DE19964012A1 - Verfahren und Einrichtung zum Refresh des Speicherinhalts einer Speicherzelle eines Festwertspeichers - Google Patents
Verfahren und Einrichtung zum Refresh des Speicherinhalts einer Speicherzelle eines FestwertspeichersInfo
- Publication number
- DE19964012A1 DE19964012A1 DE19964012A DE19964012A DE19964012A1 DE 19964012 A1 DE19964012 A1 DE 19964012A1 DE 19964012 A DE19964012 A DE 19964012A DE 19964012 A DE19964012 A DE 19964012A DE 19964012 A1 DE19964012 A1 DE 19964012A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- memory cell
- memory
- charge
- read
- state
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
- G11C16/3431—Circuits or methods to detect disturbed nonvolatile memory cells, e.g. which still read as programmed but with threshold less than the program verify threshold or read as erased but with threshold greater than the erase verify threshold, and to reverse the disturbance via a refreshing programming or erasing step
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Microcomputers (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Einrichtung zum Refresh des Speicherinhalts mindestens einer Speicherzelle (1) eines Festwertspeichers. Um den Speicherinhalt der Speicherzelle (1) über einen möglichst langen Zeitraum hinweg erhalten zu können, schlägt die Erfindung ein Verfahren vor, das gekennzeichnet ist durch die nachfolgenden Schritte: DOLLAR A - Bestimmen des aktuellen Ladungszustandes (6) der Speicherzelle (1); DOLLAR A - Vergleich des aktuellen Ladungszustandes (6) der Speicherzelle (1) mit einer Ladungsschwelle (U_schw), die oberhalb der Leseladung (U_erh) liegt, die zum korrekten Erkennen des Speicherinhalts der Speicherzelle (1) erforderlich ist; und DOLLAR A - Anheben (7) des Ladungszustands (6) der Speicherzelle (1), falls der aktuelle Ladungszustand (6) der Speicherzelle (1) unterhalb der Ladungsschwelle (U_schw) liegt.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine
Einrichtung zum Refresh des Speicherinhalts mindestens einer
Speicherzelle eines Festwertspeichers. Die Erfindung betrifft
außerdem ein digitales Steuergerät zur Steuerung und/oder
Regelung bestimmter Funktionen in einem Kraftfahrzeug, mit
einem Mikrocomputer zur Abarbeitung eines zumindest teilweise
in einem Festwertspeicher gespeicherten Steuerprogramms.
Ein digitales Steuergerät wird in einem Kraftfahrzeug zur
Steuerung und/oder Regelung bestimmter Funktionen in dem
Kraftfahrzeug eingesetzt. Insbesondere dient das Steuergerät
zur Steuerung/Regelung der Brennkraftmaschine des Getriebes,
der Bremsen, der Heizung und der Klimatisierung.
Das Steuergerät umfasst einen Mikrocomputer mit einem
Mikroprozessor, einem Programm-Speicher, einen Variablen-
Speicher und Ein-/Ausgabeschaltungen. Der Mikroprozessor
stellt die zentrale Steuer- und Recheneinheit dar und wird
auch als Central Processing Unit (CPU) bezeichnet. Der
Programm-Speicher enthält eine Folge von dem Mikroprozessor zu
bearbeitender Befehle, also das Steuerprogramm. Der Programm-
Speicher besteht in der Regel aus einem Festwertspeicher, weil
das Steuerprogramm auch nach Ausfall der Betriebsspannung
erhalten bleiben muss. In dem Variablen-Speicher werden die
für die Abarbeitung des Steuerprogramms benötigten bzw. die
während der Abarbeitung des Steuerprogramms erzeugten
Variablen abgelegt. Der Variablen-Speicher besteht in der
Regel aus einem Schreib-Lese-Speicher mit wahlfreiem Zugriff
(Random Access Memory, RAM). Über die Ein-/Ausgabeschaltungen
erfolgt die Kommunikation mit den Peripheriegeräten, wie z. B.
Datensichtgerät, Tastatur, Massenspeicher usw. Für die
Kommunikation des Mikroprozessors mit dem Programm-Speicher,
dem Daten-Speicher und den Ein-/Ausgabeschaltungen sind bspw.
drei Bus-Systeme vorgesehen. Über einen Adress-Bus gibt der
Mikroprozessor eine gewünschte Speicheradresse an. Über einen
Kontroll-Bus legt der Mikroprozessor fest, ob gelesen oder
geschrieben werden soll. Über einen Daten-Bus findet der
Datenaustausch statt.
Festwertspeicher werden auch als Read Only Memory (ROM)
bezeichnet. Außer als Programm-Speicher sind in einem
Mikroprozessor Festwertspeicher auch für verschiedene andere
Aufgaben vorgesehen. Da Festwertspeicher im Normalfall nur
gelesen werden, eignen sie sich zur Speicherung von Tabellen
und Programmen. Der Speicherinhalt der Festwertspeicher bleibt
beim Abschalten der Betriebsspannung für einen endlichen
Zeitraum erhalten. Dieser Zeitraum liegt etwa im Bereich von
mehreren Jahren.
Eine spezielle Art der ROM-Speicher ist der EEPROM
(Electronically Erasable ROM). Bei diesem Bauelement handelt
es sich um einen elektrisch lösch- und programmierbaren
Speicher. Die gespeicherten Informationen bleiben auch
erhalten, nachdem die Versorgungsspannung abgeschaltet wurde.
Unmittelbar nach der Programmierung der Speicherzellen eines
Festwertspeichers liegt der Ladungszustand auf einer
Programmierladung. Aufgrund von parasitären Effekten in der
Speicherzelle sinkt die Ladung der Speicherzellen während des
endlichen Zeitraums ausgehend von der Programmierladung
kontinuierlich, bis sie schließlich eine Leseladung
unterschreitet. Die Leseladung kennzeichnet diejenige Ladung
einer Speicherzelle, die notwendig ist, damit die
Leseverstärker den korrekten Zustand (programmiert/gelöscht)
erkennen können. Das Absinken des Ladungszustands der
Speicherzellen unter die Leseladung führt dazu, dass in den
Speicherzellen gespeicherte Informationen falsch gelesen
werden. Dann kann ein Programmcode nicht korrekt ausgeführt
werden und es kommt zu einer Fehlfunktion oder gar zu einem
Totalausfall des Mikrocomputers und damit auch des
Steuergeräts.
Es ist somit die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine
Fehlfunktion oder einen Ausfall eines auf einen
Festwertspeicher zugreifenden Mikrocomputers aufgrund von
Datenverlusten in einem Festwertspeicher zu vermeiden.
Zur Lösung dieser Aufgabe schlägt die Erfindung ein Verfahren
vor, das gekennzeichnet ist durch die nachfolgenden Schritte:
- - Bestimmen des aktuellen Ladungszustandes der Speicherzelle;
- - Vergleich des aktuellen Ladungszustandes der Speicherzelle mit einer Ladungsschwelle, die oberhalb einer Leseladung liegt, die zum korrekten Erkennen des Speicherinhalts der Speicherzelle erforderlich ist; und
- - Anheben des Ladungszustands der Speicherzelle, falls der aktuelle Ladungszustand der Speicherzelle unterhalb der Ladungsschwelle liegt.
Der Ladungszustand der Speicherzelle des Festwertspeichers
wird im Rahmen der Programmierung bzw. Umprogrammierung der
Speicherzelle auf eine Programmierladung (oder Löschladung)
aufgeladen. Aufgrund von parasitären Effekten (z. B. Traps in
den Oxyden) in der Speicherzelle sinkt der Ladungszustand der
Speicherzelle ausgehend von der Programmierladung/Löschladung
während eines endlichen Zeitraums von mehreren Jahren langsam
ab. Der zeitliche Verlauf der Entladung kann eine große
Abhängigkeit von Umgebungsparametern, insbesondere von der
Umgebungstemperatur, aufweisen und lässt sich deshalb nur
unzureichend vorhersagen. Erfindungsgemäß wird der
Ladungszustand der Speicherzelle deshalb während dieses
Zeitraums mit einer Ladungsschwelle verglichen, die oberhalb
der Leseladung liegt, die Voraussetzung für ein korrektes
Erkennen des Programmier-/Löschzustandes einer Speicherzelle
ist. Wenn der Ladungszustand des Speicherzelle unter die
Leseladung fällt, kommt es zu einem Datenverlust in der
Speicherzelle. Deshalb wird der Ladungszustand der
Speicherzelle angehoben, sobald der aktuelle Ladungszustand
der Speicherzelle unter die Ladungsschwelle sinkt, also noch
bevor ein Verlust der in der Speicherzelle abgelegten Daten
auftreten kann.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren kann die Lebensdauer der
Daten in einem Festwertspeicher entscheidend verlängert
werden. Das ist insbesondere für solche Festwertspeicher
interessant, die Bestandteil eines Mikrocomputers eines
Steuergeräts für ein Kraftfahrzeug sind, da auch bei einem
Ladungsverlust der Speicherzellen durch den Refresh die in dem
Festwertspeicher gespeicherten Informationen richtig erhalten
werden.
Die Ladungsschwelle wird so weit oberhalb der Leseladung
gewählt, dass die in der Speicherzelle abgelegten
Informationen bei der Ladungsschwelle selbst im worst case
(z. B. bei besonders hohen Temperaturen) noch mit Sicherheit
gelesen werden können.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermittelt für jede
Speicherzelle, für jeden Block mit mehreren Speicherzellen
oder für jeden Festwertspeicher mit mehreren Blöcken den
optimalen Zeitpunkt zum Anheben des Ladungszustands der
Speicherzelle. Wenn der Ladungszustand einer Speicherzelle
unter die Ladungsschwelle gefallen ist, kann der
Ladungszustand der Speicherzellen des Blocks, in dem diese
Speicherzelle angeordnet ist, oder aller Speicherzellen des
Festwertspeichers angehoben werden. Mit Hilfe des
erfindungsgemäßen Verfahrens kann auch Toleranzen bei der
Fertigung der Speicherzellen eines Festwertspeichers oder
einer Bauteilstreuung bezüglich des endlichen Zeitraums, für
den, ein Ladungserhalt der Speicherzelle gewährleistet wird,
Rechnung getragen werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist universell für
unterschiedliche Festwertspeicher einsetzbar. Außer einer
Refresh-Schaltung bedarf es zur Realisierung des Verfahrens
keiner zusätzlichen Hardware in dem Festwertspeicher oder in
dem Mikrocomputer. Die Refresh-Schaltung kann in dem
Festwertspeicher integriert sein.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der vorliegenden
Erfindung wird vorgeschlagen, dass der Ladungszustand der
Speicherzelle auf die Programmierladung einer frisch
programmierten Speicherzelle angehoben wird. Gemäß dieser
Weiterbildung liegt der Ladungszustand einer Speicherzelle,
deren Ladungszustand angehoben wurde, wieder für einen
endlichen Zeitraum oberhalb der Leseladung, d. h. der
Ladungserhalt der Speicherzelle kann für weitere Jahre
gewährleistet werden.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung wird vorgeschlagen, dass zum Anheben des
Ladungszustands der Speicherzelle der Speicherinhalt der
Speicherzelle in einer weiteren Speicherzelle
zwischengespeichert, die Speicherzelle gelöscht und der
Speicherinhalt der weiteren Speicherzelle wieder in die
Speicherzelle programmiert wird. Zum Anheben des
Ladungszustands einer Speicherzelle wird der Speicherzelle
gewissermaßen mit ihrem Speicherinhalt neu programmiert. Der
Programmiervorgang erfolgt in an sich aus dem Stand der
Technik bekannter Weise durch Anlegen einer
Programmierspannung an den Programmierspannungspin des
Festwertspeichers.
Zum Bestimmen des aktuellen Ladungszustandes der Speicherzelle
wird vorzugsweise das an sich aus dem Stand der Technik
bekannte Margin-Read-Verfahren herangezogen. Es ist bekannt,
das Margin-Read-Verfahren beim Programmieren oder Löschen
einer Speicherzelle eines EPROM, EEPROM oder Flash-Speichers
zu verwenden, um zu prüfen, ob an der Speicherzelle eine
ausreichend große Ladung zum Programmieren/Löschen anliegt.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung wird vorgeschlagen, dass zum Bestimmen
des aktuellen Ladungszustandes der Speicherzelle in einem
Prüfbetrieb der Speicherzelle eine höhere Prüfspannung als die
Betriebsspannung an die Speicherzelle angelegt und überprüft
wird, ob die Ladung der Speicherzelle ausreicht, um die Ladung
einer an der Speicherzelle angeschlossenen ersten kapazitiven
Last zu kippen. Gemäß dieser Ausführungsform wird das Margin-
Read-Verfahren also dazu verwendet, zu prüfen, ob an der
Speicherzelle eine ausreichend große Ladung anliegt, um den
korrekten Zustand (programmiert/gelöscht) der Speicherzelle
erkennen zu können.
Alternativ wird vorgeschlagen, dass zum Bestimmen des
aktuellen Ladungszustandes der Speicherzelle in einem
Prüfbetrieb der Speicherzelle bei an der Speicherzelle
anliegender Betriebsspannung überprüft wird, ob die Ladung der
Speicherzelle ausreicht, um die Ladung einer an die
Speicherzelle angeschlossenen zweiten kapazitiven Last zu
kippen, die größer als die erste kapazitive Last ist.
Durch diese beiden alternativen Ausführungsformen wird im
Prüfbetrieb überprüft, ob der Ladungszustand unter die
Ladungsschwelle gefallen ist. Der Verlauf des Ladungszustands
der Speicherzelle wird im Prüfbetrieb durch die Prüfspannung
bzw. durch die größere kapazitive Last gewissermaßen zu einer
geringeren Ladung hin verlagert. Wenn der verlagerte Verlauf
des Ladungszustands unter die Leseladung fällt, hat der
tatsächliche Verlauf des Ladungszustands dagegen gerade die
Ladungsschwelle unterschritten.
In einem Normalbetrieb der Speicherzelle liegt die
Betriebsspannung an dem Programmierspannungspin des
Festwertspeichers an und ist die erste Kapazität (Bitleitung)
an die Speicherzelle angeschlossen. Um festzustellen, ob der
aktuelle Ladungszustand der Speicherzelle unter der
Ladungsschwelle liegt, wird vorteilhafterweise der
Speicherinhalt einmal im Normalbetrieb und einmal im
Prüfbetrieb aus der Speicherzelle ausgelesen und werden die
ausgelesenen Speicherinhalte miteinander verglichen.
Vorteilhafterweise wird das erfindungsgemäße Verfahren für
mehrere Speicherzellen eines Festwertspeichers blockweise
durchgeführt, wobei im Normalbetrieb aus dem Speicherinhalt
aller Speicherzellen eines Blocks eine erste Checksumme und im
Prüfbetrieb aus den Speicherzellen desselben Blocks eine
zweite Checksumme gebildet wird und die beiden Checksummen
miteinander verglichen werden. Falls die beiden Checksummen
voneinander abweichen, hat der Ladungszustand zumindest einer
Speicherzelle des Blocks die Ladungsschwelle unterschritten,
und infolge dessen wird der Ladungszustand sämtlicher
Speicherzellen des Blocks angehoben.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung wird vorgeschlagen, dass das erfindungsgemäße
Verfahren zur Erhaltung eines Speicherinhalts einer
Speicherzelle eines Festwertspeichers verwendet wird, der
Bestandteil eines Mikrocomputers eines digitalen Steuergeräts
für ein Kraftfahrzeug ist. Vorteilhafterweise wird das
Verfahren während des Fahrbetriebs des Kraftfahrzeugs und/oder
während des Nachlaufs des Steuergeräts durchgeführt. Nach dem
Ausschalten eines Hauptschalters oder des Zündschlüssels des
Kraftfahrzeugs durchläuft das Steuergerät einen Nachlauf, um
sämtliche zu steuernden Funktionen in dem Kraftfahrzeug
kontrolliert herunterzufahren. Während dieses Nachlaufs des
Steuergeräts kann auch der Ladungszustand der Speicherzellen
der Festwertspeicher überprüft und ggf. angehoben werden.
Alternativ kann das erfindungsgemäße Verfahren auch nach dem
Einschalten des Steuergerätes während des Vorlaufs
durchgeführt werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird vorteilhafterweise in
Abhängigkeit von der Betriebsdauer, der zurückgelegten
Fahrtstrecke und/oder der Anzahl der Fahrzyklen des
Kraftfahrzeugs durchgeführt. Ein Fahrzyklus wird jeweils durch
Einschalten eines Hauptschalters oder des Zündschlüssels
eingeleitet und durch Ausschalten des Hauptschalters bzw. des
Zündschlüssels beendet. Da der endliche Zeitraum von mehreren
Jahren, für den der Ladungserhalt der Speicherzellen
gewährleistet wird, relativ lang ist, genügt eine Überprüfung
des Ladungszustands der Speicherzellen in so großen Abständen
völlig, um den Erhalt des Speicherinhalts in dem
Festwertspeicher sicherzustellen. Ebenso kann das
erfindungsgemäße Verfahren in wesentlich kürzeren Abständen
durchgeführt werden, wenn die Speicherzellen die Ladung
wesentlich schneller verlieren.
Zur Lösung der Aufgabe schlägt die vorliegende Erfindung
ausgehend von der Einrichtung zum Refresh der eingangs
genannten Art vor, dass die Einrichtung eine Refresh-Schaltung
mit Mitteln zur Durchführung des Verfahrens nach einem der
Ansprüche 1 bis 7 aufweist. Die erfindungsgemäße Einrichtung
kann integraler Bestand eines Festwertspeichers sein. Der
Festwertspeicher ist vorzugsweise Bestandteil eines
Mikrocomputers. Der Mikrocomputer ist vorzugsweise Bestandteil
eines digitalen Steuergeräts für ein Kraftfahrzeug.
Der Festwertspeicher ist zwischen einem Normalbetrieb, einem
Programmierbetrieb und einem Prüfbetrieb (Margin Read)
umschaltbar. Während des Programmierbetriebs liegt eine
Programmierspannung (V_pp = 5 V) an dem
Programmierspannungspin an. Während des Prüfbetriebs liegt
eine geringere Prüfspannung (V_pp = 4 V) als die
Programmierspannung an dem Programmierspannungspin an. Während
des Normalbetriebs des Festwertspeichers liegt die
Betriebsspannung (V_pp = V_cc = 3,3 V) an dem
Programmierspannungspin an.
Das Umschalten des Festwertspeichers zwischen
Programmierbetrieb und Prüfbetrieb kann bspw. mit Hilfe einer
Spannungsversorgungsschaltung realisiert werden, die Teil des
Festwertspeichers ist. Sie weist einen Spannungsteiler mit
zwei in Reihe geschalteten Widerständen auf, wobei parallel zu
einem der beiden Widerstände ein elektrischer Halbleiter-
Schalter (Transistor) angeordnet ist. Der Spannungsteiler ist
mit einem Ende an der Programmierspannung angeschlossen. Das
andere Ende des Spannungsteilers liegt an Masse. Die an dem
Programmierspannungspin anliegende Versorgungsspannung wird
zwischen den beiden Widerständen des Spannungsteilers
abgegriffen. Bei offenem Transistor arbeitet die
Spannungsversorgungsschaltung als Spannungsteiler, wobei die
geringere Prüfspannung (4 V) an dem Programmierspannungspin
anliegt. Dagegen ist der eine Widerstand bei geschlossenem
Transistor überbrückt und an dem Programmierspannungspin des
Festwertspeichers liegt die Programmierspannung (5 V) an.
Als weitere Lösung der Aufgabe schlägt die vorliegende
Erfindung des Weiteren ein digitales Steuergerät der eingangs
genannten Art vor, das eine Einrichtung zum Refresh gemäß
Anspruch 11 aufweist. Gemäß dieser Lösung ist die Einrichtung
zum Refresh nicht notwendigerweise Bestandteil des
Festwertspeichers, sondern kann auch Bestandteil des
Steuergeräts, also außerhalb des Festwertspeichers angeordnet,
sein.
Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung
wird im Folgenden anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es
zeigen:
Fig. 1 einige Speicherzellen eines Festwertspeichers zur
Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß
einer bevorzugten Ausführungsform;
Fig. 2 den Verlauf des Ladungszustands einer Speicherzelle
aus Fig. 1 über die Zeit; und
Fig. 3 ein Ablaufdiagramm eines erfindungsgemäßen
Verfahrens gemäß einer bevorzugten Ausführungsform.
In Fig. 1 ist ein Festwertspeicher im Ausschnitt dargestellt.
Der Festwertspeicher weist eine Vielzahl von Speicherzellen 1
auf, von denen in Fig. 1 vier dargestellt sind. Aus
technologischen/schaltungstechnischen Gründen sind die
einzelnen Speicherzellen 1 nicht linear, sondern in einer
quadratischen Matrix angeordnet. Die Adressierung einer
bestimmten Speicherzelle 1 erfolgt dadurch, dass an eine
entsprechende Zeilenleitung (Wortleitung WL) bzw.
Spaltenleitung (Bitleitung BL) eine logische Eins angelegt
wird.
Für die Spannungsversorgung des Programmierspannungspins von
Speicherzellen 1 ist eine Spannungsversorgungsschaltung 2
vorgesehen, die einen Spannungsteiler mit zwei in Reihe
geschalteten Widerständen 3, 4 aufweist. Der Widerstand 3 hat
einen Wert von 500 Ohm, der Widerstand 4 einen Wert von 2
kOhm. Ein Ende des Spannungsteilers ist an die
Programmierspannung V_pp = 5 V angeschlossen und das andere
Ende des Spannungsteilers liegt an Masse. Parallel zu dem
Widerstand 3 ist ein Transistor 5 (p-Kanal MOSFET) geschaltet.
Die an dem Programmierspannungspin anliegende Spannung V_pp
wird zwischen den beiden Widerständen 3, 4 abgegriffen. Die
Spannungsschaltung 2 kann Bestandteil des Festwertspeichers
oder aber außerhalb des Festwertspeichers als Bestandteil
eines Mikrocomputers oder eines Steuergeräts für ein
Kraftfahrzeug angeordnet sein.
Der Festwertspeicher wird auch als Read Only Memory (ROM)
bezeichnet. Er ist bspw. als ein programmierbarer
Festwertspeicher (PROM), als ein löschbarer, programmierbarer
Festwertspeicher (EPROM), als ein elektrisch löschbarer
Festwertspeicher (EEPROM) oder als ein Flash-Speicher (z. B.
ein Flash-EEPROM) ausgebildet. Festwertspeicher werden im
Normalfall nur gelesen. Beim Abschalten der Betriebsspannung
bleibt der Speicherinhalt der Speicherzellen 1 eines
Festwertspeichers für eine endliche Zeitdauer von
üblicherweise mehreren Jahren erhalten.
In Fig. 2 ist der Verlauf 6 des Ladungszustands 6 einer
Speicherzelle 1 aus Fig. 1 dargestellt. Unmittelbar nach der
Programmierung der Speicherzelle 1 liegt die Ladung der
Speicherzelle 1 bei einer Programmierladung U_prog (5 V).
Aufgrund von parasitären Effekten verringert sich die Ladung
der Speicherzelle 1 ausgehend von der Programmierspannung
U_prog über den endlichen Zeitraum hinweg kontinuierlich, bis
die Spannung schließlich eine Leseladung U_erh (3,6 V)
unterschreitet. Die Leseladung U_erh kennzeichnet diejenige
Ladung einer Speicherzelle, die notwendig ist, damit ein
Leseverstärker den korrekten Zustand (programmiert/gelöscht)
der Speicherzelle erkennen können. Das Absinken des
Ladungszustands der Speicherzellen 1 unter diese Leseladung
führt dazu, dass in den Speicherzellen 1 gespeicherte
Informationen falsch gelesen werden und ein Programmcode nicht
korrekt ausgeführt werden kann. Um eine Fehlfunktion oder
einen Totalausfall des Festwertspeichers bzw. des
Mikrocomputers, der auf den Festwertspeicher zugreift, zu
verhindern, wird das erfindungsgemäße Verfahren vorgeschlagen.
Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren wird der Ladungszustand
6 der Speicherzelle 1 von Zeit zu Zeit überprüft, indem der
aktuelle Ladungszustand 6 der Speicherzelle 1 mit einer
Ladungsschwelle U_schw (4 V) verglichen wird, die oberhalb der
Leseladung U_erh liegt. In dem Ausführungsbeispiel aus Fig. 2
ist der Ladungszustand 6 der Speicherzelle 1 nach 11 Jahren
unter die Ladungsschwelle U_schw gefallen. Dann wird der
Ladungszustand der Speicherzelle 1 angehoben. Dieser Vorgang
ist in Fig. 2 mit dem Bezugszeichen 7 gekennzeichnet. Der
Ladungszustand der Speicherzelle 1 wird auf die
Programmierladung U_prog einer frisch programmierten
Speicherzelle angehoben.
Nach dem Anheben 7 des Ladungszustandes der Speicherzelle 1
bleibt der Speicherinhalt der Speicherzelle 1 beim Abschalten
der Betriebsspannung V_cc wieder für eine endliche Zeitdauer
erhalten. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel fällt der
Ladungszustand über eine Zeitdauer von 17 Jahren
kontinuierlich bis unter die Ladungsschwelle U_schw. Dieser
Entladevorgang ist in Fig. 2 mit dem Bezugszeichen 8
gekennzeichnet. Nach dem erneuten Unterschreiten der
Ladungsschwelle U_schw wird der Ladungszustand der
Speicherzelle 1 noch einmal angehoben, was in Fig. 2 mit dem
Bezugszeichen 9 gekennzeichnet ist.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren wird somit sichergestellt,
dass der Speicherinhalt einer Speicherzelle 1 eines
Festwertspeichers auch über einen längeren Zeitraum hinweg
sicher erhalten bleibt. Dadurch kann ein Ausfall des
Festwertspeichers oder eines auf den Festwertspeicher
zugreifenden Mikrocomputers aufgrund eines Datenverlustes in
dem Festwertspeicher verhindert werden. Die Lebensdauer von in
einem Festwertspeicher gespeicherten Daten kann mit Hilfe des
erfindungsgemäßen Verfahrens auf ein Vielfaches der üblichen
Lebensdauer gesteigert werden. Um einen Datenverlust des
Festwertspeichers mit Sicherheit zu verhindern, wird der
Ladungszustand der Speicherzellen 1 nicht erst nach
Unterschreiten der Leseladung U_erh angehoben, sondern bereits
nach Unterschreiten der Ladungsschwelle U_schw.
Mit Hilfe der Spannungsversorgungsschaltung 2 kann der
Festwertspeicher zwischen einem Programmierbetrieb und einem
Prüfbetrieb (Margin Read) umgeschaltet werden. Im Normal
betrieb liegt an dem Programmierspannungspin die Betriebs
spannung V_cc (V_pp = 3,3 V) an. Im Programmierbetrieb liegt
an dem Programmierspannungspin die Programmierspannung (V_pp =
5 V) an. Im Prüfbetrieb liegt eine niedrigere Prüfspannung (4
V) an. Zum Umschalten der Spannungsversorgung wird der Tran
sistor 5 zwischen einer Sperrstellung (Programmierbetrieb) und
einer Durchlassstellung (Prüfbetrieb) umgeschaltet.
Im Prüfbetrieb wirkt die Spannungsversorgungsschaltung 2 als
Spannungsteiler und an den Speicherzellen 1 liegt über den
Programmierspannungspin nicht die Programmierspannung, sondern
die niedrigere Prüfspannung an. Eine Stromquelle 10 liefert
einen eingeprägten Strom an die Speicherzellen 1 des
Festwertspeichers. Um bspw. die dritte Speicherzelle 1 zu
aktivieren, wird an der Wortleitung WL1 und an der Bitleitung
BL2 eine logische Eins angelegt. Nun wird der Margin Read
aktiviert und damit muss die Speicherzelle 1 mehr Strom
treiben können als es bei einem normalen Lesezugriff der Fall
wäre. Der Strom ist ein Äquivalent für die auf der
Speicherzelle 1 befindliche Ladung.
Aufgrund der Prüfspannung und des eingeprägten Stroms der
Stromquelle 10 wird überprüft, ob der Ladungszustand der
Speicherzelle 1 unterhalb der Ladungsschwelle U_schw liegt.
Alternativ kann dies auch überprüft werden, indem an der
Speicherzelle 1 die Betriebsspannung V_cc angelegt und dann
überprüft wird, ob die Ladung der Speicherzelle 1 ausreicht,
um eine an die Speicherzelle 1 angeschlossene größere
kapazitive Last als eine kapazitive Last 11 zu kippen.
Der Verlauf des Ladungszustands der Speicherzelle 1 bei der
Prüfspannung, die die größer als die Betriebsspannung V_cc
ist, bzw. bei einer kapazitiven Last, die größer als die
kapazitive Last 11 ist, ist in Fig. 2 mit dem Bezugszeichen
12 bezeichnet. Sobald der Verlauf 12 des Ladungszustands unter
der bestimmten Spannung U_erh (3,6 V) liegt, wird der
Ladungszustand 6 bzw. der Ladungszustand 8 der Speicherzelle 1
angehoben. Der Verlauf 6 bzw. der Verlauf 8 des
Ladungszustandes der Speicherzelle 1 wird durch die größere
Prüfspannung bzw. durch die größere kapazitive Last auf den
Verlauf 12 des Ladungszustandes zu einem niedrigeren
Ladungszustand hin verschoben. Dadurch kann der Ladungszustand
6 bzw. 8 einer Speicherzelle 1 bereits dann angehoben werden,
wenn der Ladungszustand selbst im worst case noch nicht unter
die Leseladung U_erh gefallen ist.
In Fig. 3 ist ein Ablaufdiagramm des erfindungsgemäßen
Verfahrens dargestellt. Das Verfahren wird zur Erhaltung des
Speicherinhalts von Speicherzellen eines Festwertspeichers
verwendet. Der Festwertspeicher ist Bestandteil eines
Mikrocomputers eines digitalen Steuergeräts für ein
Kraftfahrzeug. Das Steuergerät steuert bzw. regelt
verschiedene Funktionen des Kraftfahrzeugs. Das Verfahren kann
bspw. während des Fahrbetriebs des Kraftfahrzeugs durchgeführt
werden. Das in Fig. 3 dargestellte Verfahren wird jedoch
während des Nachlaufs des Steuergeräts durchgeführt.
Das Verfahren beginnt in Funktionsblock 20. In Funktionsblock
21 wird dann eine variable BLOCK auf einen ersten
Speicherblock bestehend aus mehreren Speicherzellen 1 des
Festwertspeichers gesetzt. In einem Funktionsblock 22 wird im
Normalbetrieb (Betriebsspannung V_pp = 3,3 V) des
Festwertspeichers aus dem Speicherinhalt aller Speicherzellen
1 des Speicherblocks eine erste Checksumme gebildet. In einem
Funktionsblock 23 wird der Festwertspeicher in den Prüfbetrieb
umgeschaltet, d. h. an den Speicherzellen 1 des Festwert
speichers liegt über den Programmierspannungspin die Prüfspan
nung (V_pp = 4 V) an. In einem Funktionsblock 24 wird dann für
die Speicherzellen 1 des Speicherblocks eine zweite Checksumme
gebildet. Falls der Ladungszustand 6 einer der Speicherzellen
1 des Speicherblocks bei anliegender Betriebsspannung V_cc
unterhalb der Ladungsschwelle U_schw liegt, wird der
Ladungszustand 12 dieser Speicherzelle 1 bei anliegender
Prüfspannung unterhalb der Leseladung U_erh liegen und ein
Leseverstärker kann den korrekten Zustand (programmiert/
gelöscht) nicht erkennen. In diesem Fall unterscheidet sich
die zweite Checksumme von der ersten Checksumme.
In einem Abfrageblock 25 wird überprüft, ob die erste
Checksumme gleich der zweiten Checksumme ist. Falls alle
Speicherzellen 1 des überprüften Speicherblocks oberhalb der
Ladungsschwelle U_schw liegen, ist die erste Checksumme gleich
der zweiten Checksumme und es wird zu einem Abfrageblock 26
verzweigt. Dort wird überprüft, ob sämtliche Speicherblöcke
des Festwertspeichers überprüft wurden. Falls nicht, wird zu
einem Funktionsblock 27 verzweigt, wo die Variable BLOCK auf
den nächsten Speicherblock gesetzt wird. Dann wird das
erfindungsgemäße Verfahren ab Funktionsblock 22 nochmals
durchlaufen. Falls bereits sämtliche Speicherblöcke des
Festwertspeichers überprüft worden sind, wird von dem
Abfrageblock 26 zu dem Ende des erfindungsgemäßen Verfahrens
in Funktionsblock 28 verzweigt.
Falls die Abfrage in dem Abfrageblock 25 ergeben hat, dass die
erste Checksumme ungleich der zweiten Checksumme ist, liegt
der Ladungszustand 6 von mindestens einer Speicherzelle 1 des
überprüften Speicherblocks unterhalb der Ladungsschwelle
U_schw. In diesem Fall werden die Ladungszustände sämtlicher
Speicherzellen 1 des überprüften Speicherblocks auf die
Programmierladung U_prog (5 V) einer frisch programmierten
Speicherzelle angehoben. Zum Anheben der Ladungszustände der
Speicherzellen 1 werden diese mit ihrem Speicherinhalt neu
programmiert. Dazu wird von dem Abfrageblock 25 zu einem
Abfrageblock 29 verzweigt, wo überprüft wird, ob ein weiterer
Speicherblock mit weiteren Speicherzellen zur
Zwischenspeicherung des Speicherinhalts der überprüften
Speicherzellen 1 frei ist. Falls der weitere Speicherblock
nicht frei ist, werden in Funktionsblock 30 die
Speicherinhalte der Speicherzellen des Weiteren Speicherblocks
gelöscht. Anschließend werden in einem Funktionsblock 31 die
Speicherinhalte der Speicherzellen 1 des überprüften
Speicherblocks in die Speicherzellen des Weiteren
Speicherblocks kopiert. In einem Funktionsblock 32 werden die
Speicherzellen des überprüften Speicherblocks gelöscht.
Schließlich wird der Festwertspeicher in den
Programmierbetrieb umgeschaltet und an dem
Programmierspannungspin die Programmierspannung V_pp = 5 V
angelegt. In Funktionsblock 33 werden die Speicherzellen 1 des
überprüften Speicherblocks mit den Speicherinhalten der
weiteren Speicherzellen neu programmiert.
Von dem Funktionsblock 33 wird dann wieder zu dem Abfrageblock
26 verzweigt und das erfindungsgemäße Verfahren - wie bereits
oben beschrieben - fortgesetzt.
Claims (12)
1. Verfahren zum Refresh des Speicherinhalts mindestens
einer Speicherzelle (1) eines Festwertspeichers,
gekennzeichnet durch die nachfolgenden Schritte:
- - Bestimmen des aktuellen Ladungszustandes (6) der Speicherzelle (1);
- - Vergleich des aktuellen Ladungszustandes (6) der Speicherzelle (1) mit einer Ladungsschwelle (U_schw), die oberhalb der Leseladung (U_erh) liegt, die zum korrekten Erkennen des Speicherinhalts der Speicherzelle (1) erforderlich ist; und
- - Anheben (7) des Ladungszustands (6) der Speicherzelle (1), falls der aktuelle Ladungszustand (6) der Speicherzelle (1) unterhalb der Ladungsschwelle (U_schw) liegt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass
der Ladungszustand (6) der Speicherzelle (1) auf die
Programmierladung (U_prog) einer frisch programmierten
Speicherzelle (1) angehoben wird (7).
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
dass zum Anheben (7) des Ladungszustands (6) der Speicherzelle
(1) der Speicherinhalt der Speicherzelle (1) in einer weiteren
Speicherzelle zwischengespeichert, die Speicherzelle (1)
gelöscht und der Speicherinhalt der weiteren Speicherzelle
wieder in die Speicherzelle (1) programmiert wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, dass zum Bestimmen des aktuellen
Ladungszustandes (6) der Speicherzelle (1) in einem
Prüfbetrieb eine höhere Prüfspannung (4 V) als die
Betriebsspannung (V_cc = 3,3 V) an die Speicherzelle (1)
angelegt und überprüft wird, ob die Ladung der Speicherzelle
(1) ausreicht, um die Ladung einer an die Speicherzelle (1)
angeschlossenen ersten kapazitiven Last (11) zu kippen.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, dass zum Bestimmen des aktuellen
Ladungszustandes (6) der Speicherzelle (1) in einem
Prüfbetrieb bei an der Speicherzelle (1) anliegender
Betriebsspannung (V_cc = 3,3 V) überprüft wird, ob die Ladung
der Speicherzelle (1) ausreicht, um die Ladung einer an die
Speicherzelle (1) angeschlossenen zweiten kapazitiven Last zu
kippen, die größer als die erste kapazitive Last (11) ist.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet,
dass zum Feststellen, ob der aktuelle Ladungszustand (6) der
Speicherzelle (1) unter dar Ladungsschwelle (U_schw) liegt,
der Speicherinhalt der Speicherzelle (1) einmal in einem
Normalbetrieb, während dessen die Betriebsspannung (V_cc = 3,3 V
an der Speicherzelle (1) anliegt und die erste kapazitive
Last (11) an die Speicherzelle (1) angeschlossen ist, und
einmal im Prüfbetrieb aus der Speicherzelle (1) ausgelesen
wird und die ausgelesenen Speicherinhalte miteinander
verglichen werden.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass
das Verfahren für mehrere Speicherzellen (1) eines
Festwertspeichers blockweise durchgeführt wird, wobei im
Normalbetrieb aus dem Speicherinhalt aller Speicherzellen (1)
eines Blocks eine erste Checksumme und im Prüfbetrieb aus den
Speicherzellen (1) desselben Blocks eine zweite Checksumme
gebildet wird und die beiden Checksummen miteinander
verglichen werden.
8. Verwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis
7 zur Erhaltung des Speicherinhalts einer Speicherzelle (1)
eines Festwertspeichers, der Bestandteil eines Mikrocomputers
eines digitalen Steuergeräts für ein Kraftfahrzeug ist.
9. Verwendung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass
das Verfahren während des Fahrbetriebs des Kraftfahrzeugs
und/oder während des Nachlaufs des Steuergeräts durchgeführt
wird.
10. Verwendung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass
das Verfahren in Abhängigkeit von der Betriebsdauer, der
zurückgelegten Fahrtstrecke und/oder der Anzahl der Fahrzyklen
des Kraftfahrzeugs durchgeführt wird.
11. Einrichtung zum Refresh des Speicherinhalts mindestens
einer Speicherzelle (1) eines Festwertspeichers, dadurch
gekennzeichnet, dass die Einrichtung eine Refresh-Schaltung
mit Mitteln (2, 3, 4, 5, 10) zur Durchführung des Verfahrens
nach einem der Ansprüche 1 bis 7 aufweist.
12. Digitales Steuergerät zur Steuerung und/oder Regelung
bestimmter Funktionen in einem Kraftfahrzeug, mit einem
Mikrocomputer zur Abarbeitung eines zumindest teilweise in
einem Festwertspeicher gespeicherten Steuerprogramms, dadurch
gekennzeichnet, dass das Steuergerät eine Einrichtung zum
Refresh gemäß Anspruch 11 aufweist.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19964012A DE19964012A1 (de) | 1999-12-30 | 1999-12-30 | Verfahren und Einrichtung zum Refresh des Speicherinhalts einer Speicherzelle eines Festwertspeichers |
| JP2000394974A JP2001236792A (ja) | 1999-12-30 | 2000-12-26 | 固定値メモリのリフレッシュ方法,そのリフレッシュ装置及びデジタル制御装置 |
| FR0017166A FR2805654B1 (fr) | 1999-12-30 | 2000-12-28 | Procede et dispositif servant a rafraichir le contenu d'au moins une cellule de memoire d'une memoire morte |
| US09/750,666 US6438056B2 (en) | 1999-12-30 | 2000-12-29 | Method and device for refreshing the memory content of a memory cell of a read-only memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19964012A DE19964012A1 (de) | 1999-12-30 | 1999-12-30 | Verfahren und Einrichtung zum Refresh des Speicherinhalts einer Speicherzelle eines Festwertspeichers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19964012A1 true DE19964012A1 (de) | 2001-07-12 |
Family
ID=7935145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19964012A Ceased DE19964012A1 (de) | 1999-12-30 | 1999-12-30 | Verfahren und Einrichtung zum Refresh des Speicherinhalts einer Speicherzelle eines Festwertspeichers |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6438056B2 (de) |
| JP (1) | JP2001236792A (de) |
| DE (1) | DE19964012A1 (de) |
| FR (1) | FR2805654B1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004070487A3 (de) * | 2003-02-07 | 2004-10-14 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und vorrichtung zur überwachung einer elektronischen steuerung |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2383455B (en) * | 2001-12-21 | 2004-02-25 | Motorola Inc | Non-volatile memory and method for operating a non-volatile memory |
| KR100782807B1 (ko) * | 2003-02-11 | 2007-12-06 | 삼성전자주식회사 | 첵섬 기입 방법 및 그에 따른 첵섬 확인 장치 |
| US7327612B2 (en) * | 2005-01-31 | 2008-02-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method and apparatus for providing the proper voltage to a memory |
| US7516395B2 (en) * | 2005-10-12 | 2009-04-07 | Nokia Corporation | Memory checking apparatus and method |
| US8645793B2 (en) * | 2008-06-03 | 2014-02-04 | Marvell International Ltd. | Statistical tracking for flash memory |
| US7808834B1 (en) * | 2007-04-13 | 2010-10-05 | Marvell International Ltd. | Incremental memory refresh |
| JP5475942B2 (ja) * | 2007-07-30 | 2014-04-16 | 株式会社メガチップス | 不揮発性半導体記憶装置 |
| US8031526B1 (en) | 2007-08-23 | 2011-10-04 | Marvell International Ltd. | Write pre-compensation for nonvolatile memory |
| US8189381B1 (en) | 2007-08-28 | 2012-05-29 | Marvell International Ltd. | System and method for reading flash memory cells |
| US8085605B2 (en) | 2007-08-29 | 2011-12-27 | Marvell World Trade Ltd. | Sequence detection for flash memory with inter-cell interference |
| JP4525816B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2010-08-18 | 株式会社デンソー | 電子機器及びプログラム |
| US7894254B2 (en) * | 2009-07-15 | 2011-02-22 | Macronix International Co., Ltd. | Refresh circuitry for phase change memory |
| JP5271225B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2013-08-21 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置、及び、記憶セルの記憶状態の補正方法 |
| JP2010055746A (ja) * | 2009-12-07 | 2010-03-11 | Toshiba Corp | 記憶媒体再生装置、記憶媒体再生方法および記憶媒体再生プログラム |
| JP2012190538A (ja) * | 2012-05-25 | 2012-10-04 | Toshiba Corp | 記憶装置、記憶媒体再生方法および記憶媒体再生プログラム |
| DE102019203351A1 (de) * | 2019-03-12 | 2020-09-17 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben einer nichtflüchtigen Speichereinrichtung |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4218764A (en) * | 1978-10-03 | 1980-08-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Non-volatile memory refresh control circuit |
| US5239505A (en) * | 1990-12-28 | 1993-08-24 | Intel Corporation | Floating gate non-volatile memory with blocks and memory refresh |
| US5479170A (en) * | 1992-10-16 | 1995-12-26 | California Institute Of Technology | Method and apparatus for long-term multi-valued storage in dynamic analog memory |
| US5392251A (en) * | 1993-07-13 | 1995-02-21 | Micron Semiconductor, Inc. | Controlling dynamic memory refresh cycle time |
| JP3644058B2 (ja) * | 1994-11-29 | 2005-04-27 | 株式会社デンソー | 車載エンジンの電子制御装置及びeepromのデータ再書込制御装置 |
| JPH09320300A (ja) * | 1996-05-28 | 1997-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
| JP3596989B2 (ja) * | 1996-10-03 | 2004-12-02 | 邦博 浅田 | 半導体記憶装置 |
| JP3505331B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2004-03-08 | 三洋電機株式会社 | 不揮発性半導体メモリ装置 |
| US5835413A (en) * | 1996-12-20 | 1998-11-10 | Intel Corporation | Method for improved data retention in a nonvolatile writeable memory by sensing and reprogramming cell voltage levels |
| US5852582A (en) * | 1997-02-18 | 1998-12-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Non-volatile storage device refresh time detector |
| JPH10255487A (ja) * | 1997-03-10 | 1998-09-25 | Fujitsu Ltd | 半導体メモリ装置 |
| US6005824A (en) * | 1998-06-30 | 1999-12-21 | Lsi Logic Corporation | Inherently compensated clocking circuit for dynamic random access memory |
| US6269039B1 (en) * | 2000-04-04 | 2001-07-31 | International Business Machines Corp. | System and method for refreshing memory devices |
-
1999
- 1999-12-30 DE DE19964012A patent/DE19964012A1/de not_active Ceased
-
2000
- 2000-12-26 JP JP2000394974A patent/JP2001236792A/ja active Pending
- 2000-12-28 FR FR0017166A patent/FR2805654B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-29 US US09/750,666 patent/US6438056B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004070487A3 (de) * | 2003-02-07 | 2004-10-14 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und vorrichtung zur überwachung einer elektronischen steuerung |
| CN100388220C (zh) * | 2003-02-07 | 2008-05-14 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于监控电子控制的方法和设备 |
| US7484162B2 (en) | 2003-02-07 | 2009-01-27 | Robert Bosch Gmbh | Method and apparatus for monitoring an electronic control system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6438056B2 (en) | 2002-08-20 |
| FR2805654B1 (fr) | 2008-01-11 |
| US20010019510A1 (en) | 2001-09-06 |
| JP2001236792A (ja) | 2001-08-31 |
| FR2805654A1 (fr) | 2001-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE19964012A1 (de) | Verfahren und Einrichtung zum Refresh des Speicherinhalts einer Speicherzelle eines Festwertspeichers | |
| DE68925960T2 (de) | Datenverarbeitungsanlage mit einem nichtflüchtigen und elektrisch löschbaren und umprogrammierbaren Speicher | |
| DE4110371C2 (de) | Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung | |
| DE69502169T2 (de) | Verfahren zum Einschreiben von Daten in einen Speicher und entsprechender elektrisch-programmierbarer Speicher | |
| DE69500143T2 (de) | Schaltung zum Wählen von Redundanzspeicherbauelementen und diese enthaltende FLASH EEPROM | |
| EP0195885B1 (de) | Verfahren und Anordnung zum nichtflüchtigen Speichern des Zählerstandes einer elektronischen Zählschaltung | |
| EP0129054A1 (de) | Schaltungsanordnung mit einem Datenspeicher und einer Ansteuereinheit zum Auslesen, Schreiben und Löschen des Speichers | |
| DE10308545A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Aktualisieren eines verteilten Programms | |
| DE3936676A1 (de) | Pufferschaltkreis fuer eine mit verschiedenen versorgungspotentialen arbeitende halbleitereinrichtung und verfahren zu deren betrieb | |
| DE102006000618A1 (de) | Speichervorrichtung | |
| EP0500973B1 (de) | EEPROM und Verfahren zum Ändern einer Initialisierungsroutine im EEPROM | |
| DE19638973C2 (de) | Elektronisches Steuergerät, insbesondere für eine in einem Kraftfahrzeug vorgesehene Einrichtung | |
| DE69602984T2 (de) | Verfahren zum Schützen nichtflüchtiger Speicherbereiche | |
| DE102012203713A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Verlängerung der Lebensdauer von Speichern | |
| DE102007062674A1 (de) | Integrierte Schaltkreise, Speicher-Steuerungseinheit und Speichermodule | |
| DE69828669T2 (de) | Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung | |
| DE19712731A1 (de) | Verfahren zum Betreiben eines Steuerungssystems | |
| DE69514449T2 (de) | Speicheranordnung | |
| DE4302553A1 (en) | High security binary counting method for chip card - offsetting final state of binary number w.r.t. sequence such that contents of counter never represents number smaller than previous value | |
| EP0086360A2 (de) | Wortweise elektrisch umprogrammierbarer nichtflüchtiger Speicher sowie Verwendung eines solchen Speichers | |
| DE102017103214A1 (de) | Verfahren und Vorrichtungen zur Verwaltung eines nichtflüchtigen digitalen Informationsspeichers | |
| DE102005052293B4 (de) | Speicherschaltung und Verfahren zum Schreiben in einen Zielspeicherbereich | |
| DE19619354A1 (de) | Verfahren zum Betreiben eines eine Steuerfunktion aufweisenden Steuergerätes mit einer programmierbaren Speichereinrichtung | |
| EP2003566B1 (de) | Verfahren und Steuergerät zum Betreiben eines nichtflüchtigen Speichers, insbesondere zum Einsatz in Kraftfahrzeugen | |
| WO1998039708A1 (de) | Datenspeicher mit einer redundanzschaltung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| 8131 | Rejection |