DE19960314A1 - Ionenstrahl-Bearbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Betreiben einer Ionenquelle für diese - Google Patents
Ionenstrahl-Bearbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Betreiben einer Ionenquelle für dieseInfo
- Publication number
- DE19960314A1 DE19960314A1 DE19960314A DE19960314A DE19960314A1 DE 19960314 A1 DE19960314 A1 DE 19960314A1 DE 19960314 A DE19960314 A DE 19960314A DE 19960314 A DE19960314 A DE 19960314A DE 19960314 A1 DE19960314 A1 DE 19960314A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- voltage
- delay
- electrode
- ion source
- voltage supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 84
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims abstract description 54
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract 5
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 24
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 206010011906 Death Diseases 0.000 description 1
- 241000282941 Rangifer tarandus Species 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 230000007420 reactivation Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23H—WORKING OF METAL BY THE ACTION OF A HIGH CONCENTRATION OF ELECTRIC CURRENT ON A WORKPIECE USING AN ELECTRODE WHICH TAKES THE PLACE OF A TOOL; SUCH WORKING COMBINED WITH OTHER FORMS OF WORKING OF METAL
- B23H1/00—Electrical discharge machining, i.e. removing metal with a series of rapidly recurring electrical discharges between an electrode and a workpiece in the presence of a fluid dielectric
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/08—Ion sources; Ion guns using arc discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
- H01J2237/0041—Neutralising arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/047—Changing particle velocity
- H01J2237/0475—Changing particle velocity decelerating
- H01J2237/04756—Changing particle velocity decelerating with electrostatic means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Es werden eine Ionenstrahl-Bearbeitungsvorrichtung und ein Verfahren zum Betreiben einer Ionenquelle für diese angegeben, die so beschaffen sind, dass sie die Häufigkeit von Spannungseinbrüchen wegen Teilchen verringern, und die eine Verlängerung der Nutzungszeit der Vorrichtung durch stabilen Betrieb der Vorrichtung für lange Zeit und durch Minimieren von Wartungsvorgängen, wie Reinigungsvorgängen für die Vorrichtung ermöglichen. In eine Vakuumkammer aus einer Bearbeitungskammer und einer an dieser angebrachten Ionenquelle zum Erzeugen eines Plasmas wird ein Plasma erzeugendes Gas abgeleitet, und innerhalb der Vakuumkammer wird ein elektrisches Feld angelegt, um Ionen innerhalb des Plasmas als Ionenstrahl zu entnehmen. Die Ionenquelle (1) verfügt über eine Bogenspannungsversorgung (7), eine Beschleunigungsspannungsversorgung (8) zum Anlegen einer positiven Spannung an eine Beschleunigungselektrode (2) zum Entnehmen des Ionenstrahls und eine Verzögerungsspannungsversorgung (9) zum Anlegen einer negativen Spannung an eine Verzögerungselektrode (3), um zu verhindern, dass Ionen in die Ionenquelle fliegen. Wenn die Ionenquelle betrieben wird, wird als Erstes die positive Spannung an die Beschleunigungselektrode angelegt, und dann wird die negative Spannung an die Verzögerungselektrode angelegt.
Description
Die Erfindung betrifft allgemein eine Ionenstrahl-Bearbei
tungsvorrichtung und ein Verfahren zum Betreiben einer
Ionenquelle für diese, und spezieller betrifft sie ein Ver
fahren zum Betreiben einer Ionenquelle zum Entnehmen, als
Ionenstrahl, von Ionen innerhalb eines in der Ionenquelle
erzeugten Plasmas zur Verwendung in einer Ionenstrahl-Bear
beitungsvorrichtung zum Ausführen von Ionenstrahlfräsen,
Ionenstrahlsputtern usw., und sie betrifft ein Verfahren zum
Betreiben einer die Ionenquelle verwendenden Ionenstrahl-
Bearbeitungsvorrichtung.
Eine Ionenstrahl-Bearbeitungsvorrichtung verwendet Ionen,
die, wenn sie abgestrahlt werden, um auf ein Werkstück zu
treffen, für eine Ansammlung einer positiven Ladung auf der
Oberfläche des Werkstücks sorgen, so dass die Ionenstrahl-
Bearbeitungsvorrichtung nicht auf kontinuierliche Weise da
für sorgen kann, dass ein Ionenstrahl auf einen bearbeiteten
Ort des Werkstücks trifft. Aus diesem Grund wurde herkömmli
cherweise eine Neutralisiereinrichtung angebracht, um die
Oberfläche eines-Werkstücks mit Elektronen zu bestrahlen, um
diese Oberfläche in elektrisch neutralem Zustand zu halten.
Die Neutralisiereinrichtung wird so betrieben, dass eine das
Werkstück enthaltende Bearbeitungskammer vor der Bearbeitung
des Werkstücks mit Elektronen gefüllt wird, so dass die Neu
tralisierung der Oberfläche des Werkstücks gleichzeitig mit
der Einstrahlung eines Ionenstrahls auf das Werkstück ge
startet werden kann.
Herkömmlicherweise erzeugt ein Ionengenerator typischerweise
ein Plasma zum Erzeugen von Ionen, wenn die Ionenquelle ge
startet wird, während die Neutralisiereinrichtung-Elektronen
innerhalb der Bearbeitungskammer erzeugt. Daher ist es er
forderlich, eine Abschirmungseinrichtung zum Verhindern,
dass Elektronen von der Bearbeitungskammer in den Ionengene
rator fliegen, anzubringen. Eine derartige Abschirmungsein
richtung wird dadurch realisiert, dass anfänglich eine Ver
zögerungsspannungsversorgung in einer Ionenquelle aktiviert
wird, um eine Verzögerungselektrode mit negativer Spannung
zu versehen, wobei anschließend eine Beschleunigungsspan
nungsversorgung aktiviert wird, um eine positive Spannung an
eine Beschleunigungselektrode zu legen.
Wenn jedoch ein Ionenquellen-Betriebsverfahren wie das oben
genannte bei einer Ionenstrahl-Bearbeitungsvorrichtung ange
wandt wird, haften möglicherweise Teilchen auf den Elektro
den der Ionenquelle an, um zwischen der Beschleunigungselek
trode und der Verzögerungselektrode einen Kurzschluss zu
verursachen, was wiederholte Einbrüche der als Erstes akti
vierten Verzögerungsspannungsversorgung hervorruft.
Das Einbrechen der Ionenquelle-Spannungsversorgung rührt
hauptsächlich vom Kurzschluss zwischen den Elektroden der
Ionenquelle aufgrund daran anhaftender Teilchen her. Derar
tige Teilchen sind in den meisten Fällen elektrisch leitende
Materialien, die Sputterabscheidungen sind, die einmal an
der Wandfläche innerhalb der Bearbeitungskammer anhaften und
sich wieder von dieser lösen. Wenn die Beschleunigungselek
trode und die Verzögerungselektrode der Ionenquelle mit je
weiligen Spannungen versorgt werden, wobei derartige Teil
chen an Abschnitten dieser Elektroden anhaften, werden die
zwei Elektroden kurzgeschlossen, was eine Abfolge wiederhol
ter Betriebsvorgänge verursacht, bei denen ein Kurzschluss
strom durch die Ionenquelle-Spannungsversorgung fließt, wo
durch diese auf einen erfassten Überstrom hin abgeschaltet
wird und die Spannung nach einer vorbestimmten Zeitperiode
wieder angelegt wird. Diese Abfolge von Betriebsabläufen
wird wiederholt, bis die Teilchen, die den Kurzschluss ver
ursachen, abgebrannt oder durch den Kurzschlussstrom von den
Elektroden beseitigt sind.
Typischerweise ist in Ionenquelle-Spannungsversorgungen die
Beschleunigungsspannungsversorgung so konzipiert, dass sie
größere Stromliefervermögen als die Verzögerungsspannungs
versorgung aufweist. Zum Beispiel kann eine Ionenquelle
-Spannungsversorgung eine Kombination aus einer Beschleuni
gungsspannungsversorgung mit einem Maximalausgang von
1,3 kV, 3 A und einer Verzögerungsspannungsversorgung mit
einem Maximalausgang von 500 V, 0,2 A sein. Dies, da die Be
schleunigungs- und die Verzögerungsspannungsversorgungen an
gesichts der Optimierung für die Konfiguration der gesamten
Ionenquelle-Spannungsversorgungen nicht dasselbe Stromlie
fervermögen aufweisen müssen. Genauer gesagt, muss die Be
schleunigungsspannungsversorgung einen Ionenstrahlstrom lie
fern, wenn ein Ionenstrahl entnommen wird, wohingegen die
Verzögerungsspannungsversorgung kaum Strom für den Ionen
strahl liefern muss.
Außerdem werden Werte zum Erfassen von Überströmen der je
weiligen Spannungsversorgungen typischerweise proportional
zu den maximalen Nennstromstärken der jeweiligen Spannungs
versorgungen eingestellt, so dass die Überstromerkennung für
eine Spannungsversorgung mit kleinerem Stromliefervermögen
bei einem kleineren Überstrom arbeitet. Demgemäß fließt,
wenn Teilchen an Abschnitten der Elektroden der Ionenquelle
anhaften, ein Kurzschlussstrom durch Teilchen, wenn die Ver
zögerungsspannung angelegt wird, und es wird die Überstrom
erkennung in der Verzögerungsspannungsversorgung aktiviert,
um diese abzuschalten. Dann wird die Verzögerungsspannung in
einer vorbestimmten Zeitperiode erneut angelegt. Diese Ab
folge von Vorgängen wird wiederholt, wodurch die Beschleuni
gungsspannungsversorgung unendlich lange daran gehindert
wird, aktiv zu werden.
Ferner führt bei Teilchen kleiner Größe ein durch derartige
Teilchen fließender Kurzschlussstrom zu einem Verbrennen und
schließlichem Beseitigen der Teilchen von den Elektroden.
Wenn Teilchen jedoch eine bestimmte große Abmessung aufwei
sen, reicht ein in der Verzögerungsspannungsquelle mit klei
nem Stromliefervermögen fließender Kurzschlussstrom nicht
dazu aus, die Teilchen abzubrennen, die daher auf den Elek
troden verbleiben, wodurch die Ionenquelle dazu gezwungen
wird, eine Abfolge von Vorgängen zu wiederholen, zu denen
Überstromerkennung, Abschalten und Reaktivierung gehören.
Für den Benutzer dieser Vorrichtung ist es wichtig, die Vor
richtung für eine lange Periode in stabilem Zustand zu be
treiben, Wartungsvorgänge wie Reinigungsvorgange für die
Vorrichtung zu minimieren und die Arbeitszeit der Vorrich
tung zu erhöhen, die sich aus minimierten Wartungsvorgängen
ergibt. Um diese Ziele zu erreichen, ist es kritisch, die
Häufigkeit des Auftretens von Spannungseinbrüchen zu mini
mieren, die Vorrichtung so früh wie möglich in stabilem Zu
stand zu aktivieren und einen stabilen Betriebszustand auf
rechtzuerhalten.
Im Allgemeinen tritt ein Spannungseinbruch in der Ionenquel
le häufig aufgrund von an den Elektroden der Elektrodenquel
le anhaftender Teilchen beim Einschalten der Vorrichtung
nach einem Reinigen des Inneren derselben oder nach dem Rei
nigen der Elektroden der Ionenquelle auf. Herkömmliche Ver
fahren zum Betreiben einer Ionenquelle leiden jedoch unter
Schwierigkeiten beim Beseitigen von Teilchen, die zu Span
nungseinbrüchen führen, von den Elektroden der Ionenquelle,
wodurch sich wiederholte Spannungseinbrüche ergeben. Um ei
nen stabilen Betriebszustand zu erreichen, der im Wesentli
chen frei von Spannungseinbrüchen ist, ist viel Zeit erfor
derlich. In einigen Fällen müssen die Elektroden der Ionen
quelle häufig gereinigt werden, um derartige Situationen zu
verbessern, wodurch sich Schwierigkeiten beim Verbessern der
Nutzungszeit der Vorrichtung ergeben.
Angesichts der oben genannten Probleme beim Stand der Tech
nik ist es eine Aufgabe der Erfindung, eine Ionenstrahl-Be
arbeitungsvorrichtung und ein Verfahren zum Betreiben einer
Ionenquelle für diese zu schaffen, die dazu in der Lage
sind, die Häufigkeit auftretender Spannungseinbrüche zu ver
ringern, wobei die Ionenquelle gleichmäßig aktiviert wird,
und auch Wartungserfordernisse zu verringern, wie beim Rei
nigen der Elektroden der Ionenquelle usw., um höhere Zuver
lässigkeit der Vorrichtung und verbesserten Betriebswir
kungsgrad derselben zu erzielen.
Diese Aufgabe ist hinsichtlich der Vorrichtung durch die
Lehre des beigefügten Anspruchs 8 und hinsichtlich des Ver
fahrens durch die Lehren der beigefügten unabhängigen An
sprüche 1 bis 4 gelöst.
Bei der Erfindung ist eine Ionenquelle an einer Bearbei
tungskammer angebracht, um eine Vakuumkammer zu bilden, in
die ein Gas zum Erzeugen eines Plasmas eingeleitet wird, und
ein elektrisches Feld wird innerhalb der Vakuumkammer ange
legt, um Ionen innerhalb des Plasmas als Ionenstrahl zu ent
nehmen. Die Ionenquelle verfügt über eine Bogenspannungsver
sorgung, eine Beschleunigungsspannungsversorgung zum Anlegen
eines positiven Potenzials an eine Beschleunigungselektrode
zum Entnehmen des Ionenstrahls sowie eine Verzögerungsspan
nungsversorgung zum Anlegen eines negativen Potenzials an
eine Verzögerungselektrode, um zu verhindern, dass Ionen in
die Ionenquelle fliegen. Wenn die Ionenquelle betrieben
wird, wird als Erstes ein positives Potenzial an die Be
schleunigungselektrode angelegt, und an die Verzögerungs
elektrode wird nach dem Anlegen des positiven Potenzials an
die Beschleunigungselektrode, oder gleichzeitig damit, ein
negatives Potenzial angelegt.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von durch Figuren ver
anschaulichten Ausführungsbeispielen näher beschrieben.
Fig. 1 ist ein schematisches Diagramm, das die Konfiguration
einer Ionenstrahl-Bearbeitungsvorrichtung gemäß einem Aus
führungsbeispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 2 ist ein zeitbezogenes Diagramm zum Veranschaulichen
eines Betriebsablaufs gemäß einem Ausführungsbeispiel der
Erfindung; und
Fig. 3 ist ein Flussdiagramm zum Veranschaulichen verschie
dener Schritte beim Betriebsablauf gemäß dem Ausführungsbei
spiel der Erfindung.
Gemäß Fig. 1 verfügt eine Ionenquelle 1 über eine Beschleu
nigungselektrode 2, an die ein positives Potenzial angelegt
wird; eine Verzögerungselektrode 3, an die ein negatives Po
tenzial angelegt wird; und eine Ionenquellenkammer 4 und ei
ne Wendel 5 zum Emittieren thermischer Elektronen. Die dar
gestellte Ionenstrahl-Bearbeitungsvorrichtung verfügt ferner
über eine Wendelspannungsversorgung 6 zum Erhitzen der Wen
del 5; eine Bogenspannungsversorgung 7 zum Erzeugen eines
Plasmas innerhalb der Ionenquellenkammer 4; eine Beschleuni
gungsspannungsversorgung 8 zum Anlegen einer Beschleuni
gungsspannung an die Beschleunigungselektrode 2 zum Entneh
men einer Ionenstrahls; eine Verzögerungsspannungsversorgung
9 zum Anlegen einer Verzögerungsspannung an die Verzöge
rungselektrode 3, um zu verhindern, dass Elektronen von ei
ner Bearbeitungskammer 11 in die Ionenquellenkammer 4 flie
gen; eine Steuerung 10 zum Betreiben der jeweiligen Span
nungsversorgungen 6, 7, 8, 9; und die Bearbeitungskammer 11.
Die Bearbeitungskammer 11 enthält einen Halter 13 zum Halten
von Werkstücken 12; eine Neutralisiereinrichtung 14 zum Er
zeugen von Elektronen; und einen Verschluss 15, um zu ver
hindern, dass Ionenstrahlen auf die Werkstücke 12 gestrahlt
werden. Die Bearbeitungskammer 11 ist außerhalb mit einer
Spannungsversorgung 16 für die Neutralisiereinrichtung 14
und mit einem Verschlussantrieb 17 versehen. Die Spannungs
versorgung 16 und der Verschlussantrieb 17 werden durch die
Steuerung 10 gesteuert.
Die Ionenquelle 1 ist an der Bearbeitungskammer 11 ange
bracht, und sie wird in Form einer Vakuumkammer verwendet.
Die Steuerung 10 steuert Spannungen, Ströme und Betriebs
zeitpunkte für die Wendelspannungsversorgung 6, die Bogen
spannungsversorgung 7, die Beschleunigungsspannungsversor
gung 8, die Verzögerungsspannungsversorgung 9, die Neutrali
siereinrichtung-Spannungsversorgung 16 und den Verschlussan
trieb 17.
Ein herkömmlicher Betriebsablauf umfasst Folgendes: Einlei
ten eines Plasma erzeugenden Gases in die Ionenquelle 1;
Hindurchleiten von Strom durch die Wendel 5, nachdem ein
vorbestimmter Druck innerhalb der Ionenquelle 1 erreicht
wurde; und Aktivieren der Verzögerungsspannungsversorgung 9
zum Anlegen einer Verzögerungsspannung an die Verzögerungs
elektrode 3. Anschließend geht der Betriebsablauf zur Akti
vierung der Beschleunigungsspannungsversorgung 8 über, um
eine Beschleunigungsspannung an die Beschleunigungselektrode
2 anzulegen, und schließlich wird eine Bogenspannung von der
Bogenspannungsversorgung 7 angelegt, um ein Plasma zu erzeu
gen, aus dem ein Ionenstrahl gezogen wird. Wie bereits be
schrieben, entsteht bei diesem Betriebsablauf oder -verfah
ren, wenn die Verzögerungselektrode 3 mit der Verzögerungs
spannung versorgt wird, wobei Teilchen an Abschnitten der
Beschleunigungselektrode 2 und der Verzögerungselektrode 3
der Ionenquelle anhaften, zwischen der Beschleunigungselek
trode 2 und der Verzögerungselektrode 3 ein Kurzschlusszu
stand ausgebildet, der bewirkt, dass durch die Verzögerungs
spannungsversorgung 9 ein Kurzschlussstrom fließt, der als
Überstrom erkannt wird, woraufhin die Verzögerungsspannungs
versorgung 9 abgeschaltet wird. Dann wird die Verzögerungs
spannungsversorgung 9, nachdem eine vorbestimmte Zeit ver
strichen ist, erneut hochgefahren, um die Verzögerungselek
trode 3 mit der Verzögerungsspannung zu versorgen. Diese Be
triebsabfolge wird wiederholt.
Fig. 2 ist ein Diagramm zum Erläutern eines Betriebsablaufs
bei einer erfindungsgemäßen Ionenquelle.
Wie durch Pfeile dargestellt, beinhaltet dieser Betriebsab
lauf das Folgende: Einleiten eines Plasma erzeugenden Gases
in die Ionenquelle 1; Hindurchleiten von Strom durch die
Wendel 5, nachdem in der Ionenquelle 1 ein vorbestimmter
Druck erreicht ist; Aktivieren der Beschleunigungsspannungs
versorgung 8 als Nächstes, um eine Beschleunigungsspannung
an die Beschleunigungselektrode 2 anzulegen; anschließendes
Aktivieren der Verzögerungsspannungsversorgung 9 zum Anlegen
einer Verzögerungsspannung an die Verzögerungselektrode 3;
und abschließendes Anlegen einer Bogenspannung von der Bo
genspannungsversorgung 7, um einen Ionenstrahl zu entnehmen.
Das Vorstehende entspricht den Grundprinzipien und Grundbe
triebsabläufen bei der Erfindung, wie unter Bezugnahme auf
das in Fig. 2 dargestellte Zeitdiagramm beschrieben. Nach
folgend wird ein bevorzugter Betriebsablauf eines Ausfüh
rungsbeispiels der Erfindung allgemein unter Bezugnahme auf
das in Fig. 3 dargestellte Flussdiagramm beschrieben.
Fig. 3 ist ein Flussdiagramm zum Veranschaulichen des Be
triebs der Steuerung 10 bei der Erfindung. Wenn die Steue
rung 10 ihren Betrieb beginnt, wird als Erstes, in einem
Schritt 30, der Verschlussantrieb 17 betätigt, um den Ver
schluss 15 zu schließen, um die Werkstücke 12 vor einer Be
strahlung durch Ionen oder Elektronen von der Ionenquelle zu
schützen. Als Nächstes wird, in einem Schritt 31, ein Plasma
erzeugendes Gas in die Ionenquelle 4 eingeleitet, und dann
wird die Wendelspannungsversorgung 6 betrieben, um Strom
durch die Wendel 5 zu leiten, und die Bogenspannungsversor
gung 7 wird aktiviert, um eine Bogenspannung zu liefern.
Dann wird, in einem Schritt 32, die Beschleunigungsspan
nungsversorgung 8 betrieben, um die Beschleunigungselektrode
2 mit einer Beschleunigungsspannung zu versorgen. Als Nächs
tes wird, in einem Schritt 33, die Verzögerungsspannungsver
sorgung 9 betrieben, um die Verzögerungselektrode 3 mit ei
ner Verzögerungsspannung zu versorgen. Ferner wird, in einem
Schritt 34, die Neutralisiereinrichtung-Spannungsversorgung
16 betrieben, um Strom durch die Neutralisiereinrichtung 14
zu leiten, um Elektronen zum Neutralisieren der Oberfläche
der Werkstücke 12 zu erzeugen.
Durch die Abfolge der vorstehenden Betriebsabläufe ist die
Ionenquelle nun zur Aktivierung bereit. Anschließend wird,
in einem Schritt 35, der Verschlussantrieb 17 betrieben, um
den Verschluss 15 zu öffnen, gefolgt von einem Schritt 36,
in dem die Werkstücke 12 bearbeitet werden.
Gemäß dem vorstehenden Betriebsablauf legt die Beschleuni
gungsspannungsversorgung 8 mit großem Stromliefervermögen,
während Teilchen an Abschnitten der Beschleunigungselektrode
2 und der Verzögerungselektrode 3 anhaften, als Erstes eine
Beschleunigungsspannung an, um zwischen der Beschleunigungs
elektrode 2 und der Verzögerungselektrode 3 über die Teil
chen einen Kurzschlusszustand zu errichten, um dafür zu sor
gen, dass ein Kurzschlussstrom durch die Beschleunigungs
spannungsversorgung 8 fließt. Dieser Kurzschlussstrom fließt
dauernd durch die Teilchen auf den Elektroden 2, 3, bis die
Beschleunigungsspannungsversorgung 8 auf die Erkennung eines
Überstroms hin die Beschleunigungsspannung nicht mehr aus
gibt. Da die Beschleunigungsspannungsversorgung 8 einen ma
ximalen Nennstrom von einigen Ampere aufweist, schaltet sie
erst ab, wenn der Kurzschlussstrom einen Überstrom erreicht,
dessen Wert geringfügig höher als der maximale Nennstrom
ist, z. B. bei 120% der maximalen Nennstromstärke.
Auf diese Weise kann beim Verfahren zum Betreiben einer
Ionenquelle gemäß dem Ausführungsbeispiel, da nämlich die
Beschleunigungsspannungsversorgung größeres Stromlieferver
mögen als die Verzögerungsspannungsversorgung aufweist, ein
größerer Kurzschlussstrom erzeugt werden, und demgemäß kann
die Zeitspanne bis zum Erkennen eines Überstroms länger als
beim herkömmlichen Verfahren zum Betreiben einer Ionenquelle
gemacht werden. Demgemäß können die Teilchen, die den Kurz
schluss zwischen den Elektroden 2, 3 verursachen, für länge
re Zeit von einem größeren Kurzschlussstrom durchflossen
werden als beim herkömmlichen Betriebsverfahren. Durch den
Kurzschlussstrom erzeugte Wärme bewirkt, dass die Teilchen
heiß werden und abbrennen oder sie durch elektrische Stöße,
wie Entladungsstöße, von den Elektroden entfernt werden oder
sie durch die Vakuumumgebung abdampfen, so dass der Kurz
schlusszustand zwischen den Elektroden 2, 3 wirkungsvoll be
seitigt wird.
Ferner ist es gemäß diesem Ausführungsbeispiel möglich, da
durch die Beschleunigungsspannungsversorgung 8 mit größerem
Stromverliefervermögen ein größerer Kurzschlussstrom für
längere Zeit geliefert werden kann, Teilchen in kürzerer
Zeit zu entfernen, wenn die Teilchen dieselbe Größe wie im
bekannten Fall aufweisen, und auch Teilchen mit großen Ab
messungen zu beseitigen, die beim Stand der Technik wegen
unzureichendem Strom nicht entfernt werden können. Im Ergeb
nis kann ein Spannungseinbruch, selbst wenn er auftritt, in
kürzerer Zeit überwunden werden. Es ist auch möglich, die
Häufigkeit von Wartungsvorgängen, wie zum Reinigen der Elek
troden der Ionenquelle, um den Spannungseinbruch zu beheben,
zu verringern.
Beim vorstehenden Ausführungsbeispiel wird die Verzögerungs
spannungsquelle 9 zum Versorgen der Verzögerungselektrode 3
mit einer Verzögerungsspannung aktiviert, nachdem die Be
schleunigungsspannungsversorgung 8 zum Anlegen einer Be
schleunigungsspannung an die Beschleunigungselektrode 2 ak
tiviert wurde. Alternativ können die Beschleunigungsspan
nungsversorgung 8 und die Verzögerungsspannungsversorgung 9
gleichzeitig aktiviert werden, um die Beschleunigungselek
trode 2 und die Verzögerungselektrode 3 mit der Beschleuni
gungsspannung bzw. der Verzögerungsspannung zu versorgen. In
diesem Fall kann, da die Summe aus den durch die Beschleuni
gungsspannungsversorgungsspannung 8 und die Verzögerungs
spannungsversorgung 9 erzeugten Spannungen zwischen die Be
schleunigungselektrode 2 und die Verzögerungselektrode 3 ge
legt wird, ein größerer Kurzschlussstrom erzeugt werden, was
es ermöglicht, Teilchen in kürzerer Zeit zu entfernen.
Gemäß der Erfindung ist es möglich, da die Spannungen der
Ionenquelle-Spannungsversorgungen in solcher Reihenfolge an
gelegt werden, dass die Verzögerungsspannung nach der Be
schleunigungsspannung oder gleichzeitig mit dieser angelegt
wird, die Häufigkeit von Spannungseinbrüchen in der Ionen
quelle zu verringern, was bei bekannten Ionenstrahl-Bearbei
tungsvorrichtungen oder dergleichen ein Problem darstellt,
wobei der Spannungseinbruch aufgrund von Teilchen auftritt,
die an den in der Ionenquelle vorhandenen Elektroden anhaf
ten. Dadurch kann die Ionenquelle gleichmäßig aktiviert wer
den, und es kann ein stabiler Betrieb der Vorrichtung reali
siert werden, mit verringerten Erfordernissen für Wartungs
vorgänge, wie einem Reinigen der Elektroden der Ionenquelle
oder dergleichen. Ferner können u. a. eine höhere Zuverläs
sigkeit der Vorrichtung und ein verbesserter Betriebswir
kungsgrad derselben erzielt werden.
Claims (8)
1. Verfahren zum Betreiben einer Ionenquelle (1) für eine
Ionenstrahl-Bearbeitungsvorrichtung, wobei die Ionenquelle
Folgendes aufweist: eine Bogenspannungsversorgung (7), eine
Beschleunigungsspannungsversorgung (8) zum Anlegen einer po
sitiven Spannung an eine Beschleunigungselektrode (2) zum
Entnehmen eines Ionenstrahls sowie eine Verzögerungsspan
nungsquelle 9 zum Anlegen einer negativen Spannung an eine
Verzögerungselektrode (3) , um zu verhindern, dass Elektronen
in die Ionenquelle fliegen, wobei ein Gas in die Ionenquelle
eingeleitet wird, um aus diesem ein Plasma zu erzeugen, und
wobei ein elektrisches Feld erzeugt wird, um Ionen innerhalb
des Plasmas als Ionenstrahl zu entnehmen;
gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
- - Anlegen einer positiven Spannung an die Beschleunigungs elektrode durch die Beschleunigungsspannungsversorgung und
- - anschließendes Anlegen einer negativen Spannung an die Verzögerungselektrode durch die Verzögerungsspannungsversor gung.
2. Verfahren zum Betreiben einer Ionenquelle (1) für eine
Ionenstrahl-Bearbeitungsvorrichtung, wobei die Ionenquelle
Folgendes aufweist: eine Bogenspannungsversorgung (7) , eine
Beschleunigungsspannungsversorgung (8) zum Anlegen einer po
sitiven Spannung an eine Beschleunigungselektrode (2) zum
Entnehmen eines Ionenstrahls sowie eine Verzögerungsspan
nungsquelle 9 zum Anlegen einer negativen Spannung an eine
Verzögerungselektrode (3) , um zu verhindern, dass Elektronen
in die Ionenquelle fliegen, wobei ein Gas in die Ionenquelle
eingeleitet wird, um aus diesem ein Plasma zu erzeugen, und
wobei ein elektrisches Feld erzeugt wird, um Ionen innerhalb
des Plasmas als Ionenstrahl zu entnehmen;
gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
- - Anlegen einer negativen Spannung an die Verzögerungselek trode durch die Verzögerungsspannungsversorgung gleichzeitig mit dem Anlegen einer positiven Spannung an die Beschleuni gungselektrode durch die Beschleunigungsspannungsversorgung.
3. Verfahren zum Betreiben einer Ionenquelle (1) für eine
Ionenstrahl-Bearbeitungsvorrichtung, wobei die Ionenquelle
Folgendes aufweist: eine Bogenspannungsversorgung (7), eine
Beschleunigungsspannungsversorgung (8) zum Anlegen einer po
sitiven Spannung an eine Beschleunigungselektrode (2) zum
Entnehmen eines Ionenstrahls sowie eine Verzögerungsspan
nungsquelle 9 zum Anlegen einer negativen Spannung an eine
Verzögerungselektrode (3), um zu verhindern, dass Elektronen
in die Ionenquelle fliegen, wobei ein Gas in die Ionenquelle
eingeleitet wird, um aus diesem ein Plasma zu erzeugen, und
wobei-ein elektrisches Feld erzeugt wird, um Ionen innerhalb
des Plasmas als Ionenstrahl zu entnehmen;
gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
- - einen ersten Schritt des Anlegens einer negativen Spannung an die Verzögerungselektrode durch die Verzögerungsspan nungsversorgung, nachdem durch die Beschleunigungsspannungs versorgung eine positive Spannung an die Beschleunigungs elektrode angelegt wurde; und
- - einen zweiten Schritt des Anlegens einer negativen Span nung an die Verzögerungselektrode durch die Verzögerungs spannungsversorgung gleichzeitig mit einem Anlegen einer po sitiven Spannung an die Beschleunigungselektrode durch die Beschleunigungsspannungsversorgung;
- - wobei der erste Schritt und der zweite Schritt selektiv ausgeführt werden.
4. Verfahren zum Betreiben einer Ionenstrahl-Bearbeitungs
vorrichtung, die eine Ionenquelle (1) und eine Verarbei
tungskammer (11) aufweist, wobei die Ionenquelle Folgendes
aufweist: eine Bogenspannungsversorgung (7), eine Beschleu
nigungsspannungsversorgung (8) zum Anlegen einer positiven
Spannung an eine Beschleunigungselektrode (2) zum Entnehmen
eines Ionenstrahls sowie eine Verzögerungsspannungsquelle 9
zum Anlegen einer negativen Spannung an eine Verzögerungs
elektrode (3), um zu verhindern, dass Elektronen in die Io
nenquelle fliegen, wobei ein Gas in die Ionenquelle einge
leitet wird, um aus diesem ein Plasma zu erzeugen, und wobei
ein elektrisches Feld erzeugt wird, um Ionen innerhalb des
Plasmas als Ionenstrahl zu entnehmen;
- - wobei die Bearbeitungskammer einen Halter (13) zum Halten
eines Werkstücks (12), einen Verschluss (15) zum Schützen
des Werkstücks vor einer Bestrahlung durch Ionen und Elek
tronen sowie eine Neutralisiereinrichtung (14) zum Erzeugen
von Elektronen zum elektrischen Neutralisieren der Oberflä
che des Werkstücks aufweist;
gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: - - einen ersten Schritt des Anlegens einer positiven Spannung an die Beschleunigungselektrode durch die Beschleunigungs spannungsversorgung;
- - einen zweiten Schritt des Anlegens einer negativen Span nung an die Verzögerungselektrode durch die Verzögerungs spannungsversorgung nach dem Ausführen des ersten Schritts; und
- - einen dritten Schritt des Startens der Neutralisierein richtung nach dem Ausführen des zweiten Schritts.
5. Verfahren nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch den
Schritt des Einsetzens des Verschlusses (15) zum Schützen
des Werkstücks (12) vor Bestrahlung mit Ionen vor dem Aus
führen des ersten Schritts.
6. Verfahren nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch den
Schritt des Herausnehmens des Verschlusses (15) nach dem
Ausführen des dritten Schritts.
7. Verfahren nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch den
Schritt des Bearbeitens des Werkstücks (12) nach dem Ausfüh
ren des dritten Schritts.
8. Ionenstrahl-Bearbeitungsvorrichtung mit
- - einer Beschleunigungsspannungsversorgung (8) zum Anlegen einer Beschleunigungsspannung an eine Beschleunigungselek trode (2);
- - einer Verzögerungsspannungsversorgung (9) zum Anlegen ei ner Verzögerungsspannung an eine Verzögerungselektrode (3) und
- - einer Steuerung (10) zum Aktivieren dieser Spannungsver
sorgungen;
dadurch gekennzeichnet, dass die Steuerung (10) so ausgebil det ist, dass sie ein Verfahren gemäß einem der vorstehenden Ansprüche ausführt.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35660698 | 1998-12-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19960314A1 true DE19960314A1 (de) | 2000-06-29 |
Family
ID=18449869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19960314A Ceased DE19960314A1 (de) | 1998-12-15 | 1999-12-15 | Ionenstrahl-Bearbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Betreiben einer Ionenquelle für diese |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6515426B1 (de) |
| KR (1) | KR20000048121A (de) |
| DE (1) | DE19960314A1 (de) |
| GB (1) | GB2344931A (de) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6515426B1 (en) * | 1998-12-15 | 2003-02-04 | Hitachi, Ltd. | Ion beam processing apparatus and method of operating ion source therefor |
| WO2007013703A1 (en) * | 2005-07-26 | 2007-02-01 | Psm Inc. | Injection type plasma treatment apparatus and method |
| KR101385750B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2014-04-18 | 삼성전자주식회사 | 중성빔을 이용하는 기판 처리 장치 및 방법 |
| JP5390330B2 (ja) * | 2008-10-16 | 2014-01-15 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置およびそのクリーニング方法 |
| US8604418B2 (en) * | 2010-04-06 | 2013-12-10 | Axcelis Technologies, Inc. | In-vacuum beam defining aperture cleaning for particle reduction |
| WO2014136158A1 (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-12 | キヤノンアネルバ株式会社 | イオンビーム処理方法、およびイオンビーム処理装置 |
| US9406535B2 (en) * | 2014-08-29 | 2016-08-02 | Lam Research Corporation | Ion injector and lens system for ion beam milling |
| US10825652B2 (en) | 2014-08-29 | 2020-11-03 | Lam Research Corporation | Ion beam etch without need for wafer tilt or rotation |
| CN105097398A (zh) * | 2015-08-26 | 2015-11-25 | 成都森蓝光学仪器有限公司 | 水冷环形热阴极离子源中和器 |
| US9779955B2 (en) | 2016-02-25 | 2017-10-03 | Lam Research Corporation | Ion beam etching utilizing cryogenic wafer temperatures |
| KR20250011246A (ko) | 2019-02-28 | 2025-01-21 | 램 리써치 코포레이션 | 측벽 세정을 사용한 이온 빔 에칭 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1476514A (fr) | 1964-10-14 | 1967-04-14 | Commissariat Energie Atomique | Source d'ions |
| JPS5923432A (ja) | 1982-07-30 | 1984-02-06 | Hitachi Ltd | プラズマイオン源 |
| US4714834A (en) * | 1984-05-09 | 1987-12-22 | Atomic Energy Of Canada, Limited | Method and apparatus for generating ion beams |
| FR2581244B1 (fr) * | 1985-04-29 | 1987-07-10 | Centre Nat Rech Scient | Source d'ions du type triode a une seule chambre d'ionisation a excitation haute frequence et a confinement magnetique du type multipolaire |
| US4916311A (en) | 1987-03-12 | 1990-04-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ion beaming irradiating apparatus including ion neutralizer |
| JPH01132033A (ja) | 1987-11-17 | 1989-05-24 | Hitachi Ltd | イオン源及び薄膜形成装置 |
| JP2625946B2 (ja) | 1988-08-22 | 1997-07-02 | 日新電機株式会社 | イオン処理装置の制御方法 |
| EP0525927B1 (de) | 1991-07-23 | 1995-09-27 | Nissin Electric Company, Limited | Ionenquelle mit Massentrennvorrichtung |
| GB2295485B (en) | 1994-11-19 | 1998-10-07 | Atomic Energy Authority Uk | ion beam extraction and accelerator electrode structure |
| GB9522883D0 (en) | 1995-11-08 | 1996-01-10 | Applied Materials Inc | An ion implanter and method of ion implantation |
| US6515426B1 (en) * | 1998-12-15 | 2003-02-04 | Hitachi, Ltd. | Ion beam processing apparatus and method of operating ion source therefor |
-
1999
- 1999-12-13 US US09/458,512 patent/US6515426B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-14 KR KR1019990057391A patent/KR20000048121A/ko not_active Withdrawn
- 1999-12-14 GB GB9929564A patent/GB2344931A/en not_active Withdrawn
- 1999-12-15 DE DE19960314A patent/DE19960314A1/de not_active Ceased
-
2002
- 2002-10-02 US US10/261,781 patent/US6635998B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030030009A1 (en) | 2003-02-13 |
| GB9929564D0 (en) | 2000-02-09 |
| GB2344931A (en) | 2000-06-21 |
| US6635998B2 (en) | 2003-10-21 |
| KR20000048121A (ko) | 2000-07-25 |
| US6515426B1 (en) | 2003-02-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69433498T2 (de) | Reaktives gleichstrom-zerstäubungssystem | |
| DE69112820T2 (de) | Bogenentladungsableiter. | |
| DE69800975T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zu Oberflächenbehandlung | |
| DE69123430T2 (de) | Verfahren und Gerät zur Ionenimplantierung und Oberflächenbehandlung | |
| DE19960314A1 (de) | Ionenstrahl-Bearbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Betreiben einer Ionenquelle für diese | |
| KR870001325A (ko) | 스퍼터링 참버에서 단락된 고-전압 음극을 제거하기 위한 방법 및 장치 | |
| DE1465005A1 (de) | Schaltanordnung fuer Lichtbogenschweissung | |
| EP0529259A1 (de) | Einrichtung zum Behandeln von Substraten | |
| DE3802852C2 (de) | ||
| DE2606395C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung des elektrischen Verhaltens einer stromstarken Glimmentladung | |
| DE2947444C2 (de) | Elektronenstrahl-Gravierverfahren | |
| EP1928009B1 (de) | Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen | |
| EP1933362A1 (de) | Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen | |
| DE1920418A1 (de) | Lichtbogenschweissvorrichtung | |
| DE102006002333A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Löschen von Bogenentladungen | |
| DE102006001891B3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung einer Oberfläche, insbesondere um diese von Verunreinigungen zu befreien | |
| EP2263428A2 (de) | Verfahren und vorrichtung zum zünden eines lichtbogens | |
| EP1786075B1 (de) | Verfahren zum Betrieb einer Vakuumplasmaprozessanlage | |
| DE3791058C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Einbrennen von Elektronenröhren | |
| DE3874386T2 (de) | Vakuum-lichtbogen-ionenquelle. | |
| DE102009025422B9 (de) | Verfahren und Anordnung zur Steuerung eines RF-Generators für Magnetrons in Vakuumbeschichtungsanlagen | |
| DE102018115826A1 (de) | Arclöschverfahren und Leistungswandler | |
| DE102009046754A1 (de) | Verfahren zum Betrieb einer Plasmaversorgungseinrichtung | |
| EP3133634B1 (de) | Vorrichtung zum zünden einer vakuumbogenentladung und verfahren zu deren anwendung | |
| DE102012223659B4 (de) | Arclöschverfahren und Leistungsversorgungssystem mit einem Leistungswandler |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8131 | Rejection |