen Hilfstransistors 7 2 mit zunehmender Regelspannung UR
abnimmt. Diese beiden Effekte, nämlich einerseits die Erhöhung des Kollektorstroms des Transistors
T1 in einem Bereich, wo die Steilheit des Transistors
mit zunehmendem Strom abnimmt, und andererseits die Verringerung des Eingangswiderstandes auf
Werte, die kleiner sind als der Innenwiderstand des Generators, führt zu einer sehr starken Abhängigkeit
der Spannungsverstärkung der Gesamtschaltung von der Regelspannung. Somit ergibt sich die gewünschte
optimale Abhängigkeit des Verstärkungsfaktors von der Regelspannung.The voltage source for the input voltage U e to be amplified has the internal resistance R 1 and is connected to the base of transistor Tl via the coupling capacitor C1. In accordance with the invention, one partial resistor R1 is bridged by the emitter-collector path of the auxiliary transistor T 2, the emitter of the auxiliary transistor being connected to the base of the amplifier transistor, while the collector is connected to the operating voltage source. The control voltage U R is fed to the base of the auxiliary transistor. If the control voltage U R rises, the collector current of the transistor Tl is regulated to a higher collector current via the auxiliary transistor 72. At the same time, the input resistance of the circuit is reduced, since the output resistance of the auxiliary transistor 7 2, which is operated in the collector circuit, decreases as the control voltage U R increases. These two effects, namely on the one hand the increase in the collector current of the transistor T 1 in an area where the slope of the transistor decreases with increasing current, and on the other hand the reduction of the input resistance to values that are smaller than the internal resistance of the generator, leads to a very strong dependence of the voltage gain of the overall circuit on the control voltage. This results in the desired optimal dependency of the gain factor on the control voltage.
Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung hat sich insbesondere bei in monolithisch integrierter Bauweise
realisierten Schaltungsanordnungen bewährt.The circuit arrangement according to the invention has proven particularly useful in monolithically integrated construction
realized circuit arrangements proven.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings